基板処理方法、基板処理装置
【課題】 製品基板の処理において、戻り処理が必要となる場合であっても、無駄なダミー基板処理を低減すること。
【解決手段】 基板処理方法は、複数の基板のそれぞれに対して、第１処理を実行し、第１処理が実行された基板に、第２処理を実行する実行工程と、複数の基板のそれぞれに対して、第１および第２処理が実行された基板を退避室に回収する回収工程と、複数の基板のうち、最後の基板に対して第１処理が完了した後に、第１処理室にダミー基板を搬入し、ダミー基板に第３処理を実行し、さらにダミー基板を第１処理室から搬出する調整工程と、調整工程でダミー基板が第１処理室から搬出された後、回収工程において回収された基板を、第１処理室に搬入し、第３処理を実行する第２実行工程と、を有する。
【解決手段】 基板処理方法は、複数の基板のそれぞれに対して、第１処理を実行し、第１処理が実行された基板に、第２処理を実行する実行工程と、複数の基板のそれぞれに対して、第１および第２処理が実行された基板を退避室に回収する回収工程と、複数の基板のうち、最後の基板に対して第１処理が完了した後に、第１処理室にダミー基板を搬入し、ダミー基板に第３処理を実行し、さらにダミー基板を第１処理室から搬出する調整工程と、調整工程でダミー基板が第１処理室から搬出された後、回収工程において回収された基板を、第１処理室に搬入し、第３処理を実行する第２実行工程と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理時間を短縮可能な基板処理方法および基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置において、製品基板を処理する前後にチャンバ内の雰囲気を整えるために、ダミー基板を用いた処理が行われている。例えば、製品基板をチャンバＡ→チャンバＢ→チャンバＣの順に複数枚処理した場合、チャンバ毎に同じ処理を繰り返すため、ダミー基板を搬送して雰囲気を整える処理は、１枚目の製品基板の前と、最後の製品基板の後に各チャンバに対して行うことになる。なお、このようなダミー基板を用いて雰囲気を整える処理の例は、例えば、特許文献１に示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１５３１８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、製品基板は、同じチャンバを異なる条件で複数回使用して処理（戻り処理）を行うことがある。
【０００５】
製品基板を４つの工程、例えば、チャンバＡ（１工程）→Ｂ（２工程）→Ｃ（３工程）→Ａ（４工程）で処理する場合を想定する。１工程目のチャンバＡの処理の後、再び４工程目のチャンバＡで処理を行うような戻り処理を行う場合がある。このような戻り処理において、１工程目と４工程目とで異なる処理を行う場合、１工程目と４工程目のそれぞれの処理の前後にチャンバＡ内の雰囲気を整えるために、ダミー基板を用いた処理が必要となる。
【０００６】
このように戻り処理がある場合、製品基板を１枚毎に、チャンバＡの雰囲気を整えるためのダミー基板処理を実行すると、ダミー基板の枚数が増大し、処理効率が落ちるという問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の目的は、製品基板の処理において、戻り処理が必要となる場合であっても、無駄なダミー基板処理を低減し、処理効率に優れた基板処理技術を提供する。
【０００８】
本発明の一つの側面に係る基板処理方法は、少なくとも第１処理室と、第２処理室と、退避室とを含む基板処理装置を用いて、複数の基板に対して、前記第１処理室で基板を処理する第１処理と、前記第１処理の後に前記第２処理室で前記基板を処理する第２処理と、前記第２処理の後に前記第１処理室で、前記基板に、前記第１処理とは異なる処理を施す第３処理と、を含む一連の処理を実行する基板処理方法であって、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１処理を実行し、前記第１処理が実行された基板に、前記第２処理を実行する実行工程と、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１および第２処理が実行された前記基板を退避室に回収する回収工程と、
前記複数の基板のうち、最後の基板に対して前記第１処理が完了した後に、前記第１処理室にダミー基板を搬入し、当該ダミー基板に前記第３処理を実行し、さらに当該ダミー基板を前記第１処理室から搬出する調整工程と、
前記調整工程で前記ダミー基板が前記第１処理室から搬出された後、前記回収工程において前記回収された前記基板を、前記第１処理室に搬入し、前記第３処理を実行する第２実行工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の他の側面に係る基板処理装置は、少なくとも第１処理室と、第２処理室と、退避室と、基板を搬送する搬送手段と、前記第１処理室、前記第２処理室および搬送手段を制御する制御手段とを備え、複数の基板に対して、前記第１処理室で基板を処理する第１処理と、前記第１処理の後に前記第２処理室で前記基板を処理する第２処理と、前記第２処理の後に前記第１処理室で、前記基板に前記第１処理とは異なる処理を施す第３処理とを含む一連の処理を実行する基板処理装置であって、
前記制御手段は、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１処理を第１処理室に実行させ、前記第１処理が実行された基板に、前記第２処理を前記第２処理室に実行させる処理チャンバ制御手段と、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第２処理の実行の後に、前記第１および第２処理が実行された前記基板を退避室に回収する処理を前記搬送手段に実行させ、前記複数の基板のうち、最後の基板に対して前記第１処理が完了した後に、前記第１処理室にダミー基板を前記搬送手段に搬入させる搬送制御手段と、を備え、
前記処理チャンバ制御手段は、前記第１処理室に前記ダミー基板が搬入された後、当該ダミー基板に前記第３処理を前記第１処理室に実行させ、
前記搬送制御手段は、当該ダミー基板に対する前記第３処理が完了後に当該ダミー基板を前記第１処理室から搬出する処理を前記搬送手段に実行させ、前記ダミー基板が前記第１処理室から搬出された後、前記搬送手段に前記回収された前記基板を、前記第１処理室に搬入させ、
前記処理チャンバ制御手段は、前記回収された前記基板が、前記第１処理室に搬入された後、前記第３処理を前記第１処理室に実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、製品基板の処理において、戻り処理が必要となる場合であっても、無駄なダミー基板処理を低減し、処理効率に優れた基板処理技術の提供が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明が適用可能な半導体製造装置を概略的に示す説明図。
【図２】工程経路情報生成装置及び半導体製造装置の制御系の構成図。
【図３】工程区切り判定処理のフローチャート。
【図４】製品基板ｘ枚をチャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａで処理するときの、製品基板処理、ダミー基板処理、工程区切りの実施例１を示す図。
【図５】本発明による、チャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａで製品基板３枚を処理するときのフロー図。
【図６】比較例の方法による、チャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａで製品基板３枚を処理するときのフロー図。
