多層配線基板の製造方法、多層配線基板及び電子機器
【課題】コンタクトホールの位置や大きさの制御性に優れた多層配線基板の製造方法、多層配線基板、電子機器。
【解決手段】第１導電層１と第２導電層とが絶縁層３を介して積層され、絶縁層３に開口された開口部４を介して第１導電層１と第２導電層とが電気的に接続されてなる多層配線基板の製造方法であって、第１導電層１上に撥液部２を形成する工程と、撥液部２の周囲に絶縁層３の形成材料を含む機能液Ｌ２を配置し、第１導電層１上に開口部４を有する絶縁層３を形成する工程と、を備え、絶縁層３を形成する工程では、機能液Ｌ２が撥液部２と接触する部分の角度が機能液Ｌ２の前進接触角よりも大きくなる条件で機能液Ｌ２を配置し、機能液Ｌ２の撥液部２に面する部分の位置を撥液部２の内側に流動させることにより、撥液部２の面積よりも小さい開口面積を備える開口部４を形成する。
【解決手段】第１導電層１と第２導電層とが絶縁層３を介して積層され、絶縁層３に開口された開口部４を介して第１導電層１と第２導電層とが電気的に接続されてなる多層配線基板の製造方法であって、第１導電層１上に撥液部２を形成する工程と、撥液部２の周囲に絶縁層３の形成材料を含む機能液Ｌ２を配置し、第１導電層１上に開口部４を有する絶縁層３を形成する工程と、を備え、絶縁層３を形成する工程では、機能液Ｌ２が撥液部２と接触する部分の角度が機能液Ｌ２の前進接触角よりも大きくなる条件で機能液Ｌ２を配置し、機能液Ｌ２の撥液部２に面する部分の位置を撥液部２の内側に流動させることにより、撥液部２の面積よりも小さい開口面積を備える開口部４を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板の製造方法、多層配線基板及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液滴吐出法（インクジェット方式）を用いて所望の材料を含む液状体を吐出し、所定位置に着弾させることによって一定の材料パターンを形成する技術が活発に開発されている。このパターン形成技術は、用いるインクジェットヘッドの解像度に応じて微少な液状体を所望の位置に塗布することが可能であり、そのため微細なパターンの形成ができるという特長を有する。例えば、回路基板の微細な配線パターンを形成するには、配線材料または配線材料の溶液を塗布することにより配線パターンを形成することができる。
【０００３】
しかしこの方法は、液状体を塗布する面の性質の影響を受けやすい。例えば、液状体の液滴を着弾させる箇所が液状体に対して濡れやすく（親液性）なっていると、塗布された液滴は所望の形状以上に塗れ広がってしまうことがある。逆に、着弾箇所が液状体に対して濡れにくく（撥液性）なっていると、液状体が着弾面で凝集し液溜り（バルジ）を形成してしまい、やはり所望の形状が形成できないという場合がある。
【０００４】
ところで、近年の電子装置の小型化・多機能化という市場の要求に応え、電子回路は高密度化・高集積化する傾向を示している。この電子回路の高集積化を果たす技術の一つとしては、回路の多層配線構造が挙げられる。このような構造を備えた回路では、電子回路を平面的に形成するだけでなく、回路基板を積層させて縦方向にも形成することで、小さい設置面積で高い性能の回路を実現している。このような多層配線構造を採る場合、各層の配線パターン同士は、各層間の絶縁膜に形成されるコンタクトホールを介して接続される。一般に、このような多層配線構造を備えた回路では、回路の高密度化・高集積化の要求のため、コンタクトホールも微細なものが求められている。
【０００５】
このようなコンタクトホールを形成する技術として、特許文献１や特許文献２には液滴吐出法を用いた形成方法が挙げられている。詳しくは、液滴吐出法にて絶縁膜の形成材料を含む液状体（絶縁インク）を塗布し層間絶縁膜を形成する際に、コンタクトホールの形成領域にのみ絶縁インクの塗布を行わないことで絶縁膜を形成しない領域を設け、この絶縁層を形成しない領域をコンタクトホールとする方法である。
【特許文献１】特開２００３−２８２５６１号公報
【特許文献２】特開２００６−１４０４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した方法では、例えば金属配線等の濡れ性がよい箇所にコンタクトホールを形成する場合に、塗布した絶縁インクが所望の領域外に濡れ拡がりやすいため、コンタクトホールを所望の大きさに制御することが困難であるという課題があった。
【０００７】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、コンタクトホールの位置や大きさの制御性に優れた多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。また、このような多層配線基板の製造方法を用いて製造することにより、微細なコンタクトホールを備えた多層配線基板を提供することを目的とする。更には、このような多層配線基板を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明の多層配線基板の製造方法は、第１導電層と第２導電層とが絶縁層を介して積層され、前記絶縁層に開口された開口部を介して前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続されてなる多層配線基板の製造方法であって、前記第１導電層上に撥液部を形成する工程と、前記撥液部の周囲に前記絶縁層の形成材料を含む機能液を配置して前記第１導電層上に前記開口部を有する前記絶縁層を形成する工程と、を備え、前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度が前記機能液の前進接触角よりも大きくなる条件で前記機能液を配置し、前記機能液の前記撥液部に面する部分の位置を前記撥液部の内側に流動させることにより、前記撥液部の面積よりも小さい開口面積を備える前記開口部形成することを特徴とする。
【０００９】
この方法によれば、まず、形成する開口部（コンタクトホール）と重なる第１導電層上の領域よりも広い領域に、撥液材料を含む液状体（撥液インク）を塗布し撥液部を形成する。この撥液インクの塗布を液滴吐出法により行うので、所望の正確な位置に撥液部を形成することができる。
【００１０】
次いで、絶縁層形成材料を含む機能液（絶縁インク）を塗布すると、絶縁インクは形成された撥液部の撥液性によりはじかれるため、ひとまず撥液部以外の領域に配置され、撥液部に重なる領域が開口された状態で塗布される。ここで、絶縁インクが撥液部と接触する部分の角度（接触角）が前進接触角よりも大きくなるような塗布条件で絶縁インクの塗布を行うと、絶縁インクは撥液部の外縁部で留まらず、撥液部の内側にまで流動し濡れ広がる。本発明では、絶縁インクの塗布を液滴吐出法により行うため精密な塗布の制御が可能であり、精密な塗布の制御により精密に絶縁インクの撥液部の内部への流動を制御することができる。この流動する絶縁インクが形成されるコンタクトホールと重なる領域に至るまで塗布を行うことで、コンタクトホールと重なる領域以外の領域に絶縁インクを配置し、コンタクトホールを設けた絶縁層を形成することができる。更に、絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して第１導電層と電気的に接続する第２導電層を形成することで、多層配線基板を形成することができる。
【００１１】
このような方法で多層配線基板を製造すると、撥液部の位置によりコンタクトホールの位置を正確に設定し、撥液部の内部に流動する絶縁インクを接触角で制御することにより撥液部の面積よりも小さい開口面積を備えるコンタクトホールを自在に形成することができる。そのため、正確にコンタクトホールの位置や大きさが制御された多層配線基板を製造することができる。
【００１２】
本発明においては、前記撥液部を液滴吐出法により形成することが望ましい。
この方法によれば、微細な面積の撥液部を容易に形成することができ、形成した撥液部を基に微細なコンタクトホールを形成することができる。
【００１３】
本発明においては、前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液の塗布量によって、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度を制御することが望ましい。
ある接触角（静的接触角）で固体表面に配置された液状体の液滴に更に液状体を供給すると、自重により液滴がつぶれ変形する。この変形に対応して接触角は変化し、接触角が前進接触角を越えるまで液状体を供給すると、自重による変形を緩和させ接触角が前進接触角に等しくなるまで液滴は濡れ広がる。このことから、絶縁インクの塗布量を制御することで、容易に絶縁インクの前進接触角よりも大きくなる条件で塗布することが可能となり、コンタクトホールの形成が容易になる。
【００１４】
本発明においては、前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液の加熱することによって、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度を制御することが望ましい。
固体表面に配置された液状体の接触角は液状体の温度により変化し、液状体の温度が上がると前進接触角は小さく、温度が下がると前進接触角は大きくなる。そのため、ある接触角で配置された絶縁インクの温度を上げると、前進接触角の値が変化し、接触角が前進接触角以上になると流動を開始する。したがって、絶縁インクの温度を制御することで、容易に接触角を変化させることができ、絶縁インクの撥液部の内側への流動を制御することが容易となる。
【００１５】
本発明においては、前記撥液材料は、シラン化合物又はフルオロアルキル基を含む化合物の少なくとも一方を含むことが望ましい。
この方法によれば、撥液材料として必要な撥液性を十分に確保し、良好な撥液パターン及び撥液部を形成することが出来る。
【００１６】
本発明においては、前記撥液材料は、前記撥液材料を配置した面で自己組織化膜を形成することが望ましい。
この方法によれば、撥液材料を塗布すると自己組織化により即座に塗布面で単分子膜を形成し、良好な撥液性を発現することができる。そのため、容易に撥液パターン及び撥液部を形成することができる。
【００１７】
本発明においては、前記撥液材料は、前記撥液部を構成する高分子の前駆体であり、前記撥液部を形成する工程は、前記撥液材料を加熱して重合させる工程を含むことが望ましい。
この方法によれば、前駆体を加熱して重合させることにより確実に撥液性を発現させることができる。
【００１８】
本発明においては、前記絶縁層形成材料は、光硬化性樹脂であることが望ましい。
光硬化性樹脂は一般に硬化収縮が少ないため、所望の形状のコンタクトホールを容易に形成することができる。また、短時間の光照射により樹脂が硬化するので、硬化中に配置した絶縁層形成材料が流動し形状が変形することを避け、コンタクトホールの形状・大きさを精度よく制御することができる。更に、短時間の光照射により樹脂が硬化しコンタクトホールを形成することができるので、熱硬化性樹脂と比較して作業効率が良く生産性を向上させることができる。
【００１９】
また、本発明の多層配線基板は、第１導電層と第２導電層とが絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる多層配線基板であって、前記コンタクトホールは、前記第１導電層の上に配置された撥液部の上に形成され、前記コンタクトホールの開口面積は、前記撥液部の面積より小さい面積であり、前記コンタクトホールの側壁と前記撥液部とが成す角は、前記液状体と前記撥液部との前進接触角と等しい角度を備えることを特徴とする
この構成によれば、微細なコンタクトホールにより導電層が接続された高集積な多層配線基板を提供することができる。
【００２０】
また、本発明の電子機器は、前述の多層配線基板の製造方法で製造された多層配線基板を備えることを特徴とする。
この構成によれば、微細なコンタクトホールで接続された高集積な配線基板により、小型化された電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図１〜図１１を参照しながら、本発明の実施形態に係る多層配線基板の製造方法について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００２２】
（液滴吐出装置）
まず、図１及び図２を用いて、本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法に用いる液滴吐出装置について説明する。本実施形態では、この液滴吐出装置をソルダーレジストの形成に用いる。図１は、液滴吐出装置の概略的な構成図である。本装置の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、水平面の鉛直方向をＺ軸方向とする。本実施形態の場合、後述する液滴吐出ヘッドの非走査方向をＸ軸方向、液滴吐出ヘッドの走査方向をＹ軸方向としている。
【００２３】
液滴吐出装置３００は、液滴吐出ヘッド３０１から基板１２に対して液滴Ｌを吐出するものであって、液滴吐出ヘッド３０１と、Ｘ方向駆動軸３０４と、Ｙ方向ガイド軸３０５と、制御装置３０６と、ステージ３０７と、クリーニング機構３０８と、基台３０９と、ヒータ３１５とを備えている。
【００２４】
液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、液滴吐出ヘッド３０１の形状の長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板１２に対し液状体の液滴Ｌが吐出される。本実施形態では、液状体は撥液材料を含む液状体（撥液インクＬ１）であり、絶縁材料を含む機能液（絶縁インクＬ２）である。
【００２５】
Ｘ方向駆動軸３０４は、基台３０９に対して動かないように固定されており、Ｘ方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置３０６からＸ方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
【００２６】
Ｙ方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されており、Ｙ方向駆動モータ３０３を介してステージ３０７が接続されている。Ｙ方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置３０６からＹ方向の駆動信号が供給されると、Ｙ方向ガイド軸３０５に沿ってステージ３０７をＹ方向に移動させる。
【００２７】
制御装置３０６は、液滴吐出ヘッド３０１に液滴Ｌの吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ３０２には液滴吐出ヘッド３０１のＸ方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ方向駆動モータ３０３にはステージ３０７のＹ方向の移動を制御する駆動パルス信号を、それぞれ供給する。また、後述のヒータ３１５の電源投入及び遮断も制御する。
【００２８】
ステージ３０７は、この液滴吐出装置３００により液状体を配置するために後述する基板１２を支持するものであって、基板１２を基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。また、ステージ３０７は基板１２を固定する面とは反対の面に先述のＹ方向駆動モータ３０３を備えている。
【００２９】
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられている。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置３０６により制御される。
【００３０】
ヒータ３１５は、ここではランプアニールにより基板１２を熱処理する手段であり、基板１２上に塗布された液滴Ｌに含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。
【００３１】
