基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
【課題】フォークに保持されている基板が正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出でき、基板の保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる基板搬送装置及び基板搬送方法を提供する。
【解決手段】
基板Ｗを搬送する基板搬送装置において、保持枠３Ａと、保持枠３Ａの内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、基板Ｗの周縁部が載置される保持部３０と、保持部３０の各々に設けられ、保持枠３Ａに対する基板Ｗの相対位置を検出する検出部４Ａ、４Ｂと、保持枠３Ａを基板載置部７３に進退駆動する駆動部３３Ａと、基板載置部７３から保持部３０に基板Ｗを受け取った際に、各々の検出部４Ａ、４Ｂの検出値に基づいて、相対位置の補正の要否を判定し、相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、相対位置の補正が不要と判定したときには、駆動部３３Ａの駆動を停止するか、又は、基板Ｗの搬送を継続する、制御部５とを有する。
【解決手段】
基板Ｗを搬送する基板搬送装置において、保持枠３Ａと、保持枠３Ａの内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、基板Ｗの周縁部が載置される保持部３０と、保持部３０の各々に設けられ、保持枠３Ａに対する基板Ｗの相対位置を検出する検出部４Ａ、４Ｂと、保持枠３Ａを基板載置部７３に進退駆動する駆動部３３Ａと、基板載置部７３から保持部３０に基板Ｗを受け取った際に、各々の検出部４Ａ、４Ｂの検出値に基づいて、相対位置の補正の要否を判定し、相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、相対位置の補正が不要と判定したときには、駆動部３３Ａの駆動を停止するか、又は、基板Ｗの搬送を継続する、制御部５とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を搬送する基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ（Liquid Crystal Display）基板の製造プロセスにおいては、装置内に基板（以下「ウェハ」ともいう。）に対して処理を行う処理モジュールを複数個設け、これら処理モジュールに基板搬送装置により基板を順次搬送することによって、所定の処理が行われている。基板搬送装置は、例えば、基板を保持するフォークが基台に沿って進退自在に設けられると共に、基板が鉛直軸周りに回転自在、昇降自在に構成されている。
【０００３】
このような基板搬送装置には、フォークの位置が正常か否かを確認するためのセンサが設けられているものがある（例えば特許文献１参照）。また、処理モジュールからフォークが基板を受け取ったか否かを確認するためのセンサが設けられているものがある（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
特許文献１には、フォークに光の反射体が設けられ、反射体の下方に光を投受光できる光センサが設けられており、フォークが正常な位置からずれたことを検出可能にした基板搬送装置が開示されている。また、特許文献２には、フォークに基板が支持されていることを検出するための光センサが設けられており、基板が光軸を遮ることによってフォークに基板が支持されていることを検出可能にした基板搬送装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４０４７１８２号公報
【特許文献２】特許第３９６５１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記した基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法においては、次のような問題がある。
【０００７】
特許文献１に開示される例では、フォークの位置が正常な位置からずれたことを検知することはできる。しかし、フォークに保持されている基板がフォークに対して位置ずれしていることは検知できない。
【０００８】
一方、特許文献２に開示される例では、フォークに保持されている基板が、センサが設けられている側からセンサが設けられていない側に位置ずれしたときは、光軸を遮らない状態になるので、その位置ずれを容易に検知することができる。しかし、フォークに保持されている基板が、センサが設けられていない側からセンサが設けられている側に位置ずれしたときは、光軸を遮った状態が変わらないため、その位置ずれを容易に検知することができない。
【０００９】
通常、光センサは、フォークの根元側に設けられていることが多い。このときは、基板がフォークの根元側に乗り上げた状態を検知することができない。例えば、基板がフォークの根元側にずれた状態で、フォークが基板を保持したときは、基板のずれを検知することができないため、フォークが基板を保持している位置が位置ずれしているか否かが不明な状態で後退動作が行われてしまう。その結果、例えば、次の処理モジュールに基板を受け渡したときに基板の位置がずれる、又は、基板が処理モジュール内の他の部分に接触して破損する、等のトラブルが発生するおそれがある。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、フォークに保持されている基板が正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出でき、更にフォーク上の基板の保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる基板搬送装置及び基板搬送方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の一実施例によれば、基板を載置する基板載置部から基板を受け取り、受け取った前記基板を搬送する基板搬送装置において、搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、前記基板載置部に進退自在な保持枠と、前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部が載置されることによって前記基板を保持する、３個以上の保持部と、前記保持部の各々に設けられ、前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出する検出部と、前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部と、前記駆動部により前記保持枠を前進させ、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出し、各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定し、前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、制御部とを有する、基板搬送装置が提供される。
【００１３】
また、本発明の一実施例によれば、搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、基板を載置する基板載置部に進退自在な保持枠と、前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部が載置されることによって前記基板を保持する、３個以上の保持部と、前記保持部の各々に設けられ、前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出する検出部と、前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部とを有し、前記基板載置部から基板を受け取り、受け取った前記基板を搬送する基板搬送装置における基板搬送方法であって、前記駆動部により前記保持枠を前進させ、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出し、各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定する判定工程を有し、前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、基板搬送方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法において、フォークに保持されている基板が正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出でき、更にフォーク上の基板の保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。
【図３】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。
【図４】第３のブロックの構成を示す斜視図である。
【図５】実施の形態に係る搬送アームを示す斜視図である。
【図６】実施の形態に係る搬送アームを示す平面図及び側面図である。
【図７】実施の形態に係る搬送アームのフォークを拡大して示す平面図である。
【図８】実施の形態に係る搬送アームのフォークを拡大して示す断面図である。
【図９】保持爪にウェハが正常に載置されているときのフォーク及びウェハを示す平面図及び断面図である。
【図１０】保持爪にウェハが正常に載置されていないときのフォーク及びウェハを示す平面図及び断面図である。
【図１１】保持爪にウェハが正常に載置されていないときの別の例におけるフォーク及びウェハを示す平面図である。
【図１２】レジストパターン形成装置に設けられた加熱モジュール及び制御部を示す構成図である。
【図１３】基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。
【図１４】ウェハを受け渡す際の加熱モジュールと搬送アームの状態を示す図である。
【図１５】実施の形態の変形例に係る搬送アームのフォークを拡大して示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る基板搬送装置を備えた基板処理装置を、塗布現像装置に適用した場合を例にして説明する。
【００１７】
先ず、図１から図４を参照し、塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら簡単に説明する。
【００１８】
図１は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。図２は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図３は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。図４は、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を示す斜視図である。
【００１９】
レジストパターン形成装置は、図１及び図２に示すように、キャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２、インターフェイスブロックＳ３を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックＳ３側に、露光装置Ｓ４が設けられている。処理ブロックＳ２は、キャリアブロックＳ１に隣接するように設けられている。インターフェイスブロックＳ３は、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１側と反対側に、処理ブロックＳ２に隣接するように設けられている。露光装置Ｓ４は、インターフェイスブロックＳ３の処理ブロックＳ２側と反対側に、インターフェイスブロックＳ３に隣接するように設けられている。
【００２０】
キャリアブロックＳ１は、キャリア２０、載置台２１及び受け渡し手段Ｃを有する。キャリア２０は、載置台２１上に載置されている。受け渡し手段Ｃは、キャリア２０からウェハＷを取り出し、処理ブロックＳ２に受け渡すとともに、処理ブロックＳ２において処理された処理済みのウェハＷを受け取り、キャリア２０に戻すためのものである。
【００２１】
処理ブロックＳ２は、図２に示すように、棚ユニットＵ１、棚ユニットＵ２、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を有する。第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、現像処理を行うためのものである。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。
【００２２】
棚ユニットＵ１は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ１は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ１、ＣＰＬ１１、ＣＰＬ２、ＢＦ２、ＣＰＬ３、ＢＦ３、ＣＰＬ４、ＴＲＳ４を有する。また、図１に示すように、棚ユニットＵ１の近傍には、昇降自在な受け渡しアームＤが設けられている。棚ユニットＵ１の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームＤによりウェハＷが搬送される。
【００２３】
棚ユニットＵ２は、各種の処理モジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ２は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ６、ＣＰＬ１２を有する。
【００２４】
なお、図３において、ＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウェハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。
【００２５】
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、図１及び図３に示すように、現像モジュール２２、搬送アームＡ１及びシャトルアームＥを有する。現像モジュール２２は、１つの第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１内に、上下２段に積層されている。搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームＥは、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１から棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２にウェハＷを直接搬送するためのものである。
【００２６】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、各々塗布モジュール、加熱・冷却系の処理モジュール群、及び搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４を有する。処理モジュール群は、塗布モジュールにおいて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウェハＷの受け渡しを行う。