【図７】製品基板をチャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａ→Ｂ→Ａで処理するときの、製品基板処理、ダミー基板処理、工程区切りの実施例２を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、本発明に適用可能な半導体製造装置の構成を説明する図である。本装置は、クラスターツール型の装置である。装置の搬送チャンバ５１は搬送機構としての基板搬送ロボットアーム１ａ、１ｂを備える。搬送チャンバ５１の周囲には、基板の表面に所定の膜を作成する処理チャンバ１１、１２、１３、１４、１５、１６と、大気側と処理チャンバ１１、１２、１３、１４、１５、１６との間で基板の搬送を行う際に基板が一時的に滞留するロードロックチャンバ２１、２２とが接続されている。なお、処理チャンバは、ＰＶＤやＣＶＤなどにより、基板に成膜処理を施す成膜チャンバでもよいし、エッチングチャンバ、加熱チャンバ、冷却チャンバなどであってもよい。
【００１３】
搬送チャンバ５１は、図１に示すような多角形の筒状であり、その各側面に、二つのロードロックチャンバ２１、２２と、処理チャンバ１１、１２、１３、１４、１５、１６とがゲートバルブを介して気密に接続されている。各処理チャンバ１１、１２、１３、１４、１５、１６、２１、２２、５１は、排気系を備えた真空チャンバである。
【００１４】
ロードロックチャンバ２１、２２には、所定数の基板を収容可能なカセットが設けられている。そして、ロードロックチャンバ２１、２２の外側には、図１に示すように、大気側に配置され、製品基板を格納したロードポート４１、４２、４３と、ダミー基板を格納したロードポート４４と、ロードロックチャンバ２１、２２との間で基板を搬送するオートローダ２ａ、２ｂが設けられている。
【００１５】
搬送チャンバ５１内に設けられた基板搬送ロボットアーム１ａ、１ｂは、ロードロックチャンバ２１、２２から未成膜の基板を一枚ずつ取り出して処理チャンバ１１に搬送することが可能である。また、基板搬送ロボットアーム１ａ、１ｂは、成膜済みの基板を処理チャンバ１１から回収してロードロックチャンバ２１、２２に戻すようになっている。基板搬送ロボットアーム１ａ、１ｂは、上面に基板を載置して保持するブレード（基板保持部）と、このブレードを先端に固定した多関節アームと、多関節アームを駆動する駆動系とを備える。駆動系には、搬送チャンバ５１の中心軸の周りに回転させたり、多関節アームを全体に直線移動させたりする構成が採用されることがある。
【００１６】
図２Ａ，Ｂは上述の半導体製造装置の制御系の一例の機能ブロックを示す。制御系は、装置全体の動作を制御する主制御部ＣＯＮと、各処理チャンバに設けられ、各処理チャンバ１１、１２、１３、１４、１５、１６の構成要素（排気部、プラズマ生成部、ガス導入部など）を制御し所定の処理を実行する処理チャンバ制御部１０と、基板搬送ロボットアーム１ａ、１ｂ、２ａ、２ｂの動作を制御する搬送制御部Ｔと、を備えている。これらは相互に通信可能になっており、記憶機能及びプログラムを実行可能な演算機能を有するＰＣやＰＬＣなどを備える。装置ＰＣはユーザーから入力された搬送順序情報（本例では、Ａ→Ｂ→Ｃ→Ａ）及び処理条件情報の入力を受け付けると、搬送順序情報及び処理条件情報は、主制御部ＣＯＮの記憶装置に記憶される。主制御部ＣＯＮは、記憶装置に記憶された搬送順序情報及び処理条件情報に基づいて、搬送制御装置Ｔ、処理チャンバ制御部１０等を制御して、基板処理を実行することができる。なお、主制御部ＣＯＮは本発明における工程情報生成装置に相当し、ユーザＩ／Ｆとしての装置ＰＣを介して入力される搬送順序情報及び処理条件情報に基づいて、工程経路情報を生成する。搬送順序情報は、例えば、図２Ａに示すように複数の処理室（チャンバ）で基板を処理するために、複数の処理室に基板を搬送する順序を定めた情報である。また、処理条件情報は、図２Ｂに示すように、それぞれの処理室における基板の処理条件を定めた情報である。工程経路情報とは、搬送順序情報と処理条件情報とから、複数の処理室における一連の基板の処理において基板を退避室に退避させる回収工程を含めた基板の搬送経路を定める情報である。ここで、退避室としては、製品基板を格納したロードポート４１、４２、４３や、ロードロックチャンバ２１、２２が、基板を複数枚格納できるときは、ロードロックチャンバ２１、２２を使用することが可能である。
【００１７】
次に、図３、図４を参照して、工程区切り判定処理を説明する。図３は、工程区切り判定処理のフローチャートである。図４は、チャンバＡ（第１処理室）→Ｂ（第２処理室）→Ｃ（第３処理室）→Ａ（第１処理室）で製品基板ｘ枚を処理するときの、製品基板処理、ダミー基板を用いた調整処理、工程区切りの実施例である。なお、図３に示すフロー処理は、図２Ａに示す主制御部ＣＯＮによって実行される。
【００１８】
まず、主制御部ＣＯＮは、Ｓ１において、確認工程ｎとチャンバの使用回数を記憶する記憶装置の初期化を行う。Ｓ２において、主制御部ＣＯＮは、あらかじめユーザーによって入力され、主制御部ＣＯＮの記憶装置に記憶された搬送順序情報（本例では、チャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａ）を参照して、ｎ工程目の使用チャンバを確認し、当該チャンバの使用回数を数える。Ｓ３において、主制御部ＣＯＮは、該当チャンバの使用回数が１回より大きいかどうかを判定する。該当チャンバの使用回数が１回より大きくなったとき、即ち、Ｙｅｓのとき、Ｓ４において、ｎ−１工程目とｎ工程目の間は、工程区切り位置に設定する。工程区切り位置が１つ決まると、Ｓ５において、主制御部ＣＯＮは、チャンバ使用回数を記憶する記憶装置の初期化を行い、Ｓ２に戻って、ｎ工程目以降の工程区切り位置の判定を進めていく。
【００１９】
一方、Ｓ３において、該当チャンバの使用回数が１回のとき、Ｓ６においてｎをｎ+１工程目として、次の工程に進む。Ｓ７においてｎ工程が全工程数以下（Ｎｏ）であれば、Ｓ２へ戻って工程区切り判定を引き続き行う。逆にｎ工程が全工程より大きい（Ｙｅｓ）とき、工程区切り判定処理は終了する。この処理により、区切られた工程範囲内では、図４に示すように同じチャンバが重複しないよう工程区切り位置が自動的に算出される。図４に示す例では、３工程目と４工程目との間で工程が区切られている。
【００２０】
［実施例１］
図１乃至５を参照して、実施例１を説明する。図５は、本発明による、チャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａで製品基板３枚を処理するときのフローを説明する図である。なお、本例では、製品基板の数が３枚のときについて説明するが、本発明の趣旨はこれに限定されず、製品基板が２枚以上のときであればよい。
【００２１】
主制御部ＣＯＮは、製品基板の処理を開始するとき、図３の工程区切り判定処理を行い、工程区切り位置を算出する。この工程区切りの判定処理により、製品基板をチャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａのときは、図４に示すように、工程区切りは３工程目と４工程目の間となる。工程区切りを算出したあと、基板の処理を進めていく。
【００２２】
主制御部ＣＯＮは、図１の基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂのいずれかを駆動して、図１のロードポート４４からダミー基板１を搬出する。搬出されたダミー基板１は、図１のアライナ３１を経由して図１のロードロックチャンバ２１または２２に搬入されたあと、主制御部ＣＯＮは、搬入されたロードロックチャンバを減圧する。そのあとダミー基板１は、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、図１の処理チャンバ１１（チャンバＡ）へ搬入されたあと１番目の工程の処理（第１処理）が開始される。チャンバＡの処理が完了したあと、ダミー基板１は図１の処理チャンバ１１から搬出され、図１のロードポート４４の元の位置に戻される。同様にダミー基板２に対して、図１の処理チャンバ１２（チャンバＢ）で２番目の工程の処理（第２処理）が実行され、ダミー基板３に対して、図１の処理チャンバ１３（チャンバＣ）で３番目の工程の処理（第３処理）が実行される。
