発光素子および半導体ウェーハ
【課題】所望のチップサイズおよびチップ形状とすることが容易な発光素子および半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】発光素子は、基板と、前記基板の上に設けられた接着層と、第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、前記透光性樹脂の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、を備える。発光素子側面において、前記基板、前記透光性樹脂層、および前記オーバーコート電極、のそれぞれが露出する。
【解決手段】発光素子は、基板と、前記基板の上に設けられた接着層と、第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、前記透光性樹脂の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、を備える。発光素子側面において、前記基板、前記透光性樹脂層、および前記オーバーコート電極、のそれぞれが露出する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光素子および半導体ウェーハに関する。
【背景技術】
【０００２】
ヘッドランプ、信号機、照明器具などに用いる発光素子は、高出力および高い光取り出し効率が要求される。
【０００３】
透光性基板を用いて基板を通過した放出光を外部に取り出すと、光出力や光取り出し効率を改善することが容易となる。
【０００４】
波長や量子効率などの特性は、発光層を含む積層体の内部構造で決定できる。他方、光度、色度、指向特性、などの要求が多様化すると、チップサイズや発光領域の配置などをそれぞれの要求に合わせて決定することが必要になる。しかしながら、用途毎にチップ設計を行うと、少量多品種となり生産性が低下する問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
所望のチップサイズおよび所望のチップ形状とすることが容易な発光素子および半導体ウェーハを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、発光素子は、基板と、前記基板の上に設けられた接着層と、第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、前記透光性樹脂の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、を備える。発光素子側面において、前記基板、前記透光性樹脂層、および前記オーバーコート電極、のそれぞれが露出する。
【０００８】
また、他の実施形態によれば、半導体ウェーハは、基板と、前記基板の上に設けられた接着層と、第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、前記透光性樹脂層の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、を備える。前記複数の凸部どうしの間の離間領域は、所望の位置を切断可能なスクライブ領域とされる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）は第１の実施形態にかかる発光素子の模式斜視図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は発光素子の製造方法の工程断面図を示し、図２（ａ）は第１接着層を形成した模式断面図、図２（ｂ）は第２接着層を形成した模式断面図、図２（ｃ）はウェーハ接着した模式断面図、図２（ｄ）は下地層を露出させた模式断面図、である。
【図３】図３（ａ）および（ｂ）は発光素子の製造方法の工程断面図を示し、図３（ａ）は半導体積層体を形成した模式断面図、図３（ｂ）は第１電極を形成した模式断面図、である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の製造方法の工程断面図を示し、図４（ａ）はフォトレジストパターンを形成した模式断面図、図４（ｂ）は半導体積層体を選択エッチングした模式断面図、図４（ｃ）はオーバーコート電極を形成した模式断面図、である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、発光素子の模式平面図である。
【図６】図６（ａ）は発光装置の模式平面図、図６（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、である。
【図７】図７（ａ）は第２の実施形態にかかる発光素子の模式斜視図、図７（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った模式断面図、である。
【図８】図８は第２の実施形態の発光素子の製造工程の工程断面図を示し、図８（ａ）は凸部を形成した模式断面図、図８（ｂ）はフォトレジストパターンを形成した模式断面図、図８（ｃ）は透光性樹脂を選択エッチングした模式断面図、図８（ｄ）は第２電極およびオーバーコート電極を形成した模式断面図、である。
【図９】フリップチップ型発光装置の模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は第１の実施形態にかかる発光素子の模式斜視図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。
【００１１】
図１（ａ）のように、発光素子５は、基板１０と、接着層２４と、接着層２４の上に設けられた複数の凸部４０と、凸部４０の上にそれぞれ設けられた第１電極５２と、透光性樹脂層５０と、オーバーコート電極５４と、第２電極５６と、を有している。
【００１２】
発光素子５の側面５ａは、基板１０の断面１０ａ、透光性樹脂層５０の断面５０ａ、およびオーバーコート電極５４の断面５４ａが露出したスクライブ面である。また、凸部４０は、側面５ａに露出しない。複数の凸部４０の離間領域を所望のスクライブラインで切断すると、凸部４０を所望の数だけ含み、所望の配置となるようなチップとすることができる。
【００１３】
