有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置及び電子機器
【課題】トップエミッション構造を採用し補助配線を設けた有機ＥＬ装置において、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術を用いることなく補助配線と共通電極を接続する。
【解決手段】基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、該補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機ＥＬ素子を基板上に形成する有機ＥＬ装置の製造方法において、補助配線上に存在する層材料をレーザ光あるいは／及び電子線を照射することにより除去した上で共通電極を形成することにより共通電極と前記補助配線とを相互接続する。
【解決手段】基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、該補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機ＥＬ素子を基板上に形成する有機ＥＬ装置の製造方法において、補助配線上に存在する層材料をレーザ光あるいは／及び電子線を照射することにより除去した上で共通電極を形成することにより共通電極と前記補助配線とを相互接続する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
バックライト等の光源を必要としない自発光素子を備えた表示装置として、近年、エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称す）素子を備えた有機ＥＬ装置が注目されている。有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ材料からなる発光層を一対の電極により挟持した発光素子を、基板面内に複数設けた構成を備えたもので、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション構造と、封止基板やカラーフィルタ基板等の対向基板側から光を取り出すトップエミッション構造とに分類される。近年では、有機ＥＬ装置の大型化、高精細化、高輝度化に対するニーズが高く、発光素子の高開口率化、高効率化を実現するのに有利なトップエミッション構造の有機ＥＬ装置の研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
トップエミッション構造の有機ＥＬ装置においては、一般的に、発光層を挟む一対の電極のうち共通電極は、光が射出される側に配置されている。そして、この共通電極は透光性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）膜やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）膜等によって形成されている。このようなＩＴＯ膜やＩＺＯ膜は金属膜と比べて抵抗が大きいため、共通電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する恐れがある。このため、特に大型のトップエミッション構造の有機ＥＬ装置では、基板上に抵抗が小さい補助配線を形成し、この補助配線と共通電極の途中部位とを電気的に接続することによって共通電極の電圧降下を防止している。
【０００４】
一方、発光層を形成する方法としては、一般的に、真空下で有機ＥＬ材料を配置した蒸着ボートを蒸着マスクを挟んで基板と対向させ、上記蒸着ボートを加熱することにより有機ＥＬ材料を蒸着マスクを介して基板（より具体的には画素領域）に蒸着させる真空蒸着法が採用されている（例えば下記特許文献１参照）。この場合、画素毎に異なる色（三原色であるＲ、Ｇ、Ｂのいずれか）を発光する有機ＥＬ材料をそれぞれ蒸着して発光層を形成することでフルカラー表示を行っている。また、発光層に白色発光の有機ＥＬ材料を用い、対向基板にカラーフィルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機ＥＬ表示装置では、画素毎に有機ＥＬ材料を変更する必要がないので、蒸着マスクを用いず、白色発光の有機ＥＬ材料を基板全面にベタ蒸着することで発光層を形成している。
【０００５】
このように、白色発光の有機ＥＬ材料を基板全面にベタ蒸着する場合において、上記のトップエミッション構造を採用すると、補助配線上にも有機ＥＬ材料が蒸着されるので、補助配線と共通電極との導通を図ることができないという問題がある。この問題を解決するために、従来では蒸着マスクを用いることによって補助配線上に有機ＥＬ材料が蒸着されないように配慮していた。
【特許文献１】特開２００３−３１３６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、補助配線上に有機ＥＬ材料が蒸着されないようにするためには、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術が必要であり、蒸着マスクの加工精度と当該蒸着マスクと基板との位置合わせ精度が十分でない場合には、補助配線と共通電極との間に付着した有機ＥＬ材料が電気的な抵抗成分となり、共通電極内において電圧の不均一が発生し、この結果として表示品質が低下する恐れがある。
【０００７】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、トップエミッション構造と共通電極の電気抵抗を低減させる補助配線とを備えた有機ＥＬ装置において、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術を用いることなく補助配線と共通電極を接続し、以って共通電極の電圧の不均一による表示品質の低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明では、有機ＥＬ装置の製造方法に係る解決手段として、基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機ＥＬ素子を基板上に形成する有機ＥＬ装置の製造方法において、補助配線上に存在する層材料をレーザ光あるいは／及び電子線を照射することにより除去した上で共通電極を形成することにより共通電極と前記補助配線とを相互接続する、という解決手段を採用する。
この発明によれば、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術を用いることなく補助配線と共通電極とを容易に接続することができる。そして、この結果、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止することが可能である。
【０００９】
また、本発明では、補助配線が画素電極の下層に形成される場合には、補助配線上に当該補助配線の一部が露出するように開口を形成した上で有機機能層を形成し、開口上の有機機能層をレーザ光あるいは／及び電子線を用いて除去した上で共通電極を形成することが好ましい。
この発明によれば、補助配線が画素電極の下層に形成される場合においてもレーザ光あるいは／及び電子線を用いて有機機能層のみを除去することによって補助配線と共通電極とを容易に接続することができる。したがって、層部材の除去を効率良く行うことができる。
【００１０】
また、本発明では、レーザ光あるいは／及び電子線を補助配線に沿って走査すると共に連続的に層材料に照射することによって当該層材料を前記補助配線に沿って連続的に除去することが好ましい。