【００２７】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２から第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の各ブロックは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。
【００２８】
なお、搬送アームＡ１〜Ａ４は、本発明における基板搬送装置に相当するものであり、搬送アームＡ１〜Ａ４の構成については、後述する。また、載置台２１、各処理モジュールにおける基板を載置する部分は、本発明における基板載置部に相当する。
【００２９】
ここで、図４を参照し、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を代表し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を説明する。
【００３０】
第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、塗布モジュール２３、棚ユニットＵ３及び搬送アームＡ３を有する。棚ユニットＵ３は、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュール群を構成するように積層された、複数の処理モジュールを有する。棚ユニットＵ３は、塗布モジュール２３と対向するように配列されている。搬送アームＡ３は、塗布モジュール２３と棚ユニットＵ３との間に設けられている。図４中２４は、各処理モジュールと搬送アームＡ３との間でウェハＷの受け渡しを行うための搬送口である。
【００３１】
インターフェイスブロックＳ３は、図１に示すように、インターフェイスアームＦを有する。インターフェイスアームＦは、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ２の近傍に設けられている。棚ユニットＵ２の各処理モジュール同士の間及び露光装置Ｓ４との間では、インターフェイスアームＦによりウェハＷが搬送される。
【００３２】
キャリアブロックＳ１からのウェハＷは、棚ユニットＵ１の一つの受け渡しモジュール、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２に対応する受け渡しモジュールＣＰＬ２に、受け渡し手段Ｃにより、順次搬送される。受け渡しモジュールＣＰＬ２に搬送されたウェハＷは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の搬送アームＡ２に受け渡され、搬送アームＡ２を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。
【００３３】
反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ２、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ２、受け渡しアームＤ、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ３を介し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の搬送アームＡ３に受け渡される。そして、ウェハＷは、搬送アームＡ３を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷにレジスト膜が形成される。
【００３４】
レジスト膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ３を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ３に受け渡される。
【００３５】
なお、レジスト膜が形成されたウェハＷは、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウェハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ４を介し、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の搬送アームＡ４に受け渡され、搬送アームＡ４を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ４を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４に受け渡される。
【００３６】
レジスト膜が形成されたウェハＷ又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウェハＷは、受け渡しアームＤ、受け渡しモジュールＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡される。受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡されたウェハＷは、シャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２に直接搬送された後、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＦに受け渡される。
【００３７】
インターフェイスアームＦに受け渡されたウェハＷは、露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。所定の露光処理が行われたウェハＷは、インターフェイスアームＦを介し、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ６に載置され、処理ブロックＳ２に戻される。処理ブロックＳ２に戻されたウェハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１において現像処理が行われる。現像処理が行われたウェハＷは、搬送アームＡ１、棚ユニットＵ１のいずれかの受け渡しモジュール、受け渡し手段Ｃを介し、キャリア２０に戻される。
【００３８】
次に、図４から図６を参照し、本発明における基板搬送装置である搬送アームＡ１〜Ａ４について説明する。搬送アームＡ１〜Ａ４は同様に構成されているので、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に設けられた搬送アームＡ３を代表して説明する。図５は、搬送アームＡ３を示す斜視図である。図６は、搬送アームＡ３を示す平面図及び側面図である。
【００３９】
図４から図６に示すように、搬送アームＡ３は、２枚のフォーク３（３Ａ、３Ｂ）、基台３１、回転機構３２、進退機構３３Ａ、３３Ｂ、及び昇降台３４を有する。
【００４０】
２枚のフォーク３Ａ、３Ｂは、上下に重なるように設けられている。基台３１は、回転機構３２により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク３Ａ、３Ｂは、各々、その基端側がそれぞれ進退機構３３Ａ、３３Ｂに支持されており、進退機構３３Ａ、３３Ｂにより、基台３１から、例えば、後述する加熱モジュール７の突き上げピン７３に進退自在に設けられている。
【００４１】
なお、フォーク３（３Ａ、３Ｂ）は、本発明における保持枠に相当する。
【００４２】
進退機構３３Ａ、３３Ｂは、基台３１内部に設けられた駆動機構であるモータＭに、タイミングベルト等の伝達機構を用いて連結されており、フォーク３Ａ、３Ｂを進退駆動する。伝達機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。
【００４３】
なお、進退機構３３Ａ、３３Ｂは、本発明における駆動部に相当する。また、後述する図１２には、基台３１の下方側に進退機構３３Ａの駆動機構３３を図示している。進退機構３３Ａは、基台３１内部に設けられた駆動機構３３をモータＭにより回転させることによって、フォーク３Ａ、３Ｂを基台３１から、例えば、後述する加熱モジュール７の突き上げピン７３に進退駆動するように構成されている。モータＭは、エンコーダ３８に接続されている。図１２中３９はエンコーダ３８のパルス数をカウントするカウンタである。
【００４４】
昇降台３４は、図４に示すように、回転機構３２の下方側に設けられている。昇降台３４は、上下方向（図４中Ｚ軸方向）に直線状に延びる図示しないＺ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではＺ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体３５により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体３５は、Ｙ軸方向に直線状に伸びるＹ軸ガイドレール３６に沿って摺動移動するように構成されている。
【００４５】
次に、図５から図１１を参照し、フォーク３、保持爪３０及び保持爪３０に設けられた近接センサ４について説明する。また、以下では、フォーク３Ａ、３Ｂを代表し、フォーク３Ａについて説明するが、フォーク３Ｂも、フォーク３Ａと全く同様に構成することができる。
【００４６】
なお、近接センサ４は、本発明における検出部に相当する。
【００４７】
図７は、フォーク３Ａを拡大して示す平面図である。図８は、フォーク３Ａを拡大して示す断面図である。図８は、図７におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。また、図８では、４個の保持爪３０及び４個の近接センサ４のうち、２個の保持爪及び２個の近接センサを示している。図９（ａ）及び図９（ｂ）は、それぞれ保持爪３０にウェハＷが正常に載置されているときのフォーク３Ａ及びウェハＷを示す平面図及び断面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、それぞれ保持爪３０にウェハＷが正常に載置されていないときのフォーク３Ａ及びウェハＷを示す平面図及び断面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１１は、保持爪３０にウェハＷが正常に載置されていないときの別の例におけるフォーク３Ａ及びウェハＷを示す平面図である。なお、図７から図１１では、図示を容易にするため、フォーク３Ａに対し、保持爪３０及び近接センサ４を少し拡大して示している。
【００４８】
図７及び図８に示すように、フォーク３Ａは、円弧状に形成され、搬送する基板の周囲を囲むように設けられている。また、図５及び図６に示すように、フォーク３Ａ、３Ｂには、各々保持爪３０が形成されている。保持爪３０は、フォーク３Ａ、３Ｂの内縁から各々内側に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、ウェハＷの周縁部が載置されることによってウェハＷを保持するものである。保持爪３０は、３個以上が設けられる。図５及び図６に示す例では、ウェハＷの周縁部の４箇所を保持するために、４個の保持爪３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄが設けられている。
【００４９】
保持爪３０Ａ〜３０Ｄの各々には、保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷが載置されたときに被検出体であるウェハＷを検出するための近接センサ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄが設けられている。図７及び図８に示す例では、近接センサ４Ａ〜４Ｄとして、静電容量型近接センサ（以下、単に「静電容量センサ」という。）が用いられている。
【００５０】
図８に示すように、静電容量センサ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄは、それぞれ静電容量測定部４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄに電気的に接続されており、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄで検出された静電容量の変化を、これらの静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄによって所定の電気信号、例えば静電容量の増加に応じて大きな電圧信号に変化出力するように構成されている。静電容量センサ４Ａ〜４Ｄ上にウェハＷが載置されていないときは、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出する静電容量（出力）は略０である。また、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄ上にウェハＷが載置されているときに静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出する静電容量（出力）は、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄ上にウェハＷが載置されていないときに静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出する静電容量（出力）よりも大きい。また、図８における点線で示すように、静電容量センサ４Ａ〜４ＤとウェハＷとの間の距離が正常な状態よりも大きいときに静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出する静電容量（出力）は、ウェハＷが全く載置されていないときの静電容量（出力）よりは大きいが、正常な状態でウェハＷが載置されているときの静電容量（出力）よりも小さい。
【００５１】
静電容量測定部４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄの出力は、比較部４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄに入力されるように構成されている。そして、比較部４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄの出力は、後述する制御部５に入力されるように構成されている。比較部４２Ａ〜４２Ｄは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力を予め設定された下限値と比較する。
【００５２】
本実施の形態では、下限値として、第１の下限値と、第１の下限値よりも大きい第２の下限値を用いる。
【００５３】
第１の下限値は、略０に近い値であり、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄが設けられている保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷが保持されていないときに、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が、第１の下限値より小さくなるような値として、設定されている。
【００５４】
