塗布装置
【課題】基板に対する前処理後、塗布までの間に基板の表面の状態が変化するのを抑えること。
【解決手段】易酸化性の金属を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記液状体が塗布される前の前記基板に対して前処理を行う前処理部と、前記塗布部によって前記液状体が塗布される塗布空間と前記前処理部によって前記前処理が行われる前処理空間とを接続する接続空間を有し、前記接続空間の雰囲気が不活性ガスの雰囲気となるように調整可能に設けられた接続部とを備える。
【解決手段】易酸化性の金属を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記液状体が塗布される前の前記基板に対して前処理を行う前処理部と、前記塗布部によって前記液状体が塗布される塗布空間と前記前処理部によって前記前処理が行われる前処理空間とを接続する接続空間を有し、前記接続空間の雰囲気が不活性ガスの雰囲気となるように調整可能に設けられた接続部とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎおよびこれらの組合せなどの金属と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、およびこれらの組合せなどの元素カルコゲンとを含む半導体材料を用いたＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、高い変換効率を有する太陽電池として注目されている（例えば特許文献１〜特許文献３参照）。ＣＩＧＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として例えば上記、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。また、ＣＺＴＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として、例えばＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。このような太陽電池の構成として、例えばガラスなどからなる基板上にモリブデンなどからなる裏面電極が設けられ、当該裏面電極の上に上記光吸収層が配置される構成が知られている。
【０００３】
ＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、従来型の太陽電池に比べて光吸収層の厚さを薄くすることができるため、曲面への設置や運搬が容易となる。このため、高性能でフレキシブルな太陽電池として、広い分野への応用が期待されている。光吸収層を形成する手法として、従来、例えば蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成する手法が知られていた（例えば、特許文献２〜特許文献５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３４０４８２号公報
【特許文献２】特開２００５−５１２２４号公報
【特許文献３】特表２００９−５３７９９７号公報
【特許文献４】特開平１−２３１３１３号公報
【特許文献５】特開平１１−２７３７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これに対して、本発明者は、光吸収層を形成する手法として、上記半導体材料を液状体で基板上に塗布する手法を提案する。光吸収層を液状体の塗布によって形成する場合、以下の課題が挙げられる。
【０００６】
裏面電極（例えばモリブデン膜）の表面に例えば金属酸化膜などが形成されると、液状体が金属酸化膜の表面で弾かれてしまい、塗布膜が基板上に均一に形成されない場合がある。したがって、塗布膜を基板上に均一に形成するためには、下地基板に対して液状体の塗布前に酸化膜を除去する前処理を行うことが有効である。しかしながら、前処理によって酸化膜が除去された基板を塗布位置まで搬送する場合、搬送経路の雰囲気によっては、搬送中に再度基板の表面が酸化されてしまう場合がある。この問題点は、基板上の裏面電極の酸化膜を除去する前処理に限られず、他の前処理を行う場合においても想定されうる。
【０００７】
上記のような事情に鑑み、本発明は、基板に対する前処理後、塗布までの間に基板の表面の状態が変化するのを抑えることが可能な塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る塗布装置は、易酸化性の金属を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記液状体が塗布される前の前記基板に対して前処理を行う前処理部と、前記塗布部によって前記液状体が塗布される塗布空間と前記前処理部によって前記前処理が行われる前処理空間とを接続する接続空間を有し、前記接続空間の雰囲気が不活性ガスの雰囲気となるように調整可能に設けられた接続部とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、塗布部によって液状体が塗布される塗布空間と前処理部によって前処理が行われる前処理空間とを接続する接続空間を有し、接続空間の雰囲気が不活性ガスの雰囲気となるように調整可能に設けられた接続部を備える構成であるため、前処理空間から塗布空間までの接続空間を不活性ガスの雰囲気とすることができる。これにより、基板に対する前処理後、塗布までの間に基板の表面の状態が変化するのを抑えることが可能となる。
【００１０】
上記の塗布装置は、前記接続空間に前記不活性ガスを供給する第一供給部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、接続空間に不活性ガスを供給する第一供給部を更に備えることとしたので、接続空間に直接不活性ガスを供給することができる。これにより、接続空間を効率的に不活性ガスの雰囲気にすることができる。
【００１１】
上記の塗布装置は、前記前処理空間に前記不活性ガスを供給する第二供給部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、前処理空間に不活性ガスを供給する第二供給部を更に備えることとしたので、前処理空間を介して接続空間に不活性ガスを供給することができる。この場合、前処理空間についても不活性ガスの雰囲気にすることができるので、前処理空間及び接続空間において不活性ガスの雰囲気を連続させることができる。
【００１２】
上記の塗布装置は、前記塗布空間に前記不活性ガスを供給する第三供給部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、塗布空間に不活性ガスを供給する第三供給部を更に備えることとしたので、塗布空間を関して接続空間に不活性ガスを供給することができる。この場合、塗布空間についても不活性ガスの雰囲気にすることができるので、接続空間及び塗布空間において不活性ガスの雰囲気を連続させることができる。
【００１３】
上記の塗布装置は、前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間のうち少なくとも１つの空間を囲うチャンバ部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、塗布空間、前処理空間及び接続空間のうち少なくとも１つの空間を囲うチャンバ部を更に備えることとしたので、塗布空間、前処理空間及び接続空間の雰囲気を調整しやすくすることができる。
【００１４】
上記の塗布装置は、前記チャンバ部は、前記接続空間を囲うロードロックチャンバを有することを特徴とする。
本発明によれば、チャンバ部が接続空間を囲うロードロックチャンバを有するため、接続空間の雰囲気を効率的に調整することができる。
【００１５】
上記の塗布装置は、前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間のうち少なくとも１つの空間を吸引する吸引部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、塗布空間、前処理空間及び接続空間のうち少なくとも１つの空間を吸引する吸引部を更に備えるため、各空間の雰囲気をより精密に調整することができる。
【００１６】
上記の塗布装置は、前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間の間で前記基板を搬送する搬送部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、塗布空間、前処理空間及び接続空間の間で基板を搬送する搬送部を更に備えることとしたので、基板は前処理空間から塗布空間までの間、不活性ガスの雰囲気になっている接続空間を搬送されることになる。これにより、搬送中に基板表面の状態が変化するのを抑えることができる。
【００１７】
上記の塗布装置は、前記基板は、表面に金属が形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、表面に金属が形成されている基板に対して前処理を行った後に塗布を行うまでの間に、金属の表面に金属酸化膜が形成されるのを防ぐことができる。これにより、液状体を基板の表面に均一に塗布することができる。
【００１８】
上記の塗布装置は、前記液状体は、ヒドラジンを含むことを特徴とする。
本発明によれば、ヒドラジンを含む液状体を塗布する場合において、基板に対する前処理後、塗布までの間に基板の表面の状態が変化するのを抑えることができるため、ヒドラジンの劣化を防ぐことができる。
【００１９】
上記の塗布装置は、前記基板上には、裏面電極が設けられており、前記前処理は、前記裏面電極から酸化膜を除去する酸化膜除去処理であることを特徴とする。
本発明によれば、前処理として、基板上の裏面電極から酸化膜を除去する酸化膜除去処理を行うことにより、液状体の濡れ性を高めることができる。
【００２０】
上記の塗布装置は、前記酸化膜除去処理は、前記基板に対するアルカリ性溶液による処理、及び、前記基板に対して不活性原子を用いてスパッタリングを行う処理、のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする。
本発明によれば、酸化膜除去処理として、基板に対するアルカリ性溶液による処理、及び、基板に対して不活性原子を用いてスパッタリングを行う処理、のうち少なくとも一方を含むため、基板から確実に酸化膜を除去することができる。
上記の塗布装置は、前記基板に対するアルカリ性溶液による処理は、アンモニア水による処理又はアンモニア蒸気による処理のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする。
本発明によれば、基板に対するアルカリ性溶液による処理は、アンモニア水による処理又はアンモニア蒸気による処理のうち少なくとも一方を含むため、基板から確実に酸化膜を除去することができる。
【００２１】
上記の塗布装置は、前記前処理は、前記基板を洗浄する洗浄処理であることを特徴とする。
本発明によれば、前処理として、基板を洗浄する洗浄処理が行われることとしたので、基板を清浄に保持しつつ塗布処理を行うことができる。これにより、膜質を高めることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板に対する前処理後、塗布までの間に基板の表面の状態が変化するのを抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第一実施形態に係る塗布装置の構成を示す図。
【図２】（ａ）（ｂ）スリットノズルの構成を示す図。
【図３】本実施形態に係る塗布装置の動作を示す図。
【図４】同、動作図。
【図５】同、動作図。
【図６】同、動作図。
【図７】本発明の第二実施形態に係る塗布装置の構成を示す図。
【図８】本発明の第三実施形態に係る塗布装置の構成を示す図。
【図９】本実施形態に係る塗布装置の他の構成を示す図。
【図１０】本実施形態に係る塗布装置の他の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
以下の各図において、本実施形態に係る塗布装置の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該ＸＹＺ座標系においては、図中左右方向をＸ方向と表記し、平面視でＸ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。Ｘ方向軸及びＹ方向軸を含む平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
【００２５】
図１は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの構成を示す概略図である。
図１に示すように、塗布装置ＣＴＲは、基板搬入部ＬＤＲ、前処理部ＰＲＥ、接続部ＣＮＥ及び基板処理部ＰＣＳを有している。塗布装置ＣＴＲは、基板Ｓ上に液状体を塗布する装置である。
【００２６】
本実施形態では、基板Ｓに塗布する液状体として、例えばヒドラジンなどの溶媒に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）または銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、セレン（Ｓｅ）といった易酸化性の金属材料を含有する液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ型太陽電池の光吸収層（光電変換層）を構成する金属材料を含んでいる。本実施形態では、他の液状体として、ヒドラジンなどの溶媒にナトリウム（Ｎａ）を分散させた液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ太陽電池の光吸収層のグレインサイズを確保するための物質を含んでいる。勿論、液状体として、他の易酸化性の金属を分散させた液状体を用いる構成としても構わない。本実施形態では、基板Ｓとして、例えばガラスや樹脂などからなる板状部材を用いている。本実施形態では更に、基板Ｓ上に裏面電極としてスパッタにてモリブデンを形成している。勿論、裏面電極として、他の導電性物質を用いる構成としても構わない。
【００２７】
基板搬入部ＬＤＲは、ロードロックチャンバＣＢＬを有している。ロードロックチャンバＣＢＬは、収容室ＲＭＬ、基板搬入口ＥＮＬ及び基板搬出口ＥＸＬを有している。収容室ＲＭＬは、ロードロックチャンバＣＢＬによって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＬ及び基板搬出口ＥＸＬは、ロードロックチャンバＣＢＬに形成された開口部である。基板搬入口ＥＮＬ及び基板搬出口ＥＸＬは、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＬは、ロードロックチャンバＣＢＬの−Ｘ側の壁部に形成されており、例えば塗布装置ＣＴＲの外部に接続されている。基板搬出口ＥＸＬは、ロードロックチャンバＣＢＬの＋Ｘ側の壁部に形成されている。
【００２８】
収容室ＲＭＬには、不活性ガス回収管９０ａが接続されている。不活性ガス回収管９０ａは、接続部９０を介してポンプ３１に接続されている。また、収容室ＲＭＬには、不活性ガス供給管９５ａが接続されている。不活性ガス供給管９５ａは、接続部９５を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。また、収容室ＲＭＬには、基板搬送機構ＴＲＬが設けられている。基板搬送機構ＴＲＬは、収容室ＲＭＬにおいて基板Ｓを搬送する。
【００２９】
基板搬入口ＥＮＬ及び基板搬出口ＥＸＬには、それぞれゲートバルブＧ１及びＧ２が設けられている。ゲートバルブＧ１及びＧ２を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮＬ及び基板搬出口ＥＸＬがそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ１及びＧ２を閉じることにより、収容室ＲＭＬが密閉されるようになっている。収容室ＲＭＬには、例えばポンプ機構などの減圧機構ＤＣＬが接続されている。
【００３０】
基板搬送機構ＴＲＬは、複数のローラー部材４８を有している。ローラー部材４８は、基板搬入口ＥＮＬから基板搬出口ＥＸＬにかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材４８は、Ｙ軸方向を中心軸方向としてＹ軸周りに回転可能に設けられている。複数のローラー部材４８は、それぞれ等しい径となるように形成されており、Ｚ方向上の位置が等しくなるように配置されている。複数のローラー部材４８は、＋Ｚ側の上端において基板Ｓを支持するようになっている。
【００３１】
各ローラー部材４８は、例えば不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。なお、基板搬送機構ＴＲＬとしては、図１に示すように例えばコロ搬送機構を用いても構わないし、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送機構を用いても構わない。
【００３２】
前処理部ＰＲＥは、前処理チャンバＣＢＰを有している。前処理チャンバＣＢＰは、収容室ＲＭＰ、基板搬入口ＥＮＰ及び基板搬出口ＥＸＰを有している。収容室ＲＭＰは、前処理チャンバＣＢＰによって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＰ及び基板搬出口ＥＸＰは、前処理チャンバＣＢＰに形成された開口部である。基板搬入口ＥＮＰ及び基板搬出口ＥＸＰは、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＰは、前処理チャンバＣＢＰの−Ｘ側端部に形成されており、ロードロックチャンバＣＢＬに接続されている。基板搬出口ＥＸＰは、前処理チャンバＣＢＰの＋Ｘ側端部に形成されており、接続部ＣＮＥに接続されている。
【００３３】
基板搬入口ＥＮＰ及び基板搬出口ＥＸＰには、それぞれゲートバルブＧ２及びＧ３が設けられている。ゲートバルブＧ２及びＧ３を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮＰ及び基板搬出口ＥＸＰがそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ２及びＧ３を閉じることにより、収容室ＲＭＰが密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ２は、ロードロックチャンバＣＢＬの基板搬出口ＥＸＬと、前処理チャンバＣＢＰの基板搬入口ＥＮＰとで共通して用いられているようになっている。
