蒸着装置及びこれを利用した薄膜蒸着方法
【課題】 高い蒸着均一度を維持しつつ蒸着率向上させることができる蒸着装置及びこれを利用した薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施例による蒸着装置は、気体流入管と、プラズマ電極と、前記プラズマ電極の対応極として利用され、基板が装着される基板支持台と、前記プラズマ電極に接続されているプラズマ接続端子と、前記プラズマ接続端子に接続され、連続モードで電圧を印加する第１電圧印加部と、及び前記プラズマ接続端子に接続され、パルスモードで電圧を印加する第２電圧印加部と、を有する。前記第１電圧印加部が印加する電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧であり、前記第２電圧印加部が印加する電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧である。
【解決手段】 本発明の一実施例による蒸着装置は、気体流入管と、プラズマ電極と、前記プラズマ電極の対応極として利用され、基板が装着される基板支持台と、前記プラズマ電極に接続されているプラズマ接続端子と、前記プラズマ接続端子に接続され、連続モードで電圧を印加する第１電圧印加部と、及び前記プラズマ接続端子に接続され、パルスモードで電圧を印加する第２電圧印加部と、を有する。前記第１電圧印加部が印加する電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧であり、前記第２電圧印加部が印加する電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は蒸着装置に関し、より具体的には、プラズマ蒸着装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、太陽電池に使用されるシリコン膜はプラズマ強化化学気相蒸着法で蒸着される。このプラズマ強化化学気相蒸着法では、プラズマ発生時に低周波のＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電力を利用するか、高周波の超短波（ＶＨＦ：ｖｅｒｙ ｈｉｇｈ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電力を利用する。
【０００３】
しかし、低周波電力を利用してプラズマを発生させる場合、イオン密度が低く、蒸着率を向上させるためには高電力が要求される。また、高周波電力を利用してプラズマを発生させる場合、低周波電力を利用した場合に比べて、イオン密度が高くて低電力でも高い蒸着率を示し、短時間内に薄膜蒸着が可能であるが、蒸着均一度が低いという欠点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明の技術的課題は、高い蒸着均一度を維持しつつ蒸着率を向上させることができる蒸着装置及びこれを利用した薄膜蒸着方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施例による蒸着装置は、気体流入管と、プラズマ電極と、前記プラズマ電極の対応極（ｏｐｐｏｓｉｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）として利用され、基板が装着されている基板支持台と、前記プラズマ電極に接続されているプラズマ接続端子と、前記プラズマ接続端子に接続され、連続モードで電圧を印加する第１電圧印加部と、及び前記プラズマ接続端子に接続され、パルスモードで電圧を印加する第２電圧印加部とを有することを特徴とする。
【０００６】
前記第２電圧印加部は、約２０％〜約９０％のデューティサイクルで電圧を印加することができる。また、前記第２電圧印加部は、約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚのパルス周波数で電圧を印加することができる。
【０００７】
前記第１電圧印加部と前記第２電圧印加部が印加する電圧の周波数が互いに異なるように構成することができる。前記第１電圧印加部が印加する電圧は低周波電圧、前記第２電圧印加部が印加する電圧は高周波電圧とすることができる。
【０００８】
前記第２電圧印加部が印加する電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧とすることができる。
【０００９】
前記第１電圧印加部が印加する電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧とすることができる。
【００１０】
本発明の実施例による蒸着方法は、基板が装着されている反応器に工程気体を供給する段階と、前記反応器に連続モードで第１電圧を印加する段階と、及び前記反応器にパルスモードで第２電圧を印加する段階を含むことを特徴とする。
【００１１】
前記反応機内部圧力は２５０ｍｔｏｒｒ以下とすることができる。前記第１電圧印加後に、前記第２電圧を印加することができる。前記第１電圧と前記第２電圧は同時に印加することができる。前記第１電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧、前記第２電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧とすることができる。前記第２電圧は約２０％〜約９０％のデューティサイクルで印加することができる。
【００１２】
前記第２電圧は約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚのパルス周波数で印加することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の実施例によれば、プラズマ電極にパルス形態の高周波電力を供給すると同時に低周波電力を一緒に供給することにより、良好な膜形成均一性及び蒸着率で薄膜を蒸着することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例による蒸着装置を概略的に示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の実施例による電源供給部の電力出力波形図である。
【図２Ｂ】本発明の実施例による電源供給部の電力出力波形図である。