液滴吐出装置３００は、液滴吐出ヘッド３０１と基板１２を支持するステージ３０７とを相対的に走査しつつ基板１２に対して液滴Ｌを吐出する。本実施形態では、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＸ方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板１２の進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板１２の進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板１２とノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００３２】
図２は、液滴吐出ヘッド３０１の断面図である。
液滴吐出ヘッド３０１には、液状体を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液状体を収容する材料タンクを含む液状体供給系３２３を介して液状体が供給される。
【００３３】
ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させることにより、液体室３２１が変形して内圧が高まり、ノズル３２５から液状体の液滴Ｌが吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量を制御し、液状体の吐出量を制御する。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度を制御する。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００３４】
なお、液滴吐出法の吐出技術としては、上記の電気機械変換式の他に、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に例えば３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。
【００３５】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３６】
続いて、図３には液滴吐出法による塗布パターンの形成方法を示す概略図を示す。液滴吐出ヘッド３０１から連続的に吐出された液滴Ｌは、基板１２の表面に着弾する。このとき液滴Ｌは、隣接する液滴同士で重なり合う位置に吐出・塗布される。これにより、液滴吐出ヘッド３０１と基板１２との１回の走査で、塗布した液滴Ｌが描く塗布パターンが、途切れることなく形成されることになる。また、吐出される液滴Ｌの吐出量及び隣接する液滴Ｌとのピッチにより所望の塗布パターンの制御が可能である。図では塗布パターンは線状になる場合を示しているが、隣接する塗布パターンの隙間（図に示す幅Ｗ）を無くすことで、面状に液滴Ｌを塗布することもできる。
【００３７】
次いで、塗布した液体と液滴接触角との関係を示す模式図を図４に示し、この図を用いて液滴が流動する様子を簡単に説明しておく。ここでは、液滴の塗布量を増やしていった場合の液滴が流動する様子を示す。
図には基板１２に配置された液状体の液滴Ｌを示す。基板１２に配置された液状体は、ある静的接触角（接触角）θ１を備えて配置されている（図４（ａ））。この液滴Ｌに更に液状体を供給すると、配置された液状体は自重によりつぶれ変形する。この変形に対応して接触角θ１はθ２に変化する（図４（ｂ））。すなわち、この接触角θ２が前進接触角θａを超えるまで変形が進むと液滴Ｌは流動を始める。基板１２の接触角が前進接触角θａを越えるまで液状体を供給すると、自重による変形を緩和させるため液滴Ｌは濡れ広がる。液滴Ｌの接触角θ３が前進接触角θａと等しくなるまで濡れ広がると、流動が停止する。（図４（ｃ））。このように、塗布された液状体が濡れ広がるかどうかは、液状体の液滴Ｌと基板１２の表面とが成す接触角が、それらの前進接触角θａよりも大きい接触角であることが条件となる。
【００３８】
（撥液材料）
続いて、上述した固体表面の接触角に密接な関係のある撥液部について説明する。本実施形態の撥液部は撥液材料で形成されている。本実施形態では撥液材料として、シラン化合物、フルオロアルキル基を有する化合物、フッ素樹脂（フッ素を含む樹脂）、及びこれらの混合物を用いることができる。シラン化合物としては、一般式（１）
Ｒ１ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３ …（１）
（式中、Ｒ１ は有機基を表し、Ｘ１ は−ＯＲ２ ，−Ｃｌを表し、Ｘ２及びＸ３は−ＯＲ２ ，−Ｒ３，−Ｃｌを表し、Ｒ２ は炭素数１から４のアルキル基を表し、Ｒ３は水素原子または炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３は同一でも異なっても良い）
で表される１種又は２種以上のシラン化合物を用いることができる。
【００３９】
一般式（１）で表されるシラン化合物は、シラン原子に有機基が置換し、残りの結合手にアルコキシ基またはアルキル基または塩素基が置換したものである。有機基Ｒ１の例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェネチル基、ヒドロキシフェニル基、クロロフェニル基、アミノフェニル基、ナフチル基、アンスレニル基、ピレニル基、チエニル基、ピロリル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、ピリジニル基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクタデシル基、ｎ−オクチル基、クロロメチル基、メトキシエチル基、ヒドロキシエチル基、アミノエチル基、シアノ基、メルカプトプロピル基、ビニル基、アリル基、アクリロキシエチル基、メタクリロキシエチル基、グリシドキシプロピル基、アセトキシ基等を例示できる。
【００４０】
−ＯＲ２で示されるアルコキシ基及び塩素基は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成するための官能基であり、水で加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。アルコキシ基の炭素数は、脱離するアルコールの分子量が比較的小さく除去が容易であり、形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、１から４の範囲であることが好ましい。
【００４１】
一般式（Ｉ）で表されるシラン化合物としては、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、１−プロペニルメチルジクロロシラン、プロピルジメチルクロロシラン、プロピルメチルジクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、テトラデシルトリクロロシラン、３−チオシアネートプロピルトリエトキシシラン、ｐ−トリルジメチルクロロシラン、ｐ−トリルメチルジクロロシラン、ｐ−トリルトリクロロシラン、ｐ−トリルトリメトキシシラン、ｐ−トリルトリエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−ブチロキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、ジ−ｔ−ブチルジ−ｔ−ブチロキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルメチルジエトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチルクロロシラン、オクタデシルメチルジクロロシラン、オクタデシルメトキシジクロロシラン、７−オクテニルジメチルクロロシラン、７−オクテニルトリクロロシラン、７−オクテニルトリメトキシシラン、オクチルメチルジクロロシラン、オクチルジメチルクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、１０−ウンデセニルジメチルクロロシラン、ウンデシルトリクロロシラン、ビニルジメチルクロロシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルドデシルジエトキシシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルオクタデシルジエトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジメトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジエトキシシラン、トリアコンチルジメチルクロロシラン、トリアコンチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルイソプロポキシシラン、メチル−ｎ−ブチロキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、メチルトリ−ｔ−ブチロキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルイソプロポキシシラン、エチル−ｎ−ブチロキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、エチルトリ−ｔ−ブチロキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、２−〔２−（トリクロロシリル）エチル〕ピリジン、４−〔２−（トリクロロシリル）エチル〕ピリジン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、１，３−（トリクロロシリルメチル）ヘプタコサン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジメトキシシラン、フェニルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、ベンジルメチルジメトキシシラン、ベンジルジメチルメトキシシラン、ベンジルジメトキシシラン、ベンジルジエトキシシラン、ベンジルメチルジエトキシシラン、ベンジルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、３−アセトキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、６−（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｍ−アミノフェニルエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシシラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、アミルトリエトキシシラン、ベンゾオキサシレピンジメチルエステル、５−（ビシクロヘプテニル）トリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、８−ブロモオクチルトリメトキシシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、３−ブロモプロピルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、２−クロロメチルトリエトキシシラン、クロロメチルメチルジエトキシシラン、クロロメチルメチルジイソプロポキシラン、ｐ−（クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、２−（４−クロロスルフォニルフェニル）エチルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリエトキシシラン、２−シアノエチルトリメトキシシラン、シアノメチルフェネチルトリエトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリメトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリエトキシシラン、３−シクロヘキセニルトリクロロシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリクロロシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルジメチルクロロシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルメチルジクロロシシラン、シクロヘキシルジメチルクロロシラン、シクロヘキシルエチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジクロロシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、（シクロヘキシルメチル）トリクロロシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロオクチルトリクロロシラン、（４−シクロオクテニル）トリクロロシラン、シクロペンチルトリクロロシラン、シクロペンチルトリメトキシシラン、１,１−ジエトキシ−１−シラシクロペンタ−３−エン、等が挙げられる。
【００４２】
他にも、３−（２，４−ジニトロフェニルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、（ジメチルクロロシリル）メチル−７,７−ジメチルノルピナン、（シクロヘキシルアミノメチル）メチルジエトキシシラン、（３−シクロペンタジエニルプロピル）トリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、（フルフリルオキシメチル）トリエトキシシラン、２−ヒドロキシ−４−（３−トリエトキシプロポキシ）ジフェニルケトン、３−（ｐ−メトキシフェニル）プロピルメチルジクロロシラン、３−（ｐ−メトキシフェニル）プロピルトリクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）メチルジクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）トリクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）ジメチルクロロシラン、３−モルフォリノプロピルトリメトキシシラン、（３−グリシドキシプロピル）メチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、１，２，３，４，７，７，−ヘキサクロロ−６−メチルジエトキシシリル−２−ノルボルネン、１，２，３，４，７，７，−ヘキサクロロ−６−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、３−ヨードプロピルトリメトキシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、（メルカプトメチル）メチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メチル｛２−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）エチルアミノ｝−３−プロピオネート、７−オクテニルトリメトキシシラン、Ｒ−Ｎ−α−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピルウレア、Ｓ−Ｎ−α−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピルウレア、フェネチルトリメトキシシラン、フェネチルメチルジメトキシシラン、フェネチルジメチルメトキシシラン、フェネチルジメトキシシラン、フェネチルジエトキシシラン、フェネチルメチルジエトキシシラン、フェネチルジメチルエトキシシラン、フェネチルトリエトキシシラン、（３−フェニルプロピル）ジメチルクロロシラン、（３−フェニルプロピル）メチルジクロロシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（トリエトキシシリルプロピル）ダンシルアミド、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）−４，５−ジヒドロイミダゾール、２−（トリエトキシシリルエチル）−５−（クロロアセトキシ）ビシクロヘプタン、（Ｓ）−Ｎ−トリエトキシシリルプロピル―Ｏ―メントカルバメート、３−（トリエトキシシリルプロピル）−ｐ−ニトロベンズアミド、３−（トリエトキシシリル）プロピルサクシニック無水物、Ｎ−〔５−（トリメトキシシリル）−２−アザ−１−オキソ−ペンチル〕カプロラクタム、２