説明

感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品

【課題】耐薬品性、及び銅基板等への基板密着性に優れるパターン硬化膜が製造可能な感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー、(b)光により酸を発生する化合物、(c)オキセタニル基を有する化合物及び(d)架橋剤を、(a)成分100質量部に対して、(b)成分1〜100質量部、(c)成分0.1〜20質量部、(d)成分10〜40質量部それぞれ含有する感光性樹脂組成物。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体素子の表面保護膜及び層間絶縁膜には、優れた耐熱性と電気特性、機械特性等を併せ持つポリイミドが用いられている。近年、ポリイミド自身に感光特性を付与した感光性ポリイミドが用いられており、これを用いるとパターン作製工程が簡略化でき、煩雑な製造工程の短縮が行えるという特徴を有する。
【0003】
感光性ポリイミドは、現像の際にN−メチルピロリドン等の有機溶剤が用いられてきたが、最近では、環境への配慮から、アルカリ水溶液で現像ができるポジ型感光性ポリイミドの提案がなされている。ポジ型感光性ポリイミドとしては、ポリイミド又はポリイミド前駆体に感光剤としてナフトキノンジアジド化合物を混合する方法が提案されている(特許文献1及び2)。
【0004】
また、アルカリ水溶液で現像できるポジ型感光性樹脂として、ポリベンゾオキサゾール又はポリベンゾオキサゾール前駆体が提案されている。ポリベンゾオキサゾール又はポリベンゾオキサゾール前駆体は、ポリイミド又はポリイミド前駆体よりも、露光部と未露光部の溶解速度のコントラストが大きいため、より精密なパターンを形成することが可能である(特許文献3及び非特許文献1)。
【0005】
近年、半導体素子のパッケージ形態の多様化に伴い、感光性樹脂膜は半導体の表面保護膜、層間絶縁膜、再配線層等として用いられることが増えてきた。これらの用途で用いられる場合、感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥し、所定のパターンに露光し、加熱処理することで得られたパターン硬化膜は、リフロー処理工程、レジスト工程等に曝される。リフロー処理工程、レジスト工程等では、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等の溶剤が用いられるため、パターン硬化膜はこれらの溶剤に対する耐薬品性が求められている。
しかしながら、非特許文献1のような感光性樹脂組成物から作成したパターン硬化膜は、リフロー処理工程、レジスト工程等で、パターン硬化膜にクラックが発生したり、基板から剥がれる問題があった。
また、半導体素子の高集積化及び小型化に伴う、パッケージ基板の薄膜化、小型化等により、ウエハーレベルチップサイズパッケージ(WL-CSP)の需要が高まっている。感光性樹脂膜がWL-CSPに用いられる場合、配線を形成する金属との密着性が求められる。一般的に基板との密着性向上のために、感光性樹脂組成物に有機ケイ素化合物を含有する方法が知られているが、銅等の配線を形成する金属に対する密着性は不十分であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開昭64−60630号公報
【特許文献2】米国特許第4395482号明細書
【特許文献3】特開2009−265520号公報
【非特許文献】
【0007】
【非特許文献1】J.Photopolym.Sci.Technol.,vol.17,207−213.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明の目的は、耐薬品性、及び銅基板等への基板密着性に優れるパターン硬化膜が製造可能な感光性樹脂組成物を提供することである。
本発明の他の目的は、低温プロセスで硬化可能な上記感光性樹脂組成物から得られるパターン硬化膜を層間絶縁膜又は表面保護膜として備える、信頼性の高い電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明によれば、以下の感光性樹脂組成物等が提供される。
1.下記成分(a)〜(d)を、(a)成分100質量部に対して、(b)成分1〜100質量部、(c)成分0.1〜20質量部、(d)成分10〜40質量部それぞれ含有する感光性樹脂組成物。
(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー
(b)光により酸を発生する化合物
(c)オキセタニル基を有する化合物
(d)架橋剤
2.(c)オキセタニル基を有する化合物と(d)架橋剤の質量比である(d)/(c)が1〜40である1に記載の感光性樹脂組成物。
3.前記(a)成分が、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリアミド酸、及びポリヒドロキシアミドのいずれかである1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
4.前記(a)成分が、ポリヒドロキシアミドである請求項1〜3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
5.前記(b)成分が、ジアゾナフトキノンである1〜4のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
6.前記(c)成分が、下記式(I)で表される化合物である1〜5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【化1】

(式中、Xは、単結合、アルキレン基、芳香族環、酸素原子及び硫黄原子の少なくとも1つを有する2価の基である。
A及びBは、それぞれ炭素数1〜10のアルキル基である。)
7.前記(d)成分が、分子内にメチロ−ル基又はアルコキシアルキル基を有する化合物である1〜6のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
8.1〜7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を、支持基板上に塗布、乾燥し、感光性樹脂膜を形成する工程、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程、
前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像する工程、及び
前記現像後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程を含む、パターン硬化膜の製造方法。
9.8に記載のパターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜である層間絶縁膜。
10.8に記載のパターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜である表面保護膜。
11.8に記載のパターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜である再配線層。
12.8に記載のパターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜を、層間絶縁膜、表面保護膜又は再配線層として有する電子部品。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、耐薬品性、及び銅基板等への基板密着性に優れるパターン硬化膜が製造可能な感光性樹脂組成物が提供できる。
本発明によれば、低温プロセスで硬化可能な上記感光性樹脂組成物から得られるパターン硬化膜を層間絶縁膜又は表面保護膜として備える、信頼性の高い電子部品が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の一実施形態に係る再配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
[感光性樹脂組成物]
本発明の感光性樹脂組成物は、下記成分(a)〜(d)を、(a)成分100質量部に対して、(b)成分1〜100質量部、(c)成分0.1〜20質量部、(d)成分10〜40質量部それぞれ含有する。
(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー
(b)光により酸を発生する化合物
(c)オキセタニル基を有する化合物
(d)架橋剤
【0013】
本発明の感光性樹脂組成物は、例えば200℃以下の低温の加熱処理であっても、十分な感光特性、耐熱性、及び機械特性を有するパターン硬化膜を形成することが可能である。
また、本発明の感光性樹脂組成物から得られるパターン硬化膜は、耐薬品性、及び銅基板等への基板密着性に優れる。
以下、各成分について説明する。
【0014】
(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー
(a)成分は、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、金属水酸化物水溶液、有機アミン水溶液等のアルカリ性水溶液に可溶なポリマーである。一般には、濃度が2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が用いられるので、(a)成分は、好ましくは当該濃度が2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に可溶性であるポリマーである。
【0015】
(a)成分であるアルカリ性水溶液に可溶なポリマーの「アルカリ性水溶液に可溶」は、例えば以下により判断できる。
(a)成分、(b)成分、(c)成分及び(d)成分を任意の溶剤に溶解して得られる本発明の感光性樹脂組成物をシリコンウエハ等の基板上にスピン塗布して膜厚5μm程度の塗膜を形成する。これをテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、金属水酸化物水溶液、有機アミン水溶液のいずれか1つに、20〜25℃において浸漬し、均一な溶液として溶解し得るとき、用いた(a)成分はアルカリ水溶液に可溶であると判断できる。
【0016】
(a)成分であるアルカリ性水溶液に可溶なポリマーとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオキサゾール、ポリアミド、ポリアミド酸(ポリイミド前駆体)、ポリアミド酸エステル(ポリイミド前駆体)、ポリヒドロキシアミド(ポリオキサゾール前駆体)等が挙げられる。
【0017】
(a)成分は、耐熱性及び耐薬品性の観点から、好ましくはポリイミド、ポリオキサゾール、ポリアミド酸、及びポリヒドロキシアミドの少なくとも1つ、又は、アルカリ水溶液への溶解性の観点から、好ましくは分子内にフェノール性水酸基、カルボキシル基、及びスルホン酸基の少なくとも1つを有するポリマーである。
また、(a)成分は、耐熱性及びアルカリ性の溶液への溶解性を両立させるという観点から、より好ましくはポリアミド酸、ポリヒドロキシアミド、フェノール性水酸基を有するポリイミド、又はカルボキシル基を有するポリイミドであり、耐熱性及びアルカリ水溶液への溶解性がより優れているという観点から、特に好ましくはポリヒドロキシアミドである。
(a)成分は、上記のポリマー骨格を2種以上有する共重合体でもよく、2種以上の上記ポリマーを含有する混合物でもよい。
【0018】
良好な機械特性及び耐熱性を発現できる観点から、(a)成分は、好ましくは下記式(II)で表される構造単位を有する化合物である。
【化2】

(式中、Uは4価の有機基であり、Vは2価の有機基である。)
【0019】
式(II)で表わされるヒドロキシ基を含有するアミドユニットは、加熱工程における脱水閉環により、耐熱性、機械特性及び電気特性に優れるオキサゾール環に変換される。
【0020】
式(II)で表される構造単位において、ポリマーのアルカリ水溶液に対する可溶性は、ヒドロキシ基を含有するアミドユニットに由来する。従って、(a)成分が2種類以上のポリマー骨格を有する共重合体であるときは、好ましくは下記式(III)で表される構造単位を有する化合物である。
【化3】