【００２３】
主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂを駆動して、ロードポート４１〜４３から製品基板１を搬出し、アライナ３１を経由して図１のロードロックチャンバ２１または２２に搬入したあとロードロックチャンバを減圧する。そのあと製品基板１は、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、図１の処理チャンバ１１へ搬入されたあとチャンバＡの処理（１工程目）が開始される。チャンバＡの処理（１工程目）が完了したあと、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１２へ搬入されたあと、チャンバＢの処理（２工程目）が開始される。チャンバＢの処理（２工程目）の完了後、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１３へ搬入されたあとチャンバＣの処理（３工程目）が開始される。チャンバＣの処理（３工程目）が完了したあと、製品基板１は図１の処理チャンバ１３から搬出され、図１のロードポート４１〜４３の元の位置に戻される。製品基板２、３は、同様に３工程目まで処理された後、図１のロードポート４１〜４３（退避室）のうちの元のロードポートの位置に戻される。以上のように、本発明においては、まず３枚の製品基板に対して、Ａ→Ｂ→Ｃの処理が実行される。
【００２４】
次に、チャンバＡで、最初の処理（１工程目の処理）と異なる処理（４工程目の処理）を実行する。この最初と異なる処理とは、例えば、成膜やエッチング処理などであり、同じチャンバで最初の処理とは異なる条件で処理を行うため、チャンバ内の雰囲気を整える必要がある。この雰囲気を整える調整作業を行うに当たって、例えば、成膜の場合、基板ホルダーに膜が付着しないように、ダミー基板を基板ホルダーに載置する必要があり、また、エッチングの場合も、基板ホルダーがエッチングされないように、ダミー基板を基板ホルダーに載置する必要がある。
【００２５】
そのため、ここでは、最初と異なる処理（４工程目の処理）を実行するための準備工程（調整工程）として、ダミー基板処理が実行される。ダミー基板が搬入されるタイミングとしては、チャンバＡで、３枚目の最後の製品基板の処理が完了した後であればよい。
【００２６】
具体的には、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂを作動してロードポート４４からダミー基板４を搬出し、アライナ３１を経由してロードロックチャンバ２１または２２に搬入したあとロードロックチャンバを減圧する。そのあとダミー基板４は、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、図１の処理チャンバ１１へ搬入されたあとチャンバＡの処理（４工程目の処理）が開始される。チャンバＡの処理（４工程目の処理）が完了したあと、ダミー基板４は処理チャンバ１１から搬出され、ロードポート４４に戻される。同様にダミー基板５に対して、図１の処理チャンバ１２でチャンバＢの処理（５工程目の処理）が実行され、ダミー基板６に対して、図１の処理チャンバ１３でチャンバＣの処理（６工程目の処理）が実行される。
【００２７】
主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂを作動してロードポート４４からダミー基板７を搬出し、アライナ３１を経由してロードロックチャンバ２１または２２に搬入したあとロードロックチャンバを減圧する。そのあとダミー基板７は、基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１１へ搬入されたあとチャンバＡの処理が開始される。チャンバＡの処理が完了したあと、ダミー基板７は処理チャンバ１１から搬出され、図１のロードポート４４に戻される。
【００２８】
次に、チャンバＡの１工程目の処理、チャンバＢの２工程目の処理、およびチャンバＣの３工程目の処理が実行され、一時退避していた３枚の製品基板１，２、３に対して、チャンバＡで、１工程目の処理とは異なる４工程目の処理が実行される（第２実行工程）。即ち、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂを作動してロードポート４１〜４３から製品基板１を搬出し、アライナ３１を経由してロードロックチャンバ２１または２２に搬入したあとロードロックチャンバを減圧する。ロードロックチャンバに搬入された製品基板１は、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、図１の処理チャンバ１１へ搬入されたあとチャンバＡの処理（４工程目）が開始される。チャンバＡの処理（４工程目）が完了したあと、製品基板１は図１の処理チャンバ１１から搬出され、図１のロードポート４１〜４３のうちの元のロードポートの位置に戻される。製品基板２、３についても同様に４工程目の処理をチャンバＡで行ったあと、図１のロードポート４１〜４３のうちの元のロードポートの位置に戻される。
【００２９】
主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂを作動してロードポート４４からダミー基板８を搬出し、アライナ３１を経由してロードロックチャンバ２１または２２に搬入したあとロードロックチャンバを減圧する。そのあとダミー基板８は、基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１１へ搬入されたあとチャンバＡの処理が開始される。チャンバＡの処理が完了したあと、ダミー基板８は処理チャンバ１１から搬出され、ロードポート４４に戻される。
【００３０】
以上、本発明では、戻り処理があったときには、製品基板を戻り処理前の工程まで複数枚処理を行ない、この処理前後にダミー基板の処理を行うことで、ダミー基板の処理枚数を低減し、処理効率の向上が可能となる。
【００３１】
以下、比較のため、図６を参照して比較例の基板処理方法を説明する。図６は、比較例の方法による、チャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａで製品基板３枚を処理するときのフローを説明する図である。
【００３２】
この方法では、まず、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂのいずれかを駆動して、ロードポート４４からダミー基板１を搬出する。搬出されたダミー基板１は、アライナ３１を経由してロードロックチャンバ２１または２２に搬入されたあと、主制御部ＣＯＮは、搬入されたロードロックチャンバを減圧する。ダミー基板１は、基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１１（チャンバＡ）へ搬入されたあと１番目の工程の処理が開始される。チャンバＡの処理が完了したあと、ダミー基板１は処理チャンバ１１から搬出され、ロードポート４４の元の位置に戻される。同様にダミー基板２に対して、処理チャンバ１２（チャンバＢ）で２番目の工程の処理が実行され、ダミー基板３に対して、処理チャンバ１３（チャンバＣ）で３番目の工程の処理が実行される。
【００３３】
主制御部ＣＯＮは、チャンバＡ→Ｂ→Ｃの処理を製品基板１に対して行った後、チャンバＡにおいて、ダミー基板４，７の処理を行なう。その後、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂのいずれかを駆動してチャンバＣからチャンバＡに製品基板１を搬送し、チャンバＡで、最初のチャンバＡでの処理と異なる処理を製品基板１に対して行う。その後、主制御部ＣＯＮは、チャンバＡにおいて、ダミー基板８，１の処理を行なう。
【００３４】