この発明によれば、層材料を効率良く除去することができる。
【００１１】
また、本発明では、レーザ光あるいは／及び電子線を補助配線に沿って走査すると共に間欠的に層材料に照射することによって当該層材料を前記補助配線に沿って間欠的に除去することが好ましい。
この発明によれば、層材料を効率良く短時間で除去することができる。
【００１２】
また、本発明では、レーザ光の波長を層材料の光吸収波長に設定することが好ましい。
この発明によれば、層材料を効果的に加熱することが可能であり、よって層材料を効率良く短時間で除去することができる。
【００１３】
一方、本発明では、有機ＥＬ装置に係る解決手段として、上記のいずれかの有機ＥＬ装置の製造方法により製造されることを特徴とする。
この発明によれば、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止した有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１４】
さらに、本発明では、電子機器に係る解決手段として、上記有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。
この発明によれば、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止した有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
なお、本実施形態は、発光層に白色発光の有機ＥＬ材料を用い、対向基板にカラーフィルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機ＥＬ装置の製造方法に関するものである。
【００１６】
〔有機ＥＬ装置の構成〕
最初に、本実施形態によって製造された有機ＥＬ装置について説明する。
図１は、本実施形態によって製造された有機ＥＬ装置１の構成を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は上記平面図におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
この有機ＥＬ装置１は、図１（ａ）に示すように、基板２上には三原色の各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応する長円形状の画素領域３が行列状に複数配置されると共に、横方向に配列する画素領域３の間に同じく横方向に延在する帯状の補助配線４が複数本配置されている。
【００１７】
また、図１（ｂ）に示すように、基板２上には駆動用ＴＦＴ５が形成されている。この駆動用ＴＦＴ５は、半導体膜６に形成されたソース領域５ａ、ドレイン領域５ｂ及びチャネル領域５ｃと、半導体膜６の表面に形成されたゲート絶縁膜７を介してチャネル領域５ｃに対向するゲート電極５ｄとによって主に構成されている。また、半導体膜６及びゲート絶縁膜７を覆うように第１層間絶縁膜８が形成されており、この第１層間絶縁膜８を貫通して半導体膜６に達するコンタクトホール９，１０内には上記ドレイン領域５ｂ、ソース領域５ａに各々導電接続されたドレイン電極１１及びソース電極１２が各々埋設されている。
【００１８】
上記第１層間絶縁膜８上には第２平坦化絶縁膜１３が形成されており、また、この第２平坦化絶縁膜１３上には画素電極１４と上述した補助配線４とが同一層の部材として形成されている。画素電極１４の一部は、第２平坦化絶縁膜１３を貫設するコンタクトホールに埋設されており、ドレイン電極１１と導電接続されている。また、画素電極１４の周縁部に一部乗り上げるようにして無機絶縁材料からなる無機バンク１６（第１隔壁層）が形成され、この無機バンク１６上には有機材料からなるバンク１７（第２隔壁層）が形成されている。
【００１９】
上記有機ＥＬ素子１５は、画素電極１４、当該画素電極１４上に形成された正孔注入／輸送層１８、当該正孔注入／輸送層１８上に形成された発光層１９、当該発光層１９上に形成された電子注入／輸送層２０及び当該電子注入／輸送層２０上に形成された共通電極２１によって構成されている。これら正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０は、本実施形態における有機機能層を構成している。また、これら正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０は、補助配線４上に位置するものであり、本実施形態における層材料を構成している。そして、このような有機機能層上には、上記補助配線４上に位置する有機機能層（層材料）が除去されることにより補助配線４に接続された共通電極２１が設けられている。
【００２０】
上記基板２は、いわゆるトップエミッション構造の有機ＥＬ装置の場合、有機ＥＬ素子１５が配設された側から光を取り出すので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。また、画素電極１４は、トップエミッション型の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。
【００２１】
本実施形態における有機ＥＬ素子１５は、共通電極２１に透明な材料を用いることにより、発光層１９で発光する光を共通電極２１側から出射させるトップエミッション構造を採用したものである。透明な材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、アルミニウム薄膜、マグネシウム銀の薄膜等を用いることができる。
【００２２】
さらに、本有機ＥＬ装置１では、基板２と対向してカラーフィルタ基板２２が設けられている。このカラーフィルタ基板２２上には、三原色の各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応するカラーフィルタ２３と遮光用のＢＭ（Black Matrix）パターン２４とから構成されている。また、このカラーフィルタ基板２２は、基板２側の画素領域３とカラーフィルタ２３とが対向するように設けられている。なお、このカラーフィルタ基板２２には、ガラス等の透明性を有する基板が使用される。
【００２３】
〔有機ＥＬ装置の製造方法〕
次に、上記有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。本実施形態は、ガラス等の基板２上に各種配線や駆動用ＴＦＴ５等を形成する工程、該駆動用ＴＦＴ５上に画素電極１４及び補助配線４を形成する工程、当該画素電極１４及び補助配線４上に隔壁（無機バンク１６及びバンク１７）を形成する工程、この隔壁上に有機機能層を形成する工程、補助電極４上に位置する有機機能層を除去する工程、有機機能層上に補助電極４と接続された状態の共通電極２１を形成する工程を経ることにより、有機ＥＬ装置１を製造するものである。これら各工程のうち、各種配線や駆動用ＴＦＴ５等を形成する工程については、周知の工程と同様なので、これ以降の工程について以下に詳しく説明する。
【００２４】
（１）画素電極・補助配線形成工程
図２（ａ）に示すように、基板２上に駆動用ＴＦＴ５、半導体膜６、ゲート絶縁膜７、第１層間絶縁膜８、ドレイン電極１１、ソース電極１２及び第２平坦化絶縁膜１３が形成されると、蒸着法により第２平坦化絶縁膜１３上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）を全面成膜し、またこの膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図２（ｂ）に示すように画素電極１４及び補助配線４を形成する。すなわち、本実施形態における画素電極１４及び補助配線４は同一層に形成される部材である。なお、本有機ＥＬ装置１は、前述したようにトップエミッションタイプなので、画素電極１４及び補助配線４は、透明である必要がないので、上記インジウム・スズ酸化物に限定されることなく適宜な導電材料によって形成される。