−（トリメトキシシリルエチル）ピリジン、Ｎ−（トリメトキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、フェニルビニルジエトキシシラン、３−チオシアナートプロピルトリエトキシシラン、（トリデカフロオロ−１，１，２，２，−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、Ｎ−｛３−（トリエトキシシリル）プロピル｝フタルアミド酸、（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチルジメトキシシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシシラン、１−トリメトキシシリル−２−（クロロメチル）フェニルエタン、２−（トリメトキシシリル）エチルフェニルスルホニルアジド、β−トリメトキシシリルエチル−２−ピリジン、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ−（３−トリメトキシシリルプロピル）ピロール、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリブチルアンモニウムブロマイド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリブチルアンモニウムクロライド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、ビニルメチルジエトキシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、ビニルメチルジクロロシラン、ビニルフェニルジクロロシラン、ビニルフェニルジエトキシシラン、ビニルフェニルジメチルシラン、ビニルフェニルメチルクロロシラン、ビニルトリス−ｔ−ブトキシシラン、アダマンチルエチルトリクロロシラン、アリルフェニルトリクロロシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、３−アミノフェノキシジメチルビニルシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルジメチルクロロシラン、フェニルメチルジクロロシラン、ベンジルトリクロロシラン、ベンジルジメチルクロロシラン、ベンジルメチルジクロロシラン、フェネチルジイソプロピルクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルジメチルクロロシラン、フェネチルメチルジクロロシラン、５−（ビシクロヘプテニル）トリクロロシラン、５−（ビシクロヘプテニル）トリエトキシシラン、２−（ビシクロヘプチル）ジメチルクロロシラン、２−（ビシクロヘプチル）トリクロロシラン、１,４−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、ブロモフェニルトリクロロシラン、３−フェノキシプロピルジメチルクロロシラン、３−フェノキシプロピルトリクロロシラン、ｔ−ブチルフェニルクロロシラン、ｔ−ブチルフェニルメトキシシラン、ｔ−ブチルフェニルジクロロシラン、ｐ−（ｔ−ブチル）フェネチルジメチルクロロシラン、ｐ−（ｔ−ブチル）フェネチルトリクロロシラン、１,３−（クロロジメチルシリルメチル）ヘプタコサン、（（クロロメチル）フェニルエチル）ジメチルクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）メチルジクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）トリクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）トリメトキシシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、２−シアノエチルトリクロロシラン、２−シアノエチルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルメチルジエトキシシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルジメチルエトキシシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルトリクロロシラン、等が挙げられる。
【００４３】
撥液材料としてシラン化合物を用いることにより、配置した箇所にシラン化合物の自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に優れた撥液性を付与することができる。
【００４４】
シラン化合物の中でも、Ｓｉと直接結合するアルキル基にフッ素を含有する含フッ素アルキルシラン化合物は、ＣｎＦ２ｎ＋１で表されるパ−フルオロアルキル構造を有するものが好適に用いられる。これには、下記の一般式（２）
ＣｎＦ２ｎ＋１（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３ …（２）
（式（２）中、ｎは１から１８の整数を、ｍは２から６までの整数をそれぞれ表している。Ｘ１ は−ＯＲ２ ，−Ｃｌを表し、Ｘ２及びＸ３は−ＯＲ２ ，−Ｒ３，−Ｃｌを表し、Ｒ２ は炭素数１から４のアルキル基を表し、Ｒ３は水素原子または炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３は同一でも異なっても良い）
で表される化合物を例示することができる。
【００４５】
−ＯＲ２で示されるアルコキシ基及び塩素基は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成するための官能基であり、水で加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。アルコキシ基の炭素数は、脱離するアルコールの分子量が比較的小さく除去が容易であり、形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、１から４の範囲であることが好ましい。
【００４６】
上記のような含フッ素アルキルシラン化合物を用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向して自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に優れた撥液性を付与することができる。
【００４７】
より具体的には、ＣＦ３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）１１−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＦ３（ＣＦ２）８−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２、ＣＦ３（ＣＦ２）８−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）（ＯＣ２Ｈ５）２等が挙げられる。
【００４８】
また、撥液材料としてフッ素樹脂を用いる場合には、所定量のフッ素樹脂を所定溶媒に溶解させたものが用いられる。具体的には、住友スリーエム株式会社製「ＥＧＣ１７２０」（ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）溶媒にフッ素樹脂を０．１ｗｔ％溶解させたもの）を用いることができる。この場合、ＨＦＥにアルコール系、炭化水素系、ケトン系、エーテル系、エステル系の溶剤を適宜混合することにより、液滴吐出ヘッド３０１から安定して吐出可能に調整可能である。この他に、フッ素樹脂としては、旭硝子株式会社製「ルミフロン」（各種溶媒に溶解可能）、ダイキン工業株式会社製「オプツール」（溶媒；ＰＦＣ、ＨＦＥ等）、大日本インキ化学工業株式会社製「ディックガード」（溶媒；トルエン、水・エチレングリコール）等を用いることができる。更に、フッ素を含む樹脂としては、側鎖にＦ基、−ＣＦ３、−（ＣＦ２）ｎＣＦ３が含まれるものや、主鎖に−ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦＣｌ−が含まれるものを用いることが可能である。また、撥液性の発現のために加熱・重合の必要があるものについては、必要に応じて例えば１５０℃から２００℃の加熱を行って塗布したフッ素を含む樹脂を重合させ、撥液性を発現させることができる。本実施形態では撥液材料にオクタデシルトリメトキシシラン（ＯＤＳ）を用いる。
【００４９】
以上を踏まえ、図５から図９を用いて多層配線基板の製造方法を説明する。図５には簡略化した例として、コンタクトホールを介して第１導電層と第２導電層とが接続された多層配線基板１０の断面図を示す。
【００５０】
図５に示すように、多層配線基板１０は、第１導電層１と、第１導電層１上に形成された撥液部２と、撥液部２を覆って第１導電層１上に形成された絶縁層３と、撥液部２の内側の絶縁層３に設けられたコンタクトホール４と、コンタクトホール４を介して第１導電層１と電気的に接続する第２導電層５とを備えている。
【００５１】
第１導電層１と第２導電層５は、帯状の配線や板状の導電パットなど回路構成に合わせて様々な形状を備えている。これら各導電層は例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル及びＩＴＯうちのいずれか、及びこれらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体などにより形成されている。本実施形態では銅を用いる。
【００５２】
第１導電層１には、一部の領域を覆う撥液部２が形成されている。撥液部２は、液滴吐出法を用い前述の撥液材料を含む液状体（撥液インクＬ１）を塗布することで形成される。
【００５３】
第１導電層１及び撥液部２を覆って絶縁層３が形成されている。この絶縁層３の形成材料として、本実施形態では光硬化性を有する材料を含んでいる。具体的には、本実施形態の光硬化性材料は、光重合開始剤と、アクリル酸のモノマーおよび／またはオリゴマ−と、を含んでいる。一般的には、この光硬化性材料は、溶剤と、溶剤に溶解した樹脂と、を含有してよい。ここで、この場合の光硬化性材料は、それ自体が感光して重合度を上げる樹脂を含有してもよいし、あるいは、樹脂と、その樹脂の硬化を開始させる光重合開始剤と、を含有していてもよい。また、このような形態に代えて、光硬化性材料として、光重合して不溶の絶縁樹脂を生じるモノマーと、そのモノマーの光重合を開始させる光重合開始剤と、を含有してもよい。ただしこの場合の光硬化性材料は、モノマー自体が光官能基を有していれば、光重合開始剤を含有しなくてもよい。絶縁層３の形成方法については後で詳述する。
【００５４】
絶縁層３には、第１導電層１と接続するコンタクトホール４が形成されている。コンタクトホール４は絶縁層３を貫通して形成されている。このコンタクトホール４の形成方法については後で詳述する。
【００５５】
絶縁層３上には第２導電層５が形成されている。第２導電層５は、コンタクトホール４を介して第１導電層１と接続している。
【００５６】
次に、多層配線基板１０の製造方法について図を用いて説明する。図６から図９は、図５に示す多層配線基板１０を製造する工程を示す工程図であり、各図において（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図を示す。
【００５７】
まず、図６（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０１から吐出された撥液インクＬ１は、形成するコンタクトホールと重なる領域を含む領域（第２領域ＡＲ２）に着弾し、第１導電層１上に第２領域ＡＲ２を覆う撥液部２を形成する。本実施形態では液滴吐出法で撥液インクＬ１を塗布するため、正確な位置に所望の大きさの撥液部２を形成することができる。図６（ｂ）では第２領域ＡＲ２の平面視形状を円形として示しているが、必要に応じて方形、矩形といった他の形状を取ることも可能である。また、塗布する撥液インクＬ１の吐出量を少なくし、第２領域ＡＲ２を小さく形成することも可能である。例えば撥液インクＬ１を１滴のみ着弾させると、撥液インクＬ１は着弾面で略円形に濡れ広がり、微少な第２領域ＡＲ２を形成することができる。図６（ｂ）では撥液部２は厚みを持たせて図示しているが、実際の厚みは数ｎｍから１００ｎｍ程度である。
【００５８】
次いで、図７（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０１から絶縁インクＬ２を吐出し、第２領域ＡＲ２を除く第１導電層１上に絶縁インクＬ２を塗布する。絶縁インクＬ２は第２領域ＡＲ２に形成された撥液部２ではじかれるため、ひとまず第２領域ＡＲ２以外の領域に配置され、第２領域ＡＲ２に重なる領域に開口部４ａが形成された状態で塗布される。図７（ｂ）に示すように、第２領域ＡＲ２の周囲を囲むように絶縁インクＬ２が塗布される。ここで、コンタクトホールと重なる領域以外の領域のほとんどを絶縁インクＬ２で覆うことができ、形成される開口部４ａによりコンタクトホールを形成する位置をほぼ確定できる。
【００５９】
次いで、図８（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０１から更に絶縁インクＬ２を吐出し塗布を重ねると、厚みを増した絶縁インクＬ２は自重により変形し、変形により塗布された絶縁インクＬ２と撥液部２との接触角はこれらの前進接触角に達する。すると絶縁インクＬ２は、撥液部２の撥液性に逆らって第２領域ＡＲ２の内側に濡れ広がる。濡れ広がる絶縁インクＬ２が所望の第１領域ＡＲ１を覆うまで塗布を行い、所定の光照射を行って絶縁インクＬ２を硬化させることで、所望の開口径のコンタクトホール４を備えた絶縁層３を形成する。図８（ｂ）に示すように、絶縁インクＬ２は、第２領域ＡＲ２の周囲から第２領域ＡＲ２の中心に向かって等方的に濡れ広がる。そして、等方的に絶縁インクＬ２が濡れ広がるため、第１領域ＡＲ１は第２領域ＡＲ２の中心付近に形成される。この様にすることで、撥液部を形成した第２領域ＡＲ２よりも小さい開口径のコンタクトホール４を形成することができる。また、第１領域ＡＲ１を第２領域ＡＲ２の中心位置に設定することで、コンタクトホール４を位置精度良く形成することができる。
【００６０】
次いで、図９（ａ）に示すように、コンタクトホール４及び絶縁層３の上面に導電性材料を配置して第２導電層５を形成する。例えば、前述のような液滴吐出法を用いて導電性材料を含む機能液をコンタクトホール４及び絶縁層３の所定の領域に塗布すると第２導電層５を形成することができる。撥液部２の厚みは数ｎｍから１００ｎｍ程度と微少量であるので、後述の配線パターン形成のための熱処理を行うことによる撥液部の部分的な分解、または微粒子同士の融着等の反応により、第１導電層１はコンタクトホール４を介して第２導電層５と導通を確保して形成される。図９（ｂ）に示すように、第２導電層５を形成すると、第１領域ＡＲ１の大きさの開口径を備えたコンタクトホール４により接続される。
【００６１】
ここで導電性材料を含む機能液は、例えば金、銀、銅、パラジウム、ニッケル及びＩＴＯうちのいずれか、及びこれらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体などを含む導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液である。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
【００６２】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性の点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００６３】
配置された後には、機能液の液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング剤を除去するため熱処理及び／又は光処理を行い、第２導電層５を形成する。詳しくは、配置された機能液の分散媒を除去し、導電性微粒子間を接触または融着させて配線を形成する。導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も合わせて除去する。本実施形態では電気炉（不図示）による加熱により熱処理を行い、第２導電層５を形成する。