(式中、Uは4価の有機基を示し、V及びWは各々独立に2価の有機基を示す。
j及びkは、モル分率を示し、jとkの和は100モル%であって、jが60〜99.9モル%、kが0.1〜40モル%であり、好ましくはj=80〜99.9モル%、k=0.1〜20モル%である。)
【0021】
式(II)及び(III)において、Uで表される4価の有機基は、ポリヒドロキシアミドの合成に用いられるジアミン類の残基である。
Uで表される4価の有機基は、好ましくは4価の芳香族基、又は炭素原子数6〜40の有機基であり、より好ましくは炭素原子数6〜40の4価の芳香族基である。
上記4価の芳香族基としては、4個の結合部位がいずれも芳香環上に存在する芳香族基が好ましい。
【0022】
Uで表される4価の有機基を与えるジアミン類としては、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロキシビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン等が挙げられる。
ジアミン類の残基は、これらに限定されず、これらの化合物の残基を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
【0023】
式(III)において、Wで表される2価の有機基は、ポリヒドロキシアミドの合成に用いられるジアミン類の残基である。Wで表される2価の有機基は、好ましくは2価の芳香族基、2価の脂肪族基、又は炭素数4〜20の有機基であり、より好ましくは炭素数4〜20の芳香族基である。ここで、Wで表される2価の有機基は、Uで表される4価の有機基与えるジアミン類以外のジアミン類の残基である。
【0024】
Wで表される2価の有機基を与えるジアミン類としては、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、ベンジシン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン等の芳香族ジアミン化合物;シリコーン基を有するジアミン類であるLP−7100、X−22−161AS、X−22−161A、X−22−161B、X−22−161C及びX−22−161E(いずれも信越化学工業株式会社製、商品名)等が挙げられるが、これらに限定されない。
これらの化合物は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
【0025】
式(II)及び(III)において、Vで表される2価の有機基は、ポリヒドロキシアミドの合成に用いられるジカルボン酸、又はジカルボン酸誘導体(以下、ジカルボン酸類という)の残基である。Vで表される2価の有機基は、好ましくは2価の芳香族基又は、炭素原子数6〜40の有機基である。
【0026】
Vで表される2価の有機基は、耐熱性の観点からは、好ましくは炭素原子数6〜40の2価の芳香族基であり、当該2価の芳香族基は、好ましくは2個の結合部位がいずれも芳香環上に存在する芳香族基である。
また、Vで表される2価の有機基は、例えば200℃以下の低温での加熱工程において脱水閉環率が高く、良好な耐熱性及び機械強度を有するという観点からは、好ましくは炭素数6〜30の脂肪族構造を有する2価の有機基である。Vが炭素数6〜30の脂肪族構造を有する2価の有機基である(a)成分と、後述の(c)成分を併せて用いることで、より良好な機械特性、耐薬品性、密着性を有するパターン硬化膜を与えることができる。
【0027】
Vで表される2価の有機基を与えるジカルボン酸としては、イソフタル酸、テレフタル酸、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、4,4'−ジカルボキシビフェニル、4,4'−ジカルボキシジフェニルエーテル、4,4'−ジカルボキシテトラフェニルシラン、ビス(4−カルボキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(p−カルボキシフェニル)プロパン、5−tert−ブチルイソフタル酸、5−ブロモイソフタル酸、5−フルオロイソフタル酸、5−クロロイソフタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族系ジカルボン酸;1,2−シクロブタンジカルボン酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、1,3−シクロペンタンジカルボン酸等の脂肪族環状構造を有するジカルボン酸;マロン酸、ジメチルマロン酸、エチルマロン酸、イソプロピルマロン酸、ジ−n−ブチルマロン酸、スクシン酸、テトラフルオロスクシン酸、メチルスクシン酸、2,2−ジメチルスクシン酸、2,3−ジメチルスクシン酸、ジメチルメチルスクシン酸、グルタル酸、ヘキサフルオログルタル酸、2−メチルグルタル酸、3−メチルグルタル酸、2,2−ジメチルグルタル酸、3,3−ジメチルグルタル酸、3−エチル−3−メチルグルタル酸、アジピン酸、オクタフルオロアジピン酸、3−メチルアジピン酸、オクタフルオロアジピン酸、ピメリン酸、2,2,6,6−テトラメチルピメリン酸、スベリン酸、ドデカフルオロスベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘキサデカフルオロセバシン酸、1,9−ノナン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、ヘンエイコサン二酸、ドコサン二酸、トリコサン二酸、テトラコサン二酸、ペンタコサン二酸、ヘキサコサン二酸、ヘプタコン二酸、オクタコサン二酸、ノナコサン二酸、トリアコンタン二酸、ヘントリアコンタン二酸、ドトリアコンタン二酸、ジグリコール酸等の脂肪族直鎖構造を有するジカルボン酸が挙げられる。
【0028】
上記のジカルボン酸の他、下記式で表わされるジカルボン酸が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【化4】