次に、主制御部ＣＯＮは、チャンバＡ→Ｂ→Ｃの処理を製品基板２に対して行った後、チャンバＡにおいて、ダミー基板４，７の処理を行なう。その後、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂのいずれかを駆動してチャンバＣからチャンバＡに製品基板２を搬送し、チャンバＡで、製品基板２に対して、最初のチャンバＡでの処理と異なる処理を行う。その後、主制御部ＣＯＮは、チャンバＡにおいて、ダミー基板８，１の処理を行なう。
【００３５】
次に、主制御部ＣＯＮは、チャンバＡ→Ｂ→Ｃの処理を製品基板３に対して行った後、チャンバＡにおいて、ダミー基板４，７の処理を行なう。その後、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂのいずれかを駆動してチャンバＣからチャンバＡに製品基板３を搬送し、チャンバＡで、製品基板３に対して、最初のチャンバＡでの処理と異なる処理を行う。
【００３６】
その後、ダミー基板８は、基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１１（チャンバＡ）へ搬入されたあと１番目の工程の処理が開始される。チャンバＡの処理が完了したあと、ダミー基板８は処理チャンバ１１から搬出され、ロードポート４４の元の位置に戻される。同様にダミー基板５に対して、処理チャンバ１２（チャンバＢ）で２番目の工程の処理が実行され、ダミー基板６に対して、処理チャンバ１３（チャンバＣ）で３番目の工程の処理が実行される。
【００３７】
このように、比較例の基板処理方法では、戻り処理がある場合、製品基板毎にダミー基板の処理が実行されるので、本発明の方法と比べ、ダミー基板の処理枚数が増大し、本発明の基板処理に比べて処理効率が悪い。
【００３８】
以上述べたように、本発明では、戻り処理があったときには、製品基板を戻り処理前の工程まで複数枚処理を行ない、この処理前後にダミー基板の処理を行うことで、従来の方法と比べて、ダミー基板の処理枚数を低減し、処理効率が大幅に向上する。
【００３９】
なお、ダミー基板を用いた処理をいつ行うかは必ずしも上述の内容に限定されず、例えば１工程目終了後にすぐダミー基板を用いた調整処理を行うような場合も本発明を適用可能である。図４に示すように、本発明を適用した場合、戻り処理のあるチャンバがほとんど空くことなく使用されることになり、処理効率の向上が可能である。
【００４０】
［実施例２］
図７は、製品基板をチャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａ→Ｂ→Ａで処理するときの製品基板処理、ダミー基板処理、工程区切りの実施例である。この実施例は、戻り処理が複数回ある場合の一例である。
【００４１】
主制御部ＣＯＮは、製品基板の処理を開始するとき、図３の工程区切り判定処理を行い、工程区切り位置を算出する。この実施例では、この工程区切り判定処理により、図７に示すように、工程区切りは、３工程目と４工程目の間と、５工程目と６工程目の間の２つとなる。工程区切りを算出したあと、基板の処理は上記と同様に処理を進めていくこととなる。このように、戻り処理が複数あった場合にも、複数の工程区切りを算出して処理を進めていくことが可能となる。
【００４２】
上記の実施例では、途中の工程まで処理した製品基板は、図１のロードポート４１〜４３の元の位置に戻すこととしたが、図１のロードロックチャンバ２１、２２が、基板を複数枚格納できるときは、製品基板は図１のロードポート４１〜４３の元の位置まで戻さず、図１のロードロックチャンバ２１、２２（本例においては、退避室に相当する。）まで戻す方法も可能である。このときダミー基板については、製品基板の格納されていない図１のロードロックチャンバ２１、２２を経由してチャンバに搬送することになる。このとき製品基板は、途中の工程で大気圧にさらされることなく処理することが可能となる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理時間を短縮可能な基板処理方法および基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置において、製品基板を処理する前後にチャンバ内の雰囲気を整えるために、ダミー基板を用いた処理が行われている。例えば、製品基板をチャンバＡ→チャンバＢ→チャンバＣの順に複数枚処理した場合、チャンバ毎に同じ処理を繰り返すため、ダミー基板を搬送して雰囲気を整える処理は、１枚目の製品基板の前と、最後の製品基板の後に各チャンバに対して行うことになる。なお、このようなダミー基板を用いて雰囲気を整える処理の例は、例えば、特許文献１に示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１５３１８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、製品基板は、同じチャンバを異なる条件で複数回使用して処理（戻り処理）を行うことがある。
【０００５】
製品基板を４つの工程、例えば、チャンバＡ（１工程）→Ｂ（２工程）→Ｃ（３工程）→Ａ（４工程）で処理する場合を想定する。１工程目のチャンバＡの処理の後、再び４工程目のチャンバＡで処理を行うような戻り処理を行う場合がある。このような戻り処理において、１工程目と４工程目とで異なる処理を行う場合、１工程目と４工程目のそれぞれの処理の前後にチャンバＡ内の雰囲気を整えるために、ダミー基板を用いた処理が必要となる。
【０００６】
このように戻り処理がある場合、製品基板を１枚毎に、チャンバＡの雰囲気を整えるためのダミー基板処理を実行すると、ダミー基板の枚数が増大し、処理効率が落ちるという問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の目的は、製品基板の処理において、戻り処理が必要となる場合であっても、無駄なダミー基板処理を低減し、処理効率に優れた基板処理技術を提供する。
【０００８】
本発明の一つの側面に係る基板処理方法は、少なくとも第１処理室と、第２処理室と、退避室とを含む基板処理装置を用いて、複数の基板に対して、前記第１処理室で基板を処理する第１処理と、前記第１処理の後に前記第２処理室で前記基板を処理する第２処理と、前記第２処理の後に前記第１処理室で、前記基板に、前記第１処理とは異なる処理を施す第３処理と、を含む一連の処理を実行する基板処理方法であって、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１処理を実行し、前記第１処理が実行された基板に、前記第２処理を実行する実行工程と、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１および第２処理が実行された前記基板を退避室に回収する回収工程と、
前記複数の基板のうち、最後の基板に対して前記第１処理が完了した後に、前記第１処理室にダミー基板を搬入し、当該ダミー基板に前記第３処理を実行し、さらに当該ダミー基板を前記第１処理室から搬出する調整工程と、
前記調整工程で前記ダミー基板が前記第１処理室から搬出された後、前記回収工程において前記回収された前記基板を、前記第１処理室に搬入し、前記第３処理を実行する第２実行工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の他の側面に係る基板処理装置は、少なくとも第１処理室と、第２処理室と、退避室と、基板を搬送する搬送手段と、前記第１処理室、前記第２処理室および搬送手段を制御する制御手段とを備え、複数の基板に対して、前記第１処理室で基板を処理する第１処理と、前記第１処理の後に前記第２処理室で前記基板を処理する第２処理と、前記第２処理の後に前記第１処理室で、前記基板に前記第１処理とは異なる処理を施す第３処理とを含む一連の処理を実行する基板処理装置であって、