凸部４０は、図１（ｂ）のように、第１導電形層３０と、第１導電形層３０の上に設けられた発光層３２と、発光層３２の上に設けられた第２導電形層３４と、を少なくとも含む半導体積層体からなる。１つの凸部４０は、互いに離間した独立の発光領域として機能する。また、独立した凸部４０の上にそれぞれ設けられた第１電極５２どうしは、オーバーコート電極５４により互いに接続されている。なお、半導体積層体は、第２導電形層３４の上に設けられ第２導電形を有する電流拡散層３６、および電流拡散層３６の上に設けられ第２導電形層を有するコンタクト層３８、をさらに有してもよい。
【００１４】
凸部４０は、一辺の長さが１０〜１００μｍの矩形または正方形などとする。また、第１電極５２は、凸部４０よりも小さい円、正方形、などとする。
【００１５】
それぞれの凸部４０の周囲には透光性樹脂層５０が設けられる。透光性樹脂５０の上には、それぞれの第１電極５２を接続するオーバーコート電極５４が設けられている。透光性樹脂層５０としては、ＰＭＭＡ（Polymethyl Methacrylate)やＰＩ（Polyimide）などを用いることができる。透光性樹脂層５０を設けることにより、半導体積層体の切断した側面のパッシベーションが可能である。
【００１６】
図１（ｂ）において、基板１０は導電性を有しているものとし、接着層２４が設けられた面とは反対側となる基板１０の面に第２電極５６を設けるものとする。
【００１７】
発光層３２の側面から放出された光Ｇ１は、直接側方から取り出し可能である。基板１０が透光性を有するものとすると、下方に向かって放出された光は、基板１０の側面１０ａから放出された光Ｇ２、および第２電極５６で反射されたのち基板１０の側面１０ａから放出される光Ｇ３を含む。例えば、凸部４０の厚さは５〜１０μｍ、凸部４０の側面の離間距離は５〜２０μｍ、基板１０の厚さは７０〜４００μｍなどとすることができる。このような構造とすると、基板１０を透過した光を基板１０の側面１０ａから効率よく取り出すことが可能である。なお、半導体積層体の上面には、第１電極５２やオーバーコート電極５４が設けられるので、光取り出し量は小さい。
【００１８】
基板１０は、発光層３２からの放出光に対して透光性を有する材料であることがより好ましい。このような材料として、ＧａＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ、などとすることができる。
【００１９】
また、発光層３２は、Ｉｎｘ（ＡｌｙＧａ１−ｙ）１−ｘＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）、ＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）などからなる材料とすることができる。また、これらの材料は、アクセプタやドナーとなる元素を含んでいてもよいものとする。
【００２０】
基板１０がＧａＰからなり、積層体がＩｎｘ（ＡｌｙＧａ１−ｙ）１−ｘＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなるものとすると、波長範囲が５００〜７００ｎｍの光を放出可能である。
【００２１】
個数ｎの凸部４０を有する発光素子５は、１つの凸部４０の略ｎ倍の光度（光出力）とすることができる。すなわち、光度の要求に応じて、凸部４０の個数ｎを決定し、チップサイズを自由に変化させることができる。また、指向特性の要求に応じてチップ形状を決定すると、所望の指向特性とすることができる。
【００２２】
図２（ａ）〜（ｄ）は発光素子の製造方法の工程断面図を示し、図２（ａ）は第１接着層を形成した模式断面図、図２（ｂ）は第２接着層を形成した模式断面図、図２（ｃ）はウェーハ接着の模式断面図、図２（ｄ）は結晶成長基板を除去した模式断面図、である。
図２（ａ）のように、導電性を有し、ＧａＰからなる基板１０にｐ型ＧａＰからなる第１接着層１２を形成する。
【００２３】
他方、図２（ｂ）のように、ＧａＡｓからなる基板６０の上に、格子整合用の膜２２および第２接着層２０を形成する。
【００２４】
続いて、図２（ｃ）のように、ウェーハ状態で第１接着層１２と第２接着層２０とを接触させ、加圧しつつ加熱して接着する。さらに、研磨法やエッチング法などを用いて、基板６０を除去する。このようにすると、図２（ｄ）のように、基板１０の上に、膜２２を表面に有する接着層２４が形成され、続いて形成される結晶成長層との格子整合が容易になる。
【００２５】
図３（ａ）および（ｂ）は発光素子の製造方法の工程断面図を示し、図３（ａ）は半導体積層体を形成した模式断面図、図３（ｂ）は第１電極を形成した模式断面図、である。
図３（ａ）のように、接着層２４の上に、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical VaporDeposition：有機金属気相成長法)法やＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシャル）法を用いて、半導体積層体５８を形成する。半導体積層体５８は、接着層２４側から、ｐ型Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐからなるクラッド層（厚さ０．６μｍ）を含む第１導電形層３０、発光層３２、Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐからなるクラッド層（厚さ０．６μｍ）を含む第２導電形層３４、Ｉｎ０．５（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｐからなる電流拡散層（厚さ２μｍ）３６、およびｎ型Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓからなるコンタクト層３８をこの順序で有している。また、半導体積層体５８の上にダミー層３９を有してもよい。発光層３２を、例えばＭＱＷ（Multi Quatum Well：多重量子井戸)構造とすると、発光波長の制御が容易となり、動作電流を低減することが容易となる。
【００２６】
なお、半導体積層体５８のそれぞれの層の厚さおよび組成などはこれらに限定されない。また、透光性基板１０および半導体積層体５８の導電形はそれぞれ反対の導電形であってもよい。さらに、ＧａＡｓなどからなる基板６０の上に発光層３２を含む積層体を結晶成長し、基板１０とウェーハ接着したのち基板６０を除去すると、工程が簡素となる。
【００２７】
続いて、図３（ｂ）のように、ダミー層３９を除去し、半導体積層体５８の上に、離間した第１電極５２をそれぞれ形成する。
