樹脂塗布方法及び樹脂塗布装置
【課題】本発明は樹脂内にボイドの発生を抑制しうる樹脂塗布方法および樹脂塗布装置に関し、塗布時間の短縮を図ることを課題とする。
【解決手段】低圧環境下の塗布チャンバ３１Ｂで一番目の基板２に対してアンダーフィル材６を塗布する塗布工程と、搬送チャンバ３１Ａ内に次に処理される２番目の基板２を移動させた後に搬送チャンバ３１Ａ内を大気圧環境下から低圧環境に減圧する気圧調整工程と、前記塗布工程完了後に２枚目の基板２を塗布チャンバ３１Ｂへ移動させ、１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａへ移動させる移動工程とを有する。
【解決手段】低圧環境下の塗布チャンバ３１Ｂで一番目の基板２に対してアンダーフィル材６を塗布する塗布工程と、搬送チャンバ３１Ａ内に次に処理される２番目の基板２を移動させた後に搬送チャンバ３１Ａ内を大気圧環境下から低圧環境に減圧する気圧調整工程と、前記塗布工程完了後に２枚目の基板２を塗布チャンバ３１Ｂへ移動させ、１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａへ移動させる移動工程とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は樹脂塗布方法及び樹脂塗布装置に係り、特に樹脂内にボイドの発生を抑制しうる樹脂塗布方法及び樹脂塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、フリップチップにより半導体チッブを基板に実装する場合、バンプと電極との接合力のみでは十分な強度が得られない場合があり、よって半導体チップと基板との間にアンダーフィル材を充填して信頼性を高めることが行われている。図１（Ａ）は、フリップチップにより半導体素子３（以下、単にチップという）を基板２に実装した半導体装置１を示している。尚、図１には基板２に対して一つのチップ３のみが実装された例を示しているが、基板２に対して複数のチップ３が実装されるものについても以下説明する事項は同様である。
【０００３】
チップ３はバンプ４が設けられており、このバンプ４を接合材５により基板２の電極パッド９に接合することにより、チップ３は基板２に実装されている。また、バンプ４と電極パッド９との接続信頼性を高めるため、基板２とチップ３との間に電極パッド９が充填されている。
【０００４】
一方、近年の半導体チップ３の高密度化により、バンプ間ピッチ（接続ピッチ）Ｐの微細化に伴い、アンダーフィル材９内のボイド７の発生が問題となっている。図１（Ｂ）は、バンプ間にボイド７が発生した状態を示している。このように、一対のバンプ４間にボイド７が発生すると、このボイド７はマイグレーションの原因となり、フィールドでの障害となる。
【０００５】
このアンダーフィル材６内におけるバンプ間ボイド７の発生を抑制する方法として、低圧環境下で基板２とチップ３の間にアンダーフィル材６を塗布する方法が提案されている（特許文献１参照）。これについて、図２及び図３を用いて説明する。
【０００６】
図２はアンダーフィル材６を塗布する工程を示しており、図３はアンダーフィル材６を塗布するための樹脂塗布装置１０を示している。先ず、図２を用いて、低圧環境下でアンダーフィル材６を塗布することにより、ボイド７の発生を抑制できる理由について説明する。
【０００７】
図２に示すように、チップ３を基板２に実装するには、先ず吸着アーム８を用いてチップ３を基板２に仮固定する。具体的には、予め電極パッド９に接合材５を塗布しておき、この接合材５を用いてバンプ４を電極パッド９に仮接着する。この際、基板２の中央位置にアンダーフィル材６を配設しておいてもよい。
【０００８】
続いて、チップ３を仮固定した基板２を減圧チャンバ１１内に装着し、続いて減圧チャンバ１１を減圧する。その上で、塗布ノズル１２を用いてチップ３の外周よりアンダーフィル材６を基板２とチップ３との間に充填する。この際、基板２の中央位置にアンダーフィル材６を配設しておくことにより、ある程度ボイド７の発生は抑制される。しかしながら、図２に示すようにボイド７が発生してしまうことは経験的に知られている。
【０００９】
しかしながら、低圧環境下において基板２とチップ３との間にボイド７が発生しても、この半導体装置１を減圧チャンバ１１から取り出し大気圧に戻すと、環境の気圧が上昇することによりボイド７の体積は小さくなる。これによりボイド７は微小化し、よってマイグレーションが発生を有効に抑制することができる。
【００１０】
図３は、上記のようにアンダーフィル材６の塗布処理を低圧環境下で行う際に用いられる樹脂塗布装置１０を示している。この樹脂塗布装置１０は、大略すると減圧チャンバ１１、塗布ノズル１２、直交ロボット１３、コントローラ１４、基板ステージ１６、基板搬送ステージ１７，１８、及び真空ポンプ１９等を有している。
【００１１】
減圧チャンバ１１は、バルブ２２を閉じた状態で真空ポンプ１９が駆動させることにより減圧される。これにより、減圧チャンバ１１内は、低圧環境とされる。また、バルブ２２を開くことにより、減圧チャンバ１１内は大気圧に戻される。
【００１２】
この減圧チャンバ１１には、搬入扉２０及び排出扉２１が設けられている。基板２は搬入扉２０を開くことにより減圧チャンバ１１内に搬入され、またアンダーフィル材６の塗布処理か終了すると、排出扉２１を開いて基板２を減圧チャンバ１１から搬出される。
【００１３】
塗布ノズル１２は、基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６を塗布するノズルである。この塗布ノズル１２は、減圧チャンバ１１に固定されている。ステージ１６〜１８は、減圧チャンバ１１内に配設されている。このステージ１６〜１８は、基板２を保持する機能と、基板２を図中矢印Ｘ方向に移動させる機能を有している。基板ステージ１６は直交ロボット１３に配設され、また基板搬送ステージ１７，１８は減圧チャンバ１１の床面に固定されている。
【００１４】
直交ロボット１３は、基板ステージ１６を二次元的に移動させる。この直交ロボット１３は、コントローラ１４により制御される。直交ロボット１３により基板ステージ１６が各基板搬送ステージ１７，１８と直線状に対向する位置まで移動すると、この状態で基板ステージ１６と各基板搬送ステージ１７，１８との間で基板２の搬送が行われる。
【００１５】
基板２が基板ステージ１６に装着された状態で、減圧チャンバ１１は減圧されて低圧環境とされている。この検圧環境下において、アンダーフィル材６を吐出しつつ塗布ノズル１２が相対的に基板２に配設されたチップ３（図３には図示せず）の外周を移動することにより、基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６が充填される。
【００１６】
図４は、樹脂塗布装置１０を用いて行われるアンダーフィル材６を塗布（充填）する際に行われる各工程を示している。同図では、上欄に減圧チャンバ１１内で行われる各工程（Ａ〜Ｇで示す工程）を示し、下欄に減圧チャンバ１１内の気圧変化を示している。尚、チャンバ内処理の欄に実線で示すのは１枚目の基板２の工程であり、破線で示すのは２枚目の基板２の工程である。また、以下の説明において、基板２には既にチップ３が実装されているものとする。
【００１７】
１枚目の基板２に対する塗布処理が開始されると、先ず搬入扉２０が開かれて基板２が減圧チャンバ１１内に搬入される（Ａ工程）。この際、減圧チャンバ１１内は大気圧とされている。
【００１８】
基板２は減圧チャンバ１１内に搬入されると、基板搬送ステージ１７に保持される。排出扉２１が搬送チャンバ３１Ａに搬入されると、真空ポンプ１９が駆動されて減圧チャンバ１１は減圧される（Ｂ工程）。減圧チャンバ１１内が減圧されると、基板２は基板搬送ステージ１７から直交ロボット１３上の基板ステージ１６に搬送される（Ｃ工程）。
【００１９】
基板２が基板ステージ１６に搬送されると、塗布ノズル１２及び直交ロボット１３が起動し、基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６が塗布される（Ｄ工程）。このアンダーフィル材６の塗布処理は、前記したようにボイド７の影響を抑えるため、所定の低圧環境下で行われる。
【００２０】
基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６が塗布されると、続いて塗布されたアンダーフィル材６が基板２とチップ３との離間部分に浸透するのを待つ（固定Ｅ）。アンダーフィル材６は、毛細管現象により基板２とチップ３との微細な間隙内に浸透する。このアンダーフィル材６の浸透には、所定の時間（例えば、150秒）を要する。このアンダーフィル材６の浸透処理は、アンダーフィル材６の塗布処理と同様に、低圧環境下で行われる。
【００２１】
上記のようにしてアンダーフィル材６の塗布及び浸透処理が終了すると、真空ポンプ１９が停止されると共にバルブ２２が開かれ、搬送チャンバ３１Ａ内の昇圧が行われる（Ｆ工程）。この昇圧過程において、前記したようにアンダーフィル材６に発生したボイド７は体積が小さくなる。
【００２２】
搬送チャンバ３１Ａが大気圧となると、基板２は基板ステージ１６から基板搬送ステージ１８に移動される。そして、排出扉２１が開かれ、基板２は基板搬送ステージ１８から減圧チャンバ１１の外部に搬出される（Ｇ工程）。
【００２３】
このように基板２が減圧チャンバ１１から搬出されると同時に、搬入扉２０が開かれて次に処理される基板２（アンダーフィル材６が塗布されてない基板）が減圧チャンバ１１内に搬入される（Ａ工程）。続いて、この次に処理される基板２について、上記したＡ〜Ｇの各工程が実施され、これに伴い減圧チャンバ１１に対して減圧及び昇圧処理が行われる。
【特許文献１】特許第３５５８９０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
しかしながら、従来のアンダーフィル材６の塗布方法及びこれに用いる樹脂塗布装置１０では、一つの減圧チャンバ１１内で基板２の減圧チャンバ１１内への搬入出処理及びアンダーフィル材６の塗布及び浸透処理を行っていた。このため、基板２減圧チャンバ１１内への搬入出処理時には大きな容積を有する減圧チャンバ１１を大気圧とし、また塗布及び浸透処理時には大きな容積を有する減圧チャンバ１１を減圧する必要が生じる。よって、塗布時間以外に長い減圧及び昇圧時間が発生し、タクトタイムが伸びてしまいアンダーフィル材６の塗布処理の効率が低下するという問題点があった。
【００２５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板に樹脂を塗布するのに要する時間短縮を図りうる樹脂塗布方法及び樹脂塗布装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、第１気圧下の塗布室内で、第１の電子部品に対して樹脂を塗布する塗布工程と、気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する第１気圧調整工程と前記塗布工程完了後、前記第２の電子部品を前記塗布室へ移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室へ移動させる第１移動工程とを有することを特徴とする樹脂塗布方法により解決することができる。
【００２７】
また上記の課題は、本発明の他の観点からは、第１気圧下において電子部品に対して樹脂を塗布する塗布室と、前記電子部品を格納し、前記塗布室に前記電子部品を供給し、かつ第２気圧下から前記第１気圧へ気圧を調整する気圧調節室と、前記塗布室内で第１の電子部品に対して樹脂を塗布する際に、前記気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する制御部とを有する樹脂塗布装置により解決することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、樹脂内にボイドが発生することを抑制しつつ、樹脂の塗布に要する時間の短縮を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００３０】
図５は、本発明の一実施例である樹脂塗布装置３０を示す構成図である。この樹脂塗布装置３０は、半導体装置１（図１（Ａ）参照）の製造工程において、基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６を塗布（充填）する処理を行うものである。この樹脂塗布装置３０は、大略すると搬送チャンバ３１Ａ（請求項に記載の気圧調整室に相当する）、塗布チャンバ３１Ｂ（請求項に記載の塗布室に相当する）、塗布ノズル３２、直交ロボット３３、コントローラ３４（請求項に記載の制御部に相当する）、及び基板搬送ユニット３５等を有している。
【００３１】
樹脂塗布装置３０は、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂの二つのチャンバを有している。この搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは一体的に形成されているが、隔壁４４により画成されている。この隔壁４４には移送扉４３により開閉される移送開口４４ａが形成されている。
【００３２】
移送扉４３は、扉開閉モータ５０（図６，図７参照）により開閉する。移送扉４３が開蓋することにより、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは連通する。また、移送扉４３が閉蓋することにより、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは気密に画成される。
【００３３】
よって、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは、その内部気圧をそれぞれ異なる気圧に設定することが可能な構成となっている。また、扉開閉モータ５０はコントローラ３４に接続されており、よって移送扉４３の開閉はコントローラ３４により制御される。
【００３４】
搬送チャンバ３１Ａは、図中矢印Ｘ２方向側の壁部に搬入開口８４が形成され、また搬入開口８４と対向する図中矢印Ｘ１方向側の壁部に搬出開口８５が形成さている。搬入開口８４には搬入扉４０が設けられており、搬入扉４０が開蓋されることにより、基板２が搬入開口８４より搬送チャンバ３１Ａ内に搬入される。また、搬入扉４０が閉蓋されることにより、搬入開口８４は気密に封止される。
【００３５】
一方，搬出開口８５には排出扉４１が設けられており、排出扉４１が開蓋されることにより、後述する樹脂封止工程が終了しアンダーフィル材６が配設された基板２が搬送チャンバ３１Ａから搬出される。また、排出扉４１が閉蓋されることにより、搬出開口８５は気密に封止される。上記の搬入扉４０及び排出扉４１は、図示しない扉開閉モータにより開閉される。この扉開閉モータはコントローラ３４に接続されており、よって搬入扉４０及び排出扉４１は、コントローラ３４により開閉が制御される。
【００３６】
搬送チャンバ３１Ａは、真空ポンプ３９Ａ及びバルブ４２Ａを有している。バルブ４２Ａが閉じられた状態で真空ポンプ３９Ａが駆動することにより、搬送チャンバ３１Ａは減圧される。また、減圧状態においてバルブ４２Ａが開かれることにより、搬送チャンバ３１Ａは昇圧して大気圧とされる。
【００３７】
塗布チャンバ３１Ｂは、真空ポンプ３９Ｂ及びバルブ４２Ｂを有している。バルブ４２Ｂが閉じられた状態で真空ポンプ３９Ｂが駆動することにより、塗布チャンバ３１Ｂは減圧される。また、減圧状態においてバルブ４２Ｂが開かれることにより、塗布チャンバ３１Ｂは昇圧して大気圧とされる。
【００３８】
上記の真空ポンプ３９Ａ，３９Ｂは、コントローラ３４に接続されている。よって、搬送チャンバ３１Ａ及び塗布チャンバ３１Ｂ内の気圧は、コントローラ３４により制御される。
【００３９】
搬送チャンバ３１Ａ内には、基板搬送ユニット３５が設けられている。この基板搬送ユニット３５は、基板ステージ３６、基板搬送ステージ３７，３８、及び基板移動装置４５を有している。基板搬送ステージ３７は搬送チャンバ３１Ａの搬入開口８４の近傍位置に設けられており、基板搬送ステージ３８は搬送チャンバ３１Ａの搬出開口８５の近傍位置に設けられている。
【００４０】
この基板搬送ステージ３７と基板搬送ステージ３８との間で、移送用開口４４ａと対向する部分には、後述するように直交ロボット３３により基板ステージ３６が移動してくるため空間部が形成されている。更に、基板移動装置４５は、基板搬送ステージ３７，３８の図中矢印Ｙ２側の側部に、基板２の搬送方向（Ｘ１，Ｘ２方向）に沿って設けられている。
【００４１】
一方、塗布チャンバ３１Ｂ内には、塗布ノズル３２、直交ロボット３３、及び基板ステージ３６等が設けられている。塗布ノズル３２は塗布チャンバ３１Ｂの天板に固定されており、下端部（Ｚ２方向の端部）からアンダーフィル材６を吐出する構成とされている。この塗布ノズル３２は、上下方向（図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に）伸縮可能な構成とされている。塗布ノズル３２はコントローラ３４に接続されており、よって塗布ノズル３２の伸縮動作はコントローラ３４により制御される。
【００４２】
直交ロボット３３は、図６及び図７に示すように、Ｘ方向移動ステージ４７及びＹ方向モータ４８を有している。Ｘ方向移動ステージ４７はＸ方向モータ４６により駆動されるステージであり、その上部に配設されるＹ方向移動ステージ４９を矢印Ｘ１，Ｘ２に移動させるものである。また、Ｙ方向移動ステージ４９はＹ方向モータ４８により駆動されるステージであり、その上部に配設される基板ステージ３６を矢印Ｙ１，Ｙ２に移動させるものである。Ｘ方向モータ４６及びＹ方向モータ４８はコントローラ３４に接続されており、よって直交ロボット３３の駆動はコントローラ３４により制御される。