【００２５】
（２）隔壁形成工程
次に、図２（ｃ）に示すように、第２平坦化絶縁膜１３、画素電極１４及び補助配線４上に第１の隔壁として無機バンク１６を形成し、さらに図２（ｄ）に示すように、第２の隔壁としてバンク１７を形成する。無機バンク１６は、例えばＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって第２平坦化絶縁膜１３、画素電極１４及び補助配線４上の全面にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮ等の無機物膜を形成し、この無機物膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成する。この無機バンク１６は、第２平坦化絶縁膜１３上、画素電極１４及び補助配線４の周縁部上のみに設けられ、画素電極１４の中央近傍に位置する電極面１４ａ及び補助配線４の中央近傍に位置する電極面４ａは露出している。
【００２６】
次いで、上記無機バンク１６上にバンク１７を形成する。このバンク１７は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機樹脂を材料として用いることができる。バンク１７は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を溶媒に溶かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して形成する。そして、バンク１７をフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口を設ける。このバンク１７の開口部は、図２（ｄ）に示すように、無機バンク１６の開口部よりやや広く形成することが好ましい。
【００２７】
このようにしてバンク１７が形成されると、続いてプラズマ処理を行う。このプラズマ処理は、画素電極１４の電極面１４ａを活性化するものであり、画素電極１４の電極面１４ａの表面洗浄、更に仕事関数の調整、更には親液化を主な目的として行われる。
【００２８】
（３）有機機能層形成工程
次に、図３に示すように、画素電極１４、無機バンク１６及びバンク１７の全面に正孔注入／輸送層１８を形成し、さらにその上に発光層１９を形成し、さらにその上に電子注入／輸送層２０を形成することによって有機機能層を形成する。正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０は、各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することによって形成される。
【００２９】
発光層１９の蒸着材料としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子材料を用いることができ、例えばアントラセンやピレン、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ＤＣＪ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。また、電子注入／輸送層２０の蒸着材料としては、ＬｉＦ等のアルカリ金属のフッ化物あるいは酸化物、マグネシウムリチウム等の合金等を用いることができる。
【００３０】
（４）層材料除去工程
この工程は、本実施形態において最も特徴的な工程あり、レーザ光を用いることにより補助配線４上に位置する層材料（有機機能層）を除去するものである。すなわち、この工程は、図４に示すように、所定波長のレーザ光を補助配線４上に位置する有機機能層に照射することにより当該有機機能層を除去して補助配線４を露出させる。レーザ光を有機機能層に照射すると、飛散作用あるいは昇華作用によって有機機能層が除去される。
具体的には、例えば、電極となるＩＴＯの吸収波長はおよそ３５０ｎｍ以下であり、正孔注入／輸送層１８の吸収波長はおよそ４００ｎｍであり、従って、基板２に対して全面レーザ照射を行う場合、レーザ光の波長を４５０ｎｍに設定することが好ましい。また、配線材料として反射率の高い材料を用いた場合、レーザ光の吸収が起こらない可能性があるので、ある程度反射率の低い材料を用いることが好ましい。例えば、アルミニウムもしくはアルミニウム合金上にバリアメタルを積層したものが使用可能である。ここで、バリアメタルとしては、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン等を用いても良い。または、配線材料としてクロムもしくはクロム上に酸化クロムを積層したものを使用しても良い。このように、反射率の低い配線材料を用いることで、外光による悪影響（有機機能層の劣化等）を低減することができる。
【００３１】
一方、局所的なレーザ照射を行う場合には、広い範囲の波長を使用することができ、特に正孔注入／輸送層１８での吸収が大きい４００ｎｍ近傍の波長のレーザ光を用いることにより、効率良く正孔注入／輸送層１８の除去を行うことができる。
このように、レーザ光の波長を有機機能層の光吸収波長に設定することにより飛散作用あるいは昇華作用を活発化させることができ、よって効率良く有機機能層を除去することができる。また、このようなレーザ光の有機機能層への照射では、当該有機機能層の下に位置する補助電極４にダメージを与えないように、補助配線４上に直接有機ＥＬ材料が配置された場合にのみ当該有機ＥＬ材料が除去される程度にレーザ光のエネルギを調整する。
【００３２】
本実施形態における有機機能層は、下層から正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０の順で積層されているので、例えばレーザ光の波長を最初は上層の電子注入／輸送層２０の光吸収波長に設定して効果的に電子注入／輸送層２０を除去し、続いて電子注入／輸送層２０が除去された段階で中層の発光層１９の光吸収波長にレーザ光の波長を切り替えることにより発光層１９を効果的に除去し、さらに発光層１９が除去された段階で下層の正孔注入／輸送層１８の光吸収波長にレーザ光の波長を再度切り替えることにより正孔注入／輸送層１８を効果的に除去するようにしても良い。
【００３３】
また、レーザ光は補助配線４上に位置する有機機能層のみに局部的に照射されるが、図１の符号Ｘ1に示すようにレーザ光を補助配線４に沿って走査しつつ連続的に層材料に照射するパターンと、図５の符号Ｘ2に示すようにレーザ光を補助配線４に沿って走査しつつ間欠的に層材料に照射するパターンとが考えられる。パターンＸ1では、有機機能層が補助配線４に沿って連続的に除去され、一方、パターンＸ2では、有機機能層が補助配線４に沿って間欠的に除去される。なお、このようなレーザ光の走査は、レーザ発振器から出射されたレーザ光の光軸をポリゴンミラー等の反射手段を用いて変更させる、あるいは基板をX-Yステージ上で移動することによって実現される。
【００３４】
（５）共通電極形成工程