【００６４】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
【００６５】
例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
【００６６】
熱処理及び／又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。上記熱処理及び／又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され第２導電層５が形成される。以上のようにして、コンタクトホールを介して第１導電層と第２導電層が接続された多層配線基板１０が完成する。
【００６７】
以上のような構成の多層配線基板１０の製造方法によれば、まず撥液部２の位置によりコンタクトホール４の位置を正確に設定し、次いで絶縁インクＬ２を撥液部２と絶縁インクＬ２との前進接触角以上となるように塗布することで、第１領域ＡＲ１の大きさを制御することができる。このことにより、撥液部２よりも小さいコンタクトホール４を自在に形成することができる。そのため、正確にコンタクトホール４の位置や大きさが制御された多層配線基板１０を製造することができる。
【００６８】
また、本実施形態では、液滴吐出法を用いて撥液インクＬ１の塗布を行い、撥液部２を形成している。そのため、微細な面積の撥液部２を容易に形成することが可能であり、微細なコンタクトホール４を形成することができる。
【００６９】
また、本実施形態では、絶縁層３を形成する工程において、絶縁インクＬ２の塗布量を制御することで第１領域ＡＲ１の大きさを制御することとしている。微少な塗布量の調整が可能な液滴吐出法の特長を活かし、絶縁インクＬ２の塗布量を精密に制御することで、容易に絶縁インクＬ２の前進接触角よりも大きくなる条件で塗布することが可能となり、コンタクトホール４の形成が容易になる。
【００７０】
また本実施形態では、撥液部２の形成材料にＯＤＳを用いている。ＯＤＳは配置した面で自己組織化膜を形成するシラン化合物である。そのため、液材材料として必要な撥液性を十分に確保し、良好な撥液部２を形成することが出来る。更に、撥液材料を塗布すると自己組織化により即座に塗布面で単分子膜を形成し、良好な撥液性を発現することができる。そのため、容易に撥液部２を形成することができる。
【００７１】
また、本実施形態では、絶縁層３の形成材料は光硬化性樹脂であることとしている。光硬化性樹脂は一般に硬化収縮が少ないため、所望の形状のコンタクトホール４を容易に形成することができる。また、短時間の光照射により樹脂が硬化するので、硬化中に配置した絶縁層形成材料が流動し形状が変形することを避け、コンタクトホール４の形状・大きさを精度よく制御することができる。更に、短時間の光照射により樹脂が硬化しコンタクトホール４を形成することができるので、熱硬化性樹脂と比較して作業効率が良く生産性を向上させることができる。
【００７２】
なお、本実施形態においては、撥液材料は自己組織化膜を形成するシラン化合物であるＯＤＳを用いるものとしたが、撥液材料は撥液部２を構成する高分子の前駆体であっても構わない。このような前駆体として、例えばフッ素樹脂が挙げられる。その場合には、撥液部２を形成する工程には、配置した撥液材料を加熱して重合させる操作を含むことが望ましい。この方法によれば、フッ素樹脂を加熱して重合させることにより確実に撥液性を発現させることができる。
【００７３】
また、本実施形態においては、絶縁インクＬ２の塗布量を制御することで第１領域ＡＲ１の大きさを制御するとしたが、絶縁インクＬ２の温度を制御して制御することとしても構わない。液状体の前進接触角は液状体の温度により変化し、液状体の温度が上がると前進接触角は小さく、温度が下がると前進接触角は大きくなる。そのため、接触角θで配置した絶縁インクＬ２の温度を上げると、前進接触角の値が変化し、接触角θが前進接触角以上になると流動を開始する。したがって、絶縁インクＬ２の第２領域ＡＲ２の内側への流動を制御することが可能となる。また、絶縁インクＬ２の塗布量と温度の両方を同時に制御して第１領域ＡＲ１の大きさを制御することとしても構わない。
【００７４】
（多層配線基板）
続いて、上記製造方法を用いて製造される多層配線基板について図１０を参照して説明する。ここでは、携帯電話に搭載される多層配線基板５００の例を用いて説明する。図１０に示す多層配線基板５００は、シリコンからなる基材１２上に、３つの配線層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が積層されてなるものである。以下の説明では、各配線層の積層方向を上方向、基材１２が配置されている方向を下方向として各構成部材の上下関係を示す。
【００７５】
基材１２は、他にもガラス、石英ガラス、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、絶縁膜、有機膜、などが下地層として形成されたものも含む。
【００７６】
配線層Ｐ１は、基板１２上に形成された絶縁層１３と、基板１２上で且つ絶縁層１３に埋め込まれて配置された抵抗２０及びコンデンサ２１と、抵抗２０及びコンデンサ２１と接続される配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃと、各配線を覆って絶縁層１３上に形成される第１層間絶縁膜（絶縁層）６０を備える。
【００７７】
基板１２上に配置された抵抗２０は、２つの電極部２０ａを備えている。これら電極部２０ａは、抵抗２０の上面に形成されている。また、抵抗２０と同様に基板１２上に配置されたコンデンサ２１は、２つの電極部２１ａを備えており、これら電極部２１ａもコンデンサ２１の上面に形成されている。
【００７８】
なお、実際には電極部２０ａ、２１ａは、抵抗２０、コンデンサ２１の上面から略突出なく形成されているが、ここでは、突起状に図示している。また、液滴吐出法等を用いて導電性材料を吐出することで実際に突起を形成してもよい。
【００７９】
基板１２の上面であって、抵抗２０及びコンデンサ２１の周囲及び上面には絶縁層１３が形成されている。絶縁層１３は、上述した液滴吐出法をもちいて光硬化性の絶縁インクを塗布し、塗布した絶縁インクを硬化させることで形成される。
【００８０】
絶縁層１３の上面には、配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃが形成されている。各配線も、上述した液滴吐出法を用いて導電性材料を含む機能液を塗布することで形成される。本実施形態では、導電性材料として銀微粒子を含む機能液を用いている。これらの配線のうち、配線１５Ｂは一端が電極部２０ａの一方と、他端が電極部２１ａの一方と接続しており、抵抗２０とコンデンサ２１を電気的に接続している。また、配線１５Ａは他方の電極部２０ａと接続しており、配線１５Ｃは他方の電極部２１ａと接続している。
【００８１】
絶縁層１３の上面には、配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃを覆って、第１層間絶縁膜６０が形成されている。第１層間絶縁膜６０は、絶縁層１３と同様に液滴吐出法をもちいて光硬化性の絶縁インクを塗布し、塗布した絶縁インクを硬化させることで形成される。
【００８２】
第１層間絶縁膜６０には、配線１５Ａと接続する第１コンタクトホールＨ１と、配線１５Ｃと接続する第２コンタクトホールＨ２が形成されている。これら各コンタクトホールの内部は、各配線の形成材料と同一材料で充填されている。
【００８３】
配線層Ｐ２は、第１層間絶縁膜６０上に配置される半導体チップ７０と、同じく第１層間絶縁膜６０上に配置される配線６１と、これら半導体チップ７０及び配線６１を覆い第１層間絶縁膜６０上に形成される第２層間絶縁膜６２と、を備えている。第１層間絶縁膜６０上に備えられた半導体チップ７０は、上面に外部接続用の端子７２を備えている。
【００８４】
第１層間絶縁膜６０上に備えられた配線６１は、第１コンタクトホールＨ１に接続されている。配線６１は配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃと同じく、液滴吐出法にて導電性材料を塗布することにより形成されている。また配線６１は、配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃと同一材料により形成されている。
【００８５】
第１層間絶縁膜６０の上面には、配線６１、半導体チップ７０を覆って、第２層間絶縁膜６２が形成されている。第１層間絶縁膜６０は、絶縁層１３及び第１層間絶縁膜６０と同様に液滴吐出法をもちいて光硬化性の絶縁インクを塗布し、塗布した絶縁インクを硬化させることで形成される。
【００８６】
第２層間絶縁膜６２には、第２層間絶縁膜６２を貫通して配線６１に接続する第３コンタクトホールＨ３と、同じく第２層間絶縁膜６２を貫通する上述した第２コンタクトホールＨ２の一部と、が形成されている。各コンタクトホールの内部は、各配線の形成材料と同一材料で充填されている。
【００８７】
配線層Ｐ３は、第２層間絶縁膜６２上に形成された配線６３Ａ及び６３Ｂと、これらの配線６３Ａ，６３Ｂを覆って第２層間絶縁膜６２上に形成される第３層間絶縁膜６４と、第３層間絶縁膜６４上に配置されたアンテナ素子２４及び水晶振動子２５と、を備えている。
【００８８】
第２層間絶縁膜６２上に形成された配線６３Ａは、第２コンタクトホールＨ２を介して配線１５Ｃと接続している。また、配線６３Ａは半導体チップ７０が備える一方の端子７２と接続している。したがって、配線６３Ａ、第２コンタクトホールＨ２、配線１５Ｃを介して半導体チップ７０とコンデンサ２１が接続している。
【００８９】
また、第２層間絶縁膜６２上に形成された配線６３Ｂは、第３コンタクトホールＨ３を介して配線６１と接続している。また、配線６３Ｂは半導体チップ７０が備える他方の端子７２と接続している。したがって、配線６３Ｂ、第３コンタクトホールＨ３、配線６１、第１コンタクトホールＨ１を介して半導体チップ７０と抵抗２０が接続している。
【００９０】
これら配線６３Ａ，６３Ｂは前述の液滴吐出法にて導電性材料を塗布することにより形成され、また配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，６１と同一材料により形成されている。
【００９１】
第３層間絶縁膜６４には、第３層間絶縁膜６４を貫通して配線６３Ａと水晶振動子２５とを接続する第４コンタクトホールＨ４と、同じく第２層間絶縁膜６２を貫通し配線６３Ｂとアンテナ素子２４とを接続する第５コンタクトホールＨ５が形成されている。各コンタクトホールの内部は、各配線の形成材料と同一材料で充填されている。
【００９２】
このような多層配線基板５００の各コンタクトホールＨ１からＨ５は、前述したコンタクトホールの形成方法を用いて形成されている。そのため、各コンタクトホールを位置精度良く形成された多層配線基板５００とすることが出来る。また、第１領域を小さく設定し小さい開口径のコンタクトホールを形成することで、微細なコンタクトホールで各層間を電気的に接続した多層配線基板５００とすることが可能となる。
【００９３】
（電子機器）
図１１は、本発明にかかる多層配線基板を電子機器の一実施形態としての携帯電話の斜視構成図である。この携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
【００９４】
本実施形態の携帯電話１３００においては、微細なコンタクトホールで層間が接続された多層配線基板を備えているので、基板を高密度化することが可能となり、携帯電話１３００の装置全体が小型化された電子機器となる。
【００９５】
上記の実施形態の多層配線基板は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、プロジェクタ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等に好適に用いることができる。高密度化された配線基板を用いることにより装置の小型化が可能となり、また、高集積化された配線基板を用いることでより高性能な演算能力を備えた電子機器とすることが可能となる。
【００９６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】液滴吐出装置の概略的な構成図である。
【図２】液滴吐出装置に備わる液滴吐出ヘッドの断面図である。
【図３】液滴吐出法によるパターン形成方法を示す概略図である。
【図４】液滴の濡れ広がり方を示す概略図である。
【図５】本実施形態の多層配線基板の一例を示す断面図である。
【図６】本実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図７】本実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図８】本実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図９】本実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図１０】多層配線基板の別形態を示す断面図である。
【図１１】電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９８】
１…第１導電層、２…撥液部、３…絶縁層、４…コンタクトホール（開口部）、５…第２導電層、１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，６１，６３Ａ，６３Ｂ…配線（第１導電層、第２導電層）６０…第１層間絶縁膜（絶縁層）、６２…第２層間絶縁膜（絶縁層）、６４…第３層間絶縁膜（絶縁層）、５００…多層配線基板、Ｈ１〜Ｈ５…第１〜第５コンタクトホール（開口部）、１３００…携帯電話（電子機器）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板の製造方法、多層配線基板及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液滴吐出法（インクジェット方式）を用いて所望の材料を含む液状体を吐出し、所定位置に着弾させることによって一定の材料パターンを形成する技術が活発に開発されている。このパターン形成技術は、用いるインクジェットヘッドの解像度に応じて微少な液状体を所望の位置に塗布することが可能であり、そのため微細なパターンの形成ができるという特長を有する。例えば、回路基板の微細な配線パターンを形成するには、配線材料または配線材料の溶液を塗布することにより配線パターンを形成することができる。
【０００３】
しかしこの方法は、液状体を塗布する面の性質の影響を受けやすい。例えば、液状体の液滴を着弾させる箇所が液状体に対して濡れやすく（親液性）なっていると、塗布された液滴は所望の形状以上に塗れ広がってしまうことがある。逆に、着弾箇所が液状体に対して濡れにくく（撥液性）なっていると、液状体が着弾面で凝集し液溜り（バルジ）を形成してしまい、やはり所望の形状が形成できないという場合がある。
【０００４】
ところで、近年の電子装置の小型化・多機能化という市場の要求に応え、電子回路は高密度化・高集積化する傾向を示している。この電子回路の高集積化を果たす技術の一つとしては、回路の多層配線構造が挙げられる。このような構造を備えた回路では、電子回路を平面的に形成するだけでなく、回路基板を積層させて縦方向にも形成することで、小さい設置面積で高い性能の回路を実現している。このような多層配線構造を採る場合、各層の配線パターン同士は、各層間の絶縁膜に形成されるコンタクトホールを介して接続される。一般に、このような多層配線構造を備えた回路では、回路の高密度化・高集積化の要求のため、コンタクトホールも微細なものが求められている。
【０００５】
このようなコンタクトホールを形成する技術として、特許文献１や特許文献２には液滴吐出法を用いた形成方法が挙げられている。詳しくは、液滴吐出法にて絶縁膜の形成材料を含む液状体（絶縁インク）を塗布し層間絶縁膜を形成する際に、コンタクトホールの形成領域にのみ絶縁インクの塗布を行わないことで絶縁膜を形成しない領域を設け、この絶縁層を形成しない領域をコンタクトホールとする方法である。
【特許文献１】特開２００３−２８２５６１号公報
【特許文献２】特開２００６−１４０４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した方法では、例えば金属配線等の濡れ性がよい箇所にコンタクトホールを形成する場合に、塗布した絶縁インクが所望の領域外に濡れ拡がりやすいため、コンタクトホールを所望の大きさに制御することが困難であるという課題があった。