【００４３】
Ｙ方向移動ステージ４９には基台部５２が固定されており、この基台部５２の先端部（Ｙ２方向側の端部）には基板ステージ３６が取り付けられている。この基板ステージ３６及び搬送チャンバ３１Ａ内に配設される基板搬送ステージ３７，３８は、略同一構成とされている。このため、図８乃至図９を用いて各ステージ３６，３７，３８について一括的に説明する。尚、基板ステージ３６及び基板搬送ステージ３７，３８を総括的に示す場合、「ステージ３６，３７，３８」と示して説明するものとする。
【００４４】
図８はホットプレート６３が上昇した状態のステージ３６，３７，３８を示しており、図９はホットプレート６３が下降した状態のステージ３６，３７，３８を示している。ステージ３６，３７，３８は、大略すると基台部５１，５２、ガイドロッド５３、昇降フレーム５４、ガイドレール５５、ガイド押さえ５６、板カム５８、リニアガイド５９、及びエアシリンダ６１等により構成されている。
【００４５】
基台部５１は基板搬送ステージ３７，３８の基台となるものであり、基台部５２は基板ステージ３６の基台となるものである。基台部５１は、固定台７８に固定される。これにより、基板搬送ステージ３７，３８は搬送チャンバ３１Ａ内に固定される。また、基台部５２は、前記のように直交ロボット３３に配設される。これにより、基板ステージ３６は、直交ロボット３３により二次元的に移動可能（Ｘ，Ｙ方向に移動可能）な構成となっている。
【００４６】
また図６に示すように、移送扉４３が開かれた状態において、基板ステージ３６は直交ロボット３３により移送用開口４４ａを介して塗布チャンバ３１Ｂから搬送チャンバ３１Ａ内に移動可能な構成となっている。基板ステージ３６が搬送チャンバ３１Ａ内に移動した状態において、後述するように、基板搬送ステージ３７と基板ステージ３６との間及び基板ステージ３６と基板搬送ステージ３８との間で基板２を搬送する。
【００４７】
ガイドロッド５３は、基台部５１，５２に立設されている。本実施例では４本のガイドロッド５３が設けられており、基台部５１，５２の長辺（Ｘ１，Ｘ２方向に延在する辺）に沿って２本ずつ設けられている。この２本一対のガイドロッド５３には、それぞれ昇降フレーム５４が昇降可能に取り付けられる。この一対の昇降フレーム５４の対向する面（内側の面）には、ローラ５７及び係合部６０が設けられている。
【００４８】
ガイドレール５５及びガイド押さえ５６は、ガイドロッド５３の上端部に配設されている。このガイドレール５５とガイド押さえ５６は、図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向（基板２が搬送される方向）に長く延出した形状とされている。ガイドレール５５及びガイド押さえ５６は、図１０に示すように、基板搬送時において基板２の長辺側の両側縁と係合し、基板２の搬送に伴う移動を案内する。尚、図１０は、ステージ３６，３７，３８を平面視した要部構成図である。
【００４９】
ガイド押さえ５６はガイドレール５５の上部にこれと重なるように配設されており、基板２の搬送時においては基板２がガイドロッド５３から上方に離脱しないようガイドを行う。また、後述すように基板２にホットプレート６３は昇降動作（Ｚ１，Ｚ２方向に移動）を行うが、ホットプレート６３が上昇した際に基板２はガイド押さえ５６とホットプレート６３との間で挟持される。これにより、基板２はステージ３６，３７，３８に保持される。
【００５０】
また、ホットプレート６３はその下部にヒータ６４が設けられている。また、ホットプレート６３はガイド押さえ５６との間に基板２を挟持した状態で、基板２の略全面と接した状態となっている（図１０参照）。このため、基板２はホットプレート６３を介してヒータ６４により加熱される（基板２がヒータ６４により加熱される詳細については、後述するものとする）。
【００５１】
板カム５８は、基台部５１，５２上にその長手方向（矢印Ｘ１，Ｘ２方向）に移動可能に設けられている。具体的には、基台部５１，２の上面には矢印Ｘ１，Ｘ２方向に延在するリニアガイド５９が形成さけており、板カム５８に設けられた係合部６０はこのリニアガイド５９に移動可能に係合している（図８（Ｃ），図９（Ｃ）に詳しい）。よって、板カム５８は、リニアガイド５９に案内されてＸ１，Ｘ２方向に精度よく移動しうる。
【００５２】
板カム５８は、上端縁に二つの傾斜カム部５８ａが形成されている。この２つの傾斜カム部５８ａは同一構成であり、それぞれには昇降フレーム５４に設けられたローラ５７が係合している。この傾斜カム部５８ａは、基台部５１，５２の表面に対し、矢印Ｘ１方向に向かうに従い漸次高くなる傾斜面とされている（図８（Ｂ），図９（Ｂ）参照）。また、前記のように昇降フレーム５４はガイドロッド５３により上下方向に昇降可能な構成とされている。
【００５３】
よって、板カム５８が矢印Ｘ２方向に移動することにより、ローラ５７は傾斜カム部５８ａ上を転動し、これにより昇降フレーム５４は上昇（Ｚ１方向に移動）する。逆に、板カム５８が矢印Ｘ１方向に移動することにより、昇降フレーム５４は下降（Ｚ２方向に移動）する。また前記したように、ホットプレート６３は昇降フレーム５４に固定されている。よって、板カム５８が矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動するにより昇降フレーム５４が昇降動作すると、これに伴いホットプレート６３も昇降動作を行う。
【００５４】
エアシリンダ６１は、基台部５１，５２上の一対の板カム５８の間に挟まれた略中央位置に設けられている。このエアシリンダ６１のシリンダシャフト６１ａは、一対の板カム５８の間に配設されたサイドアーム６２に接続されている。
【００５５】
よって、エアシリンダ６１の駆動によりシリンダシャフト６１ａが伸縮することにより、サイドアーム６２は矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動付勢され、これにより一対の板カム５８が矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動する。このエアシリンダ６１はコントローラ３４に接続されており、よって板カム５８の移動及びこれに伴うホットプレート６３の昇降動作はコントローラ３４により制御される。
【００５６】
次に、主に図１１及び図１２を用いて、基板移動装置４５について説明する。この基板移動装置４５は、上記の各ステージ３６，３７，３８間で基板２を搬送する機能を奏するものである。
【００５７】
尚、図１１は基板搬送ユニット３５の全体構成を示す平面図及び正面図であり、直交ロボット３３（図１１では図示を省略）により基板ステージ３６が搬送チャンバ３１Ａ内に移動して、各ステージ３６，３７，３８がＸ１，Ｘ２方向に直線状に並んだ状態を示している。また、図１２は基板搬送ユニット３５を拡大して示す側面図である。
【００５８】
基板移動装置４５は、単軸ロボット６５、第１乃至第３アーム６６〜６８、第１乃至第３送りピン６９〜７１、エアシリンダ７４〜７６、及び移動台７９等を有している。
【００５９】
単軸ロボット６５は、搬送チャンバ３１Ａの床面に矢印Ｘ１，Ｘ２方向に長く延在した形状を有している。この単軸ロボット６５は、搬送モータ７２とボールネジ７３とを有している。ボールネジ７３は、搬送モータ７２が駆動することにより回転する。このボールネジ７３には移動台７９が係合しており、よってボールネジ７３が回転することにより移動台７９は図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動する。
【００６０】
この移動台７９の移動距離は、搬送モータ７２の回転量により決まる。また、搬送モータ７２はコントローラ３４に接続されており、よって搬送モータ７２の回転量はコントローラ３４により制御される。従って、移動台７９の移動は、コントローラ３４により制御される。
【００６１】
移動台７９の上面には、移動台７９のＸ２方向端部からＸ１方向に向け第１アーム６６、第２アーム６７、及び第３アーム６８が所定の距離離間して順に固定されている。この第１乃至第３アーム６６〜６８は、図１１（Ａ）に示すように、平面視でいずれも略Ｌ字形状を有している。この第１乃至第３アーム６６〜６８の移動台側の端部はエアシリンダ７４〜７６を介して移動台７９に固定されている。また、第１乃至第３アーム６６〜６８の移動台から離れた側の端部には第１乃至第３送りピン６９〜７１が配設されている。
【００６２】
尚、以下の説明において第１乃至第３アーム６６〜６８を総称する場合には単にアーム６６〜６８といい、第１乃至第３送りピン６９〜７１を総称する場合には送りピン６９〜７１というものとする。
【００６３】
エアシリンダ７４〜７６は、アーム６６〜６８を矢印Ｚ１，Ｚ２方向に移動（昇降動作）させるものである。具体的には、エアシリンダ７４は第１アーム６６を昇降動作させ、これにより第１アーム６６に設けられた第１送りピン６９も昇降動作する。また、エアシリンダ７５は第２アーム６７を昇降動作させ、これにより第２アーム６７に設けられた第２送りピン７０も昇降動作する。更に、エアシリンダ７５は第３アーム６８を昇降動作させ、これにより第３アーム６８に設けられた第３送りピン７１も昇降動作する。
【００６４】
ここで、第１乃至第３送りピン６９〜７１の動作について、図１２を用いて更に説明する。図１２は基板搬送ユニット３５の右側面を示す要部構成図である。
【００６５】
この図１２（Ａ），（Ｂ）に示されるステージ３６，３７，３８は、ホットプレート６３が下降した状態とされている。この状態において、基板２はガイドレール５５上に載置されており、またガイドレール５５とガイド押さえ５６との間に間隙が形成されている。よって、基板２は固定されておらず、Ｘ１，Ｘ２方向（図１２においては、紙面に対して垂直方向）に移動可能な状態となっている。
【００６６】
図１２（Ａ）は、エアシリンダ７４〜７６によりアーム６６〜６８が上昇した状態を示している。この上昇状態において、アーム６６〜６８に設けられた送りピン６９〜７１も上昇した状態となっている。この上昇状態において、送りピン６９〜７１は基板２から離間した状態となっている。従って、送りピン６９〜７１が上昇した状態において単軸ロボット６５が駆動して移動台７９が矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動したとしても、送りピン６９〜７１は基板２の上部で移動するため、基板２が移動することはない。
【００６７】
これに対して図１２（Ｂ）は、エアシリンダ７４〜７６によりアーム６６〜６８が下降した状態を示している。この下降状態において、アーム６６〜６８に設けられた送りピン６９〜７１も下降した状態となっている。この下降状態において、送りピン６９〜７１は基板２の矢印Ｘ２側の短辺と係合可能な状態となっている（図１１参照）。
【００６８】
従って、この下降状態において単軸ロボット６５を駆動して移動台７９が矢印Ｘ１方向に移動すると、送りピン６９〜７１は基板２と係合して基板２を矢印Ｘ１方向に移動付勢する。よって、送りピン６９〜７１の移動により基板２はステージ３６，３７，３８に案内されつつ矢印Ｘ１方向に移動する。この際、前記のように基板２の両側縁はガイドレール５５及びガイド押さえ５６に保持（ガイド）されており、また送りピン６９〜７１は基板２の短辺の略中央位置と係合する構成とされているため、基板２を安定して移動させることができる。
【００６９】
次に図１３乃至図１８を用い、基板２が搬送チャンバ３１Ａ内で搬送されるときの、上記構成とされた基板搬送ユニット３５の具体的な動作について説明する。
【００７０】
図１３乃至図１８は、基板搬送ユニット３５及び基板移動装置４５主要構成のみを示しており、また基板ステージ３６が搬送チャンバ３１Ａ内に移動してステージ３６，３７，３８がＸ１，Ｘ２方向に並んだ状態を示している。尚、以下の説明においては、基板２が基板搬送ステージ３７に搬送された以降の動作について説明する。
【００７１】
先ず、基板搬送ステージ３７に保持されている基板２を基板ステージ３６に搬送する動作について説明する。この基板２を基板ステージ３６に搬送する動作は、コントローラ３４により制御されている。
【００７２】
基板２を基板ステージ３６に搬送するには、コントローラ３４は基板移動装置４５の搬送モータ７２を駆動し、移動台７９を矢印Ｘ２方向の端部まで移動させる。この移動の際、全ての送りピン６９〜７１は、エアシリンダ７４〜７６により基板２の保持位置よりも高い上昇状態とされている。よって移動台７９が移動し、これに伴い送りアーム６６〜６８に設けられたピン６９〜７１がＸ２方向に移動したとしても、送りピン６９〜７１が基板２と衝突するようなことはない。
【００７３】
移動台７９が矢印Ｘ２方向の端部まで移動すると、コントローラ３４はエアシリンダ７４を駆動し、第１送りピン６９のみを下降させる。これにより、送りピン６９〜７１の内、第１送りピン６９のみが基板２と係合可能な状態となる。図１３は、第１送りピン６９が下降した状態を示している。
【００７４】
続いて、コントローラ３４は搬送モータ７２を駆動することにより、移動台７９を矢印Ｘ１方向に移動させる。これにより、第１アーム６６も矢印Ｘ１方向に移動し、第１送りピン６９は基板２と係合する。更に移動台７９が移動することにより、基板２は第１送りピン６９に付勢されて矢印Ｘ１方向への移動を開始する。そして、基板２が基板搬送ステージ３７から基板ステージ３６に搬送された時点で、コントローラ３４は搬送モータ７２を停止させる。これにより、基板２は基板搬送ステージ３７から基板ステージ３６に搬送される。図１４は、基板２が基板ステージ３６に搬送された状態を示している。
【００７５】
後述するように、基板２が基板ステージ３６に搬送されると、基板ステージ３６は塗布チャンバ３１Ｂに移送されてアンダーフィル材６の塗布処理等が行われる。そして、アンダーフィル材６の塗布処理が終了し、再び基板ステージ３６が搬送チャンバ３１Ａに移送されると、基板２を基板搬送ステージ３８に搬送する処理が行われる。
【００７６】
基板２を基板ステージ３６から基板搬送ステージ３８に搬送するには、コントローラ３４は搬送モータ７２を駆動することにより、第２アーム６７に設けられた第２送りピン７０が基板ステージ３６に保持された基板２のＸ２方向側の短辺と対向する位置まで移動台７９を移動させる。
【００７７】
この移動の際も、全ての送りピン６９〜７１は、エアシリンダ７４〜７６により基板２の保持位置よりも高い上昇状態とする。よって移動台７９が移動する際、送りピン６９〜７１が基板２と衝突することはない。
【００７８】
第２送りピン７０が基板２の上記短辺と対向する位置まで移動すると、コントローラ３４はエアシリンダ７５を駆動し、第２送りピン７０のみを下降させる。これにより、送りピン６９〜７１の内、第２送りピン７０のみが基板２と係合可能な状態となる。図１５は、第２送りピン７０が下降した状態を示している。
【００７９】
続いて、コントローラ３４は搬送モータ７２を駆動することにより、移動台７９を矢印Ｘ１方向に移動させる。これにより、第２アーム６７も矢印Ｘ１方向に移動し、第２送りピン７０は基板２と係合する。更に移動台７９が移動することにより、基板２は第２送りピン７０に付勢されて矢印Ｘ１方向への移動を開始する。そして、基板２が基板ステージ３６から基板搬送ステージ３８に搬送された時点で、コントローラ３４は搬送モータ７２を停止させる。これにより、基板２は基板ステージ３６から基板搬送ステージ３８に搬送される。図１６は、基板２が基板搬送ステージ３８に搬送された状態を示している。
【００８０】
基板搬送ステージ３８に保持された基板２を搬送チャンバ３１Ａから外部に搬出するには、コントローラ３４は搬送モータ７２を駆動することにより、第３アーム６８に設けられた第３送りピン７１が基板ステージ３６に保持された基板２のＸ２方向側の短辺と対向する位置まで移動台７９を移動させる。
【００８１】
この移動の際も、全ての送りピン６９〜７１は、エアシリンダ７４〜７６により基板２の保持位置よりも高い上昇状態とする。よって移動台７９が移動する際、送りピン６９〜７１が基板２と衝突することはない。
【００８２】
第３送りピン７１が基板２の上記短辺と対向する位置まで移動すると、コントローラ３４はエアシリンダ７５を駆動し、第３送りピン７１のみを下降させる。これにより、送りピン６９〜７１の内、第３送りピン７１のみが基板２と係合可能な状態となる。図１７は、第３送りピン７１が下降した状態を示している。尚、図１７及び図１８では、図１３乃至図１６と異なり、基板移動装置４５のみを図示している。
【００８３】
続いて、コントローラ３４は、排出扉４１を開くと共に搬送モータ７２を駆動する。排出扉４１を開くことにより、搬出開口８５を介して基板２を搬送チャンバ３１Ａの外部に搬出することが可能となる。また、搬送モータ７２が駆動することにより、移動台７９は矢印Ｘ１方向に移動する。
【００８４】
移動台７９の移動に伴い、第３アーム６８は矢印Ｘ１方向に移動して第３送りピン７１は基板２と係合する。更に移動台７９が移動することにより、基板２は第３送りピン７１に付勢されて矢印Ｘ１方向への移動を開始する。これにより、基板２は基板搬送ステージ３８から離脱して搬出開口８５を介して搬送チャンバ３１Ａの外部に搬出される。図１８は、第３送りピン７１により基板２が矢印Ｘ１方向に移動付勢されている状態を示している。
【００８５】