【００２８】
図４（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の製造方法の工程断面図を示し、図４（ａ）はフォトレジストパターンを形成した模式断面図、図４（ｂ）は凸部を形成した模式断面図、図４（ｃ）はオーバーコート電極を形成した模式断面図、である。
図４（ａ）のように、凸部４０とする領域にフォトレジスト膜６２のパターンを形成する。この場合、フォトレジスト膜６２のパターンは、第１電極５２よりも大きくするとよい。
【００２９】
図４（ｂ）のように、半導体積層体５８の一部をエッチング法により除去し、例えばメサ状の凸部４０を形成する。この場合、少なくともコンタクト層３８、電流拡散層３６、第２導電形層３４までを分離すれば、複数の発光領域として独立駆動可能である。また、発光層３２、第１導電形層３０まで分離するとより好ましい。さらに、接着層２４またはその一部までを分離してもよい。このあと、フォトレジスト膜６２を除去する。
【００３０】
凸部４０の間の離間領域４０ａを充填しつつ、第１電極５２を覆いかつ表面が平坦になるまで、ＰＭＭＡなどの透光性樹脂層５０を塗布する。さらに、ＣＤＥ（Chemical Dry Etching)法などを用いて、第１電極５２の表面が露出するまで、透光性樹脂層５０をエッチング除去する。続いて、図４（ｃ）のように、離間した第１の電極５２を覆うように、オーバーコート電極５４を形成する。オーバーコート電極５４の厚さは、スクライブが容易でかつ複数の凸部４０に略同一電圧が印加されるように設定する。
【００３１】
続いて、基板１０の裏面を研磨により薄くし、第２電極５６を形成すると、半導体ウェーハが完成する。
【００３２】
このような半導体ウェーハは、凸部４０からなる複数の発光領域が、オーバーコート電極５４と基板１０の裏面の第２電極５６との間に電気的に並列に接続された構造である。凸部４０は、互いに離間しているので、所望の数が含まれるようにスクライブにより分離することができる。
【００３３】
この場合、レーザダイシング法を用いて、所望の位置のスクライブラインに沿ってレーザービームＬＢを走査しつつ照射し、半導体ウェーハのダイシングを行う。または、ウォータージェットソーを用いて切断してもよい。このようにして、所望の形状、サイズを有するチップに分離できる。この場合、オーバーコート電極５４は、透光性樹脂層５０の上方でスクライブされ、チップ内の第１電極５２は、オーバーコート電極５４で共通に接続されている。
【００３４】
図５（ａ）〜（ｃ）は、発光素子の模式平面図である。
図５（ａ）は、矩形にスクライブした発光素子である。また、図５（ｂ）は、曲がり部を有する形状にスクライブした発光素子である。このような形状は、例えばレーザビームを走査することにより容易にスクライブ可能である。図５（ｃ）は、低光度用途に対応して、より小型の矩形にスクライブした発光素子である。このように、所望のチップ平面形状に応じた凸部４０の間の離間領域４０ａをスクライブ領域とすることができる。
【００３５】
なお、本図のように、所定の厚さを有するパッド電極５５を、例えばリフトオフ法などを用いて、オーバーコート電極５４の上に設けると、ワイヤボンディング強度やフリップチップ接合強度を高めることができるのでより好ましい。
【００３６】
図６（ａ）は発光装置の模式平面図、図６（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、である。
図５（ｂ）に示す曲がり部を有する発光素子７は、破線Ｇ４で表す緑色光を放出するものとする。また発光素子８は、実線Ｇ５で表す赤色光を放出するものとする。本図のＳＭＤ（Surface Mounted Device)型発光装置において、例えば、リード８０、８１はカソード、リード８２、８３はアノード、とする。発光素子７のサイズまたは形状を変化させると、実線Ｇ５と破線Ｇ４との混合光の色度を、緑色〜赤色と変化させ、所望の色度とすることが容易である。また、発光素子７、８のサイズを大きくすると、混合光の光度を高めることができる。
【００３７】
なお、透光性樹脂層５０の屈折率を、凸部４０の屈折率とチップを覆うシリコーンやエポキシなどからなる封止樹脂の屈折率との間とすると、光取り出し効率をより高めることができる。
【００３８】
図７（ａ）は第２の実施形態にかかる発光素子の模式斜視図、図７（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った模式断面図、である。
発光素子６は、基板１１と、接着層２４と、半導体積層体５９と、第１電極５２と、透光性樹脂層５０と、オーバーコート電極５４と、第２電極５７と、オーバーコート電極５８と、を有している。
【００３９】
図７（ａ）のように、発光素子６の側面６ａは、基板１１の断面１１ａ、下地層４１の断面４１ａ、透光性樹脂層５０の断面５０ａ、およびオーバーコート電極５４の断面５４ａが露出したスクライブ面である。なお、側面６ａに、凸部４０は露出しない。
【００４０】
また、図７（ｂ）のように、複数の凸部４０は、オーバーコート電極５４を切断すると独立に駆動可能となる。すなわち、凸部４０を所望の数だけ含み、所望の配置となるようなチップをスクライブ可能である。
【００４１】
半導体積層体５９は、接着層２４の上に設けられ、第１導電形を有する下地層４１と、下地層４１の上に設けられた複数の凸部４０と、を有している。なお、基板１１は、透光性を有するサファイヤやＧａＰなどからなるものとする。
【００４２】
第１導電形を有する下地層４１は、接着層２４を構成する膜２２の上に結晶成長され、さらにその上には発光層３２を含む凸部４０が結晶成長される。第２電極５７は、下地層４１の上面、または段差面、の上に、第１および第２の凸部４０のあいだに挟まれるように設けられる。
【００４３】
図８は第２の実施形態の発光素子の製造工程の工程断面図を示し、図８（ａ）は凸部を形成した模式断面図、図８（ｂ）はフォトレジストパターンを形成した模式断面図、図８（ｃ）は透光性樹脂層を選択エッチングした模式断面図、図８（ｄ）は第２電極およびオーバーコート電極を形成した模式断面図、である。
図８（ａ）のように、第２電極５７を形成する所定の領域は、半導体積層体５９を複数の凸部４０に分離する工程において除去される。なお、凸部４０の周囲の底面は、下地層４１、接着層２４、基板１１、のいずれであってもよい。図８（ｂ）のように、フォトレジスト膜６３のパターニングを行い、所定の領域を開口部６３ａとする。続いて、図８（ｃ）のように、透光性樹脂層５０をエッチング法により除去して、開口部５０ａを設ける。