【０００７】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、コンタクトホールの位置や大きさの制御性に優れた多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。また、このような多層配線基板の製造方法を用いて製造することにより、微細なコンタクトホールを備えた多層配線基板を提供することを目的とする。更には、このような多層配線基板を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明の多層配線基板の製造方法は、第１導電層と第２導電層とが絶縁層を介して積層され、前記絶縁層に開口された開口部を介して前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続されてなる多層配線基板の製造方法であって、前記第１導電層上に撥液部を形成する工程と、前記撥液部の周囲に前記絶縁層の形成材料を含む機能液を配置して前記第１導電層上に前記開口部を有する前記絶縁層を形成する工程と、を備え、前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度が前記機能液の前進接触角よりも大きくなる条件で前記機能液を配置し、前記機能液の前記撥液部に面する部分の位置を前記撥液部の内側に流動させることにより、前記撥液部の面積よりも小さい開口面積を備える前記開口部形成することを特徴とする。
【０００９】
この方法によれば、まず、形成する開口部（コンタクトホール）と重なる第１導電層上の領域よりも広い領域に、撥液材料を含む液状体（撥液インク）を塗布し撥液部を形成する。この撥液インクの塗布を液滴吐出法により行うので、所望の正確な位置に撥液部を形成することができる。
【００１０】
次いで、絶縁層形成材料を含む機能液（絶縁インク）を塗布すると、絶縁インクは形成された撥液部の撥液性によりはじかれるため、ひとまず撥液部以外の領域に配置され、撥液部に重なる領域が開口された状態で塗布される。ここで、絶縁インクが撥液部と接触する部分の角度（接触角）が前進接触角よりも大きくなるような塗布条件で絶縁インクの塗布を行うと、絶縁インクは撥液部の外縁部で留まらず、撥液部の内側にまで流動し濡れ広がる。本発明では、絶縁インクの塗布を液滴吐出法により行うため精密な塗布の制御が可能であり、精密な塗布の制御により精密に絶縁インクの撥液部の内部への流動を制御することができる。この流動する絶縁インクが形成されるコンタクトホールと重なる領域に至るまで塗布を行うことで、コンタクトホールと重なる領域以外の領域に絶縁インクを配置し、コンタクトホールを設けた絶縁層を形成することができる。更に、絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して第１導電層と電気的に接続する第２導電層を形成することで、多層配線基板を形成することができる。
【００１１】
このような方法で多層配線基板を製造すると、撥液部の位置によりコンタクトホールの位置を正確に設定し、撥液部の内部に流動する絶縁インクを接触角で制御することにより撥液部の面積よりも小さい開口面積を備えるコンタクトホールを自在に形成することができる。そのため、正確にコンタクトホールの位置や大きさが制御された多層配線基板を製造することができる。
【００１２】
本発明においては、前記撥液部を液滴吐出法により形成することが望ましい。
この方法によれば、微細な面積の撥液部を容易に形成することができ、形成した撥液部を基に微細なコンタクトホールを形成することができる。
【００１３】
本発明においては、前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液の塗布量によって、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度を制御することが望ましい。
ある接触角（静的接触角）で固体表面に配置された液状体の液滴に更に液状体を供給すると、自重により液滴がつぶれ変形する。この変形に対応して接触角は変化し、接触角が前進接触角を越えるまで液状体を供給すると、自重による変形を緩和させ接触角が前進接触角に等しくなるまで液滴は濡れ広がる。このことから、絶縁インクの塗布量を制御することで、容易に絶縁インクの前進接触角よりも大きくなる条件で塗布することが可能となり、コンタクトホールの形成が容易になる。
【００１４】
本発明においては、前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液の加熱することによって、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度を制御することが望ましい。
固体表面に配置された液状体の接触角は液状体の温度により変化し、液状体の温度が上がると前進接触角は小さく、温度が下がると前進接触角は大きくなる。そのため、ある接触角で配置された絶縁インクの温度を上げると、前進接触角の値が変化し、接触角が前進接触角以上になると流動を開始する。したがって、絶縁インクの温度を制御することで、容易に接触角を変化させることができ、絶縁インクの撥液部の内側への流動を制御することが容易となる。
【００１５】
本発明においては、前記撥液材料は、シラン化合物又はフルオロアルキル基を含む化合物の少なくとも一方を含むことが望ましい。
この方法によれば、撥液材料として必要な撥液性を十分に確保し、良好な撥液パターン及び撥液部を形成することが出来る。
【００１６】
本発明においては、前記撥液材料は、前記撥液材料を配置した面で自己組織化膜を形成することが望ましい。
この方法によれば、撥液材料を塗布すると自己組織化により即座に塗布面で単分子膜を形成し、良好な撥液性を発現することができる。そのため、容易に撥液パターン及び撥液部を形成することができる。
【００１７】
本発明においては、前記撥液材料は、前記撥液部を構成する高分子の前駆体であり、前記撥液部を形成する工程は、前記撥液材料を加熱して重合させる工程を含むことが望ましい。
この方法によれば、前駆体を加熱して重合させることにより確実に撥液性を発現させることができる。
【００１８】
本発明においては、前記絶縁層形成材料は、光硬化性樹脂であることが望ましい。
光硬化性樹脂は一般に硬化収縮が少ないため、所望の形状のコンタクトホールを容易に形成することができる。また、短時間の光照射により樹脂が硬化するので、硬化中に配置した絶縁層形成材料が流動し形状が変形することを避け、コンタクトホールの形状・大きさを精度よく制御することができる。更に、短時間の光照射により樹脂が硬化しコンタクトホールを形成することができるので、熱硬化性樹脂と比較して作業効率が良く生産性を向上させることができる。
【００１９】
また、本発明の多層配線基板は、第１導電層と第２導電層とが絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる多層配線基板であって、前記コンタクトホールは、前記第１導電層の上に配置された撥液部の上に形成され、前記コンタクトホールの開口面積は、前記撥液部の面積より小さい面積であり、前記コンタクトホールの側壁と前記撥液部とが成す角は、前記液状体と前記撥液部との前進接触角と等しい角度を備えることを特徴とする
この構成によれば、微細なコンタクトホールにより導電層が接続された高集積な多層配線基板を提供することができる。
【００２０】
また、本発明の電子機器は、前述の多層配線基板の製造方法で製造された多層配線基板を備えることを特徴とする。
この構成によれば、微細なコンタクトホールで接続された高集積な配線基板により、小型化された電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図１〜図１１を参照しながら、本発明の実施形態に係る多層配線基板の製造方法について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００２２】
（液滴吐出装置）
まず、図１及び図２を用いて、本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法に用いる液滴吐出装置について説明する。本実施形態では、この液滴吐出装置をソルダーレジストの形成に用いる。図１は、液滴吐出装置の概略的な構成図である。本装置の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、水平面の鉛直方向をＺ軸方向とする。本実施形態の場合、後述する液滴吐出ヘッドの非走査方向をＸ軸方向、液滴吐出ヘッドの走査方向をＹ軸方向としている。
【００２３】
液滴吐出装置３００は、液滴吐出ヘッド３０１から基板１２に対して液滴Ｌを吐出するものであって、液滴吐出ヘッド３０１と、Ｘ方向駆動軸３０４と、Ｙ方向ガイド軸３０５と、制御装置３０６と、ステージ３０７と、クリーニング機構３０８と、基台３０９と、ヒータ３１５とを備えている。
【００２４】
液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、液滴吐出ヘッド３０１の形状の長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板１２に対し液状体の液滴Ｌが吐出される。本実施形態では、液状体は撥液材料を含む液状体（撥液インクＬ１）であり、絶縁材料を含む機能液（絶縁インクＬ２）である。
【００２５】
Ｘ方向駆動軸３０４は、基台３０９に対して動かないように固定されており、Ｘ方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置３０６からＸ方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
【００２６】
Ｙ方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されており、Ｙ方向駆動モータ３０３を介してステージ３０７が接続されている。Ｙ方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置３０６からＹ方向の駆動信号が供給されると、Ｙ方向ガイド軸３０５に沿ってステージ３０７をＹ方向に移動させる。
【００２７】
制御装置３０６は、液滴吐出ヘッド３０１に液滴Ｌの吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ３０２には液滴吐出ヘッド３０１のＸ方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ方向駆動モータ３０３にはステージ３０７のＹ方向の移動を制御する駆動パルス信号を、それぞれ供給する。また、後述のヒータ３１５の電源投入及び遮断も制御する。
【００２８】
ステージ３０７は、この液滴吐出装置３００により液状体を配置するために後述する基板１２を支持するものであって、基板１２を基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。また、ステージ３０７は基板１２を固定する面とは反対の面に先述のＹ方向駆動モータ３０３を備えている。
【００２９】
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられている。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置３０６により制御される。
【００３０】
ヒータ３１５は、ここではランプアニールにより基板１２を熱処理する手段であり、基板１２上に塗布された液滴Ｌに含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。
【００３１】
液滴吐出装置３００は、液滴吐出ヘッド３０１と基板１２を支持するステージ３０７とを相対的に走査しつつ基板１２に対して液滴Ｌを吐出する。本実施形態では、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＸ方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板１２の進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板１２の進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板１２とノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００３２】
図２は、液滴吐出ヘッド３０１の断面図である。
液滴吐出ヘッド３０１には、液状体を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液状体を収容する材料タンクを含む液状体供給系３２３を介して液状体が供給される。
【００３３】
ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させることにより、液体室３２１が変形して内圧が高まり、ノズル３２５から液状体の液滴Ｌが吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量を制御し、液状体の吐出量を制御する。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度を制御する。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００３４】
なお、液滴吐出法の吐出技術としては、上記の電気機械変換式の他に、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に例えば３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。
【００３５】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３６】
続いて、図３には液滴吐出法による塗布パターンの形成方法を示す概略図を示す。液滴吐出ヘッド３０１から連続的に吐出された液滴Ｌは、基板１２の表面に着弾する。このとき液滴Ｌは、隣接する液滴同士で重なり合う位置に吐出・塗布される。これにより、液滴吐出ヘッド３０１と基板１２との１回の走査で、塗布した液滴Ｌが描く塗布パターンが、途切れることなく形成されることになる。また、吐出される液滴Ｌの吐出量及び隣接する液滴Ｌとのピッチにより所望の塗布パターンの制御が可能である。図では塗布パターンは線状になる場合を示しているが、隣接する塗布パターンの隙間（図に示す幅Ｗ）を無くすことで、面状に液滴Ｌを塗布することもできる。
【００３７】
次いで、塗布した液体と液滴接触角との関係を示す模式図を図４に示し、この図を用いて液滴が流動する様子を簡単に説明しておく。ここでは、液滴の塗布量を増やしていった場合の液滴が流動する様子を示す。
図には基板１２に配置された液状体の液滴Ｌを示す。基板１２に配置された液状体は、ある静的接触角（接触角）θ１を備えて配置されている（図４（ａ））。この液滴Ｌに更に液状体を供給すると、配置された液状体は自重によりつぶれ変形する。この変形に対応して接触角θ１はθ２に変化する（図４（ｂ））。すなわち、この接触角θ２が前進接触角θａを超えるまで変形が進むと液滴Ｌは流動を始める。基板１２の接触角が前進接触角θａを越えるまで液状体を供給すると、自重による変形を緩和させるため液滴Ｌは濡れ広がる。液滴Ｌの接触角θ３が前進接触角θａと等しくなるまで濡れ広がると、流動が停止する。（図４（ｃ））。このように、塗布された液状体が濡れ広がるかどうかは、液状体の液滴Ｌと基板１２の表面とが成す接触角が、それらの前進接触角θａよりも大きい接触角であることが条件となる。
【００３８】
（撥液材料）
続いて、上述した固体表面の接触角に密接な関係のある撥液部について説明する。本実施形態の撥液部は撥液材料で形成されている。本実施形態では撥液材料として、シラン化合物、フルオロアルキル基を有する化合物、フッ素樹脂（フッ素を含む樹脂）、及びこれらの混合物を用いることができる。シラン化合物としては、一般式（１）
Ｒ１ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３ …（１）
（式中、Ｒ１ は有機基を表し、Ｘ１ は−ＯＲ２ ，−Ｃｌを表し、Ｘ２及びＸ３は−ＯＲ２ ，−Ｒ３，−Ｃｌを表し、Ｒ２ は炭素数１から４のアルキル基を表し、Ｒ３は水素原子または炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３は同一でも異なっても良い）