上記のように、基板２は基板搬送ユニット３５により基板搬送ステージ３７から基板ステージ３６への搬送、基板ステージ３６から基板搬送ステージ３８への搬送、及び基板搬送ステージ３８から搬送チャンバ３１Ａの外部への搬送が行われる。この搬送処理は、一つの移動台７９に送りピン６９〜７１及びエアシリンダ７４〜７６を有した３つのアーム６６〜６８を離間配置し、この移動台７９を移動させることにより、送りピン６９〜７１を選択的に使用して行われる。上記の如く基板搬送ユニット３５を構成することにより、構成の簡単化及び移動台７９の移動距離の短縮を図ることができ、よって基板搬送ユニット３５の小型化及び搬送チャンバ３１Ａの小型化を図ることができる。
【００８６】
次に、図１９を用いて、上記構成とされた樹脂塗布装置３０を用いてアンダーフィル材６を基板２に塗布する方法について説明する。
【００８７】
図１９では、最上欄に塗布チャンバ３１Ｂの気圧を示し、その下欄に塗布チャンバ３１Ｂ内で行われる各工程を示し、その下欄には搬送チャンバ３１Ａで行われる各工程を示し、その下欄には搬送チャンバ３１Ａの気圧変化を示し、更にその下欄には基板２の温度変化を示している。
【００８８】
また、図中の搬送チャンバ３１Ａ及び塗布チャンバ３１Ｂ内で行われる工程を示す欄において、実線で示すのは今回処理される２枚目の基板２の工程であり、一点鎖線で示すのはこの２枚目の基板２の前に処理が行われる１枚目の基板の工程であり、更に破線で示すのは２枚目の基板２の後に処理が行われる３枚目の基板２の工程である。
【００８９】
更に、図中Ａ〜Ｈで示すのはチャンバ内で行われる各工程であり、また、これに付載された１〜３の数字は何枚目に処理がされる基板かを示している。よって、例えば「Ａ２」と示されている場合には、２枚目に処理される基板２に対して搬送チャンバ３１Ａへの基板搬入処理の工程が行われていることを示している。
【００９０】
尚、請求項に記載の「第１の電子部品」は以下説明における１枚目の基板に対応し、請求項に記載の「第２の電子部品」は以下説明における２枚目の基板に対応し、請求項に記載の「第３の電子部品」は以下説明における３枚目の基板に対応する。
【００９１】
本実施例で使用する樹脂塗布装置３０は、前記のように搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂとを有し、それぞれのチャンバ３１Ａ，３１Ｂは内部気圧を別箇に設定することが可能な構成となっている。このため、塗布チャンバ３１Ｂは、搬送チャンバ３１Ａ内の気圧に拘らず、常に低圧状態とされている。ここで低圧とは、この低圧環境下でアンダーフィル材６を塗布した後、これを再び大気圧に戻した際にボイド７の体積が収縮しボイド７の影響を抑制できる気圧をいうものとする（具体的には、10Pa〜1000Pa）。尚、低圧環境下は請求項に記載の「第１気圧下」に相当し、大気圧環境下は請求項に記載の「第２気圧下」に相当する。
【００９２】
図１９は、１枚目の基板に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ１工程）を実施している状態からを示している。この１枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ１工程）が終了すると、１枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ１工程）が実施される。
【００９３】
尚、このアンダーフィル材６の浸透待ち工程は、広義ではアンダーフィル材６の塗布工程に含まれるものであるが、図１９ではアンダーフィル材６の塗布処理をより詳細に説明するために塗布工程と浸透待ち工程を別箇に示している。請求項に記載した「塗布工程」は広義の塗布工程を意味しており、よって請求項に記載した「塗布工程」には、図１９に記載されている「塗布工程Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３」と「浸透待ち工程Ｅ１，Ｅ２」とを含んでいる。
【００９４】
２枚目の基板２の搬送チャンバ３１Ａ内への搬入は、搬送チャンバ３１Ａが大気圧状態において行われる（Ａ２工程）。この際、塗布チャンバ３１Ｂでは、この２枚目の基板２の処理に先立って樹脂塗布装置３０に装着されている１枚目の基板に対し、塗布チャンバ３１Ｂ内においてアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ１工程）またはアンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ１工程）が行われている。
【００９５】
アンダーフィル材６の塗布処理の工程（Ｄ１工程）及びアンダーフィル材６の浸透待ち処理（Ｅ１工程）は低圧環境下で行う必要がある。これに対し、上記のように基板２の樹脂塗布装置３０内への搬入処理は大気圧環境下で行う必要がある。しかしながら、樹脂塗布装置３０は搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂを異なる気圧環境下とすることができ、搬送チャンバ３１Ａは大気圧環境下、塗布チャンバ３１Ｂは低圧環境下としている。
【００９６】
これにより、搬送チャンバ３１Ａ内に２枚目の基板２を搬入する工程（Ａ２工程）と、広義の意味である塗布工程（１枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ１工程）及びアンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ１工程））を同時に平行して行うことができる。尚、本実施例では、２枚目の基板２の搬送チャンバ３１Ａへの搬入は、アンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ１工程）において行っている。また、搬送チャンバ３１Ａ内へ搬入された状態において、２枚目の基板２は基板搬送ステージ３７に保持された状態となっている。
【００９７】
上記のように搬送チャンバ３１Ａ内に２枚目の基板２が搬入されると、コントローラ３４により搬送チャンバ３１Ａの搬入扉４０が閉じられ、バルブ４２Ａが閉じられ、かつ真空ポンプ３９Ａが起動する。これにより、搬送チャンバ３１Ａに対する減圧処理が開始され、搬送チャンバ３１Ａ内の気圧は大気圧から前記した低圧となるよう調整される（請求項に記載の第１気圧調整工程に相当する）。この減圧処理は、１枚目の基板２に対する浸透待ち工程（Ｅ１工程；広義の塗布工程）が完了するまでに所定の低圧となるよう実施される。
【００９８】
また、搬送チャンバ３１Ａが低圧となるまで、基板２は塗布チャンバ３１Ｂに移送されることはなく、搬送チャンバ３１Ａ内に待機している（Ｂ２工程）。この搬入待機時において、コントローラ３４はエアシリンダ６１を駆動し、搬送チャンバ３１Ａ内に配設された基板搬送ステージ３７に設けられたホットプレート６３を上昇させる（図９参照）。これにより、ホットプレート６３は２枚目の基板２と当接し、ヒータ６４で生成される熱はホットプレート６３を介して第２の基板２に熱伝達される。これにより、２枚目の基板２は加熱される。
【００９９】
後述するアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ２工程）及びアンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ２工程）においては、アンダーフィル材６となる樹脂に流動性を持たせるため流動可能な温度（流動可能温度という）まで加熱する必要がある。従来では、基板２を加熱する処理は、基板２が基板ステージ１６（図３参照）に装着された後に行われていた。このため、アンダーフィル材６の塗布開始直後においては基板２は流動可能温度に達しておらず、アンダーフィル材６の適正な塗布処理を行うことができなかった。
【０１００】
これに対して本実施例では、２枚目の基板２が搬送チャンバ３１Ａ内に待機しているＢ２工程においてから加熱処理が行われるため、後述するアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ２工程）の開始時においては確実に流動可能温度まで加熱することができる（図１９の第２の基板温度変化の欄参照）。
【０１０１】
１枚目の基板２に対する塗布工程が終了すると共に搬送チャンバ３１Ａ内が所定の低圧環境下となると、コントローラ３４により移送扉４３が開かれ、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは移送用開口４４ａにより連通した状態となる。しかしながら、搬送チャンバ３１Ａは減圧されて低圧環境となっているため、各チャンバ３１Ａ，３１Ｂが連通しても塗布チャンバ３１Ｂ内の気圧が昇圧するようなことはない。
【０１０２】
上記のように各チャンバ３１Ａ，３１Ｂが連通されると、直交ロボット３３はアンダーフィル材６が塗布された１枚目の基板２を保持した基板ステージ３６を移送用開口４４ａを介して搬送チャンバ３１Ａに移送する。そして、直交ロボット３３は、基板ステージ３６を基板搬送ステージ３７と基板搬送ステージ３８との空間部に位置決めする（Ｆ１工程）。
【０１０３】
続いて、前記した基板搬送ユニット３５の基板移動装置４５が起動し、基板ステージ３６に保持されていた１枚目の基板２を基板搬送ステージ３８に搬送する。これにより、１枚目の基板２は基板搬送ステージ３８に保持された状態となる。
【０１０４】
一方、１枚目の基板２が基板搬送ステージ３８に搬送され、基板ステージ３６に基板が未装着状態となると、次にコントローラ３４は基板移動装置４５を駆動して基板搬送ステージ３７に保持されていた２枚目の基板２を基板ステージ３６に搬送する。この際、コントローラ３４はＣ２工程に先立ち、基板搬送ステージ３７のエアシリンダ６１を駆動し、ホットプレート６３を予め下降させている。
【０１０５】
２枚目の基板２が基板ステージ３６に保持されると、コントローラ３４は直交ロボット３３を駆動して基板ステージ３６を再び塗布チャンバ３１Ｂ内に移動させると共に移送扉４３を閉じる（Ｃ２工程）。これにより、再び搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは気密に画成された状態となる。この状態で、塗布ノズル３２及び直交ロボット３３が駆動し、２枚目の基板２と、これに実装されているチップ３（図示せず）との間にアンダーフィル材６を塗布する（Ｄ２工程）。
【０１０６】
このＤ２工程を実施する際、２枚目の基板２は基板ステージ３６に保持される。この際も、コントローラ３４はエアシリンダ６１を駆動して基板ステージ３６のホットプレート６３を上昇させ、２枚目の基板２に当接させる。よって、２枚目の基板２はホットプレート６３を介してヒータ６４により加熱され前記の流動可能温度を維持するため、塗布ノズル３２から吐出されたアンダーフィル材６に塗布開始直後から流動性を持たせることができ、良好な塗布処理を行うことができる。
【０１０７】
上記のように塗布チャンバ３１Ｂにおいて２枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ２工程）が開始されると、コントローラ３４によりバルブ４２Ａが開かれ搬送チャンバ３１Ａでは昇圧処理が開始される。これにより、搬送チャンバ３１Ａは、内部が大気圧となるよう気圧調整がされる（請求項に記載の第２気圧調整工程に相当する）。
【０１０８】
搬送チャンバ３１Ａ内の気圧が昇圧して大気圧となると、前記したように基板２に塗布されたアンダーフィル材６に発生したボイド７はその体積がマイグレーションが発生しない程度の大きさまで小さくなる。
【０１０９】
尚、この昇圧処理が実施されている間、アンダーフィル材６の塗布が終了した１枚目の基板２は、基板搬送ステージ３８に保持された状態を維持する（Ｇ１工程）。この際、ホットプレート６３は下降した状態を維持しており、よって２枚目の基板２がヒータ６４により加熱されることはない。
【０１１０】
上記のように搬送チャンバ３１Ａ内の気圧が大気圧となると、コントローラ３４は排出扉４１を開蓋すると共に基板移動装置４５を駆動して基板搬送ステージ３８に保持されていた１枚目の基板２を搬出開口８５を介して搬送チャンバ３１Ａの外部に搬出する（Ｈ１工程）。
【０１１１】
上記のように本実施例では、(A)塗布チャンバ３１Ｂ内においてアンダーフィル材６の塗布処理が終了した１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａの基板搬送ステージ３８に移送する処理、及び(B)搬送チャンバ３１Ａの基板搬送ステージ３７に保持されていた２枚目の基板２を塗布チャンバ３１Ｂ内に移送する処理は、共に低圧環境下とされた各チャンバ３１Ａ，３１Ｂを移送扉４３を開くことにより移送用開口４４ａで連通して行う。よって、上記の(A)及び(B)の処理を連続的に行うことができ、(A)及び(B)の処理の間に減圧チャンバ１１の昇圧及び減圧処理を必要とした従来の塗布方法に比べ、タクトタイムの短縮を図ることができる。
【０１１２】
また、２枚目の基板２を塗布チャンバ３１Ｂに移送するために行う搬送チャンバ３１Ａの減圧処理は、塗布チャンバ３１Ｂ内において１枚目の基板２に対して塗布工程（Ｄ１，Ｅ１工程）が行われている間に実施される。また、塗布処理が終了した１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａから外部に搬出するために行う搬送チャンバ３１Ａの昇圧処理も、塗布チャンバ３１Ｂ内において２枚目の基板２に対して塗布工程（Ｄ２工程）が行われている間に実施される。
【０１１３】
このように本実施例では、搬送チャンバ３１Ａ内の気圧調整処理（減圧及び昇圧処理）を塗布チャンバ３１Ｂにおける基板処理と分離して平行して行うことができる。このため、従来のように樹脂塗布装置１０内に一つの減圧チャンバ１１しか有しない構成に比べ、気圧調整処理に要する時間を短縮でき、これによってもタクトタイムの短縮を図ることができる。
【０１１４】
一方、上記のように塗布処理が終了した１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａから搬出した状態では、搬送チャンバ３１Ａは大気圧環境下となっており、また基板搬送ステージ３７は基板２を保持していない状態となっている。よって、１枚目の基板２の搬送チャンバ３１Ａから搬出工程（Ｈ１工程）が終了した後、コントローラ３４は基板搬送ステージ３７に対して、前記した２枚目の基板２の次に処理を行う３枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａ内に搬入する処理を実施する（Ａ３工程）。
【０１１５】
この３枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａ内への搬入する工程（Ａ３工程）では、先ずコントローラ３４により搬入扉４０が開かれ、続いて樹脂塗布装置３０の外部に配設された搬送用ロボット（図示せず）により、基板２が搬入開口８４を介して基板搬送ステージ３７に装着される。この装着処理が終了すると、搬入扉４０は閉じられ搬送チャンバ３１Ａは再び気密状態となる。
【０１１６】
この３枚目の基板２の搬入処理は、２枚目の基板２に対する広義の塗布工程内（塗布工程（Ｄ２工程）或いは浸透待ち工程（Ｅ２）の間）に行われる。上記した１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａから搬出する工程と、３枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａ内に搬入する工程は、請求項に記載の第２移動工程に相当する。尚、本実施例では、３枚目の基板２の搬送チャンバ３１Ａへの搬入は、２枚目の基板２に対するアンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ２工程）において行っている。
【０１１７】
上記のように搬送チャンバ３１Ａ内に３枚目の基板２が搬入されると、コントローラ３４はバルブ４２Ａを閉じると共に、真空ポンプ３９Ａを起動させる。これにより、搬送チャンバ３１Ａに対する減圧処理が開始され、搬送チャンバ３１Ａ内の気圧は大気圧から前記した低圧となるよう調整される（第１気圧調整工程）。この減圧処理は、２枚目の基板２に対する浸透待ち工程（Ｅ１工程；広義の塗布工程）が完了するまでに所定の低圧となるよう実施される。
【０１１８】
この際、３枚目の基板２は、搬送チャンバ３１Ａが低圧となるまで塗布チャンバ３１Ｂに移送されることはなく、搬送チャンバ３１Ａ内に待機する（Ｂ３工程）。この搬入待機時において、コントローラ３４は基板搬送ステージ３７に設けられたホットプレート６３を上昇させ、ヒータ６４及びホットプレート６３により３枚目の基板２を加熱する。これにより、前記した２枚目の基板２と同様に、塗布工程（Ｄ３工程）の開始時において３枚目の基板２は既に流動可能温度に達しており、よって塗布処理開始直後よりアンダーフィル材６の適正な塗布処理を行うことができる。
【０１１９】
１枚目の基板２に対する塗布工程が終了すると共に搬送チャンバ３１Ａ内が所定の低圧環境下となると、コントローラ３４により移送扉４３が開かれ、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは移送用開口４４ａにより連通される。続いて直交ロボット３３はアンダーフィル材６が塗布された第２の基板２を保持した基板ステージ３６を搬送チャンバ３１Ａ内に移送し、基板搬送ステージ３７と基板搬送ステージ３８との空間部に位置決めする（Ｆ２工程）。
【０１２０】
続いて、コントローラ３４により基板移動装置４５が起動され、基板ステージ３６に保持されていた２枚目の基板２を基板搬送ステージ３８に搬送する。これにより、２枚目の基板２は基板搬送ステージ３８に保持された状態となる。
【０１２１】