収容室ＲＭＰには、不活性ガス回収管９１ａが接続されている。不活性ガス回収管９１ａは、接続部９１を介してポンプ３１に接続されている。また、収容室ＲＭＰには、不活性ガス供給管９６ａが接続されている。不活性ガス供給管９６ａは、接続部９６を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。
【００３４】
収容室ＲＭＰには、基板搬送機構ＴＲＰ、表面処理装置６０が設けられている。基板搬送機構ＴＲＰは、収容室ＲＭＰ内で基板Ｓを搬送する。基板搬送機構ＴＲＰは、複数のローラー部材４９を有している。ローラー部材４９は、基板搬入口ＥＮＰから基板搬出口ＥＸＰにかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材４９は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲＰとして、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送機構を用いても構わない。
【００３５】
表面処理装置６０は、基板Ｓ上の裏面電極膜の表面に形成された酸化膜を除去する処理や、基板Ｓの表面を洗浄する処理を行う。表面処理装置６０は、基板Ｓに対して超音波を照射する超音波照射機構や、基板Ｓに対して例えばアンモニアなどの液体をスプレー状で供給したり液体に不活性ガスを混合させてミスト状で供給したりする液体供給機構、基板Ｓ上に供給された液体を加熱して乾燥させる加熱機構、基板Ｓの表面を洗浄する純水などのリンス液を供給するリンス液供給機構、基板Ｓ上のリンス液を除去するエアナイフ機構、などの不図示の処理機構を有している。
【００３６】
基板搬送機構ＴＲＰは、基板移動機構６５を有している。基板移動機構６５は、複数のローラー部材４９上の位置６３と、液槽６０のアンモニア水６１に浸漬される位置６４との間で基板Ｓを移動させる。基板移動機構６５により、基板Ｓが複数のローラー部材４９によって搬送される搬送状態と、アンモニア水６１に浸漬される浸漬状態とを切り替えることができるようになっている。基板移動機構６５は、基板Ｓを保持する保持部を有している。
【００３７】
洗浄部ＲＳは、基板Ｓの表面を洗浄する。洗浄部ＲＳは、例えば洗浄液供給源６２を有している。洗浄液供給源６２は、複数のローラー部材４９上の基板Ｓの表面に対して洗浄液を吐出する不図示の洗浄液ノズルを有している。洗浄液としては、例えば純水などが用いられる。洗浄液供給源６２は、基板Ｓの＋Ｚ側に配置されている。洗浄液供給源６２は、位置が固定された構成であっても構わないし、Ｘ方向又はＹ方向に移動可能に設けられた構成であっても構わない。
【００３８】
接続部ＣＮＥは、接続チャンバＣＢＮを有している。接続チャンバＣＢＮは、収容室ＲＭＮ、基板搬入口ＥＮＮ及び基板搬出口ＥＸＮを有する。収容室ＲＭＮは、接続チャンバＣＢＮによって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＮ及び基板搬出口ＥＸＮは、接続チャンバＣＢＮに形成された開口部である。基板搬入口ＥＮＮ及び基板搬出口ＥＸＮは、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＮは、接続チャンバＣＢＮの−Ｘ側端部に形成されており、前処理チャンバＣＢＰに接続されている。基板搬出口ＥＸＮは、接続チャンバＣＢＮの＋Ｘ側端部に形成されており、基板処理部ＰＣＳに接続されている。
【００３９】
基板搬入口ＥＮＮ及び基板搬出口ＥＸＮには、それぞれゲートバルブＧ３及びＧ４が設けられている。ゲートバルブＧ３及びＧ４を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮＮ及び基板搬出口ＥＸＮがそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ３及びＧ４を閉じることにより、収容室ＲＭＮが密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ３は、前処理チャンバＣＢＰの基板搬出口ＥＸＰと、接続チャンバＣＢＮの基板搬入口ＥＮＮとで共通して用いられているようになっている。
【００４０】
収容室ＲＭＮには、基板搬送機構ＴＲＮ、不活性ガス供給部ＧＳＮ及び排気部ＥＨＮが設けられている。基板搬送機構ＴＲＮは、収容室ＲＭＮ内で基板Ｓを搬送する。基板搬送機構ＴＲＮは、複数のローラー部材５０を有している。ローラー部材５０は、基板搬入口ＥＮＮから基板搬出口ＥＸＮにかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材５０は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲＮとして、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送機構を用いても構わない。
【００４１】
不活性ガス供給部ＧＳＮは、収容室ＲＭＮに例えば窒素ガスやアルゴンガス、ヘリウムガスなどの不活性ガスを供給する。不活性ガス供給部ＧＳＮは、ガスボンベ７１及びガス管７２を有している。ガスボンベ７１は、ガス管７２を介して収容室ＲＭＮに接続されている。不活性ガス供給部ＧＳＮには、不活性ガスの供給量を調整する不図示の供給量調整部が設けられている。当該不活性ガス供給部ＧＳＮにより、収容室ＲＭＮを不活性ガスの雰囲気にすることができるようになっている。
【００４２】
排気部ＥＨＮは、収容室ＲＭＮの気体を排気し、当該収容室ＲＭＮを減圧させる。排気部ＥＨＮは、排気駆動源７３及び排気管７４を有している。排気駆動源７３は、排気管７４を介して収容室ＲＭＮに接続されている。排気駆動源７３としては、例えば吸引ポンプなどが用いられている。排気管７４は、収容室ＲＭＮに設けられる端部に排気口を有している。当該排気口は、収容室ＲＭＮの底部（−Ｚ側の面）に配置されている。
【００４３】
基板処理部ＰＣＳは、第一チャンバＣＢ１、第二チャンバＣＢ２、第三チャンバＣＢ３及び第四チャンバＣＢ４を有している。第一チャンバＣＢ１、第二チャンバＣＢ２、第三チャンバＣＢ３及び第四チャンバＣＢ４は、例えばＸ方向にこの順で直列に接続されている。
【００４４】
第一チャンバＣＢ１は、収容室ＲＭ１、基板搬入口ＥＮ１及び基板搬出口ＥＸ１を有している。収容室ＲＭ１は、第一チャンバＣＢ１によって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ１及び基板搬出口ＥＸ１は、第一チャンバＣＢ１に形成された開口部である。基板搬入口ＥＮ１及び基板搬出口ＥＸ１は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ１は、例えば収容室ＲＭ１の−Ｘ側端部に形成されており、接続チャンバＣＢＮに接続されている。基板搬出口ＥＸ１は、例えば収容室ＲＭ１の＋Ｘ側端部に形成されており、第二チャンバＣＢ２に接続されている。
【００４５】
基板搬入口ＥＮ１及び基板搬出口ＥＸ１には、それぞれゲートバルブＧ４及びＧ５が設けられている。ゲートバルブＧ４及びＧ５を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮ１及び基板搬出口ＥＸ１がそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ４及びＧ５を閉じることにより、収容室ＲＭ１が密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ４は、接続チャンバＣＢＮの基板搬出口ＥＸＮと、第一チャンバＣＢ１の基板搬入口ＥＮ１とで共通して用いられているようになっている。
【００４６】
収容室ＲＭ１には、基板搬送機構ＴＲ１、塗布部ＣＴ、メンテナンス部ＭＮが設けられている。基板搬送機構ＴＲ１は、収容室ＲＭ１内で基板Ｓを搬送する部分である。基板搬送機構ＴＲ１は、複数のローラー部材５１を有している。ローラー部材５１は、基板搬入口ＥＮ１から基板搬出口ＥＸ１にかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材５１は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲ１としては、上記の基板搬送機構ＴＲＬと同様に、例えばコロ搬送機構を用いても構わないし、基板を浮上させて搬送する浮上搬送機構を用いても構わない。
収容室ＲＭ１には、不活性ガス回収管９２ａが接続されている。不活性ガス回収管９２ａは、接続部９２を介してポンプ３１に接続されている。また、収容室ＲＭ１には、不活性ガス供給管９７ａが接続されている。不活性ガス供給管９７ａは、接続部９７を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。
【００４７】
塗布部ＣＴは、第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１に収容されている。塗布部ＣＴは、長尺状に形成されたスリットノズルＮＺを有している。スリットノズルＮＺは、収容室ＲＭ１のうち例えばＸ方向において基板搬入口ＥＮ１と基板搬出口ＥＸ１との中間の位置に設けられている。
【００４８】
図２は、スリットノズルＮＺの構成を示す図である。図２（ａ）は、スリットノズルＮＺを＋Ｚ方向に見たときの構成を示している。図２（ｂ）は、スリットノズルＮＺを＋Ｙ方向に見たときの構成を示している。
【００４９】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、スリットノズルＮＺは、例えばＹ方向が長手の長尺状に構成されている。スリットノズルＮＺのうち−Ｚ方向に向けられた先端部分ＮＺａには、当該スリットノズルＮＺの長手方向に沿って形成されたスリット状のノズル開口部２１が設けられている。
【００５０】
図２（ａ）に示すように、ノズル開口部２１は、例えば長手方向が基板ＳのＹ方向の寸法とほぼ同一となるように形成されている。スリットノズルＮＺは、Ｚ方向のほぼ中央部から当該先端部分ＮＺａにかけてＸ方向の寸法が当該Ｘ方向の中央部へ向けて徐々に小さくなるように先細りに形成されている。
【００５１】
スリットノズルＮＺは、ノズル開口部２１から、例えば上記のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の金属が所定の組成比で混合された液状体Ｑ（図３参照）を吐出する。スリットノズルＮＺは、接続配管（不図示）などを介して、それぞれ液状体の供給源（不図示）に接続されている。スリットノズルＮＺは、内部に液状体を保持する保持部を有している。スリットノズルＮＺは、保持部に保持された液状体の温度を調整する温調機構（不図示）を有している。
【００５２】
スリットノズルＮＺには、ノズル駆動機構ＮＡ（図１参照）が設けられている。ノズル駆動機構ＮＡは、スリットノズルＮＺをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に駆動する構成を有している。例えば、ノズル駆動機構ＮＡは、収容室ＲＭ１の待機位置と塗布位置（図１に示す位置）との間でスリットノズルＮＺを移動可能な構成を有している。
【００５３】
図１に示すように、メンテナンス部ＭＮは、例えばスリットノズルＮＺの先端部分ＮＺａを管理するノズル先端管理ユニットＮＴＣを有している。ノズル先端管理ユニットＮＴＣは、収容室ＲＭ１を移動可能に設けられている。ノズル先端管理ユニットＮＴＣは、塗布部ＣＴによる塗布精度を高めるため、スリットノズルＮＺの先端部分ＮＺａの付着物を除去するなど、スリットノズルＮＺの先端部分ＮＺａが最適な状態となるように管理する。ノズル先端管理ユニットＮＴＣは、例えば基板Ｓの搬送経路上に移動可能に設けられている。
【００５４】
第二チャンバＣＢ２は、収容室ＲＭ２、基板搬入口ＥＮ２及び基板搬出口ＥＸ２を有している。収容室ＲＭ１は、第二チャンバＣＢ２によって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ２及び基板搬出口ＥＸ２は、第二チャンバＣＢ２に形成された開口部である。基板搬入口ＥＮ２及び基板搬出口ＥＸ２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ２は、例えば収容室ＲＭ２の−Ｘ側端部に形成されており、第一チャンバＣＢ１に接続されている。基板搬出口ＥＸ２は、例えば収容室ＲＭ２の＋Ｘ側端部に形成されており、第三チャンバＣＢ３に接続されている。
【００５５】
基板搬入口ＥＮ２及び基板搬出口ＥＸ２には、それぞれゲートバルブＧ５及びＧ６が設けられている。ゲートバルブＧ５及びＧ６を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮ２及び基板搬出口ＥＸ２がそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ５及びＧ６を閉じることにより、収容室ＲＭ２が密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ５は、第一チャンバＣＢ１の基板搬出口ＥＸ１と、第二チャンバＣＢ２の基板搬入口ＥＮ２とで共通して用いられているようになっている。
【００５６】
収容室ＲＭ２には、基板搬送機構ＴＲ２、加熱部ＨＴ２、不活性ガス供給部ＧＳ２及び排気部ＥＨ２が設けられている。基板搬送機構ＴＲ２は、収容室ＲＭ２内で基板Ｓを搬送する部分である。基板搬送機構ＴＲ２は、複数のローラー部材５２を有している。ローラー部材５２は、基板搬入口ＥＮ２から基板搬出口ＥＸ２にかけてＸ方向に配列されている。
【００５７】
各ローラー部材５２は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲ２としては、上記の基板搬送機構ＴＲＬと同様に、例えばコロ搬送機構を用いても構わないし、基板を浮上させて搬送する浮上搬送機構を用いても構わない。
【００５８】
加熱部ＨＴ２は、基板Ｓ上に塗布された液状体を加熱する部分である。加熱部ＨＴ２は、内部に赤外線装置やホットプレートなどの加熱機構を有している。加熱部ＨＴ２では、当該加熱機構を用いることにより、例えば液状体の乾燥が行われるようになっている。このため、第二チャンバＣＢ２では、減圧下において乾燥を行うことができる構成となっている。
【００５９】
不活性ガス供給部ＧＳ２は、収容室ＲＭ２に例えば窒素ガスやアルゴンガス、ヘリウムガスなどの不活性ガスを供給する。不活性ガス供給部ＧＳ２は、ガスボンベ８１及びガス管８２を有している。ガスボンベ８１は、ガス管８２を介して収容室ＲＭ２に接続されている。不活性ガス供給部ＧＳ２には、不活性ガスの供給量を調整する不図示の供給量調整部が設けられている。当該不活性ガス供給部ＧＳ２により、収容室ＲＭ２を不活性ガスの雰囲気にすることができるようになっている。
【００６０】
排気部ＥＨ２は、収容室ＲＭ２の気体を排気し、当該収容室ＲＭ２を減圧させる。排気部ＥＨ２は、排気駆動源８３及び排気管８４を有している。排気駆動源８３は、排気管８４を介して収容室ＲＭ２に接続されている。排気駆動源８３としては、例えば吸引ポンプなどが用いられている。排気管８４は、収容室ＲＭ２に設けられる端部に排気口を有している。当該排気口は、収容室ＲＭ２の底部（−Ｚ側の面）に配置されている。
【００６１】
第三チャンバＣＢ３は、収容室ＲＭ３、基板搬入口ＥＮ３及び基板搬出口ＥＸ３を有している。収容室ＲＭ３は、第三チャンバＣＢ３によって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ３及び基板搬出口ＥＸ３は、収容室ＲＭ３に形成された開口部である。基板搬入口ＥＮ３及び基板搬出口ＥＸ３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ３は、例えば収容室ＲＭ３の−Ｘ側端部に形成されており、第二チャンバＣＢ２に接続されている。基板搬出口ＥＸ３は、例えば収容室ＲＭ３の＋Ｘ側端部に形成されており、第四チャンバＣＢ４に接続されている。
【００６２】
基板搬入口ＥＮ３及び基板搬出口ＥＸ３には、それぞれゲートバルブＧ６及びＧ７が設けられている。ゲートバルブＧ６及びＧ７を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮ３及び基板搬出口ＥＸ３がそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ６及びＧ７を閉じることにより、収容室ＲＭ３が密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ６は、第二チャンバＣＢ２の基板搬出口ＥＸ２と、第三チャンバＣＢ３の基板搬入口ＥＮ３とで共通して用いられているようになっている。
【００６３】
収容室ＲＭ３には、基板搬送機構ＴＲ３及び加熱部ＨＴ３が設けられている。基板搬送機構ＴＲ３は、収容室ＲＭ３内で基板Ｓを搬送する部分である。基板搬送機構ＴＲ３は、複数のローラー部材５３を有している。ローラー部材５３は、基板搬入口ＥＮ３から基板搬出口ＥＸ３にかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材５３は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲ３としては、上記の基板搬送機構ＴＲＬと同様に、例えばコロ搬送機構を用いても構わないし、基板を浮上させて搬送する浮上搬送機構を用いても構わない。
収容室ＲＭ３には、不活性ガス回収管９３ａが接続されている。不活性ガス回収管９３ａは、接続部９３を介してポンプ３３に接続されている。また、収容室ＲＭ３には、不活性ガス供給管９８ａが接続されている。不活性ガス供給管９８ａは、接続部９８を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。
【００６４】
加熱部ＨＴ３は、基板Ｓ上に塗布された液状体を加熱する部分である。加熱部ＨＴ３は、内部に赤外線装置やホットプレート、オーブン機構などの加熱機構を有している。当該加熱部ＨＴ３としては、例えば上記の加熱部ＨＴ２で用いた加熱機構よりも強力に加熱することができる加熱機構を用いることが好ましい。加熱部ＨＴ３では、当該加熱機構を用いることにより、基板Ｓのベークが行われるようになっている。収容室ＲＭ３には、加熱部ＨＴ３が複数箇所、例えば２箇所に設けられている。このため、収容室ＲＭ３における加熱動作は、収容室ＲＭ２における加熱動作に比べて、より高い温度で基板Ｓを加熱することができる構成となっている。
【００６５】
第四チャンバＣＢ４は、収容室ＲＭ４、基板搬入口ＥＮ４及び基板搬出口ＥＸ４を有している。収容室ＲＭ４は、第四チャンバＣＢ４によって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ４及び基板搬出口ＥＸ４は、収容室ＲＭ４に形成された開口部である。基板搬入口ＥＮ４及び基板搬出口ＥＸ４は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ４は、例えば収容室ＲＭ４の−Ｘ側端部に形成されており、第三チャンバＣＢ３に接続されている。基板搬出口ＥＸ４は、例えば収容室ＲＭ４の＋Ｘ側端部に形成されており、外部に接続されている。