【図３】本発明の一実施例による薄膜蒸着方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の他の一実施例による薄膜蒸着方法を示すフローチャートである。
【図５Ａ】蒸着された薄膜の表面写真である。
【図５Ｂ】蒸着された薄膜の表面写真である。
【図６Ａ】蒸着された薄膜のラマン分光を示すグラフである。
【図６Ｂ】蒸着された薄膜のラマン分光を示すグラフである。
【図７Ａ】蒸着された薄膜の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図７Ｂ】蒸着された薄膜の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
添付の図面を用いて、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００１６】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の「上に」あるとするとき、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとするとき、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１７】
次に、本発明の実施例による蒸着装置について添付図を参照して詳細に説明する。
【００１８】
まず、図１を参照して本発明の実施例による蒸着装置について説明する。図１は本発明の実施例による蒸着装置を概略的に示す断面図である。図１に示すように、本発明の実施例による蒸着装置は、外壁１００、気体流入管１１０、反応室壁１２０、基板支持台１３０、基板支持台に装着される基板１３５、プラズマ電極１４０、プラズマ接続端子１５０、第１電圧部１５１及び第２電圧部１５２、ヒータ１６０、及び気体流出管１７０を有する。各構成要素についてより詳細に説明する。
【００１９】
蒸着装置の外壁１００は、反応室内部の熱が伝導して外部に流失することを防止する。
【００２０】
基板支持台１３０に蒸着の対象である基板１３５が配置されており、基板支持台１３０の下にはヒータ１６０が配置されている。ヒータ１６０は、基板１３５の温度を工程に必要な温度まで上昇させる役割をする。
【００２１】
反応室壁１２０と基板支持台１３０は、蒸着工程中に互いに密着して反応室を規定する。
【００２２】
プラズマ電極１４０には気体流入管１１０が挿入されており、プラズマ電極１４０にはプラズマ接続端子１５０が接続されている。本実施例では、１つの気体流入管１１０のみ図示したが、複数の気体流入管を備えて複数の気体流入管を介して互いに異なる工程気体をそれぞれ流入することもできる。
【００２３】
蒸着工程中に基板支持台１３０及び基板１３５は、プラズマ電極１４０の対応極として役割をする。図示されていないが、基板支持台１３０にも追加的なプラズマ接続端子（図示せず）を介して電力を供給することができる。
【００２４】
本発明の実施例による蒸着装置のプラズマ接続端子１５０には、第１電圧部１５１と第２電圧部１５２が接続されており、第１電圧部１５１を介して低周波のＲＦ電圧が印加され、第２電圧部１５２を介して高周波の超短波（ＶＨＦ）電圧が印加される。
【００２５】
気体流入管１１０を介して工程気体が流入し、第１電圧部１５１と第２電圧部１５２の電圧がプラズマ接続端子１５０を介してプラズマ電極１４０に印加されると、プラズマ電極１４０と基板支持台１３０の電圧差によって、反応室内に流入した工程気体がプラズマに変わり、基板１３５の上に蒸着されるようになる。
【００２６】
以下、本発明の実施例による蒸着装置の電源供給部について図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明する。図２Ａ及び図２Ｂは本発明の実施例による電圧供給部の電圧出力波形図である。図２Ａは第１電圧部１５１により供給されるＲＦ電圧の供給波形図を示し、図２Ｂは第２電圧部１５２により供給される超短波（ＶＨＦ）電圧の供給波形図を示す。
【００２７】
図２Ａに示すように、本発明の実施例による第１電圧部１５１は、低周波のＲＦ電圧を供給するが、供給時間中連続して供給する。即ち、第１電圧部１５１は、低周波のＲＦ電圧を連続モードで供給する。このとき、ＲＦ電力の周波数は約１３．５６ＭＨｚである。
【００２８】
図２Ｂに示すように、本発明の実施例による第２電圧部１５２は、高周波の超短波電圧を供給するが、一定の周期でＯＮ／ＯＦＦを反復するパルスモードで供給する。即ち、第２電圧部１５２は、高周波の超短波電圧を断続的に（ｏｆｆ−ａｎｄ−ｏｎ）供給する。このとき、ＶＨＦ電圧の周波数は約２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲である。超短波電圧供給においてＯＮ／ＯＦＦの比であるデューティサイクルは約２０％〜約９０％であり、パルス周波数は約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚであることが好ましい。
【００２９】
また、ＲＦ電圧とＶＨＦ電圧の供給比率は工程条件によって５：９５〜９５：５まで調節することができる。
【００３０】
このように、本発明の実施例による蒸着装置は、低周波電圧部と高周波電圧部を有して、パルス形態の断続的な高周波電圧と共に連続的な低周波電圧を同時に供給することにより低周波電圧による蒸着均一性を確保しながら、高周波電圧供給により蒸着率を向上させ、要求される電力量を低減させることができる。また、高周波電圧をパルス形態で断続的に供給することによって高周波電圧供給による蒸着不均一性を抑制させることができる。
【００３１】
以下、本発明の実施例による薄膜蒸着方法について図３及び図４を参照して説明する。図３は本発明の一実施例による薄膜蒸着方法を示すフローチャートである。図４は本発明の他の一実施例に薄膜蒸着方法を示すフローチャートである。
【００３２】
図３に示すように、本発明の一実施例による薄膜蒸着方法は、薄膜が蒸着される基板１３５を基板支持台１３０に装着し（３１０）、ヒータ１６０を利用して、基板支持台１３０を加熱して（３１５）、基板１３５の温度を工程に必要な温度まで上昇させる。本実施例において薄膜が蒸着される反応機内部の圧力は約２５０ｍｔｏｒｒ以下であることが好ましい。その後、気体流入口１１０を介して工程気体を流入する（３２０）。例えば、シリコン膜を形成するために、工程気体としてシラン（ＳｉＨ４）気体と水素（Ｈ２）気体を供給することができる。