一方、２枚目の基板２が基板搬送ステージ３８に搬送され、基板ステージ３６が基板未装着状態となると、次にコントローラ３４は基板移動装置４５を駆動して基板搬送ステージ３７に保持されていた３枚目の基板２を基板ステージ３６に搬送する。２枚目の基板２が基板ステージ３６に保持されると、コントローラ３４は直交ロボット３３を駆動して基板ステージ３６を再び塗布チャンバ３１Ｂ内に移動させると共に移送扉４３を閉じる（Ｃ３工程）。
これにより、再び搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは気密に画成された状態となる。この状態で、塗布ノズル３２及び直交ロボット３３が駆動し、３枚目の基板２と、これに実装されているチップ３（図示せず）との間にアンダーフィル材６を塗布する（Ｄ３工程）。
【０１２２】
このＤ３工程を実施する際、３枚目の基板２は基板ステージ３６に保持される。この際も、コントローラ３４はエアシリンダ６１を駆動して基板ステージ３６のホットプレート６３を上昇させ、３枚目の基板２に当接させる。よって、３枚目の基板２も、前記した２杯目の基板２と同様に流動可能温度を維持し、アンダーフィル材６の塗布開始直後から確実に塗布処理を実施することができる。
【０１２３】
上記のように塗布チャンバ３１Ｂにおいて３枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ３工程）が開始されると、コントローラ３４によりバルブ４２Ａが開かれ搬送チャンバ３１Ａでは昇圧処理が開始される。これにより、搬送チャンバ３１Ａは、内部が大気圧となるよう気圧調整がされる（第２気圧調整工程）。また、この昇圧処理が実施されている間、アンダーフィル材６の塗布が終了した２枚目の基板２は、基板搬送ステージ３８に保持された状態を維持する（Ｇ２工程）。
【０１２４】
搬送チャンバ３１Ａ内の気圧が昇圧して大気圧となる、前記したようにアンダーフィル材６に発生したボイド７は、その体積がマイグレーションが発生しない程度の大きさまで小さくなる。また、搬送チャンバ３１Ａ内の気圧が大気圧となると、コントローラ３４は排出扉４１を開蓋すると共に基板移動装置４５を駆動して基板搬送ステージ３８に保持されていた２枚目の基板２を搬出開口８５を介して搬送チャンバ３１Ａの外部に搬出する（Ｈ２工程）。
【０１２５】
上記のように２枚目の基板２においても、(A)塗布チャンバ３１Ｂ内においてアンダーフィル材６の塗布処理が終了した２枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａの基板搬送ステージ３８に移送する処理、及び(B)搬送チャンバ３１Ａの基板搬送ステージ３７に保持されていた３枚目の基板２を塗布チャンバ３１Ｂ内に移送する処理は、共に低圧とされたチャンバ３１Ａ，３１Ｂ間で行われる。よって、(A)及び(B)の処理を連続的に行うことができ、タクトタイムの短縮を図ることができる。
【０１２６】
また本実施例に係る塗布方法では、２枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ２工程）及び浸透待ち工程（Ｅ２工程）を行っている間に、即ち２枚目の基板２に対して広義の塗布工程が終了する前に、(C)１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａから搬出するための昇圧工程と、及び(D)３枚目の基板２を塗布チャンバ３１Ｂに搬入するための減圧工程との二つの工程を実施している。これにより、従来に比べて同数の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布を行う場合、必要とされる昇圧工程及び減圧工程の実施数を少なくすることができ、これによってもタクトタイムの短縮を図ることができる。
【０１２７】
更に、本実施例ではチャンバを搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂとに分離したため、搬送チャンバ３１Ａの容積を従来の減圧チャンバ１１（図３参照）に比べて小さくすることかできる。よって、同一出力を有した真空ポンプ３９Ａを用いた場合、昇圧工程及び減圧工程に要する時間を従来に比べて短くすることができ、これによってもタクトタイムの短縮を図ることができる。
【０１２８】
図２０は、図５に示した樹脂塗布装置３０の変形例である樹脂塗布装置８０を示している。尚、図２０において、図５に示した構成と対応する構成については同一符号を付し、その説明を省略する。
【０１２９】
図５に示した樹脂塗布装置３０では、搬送チャンバ３１Ａを減圧する真空ポンプ３９Ａと、塗布チャンバ３１Ｂを減圧する真空ポンプ３９Ｂを別箇に設けた構成としていた。これに対して本変形例に係る樹脂塗布装置８０は、一台の真空ポンプ３９で搬送チャンバ３１Ａ及び塗布チャンバ３１Ｂの双方のチャンバを減圧処理できるようにしたものである。
【０１３０】
真空ポンプ３９は、切替バルブ８１を経由して各チャンバ３１Ａ，３１Ｂに接続されている。具体的には、切替バルブ８１は真空配管８２を介して搬送チャンバ３１Ａに接続されると共に、真空配管８３を介して塗布チャンバ３１Ｂに接続されている。また、切替バルブ８１は、コントローラ３４に接続されている。よって、コントローラ３４により切替バルブ８１が制御されることにより、真空ポンプ３９と各チャンバ３１Ａ，３１Ｂとの接続状態は切替られる。
【０１３１】
上記のように本変形例では、形状の大なる真空ポンプ３９を１台のみ設けることで各チャンバ３１Ａ，３１Ｂ内の気圧調整を行うため、樹脂塗布装置８０の小型化を図ることができる。また、切替バルブ８１を用いて搬送チャンバ３１Ａに対する減圧処理を行うため、予め基板搬送ステージ３８を起動させた状態で減圧処理の切り替えができる。よって、減圧処理の開始時に真空ポンプ３９Ａを起動する構成に比べ、応答性を高めることができる。
【０１３２】
また上記した実施例では、樹脂塗布装置３０（８０）によりアンダーフィル材６を塗布する対象として、図１（Ａ）に示したように、基板２にチップ３をフリップチップにより実装し、この基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６を塗布する構成のものを例に挙げて説明した。しかしながら、本発明の適用はこれに限定されるものではなく、基板に半導体素子を実装し、この半導体素子に樹脂を塗布する場合にも適用することができる。
【０１３３】
図２１は、基板９２上にチップ９３（半導体素子）を実装した半導体装置９０を示している。チップ９３と基板９２は、バンプ９４が電極パッド９９に接続することにより電気的に接続されている。また、半導体装置９０は、チップ９３の上部に樹脂９５が配設されており、ヒートシンク９８が樹脂９５によりチップ９３に固定されている。この樹脂９５は、樹脂塗布装置３０（８０）を用いて上記した塗布方法を用いて塗布される。このように、ヒートシンク９８とチップ９３との間に樹脂９５を塗布（充填）する場合においても、本実施例に係る樹脂塗布装置３０（８０）及び塗布方法を適用することができる。
【０１３４】
尚、図２１に示す半導体装置９０は、基板９２とチップ９３との間にアンダーフィル材９６が塗布（充填）されている。このアンダーフィル材９６の塗布についても、本実施例に係る樹脂塗布装置３０（８０）を適用することができる。
【０１３５】
また、本発明の適用は半導体素子を基板に実装する構造のみに限定されるものではなく、半導体素子以外の電子部品についても広く適用が可能なものである。具体的には、アンテナ、センサー、及びスイッチ等の電子部品を樹脂で被覆するような場合においても、本実施例に係る樹脂塗布装置３０（８０）を適用することができる。この際、使用する基板２は特に限定されるものではなく、プリント板、セラミック基板、フレキシブル基板等の種々の基板の適用が可能である。
【０１３６】
更に、本発明の適用は、基板に実装される電子部品及び半導体素子（チップ）の数は単数に限定されるものではなく、複数設けた場合においても適用できることは勿論である。
【０１３７】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。
【０１３８】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
第１気圧下の塗布室内で、第１の電子部品に対して樹脂を塗布する塗布工程と、
気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する第１気圧調整工程と
前記塗布工程完了後、前記第２の電子部品を前記塗布室へ移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室へ移動させる第１移動工程とを有することを特徴とする樹脂塗布方法。
（付記２）
前記第２の電子部品に対する前記塗布工程中に、前記気圧調節室内を第２気圧下に調節する第２気圧調整工程と、
前記第２の電子部品に対する前記塗布工程中に、前記気圧調節室内に第３の電子部品を移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室外に移動させる第２移動工程とを有することを特徴とする付記１記載の樹脂塗布方法。
（付記３）
前記第１気圧調整工程において、前記第２の電子部品を加熱することを特徴とする付記１または２記載の樹脂塗布方法。
（付記４）
前記第１の電子部品、前記第２の電子部品及び前記第３の電子部品は、少なくとも一つの電子部品をプリント板に実装した基板ユニットであり、
前記樹脂は、前記電子部品に対して塗布されることを特徴とする付記１乃至３のいずれか一項に記載の樹脂塗布方法。
（付記５）
前記第１の電子部品、前記第２の電子部品及び前記第３の電子部品は、少なくとも一つの半導体素子を基板に実装した半導体部品であり、
前記樹脂は、前記半導体素子に塗布されることを特徴とする付記１乃至３のいずれか一項に記載の樹脂塗布方法。
（付記６）
第１気圧調整工程及び第２気圧調整工程において、
前記気圧調節室の気圧を制御するポンプは、切り替えバルブを経由して塗布室の気圧を制御することを特徴とする付記１乃至５のいずれか一項に記載の樹脂塗布方法。
（付記７）
前記第１の電子部品、前記第２の電子部品及び前記第３の電子部品は、少なくとも一つの半導体素子を基板に実装した半導体部品であり、
前記樹脂は、前記半導体素子と基板間に塗布されることを特徴とする付記１乃至３のいずれか一項に記載の樹脂塗布方法。
（付記８）
第１気圧下において電子部品に対して樹脂を塗布する塗布室と、
前記電子部品を格納し、前記塗布室に前記電子部品を供給し、かつ第２気圧下から前記第１気圧へ気圧を調整する気圧調節室と、
前記塗布室内で第１の電子部品に対して樹脂を塗布する際に、前記気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する制御部とを有する樹脂塗布装置。
（付記９）
前記制御部は、前記第１の電子部品に対する塗布が完了後、前記第１の電子部品を前記気圧調節室内に移動させ、前記第２の電子部品を塗布室に移動後、前記第２の電子部品に対する塗布を行い、前記第２の電子部品に対する塗布が完了する前に、前記気圧調節室内を第２気圧下に調節し、前記気圧調節室内に第３の電子部品を移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室外に移動させることを特徴とする付記８記載の樹脂塗布装置。
（付記１０）
前記気圧調節室内に前記電子部品を加熱する加熱装置とを有することを特徴とする付記８または９記載の樹脂塗布装置。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】図１は、半導体装置のアンダーフィル材に発生するボイドを説明するための図である。
【図２】図２は、ボイドの発生を抑制しうるアンダーフィル材の塗布方法を説明するための図である。
【図３】図３は、従来の一例である樹脂塗布装置を示す構成図である。
【図４】図４は、従来の一例である樹脂塗布装置のアンダーフィル材の塗布工程を示すタイミングチャートである。
【図５】図５は、本発明の一実施例である樹脂塗布装置の構成図である。
【図６】図６は、図５におけるＡ−Ａ線に沿う断面図であり、基板ステージが搬送チャンバ内に位置した状態を示す図である。
【図７】図７は、図５におけるＡ−Ａ線に沿う断面図であり、塗布チャンバと搬送チャンバが移送扉により隔離された状態を示す図である。
【図８】図８は、ホットプレートが上昇した基板ステージ、基板搬送ステージを示す図であり、（Ａ）はホットプレートを取り外した状態の平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は右側面図である。
【図９】図９は、ホットプレートが下降した基板ステージ、基板搬送ステージを示す図であり、（Ａ）はホットプレートを取り外した状態の平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は右側面図である。
【図１０】図１０は、ホットプレートが取り付けられた状態の基板ステージ、基板搬送ステージの平面図である。
【図１１】図１１（Ａ）は基板搬送ユニットの平面図であり、図１１（Ｂ）は基板移動装置の正面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は待機状態にある基板搬送ユニットの右側面図であり、図１２（Ｂ）は搬送状態にある基板搬送ユニットの右側面図である。
【図１３】図１３は基板の搬送処理を説明するための図（その１）であり、（Ａ）は基板移動装置の正面図、（Ｂ）は基板搬送ユニットの平面図である。
【図１４】図１４は基板の搬送処理を説明するための図（その２）であり、（Ａ）は基板移動装置の正面図、（Ｂ）は基板搬送ユニットの平面図である。
【図１５】図１５は基板の搬送処理を説明するための図（その３）であり、（Ａ）は基板移動装置の正面図、（Ｂ）は基板搬送ユニットの平面図である。
【図１６】図１６は基板の搬送処理を説明するための図（その４）であり、（Ａ）は基板移動装置の正面図、（Ｂ）は基板搬送ユニットの平面図である。
【図１７】図１７は基板の搬送処理を説明するための図（その５）であり、基板移動装置の正面図である。
【図１８】図１８は基板の搬送処理を説明するための図（その６）であり、基板移動装置の正面図である。
【図１９】図１９は、本発明の一実施例である樹脂塗布装置のアンダーフィル材の塗布工程を示すタイミングチャートである。
【図２０】図２０は、図１に示した樹脂塗布装置の変形例である樹脂塗布装置を示す構成図である。
【図２１】図２１は、本発明を適用できる他の半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
【０１４０】
１，９０ 半導体装置
２．９２ 基板
３，９３ チップ
４，９４ バンプ
５ 接合材
６ アンダーフィル材
７ ボイド
８ 吸着アーム
９，９９ 電極パッド
３０，８０ 樹脂塗布装置
３１Ａ 搬送チャンバ
３１Ｂ 塗布チャンバ
３２ 塗布ノズル
３３ 直交ロボット
３４ コントローラ
３５ 基板搬送ユニット
３６ 基板ステージ
３７，３８ 基板搬送ステージ
３９，３９Ａ，３９Ｂ 真空ポンプ
４０ 搬入扉
４１ 排出扉
４２Ａ，４２Ｂ バルブ
４３ 移送扉
４５ 基板移動装置
４６ Ｘ方向モータ
４７ Ｘ方向移動ステージ
４８ Ｙ方向モータ
４９ Ｙ方向移動ステージ
５０ 扉開閉モータ
５３ ガイドロッド
５４ 昇降フレーム
５５ ガイドレール
５６ ガイド押さえ
５７ ローラ
５８ 板カム
５８ａ 傾斜カム部
５９ リニアガイド
６０ 係合部
６１ エアシリンダ
６１ａ シリンダシャフト
６２ サイドアーム
６３ ホットプレート
６４ ヒータ
６５ 単軸ロボット
６６ 第１アーム
６７ 第２アーム
６８ 第３アーム
６９ 第１送りピン
７０ 第２送りピン
７１ 第３送りピン
７２ 搬送モータ
７４，７５，７６ エアシリンダ
７７ ベース
８１ 切り替えバルブ
８２，８３ 真空配管
９５ 第１のアンダーフィル材
９６ 第２のアンダーフィル材
９８ ヒートシンク
【技術分野】
【０００１】
本発明は樹脂塗布方法及び樹脂塗布装置に係り、特に樹脂内にボイドの発生を抑制しうる樹脂塗布方法及び樹脂塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、フリップチップにより半導体チッブを基板に実装する場合、バンプと電極との接合力のみでは十分な強度が得られない場合があり、よって半導体チップと基板との間にアンダーフィル材を充填して信頼性を高めることが行われている。図１（Ａ）は、フリップチップにより半導体素子３（以下、単にチップという）を基板２に実装した半導体装置１を示している。尚、図１には基板２に対して一つのチップ３のみが実装された例を示しているが、基板２に対して複数のチップ３が実装されるものについても以下説明する事項は同様である。
【０００３】
チップ３はバンプ４が設けられており、このバンプ４を接合材５により基板２の電極パッド９に接合することにより、チップ３は基板２に実装されている。また、バンプ４と電極パッド９との接続信頼性を高めるため、基板２とチップ３との間に電極パッド９が充填されている。
【０００４】
一方、近年の半導体チップ３の高密度化により、バンプ間ピッチ（接続ピッチ）Ｐの微細化に伴い、アンダーフィル材９内のボイド７の発生が問題となっている。図１（Ｂ）は、バンプ間にボイド７が発生した状態を示している。このように、一対のバンプ４間にボイド７が発生すると、このボイド７はマイグレーションの原因となり、フィールドでの障害となる。
【０００５】
このアンダーフィル材６内におけるバンプ間ボイド７の発生を抑制する方法として、低圧環境下で基板２とチップ３の間にアンダーフィル材６を塗布する方法が提案されている（特許文献１参照）。これについて、図２及び図３を用いて説明する。