上記有機機能層上及びレーザ光によって有機機能層が除去されたことによって露出した補助配線４の表面（電極面４ａ）上に光透過性材料からなる共通電極２１が形成される。この共通電極形成工程では、トップエミッション構造を実現するために、例えばイオンプレーティング法等の物理気相成長法により透明なＩＴＯを成膜する。またはアルミニウムの薄膜、マグネシウム銀の薄膜を蒸着法で形成して共通電極２１とする。また、酸素や水分の影響による有機ＥＬ素子の劣化を防止するために、共通電極２１上に、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等の保護層を設けても良い。
【００３５】
そして、このように共通電極２１が形成された後にカラーフィルタ基板２２を重ね合わせ、基板２とカラーフィルタ基板２２とを封止樹脂にて貼り合せることにより、図１に示した有機ＥＬ装置１が完成する。
【００３６】
以上のように、本実施形態によれば、レーザ光を補助配線４上に位置する有機機能層（層材料）に照射することにより層材料を除去するので、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術を用いることなく、補助配線４と共通電極２１を接続することが可能である。そして、この結果として、共通電極２１の電圧の不均一に起因する表示品質の低下を防止することができる。
【００３７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例が考えられる。
（１）上記実施形態ではレーザ光を補助配線４上に位置する有機機能層（層材料）に照射することにより層材料を除去するが、レーザ光に代えて電子線を用いることも考えられる。また、有機機能層（層材料）の材料に応じてレーザ光と電子線とを使い分けることも考えられる。
【００３８】
（２）上記実施形態では補助配線４が画素電極１４と同一層に形成される有機ＥＬ装置１の製造方法について説明したが、補助配線４を画素電極１４よりも下層に設けることが考えられる。図7は、このように補助配線４が画素電極１４よりも下層に設けられた有機ＥＬ装置を示している。図７（ａ）は、ドレイン電極１１及びソース電極１２と同一層に補助配線４を形成する場合を示し、図７（ｂ）は、ゲート電極５ｄと同一層に補助配線４を形成する場合を示している。また、図９（ａ）は、このようにゲート電極５ｄと同一層に補助配線４を形成する場合の、補助配線４、画素領域３、駆動用ＴＦＴ５、開口部３０の位置関係の一例を示す平面図である。この図に示すように、補助配線４は下層に形成されているため、共通電極２１とのコンタクト用の開口部３０が設けられている。
【００３９】
また、上記ドレイン電極１１及びソース電極１２並びにゲート電極５ｄとは異なる専用層に補助配線４を形成するようにしても良い。図８は、補助配線４をバンク１７の上面に設けた場合の断面図であり、図９（ｂ）は、このような場合の、補助配線４、画素領域３、駆動用ＴＦＴ５の位置関係の一例を示す平面図である。この図に示すように、補助配線４をバンク１７の上面に設けた場合も、補助配線４の上には有機機能層が積層するためレーザ光で除去する必要がある。
【００４０】
（３）さらに、上記図７（ａ）の場合、層材料が第２平坦化絶縁膜１３と有機機能層とから構成されることになるので、補助配線４と共通電極２１とを相互接続するためには、有機機能層に加えて第２平坦化絶縁膜１３をもレーザ光で除去する必要があり、この第２平坦化絶縁膜１３を除去する必要がある分、層材料の除去効率が悪化する。
【００４１】
このような場合には、フォトリソグラフィ法に基づくパターニングによって補助配線４上に位置する第２平坦化絶縁膜１３に開口を形成した上で有機機能層を形成することが有効である。このような開口を形成した場合には、第２平坦化絶縁膜１３をレーザ光で除去する必要が無いので、上述した層材料の除去効率の悪化を防止することができる。
なお、このような開口の形成は、ゲート電極５ｄと同一層に補助配線４を形成する場合及びドレイン電極１１及びソース電極１２並びにゲート電極５ｄとは異なる専用層に補助配線４を形成する場合にも同様に有効である。
【００４２】
（４）最後に、図１０は、上述した開口の配置と当該開口に対するレーザ光の照射パターンを示している。図１０（ａ）は、補助配線４に沿って一定間隔で開口２５を形成し、補助配線４に沿って連続的にレーザ光を照射することを示し、一方、図１０（ｂ）は、補助配線４に沿って一定間隔で開口２５を形成し、補助配線４に沿って開口２５のみに間欠的にレーザ光を照射することを示している。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態によって製造された有機ＥＬ装置１の構成を示す平面図及び当該平面図におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
【図２】本発明の一実施形態における画素電極・補助配線形成工程及び隔壁形成工程を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施形態における有機機能層形成工程を示す説明図である。
【図４】本発明の一実施形態における層材料除去工程を示す説明図である。
【図５】本発明の一実施形態におけるレーザ光の照射パターンの変形例を示す模式図である。
【図６】本発明の一実施形態における共通電極形成工程を示す説明図である。
【図７】本発明の一実施形態における補助配線４の変形例を示す第1の説明図である。
【図８】本発明の一実施形態における補助配線４の変形例を示す第2の説明図である。
【図９】本発明の一実施形態における画素領域３の平面図である。
【図１０】本発明の一実施形態における開口２５の配置と当該開口２５に対するレーザ光の照射パターンを示す模式図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…有機ＥＬ装置、２…基板、３…画素領域、４…補助配線、５…駆動用ＴＦＴ、１４…画素電極、１８…正孔注入／輸送層、１９…発光層、２０…電子注入／輸送層、２１共通電極、２２…カラーフィルタ基板、２３…カラーフィルタ、２４…ＢＭパターン、２５…開口
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
バックライト等の光源を必要としない自発光素子を備えた表示装置として、近年、エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称す）素子を備えた有機ＥＬ装置が注目されている。有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ材料からなる発光層を一対の電極により挟持した発光素子を、基板面内に複数設けた構成を備えたもので、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション構造と、封止基板やカラーフィルタ基板等の対向基板側から光を取り出すトップエミッション構造とに分類される。近年では、有機ＥＬ装置の大型化、高精細化、高輝度化に対するニーズが高く、発光素子の高開口率化、高効率化を実現するのに有利なトップエミッション構造の有機ＥＬ装置の研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
トップエミッション構造の有機ＥＬ装置においては、一般的に、発光層を挟む一対の電極のうち共通電極は、光が射出される側に配置されている。そして、この共通電極は透光性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）膜やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）膜等によって形成されている。このようなＩＴＯ膜やＩＺＯ膜は金属膜と比べて抵抗が大きいため、共通電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する恐れがある。このため、特に大型のトップエミッション構造の有機ＥＬ装置では、基板上に抵抗が小さい補助配線を形成し、この補助配線と共通電極の途中部位とを電気的に接続することによって共通電極の電圧降下を防止している。