【００３３】
工程気体のプラズマを発生するために、高周波のＶＨＦ電圧をパルス形態で断続的に印加し（３３０）、次いで低周波のＲＦ電圧を連続的に印加する（３４０）。このとき、ＲＦ電圧の周波数は約１３．５６ＭＨｚであり、ＶＨＦ電圧の周波数は約２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲である。また、超短波電圧供給においてオン／オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）の比であるデューティーサイクルは約２０％〜約９０％であり、パルス周波数は約１Ｈｚ〜約１００ｋＨｚであることが好ましい。また、高周波電圧印加時間と低周波電力電圧時間の比は５：９５〜９５：５の範囲で調節可能である。
【００３４】
その後、所望の厚さの薄膜が蒸着されると、ＲＦ電圧をオフし（３５０）、次いでＶＨＦ電圧をオフする（３６０）。次に、工程気体の注入も中止し（３７０）、基板１３５を反応器から取り出すことにより（３８０）薄膜蒸着工程が完了する。
【００３５】
以下、図４を参照して本発明の他の一実施例による薄膜蒸着方法について説明する。図４に示す蒸着方法は図３に示す蒸着方法とほぼ同様である。
【００３６】
まず、基板１３５を基板支持台１３０に装着し（４１０）、ヒータ１６０を利用して基板支持台１３０を加熱し（４２０）、気体流入口１１０を介して工程気体を流入し（４３０）、ＲＦ電圧とＶＨＦ電圧を印加する（４４０）。その後、所望の厚さの薄膜が蒸着されると、ＲＦ電圧とＶＨＦ電圧をオフして（４５０）工程気体注入を遮断する（４６０）。
【００３７】
しかし、本実施例による蒸着方法は、図３に示す蒸着方法とは異なり、ＲＦ電圧とＶＨＦ電圧を同時に印加する。このとき、ＲＦ電圧の周波数は約１３．５６ＭＨｚであり、ＶＨＦ電圧の周波数は約２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲である。また、超短波電圧供給は、パルス形態で断続的に供給し、超短波電圧供給時にＯＮ／ＯＦＦの比であるデューティーサイクルは約２０％〜約９０％であり、パルス周波数は約１Ｈｚ〜約１００ｋＨｚであることが好ましい。
【００３８】
本実施例による蒸着方法においては、ＲＦ電圧とＶＨＦ電圧を同時に印加し、また同時に遮断しており、高周波電圧印加時間と低周波電圧印加時間の比は約１：１である。
【００３９】
以下、本発明の実験例による本願発明の蒸着装置及び蒸着方法により蒸着された薄膜の膜特性について図５Ａ，図５Ｂ及び図６Ａ及び図６Ｂを参照して説明する。図５Ａ，図５Ｂは蒸着された薄膜の表面写真であり、図６Ａ及び図６Ｂは蒸着された薄膜のラマン分光（Ｒａｍａｎ Ｓｐｅｃｔｒａ）を示すグラフである。
【００４０】
この実験例では、約１３０ｍｔｏｒｒの反応器圧力下で約０．３ｍｍ厚さのガラス基板上に約５ｓｃｃｍの流量でシラン（ＳｉＨ４）を供給し、約２００ｓｃｃｍの流量で水素（Ｈ２）気体を供給しながら、６０ＭＨｚの高周波電圧を約１０００Ｗの電源を用いて供給してシリコン膜を蒸着した場合（図５Ａ及び図６Ａ）と、本発明の実施例のように、６０ＭＨｚの高周波電圧を約１０００Ｗの電源を用いてパルス形態で供給すると同時に、１３．５６ＭＨｚの低周波電圧を約２００Ｗの電源を用いて供給してシリコン膜を蒸着した場合（図５Ｂ及び図６Ｂ）に対して、それぞれ蒸着されたシリコン膜表面の写真を比較し、膜表面上の５つ地点（ｐｏｉｎｔ）でラマン分光を測定して、その結果をグラフで示した。
【００４１】
このとき、シリコン膜は、プラズマ強化化学気相蒸着法により蒸着し、（図５Ｂ及び図６Ｂ）の場合、高周波電圧のパルス周波数は１０ｋＨｚ、デューティサイクルは５０％であった。
【００４２】
図５Ａ，図５Ｂに示すように、既存の高周波電圧のみでシリコン膜を蒸着した場合（図５Ａ）蒸着されたシリコン膜は、表面が不均一で、波紋が発生した。これに対し、本発明の実施例によりパルス形態で断続的に供給される高周波電圧と共に連続的に供給される低周波電圧を同時に用いてシリコン膜を蒸着した場合（図５Ｂ）シリコン膜の表面が均一で、高さの差などが発生しなかった。
【００４３】
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、既存の高周波電圧のみを利用してシリコン膜を蒸着した場合（図６Ａ）蒸着されたシリコン膜のラマン分光値が本発明の実施例によりパルス形態で断続的に供給される高周波電圧と共に連続的に供給される低周波電圧を同時に用いてシリコン膜を蒸着した場合（図６Ｂ）蒸着されたシリコン膜のラマン分光値に比べてより大きいことが分かる。
【００４４】
具体的に、このようなラマン分光値を利用して、（図６Ａ）及び（図６Ｂ）に対して、粒子体積率（ｃｒｙｓｔａｌ ｖｏｌｕｍｅ ｆｒａｃｔｉｏｎ）を計算したが、既存の高周波電圧のみを利用してシリコン膜を蒸着した場合（図６Ａ）、粒子体積率は約４０％であり、本発明の実施例によりパルス形態の高周波電圧と共に連続的な低周波電圧を同時に用いてシリコン膜を蒸着した場合（図６Ｂ）、粒子体積率は約６８％である。このように、本発明の実施例によりパルス形態の高周波電圧と共に連続的な低周波電圧を同時に用いてシリコン膜を蒸着した場合、粒子体積率が高くてシリコン膜の粒子がより小さく、かつ均一に蒸着されることが分かる。
【００４５】
以下、本発明の他の実験例による本願発明の蒸着装置及び蒸着方法により蒸着された薄膜の膜特性について図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明する。図７Ａ及び図７Ｂは蒸着された薄膜の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００４６】
この実験例では、本発明の実施例による蒸着方法の蒸着条件の範囲を変更してそれぞれシリコン膜を蒸着した。約１３０ｍｔｏｒｒ反応器の圧力下で約５ｓｃｃｍの流量でシラン（ＳｉＨ４）を供給し、約２００ｓｃｃｍの流量で水素（Ｈ２）気体を供給しながら、６０ＭＨｚの高周波電圧を約１０００Ｗの電源を利用してパルス形態で断続的に供給すると同時に、１３．５６ＭＨｚの低周波電圧を約２００Ｗの電源を利用して連続的に供給してシリコン膜を蒸着した場合（図７Ａ）と、約２５０ｍｔｏｒｒ反応器の圧力下で約６０ｓｃｃｍの流量でシラン（ＳｉＨ４）を供給し、約７５０ｓｃｃｍの流量で水素（Ｈ２）気体を供給しながら、６０ＭＨｚの高周波電圧を約３０００Ｗの電源を利用してパルス形態で断続的に供給すると同時に、１３．５６ＭＨｚの低周波電圧を約１５０Ｗの電源を利用して連続的に供給してシリコン膜を蒸着した場合（図７Ｂ）とに分けてシリコン膜を蒸着した。その結果を走査電子顕微鏡写真で示した。