第２の下限値は、第１の下限値よりも大きい値である。また、第２の下限値は、ウェハＷが正常に保持爪３０Ａ〜３０Ｄに載置されているときに、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が、第２の下限値より大きくなるような値として、設定されている。静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が、第２の下限値より小さくなるときは、ウェハＷが正常に保持爪３０Ａ〜３０Ｄに載置されていないとき、すなわち、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置が正常な位置からずれているときである。このときは、後述するように、ウェハＷを、フォーク３Ａから本発明における基板載置部に相当する、各処理モジュールの突き上げピン又は載置台に戻し、フォーク３Ａの位置を補正した後、再び、ウェハＷを各処理モジュールの突き上げピン又は載置台からフォーク３Ａに受け取る。
【００５５】
比較部４２Ａ〜４２Ｄは、例えば、以下のように比較処理を行うように構成されている。すなわち、比較部４２Ａ〜４２Ｄは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が第２の下限値より大きくなるときは、制御部５に対し、載置信号を発生する。また、比較部４２Ａ〜４２Ｄは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が第１の下限値より小さくなるときは、制御部５に対し、警告信号を発生する。また、比較部４２Ａ〜４２Ｄは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が第１の下限値より大きく第２の下限値より小さいときは、載置信号及び警告信号のいずれも発生しない。
【００５６】
まず、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄに正常に載置されている場合について説明する。このようなときは、全ての静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が第２の下限値よりも大きくなり、比較部４２Ａ〜４２Ｄの全ては、制御部５に対し、載置信号を出力する。そして、比較部４２Ａ〜４２Ｄの全てから載置信号が入力された制御部５は、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄに正常に載置されており、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置の補正の必要がないと判定する。補正の必要がないと判定した制御部５は、進退機構３３Ａ及び昇降台３４を制御し、フォーク３Ａを駆動してウェハＷを搬送する。
【００５７】
次に、図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１１に示すように、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄに正常に載置されていない場合について説明する。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、ウェハＷがフォーク３Ａの進退方向であるＸ方向と略直交するＹ方向にずれたときを示しており、図１１は、ウェハＷがフォーク３Ａの進退方向であるＸ方向にずれたときを示している。このようなときは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄのいずれかにおいて、出力が第２の下限値よりも小さくなり、比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれかは、制御部５に対し、載置信号を出力しない。そして、比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれかから載置信号が入力されない制御部５は、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄに正常に載置されておらず、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置の補正の必要があると判定する。補正の必要があると判定した制御部５は、進退機構３３Ａ及び昇降台３４を制御し、ウェハＷを、フォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０Ｄから各処理モジュールの突き上げピン又は載置台に戻し、フォーク３Ａの位置を補正する。そして、補正した後、再び、ウェハＷを各モジュールの突き上げピン又は載置台からフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０Ｄに受け取る。
【００５８】
更に、ウェハＷの位置が正常な位置からかなりずれているか、又は、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄのいずれかに全く載置されていないときは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄのいずれかにおいて、出力が第２の下限値よりも小さい第１の下限値よりも更に小さくなる。このとき、その静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄに対応する比較部４２Ａ〜４２Ｄは、警告信号を発生する。制御部５は、比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれかから警告信号が入力されたときは、ウェハＷの位置が正常な位置からかなりずれているか、又は、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄのいずれかに全く載置されていないと判定し、フォーク３Ａの移動を停止する。
【００５９】
次に、図１２を参照し、搬送アームと処理モジュールとの間のウェハＷの受け渡しを制御する制御部５について説明する。
【００６０】
なお、以下では、基板搬送方法の説明も含め、搬送アームがウェハＷを受け渡す処理モジュールとして、加熱モジュール７を例示して説明する。加熱モジュール７は、前述した図３及び図４を用いて説明したように、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４のそれぞれにおいて、棚ユニットＵ３に組み込まれている。
【００６１】
図１２は、制御部５を第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３における搬送アームＡ３及び加熱モジュール７とともに示す構成図である。
【００６２】
図１２に示すように、加熱モジュール７は、処理容器７１、熱板７２、突き上げピン７３、昇降機構７４を有する。加熱モジュール７は、ウェハＷに対して熱処理を行うものである。処理容器７１内には、熱板７２が設けられている。熱板７２には、突き上げピン７３が設けられている。昇降機構７４は突き上げピン７３を昇降するためのものである。突き上げピン７３は、本発明における基板載置部に相当する。また、図１２中７０は、ウェハＷの搬送口である。
【００６３】
制御部５は、演算処理部５１、記憶部５２、表示部５３、及びアラーム発生部５４を有する。
【００６４】
演算処理部５１は、例えばメモリ、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を有するデータ処理部であるコンピュータである。演算処理部５１は、記憶部５２に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令（コマンド）に従って、レジストパターン形成装置の各部に制御信号を送り、レジストパターン形成処理に含まれる各種の基板処理を実行する。具体的には、演算処理部５１は、搬送アームＡ３の進退機構３３Ａ、３３Ｂの駆動機構３３に設けられたモータＭ、エンコーダ３８やカウンタ３９等に対して所定の制御信号を送り、ウェハＷの受け渡し及び搬送を実行する。
【００６５】
記憶部５２は、演算処理部５１に、各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。記録媒体として、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気（Magnetoptical；ＭＯ）ディスク等を用いることができる。
【００６６】
表示部５３は、例えばコンピュータの画面よりなる。表示部５３では、各種の基板処理の選択や、各基板処理におけるパラメータの入力操作を行うことができる。
【００６７】
アラーム発生部５４は、搬送アームＡ３を含め、レジストパターン形成装置の各部に異常が発生したときに、アラームを発生させる。
【００６８】
次に、図１２から図１４を参照し、搬送アームＡ３のフォーク３Ａが加熱モジュール７からウェハＷを受け取る際の工程を例示し、本実施の形態に係る基板搬送方法について説明する。図１３は、基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。図１４は、ウェハＷを受け渡す際の加熱モジュール７と搬送アームＡ３の状態を示す図である。
【００６９】
本実施の形態に係る基板搬送方法は、制御部５が、進退機構３３Ａによりフォーク３Ａを前進させ、突き上げピン７３から保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷを受け取った際に、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄによりフォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置を検出し、各々の静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出値に基づいて、相対位置の補正の要否を判定するものである。そして、相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、相対位置の補正が不要と判定したときには、進退機構３３Ａの駆動を停止するか、又は、ウェハＷの搬送を継続するものである。
【００７０】
図１３に示すように、基板搬送方法は、受け取り工程（ステップＳ１１）、検出工程（ステップＳ１２）、判定工程（ステップＳ１３、ステップＳ１４）、補正工程（ステップＳ１５）、搬出工程（ステップＳ１６）、及び停止工程（ステップＳ１７）を有する。
【００７１】
受け取り工程（ステップＳ１１）では、図１４（ａ）に示すように、加熱モジュール７において突き上げピン７３によりウェハＷを突き上げ、ウェハＷを熱板７２の上方位置まで上昇させる。次に、図１４（ｂ）に示すように、制御部５に制御された進退機構３３Ａにより、加熱モジュール７の外方からウェハＷの下方側へフォーク３Ａを前進させる。そして、図１４（ｃ）に示すように、制御部５に制御された昇降台３４によりフォーク３Ａを上昇させ、ウェハＷを下方側から掬い上げるようにして保持爪３０Ａ〜３０Ｄに保持させることによって、ウェハＷを突き上げピン７３からフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０Ｄに受け取る。
【００７２】
次に、検出工程（ステップＳ１２）では、保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷを受け取った際に、ウェハＷを保持爪３０Ａ〜３０Ｄに保持させた状態で、保持爪３０Ａ〜３０Ｄに設けられた静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの静電容量（出力）を検出する。
【００７３】
制御部５では、比較部４２Ａ〜４２Ｄにより、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出値である静電容量（出力）と、第１の下限値、第２の下限値とを比較する。静電容量（出力）が第１の下限値より小さいときは、比較部４２Ａ〜４２Ｄから警告信号が出力される。静電容量（出力）が第２の下限値より大きいときは、比較部４２Ａ〜４２Ｄから載置信号が出力される。また、静電容量（出力）が第１の下限値より大きく、第２の下限値より小さいときは、比較部４２Ａ〜４２Ｄからは載置信号及び警告信号のいずれも出力されない。
【００７４】
次に、判定工程（ステップＳ１３、ステップＳ１４）では、制御部５が、４つの静電容量センサ４Ａ〜４Ｄに対応する４つの比較部４２Ａ〜４２Ｄから出力される載置信号及び警告信号の有無に基づいて、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置が正常か否かを判定し、相対位置の補正の要否を判定する。すなわち、制御部５は、４つの静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出値である静電容量（出力）に基づいて、相対位置の補正の要否を判定する。
【００７５】
ステップＳ１３では、４つの比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれかから警告信号が出力されているかを判定する。
【００７６】
４つの比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれかから警告信号が出力されているときは、停止工程（ステップＳ１７）へ進む。停止工程（ステップＳ１７）では、搬送アームＡ３は、図１４（ｄ）及び図１４（ｅ）に示すような後退位置への後退が禁止され、加熱モジュール７内にてウェハＷを受け取った状態で、駆動が停止される。そして、搬送アームＡ３の駆動が停止されたときは、オペレータにより、ウェハＷの位置に異常が発生した原因の特定や、リカバリ処理、メンテナンス等が行われる。
【００７７】
一方、４つの比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれからも警告信号が出力されていないときは、ステップＳ１４に進む。ステップＳ１４では、全ての比較部４２Ａ〜４２Ｄから載置信号が出力されているかを判定する。
【００７８】
全ての比較部４２Ａ〜４２Ｄから載置信号が出力されているときは、ウェハＷの位置が正常であり、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置の補正は必要ないと判定し、搬出工程（ステップＳ１６）に進む。搬出工程（ステップＳ１６）では、図１４（ｄ）及び図１４（ｅ）に示すように、突き上げピン７３を下降させ、フォーク３Ａを後退させることによって、突き上げピン７３からフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷを受け渡す。そして、フォーク３Ａを後退させた後、保持しているウェハＷを次の搬送先まで移動する。
【００７９】
一方、いずれかの比較部４２Ａ〜４２Ｄから載置信号が出力されていないときは、ウェハＷの位置は、警告信号を出力するほどはずれてはいないものの、ある程度のずれ量でずれており、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置の補正が必要と判定する。このときは、補正工程（ステップＳ１５）に進む。
【００８０】
補正工程（ステップＳ１５）では、制御部５に制御された昇降台３４によりフォーク３Ａを下降させ、ウェハＷを保持爪３０Ａ〜３０Ｄから突き上げピン７３に戻す。その結果、図１４（ｂ）に示す状態に戻ることになる。そして、制御部５に制御された進退機構３３Ａにより、ウェハＷの下方側から加熱モジュール７の外方へフォーク３Ａを後退させる。その結果、図１４（ａ）に示す状態に戻すことになる。そして、加熱モジュール７の外方で、先ほどのウェハＷの位置のずれを補償するように、フォーク３Ａの位置を補正する。