で表される１種又は２種以上のシラン化合物を用いることができる。
【００３９】
一般式（１）で表されるシラン化合物は、シラン原子に有機基が置換し、残りの結合手にアルコキシ基またはアルキル基または塩素基が置換したものである。有機基Ｒ１の例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェネチル基、ヒドロキシフェニル基、クロロフェニル基、アミノフェニル基、ナフチル基、アンスレニル基、ピレニル基、チエニル基、ピロリル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、ピリジニル基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクタデシル基、ｎ−オクチル基、クロロメチル基、メトキシエチル基、ヒドロキシエチル基、アミノエチル基、シアノ基、メルカプトプロピル基、ビニル基、アリル基、アクリロキシエチル基、メタクリロキシエチル基、グリシドキシプロピル基、アセトキシ基等を例示できる。
【００４０】
−ＯＲ２で示されるアルコキシ基及び塩素基は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成するための官能基であり、水で加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。アルコキシ基の炭素数は、脱離するアルコールの分子量が比較的小さく除去が容易であり、形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、１から４の範囲であることが好ましい。
【００４１】
一般式（Ｉ）で表されるシラン化合物としては、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、１−プロペニルメチルジクロロシラン、プロピルジメチルクロロシラン、プロピルメチルジクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、テトラデシルトリクロロシラン、３−チオシアネートプロピルトリエトキシシラン、ｐ−トリルジメチルクロロシラン、ｐ−トリルメチルジクロロシラン、ｐ−トリルトリクロロシラン、ｐ−トリルトリメトキシシラン、ｐ−トリルトリエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−ブチロキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、ジ−ｔ−ブチルジ−ｔ−ブチロキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルメチルジエトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチルクロロシラン、オクタデシルメチルジクロロシラン、オクタデシルメトキシジクロロシラン、７−オクテニルジメチルクロロシラン、７−オクテニルトリクロロシラン、７−オクテニルトリメトキシシラン、オクチルメチルジクロロシラン、オクチルジメチルクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、１０−ウンデセニルジメチルクロロシラン、ウンデシルトリクロロシラン、ビニルジメチルクロロシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルドデシルジエトキシシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルオクタデシルジエトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジメトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジエトキシシラン、トリアコンチルジメチルクロロシラン、トリアコンチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルイソプロポキシシラン、メチル−ｎ−ブチロキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、メチルトリ−ｔ−ブチロキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルイソプロポキシシラン、エチル−ｎ−ブチロキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、エチルトリ−ｔ−ブチロキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、２−〔２−（トリクロロシリル）エチル〕ピリジン、４−〔２−（トリクロロシリル）エチル〕ピリジン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、１，３−（トリクロロシリルメチル）ヘプタコサン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジメトキシシラン、フェニルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、ベンジルメチルジメトキシシラン、ベンジルジメチルメトキシシラン、ベンジルジメトキシシラン、ベンジルジエトキシシラン、ベンジルメチルジエトキシシラン、ベンジルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、３−アセトキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、６−（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｍ−アミノフェニルエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシシラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、アミルトリエトキシシラン、ベンゾオキサシレピンジメチルエステル、５−（ビシクロヘプテニル）トリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、８−ブロモオクチルトリメトキシシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、３−ブロモプロピルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、２−クロロメチルトリエトキシシラン、クロロメチルメチルジエトキシシラン、クロロメチルメチルジイソプロポキシラン、ｐ−（クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、２−（４−クロロスルフォニルフェニル）エチルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリエトキシシラン、２−シアノエチルトリメトキシシラン、シアノメチルフェネチルトリエトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリメトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリエトキシシラン、３−シクロヘキセニルトリクロロシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリクロロシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルジメチルクロロシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルメチルジクロロシシラン、シクロヘキシルジメチルクロロシラン、シクロヘキシルエチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジクロロシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、（シクロヘキシルメチル）トリクロロシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロオクチルトリクロロシラン、（４−シクロオクテニル）トリクロロシラン、シクロペンチルトリクロロシラン、シクロペンチルトリメトキシシラン、１,１−ジエトキシ−１−シラシクロペンタ−３−エン、等が挙げられる。
【００４２】
他にも、３−（２，４−ジニトロフェニルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、（ジメチルクロロシリル）メチル−７,７−ジメチルノルピナン、（シクロヘキシルアミノメチル）メチルジエトキシシラン、（３−シクロペンタジエニルプロピル）トリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、（フルフリルオキシメチル）トリエトキシシラン、２−ヒドロキシ−４−（３−トリエトキシプロポキシ）ジフェニルケトン、３−（ｐ−メトキシフェニル）プロピルメチルジクロロシラン、３−（ｐ−メトキシフェニル）プロピルトリクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）メチルジクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）トリクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）ジメチルクロロシラン、３−モルフォリノプロピルトリメトキシシラン、（３−グリシドキシプロピル）メチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、１，２，３，４，７，７，−ヘキサクロロ−６−メチルジエトキシシリル−２−ノルボルネン、１，２，３，４，７，７，−ヘキサクロロ−６−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、３−ヨードプロピルトリメトキシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、（メルカプトメチル）メチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メチル｛２−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）エチルアミノ｝−３−プロピオネート、７−オクテニルトリメトキシシラン、Ｒ−Ｎ−α−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピルウレア、Ｓ−Ｎ−α−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピルウレア、フェネチルトリメトキシシラン、フェネチルメチルジメトキシシラン、フェネチルジメチルメトキシシラン、フェネチルジメトキシシラン、フェネチルジエトキシシラン、フェネチルメチルジエトキシシラン、フェネチルジメチルエトキシシラン、フェネチルトリエトキシシラン、（３−フェニルプロピル）ジメチルクロロシラン、（３−フェニルプロピル）メチルジクロロシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（トリエトキシシリルプロピル）ダンシルアミド、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）−４，５−ジヒドロイミダゾール、２−（トリエトキシシリルエチル）−５−（クロロアセトキシ）ビシクロヘプタン、（Ｓ）−Ｎ−トリエトキシシリルプロピル―Ｏ―メントカルバメート、３−（トリエトキシシリルプロピル）−ｐ−ニトロベンズアミド、３−（トリエトキシシリル）プロピルサクシニック無水物、Ｎ−〔５−（トリメトキシシリル）−２−アザ−１−オキソ−ペンチル〕カプロラクタム、２−（トリメトキシシリルエチル）ピリジン、Ｎ−（トリメトキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、フェニルビニルジエトキシシラン、３−チオシアナートプロピルトリエトキシシラン、（トリデカフロオロ−１，１，２，２，−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、Ｎ−｛３−（トリエトキシシリル）プロピル｝フタルアミド酸、（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチルジメトキシシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシシラン、１−トリメトキシシリル−２−（クロロメチル）フェニルエタン、２−（トリメトキシシリル）エチルフェニルスルホニルアジド、β−トリメトキシシリルエチル−２−ピリジン、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ−（３−トリメトキシシリルプロピル）ピロール、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリブチルアンモニウムブロマイド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリブチルアンモニウムクロライド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、ビニルメチルジエトキシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、ビニルメチルジクロロシラン、ビニルフェニルジクロロシラン、ビニルフェニルジエトキシシラン、ビニルフェニルジメチルシラン、ビニルフェニルメチルクロロシラン、ビニルトリス−ｔ−ブトキシシラン、アダマンチルエチルトリクロロシラン、アリルフェニルトリクロロシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、３−アミノフェノキシジメチルビニルシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルジメチルクロロシラン、フェニルメチルジクロロシラン、ベンジルトリクロロシラン、ベンジルジメチルクロロシラン、ベンジルメチルジクロロシラン、フェネチルジイソプロピルクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルジメチルクロロシラン、フェネチルメチルジクロロシラン、５−（ビシクロヘプテニル）トリクロロシラン、５−（ビシクロヘプテニル）トリエトキシシラン、２−（ビシクロヘプチル）ジメチルクロロシラン、２−（ビシクロヘプチル）トリクロロシラン、１,４−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、ブロモフェニルトリクロロシラン、３−フェノキシプロピルジメチルクロロシラン、３−フェノキシプロピルトリクロロシラン、ｔ−ブチルフェニルクロロシラン、ｔ−ブチルフェニルメトキシシラン、ｔ−ブチルフェニルジクロロシラン、ｐ−（ｔ−ブチル）フェネチルジメチルクロロシラン、ｐ−（ｔ−ブチル）フェネチルトリクロロシラン、１,３−（クロロジメチルシリルメチル）ヘプタコサン、（（クロロメチル）フェニルエチル）ジメチルクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）メチルジクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）トリクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）トリメトキシシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、２−シアノエチルトリクロロシラン、２−シアノエチルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルメチルジエトキシシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルジメチルエトキシシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルトリクロロシラン、等が挙げられる。