(式中、Zは炭素数1〜6の2価の炭化水素基、nは1〜6の整数である。)
これら化合物は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
【0029】
(a)成分の分子量は、重量平均分子量で3,000〜200,000が好ましく、5,000〜100,000がより好ましく、5,000〜50,000であることがさらに好ましい。
ここで、上記分子量は、例えばゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線より換算して得た値である。
【0030】
(a)成分の製造方法に特に制限はなく、例えば、式(II)で表わされる構造単位を含む化合物であるポリヒドロキシアミドは、一般的にジカルボン酸類とヒドロキシ基含有ジアミン類と、必要に応じてヒドロキシ基含有ジアミン類以外のジアミン類を用いることで合成できる。
具体的には、ジカルボン酸誘導体をジハライド誘導体に変換後、ジアミン類との反応を行うことにより合成できる。ジハライド誘導体としては、ジクロリド誘導体が好ましい。
【0031】
上記ジクロリド誘導体は、ジカルボン酸類とハロゲン化剤を溶媒中で反応させるか、過剰のハロゲン化剤中で反応を行った後、過剰分を留去する方法で合成できる。
ハロゲン化剤としては通常のカルボン酸の酸クロリド化反応に使用される、塩化チオニル、塩化ホスホリル、オキシ塩化リン、五塩化リン等が使用できる。反応溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチル−2−ピリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン等が使用できる。
【0032】
これらのハロゲン化剤の使用量は、溶媒中で反応させる場合は、ジカルボン酸誘導体に対して、1.5〜3.0モルが好ましく、1.7〜2.5モルがより好ましく、ハロゲン化剤中で反応させる場合は、4.0〜50モルが好ましく、5.0〜20モルがより好ましい。
反応温度は、−10〜70℃が好ましく、0〜20℃がより好ましい。
【0033】
ジクロリド誘導体とジアミン類との反応は、脱ハロゲン化水素剤の存在下に、有機溶媒中で行うことが好ましい。
脱ハロゲン化水素剤としては、ピリジン、トリエチルアミン等の有機塩基を用いることができる。また、有機溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチル−2−ピリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等を用いることができる。
反応温度は、−10〜30℃が好ましく、0〜20℃がより好ましい。
【0034】
(a)成分がポリアミド酸である場合は、一般的に、有機溶媒中でテトラカルボン酸二無水物又はその誘導体とジアミン類との反応を行うことにより合成できる。
有機溶媒としては、上記のポリヒドロキシアミドの合成に用いられる有機溶媒と同様のものを用いることができる。
【0035】
ポリアミド酸の製造に用いるテトラカルボン酸二無水物としては、例えばピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物等の芳香族系テトラカルボン酸二酸無水物等が挙げられ、これらを単独で又は2種以上組み合わせて使用することができる。
【0036】
ポリアミド酸の製造に用いるジアミンとしては、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン及び脂環式ジアミンが挙げられる。具体的には、2,5−ジアミノ安息香酸、3,4−ジアミノ安息香酸、3,5−ジアミノ安息香酸、2,5−ジアミノテレフタル酸、ビス(4−アミノ−3−カルボキシフェニル)メチレン、ビス(4−アミノ−3−カルボキシフェニル)エーテル、4,4−ジアミノ−3,3’−ジカルボキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−5,5’−ジカルボキシ−2,2’−ジメチルビフェニル、1,3−ジアミノ−4−ヒドロキシベンゼン、1,3−ジアミノ−5−ヒドロキシベンゼン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,1,3,3,−テトラメチル1,3−ビス(4−アミノフェニル)ジシロキサン、ポリ(プロピレングリコール)ジアミン等が挙げられ、これらを単独で又は2種以上組み合わせて使用することができる。
【0037】
上記の他、(a)成分として用いることができるポリマー及びその前駆体は、例えば、以下の方法により合成することができる:
(a)成分がポリイミドである場合は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを反応させ、脱水閉環することによりポリイミドが得られる。
(a)成分がポリアミドイミドである場合は、例えば、トリカルボン酸とジアミンとを反応させ、脱水閉環することによりポリアミドイミドが得られる。
(a)成分がポリオキサゾールである場合は、例えば、ジカルボン酸ジクロリドとジヒドロキシジアミンとを反応させ、脱水閉環することによりポリオキサゾールが得られる。
(a)成分がポリアミドである場合は、例えば、ジカルボン酸ジクロリドとジアミンとを反応させることによりポリアミドが得られる。
(a)成分がポリアミド酸(ポリイミド前駆体)である場合は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを反応させることによりポリアミド酸が得られる。
(a)成分がポリアミド酸エステル(ポリイミド前駆体)である場合は、例えば、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドとジアミンとを反応させることによりポリアミド酸エステルが得られる。
(a)成分がポリヒドロキシアミド(ポリオキサゾール前駆体)である場合は、例えば、ジカルボン酸ジクロリドとジヒドロキシジアミン(通常アミノ基とフェノール性水酸基が芳香環のオルト位に結合しているジヒドロキシジアミン)とを反応させることによりポリヒドロキシアミドを得ることができる。
以上のいずれのポリマーの製造方法も、公知の方法を用いることができる。
【0038】
(b)光により酸を発生する化合物
(b)成分である光により酸を発生する化合物(以下、単に光酸発生剤という場合がある)は、光の照射により酸を発生し、光の照射部のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有する化合物である。
上記(b)成分としては、ジアゾナフトキノン化合物、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等が挙げられ、良好な感度を発現するという観点から、好ましくはジアゾナフトキノン化合物である。
【0039】
上記ジアゾナフトキノン化合物は、例えば、o−キノンジアジドスルホニルクロリド類とヒドロキシ化合物、アミノ化合物等とを脱塩酸剤の存在下で縮合反応させることで得られる。
ジアゾナフトキノン化合物の製造に用いるo−キノンジアジドスルホニルクロリド類としては、例えば、ベンゾキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリド等を用いることができる。
【0040】
ジアゾナフトキノン化合物の製造に用いるヒドロキシ化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノールA、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2',4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2',3'−ペンタヒドロキシベンゾフェノン,2,3,4,3',4',5'−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、4b,5,9b,10−テトラヒドロ−1,3,6,8−テトラヒドロキシ−5,10−ジメチルインデノ[2,1−a]インデン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン等を用いることができる。
【0041】
ジアゾナフトキノン化合物の製造に用いるアミノ化合物としては、例えば、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、o−アミノフェノール、m−アミノフェノール、p−アミノフェノール、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロキシビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン等を用いることができる。
【0042】
o−キノンジアジドスルホニルクロリドとヒドロキシ化合物及び/又はアミノ化合物との反応は、o−キノンジアジドスルホニルクロリド1モルに対して、ヒドロキシ基及びアミノ基の合計が0.5〜1当量になるように配合されることが好ましい。
脱塩酸剤とo−キノンジアジドスルホニルクロリドとの好ましい割合は、0.95/1〜1/0.95(当量比)の範囲である。
好ましい反応温度は0〜40℃、好ましい反応時間は1〜10時間である。
【0043】
反応溶媒としては,ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、N−メチルピロリドン等の溶媒が用いられる。
脱塩酸剤としては,炭酸ナトリウム,水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等が挙げられる。
【0044】
本発明の感光性樹脂組成物において、(b)成分の含有量は、良好な感度及び解像度を与えるという観点から、(a)成分100質量部に対して、好ましくは1〜100質量部であり、より好ましくは0.01〜50質量部であり、さらに好ましくは0.01〜20質量部であり、最も好ましくは0.5〜20質量部である。
【0045】
(c)オキセタニル基を有する化合物
(c)成分であるオキセタニル基を有する化合物は、本発明の感光性樹脂組成物の現像後の加熱処理工程において、(a)成分と架橋反応する、及び/又は(c)成分自身が重合反応する化合物である。感光性樹脂組成物が(c)成分を含むことにより、得られる硬化膜の機械特性(破断伸び、弾性率等)、耐薬品性、基板との密着性、耐熱性等を向上させることができる。
特に(c)成分は、例えばポリヒドロキシアミド等のフェノール性水酸基を有する(a)成分と併せて用いることで、フェノール性水酸基と架橋反応し、機械特性をより向上させることができる。
【0046】
(c)オキセタニル基を有する化合物は、(a)成分と適度に架橋反応する観点から、好ましくは分子中に2個以上のオキセタニル基を有する化合物である。
(c)成分がオキセタニル基を2個以上有する化合物である場合、(c)成分のオキセタニル基のうち1個以上は(a)成分と架橋反応し、残りのオキセタニル基は基板と相互作用することで、パターン硬化膜と基板との密着性を向上すると考えられる。
また、得られる硬化膜が脆くなるのを防ぐ観点から、(c)オキセタニル基を有する化合物は、より好ましくは2〜4個のオキセタニル基を有する化合物である。
(c)成分が有するオキセタニル基は、4員環状エーテル構造を有していればよく、2位又は3位に置換基を有してもよい。
【0047】
(c)オキセタニル基を有する化合物は、(a)成分と良好に架橋反応する観点から、好ましくは下記式(I)で表わされる化合物である。
【化5】

(式中、Xは、単結合、アルキレン基、芳香族環、酸素原子、及び硫黄原子の少なくとも1つを有する2価の基である。
A及びBは、それぞれ炭素数1〜10のアルキル基である。)
【0048】
式(I)のXとしては、酸素原子;硫黄原子;エーテル結合を有する2価の有機基;スルフィド結合を有する2価の基;アルキレン基;芳香族環;芳香族環を有する2価の有機基;エステル結合;エステル結合を有する2価の有機基等が挙げられ、エーテル結合及び芳香族環を有する2価の有機基であることが好ましい。
【0049】
(c)オキセタニル基を有する化合物である式(I)で表わされる化合物は、より好ましくは下記化合物である。
【化6】

(式中、nは0〜3であり、n=0の場合は、括弧内は単結合である。)
【0050】
(c)成分の具体例としては、1,4−ビス{[(3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ]メチル}ベンゼン、3,3’−[4,4’−オキシビス(メチレン)ビス(4,1−フェニレン)ビス(メチレン)]ビス(オキシ)ビス(メチレン)ビス(3−エチルオキセタン)、1,4−ビス{(4−{[(3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ]メチル}ベンジルオキシ)メチル}ベンゼン、3−エチル−3−{[3−(エチルオキセタン−3−イル)メトキシ]メチル}オキセタン、ビス[1−エチル(3−オキセタニル)]メチルエーテル、4,4’−ビス[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシメチル]ビフェニル、4,4’−ビス(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)ビフェニル、エチレングリコールビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ジエチレングリコールビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)ジフェノエート、トリメチロールプロパントリス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ポリ[[3−[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]プロピル]シラセスキオキサン]誘導体、オキセタニルシリケート、フェノールノボラック型オキセタン、1,3−ビス[(3−エチルオキセタンー3−イル)メトキシ]ベンゼン、3−エチル−3−[(2−エチルヘキシルオキシ)メチル]オキセタン等が挙げられる。
これら化合物は、1種単独でも2種以上の混合物としても用いてもよい。
【0051】
本発明の感光性樹脂組成物において、(c)成分の含有量は、(a)成分100質量部に対して、例えば0.1〜20質量部であり、得られるパターン硬化膜の機械特性の観点から、好ましくは1〜20質量部であり、より好ましくは5〜20質量部である。
(c)成分の含有量が0.1質量部未満であると基板への密着性、及び耐薬品性が低下するおそれがある。一方、(c)成分の含有量20質量部超であると、基板への密着性、及び耐熱性が低下するおそれがある。
【0052】
(d)架橋剤
(d)成分である架橋剤は、本発明の感光性樹脂組成物を塗布、露光及び現像後に加熱処理する工程において、(a)成分と反応(架橋反応)、及び/又は(d)成分自身が重合する化合物である。感光性樹脂組成物が(d)成分を含むことにより、感光性樹脂組成物を例えば200℃の低温で硬化した場合も、良好な機械特性、薬品耐性及びフラックス耐性が得られる。
(d)成分が架橋反応をする温度は、感光性樹脂組成物の塗布、乾燥、露光、現像の各工程で架橋が進行しないように、好ましくは150℃以上である。
【0053】
(d)架橋剤は、加熱処理する工程において架橋又は重合する化合物であれば特に制限はないが、(a)成分と効率よく架橋反応をする置換基を有する化合物であり、例えば分子内にメチロール基、アルコキシメチル基、エポキシ基、オキセタニル基及びビニルエーテル基から選択される1以上を有する化合物である。
【0054】
(d)成分は、好ましくは上記(a)成分と効率よく架橋反応をする置換基がベンゼン環に結合している化合物、N位がメチロール基若しくはアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂である。また、上記(a)成分と効率よく架橋反応をする置換基がフェノール性水酸基を有するベンゼン環に結合している化合物は、現像する際に露光部の溶解速度が増加して感度が向上させることができる点でより好ましい。
(d)成分は、良好な感度及びワニスの安定性、並びに、パターン形成後の感光性樹脂膜の硬化時に、感光性樹脂膜の溶融を防ぐことができるという観点から、さらに好ましくは分子内に2個以上のメチロール基又はアルコキシメチル基を有する化合物である。
【0055】
(d)架橋剤としては、下記式(IV)、(V)、(VI)、(VII)及び(VIII)で表わされる化合物が挙げられる。
【化7】