【００４４】
凸部４０の周囲の底面に蒸着法、メッキ法、またはこれらを組み合わせて、第２電極５７を形成する。この場合、第２電極５７の表面は、第１電極５２と略同一面となるようにすることが好ましい。続いて、図８（ｄ）のように、フォトレジスト膜６３を除去し、第１電極５２を接続するオーバーコート電極５４、第２電極５７を接続するオーバーコート電極５８、を、例えばリフトオフ法を用いてそれぞれ形成する。続いて、所望のスクライブラインに沿って、レーザービームＬＢを照射し、半導体ウェーハをスクライブする。この場合、凸部４０の離間領域だけでなく、第２電極５７の離間領域、凸部４０と第２電極５７との離間領域、をスクライブラインとすることもできる。
【００４５】
１つの第２電極５７の平面サイズは、凸部４０の１つの平面サイズと同じである必要はない。しかし、略同一とするとオーバーコート電極５８で連結された第２電極５７の離間領域の所望の位置を切断することができるので、ウェーハ全面にわたりスクライブラインを自由に設定できる。なお、下地層４１と第２電極５７との接触抵抗を低く押えることが可能な範囲で第２電極５７の面積を小さくすると、発光領域の面積を広げ光出力をより高くすることが容易となる。
【００４６】
基板１１をサファイヤのようなモース硬度が高い材料とすると、例えば１００μｍ以下の厚さとしても、剪断強度を含む機械的強度を高く保つことが容易となる。このために、チップ厚さを小さくすることが容易となり、ＳＭＤ（Surface Mounted Device)型発光装置を薄くすることができる。
【００４７】
また、積層体はＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなるものとすると、波長範囲が４１０〜５００ｎｍの光を放出することができる。
【００４８】
さらに、基板１１は、導電性を有するＧａＰなどであってもよい。この場合、第２電極を基板１１の裏面側で設けてもよく、または凸部４０の間に設けてもよい。
【００４９】
基板１１が絶縁性の場合、チップは、凸部４０の少なくとも１つと、第２電極５７の少なくとも１つと、を含み、所望の凸部４０の数および所望の形状となるようにスクライブを行う。
【００５０】
図９は、フリップチップ型発光装置の模式断面図である。
第１のリード９０および第２のリード９２は、樹脂からなる成型体９４に埋め込まれアウターリードが引き出されている。成型体９４は、凹部９４ａを有し、凹部９４の底面には、第１のリード９０および第２のリード９２がそれぞれ露出している。図７の構造を有する発光素子６のオーバーコート電極５４と、第１のリード９０と、を金属バンプ９６により接着する。また、オーバーコート電極５８と、第２のリード９２と、を金属バンプ９７により接着する。このようにして、フリップチップ構造発光装置とすることができる。発光素子６の裏面を透光性を有する基板１１とすると、裏面電極により遮光されることなく、高い光取り出し効率とすることができる。
【００５１】
第１および第２の実施形態によれば、所望のチップサイズおよびチップ形状とすることが容易な発光素子および半導体ウェーハが提供される。このため、所望の光度、色度、および指向特性を有する発光装置を得ることが容易となり、ヘッドランプ、信号機、照明器具などに広く応用することができる。また、同一仕様の半導体ウェーハを用い、異なる要求特性に応じたチップを供給できるので、発光装置の生産性を高くできる。
【００５２】
以上、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの実施形態に限定されない。本発明を構成する積層体、接着層、基板、電極、透光性樹脂、オーバーコート電極、の材質、サイズ、形状、配置などに関して、当業者が各種設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５３】
５、６、７ 発光素子、 １０、１１ 基板、２４ 接着層、３０ 第１導電形層、３２ 発光層、３４ 第２導電形層、４０ 凸部、４１ 下地層、５０ 透光性樹脂層、５２ 第１電極、５４、５８ オーバーコート電極、５６、５７ 第２電極
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光素子および半導体ウェーハに関する。
【背景技術】
【０００２】
ヘッドランプ、信号機、照明器具などに用いる発光素子は、高出力および高い光取り出し効率が要求される。
【０００３】
透光性基板を用いて基板を通過した放出光を外部に取り出すと、光出力や光取り出し効率を改善することが容易となる。
【０００４】
波長や量子効率などの特性は、発光層を含む積層体の内部構造で決定できる。他方、光度、色度、指向特性、などの要求が多様化すると、チップサイズや発光領域の配置などをそれぞれの要求に合わせて決定することが必要になる。しかしながら、用途毎にチップ設計を行うと、少量多品種となり生産性が低下する問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
所望のチップサイズおよび所望のチップ形状とすることが容易な発光素子および半導体ウェーハを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、発光素子は、基板と、前記基板の上に設けられた接着層と、第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、前記透光性樹脂の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、を備える。発光素子側面において、前記基板、前記透光性樹脂層、および前記オーバーコート電極、のそれぞれが露出する。
【０００８】