【０００６】
図２はアンダーフィル材６を塗布する工程を示しており、図３はアンダーフィル材６を塗布するための樹脂塗布装置１０を示している。先ず、図２を用いて、低圧環境下でアンダーフィル材６を塗布することにより、ボイド７の発生を抑制できる理由について説明する。
【０００７】
図２に示すように、チップ３を基板２に実装するには、先ず吸着アーム８を用いてチップ３を基板２に仮固定する。具体的には、予め電極パッド９に接合材５を塗布しておき、この接合材５を用いてバンプ４を電極パッド９に仮接着する。この際、基板２の中央位置にアンダーフィル材６を配設しておいてもよい。
【０００８】
続いて、チップ３を仮固定した基板２を減圧チャンバ１１内に装着し、続いて減圧チャンバ１１を減圧する。その上で、塗布ノズル１２を用いてチップ３の外周よりアンダーフィル材６を基板２とチップ３との間に充填する。この際、基板２の中央位置にアンダーフィル材６を配設しておくことにより、ある程度ボイド７の発生は抑制される。しかしながら、図２に示すようにボイド７が発生してしまうことは経験的に知られている。
【０００９】
しかしながら、低圧環境下において基板２とチップ３との間にボイド７が発生しても、この半導体装置１を減圧チャンバ１１から取り出し大気圧に戻すと、環境の気圧が上昇することによりボイド７の体積は小さくなる。これによりボイド７は微小化し、よってマイグレーションが発生を有効に抑制することができる。
【００１０】
図３は、上記のようにアンダーフィル材６の塗布処理を低圧環境下で行う際に用いられる樹脂塗布装置１０を示している。この樹脂塗布装置１０は、大略すると減圧チャンバ１１、塗布ノズル１２、直交ロボット１３、コントローラ１４、基板ステージ１６、基板搬送ステージ１７，１８、及び真空ポンプ１９等を有している。
【００１１】
減圧チャンバ１１は、バルブ２２を閉じた状態で真空ポンプ１９が駆動させることにより減圧される。これにより、減圧チャンバ１１内は、低圧環境とされる。また、バルブ２２を開くことにより、減圧チャンバ１１内は大気圧に戻される。
【００１２】
この減圧チャンバ１１には、搬入扉２０及び排出扉２１が設けられている。基板２は搬入扉２０を開くことにより減圧チャンバ１１内に搬入され、またアンダーフィル材６の塗布処理か終了すると、排出扉２１を開いて基板２を減圧チャンバ１１から搬出される。
【００１３】
塗布ノズル１２は、基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６を塗布するノズルである。この塗布ノズル１２は、減圧チャンバ１１に固定されている。ステージ１６〜１８は、減圧チャンバ１１内に配設されている。このステージ１６〜１８は、基板２を保持する機能と、基板２を図中矢印Ｘ方向に移動させる機能を有している。基板ステージ１６は直交ロボット１３に配設され、また基板搬送ステージ１７，１８は減圧チャンバ１１の床面に固定されている。
【００１４】
直交ロボット１３は、基板ステージ１６を二次元的に移動させる。この直交ロボット１３は、コントローラ１４により制御される。直交ロボット１３により基板ステージ１６が各基板搬送ステージ１７，１８と直線状に対向する位置まで移動すると、この状態で基板ステージ１６と各基板搬送ステージ１７，１８との間で基板２の搬送が行われる。
【００１５】
基板２が基板ステージ１６に装着された状態で、減圧チャンバ１１は減圧されて低圧環境とされている。この検圧環境下において、アンダーフィル材６を吐出しつつ塗布ノズル１２が相対的に基板２に配設されたチップ３（図３には図示せず）の外周を移動することにより、基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６が充填される。
【００１６】
図４は、樹脂塗布装置１０を用いて行われるアンダーフィル材６を塗布（充填）する際に行われる各工程を示している。同図では、上欄に減圧チャンバ１１内で行われる各工程（Ａ〜Ｇで示す工程）を示し、下欄に減圧チャンバ１１内の気圧変化を示している。尚、チャンバ内処理の欄に実線で示すのは１枚目の基板２の工程であり、破線で示すのは２枚目の基板２の工程である。また、以下の説明において、基板２には既にチップ３が実装されているものとする。
【００１７】
１枚目の基板２に対する塗布処理が開始されると、先ず搬入扉２０が開かれて基板２が減圧チャンバ１１内に搬入される（Ａ工程）。この際、減圧チャンバ１１内は大気圧とされている。
【００１８】
基板２は減圧チャンバ１１内に搬入されると、基板搬送ステージ１７に保持される。排出扉２１が搬送チャンバ３１Ａに搬入されると、真空ポンプ１９が駆動されて減圧チャンバ１１は減圧される（Ｂ工程）。減圧チャンバ１１内が減圧されると、基板２は基板搬送ステージ１７から直交ロボット１３上の基板ステージ１６に搬送される（Ｃ工程）。
【００１９】
基板２が基板ステージ１６に搬送されると、塗布ノズル１２及び直交ロボット１３が起動し、基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６が塗布される（Ｄ工程）。このアンダーフィル材６の塗布処理は、前記したようにボイド７の影響を抑えるため、所定の低圧環境下で行われる。
【００２０】
基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６が塗布されると、続いて塗布されたアンダーフィル材６が基板２とチップ３との離間部分に浸透するのを待つ（固定Ｅ）。アンダーフィル材６は、毛細管現象により基板２とチップ３との微細な間隙内に浸透する。このアンダーフィル材６の浸透には、所定の時間（例えば、150秒）を要する。このアンダーフィル材６の浸透処理は、アンダーフィル材６の塗布処理と同様に、低圧環境下で行われる。
【００２１】
上記のようにしてアンダーフィル材６の塗布及び浸透処理が終了すると、真空ポンプ１９が停止されると共にバルブ２２が開かれ、搬送チャンバ３１Ａ内の昇圧が行われる（Ｆ工程）。この昇圧過程において、前記したようにアンダーフィル材６に発生したボイド７は体積が小さくなる。
【００２２】
搬送チャンバ３１Ａが大気圧となると、基板２は基板ステージ１６から基板搬送ステージ１８に移動される。そして、排出扉２１が開かれ、基板２は基板搬送ステージ１８から減圧チャンバ１１の外部に搬出される（Ｇ工程）。
【００２３】
このように基板２が減圧チャンバ１１から搬出されると同時に、搬入扉２０が開かれて次に処理される基板２（アンダーフィル材６が塗布されてない基板）が減圧チャンバ１１内に搬入される（Ａ工程）。続いて、この次に処理される基板２について、上記したＡ〜Ｇの各工程が実施され、これに伴い減圧チャンバ１１に対して減圧及び昇圧処理が行われる。
【特許文献１】特許第３５５８９０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
しかしながら、従来のアンダーフィル材６の塗布方法及びこれに用いる樹脂塗布装置１０では、一つの減圧チャンバ１１内で基板２の減圧チャンバ１１内への搬入出処理及びアンダーフィル材６の塗布及び浸透処理を行っていた。このため、基板２減圧チャンバ１１内への搬入出処理時には大きな容積を有する減圧チャンバ１１を大気圧とし、また塗布及び浸透処理時には大きな容積を有する減圧チャンバ１１を減圧する必要が生じる。よって、塗布時間以外に長い減圧及び昇圧時間が発生し、タクトタイムが伸びてしまいアンダーフィル材６の塗布処理の効率が低下するという問題点があった。
【００２５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板に樹脂を塗布するのに要する時間短縮を図りうる樹脂塗布方法及び樹脂塗布装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、第１気圧下の塗布室内で、第１の電子部品に対して樹脂を塗布する塗布工程と、気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する第１気圧調整工程と前記塗布工程完了後、前記第２の電子部品を前記塗布室へ移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室へ移動させる第１移動工程とを有することを特徴とする樹脂塗布方法により解決することができる。
【００２７】
また上記の課題は、本発明の他の観点からは、第１気圧下において電子部品に対して樹脂を塗布する塗布室と、前記電子部品を格納し、前記塗布室に前記電子部品を供給し、かつ第２気圧下から前記第１気圧へ気圧を調整する気圧調節室と、前記塗布室内で第１の電子部品に対して樹脂を塗布する際に、前記気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する制御部とを有する樹脂塗布装置により解決することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、樹脂内にボイドが発生することを抑制しつつ、樹脂の塗布に要する時間の短縮を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００３０】
図５は、本発明の一実施例である樹脂塗布装置３０を示す構成図である。この樹脂塗布装置３０は、半導体装置１（図１（Ａ）参照）の製造工程において、基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６を塗布（充填）する処理を行うものである。この樹脂塗布装置３０は、大略すると搬送チャンバ３１Ａ（請求項に記載の気圧調整室に相当する）、塗布チャンバ３１Ｂ（請求項に記載の塗布室に相当する）、塗布ノズル３２、直交ロボット３３、コントローラ３４（請求項に記載の制御部に相当する）、及び基板搬送ユニット３５等を有している。
【００３１】
樹脂塗布装置３０は、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂの二つのチャンバを有している。この搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは一体的に形成されているが、隔壁４４により画成されている。この隔壁４４には移送扉４３により開閉される移送開口４４ａが形成されている。
【００３２】
移送扉４３は、扉開閉モータ５０（図６，図７参照）により開閉する。移送扉４３が開蓋することにより、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは連通する。また、移送扉４３が閉蓋することにより、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは気密に画成される。
【００３３】
よって、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは、その内部気圧をそれぞれ異なる気圧に設定することが可能な構成となっている。また、扉開閉モータ５０はコントローラ３４に接続されており、よって移送扉４３の開閉はコントローラ３４により制御される。
【００３４】
搬送チャンバ３１Ａは、図中矢印Ｘ２方向側の壁部に搬入開口８４が形成され、また搬入開口８４と対向する図中矢印Ｘ１方向側の壁部に搬出開口８５が形成さている。搬入開口８４には搬入扉４０が設けられており、搬入扉４０が開蓋されることにより、基板２が搬入開口８４より搬送チャンバ３１Ａ内に搬入される。また、搬入扉４０が閉蓋されることにより、搬入開口８４は気密に封止される。
【００３５】
一方，搬出開口８５には排出扉４１が設けられており、排出扉４１が開蓋されることにより、後述する樹脂封止工程が終了しアンダーフィル材６が配設された基板２が搬送チャンバ３１Ａから搬出される。また、排出扉４１が閉蓋されることにより、搬出開口８５は気密に封止される。上記の搬入扉４０及び排出扉４１は、図示しない扉開閉モータにより開閉される。この扉開閉モータはコントローラ３４に接続されており、よって搬入扉４０及び排出扉４１は、コントローラ３４により開閉が制御される。
【００３６】
搬送チャンバ３１Ａは、真空ポンプ３９Ａ及びバルブ４２Ａを有している。バルブ４２Ａが閉じられた状態で真空ポンプ３９Ａが駆動することにより、搬送チャンバ３１Ａは減圧される。また、減圧状態においてバルブ４２Ａが開かれることにより、搬送チャンバ３１Ａは昇圧して大気圧とされる。
【００３７】
塗布チャンバ３１Ｂは、真空ポンプ３９Ｂ及びバルブ４２Ｂを有している。バルブ４２Ｂが閉じられた状態で真空ポンプ３９Ｂが駆動することにより、塗布チャンバ３１Ｂは減圧される。また、減圧状態においてバルブ４２Ｂが開かれることにより、塗布チャンバ３１Ｂは昇圧して大気圧とされる。
【００３８】
上記の真空ポンプ３９Ａ，３９Ｂは、コントローラ３４に接続されている。よって、搬送チャンバ３１Ａ及び塗布チャンバ３１Ｂ内の気圧は、コントローラ３４により制御される。
【００３９】
搬送チャンバ３１Ａ内には、基板搬送ユニット３５が設けられている。この基板搬送ユニット３５は、基板ステージ３６、基板搬送ステージ３７，３８、及び基板移動装置４５を有している。基板搬送ステージ３７は搬送チャンバ３１Ａの搬入開口８４の近傍位置に設けられており、基板搬送ステージ３８は搬送チャンバ３１Ａの搬出開口８５の近傍位置に設けられている。
【００４０】
この基板搬送ステージ３７と基板搬送ステージ３８との間で、移送用開口４４ａと対向する部分には、後述するように直交ロボット３３により基板ステージ３６が移動してくるため空間部が形成されている。更に、基板移動装置４５は、基板搬送ステージ３７，３８の図中矢印Ｙ２側の側部に、基板２の搬送方向（Ｘ１，Ｘ２方向）に沿って設けられている。
【００４１】
一方、塗布チャンバ３１Ｂ内には、塗布ノズル３２、直交ロボット３３、及び基板ステージ３６等が設けられている。塗布ノズル３２は塗布チャンバ３１Ｂの天板に固定されており、下端部（Ｚ２方向の端部）からアンダーフィル材６を吐出する構成とされている。この塗布ノズル３２は、上下方向（図中矢印Ｚ１，Ｚ２方向に）伸縮可能な構成とされている。塗布ノズル３２はコントローラ３４に接続されており、よって塗布ノズル３２の伸縮動作はコントローラ３４により制御される。
【００４２】
直交ロボット３３は、図６及び図７に示すように、Ｘ方向移動ステージ４７及びＹ方向モータ４８を有している。Ｘ方向移動ステージ４７はＸ方向モータ４６により駆動されるステージであり、その上部に配設されるＹ方向移動ステージ４９を矢印Ｘ１，Ｘ２に移動させるものである。また、Ｙ方向移動ステージ４９はＹ方向モータ４８により駆動されるステージであり、その上部に配設される基板ステージ３６を矢印Ｙ１，Ｙ２に移動させるものである。Ｘ方向モータ４６及びＹ方向モータ４８はコントローラ３４に接続されており、よって直交ロボット３３の駆動はコントローラ３４により制御される。
【００４３】
Ｙ方向移動ステージ４９には基台部５２が固定されており、この基台部５２の先端部（Ｙ２方向側の端部）には基板ステージ３６が取り付けられている。この基板ステージ３６及び搬送チャンバ３１Ａ内に配設される基板搬送ステージ３７，３８は、略同一構成とされている。このため、図８乃至図９を用いて各ステージ３６，３７，３８について一括的に説明する。尚、基板ステージ３６及び基板搬送ステージ３７，３８を総括的に示す場合、「ステージ３６，３７，３８」と示して説明するものとする。
【００４４】
図８はホットプレート６３が上昇した状態のステージ３６，３７，３８を示しており、図９はホットプレート６３が下降した状態のステージ３６，３７，３８を示している。ステージ３６，３７，３８は、大略すると基台部５１，５２、ガイドロッド５３、昇降フレーム５４、ガイドレール５５、ガイド押さえ５６、板カム５８、リニアガイド５９、及びエアシリンダ６１等により構成されている。
【００４５】
基台部５１は基板搬送ステージ３７，３８の基台となるものであり、基台部５２は基板ステージ３６の基台となるものである。基台部５１は、固定台７８に固定される。これにより、基板搬送ステージ３７，３８は搬送チャンバ３１Ａ内に固定される。また、基台部５２は、前記のように直交ロボット３３に配設される。これにより、基板ステージ３６は、直交ロボット３３により二次元的に移動可能（Ｘ，Ｙ方向に移動可能）な構成となっている。
【００４６】
また図６に示すように、移送扉４３が開かれた状態において、基板ステージ３６は直交ロボット３３により移送用開口４４ａを介して塗布チャンバ３１Ｂから搬送チャンバ３１Ａ内に移動可能な構成となっている。基板ステージ３６が搬送チャンバ３１Ａ内に移動した状態において、後述するように、基板搬送ステージ３７と基板ステージ３６との間及び基板ステージ３６と基板搬送ステージ３８との間で基板２を搬送する。
【００４７】
ガイドロッド５３は、基台部５１，５２に立設されている。本実施例では４本のガイドロッド５３が設けられており、基台部５１，５２の長辺（Ｘ１，Ｘ２方向に延在する辺）に沿って２本ずつ設けられている。この２本一対のガイドロッド５３には、それぞれ昇降フレーム５４が昇降可能に取り付けられる。この一対の昇降フレーム５４の対向する面（内側の面）には、ローラ５７及び係合部６０が設けられている。
【００４８】
ガイドレール５５及びガイド押さえ５６は、ガイドロッド５３の上端部に配設されている。このガイドレール５５とガイド押さえ５６は、図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向（基板２が搬送される方向）に長く延出した形状とされている。ガイドレール５５及びガイド押さえ５６は、図１０に示すように、基板搬送時において基板２の長辺側の両側縁と係合し、基板２の搬送に伴う移動を案内する。尚、図１０は、ステージ３６，３７，３８を平面視した要部構成図である。
【００４９】