【００４７】
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、（図７Ａ）と（図７Ｂ）のシリコン膜はいずれも均一な表面状態を有し、粒子の大きさも非常に小さいことが分かった。また、（図７Ｂ）に比べて、（図７Ａ）のシリコン膜の粒子がさらに小さく、膜の表面もより均一であることが分かった。即ち、（図７Ａ）に比べて、（図７Ｂ）のように高周波電圧の電源が約１０００Ｗから約３０００Ｗに増加し、低周波電圧の電源が約２００Ｗから１５０Ｗ減少することにより、膜の均一性は多少減少したが、膜の厚さはより増加し、蒸着率が向上したことが分かる。
【００４８】
このように、本発明の実施例による薄膜蒸着方法は、連続的に供給される低周波電圧とパルス形態で断続的に供給される高周波電力の供給時間及び供給電源の大きさを調節することにより、所望の膜特性を有する薄膜を蒸着することができる。
【００４９】
以上、本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明の技術的範囲は上記の実施例には限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲で定義されている本発明の基本概念を利用して多様な変形及び改良が可能であろう。それらの変形及び改良形態も本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【符号の説明】
【００５０】
１００ 外壁
１１０ 気体流入管
１２０ 反応室壁
１３０ 基板支持台
１３５ 基板
１４０ プラズマ電極
１５０ プラズマ接続端子
１５１ 第１電圧部
１５２ 第２電圧部
１６０ ヒータ
１７０ 気体流出管
【技術分野】
【０００１】
本発明は蒸着装置に関し、より具体的には、プラズマ蒸着装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、太陽電池に使用されるシリコン膜はプラズマ強化化学気相蒸着法で蒸着される。このプラズマ強化化学気相蒸着法では、プラズマ発生時に低周波のＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電力を利用するか、高周波の超短波（ＶＨＦ：ｖｅｒｙ ｈｉｇｈ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電力を利用する。
【０００３】
しかし、低周波電力を利用してプラズマを発生させる場合、イオン密度が低く、蒸着率を向上させるためには高電力が要求される。また、高周波電力を利用してプラズマを発生させる場合、低周波電力を利用した場合に比べて、イオン密度が高くて低電力でも高い蒸着率を示し、短時間内に薄膜蒸着が可能であるが、蒸着均一度が低いという欠点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明の技術的課題は、高い蒸着均一度を維持しつつ蒸着率を向上させることができる蒸着装置及びこれを利用した薄膜蒸着方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施例による蒸着装置は、気体流入管と、プラズマ電極と、前記プラズマ電極の対応極（ｏｐｐｏｓｉｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）として利用され、基板が装着されている基板支持台と、前記プラズマ電極に接続されているプラズマ接続端子と、前記プラズマ接続端子に接続され、連続モードで電圧を印加する第１電圧印加部と、及び前記プラズマ接続端子に接続され、パルスモードで電圧を印加する第２電圧印加部とを有することを特徴とする。
【０００６】
前記第２電圧印加部は、約２０％〜約９０％のデューティサイクルで電圧を印加することができる。また、前記第２電圧印加部は、約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚのパルス周波数で電圧を印加することができる。
【０００７】
前記第１電圧印加部と前記第２電圧印加部が印加する電圧の周波数が互いに異なるように構成することができる。前記第１電圧印加部が印加する電圧は低周波電圧、前記第２電圧印加部が印加する電圧は高周波電圧とすることができる。
【０００８】
前記第２電圧印加部が印加する電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧とすることができる。
【０００９】
前記第１電圧印加部が印加する電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧とすることができる。
【００１０】
本発明の実施例による蒸着方法は、基板が装着されている反応器に工程気体を供給する段階と、前記反応器に連続モードで第１電圧を印加する段階と、及び前記反応器にパルスモードで第２電圧を印加する段階を含むことを特徴とする。
【００１１】
前記反応機内部圧力は２５０ｍｔｏｒｒ以下とすることができる。前記第１電圧印加後に、前記第２電圧を印加することができる。前記第１電圧と前記第２電圧は同時に印加することができる。前記第１電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧、前記第２電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧とすることができる。前記第２電圧は約２０％〜約９０％のデューティサイクルで印加することができる。
【００１２】