【００８１】
例えば、４個の静電容量センサのうち、４Ａ、４Ｂの静電容量（出力）は第２の下限値より大きいが、４Ｃ、４Ｄの静電容量（出力）は第２の下限値より小さいときは、図１０に示したように、ウェハＷの位置が−Ｙ方向にあるずれ量だけずれていたと考えられる。また、そのずれ量は、４Ａ、４Ｂの静電容量（出力）と第２の下限値との差に基づいて、算出が可能である。静電容量センサの静電容量（出力）は、静電容量センサの表面のうち、被検出物に覆われている領域の面積に依存するからである。従って、静電容量センサの静電容量（出力）に基づいて、保持爪３０Ａ〜３０Ｄの上面のうち、ウェハＷに覆われている領域の面積を算出することができる。そして、算出された−Ｙ方向のずれ量を補償、すなわち相殺するように、フォーク３Ａの位置を補正する。
【００８２】
あるいは、例えば、４個の静電容量センサのうち、４Ａ、４Ｄの静電容量（出力）は第２の下限値より大きいが、４Ｂ、４Ｃの静電容量（出力）は第２の下限値より小さいときは、図１１に示したように、ウェハＷの位置が−Ｘ方向にあるずれ量だけずれていたと考えられる。また、そのずれ量は、図１０を用いて説明した場合と同様に、４Ｂ、４Ｃの静電容量（出力）と第２の下限値との差に基づいて、算出が可能である。そして、算出された−Ｘ方向のずれ量を補償、すなわち相殺するように、フォーク３Ａの位置を補正する。
【００８３】
このようにして、フォーク３Ａのずれ量を補正した後、受け取り工程（ステップＳ１１）に再び戻る。受け取り工程（ステップＳ１１）では、図１４（ｂ）に示すように、位置が補正されたフォーク３Ａを、制御部５に制御された進退機構３３Ａにより、再び、加熱モジュール７の外方からウェハＷの下方側へ前進させる。そして、図１４（ｃ）に示すように、制御部５に制御された昇降台３４によりフォーク３Ａを上昇させ、ウェハＷを下方側から掬い上げるようにして、保持爪３０Ａ〜３０Ｄに保持させる。そして、ウェハＷを保持爪３０Ａ〜３０Ｄに保持させた後、再び、検出工程（ステップＳ１２）及び判定工程（ステップＳ１３、ステップＳ１４）を行う。
【００８４】
検出工程（ステップＳ１２）では、再び、保持爪３０Ａ〜３０Ｄに設けられた静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの静電容量（出力）を検出する。そして、ステップＳ１３において、４つの比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれからも警告信号が出力されておらず、ステップＳ１４において、全ての比較部４２Ａ〜４２Ｄから載置信号が出力されているときは、ウェハＷの位置が正常であると判定し、搬出工程（ステップＳ１６）に進む。
【００８５】
本実施の形態では、判定工程（ステップＳ１３、ステップＳ１４）及び補正工程（ステップＳ１５）により、保持爪３０Ａ〜３０Ｄに保持されているウェハＷのフォーク３Ａに対する相対位置が、正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出することができる。また、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置が正常な位置から位置ずれしていた場合には、ウェハＷを落下させたり処理モジュールの他の部分に接触させることなく、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置が正常な位置になるように保持し直すことができる。
【００８６】
また、いずれかの比較部４２Ａ〜４２Ｄから警告信号が出力されたときに搬送アームＡ３の駆動を停止することによって、正常な状態で載置されていなかったウェハＷがフォーク３Ａの後退の途中で落下すること、又は、落下したウェハＷと搬送アームＡ３が衝突することを防止できる。そして、ウェハＷの位置に異常がある場合であっても、ウェハＷの位置を正常な位置に戻す対応を行えば済み、その対応後に速やかに処理を再開できる。
【００８７】
すなわち、本実施の形態によれば、フォーク３Ａ上のウェハＷの保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる。
【００８８】
また、突き上げピン７３からフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷを受け取った際に、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置が正常であるか否かを判定し、場合によってはフォーク３Ａの後退を停止する。そのため、処理モジュール内でウェハＷが破損する等の不具合があったときに、不具合が発生した時点における状態をそのまま観察することができ、不具合が発生した直後のフォーク３Ａや処理モジュール内の様子を容易に確認できる。従って、不具合が処理モジュールに起因するものか、あるいは、不具合がウェハＷの受け渡し動作に起因するものかが特定しやすく、不具合の再発を容易に防止できる。
【００８９】
なお、本実施の形態では、受け取り工程（ステップＳ１１）及び補正工程（ステップＳ１５）において、進退機構３３Ａのみならず昇降台３４を駆動させる例について説明した。しかし、昇降台３４を駆動させず、加熱モジュール７の昇降機構７４を駆動させ、突き上げピン７３を昇降させることによって、ウェハＷをフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０Ｄとの間で受け渡しするようにしてもよい。
【００９０】
また、本実施の形態では、ウェハＷを突き上げピン７３に戻した後、フォーク３Ａを加熱モジュール７から後退させ、加熱モジュール７の外方でフォーク３Ａのずれ量を補正し、再びフォーク３Ａを加熱モジュール７に前進させ、ウェハＷを突き上げピン７３からフォーク３Ａに受け取らせる例について説明した。しかし、補正量が比較的小さいときは、フォーク３ＡがウェハＷ又は加熱モジュール７内における他の部分に接触するおそれがない。このときは、ウェハＷをフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０Ｄから突き上げピン７３に戻した後、フォーク３Ａを加熱モジュール７内に前進させた状態で、加熱モジュール７内でフォーク３Ａのずれ量を補正した後、再び、突き上げピン７３からフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷを受け取るようにしてもよい。
【００９１】
また、近接センサ４Ａ〜４Ｄとして静電容量センサを用いるときは、検出される静電容量（出力）は、被検出物の誘電率に依存する。すなわち、同一の形状を有するウェハＷであっても、例えばシリコン、ガラス、サファイア、アルミ等の各種の材質に依存して検出される静電容量（出力）が変化する。
【００９２】
従って、本実施の形態によれば、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄにより、ウェハＷの種類（材質）を検出することができる。そして、ウェハＷの種類（材質）に応じてフォーク３Ａの移動速度を変更する。これにより、例えば、ウェハＷがフォーク３Ａから落下し、破損したときの損失によるコスト増大と、工程時間（タクト時間）短縮によるコスト低減とが最適になるように、ウェハＷごとに調整した製造プロセスを行うことができる。
【００９３】
あるいは、複数の種類（材質）のウェハＷを処理する場合には、ウェハＷの種類（材質）に応じてウェハＷを処理する処理パラメータが異なる場合がある。本実施の形態によれば、ウェハＷの種類（材質）が検出できるため、検出したウェハＷの種類（材質）に応じて処理パラメータを自動的に変更することができる。これにより、複数の種類（材質）のウェハＷを処理する場合にも、同一の基板処理装置により処理を行うことができ、複数の基板処理装置を準備する必要がない。
【００９４】
また、近接センサ４Ａ〜４Ｄとして静電容量センサを用いるときは、検出される静電容量（出力）は、被検出物の帯電状態にも依存する。従って、近接センサ４Ａ〜４ＤによりウェハＷの帯電を検知し、アラームを発生するようにしてもよい。
【００９５】
また、近接センサ４Ａ〜４Ｄとして、静電容量センサに代え、歪ゲージを用いてもよい。また、光電センサ、接触センサ、磁気センサ等各種の他の近接スイッチを用いた変形例も可能である。図１５を参照し、このような変形例について説明する。図１５は、本変形例に係る搬送アームのフォーク３Ａを拡大して示す平面図である。なお、図７と同様に、図１５においても、図示を容易にするため、フォーク３Ａに対し、保持爪３０Ａ〜３０Ｄ及び近接スイッチ４Ａ〜４Ｄを少し拡大して示している。
【００９６】
図１５に示すように、近接スイッチ４Ａ〜４Ｄは、保持爪３０Ａ〜３０Ｄの各々に、保持されるウェハＷの径方向に沿って複数個設けられている。そして、ウェハＷの径方向に沿って複数個設けられた近接スイッチ４Ａ〜４Ｄの各々が検出する検出値に基づいて、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置の補正の要否を判定する。
【００９７】
具体的には、ある保持爪３０Ａ〜３０Ｄに設けられた複数個の近接スイッチ４Ａ〜４Ｄのうち、検出値が所定の下限値より小さい近接スイッチ４Ａ〜４Ｄの数が予め設定された個数より多いときに、相対位置の補正が必要と判定する。
【００９８】
図１５に示す例では、１個の保持爪３０Ａ〜３０Ｄに、例えば近接スイッチ４Ａ〜４ＤをウェハＷの径方向に沿って４個設けている。そして、検出値が所定の下限値より大きくなる場合をＯＮ値、検出値が当該下限値より小さくなる場合をＯＦＦ値とする。そして、ＯＦＦ値を出力した近接スイッチの数が、４個中例えば予め設定された個数である２個より多いときに、相対位置の補正が必要と判定する。
【００９９】
近接スイッチは、前述した静電容量センサと異なり、近接スイッチの表面が、被検出物に覆われているか否かで、ＯＮ値、ＯＦＦ値の２値で変化する近接スイッチの出力を検出するものである。従って、保持爪３０Ａ〜３０Ｄの上面のうち、ウェハＷに覆われている近接スイッチが何個であるかに基づいて、保持爪３０Ａ〜３０Ｄの上面のうち、ウェハＷに覆われている領域の面積を算出することができる。
【０１００】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０１】
３、３Ａ、３Ｂ フォーク（保持枠）
３０、３０Ａ〜３０Ｄ 保持爪（保持部）
３３、３３Ａ、３３Ｂ 進退機構（駆動部）
４、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ 静電容量センサ（検出部）
５ 制御部
７３ 基板載置部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を搬送する基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ（Liquid Crystal Display）基板の製造プロセスにおいては、装置内に基板（以下「ウェハ」ともいう。）に対して処理を行う処理モジュールを複数個設け、これら処理モジュールに基板搬送装置により基板を順次搬送することによって、所定の処理が行われている。基板搬送装置は、例えば、基板を保持するフォークが基台に沿って進退自在に設けられると共に、基板が鉛直軸周りに回転自在、昇降自在に構成されている。
【０００３】
このような基板搬送装置には、フォークの位置が正常か否かを確認するためのセンサが設けられているものがある（例えば特許文献１参照）。また、処理モジュールからフォークが基板を受け取ったか否かを確認するためのセンサが設けられているものがある（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
特許文献１には、フォークに光の反射体が設けられ、反射体の下方に光を投受光できる光センサが設けられており、フォークが正常な位置からずれたことを検出可能にした基板搬送装置が開示されている。また、特許文献２には、フォークに基板が支持されていることを検出するための光センサが設けられており、基板が光軸を遮ることによってフォークに基板が支持されていることを検出可能にした基板搬送装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４０４７１８２号公報
【特許文献２】特許第３９６５１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記した基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法においては、次のような問題がある。
【０００７】
特許文献１に開示される例では、フォークの位置が正常な位置からずれたことを検知することはできる。しかし、フォークに保持されている基板がフォークに対して位置ずれしていることは検知できない。
【０００８】
一方、特許文献２に開示される例では、フォークに保持されている基板が、センサが設けられている側からセンサが設けられていない側に位置ずれしたときは、光軸を遮らない状態になるので、その位置ずれを容易に検知することができる。しかし、フォークに保持されている基板が、センサが設けられていない側からセンサが設けられている側に位置ずれしたときは、光軸を遮った状態が変わらないため、その位置ずれを容易に検知することができない。
【０００９】
通常、光センサは、フォークの根元側に設けられていることが多い。このときは、基板がフォークの根元側に乗り上げた状態を検知することができない。例えば、基板がフォークの根元側にずれた状態で、フォークが基板を保持したときは、基板のずれを検知することができないため、フォークが基板を保持している位置が位置ずれしているか否かが不明な状態で後退動作が行われてしまう。その結果、例えば、次の処理モジュールに基板を受け渡したときに基板の位置がずれる、又は、基板が処理モジュール内の他の部分に接触して破損する、等のトラブルが発生するおそれがある。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、フォークに保持されている基板が正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出でき、更にフォーク上の基板の保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる基板搬送装置及び基板搬送方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の一実施例によれば、基板を載置する基板載置部から基板を受け取り、受け取った前記基板を搬送する基板搬送装置において、搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、前記基板載置部に進退自在な保持枠と、前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部が載置されることによって前記基板を保持する、３個以上の保持部と、前記保持部の各々に設けられ、前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出する検出部と、前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部と、前記駆動部により前記保持枠を前進させ、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出し、各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定し、前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、制御部とを有する、基板搬送装置が提供される。