【０００４】
一方、発光層を形成する方法としては、一般的に、真空下で有機ＥＬ材料を配置した蒸着ボートを蒸着マスクを挟んで基板と対向させ、上記蒸着ボートを加熱することにより有機ＥＬ材料を蒸着マスクを介して基板（より具体的には画素領域）に蒸着させる真空蒸着法が採用されている（例えば下記特許文献１参照）。この場合、画素毎に異なる色（三原色であるＲ、Ｇ、Ｂのいずれか）を発光する有機ＥＬ材料をそれぞれ蒸着して発光層を形成することでフルカラー表示を行っている。また、発光層に白色発光の有機ＥＬ材料を用い、対向基板にカラーフィルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機ＥＬ表示装置では、画素毎に有機ＥＬ材料を変更する必要がないので、蒸着マスクを用いず、白色発光の有機ＥＬ材料を基板全面にベタ蒸着することで発光層を形成している。
【０００５】
このように、白色発光の有機ＥＬ材料を基板全面にベタ蒸着する場合において、上記のトップエミッション構造を採用すると、補助配線上にも有機ＥＬ材料が蒸着されるので、補助配線と共通電極との導通を図ることができないという問題がある。この問題を解決するために、従来では蒸着マスクを用いることによって補助配線上に有機ＥＬ材料が蒸着されないように配慮していた。
【特許文献１】特開２００３−３１３６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、補助配線上に有機ＥＬ材料が蒸着されないようにするためには、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術が必要であり、蒸着マスクの加工精度と当該蒸着マスクと基板との位置合わせ精度が十分でない場合には、補助配線と共通電極との間に付着した有機ＥＬ材料が電気的な抵抗成分となり、共通電極内において電圧の不均一が発生し、この結果として表示品質が低下する恐れがある。
【０００７】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、トップエミッション構造と共通電極の電気抵抗を低減させる補助配線とを備えた有機ＥＬ装置において、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術を用いることなく補助配線と共通電極を接続し、以って共通電極の電圧の不均一による表示品質の低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明では、有機ＥＬ装置の製造方法に係る解決手段として、基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機ＥＬ素子を基板上に形成する有機ＥＬ装置の製造方法において、補助配線上に存在する層材料をレーザ光あるいは／及び電子線を照射することにより除去した上で共通電極を形成することにより共通電極と前記補助配線とを相互接続する、という解決手段を採用する。
この発明によれば、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術を用いることなく補助配線と共通電極とを容易に接続することができる。そして、この結果、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止することが可能である。
【０００９】
また、本発明では、補助配線が画素電極の下層に形成される場合には、補助配線上に当該補助配線の一部が露出するように開口を形成した上で有機機能層を形成し、開口上の有機機能層をレーザ光あるいは／及び電子線を用いて除去した上で共通電極を形成することが好ましい。
この発明によれば、補助配線が画素電極の下層に形成される場合においてもレーザ光あるいは／及び電子線を用いて有機機能層のみを除去することによって補助配線と共通電極とを容易に接続することができる。したがって、層部材の除去を効率良く行うことができる。
【００１０】
また、本発明では、レーザ光あるいは／及び電子線を補助配線に沿って走査すると共に連続的に層材料に照射することによって当該層材料を前記補助配線に沿って連続的に除去することが好ましい。
この発明によれば、層材料を効率良く除去することができる。
【００１１】
また、本発明では、レーザ光あるいは／及び電子線を補助配線に沿って走査すると共に間欠的に層材料に照射することによって当該層材料を前記補助配線に沿って間欠的に除去することが好ましい。
この発明によれば、層材料を効率良く短時間で除去することができる。
【００１２】
また、本発明では、レーザ光の波長を層材料の光吸収波長に設定することが好ましい。
この発明によれば、層材料を効果的に加熱することが可能であり、よって層材料を効率良く短時間で除去することができる。
【００１３】
一方、本発明では、有機ＥＬ装置に係る解決手段として、上記のいずれかの有機ＥＬ装置の製造方法により製造されることを特徴とする。
この発明によれば、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止した有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１４】
さらに、本発明では、電子機器に係る解決手段として、上記有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。
この発明によれば、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止した有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
なお、本実施形態は、発光層に白色発光の有機ＥＬ材料を用い、対向基板にカラーフィルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機ＥＬ装置の製造方法に関するものである。
【００１６】
〔有機ＥＬ装置の構成〕
最初に、本実施形態によって製造された有機ＥＬ装置について説明する。
図１は、本実施形態によって製造された有機ＥＬ装置１の構成を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は上記平面図におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
この有機ＥＬ装置１は、図１（ａ）に示すように、基板２上には三原色の各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応する長円形状の画素領域３が行列状に複数配置されると共に、横方向に配列する画素領域３の間に同じく横方向に延在する帯状の補助配線４が複数本配置されている。
【００１７】
また、図１（ｂ）に示すように、基板２上には駆動用ＴＦＴ５が形成されている。この駆動用ＴＦＴ５は、半導体膜６に形成されたソース領域５ａ、ドレイン領域５ｂ及びチャネル領域５ｃと、半導体膜６の表面に形成されたゲート絶縁膜７を介してチャネル領域５ｃに対向するゲート電極５ｄとによって主に構成されている。また、半導体膜６及びゲート絶縁膜７を覆うように第１層間絶縁膜８が形成されており、この第１層間絶縁膜８を貫通して半導体膜６に達するコンタクトホール９，１０内には上記ドレイン領域５ｂ、ソース領域５ａに各々導電接続されたドレイン電極１１及びソース電極１２が各々埋設されている。