【００６６】
基板搬入口ＥＮ４及び基板搬出口ＥＸ４には、それぞれゲートバルブＧ７及びＧ８が設けられている。ゲートバルブＧ７及びＧ８を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮ４及び基板搬出口ＥＸ４がそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ７及びＧ８を閉じることにより、収容室ＲＭ４が密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ７は、第三チャンバＣＢ３の基板搬出口ＥＸ３と、第四チャンバＣＢ４の基板搬入口ＥＮ４とで共通して用いられているようになっている。
【００６７】
収容室ＲＭ４には、基板搬送機構ＴＲ４、冷却部ＣＬが設けられている。基板搬送機構ＴＲ４は、収容室ＲＭ４内で基板Ｓを搬送する部分である。基板搬送機構ＴＲ４は、複数のローラー部材５４を有している。ローラー部材５４は、基板搬入口ＥＮ４から基板搬出口ＥＸ４にかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材５４は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲ４としては、上記の基板搬送機構ＴＲＬと同様に、例えばコロ搬送機構を用いても構わないし、基板を浮上させて搬送する浮上搬送機構を用いても構わない。
収容室ＲＭ４には、不活性ガス回収管９４ａが接続されている。不活性ガス回収管９４ａは、接続部９４を介してポンプ３３に接続されている。また、収容室ＲＭ４には、不活性ガス供給管９９ａが接続されている。不活性ガス供給管９９ａは、接続部９９を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。
【００６８】
冷却部ＣＬは、第二チャンバＣＢ２や第三チャンバＣＢ３基板Ｓで加熱された基板Ｓを冷却する部分である。冷却部ＣＬは、内部に例えば冷媒が流通可能に構成された冷却プレートなどの冷却機構を有している。当該冷却部ＣＬを用いることにより、収容室ＲＭ４では基板Ｓのクーリングが行われるようになっている。
【００６９】
制御装置ＣＯＮＴは、塗布装置ＣＴＲを統括的に制御する部分である。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ロードロックチャンバＣＢＬ、前処理チャンバＣＢＰ、接続チャンバＣＢＮ、第一チャンバＣＢ１、第二チャンバＣＢ２、第三チャンバＣＢ３及び第四チャンバＣＢ４のそれぞれの動作を制御する。
【００７０】
具体的な動作としては、例えばゲートバルブＧ１〜Ｇ８の開閉動作、基板搬送機構ＴＲＬ、ＴＲＰ、ＴＲＮ、ＴＲ１〜ＴＲ４による基板搬送動作、塗布部ＣＴによる塗布動作、加熱部ＨＴ２、ＨＴ３による加熱動作、排気部ＥＨＮ、ＥＨ２による排気動作、不活性ガス供給部ＧＳＮ、ＧＳ２によるガス供給動作、冷却部ＣＬによる冷却動作などが挙げられる。
【００７１】
制御装置ＣＯＮＴが基板搬送機構ＴＲＬ、ＴＲＰ、ＴＲＮ、ＴＲ１〜ＴＲ４のうち隣接する収容室の基板搬送機構を連動して作動させることにより、各基板搬送機構ＴＲＬ、ＴＲＰ、ＴＲＮ、ＴＲ１〜ＴＲ４は、隣接する収容室の間で基板Ｓを搬送することができるようになっている。なお、隣接する収容室の間で基板Ｓを搬送する不図示の搬送機構が別途設けられた構成であっても構わない。
なお、ポンプ３１と不活性ガス供給機構３３との間には、不活性ガス再生機構３２が設けられている。不活性ガス再生機構３２は、収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭ１、ＲＭ３及びＲＭ４からポンプ３１によって回収された気体のうち不活性ガスから不純物等を除去して不活性ガス供給機構３３に送る。不活性ガス供給機構３３からは、再生された不活性ガスが収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭ１、ＲＭ３及びＲＭ４へ供給される。
【００７２】
次に、図３〜図６を参照して、上記構成の塗布装置ＣＴＲによる動作を説明する。図３〜図６は、塗布装置ＣＴＲのうち前処理チャンバＣＢＰ、接続チャンバＣＢＮ及び第一チャンバＣＢ１の構成を示す図である。
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを搬入させる前に、収容室ＲＭＰの液槽６０内にアンモニア水６１を収容させた状態とすると共に、洗浄部ＲＳの洗浄液供給源６２に洗浄液を貯留させた状態としておく。このように、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓに前処理を行う状態を整えておく。
【００７３】
また、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを搬入させる前に、スリットノズルＮＺの保持部に液状体を保持させる。制御装置ＣＯＮＴは、スリットノズルＮＺ内の温調機構を用いて、保持部に保持された液状体の温度を調整させる。このように、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓに液状体を吐出させる状態を整えておく。
制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭＮ、ＲＭ１〜ＲＭ４を密閉状態とし、不活性ガス供給部ＧＳＮ、ＧＳ２や排気部ＥＨＮ、ＥＨ２、不活性ガス供給機構３３及びポンプ３１などを用いて収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭＮ、ＲＭ１〜ＲＭ４を不活性ガスの雰囲気としておく。
【００７４】
塗布装置ＣＴＲの状態が整った状態で、外部から塗布装置ＣＴＲに基板Ｓが搬送されてきた場合、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ２を閉塞させた状態でゲートバルブＧ１を開き、当該基板搬入口ＥＮＬから基板Ｓを収容室ＲＭＬに搬入させる。収容室ＲＭＬに基板Ｓが搬入された後、制御装置ＣＯＮＴは、ロードロックチャンバＣＢＬのゲートバルブＧ１を閉塞させる。ゲートバルブＧ１を閉塞させることにより、収容室ＲＭＬが密閉状態となる。
【００７５】
制御装置ＣＯＮＴは、不活性ガスの供給量及び排気量の調整を行わせつつ、ゲートバルブＧ２を開放する。当該ゲートバルブＧ２を開いた後、制御装置ＣＯＮＴは、ロードロックチャンバＣＢＬから前処理チャンバＣＢＰへと基板Ｓを搬送させる。
【００７６】
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰに搬入させた後、ゲートバルブＧ２を閉塞させる。ゲートバルブＧ２を閉塞させた後、図３に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを表面処理装置６０の−Ｚ側の位置まで搬送させる。基板Ｓが表面処理装置６０の−Ｚ側の位置に到達した後、制御装置ＣＯＮＴは、表面処理装置６０を用いて基板Ｓ上の裏面電極の表面の酸化膜を除去する処理を行う。
【００７７】
この場合の態様として、例えば基板Ｓに対して超音波を照射する処理、基板Ｓに対してアルカリ性溶液、例えばアンモニア水のスプレーを供給する処理、基板Ｓに対してアンモニア水と不活性ガスの混合ミストを供給する処理が挙げられる。制御装置ＣＯＮＴは、これらの処理のうち、少なくとも１つを行わせる。
このような処理を行うことにより、基板Ｓ上の裏面電極上の＋Ｚ側の表面に酸化膜が形成されている場合、アンモニア水との反応によって酸化膜が分解され、基板Ｓ上の裏面電極の表面から酸化膜が除去される。このように、基板Ｓに対して液状体を塗布する前に、基板Ｓ上の裏面電極の表面の酸化膜を除去する処理が前処理として行われる。なお、上記前処理で用いられたアンモニア水を回収し、濃度（ｐＨ）調整を行った後、不純物を除去して再利用する態様であっても構わない。
制御装置ＣＯＮＴは、表面処理装置６０に対して酸化膜除去処理を行わせた後、基板Ｓを洗浄する処理を行わせる。この場合、制御装置ＣＯＮＴは、リンス液供給機構によって基板Ｓ上にリンス液を供給し、アンモニア水を洗い流す。その後、制御装置ＣＯＮＴは、エアナイフ機構を用いて基板Ｓ上のリンス液を除去する。
【００７８】
基板Ｓ上のリンス液を除去した後、基板Ｓを加熱して乾燥させる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、表面処理装置６０の加熱機構を用いて、基板Ｓに供給されて残ったアンモニア水あるいは基板Ｓ上に残ったリンス液などの液体を加熱する。この場合、例えば表面処理装置６０が基板Ｓの搬送経路の＋Ｚ側に赤外線ヒータなどを有する構成であれば、基板Ｓを搬送させつつ赤外線ヒータの−Ｚ側を通過する基板Ｓを加熱することができる。
基板Ｓを乾燥させた後、ゲートバルブＧ３を開放して基板Ｓを前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰから接続チャンバＣＢＮの収容室ＲＭＮへと搬送させる。両室ともに不活性ガスの雰囲気となるように調整されているため、酸化膜を除去した基板Ｓ上の裏面電極の表面の酸化が抑制されることになる。
【００７９】
なお、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓ上の裏面電極の表面の酸化膜を除去した後、リンス液による基板Ｓの洗浄を行わせずにエアナイフを形成させ、当該エナアイフから不活性ガス（例えば、窒素、アルゴン等）を放出してアンモニア水を除去させても構わない。また、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓ上の裏面電極の表面の酸化膜を除去した後、リンス液による洗浄、エアナイフによる液体の除去を行わせずに、上記の乾燥処理を行わせても構わない。
【００８０】
図４に示すように、基板Ｓが収容室ＲＭＮに配置された後、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ３を閉塞させて収容室ＲＭＮを密閉状態とする。収容室ＲＭＮを密閉状態とした後、基板Ｓを待機させつつ、収容室ＲＭＮの雰囲気を調整して不活性ガス雰囲気とする。
【００８１】
制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭＮの雰囲気を調整して不活性ガス雰囲気とした後、ゲートバルブＧ４を開放させる。ゲートバルブＧ４を開放させた後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを接続チャンバＣＢＮの収容室ＲＭＮから第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１へと搬送させる。収容室ＲＭＮ及び収容室ＲＭ１は、両室ともに不活性ガスの雰囲気となるように調整されているため、基板Ｓの表面の酸化が抑制されることになる。
【００８２】
このように、前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰから第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１までの間が不活性ガスの雰囲気となっているため、前処理後、塗布処理までの間における基板Ｓの表面の酸化が抑制されることになる。このため、基板Ｓ上の裏面電極の表面に酸化膜が極めて少ない状態で当該基板Ｓの表面に対して塗布処理が行われることになる。
【００８３】
塗布処理を行う場合、制御装置ＣＯＮＴは、基板搬送機構ＴＲ１のローラー部材５１を回転させ、基板Ｓを＋Ｘ方向に移動させる。基板Ｓの＋Ｘ側の端辺がＺ方向視でスリットノズルＮＺに重なる位置に到達したら、図５に示すように、制御装置ＣＯＮＴはスリットノズルＮＺから液状体Ｑを吐出しつつ、基板ＳをＸ方向に移動させることにより、基板Ｓの表面全体に液状体Ｑを塗布させる。
【００８４】
前処理によって基板Ｓ上の裏面電極の表面に形成された酸化膜が除去され、その後ほとんど酸化膜が形成されていないため、基板Ｓの所定領域上に当該液状体の塗布膜がほぼ均一の膜厚で形成されることになる。塗布膜の形成後、図６に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、スリットノズルＮＺからの液状体の吐出動作を停止させる。
【００８５】
吐出動作を停止後、制御装置ＣＯＮＴは、塗布膜が形成された基板Ｓを第二チャンバＣＢ２の収容室ＲＭ２に収容させる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ５を開いた状態とし、基板搬出口ＥＸ１及び基板搬入口ＥＮ２を介して当該基板Ｓを収容室ＲＭ２へと搬入させる。
【００８６】
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを収容室ＲＭ２に搬入した後、ゲートバルブＧ５及びＧ６を閉塞させ、収容室ＲＭ２を密閉させる。その後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓが加熱部ＨＴ２の−Ｚ側に位置するように移動させ、その後排気部ＥＨ２を作動させることにより収容室ＲＭ２を減圧させる。収容室ＲＭ２を減圧させた後、制御装置ＣＯＮＴは、加熱部ＨＴ２を作動させて基板Ｓ上の塗布膜を加熱（減圧乾燥）させる。
【００８７】
減圧下で液状体を加熱することにより、塗布膜Ｌは短時間で効率的に乾燥する。このときの加熱温度としては、洗浄後の乾燥処理と同様、３００℃以下となるようにする。この場合においても、加熱温度を３００℃以下とすることにより、基板Ｓの構成材料が樹脂材料であっても、基板Ｓに変形させること無く加熱処理が行われることとなる。
【００８８】
制御装置ＣＯＮＴは、例えばローラー部材５２の回転動作を停止させ、基板Ｓの移動を停止させた状態で加熱部ＨＴ２を作動させるようにする。例えばローラー部材５２の回転動作速度を調整し、基板Sの移動速度を遅くした状態で加熱部Ｈ２を作動させるようにする。また、例えば基板Ｓ上の塗布膜が乾燥するまでの時間や加熱温度などを予め記憶させておくようにし、制御装置ＣＯＮＴが当該記憶させた値を用いて加熱時間及び加熱温度などを調整することで塗布膜Ｌの加熱動作を行わせる。
【００８９】
減圧乾燥動作の後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを第三チャンバＣＢ３の収容室ＲＭ３に収容させる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ６を開いた状態とし、基板搬出口ＥＸ２及び基板搬入口ＥＮ３を介して当該基板Ｓを収容室ＲＭ３へと搬入させる。
【００９０】
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを収容室ＲＭ３に搬入した後、当該基板ＳがＺ方向において二つの加熱部ＨＴ３に挟まれるように移動させる。基板Ｓを移動後、制御装置ＣＯＮＴは、加熱部ＨＴ３を作動させて基板Ｓ及び当該基板Ｓ上の塗布膜を加熱（ベーク）させる。当該加熱動作を行わせることにより、塗布膜の状態を安定させることができる。
【００９１】
加熱動作の後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを第四チャンバＣＢ４の収容室ＲＭ４に収容させる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ７を開いた状態とし、基板搬出口ＥＸ３及び基板搬入口ＥＮ４を介して当該基板Ｓを収容室ＲＭ４へと搬入させる。
【００９２】
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを収容室ＲＭ４に搬入した後、当該基板ＳがＺ方向において冷却部ＣＬ上に配置されるように移動させる。基板Ｓを移動後、制御装置ＣＯＮＴは、冷却部ＣＬを作動させて基板Ｓ及び当該基板Ｓ上の塗布膜を冷却（クーリング）させる。
当該冷却動作を行わせた後、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ８を開放させ、基板搬出口ＥＸ４を介して基板Ｓを搬出させる。このようにして、塗布装置ＣＴＲを用いた処理が完了する。
【００９３】
以上のように、本実施形態によれば、塗布部ＣＴによって液状体Ｑが塗布される収容室ＲＭ１と前処理部ＰＲＥによって前処理が行われる収容室ＲＭＰとを接続する収容室ＲＭＮを有し、当該収容室ＲＭＮの雰囲気が不活性ガスの雰囲気となるように調整可能に設けられた接続部ＣＮＥを備える構成であるため、収容室ＲＭＰから収容室ＲＭ１までの空間を不活性ガスの雰囲気とすることができる。これにより、基板Ｓに対する前処理後、塗布までの間に基板Ｓの表面の状態の変化を抑えることが可能となる。
【００９４】
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態を説明する。
図７は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲ２の構成を示す図である。
図７に示すように、本実施形態に記載の塗布装置ＣＴＲ２は、基板処理部ＰＲＣを直列に繰り返し設ける構成となっている。
塗布装置ＣＴＲ２は、基板搬入部ＬＤＲ、前処理部ＰＲＥ、接続部ＣＮＥ及び基板処理部ＰＲＣ１〜ＰＲＣ３を有することとなる。各基板処理部ＰＲＣ１〜ＰＲＣ３の構成は、上記基板処理部ＰＲＣの構成と同一である。また、基板処理部ＰＲＣ３の第四チャンバ装置ＣＢ４は、冷却部とアンローディング装置とを兼ねた構成となっている。
この場合、基板Ｓを一方向（Ｘ方向）に搬送することで、基板Ｓに複数層の塗布膜を形成することができる。なお、この場合、基板処理部ＰＲＣ１〜ＰＲＣ３のそれぞれの第一チャンバ装置ＣＢ１において、異なる種類の液状体を塗布することができる構成としても構わない。
以上のように、本実施形態によれば、基板処理部ＰＲＣが直列に繰り返し設けられているため、基板Ｓに対して塗布膜を積層する工程を連続して行うことができる。これにより、基板Ｓに対して効率的に塗布膜を形成することができる。
【００９５】
［第三実施形態］
次に、本発明の第三実施形態を説明する。
図８は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲ３の構成を示す図である。
なお、図８においては、上記実施形態と同様、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該ＸＹＺ座標系においては、図中左右方向をＸ方向と表記し、平面視でＸ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。Ｘ方向軸及びＹ方向軸を含む平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