【００１３】
また、本発明の一実施例によれば、搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、基板を載置する基板載置部に進退自在な保持枠と、前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部が載置されることによって前記基板を保持する、３個以上の保持部と、前記保持部の各々に設けられ、前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出する検出部と、前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部とを有し、前記基板載置部から基板を受け取り、受け取った前記基板を搬送する基板搬送装置における基板搬送方法であって、前記駆動部により前記保持枠を前進させ、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出し、各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定する判定工程を有し、前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、基板搬送方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法において、フォークに保持されている基板が正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出でき、更にフォーク上の基板の保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。
【図３】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。
【図４】第３のブロックの構成を示す斜視図である。
【図５】実施の形態に係る搬送アームを示す斜視図である。
【図６】実施の形態に係る搬送アームを示す平面図及び側面図である。
【図７】実施の形態に係る搬送アームのフォークを拡大して示す平面図である。
【図８】実施の形態に係る搬送アームのフォークを拡大して示す断面図である。
【図９】保持爪にウェハが正常に載置されているときのフォーク及びウェハを示す平面図及び断面図である。
【図１０】保持爪にウェハが正常に載置されていないときのフォーク及びウェハを示す平面図及び断面図である。
【図１１】保持爪にウェハが正常に載置されていないときの別の例におけるフォーク及びウェハを示す平面図である。
【図１２】レジストパターン形成装置に設けられた加熱モジュール及び制御部を示す構成図である。
【図１３】基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。
【図１４】ウェハを受け渡す際の加熱モジュールと搬送アームの状態を示す図である。
【図１５】実施の形態の変形例に係る搬送アームのフォークを拡大して示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る基板搬送装置を備えた基板処理装置を、塗布現像装置に適用した場合を例にして説明する。
【００１７】
先ず、図１から図４を参照し、塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら簡単に説明する。
【００１８】
図１は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。図２は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図３は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。図４は、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を示す斜視図である。
【００１９】
レジストパターン形成装置は、図１及び図２に示すように、キャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２、インターフェイスブロックＳ３を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックＳ３側に、露光装置Ｓ４が設けられている。処理ブロックＳ２は、キャリアブロックＳ１に隣接するように設けられている。インターフェイスブロックＳ３は、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１側と反対側に、処理ブロックＳ２に隣接するように設けられている。露光装置Ｓ４は、インターフェイスブロックＳ３の処理ブロックＳ２側と反対側に、インターフェイスブロックＳ３に隣接するように設けられている。
【００２０】
キャリアブロックＳ１は、キャリア２０、載置台２１及び受け渡し手段Ｃを有する。キャリア２０は、載置台２１上に載置されている。受け渡し手段Ｃは、キャリア２０からウェハＷを取り出し、処理ブロックＳ２に受け渡すとともに、処理ブロックＳ２において処理された処理済みのウェハＷを受け取り、キャリア２０に戻すためのものである。
【００２１】
処理ブロックＳ２は、図２に示すように、棚ユニットＵ１、棚ユニットＵ２、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を有する。第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、現像処理を行うためのものである。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。
【００２２】
棚ユニットＵ１は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ１は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ１、ＣＰＬ１１、ＣＰＬ２、ＢＦ２、ＣＰＬ３、ＢＦ３、ＣＰＬ４、ＴＲＳ４を有する。また、図１に示すように、棚ユニットＵ１の近傍には、昇降自在な受け渡しアームＤが設けられている。棚ユニットＵ１の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームＤによりウェハＷが搬送される。
【００２３】
棚ユニットＵ２は、各種の処理モジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ２は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ６、ＣＰＬ１２を有する。
【００２４】
なお、図３において、ＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウェハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。
【００２５】
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、図１及び図３に示すように、現像モジュール２２、搬送アームＡ１及びシャトルアームＥを有する。現像モジュール２２は、１つの第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１内に、上下２段に積層されている。搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームＥは、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１から棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２にウェハＷを直接搬送するためのものである。
【００２６】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、各々塗布モジュール、加熱・冷却系の処理モジュール群、及び搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４を有する。処理モジュール群は、塗布モジュールにおいて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウェハＷの受け渡しを行う。
【００２７】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２から第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の各ブロックは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。
【００２８】
なお、搬送アームＡ１〜Ａ４は、本発明における基板搬送装置に相当するものであり、搬送アームＡ１〜Ａ４の構成については、後述する。また、載置台２１、各処理モジュールにおける基板を載置する部分は、本発明における基板載置部に相当する。
【００２９】
ここで、図４を参照し、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を代表し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を説明する。
【００３０】
第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、塗布モジュール２３、棚ユニットＵ３及び搬送アームＡ３を有する。棚ユニットＵ３は、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュール群を構成するように積層された、複数の処理モジュールを有する。棚ユニットＵ３は、塗布モジュール２３と対向するように配列されている。搬送アームＡ３は、塗布モジュール２３と棚ユニットＵ３との間に設けられている。図４中２４は、各処理モジュールと搬送アームＡ３との間でウェハＷの受け渡しを行うための搬送口である。
【００３１】
インターフェイスブロックＳ３は、図１に示すように、インターフェイスアームＦを有する。インターフェイスアームＦは、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ２の近傍に設けられている。棚ユニットＵ２の各処理モジュール同士の間及び露光装置Ｓ４との間では、インターフェイスアームＦによりウェハＷが搬送される。
【００３２】
キャリアブロックＳ１からのウェハＷは、棚ユニットＵ１の一つの受け渡しモジュール、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２に対応する受け渡しモジュールＣＰＬ２に、受け渡し手段Ｃにより、順次搬送される。受け渡しモジュールＣＰＬ２に搬送されたウェハＷは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の搬送アームＡ２に受け渡され、搬送アームＡ２を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。
【００３３】
反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ２、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ２、受け渡しアームＤ、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ３を介し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の搬送アームＡ３に受け渡される。そして、ウェハＷは、搬送アームＡ３を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷにレジスト膜が形成される。
【００３４】
レジスト膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ３を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ３に受け渡される。
【００３５】
なお、レジスト膜が形成されたウェハＷは、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウェハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ４を介し、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の搬送アームＡ４に受け渡され、搬送アームＡ４を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ４を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４に受け渡される。
【００３６】
レジスト膜が形成されたウェハＷ又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウェハＷは、受け渡しアームＤ、受け渡しモジュールＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡される。受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡されたウェハＷは、シャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２に直接搬送された後、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＦに受け渡される。
【００３７】
インターフェイスアームＦに受け渡されたウェハＷは、露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。所定の露光処理が行われたウェハＷは、インターフェイスアームＦを介し、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ６に載置され、処理ブロックＳ２に戻される。処理ブロックＳ２に戻されたウェハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１において現像処理が行われる。現像処理が行われたウェハＷは、搬送アームＡ１、棚ユニットＵ１のいずれかの受け渡しモジュール、受け渡し手段Ｃを介し、キャリア２０に戻される。
【００３８】
次に、図４から図６を参照し、本発明における基板搬送装置である搬送アームＡ１〜Ａ４について説明する。搬送アームＡ１〜Ａ４は同様に構成されているので、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に設けられた搬送アームＡ３を代表して説明する。図５は、搬送アームＡ３を示す斜視図である。図６は、搬送アームＡ３を示す平面図及び側面図である。
【００３９】
図４から図６に示すように、搬送アームＡ３は、２枚のフォーク３（３Ａ、３Ｂ）、基台３１、回転機構３２、進退機構３３Ａ、３３Ｂ、及び昇降台３４を有する。