(式中、Xは単結合又は1〜4価の有機基を示し、R11は水素原子又は1価の有機基を示し、R12は1価の有機基を示す。
nは1〜4の整数であり、pは1〜4の整数であり、qは0〜3の整数である)
【0056】
【化8】

(式中、Yは各々独立に水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、その水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたフルオロアルキル基、その水素原子の一部がヒドロキシル基で置換されたヒドロキシアルキル基、又は、炭素原子数1〜10のアルコキシ基であり、R13及びR14は各々独立に1価の有機基を示し、R15及びR16は各々独立に水素原子又は1価の有機基を示し、r及びtは各々独立に1〜3の整数であり、s及びuは各々独立に0〜3の整数である)
【0057】
【化9】

(式中、R17及びR18は、各々独立に水素原子又は1価の有機基を示し、R18は互いが結合することで環構造となっていてもよい。)
【0058】
【化10】

(式中、R19、R20、R21、R22、R23及びR24は、各々独立に水素原子、メチロール基又はアルコキシメチル基を示す。)
【0059】
【化11】

(式中、R25、R26及びR27は、各々独立に水素原子、メチロール基、アルコキシメチル基、又はエポキシ基を含有する1価の有機基を示す。)
【0060】
上記式(IV)、(V)及び(VI)において、1価の有機基としては、好ましくは炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数1〜10のアルコキシ基、炭素原子数1〜10のヒドロキシアルキル基、炭素原子数1〜10のヒドロキシアルコキシ基、これらの水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された置換基である。
例えば上記置換基を有する式(VI)で表わされる化合物を用いると、感光性樹脂組成物を200℃以下の低温で硬化した場合に、優れた薬液耐性を有する硬化膜が得られる。
【0061】
上記式(VI)で表される化合物は、(a)成分と良好に架橋反応をする観点から、より好ましくは下記化合物である。
【化12】

(式中、R28は、各々独立に炭素数1〜20の1価のアルキル基を表し、R29は各々独立に、炭素数1〜10の1価のアルキル基を表す。)
【0062】
上記式(IV)、(V)及び(VI)で表される化合物の具体例としては、下記化合物が挙げられる。これら化合物は、1種単独で又は2種以上の混合物として使用できる。
【化13】

【化14】

【0063】
本発明の感光性樹脂組成物において、(d)成分の含有量は、(a)成分100質量部に対して、1〜40質量部である。耐薬品性の観点から、好ましくは10〜40質量部であり、感度の観点から、より好ましくは10〜30質量部であり、機械特性の観点から、さらに好ましくは10〜25質量部である。
(d)成分の含有量が1〜40質量部であると、優れた耐薬品性と良好な基板への密着性を発現することができる。
【0064】
本発明の樹脂組成物中の(c)成分及び(d)成分の含有量は、好ましくは(c)オキセタニル基を有する化合物と(d)架橋剤の質量比である(d)/(c)が1〜40であり、得られる硬化膜にさらに良好な機械特性を与える観点から、さらに好ましくは(d)/(c)が1〜25であり、さらに好ましくは(d)/(c)が1〜10である。
(d)/(c)が40を超える場合、得られるパターン硬化膜の基板との密着性及び機械強度(伸び)が低下するおそれがある。これは、(d)/(c)が40を超える、つまり(d)成分の含有量が比較的多いと、(c)成分よりも反応性の高い(d)成分が(a)成分と架橋反応をし、(c)成分と(a)成分との架橋反応を阻害するため、密着性が低下すると考えられる。また、(d)成分の含有量が比較的多いと、膜が固くなりすぎるため、機械強度(伸び)が低下すると考えられる。一方、(d)/(c)が1未満であると、得られるパターン硬化膜の耐熱性及び機械特性(伸び)が低下するおそれがある。これは(d)/(c)が1未満である、つまり(d)成分の含有量が比較的少ないと、(a)成分と(d)成分との架橋反応が十分に起きず、膜が脆くなるためだと考えられる。
【0065】
本発明の感光性樹脂組成物は、(a)アルカリ性水溶液可溶ポリマー、(b)光酸発生剤、(c)オキセタニル基を有する化合物及び(d)架橋剤を含めばよく、これら(a)〜(d)成分の他に、必要に応じて(e)シランカップリング剤、(f)熱酸発生剤、(g)溶解促進剤、(h)溶解阻害剤、(i)密着性付与剤、(j)界面活性剤又はレベリング剤、(k)溶剤、(l)防錆剤等を含んでもよい。
【0066】
(e)シランカップリング剤
(e)成分であるシランカップリング剤は、通常、感光性樹脂組成物を塗布、露光、現像後に加熱処理する工程において、(a)成分と反応して架橋する、及び/又は加熱処理する工程においてシランカップリング剤自身が重合すると推定される。これにより、得られる硬化膜と基板との密着性をより向上させることができる。
【0067】
(e)成分として、例えばメチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、n−プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、n−ブチルフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、tert−ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、エチルメチルフェニルシラノール、n−プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、n−ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、tert−ブチルメチルフェニルシラノール、エチルn−プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、n−ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、tert−ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、n−プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、n−ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、tert−ブチルジフェニルシラノール、フェニルシラントリオール、1,4−ビス(トリヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(メチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(エチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(プロピルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ブチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジメチルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジエチルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジプロピルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジブチルヒドロキシシリル)ベンゼン等が挙げられる。
【0068】
(e)成分は、より密着性を向上させる観点から、好ましくはヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング化合物であり、当該シランカップリング化合物として、下記式(XIV)で表わされる化合物等が挙げられる。
【化15】

(式中、aは1〜10の整数であり、bは0〜2の整数である。
31は、ヒドロキシ基又はグリシジル基を有する1価の有機基であり、R32及びR33は各々独立に炭素数1〜5のアルキル基である。)
【0069】
式(XIV)で表わされる化合物の具体例としては、ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリエトキシシラン、2−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、4−ヒドロキシブチルトリメトキシシラン、4−ヒドロキシブチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、2−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、2−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、4−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、4−グリシドキシブチルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【0070】
(e)成分は、ヒドロキシ基又はグリシジル基と共に、アミド基、アミノ基等の窒素原子を含む基をさらに有すると好ましい。
窒素原子を含む基を有する(e)成分の具体例としては、ビス(2−ヒドロキシメチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシメチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、ビス(2−グリシドキシメチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシメチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基を有するシランカップリング剤、下記式(XV)で表される化合物等が挙げられる。
【化16】

(式中、R34は水酸基又はグリシジル基を示し、R35はメチル基、エチル基又はプロピル基である。c及びdは各々独立に1〜3の整数を表す。)
【0071】
本発明の感光性樹脂組成物が(e)成分を含む場合、当該(e)成分の含有量は、(a)成分100質量部に対して、例えば0.1〜20質量部であり、好ましくは1〜10質量部であり、より好ましくは3〜10質量部である。
【0072】
(f)熱酸発生剤
(f)成分である熱酸発生剤は、感光性樹脂組成物を加熱して硬化する過程において、(a)成分であるポリアミド酸又はポリヒドロキシアミドを環化するための触媒として効率的に働くことができる。
本発明の感光性樹脂組成物が(f)成分を含むことにより、例えば250℃以下の低温での脱水閉環率の高い(a)成分であるポリマーのより低温での脱水閉環が可能となるだけでなく、感光性樹脂組成物を低温で加熱処理した場合であっても、良好な膜物性を有するパターン硬化膜を得ることができる。
【0073】
(f)成分である熱酸発生剤から発生する酸は、好ましくは強酸である。
当該強酸の具体例としては、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸のようなアリールスルホン酸;カンファースルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ノナフルオロブタンスルホン酸のようなパーフルオロアルキルスルホン酸;メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸のようなアルキルスルホン酸等が好ましい。
これらの酸は、オニウム塩のような塩、イミドスルホナートのような共有結合化合物を熱酸発生剤として用いることができる。
【0074】
上記オニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウム塩のようなジアリールヨードニウム塩;ジ(t−ブチルフェニル)ヨードニウム塩のようなジ(アルキルアリール)ヨードニウム塩;トリメチルスルホニウム塩のようなトリアルキルスルホニウム塩;ジメチルフェニルスルホニウム塩のようなジアルキルモノアリールスルホニウム塩;ジフェニルメチルスルホニウム塩のようなジアリールモノアルキルヨードニウム塩等が好ましい。
これらオニウム塩は、分解開始温度が一般に150〜250℃の範囲にあり、低温(例えば250℃)での加熱工程においても、効率的に分解することができる。一方、トリフェニルスルホニウム塩は熱安定性が高く、一般に分解温度が300℃を超えているため、低温での加熱工程では分解が起きず、脱水閉環の触媒としては十分に働かないと考えられる。
【0075】
オニウム塩の具体例としては、パラトルエンスルホン酸のジ(t−ブチルフェニル)ヨードニウム塩(1%重量減少温度180℃、5%重量減少温度185℃)、トリフルオロメタンスルホン酸のジ(t−ブチルフェニル)ヨードニウム塩(1%重量減少温度151℃、5%重量減少温度173℃)、トリフルオロメタンスルホン酸のトリメチルスルホニウム塩(1%重量減少温度255℃、5%重量減少温度278℃)、トリフルオロメタンスルホン酸のジメチルフェニルスルホニウム塩(1%重量減少温度186℃、5%重量減少温度214℃)、トリフルオロメタンスルホン酸のジフェニルメチルスルホニウム塩(1%重量減少温度154℃、5%重量減少温度179℃)、ノナフルオロブタンスルホン酸のジ(t−ブチルフェニル)ヨードニウム塩、カンファースルホン酸のジフェニルヨードニウム塩、エタンスルホン酸のジフェニルヨードニウム塩、ベンゼンスルホン酸のジメチルフェニルスルホニウム塩、トルエンスルホン酸のジフェニルメチルスルホニウム塩等を好ましいものとして挙げることができる。
【0076】
上記イミドスルホナートとしては、好ましくはナフトイルイミドスルホナートである。ナフトイルイミドスルホナートは、例えばフタルイミドスルホナートよりも熱安定性に優れ、保存安定性等にも優れる。
イミドスルホナートの具体例としては、1,8−ナフトイルイミドトリフルオロメチルスルホナート(1%重量減少温度189℃、5%重量減少温度227℃)、2,3−ナフトイルイミドトリフルオロメチルスルホナート(1%重量減少温度185℃、5%重量減少温度216℃)等が挙げられる。
【0077】
(f)成分として、下記式(XVIII)で表わされる構造を有する化合物を用いることもできる。
【化17】