【００１８】
上記第１層間絶縁膜８上には第２平坦化絶縁膜１３が形成されており、また、この第２平坦化絶縁膜１３上には画素電極１４と上述した補助配線４とが同一層の部材として形成されている。画素電極１４の一部は、第２平坦化絶縁膜１３を貫設するコンタクトホールに埋設されており、ドレイン電極１１と導電接続されている。また、画素電極１４の周縁部に一部乗り上げるようにして無機絶縁材料からなる無機バンク１６（第１隔壁層）が形成され、この無機バンク１６上には有機材料からなるバンク１７（第２隔壁層）が形成されている。
【００１９】
上記有機ＥＬ素子１５は、画素電極１４、当該画素電極１４上に形成された正孔注入／輸送層１８、当該正孔注入／輸送層１８上に形成された発光層１９、当該発光層１９上に形成された電子注入／輸送層２０及び当該電子注入／輸送層２０上に形成された共通電極２１によって構成されている。これら正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０は、本実施形態における有機機能層を構成している。また、これら正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０は、補助配線４上に位置するものであり、本実施形態における層材料を構成している。そして、このような有機機能層上には、上記補助配線４上に位置する有機機能層（層材料）が除去されることにより補助配線４に接続された共通電極２１が設けられている。
【００２０】
上記基板２は、いわゆるトップエミッション構造の有機ＥＬ装置の場合、有機ＥＬ素子１５が配設された側から光を取り出すので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。また、画素電極１４は、トップエミッション型の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。
【００２１】
本実施形態における有機ＥＬ素子１５は、共通電極２１に透明な材料を用いることにより、発光層１９で発光する光を共通電極２１側から出射させるトップエミッション構造を採用したものである。透明な材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、アルミニウム薄膜、マグネシウム銀の薄膜等を用いることができる。
【００２２】
さらに、本有機ＥＬ装置１では、基板２と対向してカラーフィルタ基板２２が設けられている。このカラーフィルタ基板２２上には、三原色の各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応するカラーフィルタ２３と遮光用のＢＭ（Black Matrix）パターン２４とから構成されている。また、このカラーフィルタ基板２２は、基板２側の画素領域３とカラーフィルタ２３とが対向するように設けられている。なお、このカラーフィルタ基板２２には、ガラス等の透明性を有する基板が使用される。
【００２３】
〔有機ＥＬ装置の製造方法〕
次に、上記有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。本実施形態は、ガラス等の基板２上に各種配線や駆動用ＴＦＴ５等を形成する工程、該駆動用ＴＦＴ５上に画素電極１４及び補助配線４を形成する工程、当該画素電極１４及び補助配線４上に隔壁（無機バンク１６及びバンク１７）を形成する工程、この隔壁上に有機機能層を形成する工程、補助電極４上に位置する有機機能層を除去する工程、有機機能層上に補助電極４と接続された状態の共通電極２１を形成する工程を経ることにより、有機ＥＬ装置１を製造するものである。これら各工程のうち、各種配線や駆動用ＴＦＴ５等を形成する工程については、周知の工程と同様なので、これ以降の工程について以下に詳しく説明する。
【００２４】
（１）画素電極・補助配線形成工程
図２（ａ）に示すように、基板２上に駆動用ＴＦＴ５、半導体膜６、ゲート絶縁膜７、第１層間絶縁膜８、ドレイン電極１１、ソース電極１２及び第２平坦化絶縁膜１３が形成されると、蒸着法により第２平坦化絶縁膜１３上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）を全面成膜し、またこの膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図２（ｂ）に示すように画素電極１４及び補助配線４を形成する。すなわち、本実施形態における画素電極１４及び補助配線４は同一層に形成される部材である。なお、本有機ＥＬ装置１は、前述したようにトップエミッションタイプなので、画素電極１４及び補助配線４は、透明である必要がないので、上記インジウム・スズ酸化物に限定されることなく適宜な導電材料によって形成される。
【００２５】
（２）隔壁形成工程
次に、図２（ｃ）に示すように、第２平坦化絶縁膜１３、画素電極１４及び補助配線４上に第１の隔壁として無機バンク１６を形成し、さらに図２（ｄ）に示すように、第２の隔壁としてバンク１７を形成する。無機バンク１６は、例えばＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって第２平坦化絶縁膜１３、画素電極１４及び補助配線４上の全面にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮ等の無機物膜を形成し、この無機物膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成する。この無機バンク１６は、第２平坦化絶縁膜１３上、画素電極１４及び補助配線４の周縁部上のみに設けられ、画素電極１４の中央近傍に位置する電極面１４ａ及び補助配線４の中央近傍に位置する電極面４ａは露出している。
【００２６】
次いで、上記無機バンク１６上にバンク１７を形成する。このバンク１７は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機樹脂を材料として用いることができる。バンク１７は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を溶媒に溶かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して形成する。そして、バンク１７をフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口を設ける。このバンク１７の開口部は、図２（ｄ）に示すように、無機バンク１６の開口部よりやや広く形成することが好ましい。
【００２７】
このようにしてバンク１７が形成されると、続いてプラズマ処理を行う。このプラズマ処理は、画素電極１４の電極面１４ａを活性化するものであり、画素電極１４の電極面１４ａの表面洗浄、更に仕事関数の調整、更には親液化を主な目的として行われる。
【００２８】
（３）有機機能層形成工程
次に、図３に示すように、画素電極１４、無機バンク１６及びバンク１７の全面に正孔注入／輸送層１８を形成し、さらにその上に発光層１９を形成し、さらにその上に電子注入／輸送層２０を形成することによって有機機能層を形成する。正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０は、各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することによって形成される。
【００２９】