【００４０】
２枚のフォーク３Ａ、３Ｂは、上下に重なるように設けられている。基台３１は、回転機構３２により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク３Ａ、３Ｂは、各々、その基端側がそれぞれ進退機構３３Ａ、３３Ｂに支持されており、進退機構３３Ａ、３３Ｂにより、基台３１から、例えば、後述する加熱モジュール７の突き上げピン７３に進退自在に設けられている。
【００４１】
なお、フォーク３（３Ａ、３Ｂ）は、本発明における保持枠に相当する。
【００４２】
進退機構３３Ａ、３３Ｂは、基台３１内部に設けられた駆動機構であるモータＭに、タイミングベルト等の伝達機構を用いて連結されており、フォーク３Ａ、３Ｂを進退駆動する。伝達機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。
【００４３】
なお、進退機構３３Ａ、３３Ｂは、本発明における駆動部に相当する。また、後述する図１２には、基台３１の下方側に進退機構３３Ａの駆動機構３３を図示している。進退機構３３Ａは、基台３１内部に設けられた駆動機構３３をモータＭにより回転させることによって、フォーク３Ａ、３Ｂを基台３１から、例えば、後述する加熱モジュール７の突き上げピン７３に進退駆動するように構成されている。モータＭは、エンコーダ３８に接続されている。図１２中３９はエンコーダ３８のパルス数をカウントするカウンタである。
【００４４】
昇降台３４は、図４に示すように、回転機構３２の下方側に設けられている。昇降台３４は、上下方向（図４中Ｚ軸方向）に直線状に延びる図示しないＺ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではＺ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体３５により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体３５は、Ｙ軸方向に直線状に伸びるＹ軸ガイドレール３６に沿って摺動移動するように構成されている。
【００４５】
次に、図５から図１１を参照し、フォーク３、保持爪３０及び保持爪３０に設けられた近接センサ４について説明する。また、以下では、フォーク３Ａ、３Ｂを代表し、フォーク３Ａについて説明するが、フォーク３Ｂも、フォーク３Ａと全く同様に構成することができる。
【００４６】
なお、近接センサ４は、本発明における検出部に相当する。
【００４７】
図７は、フォーク３Ａを拡大して示す平面図である。図８は、フォーク３Ａを拡大して示す断面図である。図８は、図７におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。また、図８では、４個の保持爪３０及び４個の近接センサ４のうち、２個の保持爪及び２個の近接センサを示している。図９（ａ）及び図９（ｂ）は、それぞれ保持爪３０にウェハＷが正常に載置されているときのフォーク３Ａ及びウェハＷを示す平面図及び断面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、それぞれ保持爪３０にウェハＷが正常に載置されていないときのフォーク３Ａ及びウェハＷを示す平面図及び断面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１１は、保持爪３０にウェハＷが正常に載置されていないときの別の例におけるフォーク３Ａ及びウェハＷを示す平面図である。なお、図７から図１１では、図示を容易にするため、フォーク３Ａに対し、保持爪３０及び近接センサ４を少し拡大して示している。
【００４８】
図７及び図８に示すように、フォーク３Ａは、円弧状に形成され、搬送する基板の周囲を囲むように設けられている。また、図５及び図６に示すように、フォーク３Ａ、３Ｂには、各々保持爪３０が形成されている。保持爪３０は、フォーク３Ａ、３Ｂの内縁から各々内側に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、ウェハＷの周縁部が載置されることによってウェハＷを保持するものである。保持爪３０は、３個以上が設けられる。図５及び図６に示す例では、ウェハＷの周縁部の４箇所を保持するために、４個の保持爪３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄが設けられている。
【００４９】
保持爪３０Ａ〜３０Ｄの各々には、保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷが載置されたときに被検出体であるウェハＷを検出するための近接センサ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄが設けられている。図７及び図８に示す例では、近接センサ４Ａ〜４Ｄとして、静電容量型近接センサ（以下、単に「静電容量センサ」という。）が用いられている。
【００５０】
図８に示すように、静電容量センサ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄは、それぞれ静電容量測定部４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄに電気的に接続されており、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄで検出された静電容量の変化を、これらの静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄによって所定の電気信号、例えば静電容量の増加に応じて大きな電圧信号に変化出力するように構成されている。静電容量センサ４Ａ〜４Ｄ上にウェハＷが載置されていないときは、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出する静電容量（出力）は略０である。また、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄ上にウェハＷが載置されているときに静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出する静電容量（出力）は、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄ上にウェハＷが載置されていないときに静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出する静電容量（出力）よりも大きい。また、図８における点線で示すように、静電容量センサ４Ａ〜４ＤとウェハＷとの間の距離が正常な状態よりも大きいときに静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出する静電容量（出力）は、ウェハＷが全く載置されていないときの静電容量（出力）よりは大きいが、正常な状態でウェハＷが載置されているときの静電容量（出力）よりも小さい。
【００５１】
静電容量測定部４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄの出力は、比較部４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄに入力されるように構成されている。そして、比較部４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄの出力は、後述する制御部５に入力されるように構成されている。比較部４２Ａ〜４２Ｄは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力を予め設定された下限値と比較する。
【００５２】
本実施の形態では、下限値として、第１の下限値と、第１の下限値よりも大きい第２の下限値を用いる。
【００５３】
第１の下限値は、略０に近い値であり、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄが設けられている保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷが保持されていないときに、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が、第１の下限値より小さくなるような値として、設定されている。
【００５４】
第２の下限値は、第１の下限値よりも大きい値である。また、第２の下限値は、ウェハＷが正常に保持爪３０Ａ〜３０Ｄに載置されているときに、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が、第２の下限値より大きくなるような値として、設定されている。静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が、第２の下限値より小さくなるときは、ウェハＷが正常に保持爪３０Ａ〜３０Ｄに載置されていないとき、すなわち、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置が正常な位置からずれているときである。このときは、後述するように、ウェハＷを、フォーク３Ａから本発明における基板載置部に相当する、各処理モジュールの突き上げピン又は載置台に戻し、フォーク３Ａの位置を補正した後、再び、ウェハＷを各処理モジュールの突き上げピン又は載置台からフォーク３Ａに受け取る。
【００５５】
比較部４２Ａ〜４２Ｄは、例えば、以下のように比較処理を行うように構成されている。すなわち、比較部４２Ａ〜４２Ｄは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が第２の下限値より大きくなるときは、制御部５に対し、載置信号を発生する。また、比較部４２Ａ〜４２Ｄは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が第１の下限値より小さくなるときは、制御部５に対し、警告信号を発生する。また、比較部４２Ａ〜４２Ｄは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が第１の下限値より大きく第２の下限値より小さいときは、載置信号及び警告信号のいずれも発生しない。
【００５６】
まず、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄに正常に載置されている場合について説明する。このようなときは、全ての静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄの出力が第２の下限値よりも大きくなり、比較部４２Ａ〜４２Ｄの全ては、制御部５に対し、載置信号を出力する。そして、比較部４２Ａ〜４２Ｄの全てから載置信号が入力された制御部５は、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄに正常に載置されており、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置の補正の必要がないと判定する。補正の必要がないと判定した制御部５は、進退機構３３Ａ及び昇降台３４を制御し、フォーク３Ａを駆動してウェハＷを搬送する。
【００５７】
次に、図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１１に示すように、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄに正常に載置されていない場合について説明する。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、ウェハＷがフォーク３Ａの進退方向であるＸ方向と略直交するＹ方向にずれたときを示しており、図１１は、ウェハＷがフォーク３Ａの進退方向であるＸ方向にずれたときを示している。このようなときは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄのいずれかにおいて、出力が第２の下限値よりも小さくなり、比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれかは、制御部５に対し、載置信号を出力しない。そして、比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれかから載置信号が入力されない制御部５は、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄに正常に載置されておらず、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置の補正の必要があると判定する。補正の必要があると判定した制御部５は、進退機構３３Ａ及び昇降台３４を制御し、ウェハＷを、フォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０Ｄから各処理モジュールの突き上げピン又は載置台に戻し、フォーク３Ａの位置を補正する。そして、補正した後、再び、ウェハＷを各モジュールの突き上げピン又は載置台からフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０Ｄに受け取る。
【００５８】
更に、ウェハＷの位置が正常な位置からかなりずれているか、又は、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄのいずれかに全く載置されていないときは、静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄのいずれかにおいて、出力が第２の下限値よりも小さい第１の下限値よりも更に小さくなる。このとき、その静電容量測定部４１Ａ〜４１Ｄに対応する比較部４２Ａ〜４２Ｄは、警告信号を発生する。制御部５は、比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれかから警告信号が入力されたときは、ウェハＷの位置が正常な位置からかなりずれているか、又は、ウェハＷが保持爪３０Ａ〜３０Ｄのいずれかに全く載置されていないと判定し、フォーク３Ａの移動を停止する。
【００５９】
次に、図１２を参照し、搬送アームと処理モジュールとの間のウェハＷの受け渡しを制御する制御部５について説明する。
【００６０】
なお、以下では、基板搬送方法の説明も含め、搬送アームがウェハＷを受け渡す処理モジュールとして、加熱モジュール７を例示して説明する。加熱モジュール７は、前述した図３及び図４を用いて説明したように、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４のそれぞれにおいて、棚ユニットＵ３に組み込まれている。
【００６１】
図１２は、制御部５を第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３における搬送アームＡ３及び加熱モジュール７とともに示す構成図である。
【００６２】
図１２に示すように、加熱モジュール７は、処理容器７１、熱板７２、突き上げピン７３、昇降機構７４を有する。加熱モジュール７は、ウェハＷに対して熱処理を行うものである。処理容器７１内には、熱板７２が設けられている。熱板７２には、突き上げピン７３が設けられている。昇降機構７４は突き上げピン７３を昇降するためのものである。突き上げピン７３は、本発明における基板載置部に相当する。また、図１２中７０は、ウェハＷの搬送口である。