(式中、R36は、メトキシフェニル基又はフェニル基である。R37はシアノ基である。R38はp−メチルフェニル基、フェニル基等のアリール基;メチル基、エチル基、イソプロピル基等のアルキル基;トリフルオロメチル基、ノナフルオロブチル基等のパーフルオロアルキル基等である。)
【0078】
式(XVIII)で表わされる構造を有する化合物の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
【化18】

(1%重量減少温度204℃、5%重量減少温度235℃)
【0079】
(f)成分として、アミド構造−HN−SO−R39基(R39は、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基;メチルフェニル基、フェニル基等のアリール基;トリフルオロメチル基、ノナフルオロブチル等のパーフルオロアルキル基等である。)を有する化合物を用いることもできる。当該−HN−SO−R39の結合する基としては、例えば2,2,−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンや2,2,−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ジ(4−ヒドロキシフェニル)エーテル等が挙げられる。
上記アミド構造を有する化合物としては、下記化合物が挙げられる。
【化19】

(1%重量減少温度104℃、5%重量減少温度270℃)
【0080】
(f)成分(熱酸発生剤)として、オニウム塩以外の、強酸と塩基から形成された塩を用いることもできる。このような強酸としては、例えばp−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸のようなアリールスルホン酸;カンファースルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ノナフルオロブタンスルホン酸のようなパーフルオロアルキルスルホン酸;メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸のようなアルキルスルホン酸が好ましい。塩基としては、例えば、ピリジン、2,4,6−トリメチルピリジンのようなアルキルピリジン;2−クロロ−N−メチルピリジンのようなN−アルキルピリジン;ハロゲン化−N−アルキルピリジン等が好ましい。
上記塩の具体例としては、p−トルエンスルホン酸のピリジン塩(1%重量減少温度147℃、5%重量減少温度190℃)、p−トルエンスルホン酸のL−アスパラギン酸ジベンジルエステル塩(1%重量減少温度202℃、5%重量減少温度218℃)、p−トルエンスルホン酸の2,4,6−トリメチルピリジン塩、p−トルエンスルホン酸の1,4−ジメチルピリジン塩等が保存安定性、現像性の点から好ましい。これらも低温での加熱工程において分解し、(a)成分の脱水閉環の触媒として効果的である。
【0081】
本発明の感光性樹脂組成物が(f)成分を含む場合、当該(f)成分の含有量は、(a)成分100質量部に対して、例えば0.1〜30質量部であり、好ましくは0.2〜20質量部であり、より好ましくは0.5〜10質量部である。
【0082】
(g)溶解促進剤
(g)成分である溶解促進剤は、(a)成分のアルカリ水溶液に対する溶解性をより促進させることができる。
溶解促進剤としては、例えばフェノール性水酸基を有する化合物が挙げられる。感光性樹脂組成物がフェノール性水酸基を有する化合物を含むことで、アルカリ水溶液を用いて現像する際の露光部の溶解速度が増加して感度を上げることができ、また、パターン形成後の感光性樹脂膜の硬化時に、感光性樹脂膜の溶融を防ぐことができる。
【0083】
溶解促進剤であるフェノール性水酸基を有する化合物に特に制限はないが、比較的分子量の小さい化合物が好ましく、このような化合物としては、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、ビスフェノールA、B、C、E、F及びG、4,4’,4’’−メチリジントリスフェノール、2,6−[(2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)メチル]−4−メチルフェノール、4,4’−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール、4,4’−[1−[4−[2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール、4,4’,4’’−エチリジントリスフェノール、4−[ビス(4−ヒドロキシフェニル)メチル]−2−エトキシフェノール、4,4’−[(2−ヒドロキシフェニル)メチレン]ビス[2,3−ジメチルフェノール]、4,4’−[(3−ヒドロキシフェニル)メチレン]ビス[2,6−ジメチルフェノール]、4,4’−[(4−ヒドロキシフェニル)メチレン]ビス[2,6−ジメチルフェノール]、2,2’−[(2−ヒドロキシフェニル)メチレン]ビス[3,5−ジメチルフェノール]、2,2’−[(4−ヒドロキシフェニル)メチレン]ビス[3,5−ジメチルフェノール]、4,4’−[(3,4−ジヒドロキシフェニル)メチレン]ビス[2,3,6−トリメチルフェノール]、4−[ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)メチル]−1,2−ベンゼンジオール、4,6−ビス[(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)メチル]−1,2,3−ベンゼントリオール、4,4’−[(2−ヒドロキシフェニル)メチレン]ビス[3−メチルフェノール]、4,4’,4’’−(3−メチル−1−プロパニル−3−イリジン)トリスフェノール、4,4’,4’’,4’’’−(1,4−フェニレンジメチリジン)テトラキスフェノール、2,4,6−トリス[(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)メチル]−1,3−ベンゼンジオール、2,4,6−トリス[(3,5−ジメチル−2−ヒドロキシフェニル)メチル]−1,3−ベンゼンジオール、4,4’−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−3,5−ビス[(ヒドロキシ−3−メチルフェニル)メチル]フェニル]−フェニル]エチリデン]ビス[2,6−ビス(ヒドロキシ−3−メチルフェニル)メチル]フェノール等が挙げられる。
【0084】
本発明の感光性樹脂組成物が(g)成分を含む場合、当該(g)成分の含有量は、現像時間及び感度の点から、(a)成分100質量部に対して、好ましくは1〜30質量部であり、より好ましくは3〜25質量部である。
【0085】
(h)溶解阻害剤
(h)成分である溶解阻害剤は、(a)成分のアルカリ水溶液に対する溶解性を阻害する化合物であり、溶解阻害剤が(a)成分の溶解性を阻害することで、残膜厚や現像時間を調整することができる。
尚、溶解阻害剤から発生する酸は揮発し易いことから、ポリアミド酸(ポリイミド前駆体)又はポリヒドロキシアミド(ポリベンゾオキサゾール前駆体)の環化脱水反応には関与しないと考えられる。
【0086】
溶解阻害剤として用いることができる化合物としては、好ましくはジフェニルヨードニウムニトラート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムブロマイド、ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムヨーダイト等のジフェニルヨードニウム塩である。
【0087】
本発明の感光性樹脂組成物が(h)成分を含む場合、当該(h)成分の含有量は、現像時間及び感度の点から、(a)成分100質量部に対して、好ましくは0.01〜50質量部であり、より好ましくは0.01〜30質量部であり、さらに好ましくは0.1〜20質量部である。
【0088】
(i)密着性付与剤
(i)成分である密着性付与剤は、本発明の感光性樹脂組成物から得られるパターン硬化膜と基板との密着性を高めることができる。
密着性付与剤としては、(e)成分以外の有機シラン化合物、アルミキレート化合物等を用いることができ、当該有機シラン化合物としては、例えばビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられ、当該アルミキレート化合物としては、例えばトリス(アセチルアセトネート)アルミニウム、アセチルアセテートアルミニウムジイソプロピレート等が挙げられる。
【0089】
本発明の感光性樹脂組成物が(i)成分を含む場合、当該(i)成分の含有量は、(a)成分100質量部に対して、好ましくは0.1〜30質量部であり、より好ましくは0.5〜20質量部である。
【0090】
(j)界面活性剤又はレベリング剤
(j)成分である界面活性剤又はレベリング剤は、感光性樹脂組成物のストリエーション(膜厚のムラ)を防いで、塗布性及び現像性を向上させることができる。
このような界面活性剤又はレベリング剤としては、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等が挙げられ、市販品としては、商品名「メガファックスF171」、「F173」、「R−08」(以上、大日本インキ化学工業株式会社製)、商品名「フロラードFC430」、「FC431」(以上、住友スリーエム株式会社製)、商品名「オルガノシロキサンポリマーKP341」、「KBM303」、「KBM403」、「KBM803」(以上、信越化学工業株式会社製)等が挙げられる。
【0091】
本発明の感光性樹脂組成物が(j)成分を含む場合、当該(j)成分の含有量は、(a)成分100質量部に対して、好ましくは0.01〜10質量部であり、より好ましくは0.05〜5質量部であり、さらに好ましくは0.05〜3質量部である。
【0092】
(k)溶剤
(k)成分である溶剤は、感光性樹脂組成物中の各成分を溶解し、塗布性を向上させることができる。
溶剤は特に制限はなく、γ−ブチロラクトン(BLO)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、N−メチルピロリドン(NMP)、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、アルコール等が使用できる。