前記第２電圧は約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚのパルス周波数で印加することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の実施例によれば、プラズマ電極にパルス形態の高周波電力を供給すると同時に低周波電力を一緒に供給することにより、良好な膜形成均一性及び蒸着率で薄膜を蒸着することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例による蒸着装置を概略的に示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の実施例による電源供給部の電力出力波形図である。
【図２Ｂ】本発明の実施例による電源供給部の電力出力波形図である。
【図３】本発明の一実施例による薄膜蒸着方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の他の一実施例による薄膜蒸着方法を示すフローチャートである。
【図５Ａ】蒸着された薄膜の表面写真である。
【図５Ｂ】蒸着された薄膜の表面写真である。
【図６Ａ】蒸着された薄膜のラマン分光を示すグラフである。
【図６Ｂ】蒸着された薄膜のラマン分光を示すグラフである。
【図７Ａ】蒸着された薄膜の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図７Ｂ】蒸着された薄膜の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
添付の図面を用いて、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００１６】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の「上に」あるとするとき、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとするとき、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１７】
次に、本発明の実施例による蒸着装置について添付図を参照して詳細に説明する。
【００１８】
まず、図１を参照して本発明の実施例による蒸着装置について説明する。図１は本発明の実施例による蒸着装置を概略的に示す断面図である。図１に示すように、本発明の実施例による蒸着装置は、外壁１００、気体流入管１１０、反応室壁１２０、基板支持台１３０、基板支持台に装着される基板１３５、プラズマ電極１４０、プラズマ接続端子１５０、第１電圧部１５１及び第２電圧部１５２、ヒータ１６０、及び気体流出管１７０を有する。各構成要素についてより詳細に説明する。
【００１９】
蒸着装置の外壁１００は、反応室内部の熱が伝導して外部に流失することを防止する。
【００２０】
基板支持台１３０に蒸着の対象である基板１３５が配置されており、基板支持台１３０の下にはヒータ１６０が配置されている。ヒータ１６０は、基板１３５の温度を工程に必要な温度まで上昇させる役割をする。
【００２１】
反応室壁１２０と基板支持台１３０は、蒸着工程中に互いに密着して反応室を規定する。
【００２２】
プラズマ電極１４０には気体流入管１１０が挿入されており、プラズマ電極１４０にはプラズマ接続端子１５０が接続されている。本実施例では、１つの気体流入管１１０のみ図示したが、複数の気体流入管を備えて複数の気体流入管を介して互いに異なる工程気体をそれぞれ流入することもできる。
【００２３】
蒸着工程中に基板支持台１３０及び基板１３５は、プラズマ電極１４０の対応極として役割をする。図示されていないが、基板支持台１３０にも追加的なプラズマ接続端子（図示せず）を介して電力を供給することができる。
【００２４】
本発明の実施例による蒸着装置のプラズマ接続端子１５０には、第１電圧部１５１と第２電圧部１５２が接続されており、第１電圧部１５１を介して低周波のＲＦ電圧が印加され、第２電圧部１５２を介して高周波の超短波（ＶＨＦ）電圧が印加される。
【００２５】
気体流入管１１０を介して工程気体が流入し、第１電圧部１５１と第２電圧部１５２の電圧がプラズマ接続端子１５０を介してプラズマ電極１４０に印加されると、プラズマ電極１４０と基板支持台１３０の電圧差によって、反応室内に流入した工程気体がプラズマに変わり、基板１３５の上に蒸着されるようになる。
【００２６】
以下、本発明の実施例による蒸着装置の電源供給部について図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明する。図２Ａ及び図２Ｂは本発明の実施例による電圧供給部の電圧出力波形図である。図２Ａは第１電圧部１５１により供給されるＲＦ電圧の供給波形図を示し、図２Ｂは第２電圧部１５２により供給される超短波（ＶＨＦ）電圧の供給波形図を示す。
【００２７】
図２Ａに示すように、本発明の実施例による第１電圧部１５１は、低周波のＲＦ電圧を供給するが、供給時間中連続して供給する。即ち、第１電圧部１５１は、低周波のＲＦ電圧を連続モードで供給する。このとき、ＲＦ電力の周波数は約１３．５６ＭＨｚである。
【００２８】
図２Ｂに示すように、本発明の実施例による第２電圧部１５２は、高周波の超短波電圧を供給するが、一定の周期でＯＮ／ＯＦＦを反復するパルスモードで供給する。即ち、第２電圧部１５２は、高周波の超短波電圧を断続的に（ｏｆｆ−ａｎｄ−ｏｎ）供給する。このとき、ＶＨＦ電圧の周波数は約２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲である。超短波電圧供給においてＯＮ／ＯＦＦの比であるデューティサイクルは約２０％〜約９０％であり、パルス周波数は約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚであることが好ましい。
【００２９】
また、ＲＦ電圧とＶＨＦ電圧の供給比率は工程条件によって５：９５〜９５：５まで調節することができる。
【００３０】
このように、本発明の実施例による蒸着装置は、低周波電圧部と高周波電圧部を有して、パルス形態の断続的な高周波電圧と共に連続的な低周波電圧を同時に供給することにより低周波電圧による蒸着均一性を確保しながら、高周波電圧供給により蒸着率を向上させ、要求される電力量を低減させることができる。また、高周波電圧をパルス形態で断続的に供給することによって高周波電圧供給による蒸着不均一性を抑制させることができる。
【００３１】
以下、本発明の実施例による薄膜蒸着方法について図３及び図４を参照して説明する。図３は本発明の一実施例による薄膜蒸着方法を示すフローチャートである。図４は本発明の他の一実施例に薄膜蒸着方法を示すフローチャートである。