また、他の実施形態によれば、半導体ウェーハは、基板と、前記基板の上に設けられた接着層と、第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、前記透光性樹脂層の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、を備える。前記複数の凸部どうしの間の離間領域は、所望の位置を切断可能なスクライブ領域とされる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）は第１の実施形態にかかる発光素子の模式斜視図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は発光素子の製造方法の工程断面図を示し、図２（ａ）は第１接着層を形成した模式断面図、図２（ｂ）は第２接着層を形成した模式断面図、図２（ｃ）はウェーハ接着した模式断面図、図２（ｄ）は下地層を露出させた模式断面図、である。
【図３】図３（ａ）および（ｂ）は発光素子の製造方法の工程断面図を示し、図３（ａ）は半導体積層体を形成した模式断面図、図３（ｂ）は第１電極を形成した模式断面図、である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の製造方法の工程断面図を示し、図４（ａ）はフォトレジストパターンを形成した模式断面図、図４（ｂ）は半導体積層体を選択エッチングした模式断面図、図４（ｃ）はオーバーコート電極を形成した模式断面図、である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、発光素子の模式平面図である。
【図６】図６（ａ）は発光装置の模式平面図、図６（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、である。
【図７】図７（ａ）は第２の実施形態にかかる発光素子の模式斜視図、図７（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った模式断面図、である。
【図８】図８は第２の実施形態の発光素子の製造工程の工程断面図を示し、図８（ａ）は凸部を形成した模式断面図、図８（ｂ）はフォトレジストパターンを形成した模式断面図、図８（ｃ）は透光性樹脂を選択エッチングした模式断面図、図８（ｄ）は第２電極およびオーバーコート電極を形成した模式断面図、である。
【図９】フリップチップ型発光装置の模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は第１の実施形態にかかる発光素子の模式斜視図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。
【００１１】
図１（ａ）のように、発光素子５は、基板１０と、接着層２４と、接着層２４の上に設けられた複数の凸部４０と、凸部４０の上にそれぞれ設けられた第１電極５２と、透光性樹脂層５０と、オーバーコート電極５４と、第２電極５６と、を有している。
【００１２】
発光素子５の側面５ａは、基板１０の断面１０ａ、透光性樹脂層５０の断面５０ａ、およびオーバーコート電極５４の断面５４ａが露出したスクライブ面である。また、凸部４０は、側面５ａに露出しない。複数の凸部４０の離間領域を所望のスクライブラインで切断すると、凸部４０を所望の数だけ含み、所望の配置となるようなチップとすることができる。
【００１３】
凸部４０は、図１（ｂ）のように、第１導電形層３０と、第１導電形層３０の上に設けられた発光層３２と、発光層３２の上に設けられた第２導電形層３４と、を少なくとも含む半導体積層体からなる。１つの凸部４０は、互いに離間した独立の発光領域として機能する。また、独立した凸部４０の上にそれぞれ設けられた第１電極５２どうしは、オーバーコート電極５４により互いに接続されている。なお、半導体積層体は、第２導電形層３４の上に設けられ第２導電形を有する電流拡散層３６、および電流拡散層３６の上に設けられ第２導電形層を有するコンタクト層３８、をさらに有してもよい。
【００１４】
凸部４０は、一辺の長さが１０〜１００μｍの矩形または正方形などとする。また、第１電極５２は、凸部４０よりも小さい円、正方形、などとする。
【００１５】
それぞれの凸部４０の周囲には透光性樹脂層５０が設けられる。透光性樹脂５０の上には、それぞれの第１電極５２を接続するオーバーコート電極５４が設けられている。透光性樹脂層５０としては、ＰＭＭＡ（Polymethyl Methacrylate)やＰＩ（Polyimide）などを用いることができる。透光性樹脂層５０を設けることにより、半導体積層体の切断した側面のパッシベーションが可能である。
【００１６】
図１（ｂ）において、基板１０は導電性を有しているものとし、接着層２４が設けられた面とは反対側となる基板１０の面に第２電極５６を設けるものとする。
【００１７】
発光層３２の側面から放出された光Ｇ１は、直接側方から取り出し可能である。基板１０が透光性を有するものとすると、下方に向かって放出された光は、基板１０の側面１０ａから放出された光Ｇ２、および第２電極５６で反射されたのち基板１０の側面１０ａから放出される光Ｇ３を含む。例えば、凸部４０の厚さは５〜１０μｍ、凸部４０の側面の離間距離は５〜２０μｍ、基板１０の厚さは７０〜４００μｍなどとすることができる。このような構造とすると、基板１０を透過した光を基板１０の側面１０ａから効率よく取り出すことが可能である。なお、半導体積層体の上面には、第１電極５２やオーバーコート電極５４が設けられるので、光取り出し量は小さい。
【００１８】
基板１０は、発光層３２からの放出光に対して透光性を有する材料であることがより好ましい。このような材料として、ＧａＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ、などとすることができる。
【００１９】
また、発光層３２は、Ｉｎｘ（ＡｌｙＧａ１−ｙ）１−ｘＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）、ＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）などからなる材料とすることができる。また、これらの材料は、アクセプタやドナーとなる元素を含んでいてもよいものとする。
【００２０】
基板１０がＧａＰからなり、積層体がＩｎｘ（ＡｌｙＧａ１−ｙ）１−ｘＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなるものとすると、波長範囲が５００〜７００ｎｍの光を放出可能である。
【００２１】
個数ｎの凸部４０を有する発光素子５は、１つの凸部４０の略ｎ倍の光度（光出力）とすることができる。すなわち、光度の要求に応じて、凸部４０の個数ｎを決定し、チップサイズを自由に変化させることができる。また、指向特性の要求に応じてチップ形状を決定すると、所望の指向特性とすることができる。