発光層１９の蒸着材料としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子材料を用いることができ、例えばアントラセンやピレン、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ＤＣＪ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。また、電子注入／輸送層２０の蒸着材料としては、ＬｉＦ等のアルカリ金属のフッ化物あるいは酸化物、マグネシウムリチウム等の合金等を用いることができる。
【００３０】
（４）層材料除去工程
この工程は、本実施形態において最も特徴的な工程あり、レーザ光を用いることにより補助配線４上に位置する層材料（有機機能層）を除去するものである。すなわち、この工程は、図４に示すように、所定波長のレーザ光を補助配線４上に位置する有機機能層に照射することにより当該有機機能層を除去して補助配線４を露出させる。レーザ光を有機機能層に照射すると、飛散作用あるいは昇華作用によって有機機能層が除去される。
具体的には、例えば、電極となるＩＴＯの吸収波長はおよそ３５０ｎｍ以下であり、正孔注入／輸送層１８の吸収波長はおよそ４００ｎｍであり、従って、基板２に対して全面レーザ照射を行う場合、レーザ光の波長を４５０ｎｍに設定することが好ましい。また、配線材料として反射率の高い材料を用いた場合、レーザ光の吸収が起こらない可能性があるので、ある程度反射率の低い材料を用いることが好ましい。例えば、アルミニウムもしくはアルミニウム合金上にバリアメタルを積層したものが使用可能である。ここで、バリアメタルとしては、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン等を用いても良い。または、配線材料としてクロムもしくはクロム上に酸化クロムを積層したものを使用しても良い。このように、反射率の低い配線材料を用いることで、外光による悪影響（有機機能層の劣化等）を低減することができる。
【００３１】
一方、局所的なレーザ照射を行う場合には、広い範囲の波長を使用することができ、特に正孔注入／輸送層１８での吸収が大きい４００ｎｍ近傍の波長のレーザ光を用いることにより、効率良く正孔注入／輸送層１８の除去を行うことができる。
このように、レーザ光の波長を有機機能層の光吸収波長に設定することにより飛散作用あるいは昇華作用を活発化させることができ、よって効率良く有機機能層を除去することができる。また、このようなレーザ光の有機機能層への照射では、当該有機機能層の下に位置する補助電極４にダメージを与えないように、補助配線４上に直接有機ＥＬ材料が配置された場合にのみ当該有機ＥＬ材料が除去される程度にレーザ光のエネルギを調整する。
【００３２】
本実施形態における有機機能層は、下層から正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０の順で積層されているので、例えばレーザ光の波長を最初は上層の電子注入／輸送層２０の光吸収波長に設定して効果的に電子注入／輸送層２０を除去し、続いて電子注入／輸送層２０が除去された段階で中層の発光層１９の光吸収波長にレーザ光の波長を切り替えることにより発光層１９を効果的に除去し、さらに発光層１９が除去された段階で下層の正孔注入／輸送層１８の光吸収波長にレーザ光の波長を再度切り替えることにより正孔注入／輸送層１８を効果的に除去するようにしても良い。
【００３３】
また、レーザ光は補助配線４上に位置する有機機能層のみに局部的に照射されるが、図１の符号Ｘ1に示すようにレーザ光を補助配線４に沿って走査しつつ連続的に層材料に照射するパターンと、図５の符号Ｘ2に示すようにレーザ光を補助配線４に沿って走査しつつ間欠的に層材料に照射するパターンとが考えられる。パターンＸ1では、有機機能層が補助配線４に沿って連続的に除去され、一方、パターンＸ2では、有機機能層が補助配線４に沿って間欠的に除去される。なお、このようなレーザ光の走査は、レーザ発振器から出射されたレーザ光の光軸をポリゴンミラー等の反射手段を用いて変更させる、あるいは基板をX-Yステージ上で移動することによって実現される。
【００３４】
（５）共通電極形成工程
上記有機機能層上及びレーザ光によって有機機能層が除去されたことによって露出した補助配線４の表面（電極面４ａ）上に光透過性材料からなる共通電極２１が形成される。この共通電極形成工程では、トップエミッション構造を実現するために、例えばイオンプレーティング法等の物理気相成長法により透明なＩＴＯを成膜する。またはアルミニウムの薄膜、マグネシウム銀の薄膜を蒸着法で形成して共通電極２１とする。また、酸素や水分の影響による有機ＥＬ素子の劣化を防止するために、共通電極２１上に、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等の保護層を設けても良い。
【００３５】
そして、このように共通電極２１が形成された後にカラーフィルタ基板２２を重ね合わせ、基板２とカラーフィルタ基板２２とを封止樹脂にて貼り合せることにより、図１に示した有機ＥＬ装置１が完成する。
【００３６】
以上のように、本実施形態によれば、レーザ光を補助配線４上に位置する有機機能層（層材料）に照射することにより層材料を除去するので、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術を用いることなく、補助配線４と共通電極２１を接続することが可能である。そして、この結果として、共通電極２１の電圧の不均一に起因する表示品質の低下を防止することができる。
【００３７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例が考えられる。
（１）上記実施形態ではレーザ光を補助配線４上に位置する有機機能層（層材料）に照射することにより層材料を除去するが、レーザ光に代えて電子線を用いることも考えられる。また、有機機能層（層材料）の材料に応じてレーザ光と電子線とを使い分けることも考えられる。
【００３８】
（２）上記実施形態では補助配線４が画素電極１４と同一層に形成される有機ＥＬ装置１の製造方法について説明したが、補助配線４を画素電極１４よりも下層に設けることが考えられる。図7は、このように補助配線４が画素電極１４よりも下層に設けられた有機ＥＬ装置を示している。図７（ａ）は、ドレイン電極１１及びソース電極１２と同一層に補助配線４を形成する場合を示し、図７（ｂ）は、ゲート電極５ｄと同一層に補助配線４を形成する場合を示している。また、図９（ａ）は、このようにゲート電極５ｄと同一層に補助配線４を形成する場合の、補助配線４、画素領域３、駆動用ＴＦＴ５、開口部３０の位置関係の一例を示す平面図である。この図に示すように、補助配線４は下層に形成されているため、共通電極２１とのコンタクト用の開口部３０が設けられている。
【００３９】
また、上記ドレイン電極１１及びソース電極１２並びにゲート電極５ｄとは異なる専用層に補助配線４を形成するようにしても良い。図８は、補助配線４をバンク１７の上面に設けた場合の断面図であり、図９（ｂ）は、このような場合の、補助配線４、画素領域３、駆動用ＴＦＴ５の位置関係の一例を示す平面図である。この図に示すように、補助配線４をバンク１７の上面に設けた場合も、補助配線４の上には有機機能層が積層するためレーザ光で除去する必要がある。
【００４０】
（３）さらに、上記図７（ａ）の場合、層材料が第２平坦化絶縁膜１３と有機機能層とから構成されることになるので、補助配線４と共通電極２１とを相互接続するためには、有機機能層に加えて第２平坦化絶縁膜１３をもレーザ光で除去する必要があり、この第２平坦化絶縁膜１３を除去する必要がある分、層材料の除去効率が悪化する。
【００４１】
