説明

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法

【課題】 感度、ラフネス特性、孤立スペースパターンの解像性に優れ、かつ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する構造部位(S1)と、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中への溶解速度が増大する構造部位(S2)とを備えた繰り返し単位(A)と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位(B)とを備えた樹脂を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する構造部位(S1)と、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中への溶解速度が増大する構造部位(S2)とを備えた繰り返し単位(A)と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位(B)とを備えた樹脂を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項2】
前記構造部位(S2)はラクトン構造を含んでいる請求項1に記載の組成物。
【請求項3】
前記構造部位(S1)は、前記ラクトン構造を構成しているエステル基に隣接した2つの炭素原子の少なくとも一方に結合している請求項2に記載の組成物。
【請求項4】
前記繰り返し単位(A)は、下記一般式(1α)により表される構造を備えている請求項1〜3の何れか1項に記載の組成物。
【化1】

式中、
は、k≧2の場合には各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。k≧2の場合、前記Rの少なくとも2つが互いに結合して、環を形成していてもよい。
Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Yは、m≧2の場合には各々独立に、前記構造単位(S1)を表す。
kは、0〜5の整数を表す。
mは、m+k≦6なる関係を満たす1〜5の整数を表す。
【請求項5】
前記繰り返し単位(A)は下記一般式(1)により表される構造を備えている請求項4に記載の組成物。
【化2】

一般式(1)中、
は、n≧2の場合には各々独立に、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Zは、n≧2の場合には各々独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。
nは、0〜5の整数を表す。
、X、Y、k及びmは、一般式(1α)における各基と同義である。
【請求項6】
前記繰り返し単位(A)は下記一般式(PL−1)により表される請求項4に記載の組成物。
【化3】

一般式(PL−1)中、
11は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。
12は、n≧2の場合には各々独立に、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。前記組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、前記2以上の基は、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子又はアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、及びこれらを組み合わせた基からなる群より選択される連結基を介して連結されていてもよい。
11及びZ12は、各々独立に、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
13は、n≧2の場合には各々独立に、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
nは、0〜5の整数を表す。
、X、Y、k及びmは、一般式(1α)における各基と同義である。
【請求項7】
前記繰り返し単位(A)は下記一般式(2)により表される請求項5に記載の組成物。
【化4】

一般式(2)中、
は、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。
、R、X、Y、Z、k、m及びnは、一般式(1)における各基と同義である。
【請求項8】
前記繰り返し単位(A)は下記一般式(2A)により表される請求項7に記載の組成物。
【化5】

一般式(2A)中、R、R、R、X、Y、Z、k及びnは、一般式(2)における各基と同義である。
【請求項9】
前記Rは水素原子又はアルキル基である請求項7又は8に記載の組成物。
【請求項10】
前記Yは下記一般式(Y1)により表される基である請求項4〜9の何れか1項に記載の組成物。
【化6】

式(Y1)中、
21は、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。前記組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、前記2以上の基は、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子又はアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、及びこれらを組み合わせた基からなる群より選択される連結基を介して連結されていてもよい。
は、アルキル基を表す。
及びRは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。RとRとは、互いに結合して、環を形成していてもよい。
【請求項11】
前記Yは下式(Y2)により表される基である請求項4〜9の何れか1項に記載の組成物。
【化7】

式(Y2)中、
は、アルキル基を表す。
及びRは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。RとRとは、互いに結合して、環を形成していてもよい。
【請求項12】
前記繰り返し単位(B)が、下記一般式(B1)、(B2)及び(B3)で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1つである請求項1〜11のいずれか1項に記載の組成物。
【化8】

一般式(B1)、(B2)および(B3)中、
Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表す。
04、R05及びR07〜R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
06は、シアノ基、カルボキシ基、−CO−OR25又は−CO−N(R26)(R27)を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26及びR27は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。
〜Xは、各々独立に、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、−O−、−SO−、−CO−、−N(R33)−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R33は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
【請求項13】
前記Aは、スルホニウム塩構造又はヨードニウム塩構造を備えたイオン性構造部位である請求項12に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項14】
繰り返し単位(B)は、活性光線又は放射線の照射により分解して前記樹脂の側鎖に酸アニオンを発生する構造部位を有する繰り返し単位である請求項1〜13のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項15】
前記樹脂は、下記一般式(A1)により表される繰り返し単位及び一般式(A2)により表される繰り返し単位から選択される少なくとも1種の繰り返し単位を更に含んでいる請求項1〜14のいずれか1項に記載の組成物。
【化9】

一般式(A1)中、
mは、0〜4の整数を表す。
nは、m+n≦5なる関係を満足する1〜5の整数を表す。
は、置換基を表し、m≧2の場合には、複数の前記Sは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
は、水素原子、又は酸の作用により脱離する基を表し、n≧2の場合には、複数の前記Aは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
一般式(A2)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
【請求項16】
KrFエキシマレーザー、電子線、X線又はEUV光用である請求項1〜15のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項17】
請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
【請求項18】
請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物を用いて膜を形成すること、該膜を露光すること、露光した膜を現像することを含むパターン形成方法。
【請求項19】
KrFエキシマレーザー、電子線、X線又はEUV光により露光される請求項18に記載のパターン形成方法。
【請求項20】
請求項18又は19に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項21】
請求項20に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。

【公開番号】特開2012−93737(P2012−93737A)
【公開日】平成24年5月17日(2012.5.17)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−213454(P2011−213454)
【出願日】平成23年9月28日(2011.9.28)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】