前記制御手段は、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１処理を第１処理室に実行させ、前記第１処理が実行された基板に、前記第２処理を前記第２処理室に実行させる処理チャンバ制御手段と、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第２処理の実行の後に、前記第１および第２処理が実行された前記基板を退避室に回収する処理を前記搬送手段に実行させ、前記複数の基板のうち、最後の基板に対して前記第１処理が完了した後に、前記第１処理室にダミー基板を前記搬送手段に搬入させる搬送制御手段と、を備え、
前記処理チャンバ制御手段は、前記第１処理室に前記ダミー基板が搬入された後、当該ダミー基板に前記第３処理を前記第１処理室に実行させ、
前記搬送制御手段は、当該ダミー基板に対する前記第３処理が完了後に当該ダミー基板を前記第１処理室から搬出する処理を前記搬送手段に実行させ、前記ダミー基板が前記第１処理室から搬出された後、前記搬送手段に前記回収された前記基板を、前記第１処理室に搬入させ、
前記処理チャンバ制御手段は、前記回収された前記基板が、前記第１処理室に搬入された後、前記第３処理を前記第１処理室に実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、製品基板の処理において、戻り処理が必要となる場合であっても、無駄なダミー基板処理を低減し、処理効率に優れた基板処理技術の提供が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明が適用可能な半導体製造装置を概略的に示す説明図。
【図２】工程経路情報生成装置及び半導体製造装置の制御系の構成図。
【図３】工程区切り判定処理のフローチャート。
【図４】製品基板ｘ枚をチャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａで処理するときの、製品基板処理、ダミー基板処理、工程区切りの実施例１を示す図。
【図５】本発明による、チャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａで製品基板３枚を処理するときのフロー図。
【図６】比較例の方法による、チャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａで製品基板３枚を処理するときのフロー図。
【図７】製品基板をチャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａ→Ｂ→Ａで処理するときの、製品基板処理、ダミー基板処理、工程区切りの実施例２を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、本発明に適用可能な半導体製造装置の構成を説明する図である。本装置は、クラスターツール型の装置である。装置の搬送チャンバ５１は搬送機構としての基板搬送ロボットアーム１ａ、１ｂを備える。搬送チャンバ５１の周囲には、基板の表面に所定の膜を作成する処理チャンバ１１、１２、１３、１４、１５、１６と、大気側と処理チャンバ１１、１２、１３、１４、１５、１６との間で基板の搬送を行う際に基板が一時的に滞留するロードロックチャンバ２１、２２とが接続されている。なお、処理チャンバは、ＰＶＤやＣＶＤなどにより、基板に成膜処理を施す成膜チャンバでもよいし、エッチングチャンバ、加熱チャンバ、冷却チャンバなどであってもよい。
【００１３】
搬送チャンバ５１は、図１に示すような多角形の筒状であり、その各側面に、二つのロードロックチャンバ２１、２２と、処理チャンバ１１、１２、１３、１４、１５、１６とがゲートバルブを介して気密に接続されている。各処理チャンバ１１、１２、１３、１４、１５、１６、２１、２２、５１は、排気系を備えた真空チャンバである。
【００１４】
ロードロックチャンバ２１、２２には、所定数の基板を収容可能なカセットが設けられている。そして、ロードロックチャンバ２１、２２の外側には、図１に示すように、大気側に配置され、製品基板を格納したロードポート４１、４２、４３と、ダミー基板を格納したロードポート４４と、ロードロックチャンバ２１、２２との間で基板を搬送するオートローダ２ａ、２ｂが設けられている。
【００１５】
搬送チャンバ５１内に設けられた基板搬送ロボットアーム１ａ、１ｂは、ロードロックチャンバ２１、２２から未成膜の基板を一枚ずつ取り出して処理チャンバ１１に搬送することが可能である。また、基板搬送ロボットアーム１ａ、１ｂは、成膜済みの基板を処理チャンバ１１から回収してロードロックチャンバ２１、２２に戻すようになっている。基板搬送ロボットアーム１ａ、１ｂは、上面に基板を載置して保持するブレード（基板保持部）と、このブレードを先端に固定した多関節アームと、多関節アームを駆動する駆動系とを備える。駆動系には、搬送チャンバ５１の中心軸の周りに回転させたり、多関節アームを全体に直線移動させたりする構成が採用されることがある。
【００１６】
図２Ａ，Ｂは上述の半導体製造装置の制御系の一例の機能ブロックを示す。制御系は、装置全体の動作を制御する主制御部ＣＯＮと、各処理チャンバに設けられ、各処理チャンバ１１、１２、１３、１４、１５、１６の構成要素（排気部、プラズマ生成部、ガス導入部など）を制御し所定の処理を実行する処理チャンバ制御部１０と、基板搬送ロボットアーム１ａ、１ｂ、２ａ、２ｂの動作を制御する搬送制御部Ｔと、を備えている。これらは相互に通信可能になっており、記憶機能及びプログラムを実行可能な演算機能を有するＰＣやＰＬＣなどを備える。装置ＰＣはユーザーから入力された搬送順序情報（本例では、Ａ→Ｂ→Ｃ→Ａ）及び処理条件情報の入力を受け付けると、搬送順序情報及び処理条件情報は、主制御部ＣＯＮの記憶装置に記憶される。主制御部ＣＯＮは、記憶装置に記憶された搬送順序情報及び処理条件情報に基づいて、搬送制御装置Ｔ、処理チャンバ制御部１０等を制御して、基板処理を実行することができる。なお、主制御部ＣＯＮは本発明における工程情報生成装置に相当し、ユーザＩ／Ｆとしての装置ＰＣを介して入力される搬送順序情報及び処理条件情報に基づいて、工程経路情報を生成する。搬送順序情報は、例えば、図２Ａに示すように複数の処理室（チャンバ）で基板を処理するために、複数の処理室に基板を搬送する順序を定めた情報である。また、処理条件情報は、図２Ｂに示すように、それぞれの処理室における基板の処理条件を定めた情報である。工程経路情報とは、搬送順序情報と処理条件情報とから、複数の処理室における一連の基板の処理において基板を退避室に退避させる回収工程を含めた基板の搬送経路を定める情報である。ここで、退避室としては、製品基板を格納したロードポート４１、４２、４３や、ロードロックチャンバ２１、２２が、基板を複数枚格納できるときは、ロードロックチャンバ２１、２２を使用することが可能である。
【００１７】
次に、図３、図４を参照して、工程区切り判定処理を説明する。図３は、工程区切り判定処理のフローチャートである。図４は、チャンバＡ（第１処理室）→Ｂ（第２処理室）→Ｃ（第３処理室）→Ａ（第１処理室）で製品基板ｘ枚を処理するときの、製品基板処理、ダミー基板を用いた調整処理、工程区切りの実施例である。なお、図３に示すフロー処理は、図２Ａに示す主制御部ＣＯＮによって実行される。
【００１８】
まず、主制御部ＣＯＮは、Ｓ１において、確認工程ｎとチャンバの使用回数を記憶する記憶装置の初期化を行う。Ｓ２において、主制御部ＣＯＮは、あらかじめユーザーによって入力され、主制御部ＣＯＮの記憶装置に記憶された搬送順序情報（本例では、チャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａ）を参照して、ｎ工程目の使用チャンバを確認し、当該チャンバの使用回数を数える。Ｓ３において、主制御部ＣＯＮは、該当チャンバの使用回数が１回より大きいかどうかを判定する。該当チャンバの使用回数が１回より大きくなったとき、即ち、Ｙｅｓのとき、Ｓ４において、ｎ−１工程目とｎ工程目の間は、工程区切り位置に設定する。工程区切り位置が１つ決まると、Ｓ５において、主制御部ＣＯＮは、チャンバ使用回数を記憶する記憶装置の初期化を行い、Ｓ２に戻って、ｎ工程目以降の工程区切り位置の判定を進めていく。