【００９６】
本実施形態の塗布装置ＣＴＲ３は、基板搬入部ＬＤＲ、前処理部ＰＲＥ及び基板処理部ＰＲＣを有しており、基板処理部ＰＲＣの第一チャンバＣＢ１、第二チャンバＣＢ２、第三チャンバＣＢ３及び第四チャンバＣＢ４がインターフェース部ＩＦを中心として分岐されるように接続された構成となっている。したがって、本実施形態では、インターフェース部ＩＦが前処理部ＰＲＥと第一チャンバＣＢ１とを接続する接続部を兼ねている。
【００９７】
インターフェース部ＩＦは、共用チャンバＣＢＩを有している。共用チャンバＣＢＩは、収容室ＲＭＩ、接続口ＪＮＬ、ＪＮ１〜ＪＮ３を有している。接続口ＪＮＬ、ＪＮ１〜ＪＮ４は、インターフェース部ＩＦと各チャンバとの間を接続する。各接続口ＪＮＬ、ＪＮ１〜ＪＮ３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。これら接続口ＪＮ１〜ＪＮ４を介して、基板Ｓがチャンバ間を移動可能となっている。
【００９８】
接続口ＪＮＬは、共用チャンバＣＢＩの収容室ＲＭＩと前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰとを接続する。接続口ＪＮ１は、上記収容室ＲＭＩと第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１とを接続する。接続口ＪＮ２は、上記収容室ＲＭＩと第二チャンバＣＢ２の収容室ＲＭ２とを接続する。接続口ＪＮ３は、上記収容室ＲＭＩと第三チャンバＣＢ３の収容室ＲＭ３とを接続する。
【００９９】
収容室ＲＭＩには、アーム部ＡＲＭを有するロボット装置ＲＢＴが設けられている。アーム部ＡＲＭは、ロボット装置ＲＢＴの基部ＦＮＤに接続されている。基部ＦＮＤは、不図示の駆動機構により、Ｚ方向に移動可能（昇降可能）に設けられている。アーム部ＡＲＭは、ＸＹ平面上の一方向に伸縮可能に形成されている。アーム部ＡＲＭは、基部ＦＮＤと接続部を中心として、θＺ方向に回転可能に設けられている。
【０１００】
前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰ、第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１及び第二チャンバＣＢ２の収容室ＲＭ２には、それぞれ基板Ｓを保持する基板保持部ＨＬＤが設けられている。本実施形態においては、収容室ＲＭＰ、収容室ＲＭ１及び収容室ＲＭ２では、基板Ｓが基板保持部ＨＬＤによって保持された状態で当該基板Ｓに対して処理が行われる構成となっている。また、前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰには、上記第一実施形態と同一構成の表面処理装置６０が設けられている。
【０１０１】
第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１には、塗布部ＣＴ及びメンテナンス部ＭＮが設けられている。塗布部ＣＴは、ノズルＮＺ及びガイド機構Ｇを有している。ノズルＮＺは、ガイド機構Ｇに沿って移動可能に設けられている。ガイド機構Ｇは、基板保持部ＨＬＤに保持された基板Ｓの表面（例えば、＋Ｚ側の面）上を跨いで延在している。したがって、ノズルＮＺは、基板Ｓの表面全体を走査するように移動可能となっている。
【０１０２】
メンテナンス部ＭＮは、ノズルＮＺの先端を管理するノズル管理部ＮＴＣを有している。ノズル管理部ＮＴＣは、例えば基板保持部ＨＬＤの側方に配置されている。上記のガイド機構Ｇは基板保持部ＨＬＤから当該ノズル管理部ＮＴＣに跨って延在されており、ノズルＮＺをノズル管理部ＮＴＣにアクセスさせることが可能な構成となっている。
【０１０３】
第三チャンバＣＢ３の収容室ＲＭ３及び第四チャンバＣＢ４の収容室ＲＭ４には、上記実施形態と同様の基板搬送機構ＴＲが設けられている。収容室ＲＭ３には複数の搬送ローラー５３が一方向に設けられており、収容室ＲＭ４には複数の搬送ローラー５４が一方向に設けられている。第三チャンバＣＢ３及び第四チャンバＣＢ４においては、基板Ｓは収容室ＲＭ３及び収容室ＲＭ４において一方向に搬送される構成となっている。
【０１０４】
第二チャンバＣＢ２の収容室ＲＭ２には、加熱部ＨＴ２、不活性ガス供給部ＧＳ及び排気部ＥＨ２が設けられている。第二チャンバＣＢ２では、減圧下において乾燥を行うことができる構成となっている。第三チャンバＣＢ３の収容室ＲＭ３には、加熱部ＨＴ３が設けられている。収容室ＲＭ３には、加熱部ＨＴ３が複数箇所、例えば２箇所に設けられている。収容室ＲＭ３における加熱動作は、収容室ＲＭ２における加熱動作に比べて、より高い温度で基板Ｓを加熱することができる構成となっている。第四チャンバＣＢ４の収容室ＲＭ４には、冷却部ＣＬが設けられている。当該冷却部ＣＬを用いることにより、収容室ＲＭ４では基板Ｓのクーリングが行われるようになっている。
収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭ１、ＲＭ３及びＲＭ４には、それぞれ不活性ガス回収管９０ａ、９１ａ、９２ａ、９３ａ及び９４ａが接続されている。不活性ガス回収管９０ａ、９１ａ、９２ａ、９３ａ及び９４ａは、接続部９０、９１、９２、９３及び９４を介してポンプ３１に接続されている。また、収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭ１、ＲＭ３及びＲＭ４には、不活性ガス供給管９５ａ、９６ａ、９７ａ、９８ａ及び９９ａが接続されている。不活性ガス供給管９５ａ、９６ａ、９７ａ、９８ａ及び９９ａａは、接続部９５、９６、９７、９８及び９９を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。
【０１０５】
次に、上記構成の塗布装置ＣＴＲ３の動作を説明する。
制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭＩ、ＲＭ１〜ＲＭ４を密閉状態とし、不活性ガス供給部ＧＳＮ、ＧＳ２や排気部ＥＨＩ、ＥＨ２、不活性ガス供給機構３３及びポンプ３１などを用いて収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭＩ、ＲＭ１〜ＲＭ４を不活性ガスの雰囲気としておく。
この状態で、基板Ｓが基板搬入部ＬＤＲであるロードロックチャンバＣＢＬの基板搬入口ＥＮＴから収容室ＲＭＬに搬入される。基板Ｓが収容室ＲＭＬに収容された後、制御装置ＣＯＮＴは、ロードロックチャンバＣＢＬと前処理チャンバＣＢＰとの間のゲートバルブＧＢが開放させる。
【０１０６】
ゲートバルブＧＢの開放の後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰに搬入させ、当該基板Ｓを基板保持部ＨＬＤ上に載置させる。基板Ｓが基板保持部ＨＬＤに載置された後、制御装置ＣＯＮＴは、表面処理装置６０を用いて基板Ｓに対して前処理を行わせる。当該前処理としては、例えば上記第一実施形態と同様の処理を行わせる。
前処理を行わせた後、制御装置ＣＯＮＴは、インターフェース部ＩＦに設けられたロボット装置ＲＢＴのアーム部ＡＲＭを収容室ＲＭＰにアクセスさせる。制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭＬにアクセスさせた当該アーム部ＡＲＭを用いて基板保持部ＨＬＤに保持された基板Ｓを持ち上げ、接続口ＪＮＬを介してインターフェース部ＩＦに搬送する。
【０１０７】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、共用チャンバＣＢＩと第一チャンバＣＢ１との間のゲートバルブＧＢを開放させ、基板Ｓを保持している状態のアーム部ＡＲＭを第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１にアクセスさせる。制御装置ＣＯＮＴは、第一チャンバＣＢ１の基板保持部ＨＬＤ上に基板Ｓを載置させ、一旦アーム部ＡＲＭを共用チャンバＣＢＩに引き戻させる。
【０１０８】
アーム部ＡＲＭを引き戻させた後、制御装置ＣＯＮＴは、第一チャンバＣＢ１のゲートバルブＧＢを閉塞させ、収容室ＲＭ１内で塗布動作を行わせる。当該塗布動作は、例えば基板Ｓを基板保持部ＨＬＤ上に載置させた状態で、ノズルＮＺを移動させつつ当該ノズルＮＺから液状体を基板Ｓの表面（例えば、＋Ｚ側の面）に吐出することで、基板Ｓの表面全体に液状体の塗布膜を形成する。
【０１０９】
ノズルＮＺは、例えばガイド機構Ｇに沿って基板Ｓの表面上を移動しつつ基板Ｓの表面に対して液状体を吐出する。これにより、基板Ｓの表面には均一に液状体の塗布膜を形成されることになる。制御装置ＣＯＮＴは、ノズル管理装置ＭＮを例えば定期的あるいは不定期に用いることにより、ノズルＮＺの先端（−Ｚ側の端部）を管理させるようにする。
【０１１０】
このように、前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰから第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１までの間が不活性ガスの雰囲気となっているため、前処理後、塗布処理までの間における基板Ｓの表面の酸化が抑制されることになる。このため、基板Ｓ上の裏面電極の表面に酸化膜が極めて少ない状態で当該基板Ｓの表面に対して塗布処理が行われることになる。
【０１１１】
塗布動作の後、制御装置ＣＯＮＴは、第一チャンバＣＢ１のゲートバルブＧＢを開放させ、アーム部ＡＲＭによって収容室ＲＭ１の基板保持部ＨＬＤ上の基板Ｓを共用チャンバＣＢＩへ搬出させる。基板Ｓの搬出後、制御装置ＣＯＮＴは、共用チャンバＣＢＩと第二チャンバＣＢ２との間のゲートバルブＧＢを開放させ、アーム部ＡＲＭを用いて基板Ｓを第二チャンバＣＢ２の収容室ＲＭ２に搬入させる。
【０１１２】
制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭ２の基板保持部ＨＬＤによって基板Ｓが保持されるようにアーム部ＡＲＭを移動させる。制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓが保持された後、アーム部ＡＲＭを共用チャンバＣＢＩへ引き戻させ、第二チャンバＣＢ２のゲートバルブＧＢを閉塞させる。制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭ２を密閉させた後、排気部ＥＨ２を用いて収容室ＲＭ２を減圧させると共に、不活性ガス供給部ＧＳ２を用いて収容室ＲＭ２を不活性ガス雰囲気にさせる。収容室ＲＭ２を不活性ガス雰囲気としつつ減圧させた状態で、制御装置ＣＯＮＴは、加熱部ＨＴ２を用いて基板Ｓの表面に形成された液状体の塗布膜を乾燥させる。
【０１１３】
乾燥動作後、制御装置ＣＯＮＴは、アーム部ＡＲＭを作動させ、基板Ｓを収容室ＲＭ２から搬出させると共に、当該基板Ｓを第三チャンバＣＢ３の収容室ＲＭ３へ搬入させる。基板Ｓが収容室ＲＭ３に搬入された後、制御装置ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲを作動させることで基板Ｓを２つの加熱部ＨＴ３の間の処理位置へと搬送する。当該処理位置に基板Ｓが到達した後、制御装置ＣＯＮＴは、加熱部ＨＴ３を作動させ、基板Ｓを焼成させる。焼成動作の後、制御装置ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲを作動させ、基板Ｓを第四チャンバＣＢ４の収容室ＲＭ４へ搬入させる。
【０１１４】
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓが収容室ＲＭ４に搬入された後、冷却部ＣＬを作動させることにより、当該基板Ｓを冷却させる。冷却動作の後、制御装置ＣＯＮＴは、第四チャンバＣＢ４の＋Ｘ側に配置された基板搬出口ＥＸＴから基板Ｓを塗布装置ＣＴＲ３の外部に搬出させる。
【０１１５】
以上のように、本実施形態によれば、共用チャンバＣＢＩにロードロックチャンバＣＢＬ、第一チャンバＣＢ１、第二チャンバＣＢ２及び第三チャンバＣＢ３が接続されており、ロボット装置ＲＢＴによって基板Ｓがインターフェース部ＩＦを介して各チャンバの収容室に搬送される構成としたので、効率的な処理が可能となる。
【０１１６】
なお、この場合、加熱（ベーク）動作を行う第三チャンバＣＢ３から冷却処理を行う第四チャンバＣＢ４を直列に接続されることにより、ベークされた基板Ｓを共用チャンバＣＢＩに搬入させずに塗布装置ＣＴＲ３から搬出させることができる。これにより、共用チャンバＣＢＩの温度が高くなってしまうのを防ぐことができる。
【０１１７】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
【０１１８】
上記実施形態においては、塗布装置ＣＴＲの動作において、収容室ＲＭＰ、収容室ＲＭＮ及び収容室ＲＭ１の３室の雰囲気を纏めて調整させる場合を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、当該調整動作において、制御装置ＣＯＮＴは、少なくとも収容室ＲＭＮが不活性ガス雰囲気となるように不活性ガス供給部ＧＳＮ及び排気部ＥＨＮを調整すれば良い。したがって、上記ゲートバルブＧ３及びゲートバルブＧ４を閉じた状態として、収容室ＲＭＮの雰囲気のみを調整させるようにしても構わない。
【０１１９】
また、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ３及びゲートバルブＧ４のうち一方を開いた状態とし、他方を閉じた状態として不活性ガス供給部ＧＳＮ及び排気部ＥＨＮを調整させても構わない。
【０１２０】
また、上記収容室ＲＭＰ、収容室ＲＭＮ及び収容室ＲＭ１の雰囲気の調整動作において、接続チャンバＣＢＮに設けられた不活性ガス供給部ＧＳＮ及び排気部ＥＨＮを用いることとしたが、これに限られることは無い。例えば、第二チャンバＣＢ２の不活性ガス供給部ＧＳ２及び排気部ＥＨ２を用いて上記収容室ＲＭＰ、収容室ＲＭＮ及び収容室ＲＭ１の雰囲気の調整動作を行わせても構わない。
【０１２１】
また、上記実施形態では、基板Ｓに液状体Ｑを塗布する塗布処理の前処理として、基板Ｓ上の裏面電極の表面に形成された酸化膜を除去する処理を行う場合を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、他の処理であっても構わない。また、上記実施形態では、酸化膜除去処理の後に基板Ｓを洗浄する処理を行う場合を例に挙げて説明したが、当該洗浄処理を単独で行うようにしても構わない。
【０１２２】
また、上記実施形態では、酸化膜除去処理として、基板Ｓに超音波やアンモニア水を噴射して供給する処理を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図９に示すように、表面処理装置６０がパドル方式でアンモニア水６２を基板Ｓ上に供給する構成であっても構わない。また、この場合、パドル６１に超音波を掛ける構成としても構わない。
【０１２３】
また、例えば図１０に示すように、基板Ｓをアンモニア水６２に浸漬させる処理であって構わない。この場合、例えばアンモニア水６２を槽内に入れておき、基板搬送機構ＴＲＰのローラー部材４９が槽内に配置された構成とすることができる。これにより、基板Ｓの搬送経路にアンモニア水６２が配置されるため、基板Ｓを搬送させる動作を行うだけで基板Ｓの表面の処理を行うことができる。
【０１２４】
これらの構成のほか、例えばアンモニア水６２の基板Ｓに対して不活性原子（例えば、アルゴン原子など）を用いてスパッタリングを行う処理であっても構わない。この場合であっても、基板Ｓ上の裏面電極の表面に形成された酸化膜を除去することができる。また、この場合では液体を用いないため、乾燥工程を省くことができるという利点もある。
【符号の説明】
【０１２５】
ＣＴＲ…塗布装置 ＣＯＮＴ…制御装置 Ｓ…基板 ＰＲＥ…前処理部 ＣＢＰ…前処理チャンバ ＣＮＥ…接続部 ＣＢＮ…接続チャンバ ＰＣＳ…基板処理部 ＣＢ１…第一チャンバ ＣＴ…塗布部 ＮＺ…スリットノズル ＲＭＰ、ＲＭＮ、ＲＭ１…収容室 ＴＲＰ、ＴＲＮ、ＴＲ１…基板搬送機構 ６１…アンモニア水 ＲＳ…洗浄部 Ｑ…液状体 Ｌ…塗布膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎおよびこれらの組合せなどの金属と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、およびこれらの組合せなどの元素カルコゲンとを含む半導体材料を用いたＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、高い変換効率を有する太陽電池として注目されている（例えば特許文献１〜特許文献３参照）。ＣＩＧＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として例えば上記、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。また、ＣＺＴＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として、例えばＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。このような太陽電池の構成として、例えばガラスなどからなる基板上にモリブデンなどからなる裏面電極が設けられ、当該裏面電極の上に上記光吸収層が配置される構成が知られている。
【０００３】
ＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、従来型の太陽電池に比べて光吸収層の厚さを薄くすることができるため、曲面への設置や運搬が容易となる。このため、高性能でフレキシブルな太陽電池として、広い分野への応用が期待されている。光吸収層を形成する手法として、従来、例えば蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成する手法が知られていた（例えば、特許文献２〜特許文献５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３４０４８２号公報
【特許文献２】特開２００５−５１２２４号公報
【特許文献３】特表２００９−５３７９９７号公報
【特許文献４】特開平１−２３１３１３号公報
【特許文献５】特開平１１−２７３７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これに対して、本発明者は、光吸収層を形成する手法として、上記半導体材料を液状体で基板上に塗布する手法を提案する。光吸収層を液状体の塗布によって形成する場合、以下の課題が挙げられる。
【０００６】