【００６３】
制御部５は、演算処理部５１、記憶部５２、表示部５３、及びアラーム発生部５４を有する。
【００６４】
演算処理部５１は、例えばメモリ、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を有するデータ処理部であるコンピュータである。演算処理部５１は、記憶部５２に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令（コマンド）に従って、レジストパターン形成装置の各部に制御信号を送り、レジストパターン形成処理に含まれる各種の基板処理を実行する。具体的には、演算処理部５１は、搬送アームＡ３の進退機構３３Ａ、３３Ｂの駆動機構３３に設けられたモータＭ、エンコーダ３８やカウンタ３９等に対して所定の制御信号を送り、ウェハＷの受け渡し及び搬送を実行する。
【００６５】
記憶部５２は、演算処理部５１に、各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。記録媒体として、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気（Magnetoptical；ＭＯ）ディスク等を用いることができる。
【００６６】
表示部５３は、例えばコンピュータの画面よりなる。表示部５３では、各種の基板処理の選択や、各基板処理におけるパラメータの入力操作を行うことができる。
【００６７】
アラーム発生部５４は、搬送アームＡ３を含め、レジストパターン形成装置の各部に異常が発生したときに、アラームを発生させる。
【００６８】
次に、図１２から図１４を参照し、搬送アームＡ３のフォーク３Ａが加熱モジュール７からウェハＷを受け取る際の工程を例示し、本実施の形態に係る基板搬送方法について説明する。図１３は、基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。図１４は、ウェハＷを受け渡す際の加熱モジュール７と搬送アームＡ３の状態を示す図である。
【００６９】
本実施の形態に係る基板搬送方法は、制御部５が、進退機構３３Ａによりフォーク３Ａを前進させ、突き上げピン７３から保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷを受け取った際に、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄによりフォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置を検出し、各々の静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出値に基づいて、相対位置の補正の要否を判定するものである。そして、相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、相対位置の補正が不要と判定したときには、進退機構３３Ａの駆動を停止するか、又は、ウェハＷの搬送を継続するものである。
【００７０】
図１３に示すように、基板搬送方法は、受け取り工程（ステップＳ１１）、検出工程（ステップＳ１２）、判定工程（ステップＳ１３、ステップＳ１４）、補正工程（ステップＳ１５）、搬出工程（ステップＳ１６）、及び停止工程（ステップＳ１７）を有する。
【００７１】
受け取り工程（ステップＳ１１）では、図１４（ａ）に示すように、加熱モジュール７において突き上げピン７３によりウェハＷを突き上げ、ウェハＷを熱板７２の上方位置まで上昇させる。次に、図１４（ｂ）に示すように、制御部５に制御された進退機構３３Ａにより、加熱モジュール７の外方からウェハＷの下方側へフォーク３Ａを前進させる。そして、図１４（ｃ）に示すように、制御部５に制御された昇降台３４によりフォーク３Ａを上昇させ、ウェハＷを下方側から掬い上げるようにして保持爪３０Ａ〜３０Ｄに保持させることによって、ウェハＷを突き上げピン７３からフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０Ｄに受け取る。
【００７２】
次に、検出工程（ステップＳ１２）では、保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷを受け取った際に、ウェハＷを保持爪３０Ａ〜３０Ｄに保持させた状態で、保持爪３０Ａ〜３０Ｄに設けられた静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの静電容量（出力）を検出する。
【００７３】
制御部５では、比較部４２Ａ〜４２Ｄにより、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出値である静電容量（出力）と、第１の下限値、第２の下限値とを比較する。静電容量（出力）が第１の下限値より小さいときは、比較部４２Ａ〜４２Ｄから警告信号が出力される。静電容量（出力）が第２の下限値より大きいときは、比較部４２Ａ〜４２Ｄから載置信号が出力される。また、静電容量（出力）が第１の下限値より大きく、第２の下限値より小さいときは、比較部４２Ａ〜４２Ｄからは載置信号及び警告信号のいずれも出力されない。
【００７４】
次に、判定工程（ステップＳ１３、ステップＳ１４）では、制御部５が、４つの静電容量センサ４Ａ〜４Ｄに対応する４つの比較部４２Ａ〜４２Ｄから出力される載置信号及び警告信号の有無に基づいて、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置が正常か否かを判定し、相対位置の補正の要否を判定する。すなわち、制御部５は、４つの静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの検出値である静電容量（出力）に基づいて、相対位置の補正の要否を判定する。
【００７５】
ステップＳ１３では、４つの比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれかから警告信号が出力されているかを判定する。
【００７６】
４つの比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれかから警告信号が出力されているときは、停止工程（ステップＳ１７）へ進む。停止工程（ステップＳ１７）では、搬送アームＡ３は、図１４（ｄ）及び図１４（ｅ）に示すような後退位置への後退が禁止され、加熱モジュール７内にてウェハＷを受け取った状態で、駆動が停止される。そして、搬送アームＡ３の駆動が停止されたときは、オペレータにより、ウェハＷの位置に異常が発生した原因の特定や、リカバリ処理、メンテナンス等が行われる。
【００７７】
一方、４つの比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれからも警告信号が出力されていないときは、ステップＳ１４に進む。ステップＳ１４では、全ての比較部４２Ａ〜４２Ｄから載置信号が出力されているかを判定する。
【００７８】
全ての比較部４２Ａ〜４２Ｄから載置信号が出力されているときは、ウェハＷの位置が正常であり、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置の補正は必要ないと判定し、搬出工程（ステップＳ１６）に進む。搬出工程（ステップＳ１６）では、図１４（ｄ）及び図１４（ｅ）に示すように、突き上げピン７３を下降させ、フォーク３Ａを後退させることによって、突き上げピン７３からフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷを受け渡す。そして、フォーク３Ａを後退させた後、保持しているウェハＷを次の搬送先まで移動する。
【００７９】
一方、いずれかの比較部４２Ａ〜４２Ｄから載置信号が出力されていないときは、ウェハＷの位置は、警告信号を出力するほどはずれてはいないものの、ある程度のずれ量でずれており、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置の補正が必要と判定する。このときは、補正工程（ステップＳ１５）に進む。
【００８０】
補正工程（ステップＳ１５）では、制御部５に制御された昇降台３４によりフォーク３Ａを下降させ、ウェハＷを保持爪３０Ａ〜３０Ｄから突き上げピン７３に戻す。その結果、図１４（ｂ）に示す状態に戻ることになる。そして、制御部５に制御された進退機構３３Ａにより、ウェハＷの下方側から加熱モジュール７の外方へフォーク３Ａを後退させる。その結果、図１４（ａ）に示す状態に戻すことになる。そして、加熱モジュール７の外方で、先ほどのウェハＷの位置のずれを補償するように、フォーク３Ａの位置を補正する。
【００８１】
例えば、４個の静電容量センサのうち、４Ａ、４Ｂの静電容量（出力）は第２の下限値より大きいが、４Ｃ、４Ｄの静電容量（出力）は第２の下限値より小さいときは、図１０に示したように、ウェハＷの位置が−Ｙ方向にあるずれ量だけずれていたと考えられる。また、そのずれ量は、４Ａ、４Ｂの静電容量（出力）と第２の下限値との差に基づいて、算出が可能である。静電容量センサの静電容量（出力）は、静電容量センサの表面のうち、被検出物に覆われている領域の面積に依存するからである。従って、静電容量センサの静電容量（出力）に基づいて、保持爪３０Ａ〜３０Ｄの上面のうち、ウェハＷに覆われている領域の面積を算出することができる。そして、算出された−Ｙ方向のずれ量を補償、すなわち相殺するように、フォーク３Ａの位置を補正する。
【００８２】
あるいは、例えば、４個の静電容量センサのうち、４Ａ、４Ｄの静電容量（出力）は第２の下限値より大きいが、４Ｂ、４Ｃの静電容量（出力）は第２の下限値より小さいときは、図１１に示したように、ウェハＷの位置が−Ｘ方向にあるずれ量だけずれていたと考えられる。また、そのずれ量は、図１０を用いて説明した場合と同様に、４Ｂ、４Ｃの静電容量（出力）と第２の下限値との差に基づいて、算出が可能である。そして、算出された−Ｘ方向のずれ量を補償、すなわち相殺するように、フォーク３Ａの位置を補正する。
【００８３】
このようにして、フォーク３Ａのずれ量を補正した後、受け取り工程（ステップＳ１１）に再び戻る。受け取り工程（ステップＳ１１）では、図１４（ｂ）に示すように、位置が補正されたフォーク３Ａを、制御部５に制御された進退機構３３Ａにより、再び、加熱モジュール７の外方からウェハＷの下方側へ前進させる。そして、図１４（ｃ）に示すように、制御部５に制御された昇降台３４によりフォーク３Ａを上昇させ、ウェハＷを下方側から掬い上げるようにして、保持爪３０Ａ〜３０Ｄに保持させる。そして、ウェハＷを保持爪３０Ａ〜３０Ｄに保持させた後、再び、検出工程（ステップＳ１２）及び判定工程（ステップＳ１３、ステップＳ１４）を行う。
【００８４】
検出工程（ステップＳ１２）では、再び、保持爪３０Ａ〜３０Ｄに設けられた静電容量センサ４Ａ〜４Ｄの静電容量（出力）を検出する。そして、ステップＳ１３において、４つの比較部４２Ａ〜４２Ｄのいずれからも警告信号が出力されておらず、ステップＳ１４において、全ての比較部４２Ａ〜４２Ｄから載置信号が出力されているときは、ウェハＷの位置が正常であると判定し、搬出工程（ステップＳ１６）に進む。
【００８５】
本実施の形態では、判定工程（ステップＳ１３、ステップＳ１４）及び補正工程（ステップＳ１５）により、保持爪３０Ａ〜３０Ｄに保持されているウェハＷのフォーク３Ａに対する相対位置が、正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出することができる。また、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置が正常な位置から位置ずれしていた場合には、ウェハＷを落下させたり処理モジュールの他の部分に接触させることなく、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置が正常な位置になるように保持し直すことができる。
【００８６】
また、いずれかの比較部４２Ａ〜４２Ｄから警告信号が出力されたときに搬送アームＡ３の駆動を停止することによって、正常な状態で載置されていなかったウェハＷがフォーク３Ａの後退の途中で落下すること、又は、落下したウェハＷと搬送アームＡ３が衝突することを防止できる。そして、ウェハＷの位置に異常がある場合であっても、ウェハＷの位置を正常な位置に戻す対応を行えば済み、その対応後に速やかに処理を再開できる。
【００８７】
すなわち、本実施の形態によれば、フォーク３Ａ上のウェハＷの保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる。
【００８８】
また、突き上げピン７３からフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷを受け取った際に、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置が正常であるか否かを判定し、場合によってはフォーク３Ａの後退を停止する。そのため、処理モジュール内でウェハＷが破損する等の不具合があったときに、不具合が発生した時点における状態をそのまま観察することができ、不具合が発生した直後のフォーク３Ａや処理モジュール内の様子を容易に確認できる。従って、不具合が処理モジュールに起因するものか、あるいは、不具合がウェハＷの受け渡し動作に起因するものかが特定しやすく、不具合の再発を容易に防止できる。
【００８９】
なお、本実施の形態では、受け取り工程（ステップＳ１１）及び補正工程（ステップＳ１５）において、進退機構３３Ａのみならず昇降台３４を駆動させる例について説明した。しかし、昇降台３４を駆動させず、加熱モジュール７の昇降機構７４を駆動させ、突き上げピン７３を昇降させることによって、ウェハＷをフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０Ｄとの間で受け渡しするようにしてもよい。
【００９０】
また、本実施の形態では、ウェハＷを突き上げピン７３に戻した後、フォーク３Ａを加熱モジュール７から後退させ、加熱モジュール７の外方でフォーク３Ａのずれ量を補正し、再びフォーク３Ａを加熱モジュール７に前進させ、ウェハＷを突き上げピン７３からフォーク３Ａに受け取らせる例について説明した。しかし、補正量が比較的小さいときは、フォーク３ＡがウェハＷ又は加熱モジュール７内における他の部分に接触するおそれがない。このときは、ウェハＷをフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０Ｄから突き上げピン７３に戻した後、フォーク３Ａを加熱モジュール７内に前進させた状態で、加熱モジュール７内でフォーク３Ａのずれ量を補正した後、再び、突き上げピン７３からフォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０ＤにウェハＷを受け取るようにしてもよい。
【００９１】
また、近接センサ４Ａ〜４Ｄとして静電容量センサを用いるときは、検出される静電容量（出力）は、被検出物の誘電率に依存する。すなわち、同一の形状を有するウェハＷであっても、例えばシリコン、ガラス、サファイア、アルミ等の各種の材質に依存して検出される静電容量（出力）が変化する。
【００９２】