【0093】
本発明の感光性樹脂組成物が(k)成分を含む場合、当該(k)成分の含有量は特に制限されないが、(k)溶剤に対して、固形分(感光性樹脂組成物中の溶剤以外の成分)が5〜50質量%となることが好ましい。
【0094】
(l)防錆剤
(l)成分である防錆剤は、本発明の感光性樹脂組成物から得られる硬化膜と基板との密着性を向上させることができる。また、防錆剤は、板や配線に用いられる金属と(a)成分との反応、又は、基板や配線に用いられる金属と(h)溶解阻害剤との反応を防止する効果(防錆効果)を有する。
防錆剤としては、好ましくは複素環状化合物、チオ尿素類及びメルカプト基を有する化合物である。ここで、複素環式化合物とは、2種以上の元素の原子(炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等)から環が構成される環式化合物をいう。
【0095】
防錆剤である複素環式化合物としては、トリアゾール環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、イソオキサゾール環、イソチアゾール環、テトラゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジジン環、ピラジン環、ピペリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、2H−ピラン環及び6H−ピラン環、トリアジン環を有する化合物等が挙げられる。
防錆剤であるチオ尿素類としては、モノメチルチオ尿素、チオ尿素、ジメチルチオ尿素、ジエチルチオ尿素、ジブチルチオ尿素が挙げられる。
【0096】
防錆剤は、防錆効果及び基板との密着性の観点から、好ましくは炭素原子及び窒素原子を含むトリアゾール環、ピロール環、ピラゾール環、チアゾール環、イミダゾール環及びテトラゾール環を有する化合物であり、より好ましくは1H−テトラゾール、5置換−1H−テトラゾール、1置換−1H−テトラゾール及びその誘導体からなる群から選択される化合物であり、さらに好ましくは1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール及びその誘導体、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5置換−1H−ベンゾトリアゾール、6置換−1H−ベンゾトリアゾール、5,6置換−1H−ベンゾトリアゾール及びその誘導体からなる群から選択される化合物であり、特に好ましくは5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール、1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5,5’−ビス−1H−テトラゾールである。
【0097】
防錆剤の具体例としては、ピロール、3−メチルピロール、2,4−ジメチルピロール、2,5−ジメチルピロール、2−エチルピロール、インドール、5−ヒドロキシインドール、ピラゾール、4−メチルピラゾール、3−アミノピラゾール、3−メチルピラゾール、3,5−ジイソプロピルピラゾール、3−アミノ−5−ヒドロキシピラゾール、インダゾール、5−アミノインダゾール、6−アミノインダゾール、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−ブチルイミダゾール、4−イミダゾールカルボン酸、4−メチルイミダゾール、ベンズイミダゾール、5−メチルベンズイミダゾール、2−アミノベンズイミダゾール、5,6−ジメチルベンズイミダゾール、2−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール、2,5−ジメチル−1,3,4−チアジゾール、4−フェニル−1,2,3−チアジゾール、2−アミノ−1,3,4−チアジゾール、2−アミノ−5−エチル−1,3,4−オキサジアゾール、チアゾール、2−アミノチアゾール、2−メチルチアゾール、2−メトキシチアゾール、2−エトキシチアゾール、2−イソブチルチアゾール、2−トリメチルシリルチアゾール、5−トリメチルシリルチアゾール、4−メチルチアゾール、4,5−ジメチルチアゾール、2−エチルチアゾール、2,4−ジメチルチアゾール、2−アミノ−5−メチルチアゾール、2−アミノ−4−メチルチアゾール、2,4,5−トリメチルチアゾール、ベンゾチアゾール、2−メチルベンゾチアゾール、2,5−ジメチルベンゾチアゾール、1,2,4−トリアゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,5−トリアゾール、3−メルカプト−4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、4−アミノ−3,5−ジメチル−4H−1,2,4−トリアゾール、4−アミノ−3,5−ジプロピル−4H−1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−5−イソプロピル−1,2,4−トリアゾール、4−アミノ−3−メルカプト−5−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−5−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール、4−アミノ−1,2,4−トリアゾール、4−アミノ−3,5−ジメチル−1,2,4−トリアゾール、4−アミノ−5−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール、3,5−ジアミノ−1H−1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール、5,6−ジメチルベンゾトリアゾール、5−アミノ−1H−ベンゾトリアゾール、ベンゾトリゾール−4−スルホン酸、1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−(メチルチオ)−1H−テトラゾール、5−(エチルチオ)−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、5−ニトロ−1H−テトラゾール1−メチル−1H−テトラゾール、5,5’−ビス−1H−テトラゾール等が挙げられる。
これら防錆剤は単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
【0098】
本発明の感光性樹脂組成物が(l)成分を含む場合、当該(l)成分の含有量は、(a)成分100質量部に対して、好ましくは0.1〜10質量部であり、より好ましくは0.2〜5質量部である。
(l)成分の含有量を、(a)成分100質量部に対して0.1〜10質量部とすることで感光性樹脂組成物から得れる硬化膜の基板との密着性を向上させることができる。
【0099】
[パターン硬化膜の製造方法]
本発明の感光性樹脂組成物は、パターン硬化膜の原料として好適に用いることができる。
パターン硬化膜の製造方法は、(1)本発明の感光性樹脂組成物を、支持基板上に塗布、乾燥し、感光性樹脂膜を形成する工程、(2)得られた感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程、(3)露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像する工程、及び(4)現像後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程を含む。
【0100】
(1)感光性樹脂膜形成工程
感光性樹脂膜形成工程では、ガラス、半導体、金属酸化物絶縁体(例えばTiO、SiO等)、窒化ケイ素、銅、銅合金等の基板上に、本発明の感光性樹脂組成物をスピンナー等を用いて回転塗布し、ホットプレート、オーブン等を用いて乾燥する。これにより、感光性樹脂組成物を膜状に形成した感光性樹脂膜が得られる。
この際の加熱温度は好ましくは100〜500℃である。
【0101】
(2)露光工程
露光工程では、支持基板上で被膜となった感光性樹脂膜に、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線等の活性光線を照射することにより露光を行う。
上記露光を行う露光装置としては、例えば平行露光機、投影露光機、ステッパー、スキャナー露光機を用いることができる。
【0102】
(3)現像工程
現像工程では、露光工程後の感光性樹脂膜を現像液で処理することにより、パターン形成された感光性樹脂膜(パターン感光性樹脂膜)が得られる。
一般的に、ポジ型感光性樹脂組成物を用いた場合には、露光部を現像液で除去し、ネガ型感光性樹脂組成物を用いた場合には、未露光部を現像液で除去する。
【0103】
現像工程に用いる現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ水溶液が好ましく、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドがより好ましい。
これらの現像液の濃度は、好ましくは0.1〜10質量%である。また、上記現像液にさらにアルコール類又は界面活性剤を添加して使用することもできる。添加するアルコール類又は界面活性剤の添加量は、現像液100質量部に対して、好ましくは0.01〜10質量部であり、より好ましくは0.1〜5質量部の範囲である。
【0104】
(4)加熱処理工程
得られたパターン感光性樹脂膜を加熱処理することにより、例えば(a)成分がポリアミド酸である場合は脱水閉環しイミド環を与え、(a)成分がポリヒドロキシアミドである場合は脱水閉環しオキサゾール環を与えることができる。また、加熱処理は、同時に(a)成分の官能基同士、及び/又は(a)成分と(c)成分間に架橋構造等を形成し、パターン硬化膜を形成することができる。
【0105】
加熱処理工程における加熱温度は、好ましくは280℃以下、より好ましくは120〜280℃、さらに好ましくは160〜250℃、特に好ましくは160〜200℃である。
上記加熱温度範囲は従来の加熱温度よりも低く、支持基板やデバイスへのダメージを小さく抑えることができる。従って、本発明のパターンの製造方法は、デバイスを歩留り良く製造することができ、プロセスの省エネルギー化が図れる。
【0106】