【００３２】
図３に示すように、本発明の一実施例による薄膜蒸着方法は、薄膜が蒸着される基板１３５を基板支持台１３０に装着し（３１０）、ヒータ１６０を利用して、基板支持台１３０を加熱して（３１５）、基板１３５の温度を工程に必要な温度まで上昇させる。本実施例において薄膜が蒸着される反応機内部の圧力は約２５０ｍｔｏｒｒ以下であることが好ましい。その後、気体流入口１１０を介して工程気体を流入する（３２０）。例えば、シリコン膜を形成するために、工程気体としてシラン（ＳｉＨ４）気体と水素（Ｈ２）気体を供給することができる。
【００３３】
工程気体のプラズマを発生するために、高周波のＶＨＦ電圧をパルス形態で断続的に印加し（３３０）、次いで低周波のＲＦ電圧を連続的に印加する（３４０）。このとき、ＲＦ電圧の周波数は約１３．５６ＭＨｚであり、ＶＨＦ電圧の周波数は約２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲である。また、超短波電圧供給においてオン／オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）の比であるデューティーサイクルは約２０％〜約９０％であり、パルス周波数は約１Ｈｚ〜約１００ｋＨｚであることが好ましい。また、高周波電圧印加時間と低周波電力電圧時間の比は５：９５〜９５：５の範囲で調節可能である。
【００３４】
その後、所望の厚さの薄膜が蒸着されると、ＲＦ電圧をオフし（３５０）、次いでＶＨＦ電圧をオフする（３６０）。次に、工程気体の注入も中止し（３７０）、基板１３５を反応器から取り出すことにより（３８０）薄膜蒸着工程が完了する。
【００３５】
以下、図４を参照して本発明の他の一実施例による薄膜蒸着方法について説明する。図４に示す蒸着方法は図３に示す蒸着方法とほぼ同様である。
【００３６】
まず、基板１３５を基板支持台１３０に装着し（４１０）、ヒータ１６０を利用して基板支持台１３０を加熱し（４２０）、気体流入口１１０を介して工程気体を流入し（４３０）、ＲＦ電圧とＶＨＦ電圧を印加する（４４０）。その後、所望の厚さの薄膜が蒸着されると、ＲＦ電圧とＶＨＦ電圧をオフして（４５０）工程気体注入を遮断する（４６０）。
【００３７】
しかし、本実施例による蒸着方法は、図３に示す蒸着方法とは異なり、ＲＦ電圧とＶＨＦ電圧を同時に印加する。このとき、ＲＦ電圧の周波数は約１３．５６ＭＨｚであり、ＶＨＦ電圧の周波数は約２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲である。また、超短波電圧供給は、パルス形態で断続的に供給し、超短波電圧供給時にＯＮ／ＯＦＦの比であるデューティーサイクルは約２０％〜約９０％であり、パルス周波数は約１Ｈｚ〜約１００ｋＨｚであることが好ましい。
【００３８】
本実施例による蒸着方法においては、ＲＦ電圧とＶＨＦ電圧を同時に印加し、また同時に遮断しており、高周波電圧印加時間と低周波電圧印加時間の比は約１：１である。
【００３９】
以下、本発明の実験例による本願発明の蒸着装置及び蒸着方法により蒸着された薄膜の膜特性について図５Ａ，図５Ｂ及び図６Ａ及び図６Ｂを参照して説明する。図５Ａ，図５Ｂは蒸着された薄膜の表面写真であり、図６Ａ及び図６Ｂは蒸着された薄膜のラマン分光（Ｒａｍａｎ Ｓｐｅｃｔｒａ）を示すグラフである。
【００４０】
この実験例では、約１３０ｍｔｏｒｒの反応器圧力下で約０．３ｍｍ厚さのガラス基板上に約５ｓｃｃｍの流量でシラン（ＳｉＨ４）を供給し、約２００ｓｃｃｍの流量で水素（Ｈ２）気体を供給しながら、６０ＭＨｚの高周波電圧を約１０００Ｗの電源を用いて供給してシリコン膜を蒸着した場合（図５Ａ及び図６Ａ）と、本発明の実施例のように、６０ＭＨｚの高周波電圧を約１０００Ｗの電源を用いてパルス形態で供給すると同時に、１３．５６ＭＨｚの低周波電圧を約２００Ｗの電源を用いて供給してシリコン膜を蒸着した場合（図５Ｂ及び図６Ｂ）に対して、それぞれ蒸着されたシリコン膜表面の写真を比較し、膜表面上の５つ地点（ｐｏｉｎｔ）でラマン分光を測定して、その結果をグラフで示した。
【００４１】
このとき、シリコン膜は、プラズマ強化化学気相蒸着法により蒸着し、（図５Ｂ及び図６Ｂ）の場合、高周波電圧のパルス周波数は１０ｋＨｚ、デューティサイクルは５０％であった。
【００４２】
図５Ａ，図５Ｂに示すように、既存の高周波電圧のみでシリコン膜を蒸着した場合（図５Ａ）蒸着されたシリコン膜は、表面が不均一で、波紋が発生した。これに対し、本発明の実施例によりパルス形態で断続的に供給される高周波電圧と共に連続的に供給される低周波電圧を同時に用いてシリコン膜を蒸着した場合（図５Ｂ）シリコン膜の表面が均一で、高さの差などが発生しなかった。
【００４３】
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、既存の高周波電圧のみを利用してシリコン膜を蒸着した場合（図６Ａ）蒸着されたシリコン膜のラマン分光値が本発明の実施例によりパルス形態で断続的に供給される高周波電圧と共に連続的に供給される低周波電圧を同時に用いてシリコン膜を蒸着した場合（図６Ｂ）蒸着されたシリコン膜のラマン分光値に比べてより大きいことが分かる。
【００４４】
具体的に、このようなラマン分光値を利用して、（図６Ａ）及び（図６Ｂ）に対して、粒子体積率（ｃｒｙｓｔａｌ ｖｏｌｕｍｅ ｆｒａｃｔｉｏｎ）を計算したが、既存の高周波電圧のみを利用してシリコン膜を蒸着した場合（図６Ａ）、粒子体積率は約４０％であり、本発明の実施例によりパルス形態の高周波電圧と共に連続的な低周波電圧を同時に用いてシリコン膜を蒸着した場合（図６Ｂ）、粒子体積率は約６８％である。このように、本発明の実施例によりパルス形態の高周波電圧と共に連続的な低周波電圧を同時に用いてシリコン膜を蒸着した場合、粒子体積率が高くてシリコン膜の粒子がより小さく、かつ均一に蒸着されることが分かる。
【００４５】
以下、本発明の他の実験例による本願発明の蒸着装置及び蒸着方法により蒸着された薄膜の膜特性について図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明する。図７Ａ及び図７Ｂは蒸着された薄膜の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００４６】