【００４３】
撥液材料としてシラン化合物を用いることにより、配置した箇所にシラン化合物の自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に優れた撥液性を付与することができる。
【００４４】
シラン化合物の中でも、Ｓｉと直接結合するアルキル基にフッ素を含有する含フッ素アルキルシラン化合物は、ＣｎＦ２ｎ＋１で表されるパ−フルオロアルキル構造を有するものが好適に用いられる。これには、下記の一般式（２）
ＣｎＦ２ｎ＋１（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３ …（２）
（式（２）中、ｎは１から１８の整数を、ｍは２から６までの整数をそれぞれ表している。Ｘ１ は−ＯＲ２ ，−Ｃｌを表し、Ｘ２及びＸ３は−ＯＲ２ ，−Ｒ３，−Ｃｌを表し、Ｒ２ は炭素数１から４のアルキル基を表し、Ｒ３は水素原子または炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３は同一でも異なっても良い）
で表される化合物を例示することができる。
【００４５】
−ＯＲ２で示されるアルコキシ基及び塩素基は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成するための官能基であり、水で加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。アルコキシ基の炭素数は、脱離するアルコールの分子量が比較的小さく除去が容易であり、形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、１から４の範囲であることが好ましい。
【００４６】
上記のような含フッ素アルキルシラン化合物を用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向して自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に優れた撥液性を付与することができる。
【００４７】
より具体的には、ＣＦ３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）１１−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＦ３（ＣＦ２）８−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２、ＣＦ３（ＣＦ２）８−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）（ＯＣ２Ｈ５）２等が挙げられる。
【００４８】
また、撥液材料としてフッ素樹脂を用いる場合には、所定量のフッ素樹脂を所定溶媒に溶解させたものが用いられる。具体的には、住友スリーエム株式会社製「ＥＧＣ１７２０」（ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）溶媒にフッ素樹脂を０．１ｗｔ％溶解させたもの）を用いることができる。この場合、ＨＦＥにアルコール系、炭化水素系、ケトン系、エーテル系、エステル系の溶剤を適宜混合することにより、液滴吐出ヘッド３０１から安定して吐出可能に調整可能である。この他に、フッ素樹脂としては、旭硝子株式会社製「ルミフロン」（各種溶媒に溶解可能）、ダイキン工業株式会社製「オプツール」（溶媒；ＰＦＣ、ＨＦＥ等）、大日本インキ化学工業株式会社製「ディックガード」（溶媒；トルエン、水・エチレングリコール）等を用いることができる。更に、フッ素を含む樹脂としては、側鎖にＦ基、−ＣＦ３、−（ＣＦ２）ｎＣＦ３が含まれるものや、主鎖に−ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦＣｌ−が含まれるものを用いることが可能である。また、撥液性の発現のために加熱・重合の必要があるものについては、必要に応じて例えば１５０℃から２００℃の加熱を行って塗布したフッ素を含む樹脂を重合させ、撥液性を発現させることができる。本実施形態では撥液材料にオクタデシルトリメトキシシラン（ＯＤＳ）を用いる。
【００４９】
以上を踏まえ、図５から図９を用いて多層配線基板の製造方法を説明する。図５には簡略化した例として、コンタクトホールを介して第１導電層と第２導電層とが接続された多層配線基板１０の断面図を示す。
【００５０】
図５に示すように、多層配線基板１０は、第１導電層１と、第１導電層１上に形成された撥液部２と、撥液部２を覆って第１導電層１上に形成された絶縁層３と、撥液部２の内側の絶縁層３に設けられたコンタクトホール４と、コンタクトホール４を介して第１導電層１と電気的に接続する第２導電層５とを備えている。
【００５１】
第１導電層１と第２導電層５は、帯状の配線や板状の導電パットなど回路構成に合わせて様々な形状を備えている。これら各導電層は例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル及びＩＴＯうちのいずれか、及びこれらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体などにより形成されている。本実施形態では銅を用いる。
【００５２】
第１導電層１には、一部の領域を覆う撥液部２が形成されている。撥液部２は、液滴吐出法を用い前述の撥液材料を含む液状体（撥液インクＬ１）を塗布することで形成される。
【００５３】
第１導電層１及び撥液部２を覆って絶縁層３が形成されている。この絶縁層３の形成材料として、本実施形態では光硬化性を有する材料を含んでいる。具体的には、本実施形態の光硬化性材料は、光重合開始剤と、アクリル酸のモノマーおよび／またはオリゴマ−と、を含んでいる。一般的には、この光硬化性材料は、溶剤と、溶剤に溶解した樹脂と、を含有してよい。ここで、この場合の光硬化性材料は、それ自体が感光して重合度を上げる樹脂を含有してもよいし、あるいは、樹脂と、その樹脂の硬化を開始させる光重合開始剤と、を含有していてもよい。また、このような形態に代えて、光硬化性材料として、光重合して不溶の絶縁樹脂を生じるモノマーと、そのモノマーの光重合を開始させる光重合開始剤と、を含有してもよい。ただしこの場合の光硬化性材料は、モノマー自体が光官能基を有していれば、光重合開始剤を含有しなくてもよい。絶縁層３の形成方法については後で詳述する。
【００５４】
絶縁層３には、第１導電層１と接続するコンタクトホール４が形成されている。コンタクトホール４は絶縁層３を貫通して形成されている。このコンタクトホール４の形成方法については後で詳述する。
【００５５】
絶縁層３上には第２導電層５が形成されている。第２導電層５は、コンタクトホール４を介して第１導電層１と接続している。
【００５６】
次に、多層配線基板１０の製造方法について図を用いて説明する。図６から図９は、図５に示す多層配線基板１０を製造する工程を示す工程図であり、各図において（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図を示す。
【００５７】
まず、図６（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０１から吐出された撥液インクＬ１は、形成するコンタクトホールと重なる領域を含む領域（第２領域ＡＲ２）に着弾し、第１導電層１上に第２領域ＡＲ２を覆う撥液部２を形成する。本実施形態では液滴吐出法で撥液インクＬ１を塗布するため、正確な位置に所望の大きさの撥液部２を形成することができる。図６（ｂ）では第２領域ＡＲ２の平面視形状を円形として示しているが、必要に応じて方形、矩形といった他の形状を取ることも可能である。また、塗布する撥液インクＬ１の吐出量を少なくし、第２領域ＡＲ２を小さく形成することも可能である。例えば撥液インクＬ１を１滴のみ着弾させると、撥液インクＬ１は着弾面で略円形に濡れ広がり、微少な第２領域ＡＲ２を形成することができる。図６（ｂ）では撥液部２は厚みを持たせて図示しているが、実際の厚みは数ｎｍから１００ｎｍ程度である。
【００５８】
次いで、図７（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０１から絶縁インクＬ２を吐出し、第２領域ＡＲ２を除く第１導電層１上に絶縁インクＬ２を塗布する。絶縁インクＬ２は第２領域ＡＲ２に形成された撥液部２ではじかれるため、ひとまず第２領域ＡＲ２以外の領域に配置され、第２領域ＡＲ２に重なる領域に開口部４ａが形成された状態で塗布される。図７（ｂ）に示すように、第２領域ＡＲ２の周囲を囲むように絶縁インクＬ２が塗布される。ここで、コンタクトホールと重なる領域以外の領域のほとんどを絶縁インクＬ２で覆うことができ、形成される開口部４ａによりコンタクトホールを形成する位置をほぼ確定できる。
【００５９】
次いで、図８（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０１から更に絶縁インクＬ２を吐出し塗布を重ねると、厚みを増した絶縁インクＬ２は自重により変形し、変形により塗布された絶縁インクＬ２と撥液部２との接触角はこれらの前進接触角に達する。すると絶縁インクＬ２は、撥液部２の撥液性に逆らって第２領域ＡＲ２の内側に濡れ広がる。濡れ広がる絶縁インクＬ２が所望の第１領域ＡＲ１を覆うまで塗布を行い、所定の光照射を行って絶縁インクＬ２を硬化させることで、所望の開口径のコンタクトホール４を備えた絶縁層３を形成する。図８（ｂ）に示すように、絶縁インクＬ２は、第２領域ＡＲ２の周囲から第２領域ＡＲ２の中心に向かって等方的に濡れ広がる。そして、等方的に絶縁インクＬ２が濡れ広がるため、第１領域ＡＲ１は第２領域ＡＲ２の中心付近に形成される。この様にすることで、撥液部を形成した第２領域ＡＲ２よりも小さい開口径のコンタクトホール４を形成することができる。また、第１領域ＡＲ１を第２領域ＡＲ２の中心位置に設定することで、コンタクトホール４を位置精度良く形成することができる。
【００６０】
次いで、図９（ａ）に示すように、コンタクトホール４及び絶縁層３の上面に導電性材料を配置して第２導電層５を形成する。例えば、前述のような液滴吐出法を用いて導電性材料を含む機能液をコンタクトホール４及び絶縁層３の所定の領域に塗布すると第２導電層５を形成することができる。撥液部２の厚みは数ｎｍから１００ｎｍ程度と微少量であるので、後述の配線パターン形成のための熱処理を行うことによる撥液部の部分的な分解、または微粒子同士の融着等の反応により、第１導電層１はコンタクトホール４を介して第２導電層５と導通を確保して形成される。図９（ｂ）に示すように、第２導電層５を形成すると、第１領域ＡＲ１の大きさの開口径を備えたコンタクトホール４により接続される。
【００６１】
ここで導電性材料を含む機能液は、例えば金、銀、銅、パラジウム、ニッケル及びＩＴＯうちのいずれか、及びこれらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体などを含む導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液である。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
【００６２】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性の点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００６３】
配置された後には、機能液の液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング剤を除去するため熱処理及び／又は光処理を行い、第２導電層５を形成する。詳しくは、配置された機能液の分散媒を除去し、導電性微粒子間を接触または融着させて配線を形成する。導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も合わせて除去する。本実施形態では電気炉（不図示）による加熱により熱処理を行い、第２導電層５を形成する。
【００６４】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
【００６５】
例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
【００６６】
熱処理及び／又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。上記熱処理及び／又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され第２導電層５が形成される。以上のようにして、コンタクトホールを介して第１導電層と第２導電層が接続された多層配線基板１０が完成する。
【００６７】
以上のような構成の多層配線基板１０の製造方法によれば、まず撥液部２の位置によりコンタクトホール４の位置を正確に設定し、次いで絶縁インクＬ２を撥液部２と絶縁インクＬ２との前進接触角以上となるように塗布することで、第１領域ＡＲ１の大きさを制御することができる。このことにより、撥液部２よりも小さいコンタクトホール４を自在に形成することができる。そのため、正確にコンタクトホール４の位置や大きさが制御された多層配線基板１０を製造することができる。
【００６８】
また、本実施形態では、液滴吐出法を用いて撥液インクＬ１の塗布を行い、撥液部２を形成している。そのため、微細な面積の撥液部２を容易に形成することが可能であり、微細なコンタクトホール４を形成することができる。
【００６９】
また、本実施形態では、絶縁層３を形成する工程において、絶縁インクＬ２の塗布量を制御することで第１領域ＡＲ１の大きさを制御することとしている。微少な塗布量の調整が可能な液滴吐出法の特長を活かし、絶縁インクＬ２の塗布量を精密に制御することで、容易に絶縁インクＬ２の前進接触角よりも大きくなる条件で塗布することが可能となり、コンタクトホール４の形成が容易になる。
【００７０】
また本実施形態では、撥液部２の形成材料にＯＤＳを用いている。ＯＤＳは配置した面で自己組織化膜を形成するシラン化合物である。そのため、液材材料として必要な撥液性を十分に確保し、良好な撥液部２を形成することが出来る。更に、撥液材料を塗布すると自己組織化により即座に塗布面で単分子膜を形成し、良好な撥液性を発現することができる。そのため、容易に撥液部２を形成することができる。
【００７１】
また、本実施形態では、絶縁層３の形成材料は光硬化性樹脂であることとしている。光硬化性樹脂は一般に硬化収縮が少ないため、所望の形状のコンタクトホール４を容易に形成することができる。また、短時間の光照射により樹脂が硬化するので、硬化中に配置した絶縁層形成材料が流動し形状が変形することを避け、コンタクトホール４の形状・大きさを精度よく制御することができる。更に、短時間の光照射により樹脂が硬化しコンタクトホール４を形成することができるので、熱硬化性樹脂と比較して作業効率が良く生産性を向上させることができる。
【００７２】
なお、本実施形態においては、撥液材料は自己組織化膜を形成するシラン化合物であるＯＤＳを用いるものとしたが、撥液材料は撥液部２を構成する高分子の前駆体であっても構わない。このような前駆体として、例えばフッ素樹脂が挙げられる。その場合には、撥液部２を形成する工程には、配置した撥液材料を加熱して重合させる操作を含むことが望ましい。この方法によれば、フッ素樹脂を加熱して重合させることにより確実に撥液性を発現させることができる。
【００７３】
また、本実施形態においては、絶縁インクＬ２の塗布量を制御することで第１領域ＡＲ１の大きさを制御するとしたが、絶縁インクＬ２の温度を制御して制御することとしても構わない。液状体の前進接触角は液状体の温度により変化し、液状体の温度が上がると前進接触角は小さく、温度が下がると前進接触角は大きくなる。そのため、接触角θで配置した絶縁インクＬ２の温度を上げると、前進接触角の値が変化し、接触角θが前進接触角以上になると流動を開始する。したがって、絶縁インクＬ２の第２領域ＡＲ２の内側への流動を制御することが可能となる。また、絶縁インクＬ２の塗布量と温度の両方を同時に制御して第１領域ＡＲ１の大きさを制御することとしても構わない。
【００７４】
（多層配線基板）