ガイド押さえ５６はガイドレール５５の上部にこれと重なるように配設されており、基板２の搬送時においては基板２がガイドロッド５３から上方に離脱しないようガイドを行う。また、後述すように基板２にホットプレート６３は昇降動作（Ｚ１，Ｚ２方向に移動）を行うが、ホットプレート６３が上昇した際に基板２はガイド押さえ５６とホットプレート６３との間で挟持される。これにより、基板２はステージ３６，３７，３８に保持される。
【００５０】
また、ホットプレート６３はその下部にヒータ６４が設けられている。また、ホットプレート６３はガイド押さえ５６との間に基板２を挟持した状態で、基板２の略全面と接した状態となっている（図１０参照）。このため、基板２はホットプレート６３を介してヒータ６４により加熱される（基板２がヒータ６４により加熱される詳細については、後述するものとする）。
【００５１】
板カム５８は、基台部５１，５２上にその長手方向（矢印Ｘ１，Ｘ２方向）に移動可能に設けられている。具体的には、基台部５１，２の上面には矢印Ｘ１，Ｘ２方向に延在するリニアガイド５９が形成さけており、板カム５８に設けられた係合部６０はこのリニアガイド５９に移動可能に係合している（図８（Ｃ），図９（Ｃ）に詳しい）。よって、板カム５８は、リニアガイド５９に案内されてＸ１，Ｘ２方向に精度よく移動しうる。
【００５２】
板カム５８は、上端縁に二つの傾斜カム部５８ａが形成されている。この２つの傾斜カム部５８ａは同一構成であり、それぞれには昇降フレーム５４に設けられたローラ５７が係合している。この傾斜カム部５８ａは、基台部５１，５２の表面に対し、矢印Ｘ１方向に向かうに従い漸次高くなる傾斜面とされている（図８（Ｂ），図９（Ｂ）参照）。また、前記のように昇降フレーム５４はガイドロッド５３により上下方向に昇降可能な構成とされている。
【００５３】
よって、板カム５８が矢印Ｘ２方向に移動することにより、ローラ５７は傾斜カム部５８ａ上を転動し、これにより昇降フレーム５４は上昇（Ｚ１方向に移動）する。逆に、板カム５８が矢印Ｘ１方向に移動することにより、昇降フレーム５４は下降（Ｚ２方向に移動）する。また前記したように、ホットプレート６３は昇降フレーム５４に固定されている。よって、板カム５８が矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動するにより昇降フレーム５４が昇降動作すると、これに伴いホットプレート６３も昇降動作を行う。
【００５４】
エアシリンダ６１は、基台部５１，５２上の一対の板カム５８の間に挟まれた略中央位置に設けられている。このエアシリンダ６１のシリンダシャフト６１ａは、一対の板カム５８の間に配設されたサイドアーム６２に接続されている。
【００５５】
よって、エアシリンダ６１の駆動によりシリンダシャフト６１ａが伸縮することにより、サイドアーム６２は矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動付勢され、これにより一対の板カム５８が矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動する。このエアシリンダ６１はコントローラ３４に接続されており、よって板カム５８の移動及びこれに伴うホットプレート６３の昇降動作はコントローラ３４により制御される。
【００５６】
次に、主に図１１及び図１２を用いて、基板移動装置４５について説明する。この基板移動装置４５は、上記の各ステージ３６，３７，３８間で基板２を搬送する機能を奏するものである。
【００５７】
尚、図１１は基板搬送ユニット３５の全体構成を示す平面図及び正面図であり、直交ロボット３３（図１１では図示を省略）により基板ステージ３６が搬送チャンバ３１Ａ内に移動して、各ステージ３６，３７，３８がＸ１，Ｘ２方向に直線状に並んだ状態を示している。また、図１２は基板搬送ユニット３５を拡大して示す側面図である。
【００５８】
基板移動装置４５は、単軸ロボット６５、第１乃至第３アーム６６〜６８、第１乃至第３送りピン６９〜７１、エアシリンダ７４〜７６、及び移動台７９等を有している。
【００５９】
単軸ロボット６５は、搬送チャンバ３１Ａの床面に矢印Ｘ１，Ｘ２方向に長く延在した形状を有している。この単軸ロボット６５は、搬送モータ７２とボールネジ７３とを有している。ボールネジ７３は、搬送モータ７２が駆動することにより回転する。このボールネジ７３には移動台７９が係合しており、よってボールネジ７３が回転することにより移動台７９は図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動する。
【００６０】
この移動台７９の移動距離は、搬送モータ７２の回転量により決まる。また、搬送モータ７２はコントローラ３４に接続されており、よって搬送モータ７２の回転量はコントローラ３４により制御される。従って、移動台７９の移動は、コントローラ３４により制御される。
【００６１】
移動台７９の上面には、移動台７９のＸ２方向端部からＸ１方向に向け第１アーム６６、第２アーム６７、及び第３アーム６８が所定の距離離間して順に固定されている。この第１乃至第３アーム６６〜６８は、図１１（Ａ）に示すように、平面視でいずれも略Ｌ字形状を有している。この第１乃至第３アーム６６〜６８の移動台側の端部はエアシリンダ７４〜７６を介して移動台７９に固定されている。また、第１乃至第３アーム６６〜６８の移動台から離れた側の端部には第１乃至第３送りピン６９〜７１が配設されている。
【００６２】
尚、以下の説明において第１乃至第３アーム６６〜６８を総称する場合には単にアーム６６〜６８といい、第１乃至第３送りピン６９〜７１を総称する場合には送りピン６９〜７１というものとする。
【００６３】
エアシリンダ７４〜７６は、アーム６６〜６８を矢印Ｚ１，Ｚ２方向に移動（昇降動作）させるものである。具体的には、エアシリンダ７４は第１アーム６６を昇降動作させ、これにより第１アーム６６に設けられた第１送りピン６９も昇降動作する。また、エアシリンダ７５は第２アーム６７を昇降動作させ、これにより第２アーム６７に設けられた第２送りピン７０も昇降動作する。更に、エアシリンダ７５は第３アーム６８を昇降動作させ、これにより第３アーム６８に設けられた第３送りピン７１も昇降動作する。
【００６４】
ここで、第１乃至第３送りピン６９〜７１の動作について、図１２を用いて更に説明する。図１２は基板搬送ユニット３５の右側面を示す要部構成図である。
【００６５】
この図１２（Ａ），（Ｂ）に示されるステージ３６，３７，３８は、ホットプレート６３が下降した状態とされている。この状態において、基板２はガイドレール５５上に載置されており、またガイドレール５５とガイド押さえ５６との間に間隙が形成されている。よって、基板２は固定されておらず、Ｘ１，Ｘ２方向（図１２においては、紙面に対して垂直方向）に移動可能な状態となっている。
【００６６】
図１２（Ａ）は、エアシリンダ７４〜７６によりアーム６６〜６８が上昇した状態を示している。この上昇状態において、アーム６６〜６８に設けられた送りピン６９〜７１も上昇した状態となっている。この上昇状態において、送りピン６９〜７１は基板２から離間した状態となっている。従って、送りピン６９〜７１が上昇した状態において単軸ロボット６５が駆動して移動台７９が矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動したとしても、送りピン６９〜７１は基板２の上部で移動するため、基板２が移動することはない。
【００６７】
これに対して図１２（Ｂ）は、エアシリンダ７４〜７６によりアーム６６〜６８が下降した状態を示している。この下降状態において、アーム６６〜６８に設けられた送りピン６９〜７１も下降した状態となっている。この下降状態において、送りピン６９〜７１は基板２の矢印Ｘ２側の短辺と係合可能な状態となっている（図１１参照）。
【００６８】
従って、この下降状態において単軸ロボット６５を駆動して移動台７９が矢印Ｘ１方向に移動すると、送りピン６９〜７１は基板２と係合して基板２を矢印Ｘ１方向に移動付勢する。よって、送りピン６９〜７１の移動により基板２はステージ３６，３７，３８に案内されつつ矢印Ｘ１方向に移動する。この際、前記のように基板２の両側縁はガイドレール５５及びガイド押さえ５６に保持（ガイド）されており、また送りピン６９〜７１は基板２の短辺の略中央位置と係合する構成とされているため、基板２を安定して移動させることができる。
【００６９】
次に図１３乃至図１８を用い、基板２が搬送チャンバ３１Ａ内で搬送されるときの、上記構成とされた基板搬送ユニット３５の具体的な動作について説明する。
【００７０】
図１３乃至図１８は、基板搬送ユニット３５及び基板移動装置４５主要構成のみを示しており、また基板ステージ３６が搬送チャンバ３１Ａ内に移動してステージ３６，３７，３８がＸ１，Ｘ２方向に並んだ状態を示している。尚、以下の説明においては、基板２が基板搬送ステージ３７に搬送された以降の動作について説明する。
【００７１】
先ず、基板搬送ステージ３７に保持されている基板２を基板ステージ３６に搬送する動作について説明する。この基板２を基板ステージ３６に搬送する動作は、コントローラ３４により制御されている。
【００７２】
基板２を基板ステージ３６に搬送するには、コントローラ３４は基板移動装置４５の搬送モータ７２を駆動し、移動台７９を矢印Ｘ２方向の端部まで移動させる。この移動の際、全ての送りピン６９〜７１は、エアシリンダ７４〜７６により基板２の保持位置よりも高い上昇状態とされている。よって移動台７９が移動し、これに伴い送りアーム６６〜６８に設けられたピン６９〜７１がＸ２方向に移動したとしても、送りピン６９〜７１が基板２と衝突するようなことはない。
【００７３】
移動台７９が矢印Ｘ２方向の端部まで移動すると、コントローラ３４はエアシリンダ７４を駆動し、第１送りピン６９のみを下降させる。これにより、送りピン６９〜７１の内、第１送りピン６９のみが基板２と係合可能な状態となる。図１３は、第１送りピン６９が下降した状態を示している。
【００７４】
続いて、コントローラ３４は搬送モータ７２を駆動することにより、移動台７９を矢印Ｘ１方向に移動させる。これにより、第１アーム６６も矢印Ｘ１方向に移動し、第１送りピン６９は基板２と係合する。更に移動台７９が移動することにより、基板２は第１送りピン６９に付勢されて矢印Ｘ１方向への移動を開始する。そして、基板２が基板搬送ステージ３７から基板ステージ３６に搬送された時点で、コントローラ３４は搬送モータ７２を停止させる。これにより、基板２は基板搬送ステージ３７から基板ステージ３６に搬送される。図１４は、基板２が基板ステージ３６に搬送された状態を示している。
【００７５】
後述するように、基板２が基板ステージ３６に搬送されると、基板ステージ３６は塗布チャンバ３１Ｂに移送されてアンダーフィル材６の塗布処理等が行われる。そして、アンダーフィル材６の塗布処理が終了し、再び基板ステージ３６が搬送チャンバ３１Ａに移送されると、基板２を基板搬送ステージ３８に搬送する処理が行われる。
【００７６】
基板２を基板ステージ３６から基板搬送ステージ３８に搬送するには、コントローラ３４は搬送モータ７２を駆動することにより、第２アーム６７に設けられた第２送りピン７０が基板ステージ３６に保持された基板２のＸ２方向側の短辺と対向する位置まで移動台７９を移動させる。
【００７７】
この移動の際も、全ての送りピン６９〜７１は、エアシリンダ７４〜７６により基板２の保持位置よりも高い上昇状態とする。よって移動台７９が移動する際、送りピン６９〜７１が基板２と衝突することはない。
【００７８】
第２送りピン７０が基板２の上記短辺と対向する位置まで移動すると、コントローラ３４はエアシリンダ７５を駆動し、第２送りピン７０のみを下降させる。これにより、送りピン６９〜７１の内、第２送りピン７０のみが基板２と係合可能な状態となる。図１５は、第２送りピン７０が下降した状態を示している。
【００７９】
続いて、コントローラ３４は搬送モータ７２を駆動することにより、移動台７９を矢印Ｘ１方向に移動させる。これにより、第２アーム６７も矢印Ｘ１方向に移動し、第２送りピン７０は基板２と係合する。更に移動台７９が移動することにより、基板２は第２送りピン７０に付勢されて矢印Ｘ１方向への移動を開始する。そして、基板２が基板ステージ３６から基板搬送ステージ３８に搬送された時点で、コントローラ３４は搬送モータ７２を停止させる。これにより、基板２は基板ステージ３６から基板搬送ステージ３８に搬送される。図１６は、基板２が基板搬送ステージ３８に搬送された状態を示している。
【００８０】
基板搬送ステージ３８に保持された基板２を搬送チャンバ３１Ａから外部に搬出するには、コントローラ３４は搬送モータ７２を駆動することにより、第３アーム６８に設けられた第３送りピン７１が基板ステージ３６に保持された基板２のＸ２方向側の短辺と対向する位置まで移動台７９を移動させる。
【００８１】
この移動の際も、全ての送りピン６９〜７１は、エアシリンダ７４〜７６により基板２の保持位置よりも高い上昇状態とする。よって移動台７９が移動する際、送りピン６９〜７１が基板２と衝突することはない。
【００８２】
第３送りピン７１が基板２の上記短辺と対向する位置まで移動すると、コントローラ３４はエアシリンダ７５を駆動し、第３送りピン７１のみを下降させる。これにより、送りピン６９〜７１の内、第３送りピン７１のみが基板２と係合可能な状態となる。図１７は、第３送りピン７１が下降した状態を示している。尚、図１７及び図１８では、図１３乃至図１６と異なり、基板移動装置４５のみを図示している。
【００８３】
続いて、コントローラ３４は、排出扉４１を開くと共に搬送モータ７２を駆動する。排出扉４１を開くことにより、搬出開口８５を介して基板２を搬送チャンバ３１Ａの外部に搬出することが可能となる。また、搬送モータ７２が駆動することにより、移動台７９は矢印Ｘ１方向に移動する。
【００８４】
移動台７９の移動に伴い、第３アーム６８は矢印Ｘ１方向に移動して第３送りピン７１は基板２と係合する。更に移動台７９が移動することにより、基板２は第３送りピン７１に付勢されて矢印Ｘ１方向への移動を開始する。これにより、基板２は基板搬送ステージ３８から離脱して搬出開口８５を介して搬送チャンバ３１Ａの外部に搬出される。図１８は、第３送りピン７１により基板２が矢印Ｘ１方向に移動付勢されている状態を示している。
【００８５】
上記のように、基板２は基板搬送ユニット３５により基板搬送ステージ３７から基板ステージ３６への搬送、基板ステージ３６から基板搬送ステージ３８への搬送、及び基板搬送ステージ３８から搬送チャンバ３１Ａの外部への搬送が行われる。この搬送処理は、一つの移動台７９に送りピン６９〜７１及びエアシリンダ７４〜７６を有した３つのアーム６６〜６８を離間配置し、この移動台７９を移動させることにより、送りピン６９〜７１を選択的に使用して行われる。上記の如く基板搬送ユニット３５を構成することにより、構成の簡単化及び移動台７９の移動距離の短縮を図ることができ、よって基板搬送ユニット３５の小型化及び搬送チャンバ３１Ａの小型化を図ることができる。
【００８６】
次に、図１９を用いて、上記構成とされた樹脂塗布装置３０を用いてアンダーフィル材６を基板２に塗布する方法について説明する。
【００８７】
図１９では、最上欄に塗布チャンバ３１Ｂの気圧を示し、その下欄に塗布チャンバ３１Ｂ内で行われる各工程を示し、その下欄には搬送チャンバ３１Ａで行われる各工程を示し、その下欄には搬送チャンバ３１Ａの気圧変化を示し、更にその下欄には基板２の温度変化を示している。
【００８８】
また、図中の搬送チャンバ３１Ａ及び塗布チャンバ３１Ｂ内で行われる工程を示す欄において、実線で示すのは今回処理される２枚目の基板２の工程であり、一点鎖線で示すのはこの２枚目の基板２の前に処理が行われる１枚目の基板の工程であり、更に破線で示すのは２枚目の基板２の後に処理が行われる３枚目の基板２の工程である。
【００８９】
更に、図中Ａ〜Ｈで示すのはチャンバ内で行われる各工程であり、また、これに付載された１〜３の数字は何枚目に処理がされる基板かを示している。よって、例えば「Ａ２」と示されている場合には、２枚目に処理される基板２に対して搬送チャンバ３１Ａへの基板搬入処理の工程が行われていることを示している。
【００９０】
尚、請求項に記載の「第１の電子部品」は以下説明における１枚目の基板に対応し、請求項に記載の「第２の電子部品」は以下説明における２枚目の基板に対応し、請求項に記載の「第３の電子部品」は以下説明における３枚目の基板に対応する。
【００９１】
本実施例で使用する樹脂塗布装置３０は、前記のように搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂとを有し、それぞれのチャンバ３１Ａ，３１Ｂは内部気圧を別箇に設定することが可能な構成となっている。このため、塗布チャンバ３１Ｂは、搬送チャンバ３１Ａ内の気圧に拘らず、常に低圧状態とされている。ここで低圧とは、この低圧環境下でアンダーフィル材６を塗布した後、これを再び大気圧に戻した際にボイド７の体積が収縮しボイド７の影響を抑制できる気圧をいうものとする（具体的には、10Pa〜1000Pa）。尚、低圧環境下は請求項に記載の「第１気圧下」に相当し、大気圧環境下は請求項に記載の「第２気圧下」に相当する。
【００９２】
図１９は、１枚目の基板に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ１工程）を実施している状態からを示している。この１枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ１工程）が終了すると、１枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ１工程）が実施される。