裏面電極（例えばモリブデン膜）の表面に例えば金属酸化膜などが形成されると、液状体が金属酸化膜の表面で弾かれてしまい、塗布膜が基板上に均一に形成されない場合がある。したがって、塗布膜を基板上に均一に形成するためには、下地基板に対して液状体の塗布前に酸化膜を除去する前処理を行うことが有効である。しかしながら、前処理によって酸化膜が除去された基板を塗布位置まで搬送する場合、搬送経路の雰囲気によっては、搬送中に再度基板の表面が酸化されてしまう場合がある。この問題点は、基板上の裏面電極の酸化膜を除去する前処理に限られず、他の前処理を行う場合においても想定されうる。
【０００７】
上記のような事情に鑑み、本発明は、基板に対する前処理後、塗布までの間に基板の表面の状態が変化するのを抑えることが可能な塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る塗布装置は、易酸化性の金属を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記液状体が塗布される前の前記基板に対して前処理を行う前処理部と、前記塗布部によって前記液状体が塗布される塗布空間と前記前処理部によって前記前処理が行われる前処理空間とを接続する接続空間を有し、前記接続空間の雰囲気が不活性ガスの雰囲気となるように調整可能に設けられた接続部とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、塗布部によって液状体が塗布される塗布空間と前処理部によって前処理が行われる前処理空間とを接続する接続空間を有し、接続空間の雰囲気が不活性ガスの雰囲気となるように調整可能に設けられた接続部を備える構成であるため、前処理空間から塗布空間までの接続空間を不活性ガスの雰囲気とすることができる。これにより、基板に対する前処理後、塗布までの間に基板の表面の状態が変化するのを抑えることが可能となる。
【００１０】
上記の塗布装置は、前記接続空間に前記不活性ガスを供給する第一供給部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、接続空間に不活性ガスを供給する第一供給部を更に備えることとしたので、接続空間に直接不活性ガスを供給することができる。これにより、接続空間を効率的に不活性ガスの雰囲気にすることができる。
【００１１】
上記の塗布装置は、前記前処理空間に前記不活性ガスを供給する第二供給部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、前処理空間に不活性ガスを供給する第二供給部を更に備えることとしたので、前処理空間を介して接続空間に不活性ガスを供給することができる。この場合、前処理空間についても不活性ガスの雰囲気にすることができるので、前処理空間及び接続空間において不活性ガスの雰囲気を連続させることができる。
【００１２】
上記の塗布装置は、前記塗布空間に前記不活性ガスを供給する第三供給部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、塗布空間に不活性ガスを供給する第三供給部を更に備えることとしたので、塗布空間を関して接続空間に不活性ガスを供給することができる。この場合、塗布空間についても不活性ガスの雰囲気にすることができるので、接続空間及び塗布空間において不活性ガスの雰囲気を連続させることができる。
【００１３】
上記の塗布装置は、前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間のうち少なくとも１つの空間を囲うチャンバ部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、塗布空間、前処理空間及び接続空間のうち少なくとも１つの空間を囲うチャンバ部を更に備えることとしたので、塗布空間、前処理空間及び接続空間の雰囲気を調整しやすくすることができる。
【００１４】
上記の塗布装置は、前記チャンバ部は、前記接続空間を囲うロードロックチャンバを有することを特徴とする。
本発明によれば、チャンバ部が接続空間を囲うロードロックチャンバを有するため、接続空間の雰囲気を効率的に調整することができる。
【００１５】
上記の塗布装置は、前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間のうち少なくとも１つの空間を吸引する吸引部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、塗布空間、前処理空間及び接続空間のうち少なくとも１つの空間を吸引する吸引部を更に備えるため、各空間の雰囲気をより精密に調整することができる。
【００１６】
上記の塗布装置は、前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間の間で前記基板を搬送する搬送部を更に備えることを特徴とする。
本発明によれば、塗布空間、前処理空間及び接続空間の間で基板を搬送する搬送部を更に備えることとしたので、基板は前処理空間から塗布空間までの間、不活性ガスの雰囲気になっている接続空間を搬送されることになる。これにより、搬送中に基板表面の状態が変化するのを抑えることができる。
【００１７】
上記の塗布装置は、前記基板は、表面に金属が形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、表面に金属が形成されている基板に対して前処理を行った後に塗布を行うまでの間に、金属の表面に金属酸化膜が形成されるのを防ぐことができる。これにより、液状体を基板の表面に均一に塗布することができる。
【００１８】
上記の塗布装置は、前記液状体は、ヒドラジンを含むことを特徴とする。
本発明によれば、ヒドラジンを含む液状体を塗布する場合において、基板に対する前処理後、塗布までの間に基板の表面の状態が変化するのを抑えることができるため、ヒドラジンの劣化を防ぐことができる。
【００１９】
上記の塗布装置は、前記基板上には、裏面電極が設けられており、前記前処理は、前記裏面電極から酸化膜を除去する酸化膜除去処理であることを特徴とする。
本発明によれば、前処理として、基板上の裏面電極から酸化膜を除去する酸化膜除去処理を行うことにより、液状体の濡れ性を高めることができる。
【００２０】
上記の塗布装置は、前記酸化膜除去処理は、前記基板に対するアルカリ性溶液による処理、及び、前記基板に対して不活性原子を用いてスパッタリングを行う処理、のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする。
本発明によれば、酸化膜除去処理として、基板に対するアルカリ性溶液による処理、及び、基板に対して不活性原子を用いてスパッタリングを行う処理、のうち少なくとも一方を含むため、基板から確実に酸化膜を除去することができる。
上記の塗布装置は、前記基板に対するアルカリ性溶液による処理は、アンモニア水による処理又はアンモニア蒸気による処理のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする。
本発明によれば、基板に対するアルカリ性溶液による処理は、アンモニア水による処理又はアンモニア蒸気による処理のうち少なくとも一方を含むため、基板から確実に酸化膜を除去することができる。
【００２１】
上記の塗布装置は、前記前処理は、前記基板を洗浄する洗浄処理であることを特徴とする。
本発明によれば、前処理として、基板を洗浄する洗浄処理が行われることとしたので、基板を清浄に保持しつつ塗布処理を行うことができる。これにより、膜質を高めることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板に対する前処理後、塗布までの間に基板の表面の状態が変化するのを抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第一実施形態に係る塗布装置の構成を示す図。
【図２】（ａ）（ｂ）スリットノズルの構成を示す図。
【図３】本実施形態に係る塗布装置の動作を示す図。
【図４】同、動作図。
【図５】同、動作図。
【図６】同、動作図。
【図７】本発明の第二実施形態に係る塗布装置の構成を示す図。
【図８】本発明の第三実施形態に係る塗布装置の構成を示す図。
【図９】本実施形態に係る塗布装置の他の構成を示す図。
【図１０】本実施形態に係る塗布装置の他の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
以下の各図において、本実施形態に係る塗布装置の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該ＸＹＺ座標系においては、図中左右方向をＸ方向と表記し、平面視でＸ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。Ｘ方向軸及びＹ方向軸を含む平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
【００２５】
図１は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの構成を示す概略図である。
図１に示すように、塗布装置ＣＴＲは、基板搬入部ＬＤＲ、前処理部ＰＲＥ、接続部ＣＮＥ及び基板処理部ＰＣＳを有している。塗布装置ＣＴＲは、基板Ｓ上に液状体を塗布する装置である。
【００２６】
本実施形態では、基板Ｓに塗布する液状体として、例えばヒドラジンなどの溶媒に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）または銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、セレン（Ｓｅ）といった易酸化性の金属材料を含有する液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ型太陽電池の光吸収層（光電変換層）を構成する金属材料を含んでいる。本実施形態では、他の液状体として、ヒドラジンなどの溶媒にナトリウム（Ｎａ）を分散させた液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ太陽電池の光吸収層のグレインサイズを確保するための物質を含んでいる。勿論、液状体として、他の易酸化性の金属を分散させた液状体を用いる構成としても構わない。本実施形態では、基板Ｓとして、例えばガラスや樹脂などからなる板状部材を用いている。本実施形態では更に、基板Ｓ上に裏面電極としてスパッタにてモリブデンを形成している。勿論、裏面電極として、他の導電性物質を用いる構成としても構わない。
【００２７】
基板搬入部ＬＤＲは、ロードロックチャンバＣＢＬを有している。ロードロックチャンバＣＢＬは、収容室ＲＭＬ、基板搬入口ＥＮＬ及び基板搬出口ＥＸＬを有している。収容室ＲＭＬは、ロードロックチャンバＣＢＬによって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＬ及び基板搬出口ＥＸＬは、ロードロックチャンバＣＢＬに形成された開口部である。基板搬入口ＥＮＬ及び基板搬出口ＥＸＬは、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＬは、ロードロックチャンバＣＢＬの−Ｘ側の壁部に形成されており、例えば塗布装置ＣＴＲの外部に接続されている。基板搬出口ＥＸＬは、ロードロックチャンバＣＢＬの＋Ｘ側の壁部に形成されている。
【００２８】
収容室ＲＭＬには、不活性ガス回収管９０ａが接続されている。不活性ガス回収管９０ａは、接続部９０を介してポンプ３１に接続されている。また、収容室ＲＭＬには、不活性ガス供給管９５ａが接続されている。不活性ガス供給管９５ａは、接続部９５を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。また、収容室ＲＭＬには、基板搬送機構ＴＲＬが設けられている。基板搬送機構ＴＲＬは、収容室ＲＭＬにおいて基板Ｓを搬送する。
【００２９】
基板搬入口ＥＮＬ及び基板搬出口ＥＸＬには、それぞれゲートバルブＧ１及びＧ２が設けられている。ゲートバルブＧ１及びＧ２を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮＬ及び基板搬出口ＥＸＬがそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ１及びＧ２を閉じることにより、収容室ＲＭＬが密閉されるようになっている。収容室ＲＭＬには、例えばポンプ機構などの減圧機構ＤＣＬが接続されている。
【００３０】
基板搬送機構ＴＲＬは、複数のローラー部材４８を有している。ローラー部材４８は、基板搬入口ＥＮＬから基板搬出口ＥＸＬにかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材４８は、Ｙ軸方向を中心軸方向としてＹ軸周りに回転可能に設けられている。複数のローラー部材４８は、それぞれ等しい径となるように形成されており、Ｚ方向上の位置が等しくなるように配置されている。複数のローラー部材４８は、＋Ｚ側の上端において基板Ｓを支持するようになっている。
【００３１】
各ローラー部材４８は、例えば不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。なお、基板搬送機構ＴＲＬとしては、図１に示すように例えばコロ搬送機構を用いても構わないし、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送機構を用いても構わない。
【００３２】
前処理部ＰＲＥは、前処理チャンバＣＢＰを有している。前処理チャンバＣＢＰは、収容室ＲＭＰ、基板搬入口ＥＮＰ及び基板搬出口ＥＸＰを有している。収容室ＲＭＰは、前処理チャンバＣＢＰによって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＰ及び基板搬出口ＥＸＰは、前処理チャンバＣＢＰに形成された開口部である。基板搬入口ＥＮＰ及び基板搬出口ＥＸＰは、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＰは、前処理チャンバＣＢＰの−Ｘ側端部に形成されており、ロードロックチャンバＣＢＬに接続されている。基板搬出口ＥＸＰは、前処理チャンバＣＢＰの＋Ｘ側端部に形成されており、接続部ＣＮＥに接続されている。
【００３３】
基板搬入口ＥＮＰ及び基板搬出口ＥＸＰには、それぞれゲートバルブＧ２及びＧ３が設けられている。ゲートバルブＧ２及びＧ３を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮＰ及び基板搬出口ＥＸＰがそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ２及びＧ３を閉じることにより、収容室ＲＭＰが密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ２は、ロードロックチャンバＣＢＬの基板搬出口ＥＸＬと、前処理チャンバＣＢＰの基板搬入口ＥＮＰとで共通して用いられているようになっている。
収容室ＲＭＰには、不活性ガス回収管９１ａが接続されている。不活性ガス回収管９１ａは、接続部９１を介してポンプ３１に接続されている。また、収容室ＲＭＰには、不活性ガス供給管９６ａが接続されている。不活性ガス供給管９６ａは、接続部９６を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。
【００３４】
収容室ＲＭＰには、基板搬送機構ＴＲＰ、表面処理装置６０が設けられている。基板搬送機構ＴＲＰは、収容室ＲＭＰ内で基板Ｓを搬送する。基板搬送機構ＴＲＰは、複数のローラー部材４９を有している。ローラー部材４９は、基板搬入口ＥＮＰから基板搬出口ＥＸＰにかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材４９は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲＰとして、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送機構を用いても構わない。
【００３５】
表面処理装置６０は、基板Ｓ上の裏面電極膜の表面に形成された酸化膜を除去する処理や、基板Ｓの表面を洗浄する処理を行う。表面処理装置６０は、基板Ｓに対して超音波を照射する超音波照射機構や、基板Ｓに対して例えばアンモニアなどの液体をスプレー状で供給したり液体に不活性ガスを混合させてミスト状で供給したりする液体供給機構、基板Ｓ上に供給された液体を加熱して乾燥させる加熱機構、基板Ｓの表面を洗浄する純水などのリンス液を供給するリンス液供給機構、基板Ｓ上のリンス液を除去するエアナイフ機構、などの不図示の処理機構を有している。
【００３６】
基板搬送機構ＴＲＰは、基板移動機構６５を有している。基板移動機構６５は、複数のローラー部材４９上の位置６３と、液槽６０のアンモニア水６１に浸漬される位置６４との間で基板Ｓを移動させる。基板移動機構６５により、基板Ｓが複数のローラー部材４９によって搬送される搬送状態と、アンモニア水６１に浸漬される浸漬状態とを切り替えることができるようになっている。基板移動機構６５は、基板Ｓを保持する保持部を有している。
【００３７】
洗浄部ＲＳは、基板Ｓの表面を洗浄する。洗浄部ＲＳは、例えば洗浄液供給源６２を有している。洗浄液供給源６２は、複数のローラー部材４９上の基板Ｓの表面に対して洗浄液を吐出する不図示の洗浄液ノズルを有している。洗浄液としては、例えば純水などが用いられる。洗浄液供給源６２は、基板Ｓの＋Ｚ側に配置されている。洗浄液供給源６２は、位置が固定された構成であっても構わないし、Ｘ方向又はＹ方向に移動可能に設けられた構成であっても構わない。
【００３８】
接続部ＣＮＥは、接続チャンバＣＢＮを有している。接続チャンバＣＢＮは、収容室ＲＭＮ、基板搬入口ＥＮＮ及び基板搬出口ＥＸＮを有する。収容室ＲＭＮは、接続チャンバＣＢＮによって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＮ及び基板搬出口ＥＸＮは、接続チャンバＣＢＮに形成された開口部である。基板搬入口ＥＮＮ及び基板搬出口ＥＸＮは、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮＮは、接続チャンバＣＢＮの−Ｘ側端部に形成されており、前処理チャンバＣＢＰに接続されている。基板搬出口ＥＸＮは、接続チャンバＣＢＮの＋Ｘ側端部に形成されており、基板処理部ＰＣＳに接続されている。
【００３９】
基板搬入口ＥＮＮ及び基板搬出口ＥＸＮには、それぞれゲートバルブＧ３及びＧ４が設けられている。ゲートバルブＧ３及びＧ４を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮＮ及び基板搬出口ＥＸＮがそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ３及びＧ４を閉じることにより、収容室ＲＭＮが密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ３は、前処理チャンバＣＢＰの基板搬出口ＥＸＰと、接続チャンバＣＢＮの基板搬入口ＥＮＮとで共通して用いられているようになっている。