【００２２】
図２（ａ）〜（ｄ）は発光素子の製造方法の工程断面図を示し、図２（ａ）は第１接着層を形成した模式断面図、図２（ｂ）は第２接着層を形成した模式断面図、図２（ｃ）はウェーハ接着の模式断面図、図２（ｄ）は結晶成長基板を除去した模式断面図、である。
図２（ａ）のように、導電性を有し、ＧａＰからなる基板１０にｐ型ＧａＰからなる第１接着層１２を形成する。
【００２３】
他方、図２（ｂ）のように、ＧａＡｓからなる基板６０の上に、格子整合用の膜２２および第２接着層２０を形成する。
【００２４】
続いて、図２（ｃ）のように、ウェーハ状態で第１接着層１２と第２接着層２０とを接触させ、加圧しつつ加熱して接着する。さらに、研磨法やエッチング法などを用いて、基板６０を除去する。このようにすると、図２（ｄ）のように、基板１０の上に、膜２２を表面に有する接着層２４が形成され、続いて形成される結晶成長層との格子整合が容易になる。
【００２５】
図３（ａ）および（ｂ）は発光素子の製造方法の工程断面図を示し、図３（ａ）は半導体積層体を形成した模式断面図、図３（ｂ）は第１電極を形成した模式断面図、である。
図３（ａ）のように、接着層２４の上に、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical VaporDeposition：有機金属気相成長法)法やＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシャル）法を用いて、半導体積層体５８を形成する。半導体積層体５８は、接着層２４側から、ｐ型Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐからなるクラッド層（厚さ０．６μｍ）を含む第１導電形層３０、発光層３２、Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐからなるクラッド層（厚さ０．６μｍ）を含む第２導電形層３４、Ｉｎ０．５（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｐからなる電流拡散層（厚さ２μｍ）３６、およびｎ型Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓからなるコンタクト層３８をこの順序で有している。また、半導体積層体５８の上にダミー層３９を有してもよい。発光層３２を、例えばＭＱＷ（Multi Quatum Well：多重量子井戸)構造とすると、発光波長の制御が容易となり、動作電流を低減することが容易となる。
【００２６】
なお、半導体積層体５８のそれぞれの層の厚さおよび組成などはこれらに限定されない。また、透光性基板１０および半導体積層体５８の導電形はそれぞれ反対の導電形であってもよい。さらに、ＧａＡｓなどからなる基板６０の上に発光層３２を含む積層体を結晶成長し、基板１０とウェーハ接着したのち基板６０を除去すると、工程が簡素となる。
【００２７】
続いて、図３（ｂ）のように、ダミー層３９を除去し、半導体積層体５８の上に、離間した第１電極５２をそれぞれ形成する。
【００２８】
図４（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の製造方法の工程断面図を示し、図４（ａ）はフォトレジストパターンを形成した模式断面図、図４（ｂ）は凸部を形成した模式断面図、図４（ｃ）はオーバーコート電極を形成した模式断面図、である。
図４（ａ）のように、凸部４０とする領域にフォトレジスト膜６２のパターンを形成する。この場合、フォトレジスト膜６２のパターンは、第１電極５２よりも大きくするとよい。
【００２９】
図４（ｂ）のように、半導体積層体５８の一部をエッチング法により除去し、例えばメサ状の凸部４０を形成する。この場合、少なくともコンタクト層３８、電流拡散層３６、第２導電形層３４までを分離すれば、複数の発光領域として独立駆動可能である。また、発光層３２、第１導電形層３０まで分離するとより好ましい。さらに、接着層２４またはその一部までを分離してもよい。このあと、フォトレジスト膜６２を除去する。
【００３０】
凸部４０の間の離間領域４０ａを充填しつつ、第１電極５２を覆いかつ表面が平坦になるまで、ＰＭＭＡなどの透光性樹脂層５０を塗布する。さらに、ＣＤＥ（Chemical Dry Etching)法などを用いて、第１電極５２の表面が露出するまで、透光性樹脂層５０をエッチング除去する。続いて、図４（ｃ）のように、離間した第１の電極５２を覆うように、オーバーコート電極５４を形成する。オーバーコート電極５４の厚さは、スクライブが容易でかつ複数の凸部４０に略同一電圧が印加されるように設定する。
【００３１】
続いて、基板１０の裏面を研磨により薄くし、第２電極５６を形成すると、半導体ウェーハが完成する。
【００３２】
このような半導体ウェーハは、凸部４０からなる複数の発光領域が、オーバーコート電極５４と基板１０の裏面の第２電極５６との間に電気的に並列に接続された構造である。凸部４０は、互いに離間しているので、所望の数が含まれるようにスクライブにより分離することができる。
【００３３】
この場合、レーザダイシング法を用いて、所望の位置のスクライブラインに沿ってレーザービームＬＢを走査しつつ照射し、半導体ウェーハのダイシングを行う。または、ウォータージェットソーを用いて切断してもよい。このようにして、所望の形状、サイズを有するチップに分離できる。この場合、オーバーコート電極５４は、透光性樹脂層５０の上方でスクライブされ、チップ内の第１電極５２は、オーバーコート電極５４で共通に接続されている。
【００３４】
図５（ａ）〜（ｃ）は、発光素子の模式平面図である。
図５（ａ）は、矩形にスクライブした発光素子である。また、図５（ｂ）は、曲がり部を有する形状にスクライブした発光素子である。このような形状は、例えばレーザビームを走査することにより容易にスクライブ可能である。図５（ｃ）は、低光度用途に対応して、より小型の矩形にスクライブした発光素子である。このように、所望のチップ平面形状に応じた凸部４０の間の離間領域４０ａをスクライブ領域とすることができる。
【００３５】
なお、本図のように、所定の厚さを有するパッド電極５５を、例えばリフトオフ法などを用いて、オーバーコート電極５４の上に設けると、ワイヤボンディング強度やフリップチップ接合強度を高めることができるのでより好ましい。