従って、本実施の形態によれば、静電容量センサ４Ａ〜４Ｄにより、ウェハＷの種類（材質）を検出することができる。そして、ウェハＷの種類（材質）に応じてフォーク３Ａの移動速度を変更する。これにより、例えば、ウェハＷがフォーク３Ａから落下し、破損したときの損失によるコスト増大と、工程時間（タクト時間）短縮によるコスト低減とが最適になるように、ウェハＷごとに調整した製造プロセスを行うことができる。
【００９３】
あるいは、複数の種類（材質）のウェハＷを処理する場合には、ウェハＷの種類（材質）に応じてウェハＷを処理する処理パラメータが異なる場合がある。本実施の形態によれば、ウェハＷの種類（材質）が検出できるため、検出したウェハＷの種類（材質）に応じて処理パラメータを自動的に変更することができる。これにより、複数の種類（材質）のウェハＷを処理する場合にも、同一の基板処理装置により処理を行うことができ、複数の基板処理装置を準備する必要がない。
【００９４】
また、近接センサ４Ａ〜４Ｄとして静電容量センサを用いるときは、検出される静電容量（出力）は、被検出物の帯電状態にも依存する。従って、近接センサ４Ａ〜４ＤによりウェハＷの帯電を検知し、アラームを発生するようにしてもよい。
【００９５】
また、近接センサ４Ａ〜４Ｄとして、静電容量センサに代え、歪ゲージを用いてもよい。また、光電センサ、接触センサ、磁気センサ等各種の他の近接スイッチを用いた変形例も可能である。図１５を参照し、このような変形例について説明する。図１５は、本変形例に係る搬送アームのフォーク３Ａを拡大して示す平面図である。なお、図７と同様に、図１５においても、図示を容易にするため、フォーク３Ａに対し、保持爪３０Ａ〜３０Ｄ及び近接スイッチ４Ａ〜４Ｄを少し拡大して示している。
【００９６】
図１５に示すように、近接スイッチ４Ａ〜４Ｄは、保持爪３０Ａ〜３０Ｄの各々に、保持されるウェハＷの径方向に沿って複数個設けられている。そして、ウェハＷの径方向に沿って複数個設けられた近接スイッチ４Ａ〜４Ｄの各々が検出する検出値に基づいて、フォーク３Ａに対するウェハＷの相対位置の補正の要否を判定する。
【００９７】
具体的には、ある保持爪３０Ａ〜３０Ｄに設けられた複数個の近接スイッチ４Ａ〜４Ｄのうち、検出値が所定の下限値より小さい近接スイッチ４Ａ〜４Ｄの数が予め設定された個数より多いときに、相対位置の補正が必要と判定する。
【００９８】
図１５に示す例では、１個の保持爪３０Ａ〜３０Ｄに、例えば近接スイッチ４Ａ〜４ＤをウェハＷの径方向に沿って４個設けている。そして、検出値が所定の下限値より大きくなる場合をＯＮ値、検出値が当該下限値より小さくなる場合をＯＦＦ値とする。そして、ＯＦＦ値を出力した近接スイッチの数が、４個中例えば予め設定された個数である２個より多いときに、相対位置の補正が必要と判定する。
【００９９】
近接スイッチは、前述した静電容量センサと異なり、近接スイッチの表面が、被検出物に覆われているか否かで、ＯＮ値、ＯＦＦ値の２値で変化する近接スイッチの出力を検出するものである。従って、保持爪３０Ａ〜３０Ｄの上面のうち、ウェハＷに覆われている近接スイッチが何個であるかに基づいて、保持爪３０Ａ〜３０Ｄの上面のうち、ウェハＷに覆われている領域の面積を算出することができる。
【０１００】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０１】
３、３Ａ、３Ｂ フォーク（保持枠）
３０、３０Ａ〜３０Ｄ 保持爪（保持部）
３３、３３Ａ、３３Ｂ 進退機構（駆動部）
４、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ 静電容量センサ（検出部）
５ 制御部
７３ 基板載置部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置する基板載置部から基板を受け取り、受け取った前記基板を搬送する基板搬送装置において、
搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、前記基板載置部に進退自在な保持枠と、
前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部が載置されることによって前記基板を保持する、３個以上の保持部と、
前記保持部の各々に設けられ、前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出する検出部と、
前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部と、
前記駆動部により前記保持枠を前進させ、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出し、各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定し、前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、制御部と
を有する、基板搬送装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記相対位置の補正が必要と判定したときに、前記基板を前記保持部から前記基板載置部に戻し、前記保持枠の位置を補正した後、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取るものである、請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記制御部は、各々の前記検出値のいずれも第１の下限値より大きく、かつ、前記検出値のいずれかが第２の下限値より小さいときに、前記相対位置の補正が必要と判定するものである、請求項１又は請求項２に記載の基板搬送装置。
【請求項４】
前記制御部は、各々の前記検出値のいずれかが第１の下限値より小さいときに、前記駆動部による前記保持枠の駆動を停止するものである、請求項１又は請求項２に記載の基板搬送装置。
【請求項５】
前記検出部は、静電容量型近接センサである、請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板搬送装置。
【請求項６】
前記検出部は、前記保持部の各々に、保持される前記基板の径方向に沿って複数個設けられた近接センサを有し、
前記制御部は、一の前記保持部に設けられた複数個の前記近接センサのうち、前記検出値が所定の下限値より小さい前記近接センサの数が予め設定された個数より多いときに、前記相対位置の補正が必要と判定するものである、請求項１又は請求項２に記載の基板搬送装置。
【請求項７】
搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、基板を載置する基板載置部に進退自在な保持枠と、前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部が載置されることによって前記基板を保持する、３個以上の保持部と、前記保持部の各々に設けられ、前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出する検出部と、前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部とを有し、前記基板載置部から基板を受け取り、受け取った前記基板を搬送する基板搬送装置における基板搬送方法であって、
前記駆動部により前記保持枠を前進させ、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出し、各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定する判定工程を有し、
前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、基板搬送方法。
【請求項８】
前記相対位置の補正が必要と判定したときに、前記基板を前記保持部から前記基板載置部に戻し、前記保持枠の位置を補正する補正工程と、
前記保持枠の位置を補正した後、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取る受け取り工程と
を有する、請求項７に記載の基板搬送方法。
【請求項９】
前記判定工程は、各々の前記検出値のいずれも第１の下限値より大きく、かつ、前記検出値のいずれかが第２の下限値より小さいときに、前記相対位置の補正が必要と判定するものである、請求項７又は請求項８に記載の基板搬送方法。
【請求項１０】
各々の前記検出値のいずれかが第１の下限値より小さいときに、前記駆動部による前記保持枠の駆動を停止する停止工程を有する、請求項７又は請求項８に記載の基板搬送方法。
【請求項１１】
前記検出部は、静電容量型近接センサである、請求項７から請求項１０のいずれかに記載の基板搬送方法。
【請求項１２】
前記検出部は、前記保持部の各々に、保持される前記基板の径方向に沿って複数個設けられた近接センサを有し、
前記判定工程は、一の前記保持部に設けられた複数個の前記近接センサのうち、前記検出値が所定の下限値より小さい前記近接センサの数が予め設定された個数より多いときに、前記相対位置の補正が必要と判定するものである、請求項７又は請求項８に記載の基板搬送方法。
【請求項１３】
コンピュータに請求項７から請求項１２のいずれかに記載の基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１】
基板を載置する基板載置部から基板を受け取り、受け取った前記基板を搬送する基板搬送装置において、
搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、前記基板載置部に進退自在な保持枠と、
前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部が載置されることによって前記基板を保持する、３個以上の保持部と、
前記保持部の各々に設けられ、前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出する検出部と、
前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部と、
前記駆動部により前記保持枠を前進させ、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出し、各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定し、前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、制御部と
を有する、基板搬送装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記相対位置の補正が必要と判定したときに、前記基板を前記保持部から前記基板載置部に戻し、前記保持枠の位置を補正した後、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取るものである、請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記制御部は、各々の前記検出値のいずれも第１の下限値より大きく、かつ、前記検出値のいずれかが第２の下限値より小さいときに、前記相対位置の補正が必要と判定するものである、請求項１又は請求項２に記載の基板搬送装置。
【請求項４】
前記制御部は、各々の前記検出値のいずれかが第１の下限値より小さいときに、前記駆動部による前記保持枠の駆動を停止するものである、請求項１又は請求項２に記載の基板搬送装置。
【請求項５】
前記検出部は、静電容量型近接センサである、請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板搬送装置。
【請求項６】
前記検出部は、前記保持部の各々に、保持される前記基板の径方向に沿って複数個設けられた近接センサを有し、
前記制御部は、一の前記保持部に設けられた複数個の前記近接センサのうち、前記検出値が所定の下限値より小さい前記近接センサの数が予め設定された個数より多いときに、前記相対位置の補正が必要と判定するものである、請求項１又は請求項２に記載の基板搬送装置。
【請求項７】
搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、基板を載置する基板載置部に進退自在な保持枠と、前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部が載置されることによって前記基板を保持する、３個以上の保持部と、前記保持部の各々に設けられ、前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出する検出部と、前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部とを有し、前記基板載置部から基板を受け取り、受け取った前記基板を搬送する基板搬送装置における基板搬送方法であって、
前記駆動部により前記保持枠を前進させ、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出し、各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定する判定工程を有し、
前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、基板搬送方法。
【請求項８】
前記相対位置の補正が必要と判定したときに、前記基板を前記保持部から前記基板載置部に戻し、前記保持枠の位置を補正する補正工程と、
前記保持枠の位置を補正した後、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取る受け取り工程と
を有する、請求項７に記載の基板搬送方法。
【請求項９】
前記判定工程は、各々の前記検出値のいずれも第１の下限値より大きく、かつ、前記検出値のいずれかが第２の下限値より小さいときに、前記相対位置の補正が必要と判定するものである、請求項７又は請求項８に記載の基板搬送方法。
【請求項１０】
各々の前記検出値のいずれかが第１の下限値より小さいときに、前記駆動部による前記保持枠の駆動を停止する停止工程を有する、請求項７又は請求項８に記載の基板搬送方法。
【請求項１１】
前記検出部は、静電容量型近接センサである、請求項７から請求項１０のいずれかに記載の基板搬送方法。
【請求項１２】
前記検出部は、前記保持部の各々に、保持される前記基板の径方向に沿って複数個設けられた近接センサを有し、
前記判定工程は、一の前記保持部に設けられた複数個の前記近接センサのうち、前記検出値が所定の下限値より小さい前記近接センサの数が予め設定された個数より多いときに、前記相対位置の補正が必要と判定するものである、請求項７又は請求項８に記載の基板搬送方法。
【請求項１３】
コンピュータに請求項７から請求項１２のいずれかに記載の基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−３８９２２（Ｐ２０１２−３８９２２Ａ）
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７７７５４（Ｐ２０１０−１７７７５４）
【出願日】平成２２年８月６日（２０１０．８．６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月６日（２０１０．８．６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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