【００４０】
収容室ＲＭＮには、基板搬送機構ＴＲＮ、不活性ガス供給部ＧＳＮ及び排気部ＥＨＮが設けられている。基板搬送機構ＴＲＮは、収容室ＲＭＮ内で基板Ｓを搬送する。基板搬送機構ＴＲＮは、複数のローラー部材５０を有している。ローラー部材５０は、基板搬入口ＥＮＮから基板搬出口ＥＸＮにかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材５０は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲＮとして、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送機構を用いても構わない。
【００４１】
不活性ガス供給部ＧＳＮは、収容室ＲＭＮに例えば窒素ガスやアルゴンガス、ヘリウムガスなどの不活性ガスを供給する。不活性ガス供給部ＧＳＮは、ガスボンベ７１及びガス管７２を有している。ガスボンベ７１は、ガス管７２を介して収容室ＲＭＮに接続されている。不活性ガス供給部ＧＳＮには、不活性ガスの供給量を調整する不図示の供給量調整部が設けられている。当該不活性ガス供給部ＧＳＮにより、収容室ＲＭＮを不活性ガスの雰囲気にすることができるようになっている。
【００４２】
排気部ＥＨＮは、収容室ＲＭＮの気体を排気し、当該収容室ＲＭＮを減圧させる。排気部ＥＨＮは、排気駆動源７３及び排気管７４を有している。排気駆動源７３は、排気管７４を介して収容室ＲＭＮに接続されている。排気駆動源７３としては、例えば吸引ポンプなどが用いられている。排気管７４は、収容室ＲＭＮに設けられる端部に排気口を有している。当該排気口は、収容室ＲＭＮの底部（−Ｚ側の面）に配置されている。
【００４３】
基板処理部ＰＣＳは、第一チャンバＣＢ１、第二チャンバＣＢ２、第三チャンバＣＢ３及び第四チャンバＣＢ４を有している。第一チャンバＣＢ１、第二チャンバＣＢ２、第三チャンバＣＢ３及び第四チャンバＣＢ４は、例えばＸ方向にこの順で直列に接続されている。
【００４４】
第一チャンバＣＢ１は、収容室ＲＭ１、基板搬入口ＥＮ１及び基板搬出口ＥＸ１を有している。収容室ＲＭ１は、第一チャンバＣＢ１によって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ１及び基板搬出口ＥＸ１は、第一チャンバＣＢ１に形成された開口部である。基板搬入口ＥＮ１及び基板搬出口ＥＸ１は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ１は、例えば収容室ＲＭ１の−Ｘ側端部に形成されており、接続チャンバＣＢＮに接続されている。基板搬出口ＥＸ１は、例えば収容室ＲＭ１の＋Ｘ側端部に形成されており、第二チャンバＣＢ２に接続されている。
【００４５】
基板搬入口ＥＮ１及び基板搬出口ＥＸ１には、それぞれゲートバルブＧ４及びＧ５が設けられている。ゲートバルブＧ４及びＧ５を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮ１及び基板搬出口ＥＸ１がそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ４及びＧ５を閉じることにより、収容室ＲＭ１が密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ４は、接続チャンバＣＢＮの基板搬出口ＥＸＮと、第一チャンバＣＢ１の基板搬入口ＥＮ１とで共通して用いられているようになっている。
【００４６】
収容室ＲＭ１には、基板搬送機構ＴＲ１、塗布部ＣＴ、メンテナンス部ＭＮが設けられている。基板搬送機構ＴＲ１は、収容室ＲＭ１内で基板Ｓを搬送する部分である。基板搬送機構ＴＲ１は、複数のローラー部材５１を有している。ローラー部材５１は、基板搬入口ＥＮ１から基板搬出口ＥＸ１にかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材５１は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲ１としては、上記の基板搬送機構ＴＲＬと同様に、例えばコロ搬送機構を用いても構わないし、基板を浮上させて搬送する浮上搬送機構を用いても構わない。
収容室ＲＭ１には、不活性ガス回収管９２ａが接続されている。不活性ガス回収管９２ａは、接続部９２を介してポンプ３１に接続されている。また、収容室ＲＭ１には、不活性ガス供給管９７ａが接続されている。不活性ガス供給管９７ａは、接続部９７を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。
【００４７】
塗布部ＣＴは、第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１に収容されている。塗布部ＣＴは、長尺状に形成されたスリットノズルＮＺを有している。スリットノズルＮＺは、収容室ＲＭ１のうち例えばＸ方向において基板搬入口ＥＮ１と基板搬出口ＥＸ１との中間の位置に設けられている。
【００４８】
図２は、スリットノズルＮＺの構成を示す図である。図２（ａ）は、スリットノズルＮＺを＋Ｚ方向に見たときの構成を示している。図２（ｂ）は、スリットノズルＮＺを＋Ｙ方向に見たときの構成を示している。
【００４９】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、スリットノズルＮＺは、例えばＹ方向が長手の長尺状に構成されている。スリットノズルＮＺのうち−Ｚ方向に向けられた先端部分ＮＺａには、当該スリットノズルＮＺの長手方向に沿って形成されたスリット状のノズル開口部２１が設けられている。
【００５０】
図２（ａ）に示すように、ノズル開口部２１は、例えば長手方向が基板ＳのＹ方向の寸法とほぼ同一となるように形成されている。スリットノズルＮＺは、Ｚ方向のほぼ中央部から当該先端部分ＮＺａにかけてＸ方向の寸法が当該Ｘ方向の中央部へ向けて徐々に小さくなるように先細りに形成されている。
【００５１】
スリットノズルＮＺは、ノズル開口部２１から、例えば上記のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の金属が所定の組成比で混合された液状体Ｑ（図３参照）を吐出する。スリットノズルＮＺは、接続配管（不図示）などを介して、それぞれ液状体の供給源（不図示）に接続されている。スリットノズルＮＺは、内部に液状体を保持する保持部を有している。スリットノズルＮＺは、保持部に保持された液状体の温度を調整する温調機構（不図示）を有している。
【００５２】
スリットノズルＮＺには、ノズル駆動機構ＮＡ（図１参照）が設けられている。ノズル駆動機構ＮＡは、スリットノズルＮＺをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に駆動する構成を有している。例えば、ノズル駆動機構ＮＡは、収容室ＲＭ１の待機位置と塗布位置（図１に示す位置）との間でスリットノズルＮＺを移動可能な構成を有している。
【００５３】
図１に示すように、メンテナンス部ＭＮは、例えばスリットノズルＮＺの先端部分ＮＺａを管理するノズル先端管理ユニットＮＴＣを有している。ノズル先端管理ユニットＮＴＣは、収容室ＲＭ１を移動可能に設けられている。ノズル先端管理ユニットＮＴＣは、塗布部ＣＴによる塗布精度を高めるため、スリットノズルＮＺの先端部分ＮＺａの付着物を除去するなど、スリットノズルＮＺの先端部分ＮＺａが最適な状態となるように管理する。ノズル先端管理ユニットＮＴＣは、例えば基板Ｓの搬送経路上に移動可能に設けられている。
【００５４】
第二チャンバＣＢ２は、収容室ＲＭ２、基板搬入口ＥＮ２及び基板搬出口ＥＸ２を有している。収容室ＲＭ１は、第二チャンバＣＢ２によって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ２及び基板搬出口ＥＸ２は、第二チャンバＣＢ２に形成された開口部である。基板搬入口ＥＮ２及び基板搬出口ＥＸ２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ２は、例えば収容室ＲＭ２の−Ｘ側端部に形成されており、第一チャンバＣＢ１に接続されている。基板搬出口ＥＸ２は、例えば収容室ＲＭ２の＋Ｘ側端部に形成されており、第三チャンバＣＢ３に接続されている。
【００５５】
基板搬入口ＥＮ２及び基板搬出口ＥＸ２には、それぞれゲートバルブＧ５及びＧ６が設けられている。ゲートバルブＧ５及びＧ６を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮ２及び基板搬出口ＥＸ２がそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ５及びＧ６を閉じることにより、収容室ＲＭ２が密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ５は、第一チャンバＣＢ１の基板搬出口ＥＸ１と、第二チャンバＣＢ２の基板搬入口ＥＮ２とで共通して用いられているようになっている。
【００５６】
収容室ＲＭ２には、基板搬送機構ＴＲ２、加熱部ＨＴ２、不活性ガス供給部ＧＳ２及び排気部ＥＨ２が設けられている。基板搬送機構ＴＲ２は、収容室ＲＭ２内で基板Ｓを搬送する部分である。基板搬送機構ＴＲ２は、複数のローラー部材５２を有している。ローラー部材５２は、基板搬入口ＥＮ２から基板搬出口ＥＸ２にかけてＸ方向に配列されている。
【００５７】
各ローラー部材５２は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲ２としては、上記の基板搬送機構ＴＲＬと同様に、例えばコロ搬送機構を用いても構わないし、基板を浮上させて搬送する浮上搬送機構を用いても構わない。
【００５８】
加熱部ＨＴ２は、基板Ｓ上に塗布された液状体を加熱する部分である。加熱部ＨＴ２は、内部に赤外線装置やホットプレートなどの加熱機構を有している。加熱部ＨＴ２では、当該加熱機構を用いることにより、例えば液状体の乾燥が行われるようになっている。このため、第二チャンバＣＢ２では、減圧下において乾燥を行うことができる構成となっている。
【００５９】
不活性ガス供給部ＧＳ２は、収容室ＲＭ２に例えば窒素ガスやアルゴンガス、ヘリウムガスなどの不活性ガスを供給する。不活性ガス供給部ＧＳ２は、ガスボンベ８１及びガス管８２を有している。ガスボンベ８１は、ガス管８２を介して収容室ＲＭ２に接続されている。不活性ガス供給部ＧＳ２には、不活性ガスの供給量を調整する不図示の供給量調整部が設けられている。当該不活性ガス供給部ＧＳ２により、収容室ＲＭ２を不活性ガスの雰囲気にすることができるようになっている。
【００６０】
排気部ＥＨ２は、収容室ＲＭ２の気体を排気し、当該収容室ＲＭ２を減圧させる。排気部ＥＨ２は、排気駆動源８３及び排気管８４を有している。排気駆動源８３は、排気管８４を介して収容室ＲＭ２に接続されている。排気駆動源８３としては、例えば吸引ポンプなどが用いられている。排気管８４は、収容室ＲＭ２に設けられる端部に排気口を有している。当該排気口は、収容室ＲＭ２の底部（−Ｚ側の面）に配置されている。
【００６１】
第三チャンバＣＢ３は、収容室ＲＭ３、基板搬入口ＥＮ３及び基板搬出口ＥＸ３を有している。収容室ＲＭ３は、第三チャンバＣＢ３によって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ３及び基板搬出口ＥＸ３は、収容室ＲＭ３に形成された開口部である。基板搬入口ＥＮ３及び基板搬出口ＥＸ３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ３は、例えば収容室ＲＭ３の−Ｘ側端部に形成されており、第二チャンバＣＢ２に接続されている。基板搬出口ＥＸ３は、例えば収容室ＲＭ３の＋Ｘ側端部に形成されており、第四チャンバＣＢ４に接続されている。
【００６２】
基板搬入口ＥＮ３及び基板搬出口ＥＸ３には、それぞれゲートバルブＧ６及びＧ７が設けられている。ゲートバルブＧ６及びＧ７を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮ３及び基板搬出口ＥＸ３がそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ６及びＧ７を閉じることにより、収容室ＲＭ３が密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ６は、第二チャンバＣＢ２の基板搬出口ＥＸ２と、第三チャンバＣＢ３の基板搬入口ＥＮ３とで共通して用いられているようになっている。
【００６３】
収容室ＲＭ３には、基板搬送機構ＴＲ３及び加熱部ＨＴ３が設けられている。基板搬送機構ＴＲ３は、収容室ＲＭ３内で基板Ｓを搬送する部分である。基板搬送機構ＴＲ３は、複数のローラー部材５３を有している。ローラー部材５３は、基板搬入口ＥＮ３から基板搬出口ＥＸ３にかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材５３は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲ３としては、上記の基板搬送機構ＴＲＬと同様に、例えばコロ搬送機構を用いても構わないし、基板を浮上させて搬送する浮上搬送機構を用いても構わない。
収容室ＲＭ３には、不活性ガス回収管９３ａが接続されている。不活性ガス回収管９３ａは、接続部９３を介してポンプ３３に接続されている。また、収容室ＲＭ３には、不活性ガス供給管９８ａが接続されている。不活性ガス供給管９８ａは、接続部９８を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。
【００６４】
加熱部ＨＴ３は、基板Ｓ上に塗布された液状体を加熱する部分である。加熱部ＨＴ３は、内部に赤外線装置やホットプレート、オーブン機構などの加熱機構を有している。当該加熱部ＨＴ３としては、例えば上記の加熱部ＨＴ２で用いた加熱機構よりも強力に加熱することができる加熱機構を用いることが好ましい。加熱部ＨＴ３では、当該加熱機構を用いることにより、基板Ｓのベークが行われるようになっている。収容室ＲＭ３には、加熱部ＨＴ３が複数箇所、例えば２箇所に設けられている。このため、収容室ＲＭ３における加熱動作は、収容室ＲＭ２における加熱動作に比べて、より高い温度で基板Ｓを加熱することができる構成となっている。
【００６５】
第四チャンバＣＢ４は、収容室ＲＭ４、基板搬入口ＥＮ４及び基板搬出口ＥＸ４を有している。収容室ＲＭ４は、第四チャンバＣＢ４によって区画されており、基板Ｓを収容可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ４及び基板搬出口ＥＸ４は、収容室ＲＭ４に形成された開口部である。基板搬入口ＥＮ４及び基板搬出口ＥＸ４は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板搬入口ＥＮ４は、例えば収容室ＲＭ４の−Ｘ側端部に形成されており、第三チャンバＣＢ３に接続されている。基板搬出口ＥＸ４は、例えば収容室ＲＭ４の＋Ｘ側端部に形成されており、外部に接続されている。
【００６６】
基板搬入口ＥＮ４及び基板搬出口ＥＸ４には、それぞれゲートバルブＧ７及びＧ８が設けられている。ゲートバルブＧ７及びＧ８を例えばＺ方向にスライドさせることにより、基板搬入口ＥＮ４及び基板搬出口ＥＸ４がそれぞれ開閉するように構成されている。ゲートバルブＧ７及びＧ８を閉じることにより、収容室ＲＭ４が密閉されるようになっている。ゲートバルブＧ７は、第三チャンバＣＢ３の基板搬出口ＥＸ３と、第四チャンバＣＢ４の基板搬入口ＥＮ４とで共通して用いられているようになっている。
【００６７】
収容室ＲＭ４には、基板搬送機構ＴＲ４、冷却部ＣＬが設けられている。基板搬送機構ＴＲ４は、収容室ＲＭ４内で基板Ｓを搬送する部分である。基板搬送機構ＴＲ４は、複数のローラー部材５４を有している。ローラー部材５４は、基板搬入口ＥＮ４から基板搬出口ＥＸ４にかけてＸ方向に配列されている。各ローラー部材５４は、不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送機構ＴＲ４としては、上記の基板搬送機構ＴＲＬと同様に、例えばコロ搬送機構を用いても構わないし、基板を浮上させて搬送する浮上搬送機構を用いても構わない。
収容室ＲＭ４には、不活性ガス回収管９４ａが接続されている。不活性ガス回収管９４ａは、接続部９４を介してポンプ３３に接続されている。また、収容室ＲＭ４には、不活性ガス供給管９９ａが接続されている。不活性ガス供給管９９ａは、接続部９９を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。
【００６８】
冷却部ＣＬは、第二チャンバＣＢ２や第三チャンバＣＢ３基板Ｓで加熱された基板Ｓを冷却する部分である。冷却部ＣＬは、内部に例えば冷媒が流通可能に構成された冷却プレートなどの冷却機構を有している。当該冷却部ＣＬを用いることにより、収容室ＲＭ４では基板Ｓのクーリングが行われるようになっている。
【００６９】
制御装置ＣＯＮＴは、塗布装置ＣＴＲを統括的に制御する部分である。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ロードロックチャンバＣＢＬ、前処理チャンバＣＢＰ、接続チャンバＣＢＮ、第一チャンバＣＢ１、第二チャンバＣＢ２、第三チャンバＣＢ３及び第四チャンバＣＢ４のそれぞれの動作を制御する。
【００７０】
具体的な動作としては、例えばゲートバルブＧ１〜Ｇ８の開閉動作、基板搬送機構ＴＲＬ、ＴＲＰ、ＴＲＮ、ＴＲ１〜ＴＲ４による基板搬送動作、塗布部ＣＴによる塗布動作、加熱部ＨＴ２、ＨＴ３による加熱動作、排気部ＥＨＮ、ＥＨ２による排気動作、不活性ガス供給部ＧＳＮ、ＧＳ２によるガス供給動作、冷却部ＣＬによる冷却動作などが挙げられる。
【００７１】
制御装置ＣＯＮＴが基板搬送機構ＴＲＬ、ＴＲＰ、ＴＲＮ、ＴＲ１〜ＴＲ４のうち隣接する収容室の基板搬送機構を連動して作動させることにより、各基板搬送機構ＴＲＬ、ＴＲＰ、ＴＲＮ、ＴＲ１〜ＴＲ４は、隣接する収容室の間で基板Ｓを搬送することができるようになっている。なお、隣接する収容室の間で基板Ｓを搬送する不図示の搬送機構が別途設けられた構成であっても構わない。
なお、ポンプ３１と不活性ガス供給機構３３との間には、不活性ガス再生機構３２が設けられている。不活性ガス再生機構３２は、収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭ１、ＲＭ３及びＲＭ４からポンプ３１によって回収された気体のうち不活性ガスから不純物等を除去して不活性ガス供給機構３３に送る。不活性ガス供給機構３３からは、再生された不活性ガスが収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭ１、ＲＭ３及びＲＭ４へ供給される。