感光性樹脂組成物中の(a)成分であるポリベンゾオキサゾール前駆体等を脱水閉環させる時間(加熱処理時間)は、脱水閉環反応が十分進行するまでの時間であるが、作業効率との兼ね合いから例えば5時間以下である。
脱水閉環の雰囲気(加熱処理の雰囲気)は大気中及び窒素等の不活性雰囲気中のいずれをも選択することができる。また、大気中、又は窒素等の不活性雰囲気中いずれを選択することもできるが、窒素下で行う方が感光性樹脂組成物膜の酸化を防ぐことができるので好ましい。
【0107】
加熱処理工程で使用できる装置としては、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、マイクロ波硬化炉等が挙げられる。
通常の窒素置換されたオーブンを用いる以外に、マイクロ波硬化装置又は周波数可変マイクロ波硬化装置を用いることができる。これらを用いることにより、基板やデバイスの温度は例えば220℃以下に保ったままで、感光性樹脂組成物膜のみを効果的に加熱することが可能である(例えば、特許第2587148号公報参照)。マイクロ波を用いて硬化を行う場合、周波数を変化させながらマイクロ波をパルス状に照射すると、定在波を防ぐことができ、基板面を均一に加熱することができるため、好ましい。さらに基板として電子部品のように金属配線を含む場合は、周波数を変化させながらマイクロ波をパルス状に照射すると金属からの放電等の発生を防ぐことができ、電子部品を破壊から守ることができる点で好ましい。また、マイクロ波をパルス状に照射すると、設定した加熱温度を保持することができ、感光性樹脂膜や基板へのダメージを避けることができる点で好ましい。
【0108】
[パターンを有する半導体装置]
本発明の感光性樹脂組成物は、半導体装置や多層配線板等の電子部品に好適に使用することができ、具体的には、半導体装置の表面保護膜、層間絶縁膜及び再配線層、並びに多層配線板の層間絶縁膜等の形成に使用できる。
【0109】
図1は、多層配線構造の概略断面図であり、層間絶縁層(層間絶縁膜)1の上にはAl配線層2が形成され、その上部にはさらに絶縁層(絶縁膜)3(例えばP−SiN層)が形成され、さらに素子の表面保護層(表面保護膜)4が形成されている。配線層2のパット部5からは再配線層6が形成され、外部接続端子であるハンダ、金等で形成された導電性ボール7との接続部分である、コア8の上部まで伸びている。さらに表面保護層4の上には、カバーコート層9が形成されている。再配線層6は、バリアメタル10を介して導電性ボール7に接続されているが、この導電性ボール7を保持するために、カラー11が設けられている。このような構造のパッケージを実装する際には、さらに応力を緩和するために、アンダーフィル12を介することもある。
【0110】
図1において、本発明の感光性樹脂組成物は、層間絶縁層及び表面保護層だけではなく、その優れた特性ゆえ、カバーコート層、コア、カラー、アンダーフィル等の材料として非常に適している。本発明の感光性樹脂組成物を用いた耐熱性感光性樹脂硬化膜は、メタル層や封止剤等との接着性に優れ、応力緩和効果も高いため、本発明の感光性樹脂組成物から得られた耐熱性感光性樹脂硬化膜をカバーコート層、コア、カラー、アンダーフィル等に用いた半導体素子は、極めて信頼性に優れる。
【0111】
本発明の半導体装置は、図1に示される、本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成される層間絶縁層、表面保護層、カバーコート、再配線用コア、半田等のボール用カラー、アンダーフィル等を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。
【0112】
従来は350℃前後の高温を必要としていたパターン硬化膜を形成する加熱工程において、本発明の感光性樹脂組成物では、250℃以下の低温加熱で硬化可能である。250℃以下の硬化においても、環化脱水反応が十分に起きることから、その膜物性(伸び、吸水率、重量減少温度、アウトガス等)が300℃以上で硬化したときに比べて物性変化は小さいものとなる。従って、プロセスが低温化していることから、デバイスの熱による欠陥を低減でき、信頼性に優れた半導体装置(電子部品)を高収率で得ることができる。さらに200℃以下の硬化においても、十分な膜物性が得られる。
【実施例】
【0113】
以下、実施例及び比較例に基づき、本発明についてさらに具体的に説明する。尚、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【0114】
[ポリベンゾオキサゾール前駆体((a)成分)の合成]
合成例1
攪拌機、温度計を備えた0.2リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン60gを仕込み、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン13.92g(38mmol)を添加し、攪拌溶解した。続いて、温度を0〜5℃に保ちながら、ドデカン二酸ジクロリド8.55g(32mmol)とジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド2.36g(8mmol)をそれぞれ10分間ずつかけて加えた後、室温に戻し3時間攪拌を続けた。撹拌後の反応液を3リットルの水に投入して析出物を回収し、これを純水で3回洗浄した後、減圧してポリヒドロキシアミド(ポリベンゾオキサゾール前駆体)を得た(以下、ポリマーIとする)。
得られたポリマーIのGPC法標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は39,500で、分散度は1.9であった。
【0115】
合成例2
攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸15.48g(60mmol)、N−メチルピロリドン90gを仕込み、フラスコを5℃に冷却した。その後、塩化チオニル23.9g(120mmol)を滴下し、30分間反応させて、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリドの溶液を得た。
次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン87.5gを仕込み、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン18.30g(50mmol)を攪拌溶解した。その後、ピリジン9.48g(120mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリドの溶液を30分間で滴下し、30分間攪拌を続けた。攪拌後の反応液を3リットルの水に投入して析出物を回収し、純水で3回洗浄した後、減圧乾燥してカルボキシル基末端のポリヒドロキシアミドを得た(以下、ポリマーIIとする)。
得られたポリマーIIのGPC法標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は17,600で、分散度は1.6であった。
【0116】
[ポリイミド前駆体((a)成分)の合成]
合成例3
攪拌機及び温度計を備えた0.2リットルのフラスコ中に、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物(ODPA)10g(32mmol)とイソプロピルアルコール3.87g(65mmol)とをN−メチルピロリドン45gに溶解し、1,8−ジアザビシクロウンデセンを触媒量添加して、その後、60℃にて2時間加熱した。続いて室温下(25℃)で15時間攪拌し、エステル化を行った。その後、氷冷下で塩化チオニルを7.61g(64mmol)加え、室温に戻し2時間反応を行い、酸クロリドの溶液(以下、酸クロリド溶液Iという)を得た。次に、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン40gを仕込み、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン10.25g(28mmol)を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン7.62g(64mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、調製した酸クロリド溶液Iを30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。攪拌後の反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物を濾別して集め、減圧乾燥することによってカルボキシル基末端のポリアミド酸エステルを得た(以下、ポリマーIIIという)。
ポリマーIIIのGPC法標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は19,400であり、分散度は2.2であった。
【0117】
尚、合成例1−3のGPC法による重量平均分子量の測定条件は以下の通りであり、ポリマー0.5mgに対して溶媒[THF/DMF=1/1(容積比)]1mLの溶液を用いて測定した。
測定装置:検出器 株式会社日立製作所製L4000 UV
ポンプ:株式会社日立製作所製L6000
株式会社島津製作所製C−R4A Chromatopac
測定条件:カラム Gelpack GL−S300MDT−5 x2本
溶離液:THF/DMF=1/1 (容積比)
LiBr(0.03mol/L)、HPO(0.06mol/L)
流速:1.0mL/min、検出器:UV270nm
【0118】
実施例1−17及び比較例1−4
(a)成分、(b)成分、(c)成分、(d)成分及び(l)成分として、それぞれ表1及び表2に示す成分及び配合量を、γ−ブチロラクトン/プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを重量比9:1で混合した溶剤に溶解して、それぞれ感光性樹脂組成物を調製した。
尚、表1及び表2の(a)、(b)、(c)、(d)及び(e)成分の各欄の数字は、(a)成分100質量部に対する添加量(質量部)を示す。また、溶剤の使用量は、いずれも(a)成分100質量部に対して200質量部で用いた。
【0119】
実施例1−17及び比較例1−4で用いた(b)成分、(c)成分、(d)成分及び(l)成分を以下に示す。
【化20】