【００９３】
尚、このアンダーフィル材６の浸透待ち工程は、広義ではアンダーフィル材６の塗布工程に含まれるものであるが、図１９ではアンダーフィル材６の塗布処理をより詳細に説明するために塗布工程と浸透待ち工程を別箇に示している。請求項に記載した「塗布工程」は広義の塗布工程を意味しており、よって請求項に記載した「塗布工程」には、図１９に記載されている「塗布工程Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３」と「浸透待ち工程Ｅ１，Ｅ２」とを含んでいる。
【００９４】
２枚目の基板２の搬送チャンバ３１Ａ内への搬入は、搬送チャンバ３１Ａが大気圧状態において行われる（Ａ２工程）。この際、塗布チャンバ３１Ｂでは、この２枚目の基板２の処理に先立って樹脂塗布装置３０に装着されている１枚目の基板に対し、塗布チャンバ３１Ｂ内においてアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ１工程）またはアンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ１工程）が行われている。
【００９５】
アンダーフィル材６の塗布処理の工程（Ｄ１工程）及びアンダーフィル材６の浸透待ち処理（Ｅ１工程）は低圧環境下で行う必要がある。これに対し、上記のように基板２の樹脂塗布装置３０内への搬入処理は大気圧環境下で行う必要がある。しかしながら、樹脂塗布装置３０は搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂを異なる気圧環境下とすることができ、搬送チャンバ３１Ａは大気圧環境下、塗布チャンバ３１Ｂは低圧環境下としている。
【００９６】
これにより、搬送チャンバ３１Ａ内に２枚目の基板２を搬入する工程（Ａ２工程）と、広義の意味である塗布工程（１枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ１工程）及びアンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ１工程））を同時に平行して行うことができる。尚、本実施例では、２枚目の基板２の搬送チャンバ３１Ａへの搬入は、アンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ１工程）において行っている。また、搬送チャンバ３１Ａ内へ搬入された状態において、２枚目の基板２は基板搬送ステージ３７に保持された状態となっている。
【００９７】
上記のように搬送チャンバ３１Ａ内に２枚目の基板２が搬入されると、コントローラ３４により搬送チャンバ３１Ａの搬入扉４０が閉じられ、バルブ４２Ａが閉じられ、かつ真空ポンプ３９Ａが起動する。これにより、搬送チャンバ３１Ａに対する減圧処理が開始され、搬送チャンバ３１Ａ内の気圧は大気圧から前記した低圧となるよう調整される（請求項に記載の第１気圧調整工程に相当する）。この減圧処理は、１枚目の基板２に対する浸透待ち工程（Ｅ１工程；広義の塗布工程）が完了するまでに所定の低圧となるよう実施される。
【００９８】
また、搬送チャンバ３１Ａが低圧となるまで、基板２は塗布チャンバ３１Ｂに移送されることはなく、搬送チャンバ３１Ａ内に待機している（Ｂ２工程）。この搬入待機時において、コントローラ３４はエアシリンダ６１を駆動し、搬送チャンバ３１Ａ内に配設された基板搬送ステージ３７に設けられたホットプレート６３を上昇させる（図９参照）。これにより、ホットプレート６３は２枚目の基板２と当接し、ヒータ６４で生成される熱はホットプレート６３を介して第２の基板２に熱伝達される。これにより、２枚目の基板２は加熱される。
【００９９】
後述するアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ２工程）及びアンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ２工程）においては、アンダーフィル材６となる樹脂に流動性を持たせるため流動可能な温度（流動可能温度という）まで加熱する必要がある。従来では、基板２を加熱する処理は、基板２が基板ステージ１６（図３参照）に装着された後に行われていた。このため、アンダーフィル材６の塗布開始直後においては基板２は流動可能温度に達しておらず、アンダーフィル材６の適正な塗布処理を行うことができなかった。
【０１００】
これに対して本実施例では、２枚目の基板２が搬送チャンバ３１Ａ内に待機しているＢ２工程においてから加熱処理が行われるため、後述するアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ２工程）の開始時においては確実に流動可能温度まで加熱することができる（図１９の第２の基板温度変化の欄参照）。
【０１０１】
１枚目の基板２に対する塗布工程が終了すると共に搬送チャンバ３１Ａ内が所定の低圧環境下となると、コントローラ３４により移送扉４３が開かれ、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは移送用開口４４ａにより連通した状態となる。しかしながら、搬送チャンバ３１Ａは減圧されて低圧環境となっているため、各チャンバ３１Ａ，３１Ｂが連通しても塗布チャンバ３１Ｂ内の気圧が昇圧するようなことはない。
【０１０２】
上記のように各チャンバ３１Ａ，３１Ｂが連通されると、直交ロボット３３はアンダーフィル材６が塗布された１枚目の基板２を保持した基板ステージ３６を移送用開口４４ａを介して搬送チャンバ３１Ａに移送する。そして、直交ロボット３３は、基板ステージ３６を基板搬送ステージ３７と基板搬送ステージ３８との空間部に位置決めする（Ｆ１工程）。
【０１０３】
続いて、前記した基板搬送ユニット３５の基板移動装置４５が起動し、基板ステージ３６に保持されていた１枚目の基板２を基板搬送ステージ３８に搬送する。これにより、１枚目の基板２は基板搬送ステージ３８に保持された状態となる。
【０１０４】
一方、１枚目の基板２が基板搬送ステージ３８に搬送され、基板ステージ３６に基板が未装着状態となると、次にコントローラ３４は基板移動装置４５を駆動して基板搬送ステージ３７に保持されていた２枚目の基板２を基板ステージ３６に搬送する。この際、コントローラ３４はＣ２工程に先立ち、基板搬送ステージ３７のエアシリンダ６１を駆動し、ホットプレート６３を予め下降させている。
【０１０５】
２枚目の基板２が基板ステージ３６に保持されると、コントローラ３４は直交ロボット３３を駆動して基板ステージ３６を再び塗布チャンバ３１Ｂ内に移動させると共に移送扉４３を閉じる（Ｃ２工程）。これにより、再び搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは気密に画成された状態となる。この状態で、塗布ノズル３２及び直交ロボット３３が駆動し、２枚目の基板２と、これに実装されているチップ３（図示せず）との間にアンダーフィル材６を塗布する（Ｄ２工程）。
【０１０６】
このＤ２工程を実施する際、２枚目の基板２は基板ステージ３６に保持される。この際も、コントローラ３４はエアシリンダ６１を駆動して基板ステージ３６のホットプレート６３を上昇させ、２枚目の基板２に当接させる。よって、２枚目の基板２はホットプレート６３を介してヒータ６４により加熱され前記の流動可能温度を維持するため、塗布ノズル３２から吐出されたアンダーフィル材６に塗布開始直後から流動性を持たせることができ、良好な塗布処理を行うことができる。
【０１０７】
上記のように塗布チャンバ３１Ｂにおいて２枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ２工程）が開始されると、コントローラ３４によりバルブ４２Ａが開かれ搬送チャンバ３１Ａでは昇圧処理が開始される。これにより、搬送チャンバ３１Ａは、内部が大気圧となるよう気圧調整がされる（請求項に記載の第２気圧調整工程に相当する）。
【０１０８】
搬送チャンバ３１Ａ内の気圧が昇圧して大気圧となると、前記したように基板２に塗布されたアンダーフィル材６に発生したボイド７はその体積がマイグレーションが発生しない程度の大きさまで小さくなる。
【０１０９】
尚、この昇圧処理が実施されている間、アンダーフィル材６の塗布が終了した１枚目の基板２は、基板搬送ステージ３８に保持された状態を維持する（Ｇ１工程）。この際、ホットプレート６３は下降した状態を維持しており、よって２枚目の基板２がヒータ６４により加熱されることはない。
【０１１０】
上記のように搬送チャンバ３１Ａ内の気圧が大気圧となると、コントローラ３４は排出扉４１を開蓋すると共に基板移動装置４５を駆動して基板搬送ステージ３８に保持されていた１枚目の基板２を搬出開口８５を介して搬送チャンバ３１Ａの外部に搬出する（Ｈ１工程）。
【０１１１】
上記のように本実施例では、(A)塗布チャンバ３１Ｂ内においてアンダーフィル材６の塗布処理が終了した１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａの基板搬送ステージ３８に移送する処理、及び(B)搬送チャンバ３１Ａの基板搬送ステージ３７に保持されていた２枚目の基板２を塗布チャンバ３１Ｂ内に移送する処理は、共に低圧環境下とされた各チャンバ３１Ａ，３１Ｂを移送扉４３を開くことにより移送用開口４４ａで連通して行う。よって、上記の(A)及び(B)の処理を連続的に行うことができ、(A)及び(B)の処理の間に減圧チャンバ１１の昇圧及び減圧処理を必要とした従来の塗布方法に比べ、タクトタイムの短縮を図ることができる。
【０１１２】
また、２枚目の基板２を塗布チャンバ３１Ｂに移送するために行う搬送チャンバ３１Ａの減圧処理は、塗布チャンバ３１Ｂ内において１枚目の基板２に対して塗布工程（Ｄ１，Ｅ１工程）が行われている間に実施される。また、塗布処理が終了した１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａから外部に搬出するために行う搬送チャンバ３１Ａの昇圧処理も、塗布チャンバ３１Ｂ内において２枚目の基板２に対して塗布工程（Ｄ２工程）が行われている間に実施される。
【０１１３】
このように本実施例では、搬送チャンバ３１Ａ内の気圧調整処理（減圧及び昇圧処理）を塗布チャンバ３１Ｂにおける基板処理と分離して平行して行うことができる。このため、従来のように樹脂塗布装置１０内に一つの減圧チャンバ１１しか有しない構成に比べ、気圧調整処理に要する時間を短縮でき、これによってもタクトタイムの短縮を図ることができる。
【０１１４】
一方、上記のように塗布処理が終了した１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａから搬出した状態では、搬送チャンバ３１Ａは大気圧環境下となっており、また基板搬送ステージ３７は基板２を保持していない状態となっている。よって、１枚目の基板２の搬送チャンバ３１Ａから搬出工程（Ｈ１工程）が終了した後、コントローラ３４は基板搬送ステージ３７に対して、前記した２枚目の基板２の次に処理を行う３枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａ内に搬入する処理を実施する（Ａ３工程）。
【０１１５】
この３枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａ内への搬入する工程（Ａ３工程）では、先ずコントローラ３４により搬入扉４０が開かれ、続いて樹脂塗布装置３０の外部に配設された搬送用ロボット（図示せず）により、基板２が搬入開口８４を介して基板搬送ステージ３７に装着される。この装着処理が終了すると、搬入扉４０は閉じられ搬送チャンバ３１Ａは再び気密状態となる。
【０１１６】
この３枚目の基板２の搬入処理は、２枚目の基板２に対する広義の塗布工程内（塗布工程（Ｄ２工程）或いは浸透待ち工程（Ｅ２）の間）に行われる。上記した１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａから搬出する工程と、３枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａ内に搬入する工程は、請求項に記載の第２移動工程に相当する。尚、本実施例では、３枚目の基板２の搬送チャンバ３１Ａへの搬入は、２枚目の基板２に対するアンダーフィル材６の浸透待ち工程（Ｅ２工程）において行っている。
【０１１７】
上記のように搬送チャンバ３１Ａ内に３枚目の基板２が搬入されると、コントローラ３４はバルブ４２Ａを閉じると共に、真空ポンプ３９Ａを起動させる。これにより、搬送チャンバ３１Ａに対する減圧処理が開始され、搬送チャンバ３１Ａ内の気圧は大気圧から前記した低圧となるよう調整される（第１気圧調整工程）。この減圧処理は、２枚目の基板２に対する浸透待ち工程（Ｅ１工程；広義の塗布工程）が完了するまでに所定の低圧となるよう実施される。
【０１１８】
この際、３枚目の基板２は、搬送チャンバ３１Ａが低圧となるまで塗布チャンバ３１Ｂに移送されることはなく、搬送チャンバ３１Ａ内に待機する（Ｂ３工程）。この搬入待機時において、コントローラ３４は基板搬送ステージ３７に設けられたホットプレート６３を上昇させ、ヒータ６４及びホットプレート６３により３枚目の基板２を加熱する。これにより、前記した２枚目の基板２と同様に、塗布工程（Ｄ３工程）の開始時において３枚目の基板２は既に流動可能温度に達しており、よって塗布処理開始直後よりアンダーフィル材６の適正な塗布処理を行うことができる。
【０１１９】
１枚目の基板２に対する塗布工程が終了すると共に搬送チャンバ３１Ａ内が所定の低圧環境下となると、コントローラ３４により移送扉４３が開かれ、搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは移送用開口４４ａにより連通される。続いて直交ロボット３３はアンダーフィル材６が塗布された第２の基板２を保持した基板ステージ３６を搬送チャンバ３１Ａ内に移送し、基板搬送ステージ３７と基板搬送ステージ３８との空間部に位置決めする（Ｆ２工程）。
【０１２０】
続いて、コントローラ３４により基板移動装置４５が起動され、基板ステージ３６に保持されていた２枚目の基板２を基板搬送ステージ３８に搬送する。これにより、２枚目の基板２は基板搬送ステージ３８に保持された状態となる。
【０１２１】
一方、２枚目の基板２が基板搬送ステージ３８に搬送され、基板ステージ３６が基板未装着状態となると、次にコントローラ３４は基板移動装置４５を駆動して基板搬送ステージ３７に保持されていた３枚目の基板２を基板ステージ３６に搬送する。２枚目の基板２が基板ステージ３６に保持されると、コントローラ３４は直交ロボット３３を駆動して基板ステージ３６を再び塗布チャンバ３１Ｂ内に移動させると共に移送扉４３を閉じる（Ｃ３工程）。
これにより、再び搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂは気密に画成された状態となる。この状態で、塗布ノズル３２及び直交ロボット３３が駆動し、３枚目の基板２と、これに実装されているチップ３（図示せず）との間にアンダーフィル材６を塗布する（Ｄ３工程）。
【０１２２】
このＤ３工程を実施する際、３枚目の基板２は基板ステージ３６に保持される。この際も、コントローラ３４はエアシリンダ６１を駆動して基板ステージ３６のホットプレート６３を上昇させ、３枚目の基板２に当接させる。よって、３枚目の基板２も、前記した２杯目の基板２と同様に流動可能温度を維持し、アンダーフィル材６の塗布開始直後から確実に塗布処理を実施することができる。
【０１２３】
上記のように塗布チャンバ３１Ｂにおいて３枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ３工程）が開始されると、コントローラ３４によりバルブ４２Ａが開かれ搬送チャンバ３１Ａでは昇圧処理が開始される。これにより、搬送チャンバ３１Ａは、内部が大気圧となるよう気圧調整がされる（第２気圧調整工程）。また、この昇圧処理が実施されている間、アンダーフィル材６の塗布が終了した２枚目の基板２は、基板搬送ステージ３８に保持された状態を維持する（Ｇ２工程）。
【０１２４】
搬送チャンバ３１Ａ内の気圧が昇圧して大気圧となる、前記したようにアンダーフィル材６に発生したボイド７は、その体積がマイグレーションが発生しない程度の大きさまで小さくなる。また、搬送チャンバ３１Ａ内の気圧が大気圧となると、コントローラ３４は排出扉４１を開蓋すると共に基板移動装置４５を駆動して基板搬送ステージ３８に保持されていた２枚目の基板２を搬出開口８５を介して搬送チャンバ３１Ａの外部に搬出する（Ｈ２工程）。
【０１２５】
上記のように２枚目の基板２においても、(A)塗布チャンバ３１Ｂ内においてアンダーフィル材６の塗布処理が終了した２枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａの基板搬送ステージ３８に移送する処理、及び(B)搬送チャンバ３１Ａの基板搬送ステージ３７に保持されていた３枚目の基板２を塗布チャンバ３１Ｂ内に移送する処理は、共に低圧とされたチャンバ３１Ａ，３１Ｂ間で行われる。よって、(A)及び(B)の処理を連続的に行うことができ、タクトタイムの短縮を図ることができる。
【０１２６】
また本実施例に係る塗布方法では、２枚目の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布工程（Ｄ２工程）及び浸透待ち工程（Ｅ２工程）を行っている間に、即ち２枚目の基板２に対して広義の塗布工程が終了する前に、(C)１枚目の基板２を搬送チャンバ３１Ａから搬出するための昇圧工程と、及び(D)３枚目の基板２を塗布チャンバ３１Ｂに搬入するための減圧工程との二つの工程を実施している。これにより、従来に比べて同数の基板２に対してアンダーフィル材６の塗布を行う場合、必要とされる昇圧工程及び減圧工程の実施数を少なくすることができ、これによってもタクトタイムの短縮を図ることができる。