このような場合には、フォトリソグラフィ法に基づくパターニングによって補助配線４上に位置する第２平坦化絶縁膜１３に開口を形成した上で有機機能層を形成することが有効である。このような開口を形成した場合には、第２平坦化絶縁膜１３をレーザ光で除去する必要が無いので、上述した層材料の除去効率の悪化を防止することができる。
なお、このような開口の形成は、ゲート電極５ｄと同一層に補助配線４を形成する場合及びドレイン電極１１及びソース電極１２並びにゲート電極５ｄとは異なる専用層に補助配線４を形成する場合にも同様に有効である。
【００４２】
（４）最後に、図１０は、上述した開口の配置と当該開口に対するレーザ光の照射パターンを示している。図１０（ａ）は、補助配線４に沿って一定間隔で開口２５を形成し、補助配線４に沿って連続的にレーザ光を照射することを示し、一方、図１０（ｂ）は、補助配線４に沿って一定間隔で開口２５を形成し、補助配線４に沿って開口２５のみに間欠的にレーザ光を照射することを示している。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態によって製造された有機ＥＬ装置１の構成を示す平面図及び当該平面図におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
【図２】本発明の一実施形態における画素電極・補助配線形成工程及び隔壁形成工程を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施形態における有機機能層形成工程を示す説明図である。
【図４】本発明の一実施形態における層材料除去工程を示す説明図である。
【図５】本発明の一実施形態におけるレーザ光の照射パターンの変形例を示す模式図である。
【図６】本発明の一実施形態における共通電極形成工程を示す説明図である。
【図７】本発明の一実施形態における補助配線４の変形例を示す第1の説明図である。
【図８】本発明の一実施形態における補助配線４の変形例を示す第2の説明図である。
【図９】本発明の一実施形態における画素領域３の平面図である。
【図１０】本発明の一実施形態における開口２５の配置と当該開口２５に対するレーザ光の照射パターンを示す模式図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…有機ＥＬ装置、２…基板、３…画素領域、４…補助配線、５…駆動用ＴＦＴ、１４…画素電極、１８…正孔注入／輸送層、１９…発光層、２０…電子注入／輸送層、２１共通電極、２２…カラーフィルタ基板、２３…カラーフィルタ、２４…ＢＭパターン、２５…開口
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、前記補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機ＥＬ素子を前記基板上に形成する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記補助配線上に存在する層材料をレーザ光あるいは／及び電子線を照射することにより除去した上で前記共通電極を形成することにより前記共通電極と前記補助配線とを相互接続する
ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
補助配線が画素電極の下層に形成される場合には、前記補助配線上に当該補助配線の一部が露出するように開口を形成した上で有機機能層を形成し、前記開口上の前記有機機能層をレーザ光あるいは／及び電子線を用いて除去した上で前記共通電極を形成することを特徴とする請求項1記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
レーザ光あるいは／及び電子線を補助配線に沿って走査すると共に連続的に層材料に照射することによって当該層材料を前記補助配線に沿って連続的に除去する
ことを特徴とする請求項1または２記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
レーザ光あるいは／及び電子線を補助配線に沿って走査すると共に間欠的に層材料に照射することによって当該層材料を前記補助配線に沿って間欠的に除去する
ことを特徴とする請求項1または２記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
レーザ光の波長を層材料の光吸収波長に設定することを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法により製造されることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項７】
請求項６記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、前記補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機ＥＬ素子を前記基板上に形成する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記補助配線上に存在する層材料をレーザ光あるいは／及び電子線を照射することにより除去した上で前記共通電極を形成することにより前記共通電極と前記補助配線とを相互接続する
ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
補助配線が画素電極の下層に形成される場合には、前記補助配線上に当該補助配線の一部が露出するように開口を形成した上で有機機能層を形成し、前記開口上の前記有機機能層をレーザ光あるいは／及び電子線を用いて除去した上で前記共通電極を形成することを特徴とする請求項1記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
レーザ光あるいは／及び電子線を補助配線に沿って走査すると共に連続的に層材料に照射することによって当該層材料を前記補助配線に沿って連続的に除去する
ことを特徴とする請求項1または２記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
レーザ光あるいは／及び電子線を補助配線に沿って走査すると共に間欠的に層材料に照射することによって当該層材料を前記補助配線に沿って間欠的に除去する
ことを特徴とする請求項1または２記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
レーザ光の波長を層材料の光吸収波長に設定することを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法により製造されることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項７】
請求項６記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００７−１０３０９８（Ｐ２００７−１０３０９８Ａ）
【公開日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２８９２４１（Ｐ２００５−２８９２４１）
【出願日】平成１７年９月３０日（２００５．９．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月３０日（２００５．９．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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