【００１９】
一方、Ｓ３において、該当チャンバの使用回数が１回のとき、Ｓ６においてｎをｎ+１工程目として、次の工程に進む。Ｓ７においてｎ工程が全工程数以下（Ｎｏ）であれば、Ｓ２へ戻って工程区切り判定を引き続き行う。逆にｎ工程が全工程より大きい（Ｙｅｓ）とき、工程区切り判定処理は終了する。この処理により、区切られた工程範囲内では、図４に示すように同じチャンバが重複しないよう工程区切り位置が自動的に算出される。図４に示す例では、３工程目と４工程目との間で工程が区切られている。
【００２０】
［実施例１］
図１乃至５を参照して、実施例１を説明する。図５は、本発明による、チャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａで製品基板３枚を処理するときのフローを説明する図である。なお、本例では、製品基板の数が３枚のときについて説明するが、本発明の趣旨はこれに限定されず、製品基板が２枚以上のときであればよい。
【００２１】
主制御部ＣＯＮは、製品基板の処理を開始するとき、図３の工程区切り判定処理を行い、工程区切り位置を算出する。この工程区切りの判定処理により、製品基板をチャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａのときは、図４に示すように、工程区切りは３工程目と４工程目の間となる。工程区切りを算出したあと、基板の処理を進めていく。
【００２２】
主制御部ＣＯＮは、図１の基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂのいずれかを駆動して、図１のロードポート４４からダミー基板１を搬出する。搬出されたダミー基板１は、図１のアライナ３１を経由して図１のロードロックチャンバ２１または２２に搬入されたあと、主制御部ＣＯＮは、搬入されたロードロックチャンバを減圧する。そのあとダミー基板１は、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、図１の処理チャンバ１１（チャンバＡ）へ搬入されたあと１番目の工程の処理（第１処理）が開始される。チャンバＡの処理が完了したあと、ダミー基板１は図１の処理チャンバ１１から搬出され、図１のロードポート４４の元の位置に戻される。同様にダミー基板２に対して、図１の処理チャンバ１２（チャンバＢ）で２番目の工程の処理（第２処理）が実行され、ダミー基板３に対して、図１の処理チャンバ１３（チャンバＣ）で３番目の工程の処理（第３処理）が実行される。
【００２３】
主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂを駆動して、ロードポート４１〜４３から製品基板１を搬出し、アライナ３１を経由して図１のロードロックチャンバ２１または２２に搬入したあとロードロックチャンバを減圧する。そのあと製品基板１は、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、図１の処理チャンバ１１へ搬入されたあとチャンバＡの処理（１工程目）が開始される。チャンバＡの処理（１工程目）が完了したあと、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１２へ搬入されたあと、チャンバＢの処理（２工程目）が開始される。チャンバＢの処理（２工程目）の完了後、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１３へ搬入されたあとチャンバＣの処理（３工程目）が開始される。チャンバＣの処理（３工程目）が完了したあと、製品基板１は図１の処理チャンバ１３から搬出され、図１のロードポート４１〜４３の元の位置に戻される。製品基板２、３は、同様に３工程目まで処理された後、図１のロードポート４１〜４３（退避室）のうちの元のロードポートの位置に戻される。以上のように、本発明においては、まず３枚の製品基板に対して、Ａ→Ｂ→Ｃの処理が実行される。
【００２４】
次に、チャンバＡで、最初の処理（１工程目の処理）と異なる処理（４工程目の処理）を実行する。この最初と異なる処理とは、例えば、成膜やエッチング処理などであり、同じチャンバで最初の処理とは異なる条件で処理を行うため、チャンバ内の雰囲気を整える必要がある。この雰囲気を整える調整作業を行うに当たって、例えば、成膜の場合、基板ホルダーに膜が付着しないように、ダミー基板を基板ホルダーに載置する必要があり、また、エッチングの場合も、基板ホルダーがエッチングされないように、ダミー基板を基板ホルダーに載置する必要がある。
【００２５】
そのため、ここでは、最初と異なる処理（４工程目の処理）を実行するための準備工程（調整工程）として、ダミー基板処理が実行される。ダミー基板が搬入されるタイミングとしては、チャンバＡで、３枚目の最後の製品基板の処理が完了した後であればよい。
【００２６】
具体的には、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂを作動してロードポート４４からダミー基板４を搬出し、アライナ３１を経由してロードロックチャンバ２１または２２に搬入したあとロードロックチャンバを減圧する。そのあとダミー基板４は、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、図１の処理チャンバ１１へ搬入されたあとチャンバＡの処理（４工程目の処理）が開始される。チャンバＡの処理（４工程目の処理）が完了したあと、ダミー基板４は処理チャンバ１１から搬出され、ロードポート４４に戻される。同様にダミー基板５に対して、図１の処理チャンバ１２でチャンバＢの処理（５工程目の処理）が実行され、ダミー基板６に対して、図１の処理チャンバ１３でチャンバＣの処理（６工程目の処理）が実行される。
【００２７】
主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂを作動してロードポート４４からダミー基板７を搬出し、アライナ３１を経由してロードロックチャンバ２１または２２に搬入したあとロードロックチャンバを減圧する。そのあとダミー基板７は、基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１１へ搬入されたあとチャンバＡの処理が開始される。チャンバＡの処理が完了したあと、ダミー基板７は処理チャンバ１１から搬出され、図１のロードポート４４に戻される。
【００２８】
次に、チャンバＡの１工程目の処理、チャンバＢの２工程目の処理、およびチャンバＣの３工程目の処理が実行され、一時退避していた３枚の製品基板１，２、３に対して、チャンバＡで、１工程目の処理とは異なる４工程目の処理が実行される（第２実行工程）。即ち、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂを作動してロードポート４１〜４３から製品基板１を搬出し、アライナ３１を経由してロードロックチャンバ２１または２２に搬入したあとロードロックチャンバを減圧する。ロードロックチャンバに搬入された製品基板１は、図１の基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、図１の処理チャンバ１１へ搬入されたあとチャンバＡの処理（４工程目）が開始される。チャンバＡの処理（４工程目）が完了したあと、製品基板１は図１の処理チャンバ１１から搬出され、図１のロードポート４１〜４３のうちの元のロードポートの位置に戻される。製品基板２、３についても同様に４工程目の処理をチャンバＡで行ったあと、図１のロードポート４１〜４３のうちの元のロードポートの位置に戻される。
【００２９】
主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂを作動してロードポート４４からダミー基板８を搬出し、アライナ３１を経由してロードロックチャンバ２１または２２に搬入したあとロードロックチャンバを減圧する。そのあとダミー基板８は、基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１１へ搬入されたあとチャンバＡの処理が開始される。チャンバＡの処理が完了したあと、ダミー基板８は処理チャンバ１１から搬出され、ロードポート４４に戻される。