【０１２７】
更に、本実施例ではチャンバを搬送チャンバ３１Ａと塗布チャンバ３１Ｂとに分離したため、搬送チャンバ３１Ａの容積を従来の減圧チャンバ１１（図３参照）に比べて小さくすることかできる。よって、同一出力を有した真空ポンプ３９Ａを用いた場合、昇圧工程及び減圧工程に要する時間を従来に比べて短くすることができ、これによってもタクトタイムの短縮を図ることができる。
【０１２８】
図２０は、図５に示した樹脂塗布装置３０の変形例である樹脂塗布装置８０を示している。尚、図２０において、図５に示した構成と対応する構成については同一符号を付し、その説明を省略する。
【０１２９】
図５に示した樹脂塗布装置３０では、搬送チャンバ３１Ａを減圧する真空ポンプ３９Ａと、塗布チャンバ３１Ｂを減圧する真空ポンプ３９Ｂを別箇に設けた構成としていた。これに対して本変形例に係る樹脂塗布装置８０は、一台の真空ポンプ３９で搬送チャンバ３１Ａ及び塗布チャンバ３１Ｂの双方のチャンバを減圧処理できるようにしたものである。
【０１３０】
真空ポンプ３９は、切替バルブ８１を経由して各チャンバ３１Ａ，３１Ｂに接続されている。具体的には、切替バルブ８１は真空配管８２を介して搬送チャンバ３１Ａに接続されると共に、真空配管８３を介して塗布チャンバ３１Ｂに接続されている。また、切替バルブ８１は、コントローラ３４に接続されている。よって、コントローラ３４により切替バルブ８１が制御されることにより、真空ポンプ３９と各チャンバ３１Ａ，３１Ｂとの接続状態は切替られる。
【０１３１】
上記のように本変形例では、形状の大なる真空ポンプ３９を１台のみ設けることで各チャンバ３１Ａ，３１Ｂ内の気圧調整を行うため、樹脂塗布装置８０の小型化を図ることができる。また、切替バルブ８１を用いて搬送チャンバ３１Ａに対する減圧処理を行うため、予め基板搬送ステージ３８を起動させた状態で減圧処理の切り替えができる。よって、減圧処理の開始時に真空ポンプ３９Ａを起動する構成に比べ、応答性を高めることができる。
【０１３２】
また上記した実施例では、樹脂塗布装置３０（８０）によりアンダーフィル材６を塗布する対象として、図１（Ａ）に示したように、基板２にチップ３をフリップチップにより実装し、この基板２とチップ３との間にアンダーフィル材６を塗布する構成のものを例に挙げて説明した。しかしながら、本発明の適用はこれに限定されるものではなく、基板に半導体素子を実装し、この半導体素子に樹脂を塗布する場合にも適用することができる。
【０１３３】
図２１は、基板９２上にチップ９３（半導体素子）を実装した半導体装置９０を示している。チップ９３と基板９２は、バンプ９４が電極パッド９９に接続することにより電気的に接続されている。また、半導体装置９０は、チップ９３の上部に樹脂９５が配設されており、ヒートシンク９８が樹脂９５によりチップ９３に固定されている。この樹脂９５は、樹脂塗布装置３０（８０）を用いて上記した塗布方法を用いて塗布される。このように、ヒートシンク９８とチップ９３との間に樹脂９５を塗布（充填）する場合においても、本実施例に係る樹脂塗布装置３０（８０）及び塗布方法を適用することができる。
【０１３４】
尚、図２１に示す半導体装置９０は、基板９２とチップ９３との間にアンダーフィル材９６が塗布（充填）されている。このアンダーフィル材９６の塗布についても、本実施例に係る樹脂塗布装置３０（８０）を適用することができる。
【０１３５】
また、本発明の適用は半導体素子を基板に実装する構造のみに限定されるものではなく、半導体素子以外の電子部品についても広く適用が可能なものである。具体的には、アンテナ、センサー、及びスイッチ等の電子部品を樹脂で被覆するような場合においても、本実施例に係る樹脂塗布装置３０（８０）を適用することができる。この際、使用する基板２は特に限定されるものではなく、プリント板、セラミック基板、フレキシブル基板等の種々の基板の適用が可能である。
【０１３６】
更に、本発明の適用は、基板に実装される電子部品及び半導体素子（チップ）の数は単数に限定されるものではなく、複数設けた場合においても適用できることは勿論である。
【０１３７】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。
【０１３８】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
第１気圧下の塗布室内で、第１の電子部品に対して樹脂を塗布する塗布工程と、
気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する第１気圧調整工程と
前記塗布工程完了後、前記第２の電子部品を前記塗布室へ移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室へ移動させる第１移動工程とを有することを特徴とする樹脂塗布方法。
（付記２）
前記第２の電子部品に対する前記塗布工程中に、前記気圧調節室内を第２気圧下に調節する第２気圧調整工程と、
前記第２の電子部品に対する前記塗布工程中に、前記気圧調節室内に第３の電子部品を移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室外に移動させる第２移動工程とを有することを特徴とする付記１記載の樹脂塗布方法。
（付記３）
前記第１気圧調整工程において、前記第２の電子部品を加熱することを特徴とする付記１または２記載の樹脂塗布方法。
（付記４）
前記第１の電子部品、前記第２の電子部品及び前記第３の電子部品は、少なくとも一つの電子部品をプリント板に実装した基板ユニットであり、
前記樹脂は、前記電子部品に対して塗布されることを特徴とする付記１乃至３のいずれか一項に記載の樹脂塗布方法。
（付記５）
前記第１の電子部品、前記第２の電子部品及び前記第３の電子部品は、少なくとも一つの半導体素子を基板に実装した半導体部品であり、
前記樹脂は、前記半導体素子に塗布されることを特徴とする付記１乃至３のいずれか一項に記載の樹脂塗布方法。
（付記６）
第１気圧調整工程及び第２気圧調整工程において、
前記気圧調節室の気圧を制御するポンプは、切り替えバルブを経由して塗布室の気圧を制御することを特徴とする付記１乃至５のいずれか一項に記載の樹脂塗布方法。
（付記７）
前記第１の電子部品、前記第２の電子部品及び前記第３の電子部品は、少なくとも一つの半導体素子を基板に実装した半導体部品であり、
前記樹脂は、前記半導体素子と基板間に塗布されることを特徴とする付記１乃至３のいずれか一項に記載の樹脂塗布方法。
（付記８）
第１気圧下において電子部品に対して樹脂を塗布する塗布室と、
前記電子部品を格納し、前記塗布室に前記電子部品を供給し、かつ第２気圧下から前記第１気圧へ気圧を調整する気圧調節室と、
前記塗布室内で第１の電子部品に対して樹脂を塗布する際に、前記気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する制御部とを有する樹脂塗布装置。
（付記９）
前記制御部は、前記第１の電子部品に対する塗布が完了後、前記第１の電子部品を前記気圧調節室内に移動させ、前記第２の電子部品を塗布室に移動後、前記第２の電子部品に対する塗布を行い、前記第２の電子部品に対する塗布が完了する前に、前記気圧調節室内を第２気圧下に調節し、前記気圧調節室内に第３の電子部品を移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室外に移動させることを特徴とする付記８記載の樹脂塗布装置。
（付記１０）
前記気圧調節室内に前記電子部品を加熱する加熱装置とを有することを特徴とする付記８または９記載の樹脂塗布装置。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】図１は、半導体装置のアンダーフィル材に発生するボイドを説明するための図である。
【図２】図２は、ボイドの発生を抑制しうるアンダーフィル材の塗布方法を説明するための図である。
【図３】図３は、従来の一例である樹脂塗布装置を示す構成図である。
【図４】図４は、従来の一例である樹脂塗布装置のアンダーフィル材の塗布工程を示すタイミングチャートである。
【図５】図５は、本発明の一実施例である樹脂塗布装置の構成図である。
【図６】図６は、図５におけるＡ−Ａ線に沿う断面図であり、基板ステージが搬送チャンバ内に位置した状態を示す図である。
【図７】図７は、図５におけるＡ−Ａ線に沿う断面図であり、塗布チャンバと搬送チャンバが移送扉により隔離された状態を示す図である。
【図８】図８は、ホットプレートが上昇した基板ステージ、基板搬送ステージを示す図であり、（Ａ）はホットプレートを取り外した状態の平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は右側面図である。
【図９】図９は、ホットプレートが下降した基板ステージ、基板搬送ステージを示す図であり、（Ａ）はホットプレートを取り外した状態の平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は右側面図である。
【図１０】図１０は、ホットプレートが取り付けられた状態の基板ステージ、基板搬送ステージの平面図である。
【図１１】図１１（Ａ）は基板搬送ユニットの平面図であり、図１１（Ｂ）は基板移動装置の正面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は待機状態にある基板搬送ユニットの右側面図であり、図１２（Ｂ）は搬送状態にある基板搬送ユニットの右側面図である。
【図１３】図１３は基板の搬送処理を説明するための図（その１）であり、（Ａ）は基板移動装置の正面図、（Ｂ）は基板搬送ユニットの平面図である。
【図１４】図１４は基板の搬送処理を説明するための図（その２）であり、（Ａ）は基板移動装置の正面図、（Ｂ）は基板搬送ユニットの平面図である。
【図１５】図１５は基板の搬送処理を説明するための図（その３）であり、（Ａ）は基板移動装置の正面図、（Ｂ）は基板搬送ユニットの平面図である。
【図１６】図１６は基板の搬送処理を説明するための図（その４）であり、（Ａ）は基板移動装置の正面図、（Ｂ）は基板搬送ユニットの平面図である。
【図１７】図１７は基板の搬送処理を説明するための図（その５）であり、基板移動装置の正面図である。
【図１８】図１８は基板の搬送処理を説明するための図（その６）であり、基板移動装置の正面図である。
【図１９】図１９は、本発明の一実施例である樹脂塗布装置のアンダーフィル材の塗布工程を示すタイミングチャートである。
【図２０】図２０は、図１に示した樹脂塗布装置の変形例である樹脂塗布装置を示す構成図である。
【図２１】図２１は、本発明を適用できる他の半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
【０１４０】
１，９０ 半導体装置
２．９２ 基板
３，９３ チップ
４，９４ バンプ
５ 接合材
６ アンダーフィル材
７ ボイド
８ 吸着アーム
９，９９ 電極パッド
３０，８０ 樹脂塗布装置
３１Ａ 搬送チャンバ
３１Ｂ 塗布チャンバ
３２ 塗布ノズル
３３ 直交ロボット
３４ コントローラ
３５ 基板搬送ユニット
３６ 基板ステージ
３７，３８ 基板搬送ステージ
３９，３９Ａ，３９Ｂ 真空ポンプ
４０ 搬入扉
４１ 排出扉
４２Ａ，４２Ｂ バルブ
４３ 移送扉
４５ 基板移動装置
４６ Ｘ方向モータ
４７ Ｘ方向移動ステージ
４８ Ｙ方向モータ
４９ Ｙ方向移動ステージ
５０ 扉開閉モータ
５３ ガイドロッド
５４ 昇降フレーム
５５ ガイドレール
５６ ガイド押さえ
５７ ローラ
５８ 板カム
５８ａ 傾斜カム部
５９ リニアガイド
６０ 係合部
６１ エアシリンダ
６１ａ シリンダシャフト
６２ サイドアーム
６３ ホットプレート
６４ ヒータ
６５ 単軸ロボット
６６ 第１アーム
６７ 第２アーム
６８ 第３アーム
６９ 第１送りピン
７０ 第２送りピン
７１ 第３送りピン
７２ 搬送モータ
７４，７５，７６ エアシリンダ
７７ ベース
８１ 切り替えバルブ
８２，８３ 真空配管
９５ 第１のアンダーフィル材
９６ 第２のアンダーフィル材
９８ ヒートシンク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１気圧下の塗布室内で、第１の電子部品に対して樹脂を塗布する塗布工程と、
気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する第１気圧調整工程と、
前記塗布工程完了後、前記第２の電子部品を前記塗布室へ移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室へ移動させる第１移動工程とを有することを特徴とする樹脂塗布方法。
【請求項２】
前記第２の電子部品に対する前記塗布工程中に、前記気圧調節室内を第２気圧下に調節する第２気圧調整工程と、
前記第２の電子部品に対する前記塗布工程中に、前記気圧調節室内に第３の電子部品を移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室外に移動させる第２移動工程とを有することを特徴とする請求項１記載の樹脂塗布方法。
【請求項３】
前記第１気圧調整工程において、前記第２の電子部品を加熱することを特徴とする請求項１または２記載の樹脂塗布方法。
【請求項４】
第１気圧下において電子部品に対して樹脂を塗布する塗布室と、
前記電子部品を格納し、前記塗布室に前記電子部品を供給し、かつ第２気圧下から前記第１気圧へ気圧を調整する気圧調節室と、
前記塗布室内で第１の電子部品に対して樹脂を塗布する際に、前記気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する制御部とを有する樹脂塗布装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１の電子部品に対する塗布が完了後、前記第１の電子部品を前記気圧調節室内に移動させ、前記第２の電子部品を塗布室に移動後、前記第２の電子部品に対する塗布を行い、前記第２の電子部品に対する塗布が完了する前に、前記気圧調節室内を第２気圧下に調節し、前記気圧調節室内に第３の電子部品を移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室外に移動させることを特徴とする請求項４記載の樹脂塗布装置。
【請求項１】
第１気圧下の塗布室内で、第１の電子部品に対して樹脂を塗布する塗布工程と、
気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する第１気圧調整工程と、
前記塗布工程完了後、前記第２の電子部品を前記塗布室へ移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室へ移動させる第１移動工程とを有することを特徴とする樹脂塗布方法。
【請求項２】
前記第２の電子部品に対する前記塗布工程中に、前記気圧調節室内を第２気圧下に調節する第２気圧調整工程と、
前記第２の電子部品に対する前記塗布工程中に、前記気圧調節室内に第３の電子部品を移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室外に移動させる第２移動工程とを有することを特徴とする請求項１記載の樹脂塗布方法。
【請求項３】
前記第１気圧調整工程において、前記第２の電子部品を加熱することを特徴とする請求項１または２記載の樹脂塗布方法。
【請求項４】
第１気圧下において電子部品に対して樹脂を塗布する塗布室と、
前記電子部品を格納し、前記塗布室に前記電子部品を供給し、かつ第２気圧下から前記第１気圧へ気圧を調整する気圧調節室と、
前記塗布室内で第１の電子部品に対して樹脂を塗布する際に、前記気圧調節室内に第２の電子部品を移動させ、前記気圧調節室内を第２気圧下から前記第１気圧下に調節する制御部とを有する樹脂塗布装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１の電子部品に対する塗布が完了後、前記第１の電子部品を前記気圧調節室内に移動させ、前記第２の電子部品を塗布室に移動後、前記第２の電子部品に対する塗布を行い、前記第２の電子部品に対する塗布が完了する前に、前記気圧調節室内を第２気圧下に調節し、前記気圧調節室内に第３の電子部品を移動させ、前記第１の電子部品を前記気圧調節室外に移動させることを特徴とする請求項４記載の樹脂塗布装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−１１９９５２（Ｐ２０１０−１１９９５２Ａ）
【公開日】平成２２年６月３日（２０１０．６．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２９５４９６（Ｐ２００８−２９５４９６）
【出願日】平成２０年１１月１９日（２００８．１１．１９）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年６月３日（２０１０．６．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１１月１９日（２００８．１１．１９）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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