【化21】

【化22】

【化23】

【0120】
上記の化合物について、(c)成分であるC1〜C4、(d)成分であるD1〜D5、並びに(l)成分であるL1は、下記のようにいずれも市販品である。
C1:OXT−221(3−エチル−3−{[3−(エチルオキセタン−3−イル)メトキシ]メチル}オキセタン、東亜合成(株)製)
C2:OXT−121(キシリレンビスオキセタン、東亜合成(株)製)
C3:OXBP(宇部興産(株)製)
C4:OXT−212(3−エチル−3−[(2−エチルへキシルオキシ)メチル)]オキセタン、東亜合成(株)製)
D1:MX−270(テトラメトキシメチルグリコールウリル、(株)三和ケミカル製)
D2:MX−280(4,5‐ジメトキシ‐1,3‐ビス(メトキシメチル)イミダゾリジン‐2‐オン、(株)三和ケミカル製)
D3:MW−30HM(ヘキサメトキシメチルメラミン、東京化成工業(株)製)
D4:ICA−TGE(トリグリシジルイソシアヌラート、東京化成工業(株)製)
D5:TML−BPA(4,4’‐イソプロピリデンビス[2,6‐ビス(ヒドロキシメチル)フェノール]、本州化学工業(株)製)
L1:1,2,3−ベンゾトリアゾール(東京化成工業(株)製)
【0121】
調製した感光性樹脂組成物から得られる硬化膜について、その密着性、ガラス転移温度(Tg)、破断伸び、耐薬品性及び溶解速度変化をそれぞれ以下の方法で評価した。結果を表1及び表2に示す。
【0122】
[パターン硬化膜の製造]
実施例1〜17及び比較例1〜4の感光性樹脂組成物を、それぞれシリコン基板又は銅基板上にスピンコートして、乾燥膜厚が7〜12μmの樹脂膜を形成した。120℃で3分間加熱し、得られた樹脂膜に、超高圧水銀灯を光源とし、干渉フィルターを介して、100から1000mJ/cmまで10mJ/cm刻みでi線照射量を変化させ、所定のパターンをウエハに照射して、露光を行った。露光後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の2.38重量%水溶液にて露光部のシリコンウエハが露出するまで現像した後、水でリンスして、パターン樹脂膜をそれぞれ得た。
作製したパターン樹脂膜付きウエハを縦型拡散炉μ−TF(光洋サーモシステム社製)を用いて窒素雰囲気下、100℃で1時間加熱した後、さらに200℃で1時間加熱してパターン硬化膜(硬化後膜厚5〜10μm)をそれぞれ得た。
【0123】
[薬品耐性の評価]
上記で製造した膜厚7μmのパターン硬化膜付きシリコンウエハを、それぞれ30質量%の水酸化ナトリウム水溶液に50℃で10分間浸漬し、イオン交換水で洗浄した。洗浄後のウエハについて、クラック又は剥離が発生せず、浸漬前後の膜厚の変化が1μm以下であるウエハをAと評価し、クラック又は剥離が発生せず、浸漬前後の膜厚の変化が1μmより大きいウエハをBと評価し、クラックは発生しなかったが、膨潤により基板から硬化膜が剥離したウエハをCと評価し、硬化膜にクラックが入ったウエハをDと評価した。
【0124】
[接着性の評価]
実施例1〜17及び比較例1〜4の感光性樹脂組成物を銅基板上にスピンコートして、120℃で3分間加熱し、7μmの硬化膜を作成した。硬化膜をプレッシャークッカー装置に入れ、131℃、2atm、85%HRの条件下で500時間処理した(HAST処理)。HAST処理前後の接着強度を、スタッドプル試験機(ROMULUS、Quad Group Inc.社製)を用いて評価した。
具体的には、上記HAST条件(131℃/85RH%/2atm)で500時間処理したパターン硬化膜付きウエハ上の硬化膜に、エポキシ系樹脂のついたアルミ製のピンを立て、オーブンで150℃/1時間加熱してエポキシ樹脂のついたスタッドピンを硬化膜に接着させた。このピンをROMULUS(Quad Group Inc.社製)を用いて引っ張り、剥がれたときの剥離状態を目視で観察した。
剥離モードの評価基準は、接着強度が600kg/cm以上の場合をAとし、接着強度は600kg/cm未満であるが、硬化膜とエポキシ樹脂の界面、又はエポキシ樹脂とアルミ製ピンの界面から剥離した場合をBとし、銅基板と硬化膜の界面で剥離した場合をCとした。
【0125】
[ガラス転移温度(Tg)の測定]
実施例1〜17及び比較例1〜4の感光性樹脂組成物をシリコン基板上にスピンコートして、120℃で3分間加熱し、膜厚15μmの塗膜を形成した。この塗膜を光洋サーモシステムズINH−9CD−Sを用い、窒素中、温度200℃、1時間で脱水閉環し、膜厚約10μmの硬化膜を得た。
得られた硬化膜をシリコン基板ごと4.9%フッ酸水溶液に浸漬し、基板から硬化膜を剥離し、水洗、乾燥した後、剥離膜のガラス転移温度(Tg)をセイコーインスツルメンツ社製TMA/SS600で測定した。
【0126】
[伸びの評価]
実施例1〜17及び比較例1〜4の感光性樹脂組成物をシリコン基板上にスピンコートして、120℃で3分間加熱し、膜厚15μmの塗膜を形成した。この塗膜を光洋サーモシステムズINH−9CD−Sを用い、窒素中、温度200℃、1時間で脱水閉環し、膜厚約10μmの硬化膜を得た。
得られた硬化膜をシリコン基板ごと4.9%フッ酸水溶液に浸漬し、基板から硬化膜を剥離し、水洗、乾燥した後、島津製作所社製オートグラフAGS−100NXを用いて引っ張り試験より破断伸び(%)を評価した。
【0127】
[Cu上での溶解速度変化]
実施例1〜17及び比較例1〜4の感光性樹脂組成物を、それぞれシリコン基板及びCu基板上にそれぞれスピンコートし、乾燥膜厚が7〜12μmの樹脂膜を形成した。
得られた樹脂膜を120℃で3分間加熱し、超高圧水銀灯を光源とし、干渉フィルターを介して、100から1000mJ/cmまで10mJ/cm刻みでi線照射量を変化させ、所定のパターンをウエハに照射して、露光を行った。露光後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の2.38重量%水溶液にて露光部のシリコンウエハが露出するまで現像した後、水でリンスして、パターン樹脂膜をそれぞれ得た。
シリコン基板とCu基板との溶解速度(所定時間内に溶解した膜厚を現像時間で割ったもの)を比較し、溶解速度の差が10%未満であった膜をAと評価し(特に良好)、10〜15%の膜をBと評価し(良好)、15%より大きい膜をCと評価した(実用レベルではない)。
【0128】
【表1】

【0129】
【表2】

【0130】
実施例1〜17の感光性樹脂組成物から得られる硬化膜は、いずれも良好な基板への密着性、及び耐薬品性を両立させている。また、実施例1〜17の感光性樹脂組成物を用いて得られる硬化膜は、いずれも良好な耐熱性、破断伸びを示した。一方、(c)成分を用いなかった比較例1及び4、(d)成分を用いなかった比較例2、並びに(c)成分の含有量が20質量部よりも多い比較例3の組成物から得られる硬化膜では、いずれも基板への密着性及び耐薬品性を両立させることはできなかった。
【産業上の利用可能性】
【0131】
本発明の感光性樹脂組成物は、電子部品の表面保護膜、層間絶縁膜、再配線層等となるパターン硬化膜の材料として使用できる。
【符号の説明】
【0132】
1 層間絶縁層
2 アルミニウム配線層
3 絶縁層
4 表面保護層
5 配線層のパット部
6 再配線層
7 導電性ボール
8 コア
9 カバーコート層
10 バリアメタル
11 カラー
12 アンダーフィル

【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記成分(a)〜(d)を、(a)成分100質量部に対して、(b)成分1〜100質量部、(c)成分0.1〜20質量部、(d)成分10〜40質量部それぞれ含有する感光性樹脂組成物。
(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー
(b)光により酸を発生する化合物
(c)オキセタニル基を有する化合物
(d)架橋剤
【請求項2】
(c)オキセタニル基を有する化合物と(d)架橋剤の質量比である(d)/(c)が1〜40である請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項3】
前記(a)成分が、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリアミド酸、及びポリヒドロキシアミドのいずれかである請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項4】
前記(a)成分が、ポリヒドロキシアミドである請求項1〜3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【請求項5】
前記(b)成分が、ジアゾナフトキノンである請求項1〜4のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【請求項6】
前記(c)成分が、下記式(I)で表される化合物である請求項1〜5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【化24】

(式中、Xは、単結合、アルキレン基、芳香族環、酸素原子及び硫黄原子の少なくとも1つを有する2価の基である。
A及びBは、それぞれ炭素数1〜10のアルキル基である。)
【請求項7】
前記(d)成分が、分子内にメチロ−ル基又はアルコキシアルキル基を有する化合物である請求項1〜6のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【請求項8】
請求項1〜7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を、支持基板上に塗布、乾燥し、感光性樹脂膜を形成する工程、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程、
前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像する工程、及び
前記現像後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程を含む、パターン硬化膜の製造方法。
【請求項9】
請求項8に記載のパターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜である層間絶縁膜。
【請求項10】
請求項8に記載のパターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜である表面保護膜。
【請求項11】
請求項8に記載のパターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜である再配線層。
【請求項12】
請求項8に記載のパターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜を、層間絶縁膜、表面保護膜又は再配線層として有する電子部品。

【図1】
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【公開番号】特開2013−15701(P2013−15701A)
【公開日】平成25年1月24日(2013.1.24)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−148930(P2011−148930)
【出願日】平成23年7月5日(2011.7.5)
【出願人】(398008295)日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 (81)
【Fターム(参考)】