続いて、上記製造方法を用いて製造される多層配線基板について図１０を参照して説明する。ここでは、携帯電話に搭載される多層配線基板５００の例を用いて説明する。図１０に示す多層配線基板５００は、シリコンからなる基材１２上に、３つの配線層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が積層されてなるものである。以下の説明では、各配線層の積層方向を上方向、基材１２が配置されている方向を下方向として各構成部材の上下関係を示す。
【００７５】
基材１２は、他にもガラス、石英ガラス、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、絶縁膜、有機膜、などが下地層として形成されたものも含む。
【００７６】
配線層Ｐ１は、基板１２上に形成された絶縁層１３と、基板１２上で且つ絶縁層１３に埋め込まれて配置された抵抗２０及びコンデンサ２１と、抵抗２０及びコンデンサ２１と接続される配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃと、各配線を覆って絶縁層１３上に形成される第１層間絶縁膜（絶縁層）６０を備える。
【００７７】
基板１２上に配置された抵抗２０は、２つの電極部２０ａを備えている。これら電極部２０ａは、抵抗２０の上面に形成されている。また、抵抗２０と同様に基板１２上に配置されたコンデンサ２１は、２つの電極部２１ａを備えており、これら電極部２１ａもコンデンサ２１の上面に形成されている。
【００７８】
なお、実際には電極部２０ａ、２１ａは、抵抗２０、コンデンサ２１の上面から略突出なく形成されているが、ここでは、突起状に図示している。また、液滴吐出法等を用いて導電性材料を吐出することで実際に突起を形成してもよい。
【００７９】
基板１２の上面であって、抵抗２０及びコンデンサ２１の周囲及び上面には絶縁層１３が形成されている。絶縁層１３は、上述した液滴吐出法をもちいて光硬化性の絶縁インクを塗布し、塗布した絶縁インクを硬化させることで形成される。
【００８０】
絶縁層１３の上面には、配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃが形成されている。各配線も、上述した液滴吐出法を用いて導電性材料を含む機能液を塗布することで形成される。本実施形態では、導電性材料として銀微粒子を含む機能液を用いている。これらの配線のうち、配線１５Ｂは一端が電極部２０ａの一方と、他端が電極部２１ａの一方と接続しており、抵抗２０とコンデンサ２１を電気的に接続している。また、配線１５Ａは他方の電極部２０ａと接続しており、配線１５Ｃは他方の電極部２１ａと接続している。
【００８１】
絶縁層１３の上面には、配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃを覆って、第１層間絶縁膜６０が形成されている。第１層間絶縁膜６０は、絶縁層１３と同様に液滴吐出法をもちいて光硬化性の絶縁インクを塗布し、塗布した絶縁インクを硬化させることで形成される。
【００８２】
第１層間絶縁膜６０には、配線１５Ａと接続する第１コンタクトホールＨ１と、配線１５Ｃと接続する第２コンタクトホールＨ２が形成されている。これら各コンタクトホールの内部は、各配線の形成材料と同一材料で充填されている。
【００８３】
配線層Ｐ２は、第１層間絶縁膜６０上に配置される半導体チップ７０と、同じく第１層間絶縁膜６０上に配置される配線６１と、これら半導体チップ７０及び配線６１を覆い第１層間絶縁膜６０上に形成される第２層間絶縁膜６２と、を備えている。第１層間絶縁膜６０上に備えられた半導体チップ７０は、上面に外部接続用の端子７２を備えている。
【００８４】
第１層間絶縁膜６０上に備えられた配線６１は、第１コンタクトホールＨ１に接続されている。配線６１は配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃと同じく、液滴吐出法にて導電性材料を塗布することにより形成されている。また配線６１は、配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃと同一材料により形成されている。
【００８５】
第１層間絶縁膜６０の上面には、配線６１、半導体チップ７０を覆って、第２層間絶縁膜６２が形成されている。第１層間絶縁膜６０は、絶縁層１３及び第１層間絶縁膜６０と同様に液滴吐出法をもちいて光硬化性の絶縁インクを塗布し、塗布した絶縁インクを硬化させることで形成される。
【００８６】
第２層間絶縁膜６２には、第２層間絶縁膜６２を貫通して配線６１に接続する第３コンタクトホールＨ３と、同じく第２層間絶縁膜６２を貫通する上述した第２コンタクトホールＨ２の一部と、が形成されている。各コンタクトホールの内部は、各配線の形成材料と同一材料で充填されている。
【００８７】
配線層Ｐ３は、第２層間絶縁膜６２上に形成された配線６３Ａ及び６３Ｂと、これらの配線６３Ａ，６３Ｂを覆って第２層間絶縁膜６２上に形成される第３層間絶縁膜６４と、第３層間絶縁膜６４上に配置されたアンテナ素子２４及び水晶振動子２５と、を備えている。
【００８８】
第２層間絶縁膜６２上に形成された配線６３Ａは、第２コンタクトホールＨ２を介して配線１５Ｃと接続している。また、配線６３Ａは半導体チップ７０が備える一方の端子７２と接続している。したがって、配線６３Ａ、第２コンタクトホールＨ２、配線１５Ｃを介して半導体チップ７０とコンデンサ２１が接続している。
【００８９】
また、第２層間絶縁膜６２上に形成された配線６３Ｂは、第３コンタクトホールＨ３を介して配線６１と接続している。また、配線６３Ｂは半導体チップ７０が備える他方の端子７２と接続している。したがって、配線６３Ｂ、第３コンタクトホールＨ３、配線６１、第１コンタクトホールＨ１を介して半導体チップ７０と抵抗２０が接続している。
【００９０】
これら配線６３Ａ，６３Ｂは前述の液滴吐出法にて導電性材料を塗布することにより形成され、また配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，６１と同一材料により形成されている。
【００９１】
第３層間絶縁膜６４には、第３層間絶縁膜６４を貫通して配線６３Ａと水晶振動子２５とを接続する第４コンタクトホールＨ４と、同じく第２層間絶縁膜６２を貫通し配線６３Ｂとアンテナ素子２４とを接続する第５コンタクトホールＨ５が形成されている。各コンタクトホールの内部は、各配線の形成材料と同一材料で充填されている。
【００９２】
このような多層配線基板５００の各コンタクトホールＨ１からＨ５は、前述したコンタクトホールの形成方法を用いて形成されている。そのため、各コンタクトホールを位置精度良く形成された多層配線基板５００とすることが出来る。また、第１領域を小さく設定し小さい開口径のコンタクトホールを形成することで、微細なコンタクトホールで各層間を電気的に接続した多層配線基板５００とすることが可能となる。
【００９３】
（電子機器）
図１１は、本発明にかかる多層配線基板を電子機器の一実施形態としての携帯電話の斜視構成図である。この携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
【００９４】
本実施形態の携帯電話１３００においては、微細なコンタクトホールで層間が接続された多層配線基板を備えているので、基板を高密度化することが可能となり、携帯電話１３００の装置全体が小型化された電子機器となる。
【００９５】
上記の実施形態の多層配線基板は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、プロジェクタ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等に好適に用いることができる。高密度化された配線基板を用いることにより装置の小型化が可能となり、また、高集積化された配線基板を用いることでより高性能な演算能力を備えた電子機器とすることが可能となる。
【００９６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】液滴吐出装置の概略的な構成図である。
【図２】液滴吐出装置に備わる液滴吐出ヘッドの断面図である。
【図３】液滴吐出法によるパターン形成方法を示す概略図である。
【図４】液滴の濡れ広がり方を示す概略図である。
【図５】本実施形態の多層配線基板の一例を示す断面図である。
【図６】本実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図７】本実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図８】本実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図９】本実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図１０】多層配線基板の別形態を示す断面図である。
【図１１】電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９８】
１…第１導電層、２…撥液部、３…絶縁層、４…コンタクトホール（開口部）、５…第２導電層、１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，６１，６３Ａ，６３Ｂ…配線（第１導電層、第２導電層）６０…第１層間絶縁膜（絶縁層）、６２…第２層間絶縁膜（絶縁層）、６４…第３層間絶縁膜（絶縁層）、５００…多層配線基板、Ｈ１〜Ｈ５…第１〜第５コンタクトホール（開口部）、１３００…携帯電話（電子機器）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電層と第２導電層とが絶縁層を介して積層され、前記絶縁層に開口された開口部を介して前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続されてなる多層配線基板の製造方法であって、
前記第１導電層上に撥液部を形成する工程と、
前記撥液部の周囲に前記絶縁層の形成材料を含む機能液を配置して前記第１導電層上に前記開口部を有する前記絶縁層を形成する工程と、を備え、
前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度が前記機能液の前進接触角よりも大きくなる条件で前記機能液を配置し、前記機能液の前記撥液部に面する部分の位置を前記撥液部の内側に流動させることにより、前記撥液部の面積よりも小さい開口面積を備える前記開口部を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記撥液部を液滴吐出法により形成することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液の塗布量によって、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度を制御することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液の加熱することによって、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度を制御することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記撥液材料は、シラン化合物又はフルオロアルキル基を含む化合物の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記撥液材料は、前記撥液材料を配置した面で自己組織化膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記撥液材料は、前記撥液部を構成する高分子の前駆体であり、
前記撥液部を形成する工程は、前記撥液材料を加熱して重合させる工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層形成材料は、光硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
第１導電層と第２導電層とが絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる多層配線基板であって、
前記コンタクトホールは、前記第１導電層の上に配置された撥液部の上に形成され、
前記コンタクトホールの開口面積は、前記撥液部の面積より小さい面積であり、
前記コンタクトホールの側壁と前記撥液部とが成す角は、前記液状体と前記撥液部との前進接触角と等しい角度を備えることを特徴とする多層配線基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の多層配線基板を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
第１導電層と第２導電層とが絶縁層を介して積層され、前記絶縁層に開口された開口部を介して前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続されてなる多層配線基板の製造方法であって、
前記第１導電層上に撥液部を形成する工程と、
前記撥液部の周囲に前記絶縁層の形成材料を含む機能液を配置して前記第１導電層上に前記開口部を有する前記絶縁層を形成する工程と、を備え、
前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度が前記機能液の前進接触角よりも大きくなる条件で前記機能液を配置し、前記機能液の前記撥液部に面する部分の位置を前記撥液部の内側に流動させることにより、前記撥液部の面積よりも小さい開口面積を備える前記開口部を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記撥液部を液滴吐出法により形成することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液の塗布量によって、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度を制御することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層を形成する工程では、前記機能液の加熱することによって、前記機能液が前記撥液部と接触する部分の角度を制御することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記撥液材料は、シラン化合物又はフルオロアルキル基を含む化合物の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記撥液材料は、前記撥液材料を配置した面で自己組織化膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記撥液材料は、前記撥液部を構成する高分子の前駆体であり、
前記撥液部を形成する工程は、前記撥液材料を加熱して重合させる工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層形成材料は、光硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
第１導電層と第２導電層とが絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる多層配線基板であって、
前記コンタクトホールは、前記第１導電層の上に配置された撥液部の上に形成され、
前記コンタクトホールの開口面積は、前記撥液部の面積より小さい面積であり、
前記コンタクトホールの側壁と前記撥液部とが成す角は、前記液状体と前記撥液部との前進接触角と等しい角度を備えることを特徴とする多層配線基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の多層配線基板を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００９−７１２４０（Ｐ２００９−７１２４０Ａ）
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２４１０１５（Ｐ２００７−２４１０１５）
【出願日】平成１９年９月１８日（２００７．９．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月１８日（２００７．９．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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