【００３６】
図６（ａ）は発光装置の模式平面図、図６（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、である。
図５（ｂ）に示す曲がり部を有する発光素子７は、破線Ｇ４で表す緑色光を放出するものとする。また発光素子８は、実線Ｇ５で表す赤色光を放出するものとする。本図のＳＭＤ（Surface Mounted Device)型発光装置において、例えば、リード８０、８１はカソード、リード８２、８３はアノード、とする。発光素子７のサイズまたは形状を変化させると、実線Ｇ５と破線Ｇ４との混合光の色度を、緑色〜赤色と変化させ、所望の色度とすることが容易である。また、発光素子７、８のサイズを大きくすると、混合光の光度を高めることができる。
【００３７】
なお、透光性樹脂層５０の屈折率を、凸部４０の屈折率とチップを覆うシリコーンやエポキシなどからなる封止樹脂の屈折率との間とすると、光取り出し効率をより高めることができる。
【００３８】
図７（ａ）は第２の実施形態にかかる発光素子の模式斜視図、図７（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った模式断面図、である。
発光素子６は、基板１１と、接着層２４と、半導体積層体５９と、第１電極５２と、透光性樹脂層５０と、オーバーコート電極５４と、第２電極５７と、オーバーコート電極５８と、を有している。
【００３９】
図７（ａ）のように、発光素子６の側面６ａは、基板１１の断面１１ａ、下地層４１の断面４１ａ、透光性樹脂層５０の断面５０ａ、およびオーバーコート電極５４の断面５４ａが露出したスクライブ面である。なお、側面６ａに、凸部４０は露出しない。
【００４０】
また、図７（ｂ）のように、複数の凸部４０は、オーバーコート電極５４を切断すると独立に駆動可能となる。すなわち、凸部４０を所望の数だけ含み、所望の配置となるようなチップをスクライブ可能である。
【００４１】
半導体積層体５９は、接着層２４の上に設けられ、第１導電形を有する下地層４１と、下地層４１の上に設けられた複数の凸部４０と、を有している。なお、基板１１は、透光性を有するサファイヤやＧａＰなどからなるものとする。
【００４２】
第１導電形を有する下地層４１は、接着層２４を構成する膜２２の上に結晶成長され、さらにその上には発光層３２を含む凸部４０が結晶成長される。第２電極５７は、下地層４１の上面、または段差面、の上に、第１および第２の凸部４０のあいだに挟まれるように設けられる。
【００４３】
図８は第２の実施形態の発光素子の製造工程の工程断面図を示し、図８（ａ）は凸部を形成した模式断面図、図８（ｂ）はフォトレジストパターンを形成した模式断面図、図８（ｃ）は透光性樹脂層を選択エッチングした模式断面図、図８（ｄ）は第２電極およびオーバーコート電極を形成した模式断面図、である。
図８（ａ）のように、第２電極５７を形成する所定の領域は、半導体積層体５９を複数の凸部４０に分離する工程において除去される。なお、凸部４０の周囲の底面は、下地層４１、接着層２４、基板１１、のいずれであってもよい。図８（ｂ）のように、フォトレジスト膜６３のパターニングを行い、所定の領域を開口部６３ａとする。続いて、図８（ｃ）のように、透光性樹脂層５０をエッチング法により除去して、開口部５０ａを設ける。
【００４４】
凸部４０の周囲の底面に蒸着法、メッキ法、またはこれらを組み合わせて、第２電極５７を形成する。この場合、第２電極５７の表面は、第１電極５２と略同一面となるようにすることが好ましい。続いて、図８（ｄ）のように、フォトレジスト膜６３を除去し、第１電極５２を接続するオーバーコート電極５４、第２電極５７を接続するオーバーコート電極５８、を、例えばリフトオフ法を用いてそれぞれ形成する。続いて、所望のスクライブラインに沿って、レーザービームＬＢを照射し、半導体ウェーハをスクライブする。この場合、凸部４０の離間領域だけでなく、第２電極５７の離間領域、凸部４０と第２電極５７との離間領域、をスクライブラインとすることもできる。
【００４５】
１つの第２電極５７の平面サイズは、凸部４０の１つの平面サイズと同じである必要はない。しかし、略同一とするとオーバーコート電極５８で連結された第２電極５７の離間領域の所望の位置を切断することができるので、ウェーハ全面にわたりスクライブラインを自由に設定できる。なお、下地層４１と第２電極５７との接触抵抗を低く押えることが可能な範囲で第２電極５７の面積を小さくすると、発光領域の面積を広げ光出力をより高くすることが容易となる。
【００４６】
基板１１をサファイヤのようなモース硬度が高い材料とすると、例えば１００μｍ以下の厚さとしても、剪断強度を含む機械的強度を高く保つことが容易となる。このために、チップ厚さを小さくすることが容易となり、ＳＭＤ（Surface Mounted Device)型発光装置を薄くすることができる。
【００４７】
また、積層体はＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなるものとすると、波長範囲が４１０〜５００ｎｍの光を放出することができる。
【００４８】
さらに、基板１１は、導電性を有するＧａＰなどであってもよい。この場合、第２電極を基板１１の裏面側で設けてもよく、または凸部４０の間に設けてもよい。
【００４９】
基板１１が絶縁性の場合、チップは、凸部４０の少なくとも１つと、第２電極５７の少なくとも１つと、を含み、所望の凸部４０の数および所望の形状となるようにスクライブを行う。
【００５０】
図９は、フリップチップ型発光装置の模式断面図である。
第１のリード９０および第２のリード９２は、樹脂からなる成型体９４に埋め込まれアウターリードが引き出されている。成型体９４は、凹部９４ａを有し、凹部９４の底面には、第１のリード９０および第２のリード９２がそれぞれ露出している。図７の構造を有する発光素子６のオーバーコート電極５４と、第１のリード９０と、を金属バンプ９６により接着する。また、オーバーコート電極５８と、第２のリード９２と、を金属バンプ９７により接着する。このようにして、フリップチップ構造発光装置とすることができる。発光素子６の裏面を透光性を有する基板１１とすると、裏面電極により遮光されることなく、高い光取り出し効率とすることができる。
【００５１】