この実験例では、本発明の実施例による蒸着方法の蒸着条件の範囲を変更してそれぞれシリコン膜を蒸着した。約１３０ｍｔｏｒｒ反応器の圧力下で約５ｓｃｃｍの流量でシラン（ＳｉＨ４）を供給し、約２００ｓｃｃｍの流量で水素（Ｈ２）気体を供給しながら、６０ＭＨｚの高周波電圧を約１０００Ｗの電源を利用してパルス形態で断続的に供給すると同時に、１３．５６ＭＨｚの低周波電圧を約２００Ｗの電源を利用して連続的に供給してシリコン膜を蒸着した場合（図７Ａ）と、約２５０ｍｔｏｒｒ反応器の圧力下で約６０ｓｃｃｍの流量でシラン（ＳｉＨ４）を供給し、約７５０ｓｃｃｍの流量で水素（Ｈ２）気体を供給しながら、６０ＭＨｚの高周波電圧を約３０００Ｗの電源を利用してパルス形態で断続的に供給すると同時に、１３．５６ＭＨｚの低周波電圧を約１５０Ｗの電源を利用して連続的に供給してシリコン膜を蒸着した場合（図７Ｂ）とに分けてシリコン膜を蒸着した。その結果を走査電子顕微鏡写真で示した。
【００４７】
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、（図７Ａ）と（図７Ｂ）のシリコン膜はいずれも均一な表面状態を有し、粒子の大きさも非常に小さいことが分かった。また、（図７Ｂ）に比べて、（図７Ａ）のシリコン膜の粒子がさらに小さく、膜の表面もより均一であることが分かった。即ち、（図７Ａ）に比べて、（図７Ｂ）のように高周波電圧の電源が約１０００Ｗから約３０００Ｗに増加し、低周波電圧の電源が約２００Ｗから１５０Ｗ減少することにより、膜の均一性は多少減少したが、膜の厚さはより増加し、蒸着率が向上したことが分かる。
【００４８】
このように、本発明の実施例による薄膜蒸着方法は、連続的に供給される低周波電圧とパルス形態で断続的に供給される高周波電力の供給時間及び供給電源の大きさを調節することにより、所望の膜特性を有する薄膜を蒸着することができる。
【００４９】
以上、本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明の技術的範囲は上記の実施例には限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲で定義されている本発明の基本概念を利用して多様な変形及び改良が可能であろう。それらの変形及び改良形態も本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【符号の説明】
【００５０】
１００ 外壁
１１０ 気体流入管
１２０ 反応室壁
１３０ 基板支持台
１３５ 基板
１４０ プラズマ電極
１５０ プラズマ接続端子
１５１ 第１電圧部
１５２ 第２電圧部
１６０ ヒータ
１７０ 気体流出管
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体流入管と、プラズマ電極と、前記プラズマ電極の対応極として利用され、基板が装着される基板支持台と、前記プラズマ電極に接続されているプラズマ接続端子と、前記プラズマ接続端子に接続され、連続モードで電圧を印加する第１電圧印加部と、及び前記プラズマ接続端子に接続され、パルスモードで電圧を印加する第２電圧印加部と、を有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記第２電圧印加部は、約２０％〜約９０％のデューティサイクルで電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記第２電圧印加部は、約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚのパルス周波数で電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記第１電圧印加部と前記第２電圧印加部が印加する電圧の周波数が互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記第１電圧印加部が印加する電圧は低周波電圧であることを特徴とする請求項４に記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記第２電圧印加部が印加する電圧は高周波電圧であることを特徴とする請求項５に記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記第２電圧印加部が印加する電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧であることを特徴とする請求項６に記載の蒸着装置。
【請求項８】
前記第１電圧印加部が印加する電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧であり、前記第２電圧印加部が印加する電圧はＶＨＦ電圧であることを特徴とする請求項６に記載の蒸着装置。
【請求項９】
前記第２電圧印加部が印加する電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧であることを特徴とする請求項８に記載の蒸着装置。
【請求項１０】
基板が装着されている反応器に工程気体を供給する段階と、
前記反応器に連続モードで第１電圧を印加する段階と、
前記反応器にパルスモードで第２電圧を印加する段階とを含むことを特徴とする蒸着方法。
【請求項１１】
前記反応機の内部圧力は２５０ｍｔｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項１０に記載の蒸着方法。
【請求項１２】
前記第１電圧は低周波電圧であり、前記第２電圧は高周波電圧であることを特徴とする請求項１１に記載の蒸着方法。
【請求項１３】
前記第１電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧であり、前記第２電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧であることを特徴とする請求項１２に記載の蒸着方法。
【請求項１４】
前記第２電圧は約２０％〜約９０％のデューティサイクルで印加することを特徴とする請求項１０に記載の蒸着方法。
【請求項１５】
前記第２電圧は約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚのパルス周波数で印加することを特徴とする請求項１０に記載の蒸着方法。
【請求項１６】