【００３０】
以上、本発明では、戻り処理があったときには、製品基板を戻り処理前の工程まで複数枚処理を行ない、この処理前後にダミー基板の処理を行うことで、ダミー基板の処理枚数を低減し、処理効率の向上が可能となる。
【００３１】
以下、比較のため、図６を参照して比較例の基板処理方法を説明する。図６は、比較例の方法による、チャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａで製品基板３枚を処理するときのフローを説明する図である。
【００３２】
この方法では、まず、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂのいずれかを駆動して、ロードポート４４からダミー基板１を搬出する。搬出されたダミー基板１は、アライナ３１を経由してロードロックチャンバ２１または２２に搬入されたあと、主制御部ＣＯＮは、搬入されたロードロックチャンバを減圧する。ダミー基板１は、基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１１（チャンバＡ）へ搬入されたあと１番目の工程の処理が開始される。チャンバＡの処理が完了したあと、ダミー基板１は処理チャンバ１１から搬出され、ロードポート４４の元の位置に戻される。同様にダミー基板２に対して、処理チャンバ１２（チャンバＢ）で２番目の工程の処理が実行され、ダミー基板３に対して、処理チャンバ１３（チャンバＣ）で３番目の工程の処理が実行される。
【００３３】
主制御部ＣＯＮは、チャンバＡ→Ｂ→Ｃの処理を製品基板１に対して行った後、チャンバＡにおいて、ダミー基板４，７の処理を行なう。その後、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂのいずれかを駆動してチャンバＣからチャンバＡに製品基板１を搬送し、チャンバＡで、最初のチャンバＡでの処理と異なる処理を製品基板１に対して行う。その後、主制御部ＣＯＮは、チャンバＡにおいて、ダミー基板８，１の処理を行なう。
【００３４】
次に、主制御部ＣＯＮは、チャンバＡ→Ｂ→Ｃの処理を製品基板２に対して行った後、チャンバＡにおいて、ダミー基板４，７の処理を行なう。その後、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂのいずれかを駆動してチャンバＣからチャンバＡに製品基板２を搬送し、チャンバＡで、製品基板２に対して、最初のチャンバＡでの処理と異なる処理を行う。その後、主制御部ＣＯＮは、チャンバＡにおいて、ダミー基板８，１の処理を行なう。
【００３５】
次に、主制御部ＣＯＮは、チャンバＡ→Ｂ→Ｃの処理を製品基板３に対して行った後、チャンバＡにおいて、ダミー基板４，７の処理を行なう。その後、主制御部ＣＯＮは、基板搬送ロボットアーム２ａまたは２ｂのいずれかを駆動してチャンバＣからチャンバＡに製品基板３を搬送し、チャンバＡで、製品基板３に対して、最初のチャンバＡでの処理と異なる処理を行う。
【００３６】
その後、ダミー基板８は、基板搬送ロボットアーム１ａまたは１ｂによって搬出され、処理チャンバ１１（チャンバＡ）へ搬入されたあと１番目の工程の処理が開始される。チャンバＡの処理が完了したあと、ダミー基板８は処理チャンバ１１から搬出され、ロードポート４４の元の位置に戻される。同様にダミー基板５に対して、処理チャンバ１２（チャンバＢ）で２番目の工程の処理が実行され、ダミー基板６に対して、処理チャンバ１３（チャンバＣ）で３番目の工程の処理が実行される。
【００３７】
このように、比較例の基板処理方法では、戻り処理がある場合、製品基板毎にダミー基板の処理が実行されるので、本発明の方法と比べ、ダミー基板の処理枚数が増大し、本発明の基板処理に比べて処理効率が悪い。
【００３８】
以上述べたように、本発明では、戻り処理があったときには、製品基板を戻り処理前の工程まで複数枚処理を行ない、この処理前後にダミー基板の処理を行うことで、従来の方法と比べて、ダミー基板の処理枚数を低減し、処理効率が大幅に向上する。
【００３９】
なお、ダミー基板を用いた処理をいつ行うかは必ずしも上述の内容に限定されず、例えば１工程目終了後にすぐダミー基板を用いた調整処理を行うような場合も本発明を適用可能である。図４に示すように、本発明を適用した場合、戻り処理のあるチャンバがほとんど空くことなく使用されることになり、処理効率の向上が可能である。
【００４０】
［実施例２］
図７は、製品基板をチャンバＡ→Ｂ→Ｃ→Ａ→Ｂ→Ａで処理するときの製品基板処理、ダミー基板処理、工程区切りの実施例である。この実施例は、戻り処理が複数回ある場合の一例である。
【００４１】
主制御部ＣＯＮは、製品基板の処理を開始するとき、図３の工程区切り判定処理を行い、工程区切り位置を算出する。この実施例では、この工程区切り判定処理により、図７に示すように、工程区切りは、３工程目と４工程目の間と、５工程目と６工程目の間の２つとなる。工程区切りを算出したあと、基板の処理は上記と同様に処理を進めていくこととなる。このように、戻り処理が複数あった場合にも、複数の工程区切りを算出して処理を進めていくことが可能となる。
【００４２】
上記の実施例では、途中の工程まで処理した製品基板は、図１のロードポート４１〜４３の元の位置に戻すこととしたが、図１のロードロックチャンバ２１、２２が、基板を複数枚格納できるときは、製品基板は図１のロードポート４１〜４３の元の位置まで戻さず、図１のロードロックチャンバ２１、２２（本例においては、退避室に相当する。）まで戻す方法も可能である。このときダミー基板については、製品基板の格納されていない図１のロードロックチャンバ２１、２２を経由してチャンバに搬送することになる。このとき製品基板は、途中の工程で大気圧にさらされることなく処理することが可能となる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１処理室と、第２処理室と、退避室とを含む基板処理装置を用いて、複数の基板に対して、前記第１処理室で基板を処理する第１処理と、前記第１処理の後に前記第２処理室で前記基板を処理する第２処理と、前記第２処理の後に前記第１処理室で、前記基板に、前記第１処理とは異なる処理を施す第３処理と、を含む一連の処理を実行する基板処理方法であって、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１処理を実行し、前記第１処理が実行された基板に、前記第２処理を実行する実行工程と、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１および第２処理が実行された前記基板を退避室に回収する回収工程と、
前記複数の基板のうち、最後の基板に対して前記第１処理が完了した後に、前記第１処理室にダミー基板を搬入し、当該ダミー基板に前記第３処理を実行し、さらに当該ダミー基板を前記第１処理室から搬出する調整工程と、
前記調整工程で前記ダミー基板が前記第１処理室から搬出された後、前記回収工程において前記回収された前記基板を、前記第１処理室に搬入し、前記第３処理を実行する第２実行工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
複数の処理室で基板を処理するために前記複数の処理室に前記基板を搬送する順序を定めた搬送順序情報、および、それぞれの処理室における基板の処理条件を定めた処理条件情報の入力を受け付ける入力工程と、
前記入力工程で受け付けられた前記搬送順序情報および前記処理条件情報から、前記一連の処理において前記基板を前記退避室に退避させる回収工程を含めた基板の搬送経路を定める工程経路情報を生成する生成工程と、
を更に有し、