【００７２】
次に、図３〜図６を参照して、上記構成の塗布装置ＣＴＲによる動作を説明する。図３〜図６は、塗布装置ＣＴＲのうち前処理チャンバＣＢＰ、接続チャンバＣＢＮ及び第一チャンバＣＢ１の構成を示す図である。
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを搬入させる前に、収容室ＲＭＰの液槽６０内にアンモニア水６１を収容させた状態とすると共に、洗浄部ＲＳの洗浄液供給源６２に洗浄液を貯留させた状態としておく。このように、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓに前処理を行う状態を整えておく。
【００７３】
また、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを搬入させる前に、スリットノズルＮＺの保持部に液状体を保持させる。制御装置ＣＯＮＴは、スリットノズルＮＺ内の温調機構を用いて、保持部に保持された液状体の温度を調整させる。このように、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓに液状体を吐出させる状態を整えておく。
制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭＮ、ＲＭ１〜ＲＭ４を密閉状態とし、不活性ガス供給部ＧＳＮ、ＧＳ２や排気部ＥＨＮ、ＥＨ２、不活性ガス供給機構３３及びポンプ３１などを用いて収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭＮ、ＲＭ１〜ＲＭ４を不活性ガスの雰囲気としておく。
【００７４】
塗布装置ＣＴＲの状態が整った状態で、外部から塗布装置ＣＴＲに基板Ｓが搬送されてきた場合、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ２を閉塞させた状態でゲートバルブＧ１を開き、当該基板搬入口ＥＮＬから基板Ｓを収容室ＲＭＬに搬入させる。収容室ＲＭＬに基板Ｓが搬入された後、制御装置ＣＯＮＴは、ロードロックチャンバＣＢＬのゲートバルブＧ１を閉塞させる。ゲートバルブＧ１を閉塞させることにより、収容室ＲＭＬが密閉状態となる。
【００７５】
制御装置ＣＯＮＴは、不活性ガスの供給量及び排気量の調整を行わせつつ、ゲートバルブＧ２を開放する。当該ゲートバルブＧ２を開いた後、制御装置ＣＯＮＴは、ロードロックチャンバＣＢＬから前処理チャンバＣＢＰへと基板Ｓを搬送させる。
【００７６】
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰに搬入させた後、ゲートバルブＧ２を閉塞させる。ゲートバルブＧ２を閉塞させた後、図３に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを表面処理装置６０の−Ｚ側の位置まで搬送させる。基板Ｓが表面処理装置６０の−Ｚ側の位置に到達した後、制御装置ＣＯＮＴは、表面処理装置６０を用いて基板Ｓ上の裏面電極の表面の酸化膜を除去する処理を行う。
【００７７】
この場合の態様として、例えば基板Ｓに対して超音波を照射する処理、基板Ｓに対してアルカリ性溶液、例えばアンモニア水のスプレーを供給する処理、基板Ｓに対してアンモニア水と不活性ガスの混合ミストを供給する処理が挙げられる。制御装置ＣＯＮＴは、これらの処理のうち、少なくとも１つを行わせる。
このような処理を行うことにより、基板Ｓ上の裏面電極上の＋Ｚ側の表面に酸化膜が形成されている場合、アンモニア水との反応によって酸化膜が分解され、基板Ｓ上の裏面電極の表面から酸化膜が除去される。このように、基板Ｓに対して液状体を塗布する前に、基板Ｓ上の裏面電極の表面の酸化膜を除去する処理が前処理として行われる。なお、上記前処理で用いられたアンモニア水を回収し、濃度（ｐＨ）調整を行った後、不純物を除去して再利用する態様であっても構わない。
制御装置ＣＯＮＴは、表面処理装置６０に対して酸化膜除去処理を行わせた後、基板Ｓを洗浄する処理を行わせる。この場合、制御装置ＣＯＮＴは、リンス液供給機構によって基板Ｓ上にリンス液を供給し、アンモニア水を洗い流す。その後、制御装置ＣＯＮＴは、エアナイフ機構を用いて基板Ｓ上のリンス液を除去する。
【００７８】
基板Ｓ上のリンス液を除去した後、基板Ｓを加熱して乾燥させる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、表面処理装置６０の加熱機構を用いて、基板Ｓに供給されて残ったアンモニア水あるいは基板Ｓ上に残ったリンス液などの液体を加熱する。この場合、例えば表面処理装置６０が基板Ｓの搬送経路の＋Ｚ側に赤外線ヒータなどを有する構成であれば、基板Ｓを搬送させつつ赤外線ヒータの−Ｚ側を通過する基板Ｓを加熱することができる。
基板Ｓを乾燥させた後、ゲートバルブＧ３を開放して基板Ｓを前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰから接続チャンバＣＢＮの収容室ＲＭＮへと搬送させる。両室ともに不活性ガスの雰囲気となるように調整されているため、酸化膜を除去した基板Ｓ上の裏面電極の表面の酸化が抑制されることになる。
【００７９】
なお、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓ上の裏面電極の表面の酸化膜を除去した後、リンス液による基板Ｓの洗浄を行わせずにエアナイフを形成させ、当該エナアイフから不活性ガス（例えば、窒素、アルゴン等）を放出してアンモニア水を除去させても構わない。また、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓ上の裏面電極の表面の酸化膜を除去した後、リンス液による洗浄、エアナイフによる液体の除去を行わせずに、上記の乾燥処理を行わせても構わない。
【００８０】
図４に示すように、基板Ｓが収容室ＲＭＮに配置された後、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ３を閉塞させて収容室ＲＭＮを密閉状態とする。収容室ＲＭＮを密閉状態とした後、基板Ｓを待機させつつ、収容室ＲＭＮの雰囲気を調整して不活性ガス雰囲気とする。
【００８１】
制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭＮの雰囲気を調整して不活性ガス雰囲気とした後、ゲートバルブＧ４を開放させる。ゲートバルブＧ４を開放させた後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを接続チャンバＣＢＮの収容室ＲＭＮから第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１へと搬送させる。収容室ＲＭＮ及び収容室ＲＭ１は、両室ともに不活性ガスの雰囲気となるように調整されているため、基板Ｓの表面の酸化が抑制されることになる。
【００８２】
このように、前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰから第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１までの間が不活性ガスの雰囲気となっているため、前処理後、塗布処理までの間における基板Ｓの表面の酸化が抑制されることになる。このため、基板Ｓ上の裏面電極の表面に酸化膜が極めて少ない状態で当該基板Ｓの表面に対して塗布処理が行われることになる。
【００８３】
塗布処理を行う場合、制御装置ＣＯＮＴは、基板搬送機構ＴＲ１のローラー部材５１を回転させ、基板Ｓを＋Ｘ方向に移動させる。基板Ｓの＋Ｘ側の端辺がＺ方向視でスリットノズルＮＺに重なる位置に到達したら、図５に示すように、制御装置ＣＯＮＴはスリットノズルＮＺから液状体Ｑを吐出しつつ、基板ＳをＸ方向に移動させることにより、基板Ｓの表面全体に液状体Ｑを塗布させる。
【００８４】
前処理によって基板Ｓ上の裏面電極の表面に形成された酸化膜が除去され、その後ほとんど酸化膜が形成されていないため、基板Ｓの所定領域上に当該液状体の塗布膜がほぼ均一の膜厚で形成されることになる。塗布膜の形成後、図６に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、スリットノズルＮＺからの液状体の吐出動作を停止させる。
【００８５】
吐出動作を停止後、制御装置ＣＯＮＴは、塗布膜が形成された基板Ｓを第二チャンバＣＢ２の収容室ＲＭ２に収容させる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ５を開いた状態とし、基板搬出口ＥＸ１及び基板搬入口ＥＮ２を介して当該基板Ｓを収容室ＲＭ２へと搬入させる。
【００８６】
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを収容室ＲＭ２に搬入した後、ゲートバルブＧ５及びＧ６を閉塞させ、収容室ＲＭ２を密閉させる。その後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓが加熱部ＨＴ２の−Ｚ側に位置するように移動させ、その後排気部ＥＨ２を作動させることにより収容室ＲＭ２を減圧させる。収容室ＲＭ２を減圧させた後、制御装置ＣＯＮＴは、加熱部ＨＴ２を作動させて基板Ｓ上の塗布膜を加熱（減圧乾燥）させる。
【００８７】
減圧下で液状体を加熱することにより、塗布膜Ｌは短時間で効率的に乾燥する。このときの加熱温度としては、洗浄後の乾燥処理と同様、３００℃以下となるようにする。この場合においても、加熱温度を３００℃以下とすることにより、基板Ｓの構成材料が樹脂材料であっても、基板Ｓに変形させること無く加熱処理が行われることとなる。
【００８８】
制御装置ＣＯＮＴは、例えばローラー部材５２の回転動作を停止させ、基板Ｓの移動を停止させた状態で加熱部ＨＴ２を作動させるようにする。例えばローラー部材５２の回転動作速度を調整し、基板Sの移動速度を遅くした状態で加熱部Ｈ２を作動させるようにする。また、例えば基板Ｓ上の塗布膜が乾燥するまでの時間や加熱温度などを予め記憶させておくようにし、制御装置ＣＯＮＴが当該記憶させた値を用いて加熱時間及び加熱温度などを調整することで塗布膜Ｌの加熱動作を行わせる。
【００８９】
減圧乾燥動作の後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを第三チャンバＣＢ３の収容室ＲＭ３に収容させる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ６を開いた状態とし、基板搬出口ＥＸ２及び基板搬入口ＥＮ３を介して当該基板Ｓを収容室ＲＭ３へと搬入させる。
【００９０】
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを収容室ＲＭ３に搬入した後、当該基板ＳがＺ方向において二つの加熱部ＨＴ３に挟まれるように移動させる。基板Ｓを移動後、制御装置ＣＯＮＴは、加熱部ＨＴ３を作動させて基板Ｓ及び当該基板Ｓ上の塗布膜を加熱（ベーク）させる。当該加熱動作を行わせることにより、塗布膜の状態を安定させることができる。
【００９１】
加熱動作の後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを第四チャンバＣＢ４の収容室ＲＭ４に収容させる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ７を開いた状態とし、基板搬出口ＥＸ３及び基板搬入口ＥＮ４を介して当該基板Ｓを収容室ＲＭ４へと搬入させる。
【００９２】
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを収容室ＲＭ４に搬入した後、当該基板ＳがＺ方向において冷却部ＣＬ上に配置されるように移動させる。基板Ｓを移動後、制御装置ＣＯＮＴは、冷却部ＣＬを作動させて基板Ｓ及び当該基板Ｓ上の塗布膜を冷却（クーリング）させる。
当該冷却動作を行わせた後、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ８を開放させ、基板搬出口ＥＸ４を介して基板Ｓを搬出させる。このようにして、塗布装置ＣＴＲを用いた処理が完了する。
【００９３】
以上のように、本実施形態によれば、塗布部ＣＴによって液状体Ｑが塗布される収容室ＲＭ１と前処理部ＰＲＥによって前処理が行われる収容室ＲＭＰとを接続する収容室ＲＭＮを有し、当該収容室ＲＭＮの雰囲気が不活性ガスの雰囲気となるように調整可能に設けられた接続部ＣＮＥを備える構成であるため、収容室ＲＭＰから収容室ＲＭ１までの空間を不活性ガスの雰囲気とすることができる。これにより、基板Ｓに対する前処理後、塗布までの間に基板Ｓの表面の状態の変化を抑えることが可能となる。
【００９４】
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態を説明する。
図７は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲ２の構成を示す図である。
図７に示すように、本実施形態に記載の塗布装置ＣＴＲ２は、基板処理部ＰＲＣを直列に繰り返し設ける構成となっている。
塗布装置ＣＴＲ２は、基板搬入部ＬＤＲ、前処理部ＰＲＥ、接続部ＣＮＥ及び基板処理部ＰＲＣ１〜ＰＲＣ３を有することとなる。各基板処理部ＰＲＣ１〜ＰＲＣ３の構成は、上記基板処理部ＰＲＣの構成と同一である。また、基板処理部ＰＲＣ３の第四チャンバ装置ＣＢ４は、冷却部とアンローディング装置とを兼ねた構成となっている。
この場合、基板Ｓを一方向（Ｘ方向）に搬送することで、基板Ｓに複数層の塗布膜を形成することができる。なお、この場合、基板処理部ＰＲＣ１〜ＰＲＣ３のそれぞれの第一チャンバ装置ＣＢ１において、異なる種類の液状体を塗布することができる構成としても構わない。
以上のように、本実施形態によれば、基板処理部ＰＲＣが直列に繰り返し設けられているため、基板Ｓに対して塗布膜を積層する工程を連続して行うことができる。これにより、基板Ｓに対して効率的に塗布膜を形成することができる。
【００９５】
［第三実施形態］
次に、本発明の第三実施形態を説明する。
図８は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲ３の構成を示す図である。
なお、図８においては、上記実施形態と同様、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該ＸＹＺ座標系においては、図中左右方向をＸ方向と表記し、平面視でＸ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。Ｘ方向軸及びＹ方向軸を含む平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
【００９６】
本実施形態の塗布装置ＣＴＲ３は、基板搬入部ＬＤＲ、前処理部ＰＲＥ及び基板処理部ＰＲＣを有しており、基板処理部ＰＲＣの第一チャンバＣＢ１、第二チャンバＣＢ２、第三チャンバＣＢ３及び第四チャンバＣＢ４がインターフェース部ＩＦを中心として分岐されるように接続された構成となっている。したがって、本実施形態では、インターフェース部ＩＦが前処理部ＰＲＥと第一チャンバＣＢ１とを接続する接続部を兼ねている。
【００９７】
インターフェース部ＩＦは、共用チャンバＣＢＩを有している。共用チャンバＣＢＩは、収容室ＲＭＩ、接続口ＪＮＬ、ＪＮ１〜ＪＮ３を有している。接続口ＪＮＬ、ＪＮ１〜ＪＮ４は、インターフェース部ＩＦと各チャンバとの間を接続する。各接続口ＪＮＬ、ＪＮ１〜ＪＮ３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。これら接続口ＪＮ１〜ＪＮ４を介して、基板Ｓがチャンバ間を移動可能となっている。
【００９８】
接続口ＪＮＬは、共用チャンバＣＢＩの収容室ＲＭＩと前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰとを接続する。接続口ＪＮ１は、上記収容室ＲＭＩと第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１とを接続する。接続口ＪＮ２は、上記収容室ＲＭＩと第二チャンバＣＢ２の収容室ＲＭ２とを接続する。接続口ＪＮ３は、上記収容室ＲＭＩと第三チャンバＣＢ３の収容室ＲＭ３とを接続する。
【００９９】
収容室ＲＭＩには、アーム部ＡＲＭを有するロボット装置ＲＢＴが設けられている。アーム部ＡＲＭは、ロボット装置ＲＢＴの基部ＦＮＤに接続されている。基部ＦＮＤは、不図示の駆動機構により、Ｚ方向に移動可能（昇降可能）に設けられている。アーム部ＡＲＭは、ＸＹ平面上の一方向に伸縮可能に形成されている。アーム部ＡＲＭは、基部ＦＮＤと接続部を中心として、θＺ方向に回転可能に設けられている。
【０１００】
前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰ、第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１及び第二チャンバＣＢ２の収容室ＲＭ２には、それぞれ基板Ｓを保持する基板保持部ＨＬＤが設けられている。本実施形態においては、収容室ＲＭＰ、収容室ＲＭ１及び収容室ＲＭ２では、基板Ｓが基板保持部ＨＬＤによって保持された状態で当該基板Ｓに対して処理が行われる構成となっている。また、前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰには、上記第一実施形態と同一構成の表面処理装置６０が設けられている。
【０１０１】
第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１には、塗布部ＣＴ及びメンテナンス部ＭＮが設けられている。塗布部ＣＴは、ノズルＮＺ及びガイド機構Ｇを有している。ノズルＮＺは、ガイド機構Ｇに沿って移動可能に設けられている。ガイド機構Ｇは、基板保持部ＨＬＤに保持された基板Ｓの表面（例えば、＋Ｚ側の面）上を跨いで延在している。したがって、ノズルＮＺは、基板Ｓの表面全体を走査するように移動可能となっている。
【０１０２】
メンテナンス部ＭＮは、ノズルＮＺの先端を管理するノズル管理部ＮＴＣを有している。ノズル管理部ＮＴＣは、例えば基板保持部ＨＬＤの側方に配置されている。上記のガイド機構Ｇは基板保持部ＨＬＤから当該ノズル管理部ＮＴＣに跨って延在されており、ノズルＮＺをノズル管理部ＮＴＣにアクセスさせることが可能な構成となっている。
【０１０３】
第三チャンバＣＢ３の収容室ＲＭ３及び第四チャンバＣＢ４の収容室ＲＭ４には、上記実施形態と同様の基板搬送機構ＴＲが設けられている。収容室ＲＭ３には複数の搬送ローラー５３が一方向に設けられており、収容室ＲＭ４には複数の搬送ローラー５４が一方向に設けられている。第三チャンバＣＢ３及び第四チャンバＣＢ４においては、基板Ｓは収容室ＲＭ３及び収容室ＲＭ４において一方向に搬送される構成となっている。