前記第１電圧印加後に、前記第２電圧を印加することを特徴とする請求項１０に記載の蒸着方法。
【請求項１７】
前記第１電圧は低周波電圧であり、前記第２電圧は高周波電圧であることを特徴とする請求項１６に記載の蒸着方法。
【請求項１８】
前記第１電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧であり、前記第２電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧であることを特徴とする請求項１７に記載の蒸着方法。
【請求項１９】
前記第２電圧は約２０％〜約９０％のデューティサイクルで印加することを特徴とする請求項１８に記載の蒸着方法。
【請求項２０】
前記第２電圧は約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚのパルス周波数で印加することを特徴とする請求項１８に記載の蒸着方法。
【請求項１】
気体流入管と、プラズマ電極と、前記プラズマ電極の対応極として利用され、基板が装着される基板支持台と、前記プラズマ電極に接続されているプラズマ接続端子と、前記プラズマ接続端子に接続され、連続モードで電圧を印加する第１電圧印加部と、及び前記プラズマ接続端子に接続され、パルスモードで電圧を印加する第２電圧印加部と、を有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記第２電圧印加部は、約２０％〜約９０％のデューティサイクルで電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記第２電圧印加部は、約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚのパルス周波数で電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記第１電圧印加部と前記第２電圧印加部が印加する電圧の周波数が互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記第１電圧印加部が印加する電圧は低周波電圧であることを特徴とする請求項４に記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記第２電圧印加部が印加する電圧は高周波電圧であることを特徴とする請求項５に記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記第２電圧印加部が印加する電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧であることを特徴とする請求項６に記載の蒸着装置。
【請求項８】
前記第１電圧印加部が印加する電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧であり、前記第２電圧印加部が印加する電圧はＶＨＦ電圧であることを特徴とする請求項６に記載の蒸着装置。
【請求項９】
前記第２電圧印加部が印加する電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧であることを特徴とする請求項８に記載の蒸着装置。
【請求項１０】
基板が装着されている反応器に工程気体を供給する段階と、
前記反応器に連続モードで第１電圧を印加する段階と、
前記反応器にパルスモードで第２電圧を印加する段階とを含むことを特徴とする蒸着方法。
【請求項１１】
前記反応機の内部圧力は２５０ｍｔｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項１０に記載の蒸着方法。
【請求項１２】
前記第１電圧は低周波電圧であり、前記第２電圧は高周波電圧であることを特徴とする請求項１１に記載の蒸着方法。
【請求項１３】
前記第１電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧であり、前記第２電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧であることを特徴とする請求項１２に記載の蒸着方法。
【請求項１４】
前記第２電圧は約２０％〜約９０％のデューティサイクルで印加することを特徴とする請求項１０に記載の蒸着方法。
【請求項１５】
前記第２電圧は約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚのパルス周波数で印加することを特徴とする請求項１０に記載の蒸着方法。
【請求項１６】
前記第１電圧印加後に、前記第２電圧を印加することを特徴とする請求項１０に記載の蒸着方法。
【請求項１７】
前記第１電圧は低周波電圧であり、前記第２電圧は高周波電圧であることを特徴とする請求項１６に記載の蒸着方法。
【請求項１８】
前記第１電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧であり、前記第２電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧であることを特徴とする請求項１７に記載の蒸着方法。
【請求項１９】
前記第２電圧は約２０％〜約９０％のデューティサイクルで印加することを特徴とする請求項１８に記載の蒸着方法。
【請求項２０】
前記第２電圧は約１Ｈｚ〜約１００Ｈｚのパルス周波数で印加することを特徴とする請求項１８に記載の蒸着方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【公開番号】特開２０１０−１８８８２（Ｐ２０１０−１８８８２Ａ）
【公開日】平成２２年１月２８日（２０１０．１．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１０６８７６（Ｐ２００９−１０６８７６）
【出願日】平成２１年４月２４日（２００９．４．２４）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１月２８日（２０１０．１．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月２４日（２００９．４．２４）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]