第１および第２の実施形態によれば、所望のチップサイズおよびチップ形状とすることが容易な発光素子および半導体ウェーハが提供される。このため、所望の光度、色度、および指向特性を有する発光装置を得ることが容易となり、ヘッドランプ、信号機、照明器具などに広く応用することができる。また、同一仕様の半導体ウェーハを用い、異なる要求特性に応じたチップを供給できるので、発光装置の生産性を高くできる。
【００５２】
以上、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの実施形態に限定されない。本発明を構成する積層体、接着層、基板、電極、透光性樹脂、オーバーコート電極、の材質、サイズ、形状、配置などに関して、当業者が各種設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５３】
５、６、７ 発光素子、 １０、１１ 基板、２４ 接着層、３０ 第１導電形層、３２ 発光層、３４ 第２導電形層、４０ 凸部、４１ 下地層、５０ 透光性樹脂層、５２ 第１電極、５４、５８ オーバーコート電極、５６、５７ 第２電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に設けられた接着層と、
第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、
前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、
前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、
前記透光性樹脂の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、
を備えた発光素子であり、
前記発光素子側面において、前記基板、前記透光性樹脂層、および前記オーバーコート電極、のそれぞれが露出したことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記接着層と、前記凸部と、の間に設けられ、第１導電形の半導体を含む下地層と、
前記複数の凸部のうちの第１の凸部と第２の凸部との間において前記下地層の上に設けられ、周囲に前記透光性樹脂が設けられた第２電極と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記基板は、導電性を有し、前記第１導電形層と電気的に接続されたことを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記基板は、絶縁性を有することを特徴とする請求項２記載の発光素子。
【請求項５】
基板と、
前記基板の上に設けられた接着層と、
第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、
前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、
前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、
前記透光性樹脂層の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、
を備え、
前記複数の凸部どうしの間の離間領域は、所望の位置を切断可能なスクライブ領域とされたことを特徴とする半導体ウェーハ。
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に設けられた接着層と、
第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、
前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、
前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、
前記透光性樹脂の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、
を備えた発光素子であり、
前記発光素子側面において、前記基板、前記透光性樹脂層、および前記オーバーコート電極、のそれぞれが露出したことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記接着層と、前記凸部と、の間に設けられ、第１導電形の半導体を含む下地層と、
前記複数の凸部のうちの第１の凸部と第２の凸部との間において前記下地層の上に設けられ、周囲に前記透光性樹脂が設けられた第２電極と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記基板は、導電性を有し、前記第１導電形層と電気的に接続されたことを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記基板は、絶縁性を有することを特徴とする請求項２記載の発光素子。
【請求項５】
基板と、
前記基板の上に設けられた接着層と、
第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、
前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、
前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、
前記透光性樹脂層の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、
を備え、
前記複数の凸部どうしの間の離間領域は、所望の位置を切断可能なスクライブ領域とされたことを特徴とする半導体ウェーハ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−９６１９（Ｐ２０１２−９６１９Ａ）
【公開日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１４４１０７（Ｐ２０１０−１４４１０７）
【出願日】平成２２年６月２４日（２０１０．６．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月２４日（２０１０．６．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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