【０１０４】
第二チャンバＣＢ２の収容室ＲＭ２には、加熱部ＨＴ２、不活性ガス供給部ＧＳ及び排気部ＥＨ２が設けられている。第二チャンバＣＢ２では、減圧下において乾燥を行うことができる構成となっている。第三チャンバＣＢ３の収容室ＲＭ３には、加熱部ＨＴ３が設けられている。収容室ＲＭ３には、加熱部ＨＴ３が複数箇所、例えば２箇所に設けられている。収容室ＲＭ３における加熱動作は、収容室ＲＭ２における加熱動作に比べて、より高い温度で基板Ｓを加熱することができる構成となっている。第四チャンバＣＢ４の収容室ＲＭ４には、冷却部ＣＬが設けられている。当該冷却部ＣＬを用いることにより、収容室ＲＭ４では基板Ｓのクーリングが行われるようになっている。
収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭ１、ＲＭ３及びＲＭ４には、それぞれ不活性ガス回収管９０ａ、９１ａ、９２ａ、９３ａ及び９４ａが接続されている。不活性ガス回収管９０ａ、９１ａ、９２ａ、９３ａ及び９４ａは、接続部９０、９１、９２、９３及び９４を介してポンプ３１に接続されている。また、収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭ１、ＲＭ３及びＲＭ４には、不活性ガス供給管９５ａ、９６ａ、９７ａ、９８ａ及び９９ａが接続されている。不活性ガス供給管９５ａ、９６ａ、９７ａ、９８ａ及び９９ａａは、接続部９５、９６、９７、９８及び９９を介して不活性ガス供給機構３３に接続されている。
【０１０５】
次に、上記構成の塗布装置ＣＴＲ３の動作を説明する。
制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭＩ、ＲＭ１〜ＲＭ４を密閉状態とし、不活性ガス供給部ＧＳＮ、ＧＳ２や排気部ＥＨＩ、ＥＨ２、不活性ガス供給機構３３及びポンプ３１などを用いて収容室ＲＭＬ、ＲＭＰ、ＲＭＩ、ＲＭ１〜ＲＭ４を不活性ガスの雰囲気としておく。
この状態で、基板Ｓが基板搬入部ＬＤＲであるロードロックチャンバＣＢＬの基板搬入口ＥＮＴから収容室ＲＭＬに搬入される。基板Ｓが収容室ＲＭＬに収容された後、制御装置ＣＯＮＴは、ロードロックチャンバＣＢＬと前処理チャンバＣＢＰとの間のゲートバルブＧＢが開放させる。
【０１０６】
ゲートバルブＧＢの開放の後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓを前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰに搬入させ、当該基板Ｓを基板保持部ＨＬＤ上に載置させる。基板Ｓが基板保持部ＨＬＤに載置された後、制御装置ＣＯＮＴは、表面処理装置６０を用いて基板Ｓに対して前処理を行わせる。当該前処理としては、例えば上記第一実施形態と同様の処理を行わせる。
前処理を行わせた後、制御装置ＣＯＮＴは、インターフェース部ＩＦに設けられたロボット装置ＲＢＴのアーム部ＡＲＭを収容室ＲＭＰにアクセスさせる。制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭＬにアクセスさせた当該アーム部ＡＲＭを用いて基板保持部ＨＬＤに保持された基板Ｓを持ち上げ、接続口ＪＮＬを介してインターフェース部ＩＦに搬送する。
【０１０７】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、共用チャンバＣＢＩと第一チャンバＣＢ１との間のゲートバルブＧＢを開放させ、基板Ｓを保持している状態のアーム部ＡＲＭを第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１にアクセスさせる。制御装置ＣＯＮＴは、第一チャンバＣＢ１の基板保持部ＨＬＤ上に基板Ｓを載置させ、一旦アーム部ＡＲＭを共用チャンバＣＢＩに引き戻させる。
【０１０８】
アーム部ＡＲＭを引き戻させた後、制御装置ＣＯＮＴは、第一チャンバＣＢ１のゲートバルブＧＢを閉塞させ、収容室ＲＭ１内で塗布動作を行わせる。当該塗布動作は、例えば基板Ｓを基板保持部ＨＬＤ上に載置させた状態で、ノズルＮＺを移動させつつ当該ノズルＮＺから液状体を基板Ｓの表面（例えば、＋Ｚ側の面）に吐出することで、基板Ｓの表面全体に液状体の塗布膜を形成する。
【０１０９】
ノズルＮＺは、例えばガイド機構Ｇに沿って基板Ｓの表面上を移動しつつ基板Ｓの表面に対して液状体を吐出する。これにより、基板Ｓの表面には均一に液状体の塗布膜を形成されることになる。制御装置ＣＯＮＴは、ノズル管理装置ＭＮを例えば定期的あるいは不定期に用いることにより、ノズルＮＺの先端（−Ｚ側の端部）を管理させるようにする。
【０１１０】
このように、前処理チャンバＣＢＰの収容室ＲＭＰから第一チャンバＣＢ１の収容室ＲＭ１までの間が不活性ガスの雰囲気となっているため、前処理後、塗布処理までの間における基板Ｓの表面の酸化が抑制されることになる。このため、基板Ｓ上の裏面電極の表面に酸化膜が極めて少ない状態で当該基板Ｓの表面に対して塗布処理が行われることになる。
【０１１１】
塗布動作の後、制御装置ＣＯＮＴは、第一チャンバＣＢ１のゲートバルブＧＢを開放させ、アーム部ＡＲＭによって収容室ＲＭ１の基板保持部ＨＬＤ上の基板Ｓを共用チャンバＣＢＩへ搬出させる。基板Ｓの搬出後、制御装置ＣＯＮＴは、共用チャンバＣＢＩと第二チャンバＣＢ２との間のゲートバルブＧＢを開放させ、アーム部ＡＲＭを用いて基板Ｓを第二チャンバＣＢ２の収容室ＲＭ２に搬入させる。
【０１１２】
制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭ２の基板保持部ＨＬＤによって基板Ｓが保持されるようにアーム部ＡＲＭを移動させる。制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓが保持された後、アーム部ＡＲＭを共用チャンバＣＢＩへ引き戻させ、第二チャンバＣＢ２のゲートバルブＧＢを閉塞させる。制御装置ＣＯＮＴは、収容室ＲＭ２を密閉させた後、排気部ＥＨ２を用いて収容室ＲＭ２を減圧させると共に、不活性ガス供給部ＧＳ２を用いて収容室ＲＭ２を不活性ガス雰囲気にさせる。収容室ＲＭ２を不活性ガス雰囲気としつつ減圧させた状態で、制御装置ＣＯＮＴは、加熱部ＨＴ２を用いて基板Ｓの表面に形成された液状体の塗布膜を乾燥させる。
【０１１３】
乾燥動作後、制御装置ＣＯＮＴは、アーム部ＡＲＭを作動させ、基板Ｓを収容室ＲＭ２から搬出させると共に、当該基板Ｓを第三チャンバＣＢ３の収容室ＲＭ３へ搬入させる。基板Ｓが収容室ＲＭ３に搬入された後、制御装置ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲを作動させることで基板Ｓを２つの加熱部ＨＴ３の間の処理位置へと搬送する。当該処理位置に基板Ｓが到達した後、制御装置ＣＯＮＴは、加熱部ＨＴ３を作動させ、基板Ｓを焼成させる。焼成動作の後、制御装置ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲを作動させ、基板Ｓを第四チャンバＣＢ４の収容室ＲＭ４へ搬入させる。
【０１１４】
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｓが収容室ＲＭ４に搬入された後、冷却部ＣＬを作動させることにより、当該基板Ｓを冷却させる。冷却動作の後、制御装置ＣＯＮＴは、第四チャンバＣＢ４の＋Ｘ側に配置された基板搬出口ＥＸＴから基板Ｓを塗布装置ＣＴＲ３の外部に搬出させる。
【０１１５】
以上のように、本実施形態によれば、共用チャンバＣＢＩにロードロックチャンバＣＢＬ、第一チャンバＣＢ１、第二チャンバＣＢ２及び第三チャンバＣＢ３が接続されており、ロボット装置ＲＢＴによって基板Ｓがインターフェース部ＩＦを介して各チャンバの収容室に搬送される構成としたので、効率的な処理が可能となる。
【０１１６】
なお、この場合、加熱（ベーク）動作を行う第三チャンバＣＢ３から冷却処理を行う第四チャンバＣＢ４を直列に接続されることにより、ベークされた基板Ｓを共用チャンバＣＢＩに搬入させずに塗布装置ＣＴＲ３から搬出させることができる。これにより、共用チャンバＣＢＩの温度が高くなってしまうのを防ぐことができる。
【０１１７】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
【０１１８】
上記実施形態においては、塗布装置ＣＴＲの動作において、収容室ＲＭＰ、収容室ＲＭＮ及び収容室ＲＭ１の３室の雰囲気を纏めて調整させる場合を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、当該調整動作において、制御装置ＣＯＮＴは、少なくとも収容室ＲＭＮが不活性ガス雰囲気となるように不活性ガス供給部ＧＳＮ及び排気部ＥＨＮを調整すれば良い。したがって、上記ゲートバルブＧ３及びゲートバルブＧ４を閉じた状態として、収容室ＲＭＮの雰囲気のみを調整させるようにしても構わない。
【０１１９】
また、制御装置ＣＯＮＴは、ゲートバルブＧ３及びゲートバルブＧ４のうち一方を開いた状態とし、他方を閉じた状態として不活性ガス供給部ＧＳＮ及び排気部ＥＨＮを調整させても構わない。
【０１２０】
また、上記収容室ＲＭＰ、収容室ＲＭＮ及び収容室ＲＭ１の雰囲気の調整動作において、接続チャンバＣＢＮに設けられた不活性ガス供給部ＧＳＮ及び排気部ＥＨＮを用いることとしたが、これに限られることは無い。例えば、第二チャンバＣＢ２の不活性ガス供給部ＧＳ２及び排気部ＥＨ２を用いて上記収容室ＲＭＰ、収容室ＲＭＮ及び収容室ＲＭ１の雰囲気の調整動作を行わせても構わない。
【０１２１】
また、上記実施形態では、基板Ｓに液状体Ｑを塗布する塗布処理の前処理として、基板Ｓ上の裏面電極の表面に形成された酸化膜を除去する処理を行う場合を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、他の処理であっても構わない。また、上記実施形態では、酸化膜除去処理の後に基板Ｓを洗浄する処理を行う場合を例に挙げて説明したが、当該洗浄処理を単独で行うようにしても構わない。
【０１２２】
また、上記実施形態では、酸化膜除去処理として、基板Ｓに超音波やアンモニア水を噴射して供給する処理を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図９に示すように、表面処理装置６０がパドル方式でアンモニア水６２を基板Ｓ上に供給する構成であっても構わない。また、この場合、パドル６１に超音波を掛ける構成としても構わない。
【０１２３】
また、例えば図１０に示すように、基板Ｓをアンモニア水６２に浸漬させる処理であって構わない。この場合、例えばアンモニア水６２を槽内に入れておき、基板搬送機構ＴＲＰのローラー部材４９が槽内に配置された構成とすることができる。これにより、基板Ｓの搬送経路にアンモニア水６２が配置されるため、基板Ｓを搬送させる動作を行うだけで基板Ｓの表面の処理を行うことができる。
【０１２４】
これらの構成のほか、例えばアンモニア水６２の基板Ｓに対して不活性原子（例えば、アルゴン原子など）を用いてスパッタリングを行う処理であっても構わない。この場合であっても、基板Ｓ上の裏面電極の表面に形成された酸化膜を除去することができる。また、この場合では液体を用いないため、乾燥工程を省くことができるという利点もある。
【符号の説明】
【０１２５】
ＣＴＲ…塗布装置 ＣＯＮＴ…制御装置 Ｓ…基板 ＰＲＥ…前処理部 ＣＢＰ…前処理チャンバ ＣＮＥ…接続部 ＣＢＮ…接続チャンバ ＰＣＳ…基板処理部 ＣＢ１…第一チャンバ ＣＴ…塗布部 ＮＺ…スリットノズル ＲＭＰ、ＲＭＮ、ＲＭ１…収容室 ＴＲＰ、ＴＲＮ、ＴＲ１…基板搬送機構 ６１…アンモニア水 ＲＳ…洗浄部 Ｑ…液状体 Ｌ…塗布膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
易酸化性の金属を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、
前記液状体が塗布される前の前記基板に対して前処理を行う前処理部と、
前記塗布部によって前記液状体が塗布される塗布空間と前記前処理部によって前記前処理が行われる前処理空間とを接続する接続空間を有し、前記接続空間の雰囲気が不活性ガスの雰囲気となるように調整可能に設けられた接続部と
を備える塗布装置。
【請求項２】
前記接続空間に前記不活性ガスを供給する第一供給部
を更に備える請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記前処理空間に前記不活性ガスを供給する第二供給部
を更に備える請求項１又は請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記塗布空間に前記不活性ガスを供給する第三供給部
を更に備える請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間のうち少なくとも１つの空間を囲うチャンバ部
を更に備える請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記チャンバ部は、前記接続空間を囲うロードロックチャンバを有する
請求項５に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間のうち少なくとも１つの空間を吸引する吸引部
を更に備える請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項８】
前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間の間で前記基板を搬送する搬送部
を更に備える請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項９】
前記基板は、表面に金属が形成されている
請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１０】
前記液状体は、ヒドラジンを含む
請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１１】
前記基板上には、裏面電極が設けられており、
前記前処理は、前記裏面電極から酸化膜を除去する酸化膜除去処理である
請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１２】
前記酸化膜除去処理は、前記基板に対するアルカリ性溶液による処理、及び、前記基板に対して不活性原子を用いてスパッタリングを行う処理、のうち少なくとも一方を含む
請求項１１に記載の塗布装置。
【請求項１３】
前記基板に対するアルカリ性溶液による処理は、アンモニア水による処理又はアンモニア蒸気による処理のうち少なくとも一方を含む
請求項１２に記載の塗布装置。
【請求項１４】
前記前処理は、前記基板を洗浄する洗浄処理である
請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１】
易酸化性の金属を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、
前記液状体が塗布される前の前記基板に対して前処理を行う前処理部と、
前記塗布部によって前記液状体が塗布される塗布空間と前記前処理部によって前記前処理が行われる前処理空間とを接続する接続空間を有し、前記接続空間の雰囲気が不活性ガスの雰囲気となるように調整可能に設けられた接続部と
を備える塗布装置。
【請求項２】
前記接続空間に前記不活性ガスを供給する第一供給部
を更に備える請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記前処理空間に前記不活性ガスを供給する第二供給部
を更に備える請求項１又は請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記塗布空間に前記不活性ガスを供給する第三供給部
を更に備える請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間のうち少なくとも１つの空間を囲うチャンバ部
を更に備える請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記チャンバ部は、前記接続空間を囲うロードロックチャンバを有する
請求項５に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間のうち少なくとも１つの空間を吸引する吸引部
を更に備える請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項８】
前記塗布空間、前記前処理空間及び前記接続空間の間で前記基板を搬送する搬送部
を更に備える請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項９】
前記基板は、表面に金属が形成されている
請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１０】
前記液状体は、ヒドラジンを含む
請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１１】
前記基板上には、裏面電極が設けられており、
前記前処理は、前記裏面電極から酸化膜を除去する酸化膜除去処理である
請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１２】
前記酸化膜除去処理は、前記基板に対するアルカリ性溶液による処理、及び、前記基板に対して不活性原子を用いてスパッタリングを行う処理、のうち少なくとも一方を含む
請求項１１に記載の塗布装置。
【請求項１３】
前記基板に対するアルカリ性溶液による処理は、アンモニア水による処理又はアンモニア蒸気による処理のうち少なくとも一方を含む
請求項１２に記載の塗布装置。
【請求項１４】
前記前処理は、前記基板を洗浄する洗浄処理である
請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−１７０８４６（Ｐ２０１２−１７０８４６Ａ）
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３３３６９（Ｐ２０１１−３３３６９）
【出願日】平成２３年２月１８日（２０１１．２．１８）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１８日（２０１１．２．１８）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
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