前記回収工程では、前記生成工程で生成された前記工程経路情報に従って、前記基板を前記退避室に回収する処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
少なくとも第１処理室と、第２処理室と、退避室と、基板を搬送する搬送手段と、前記第１処理室、前記第２処理室および搬送手段を制御する制御手段とを備え、複数の基板に対して、前記第１処理室で基板を処理する第１処理と、前記第１処理の後に前記第２処理室で前記基板を処理する第２処理と、前記第２処理の後に前記第１処理室で、前記基板に前記第１処理とは異なる処理を施す第３処理とを含む一連の処理を実行する基板処理装置であって、
前記制御手段は、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１処理を第１処理室に実行させ、前記第１処理が実行された基板に、前記第２処理を前記第２処理室に実行させる処理チャンバ制御手段と、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第２処理の実行の後に、前記第１および第２処理が実行された前記基板を退避室に回収する処理を前記搬送手段に実行させ、前記複数の基板のうち、最後の基板に対して前記第１処理が完了した後に、前記第１処理室にダミー基板を前記搬送手段に搬入させる搬送制御手段と、を備え、
前記処理チャンバ制御手段は、前記第１処理室に前記ダミー基板が搬入された後、当該ダミー基板に前記第３処理を前記第１処理室に実行させ、
前記搬送制御手段は、当該ダミー基板に対する前記第３処理が完了後に当該ダミー基板を前記第１処理室から搬出する処理を前記搬送手段に実行させ、前記ダミー基板が前記第１処理室から搬出された後、前記搬送手段に前記回収された前記基板を、前記第１処理室に搬入させ、
前記処理チャンバ制御手段は、前記回収された前記基板が、前記第１処理室に搬入された後、前記第３処理を前記第１処理室に実行させる
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
複数の処理室で基板を処理するために前記複数の処理室に前記基板を搬送する順序を定めた搬送順序情報、および、それぞれの処理室における基板の処理条件を定めた処理条件情報の入力を受け付ける入力手段と、
前記入力手段で受け付けられた前記搬送順序情報および前記処理条件情報から、前記一連の処理において前記基板を前記退避室に退避させる回収工程を含めた基板の搬送経路を定める工程経路情報を生成する生成手段と、
を更に有し、
前記搬送制御手段は、前記基板を前記退避室に回収する処理を、前記生成手段で生成された前記工程経路情報に従って実行することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項１】
少なくとも第１処理室と、第２処理室と、退避室とを含む基板処理装置を用いて、複数の基板に対して、前記第１処理室で基板を処理する第１処理と、前記第１処理の後に前記第２処理室で前記基板を処理する第２処理と、前記第２処理の後に前記第１処理室で、前記基板に、前記第１処理とは異なる処理を施す第３処理と、を含む一連の処理を実行する基板処理方法であって、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１処理を実行し、前記第１処理が実行された基板に、前記第２処理を実行する実行工程と、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１および第２処理が実行された前記基板を退避室に回収する回収工程と、
前記複数の基板のうち、最後の基板に対して前記第１処理が完了した後に、前記第１処理室にダミー基板を搬入し、当該ダミー基板に前記第３処理を実行し、さらに当該ダミー基板を前記第１処理室から搬出する調整工程と、
前記調整工程で前記ダミー基板が前記第１処理室から搬出された後、前記回収工程において前記回収された前記基板を、前記第１処理室に搬入し、前記第３処理を実行する第２実行工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
複数の処理室で基板を処理するために前記複数の処理室に前記基板を搬送する順序を定めた搬送順序情報、および、それぞれの処理室における基板の処理条件を定めた処理条件情報の入力を受け付ける入力工程と、
前記入力工程で受け付けられた前記搬送順序情報および前記処理条件情報から、前記一連の処理において前記基板を前記退避室に退避させる回収工程を含めた基板の搬送経路を定める工程経路情報を生成する生成工程と、
を更に有し、
前記回収工程では、前記生成工程で生成された前記工程経路情報に従って、前記基板を前記退避室に回収する処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
少なくとも第１処理室と、第２処理室と、退避室と、基板を搬送する搬送手段と、前記第１処理室、前記第２処理室および搬送手段を制御する制御手段とを備え、複数の基板に対して、前記第１処理室で基板を処理する第１処理と、前記第１処理の後に前記第２処理室で前記基板を処理する第２処理と、前記第２処理の後に前記第１処理室で、前記基板に前記第１処理とは異なる処理を施す第３処理とを含む一連の処理を実行する基板処理装置であって、
前記制御手段は、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第１処理を第１処理室に実行させ、前記第１処理が実行された基板に、前記第２処理を前記第２処理室に実行させる処理チャンバ制御手段と、
前記複数の基板のそれぞれに対して、前記第２処理の実行の後に、前記第１および第２処理が実行された前記基板を退避室に回収する処理を前記搬送手段に実行させ、前記複数の基板のうち、最後の基板に対して前記第１処理が完了した後に、前記第１処理室にダミー基板を前記搬送手段に搬入させる搬送制御手段と、を備え、
前記処理チャンバ制御手段は、前記第１処理室に前記ダミー基板が搬入された後、当該ダミー基板に前記第３処理を前記第１処理室に実行させ、
前記搬送制御手段は、当該ダミー基板に対する前記第３処理が完了後に当該ダミー基板を前記第１処理室から搬出する処理を前記搬送手段に実行させ、前記ダミー基板が前記第１処理室から搬出された後、前記搬送手段に前記回収された前記基板を、前記第１処理室に搬入させ、
前記処理チャンバ制御手段は、前記回収された前記基板が、前記第１処理室に搬入された後、前記第３処理を前記第１処理室に実行させる
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
複数の処理室で基板を処理するために前記複数の処理室に前記基板を搬送する順序を定めた搬送順序情報、および、それぞれの処理室における基板の処理条件を定めた処理条件情報の入力を受け付ける入力手段と、
前記入力手段で受け付けられた前記搬送順序情報および前記処理条件情報から、前記一連の処理において前記基板を前記退避室に退避させる回収工程を含めた基板の搬送経路を定める工程経路情報を生成する生成手段と、
を更に有し、
前記搬送制御手段は、前記基板を前記退避室に回収する処理を、前記生成手段で生成された前記工程経路情報に従って実行することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−１５１４４７（Ｐ２０１２−１５１４４７Ａ）
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２６９３７５（Ｐ２０１１−２６９３７５）
【出願日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【出願人】（０００２２７２９４）キヤノンアネルバ株式会社 (564)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【出願人】（０００２２７２９４）キヤノンアネルバ株式会社 (564)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]