表示パネル
【課題】ＬＴＰＳパネルにおいて、ＲＧＢスイッチ機能がないドライバを用いようとする場合、ドライバ設置領域にＱＤ点灯検査回路を配置しようとしても、検査用トランジスタの幅を十分にとることができず、ＱＤ点灯検査を適切に行うことができない。
【解決手段】隣接する少なくとも１以上のトランジスタ毎に千鳥配置された複数のトランジスタを、ゲートメタルが複数のポリシリコン膜を横切ることにより形成し、前記複数のトランジスタを形成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅を、前記コンタクトと接続する部分よりも広く形成する。
【解決手段】隣接する少なくとも１以上のトランジスタ毎に千鳥配置された複数のトランジスタを、ゲートメタルが複数のポリシリコン膜を横切ることにより形成し、前記複数のトランジスタを形成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅を、前記コンタクトと接続する部分よりも広く形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルに関するものであり、特には、不良検出用検査用回路を備えた表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
表示パネルとして、薄膜トランジスタを用いた液晶表示パネルが知られており、テレビ、パソコン用のディスプレイ、携帯電話等に広く用いられている。
【０００３】
一般に、液晶表示パネルには、複数の画素が形成された表示領域があり、当該表示領域を囲んで周辺領域が形成される。近年表示領域が大きくなるにつれて、周辺領域が狭くなり、周辺領域に、液晶表示パネルを点灯させて検査するための検査端子を設けるスペースを確保することが困難となっている。そのため、この液晶表示パネルの不良検出方法として、疑似ダイナミック点灯検査（以下、ＱＤ点灯検査という。）が用いられている（下記特許文献１、及び特許文献２参照）。ＱＤ点灯検査によれば液晶表示パネルに検査用回路を設けることにより検査端子の個数を減らすことができる。
【０００４】
図９は、従来技術における表示パネルの概略図である。当該表示パネルに設置される液晶駆動用ドライバ（以下、ドライバという）にはＲＧＢスイッチ機能がない。なお、ドレイン線以外の回路については省略されている。
【０００５】
図９に示すように、表示パネル９００は、画素領域９０１及び検査用トランジスタ９０２が設けられた画素領域部９０３と、ドライバが設置されるドライバ設置領域９０４及び各ＲＧＢドレイン線検査用端子９０５、９０６、９０７が設けられたドライバ領域部９８０を有する。
【０００６】
検査用トランジスタ９０２は、画素領域９０１からみてドライバ設置領域９０４と反対側の画素領域部９０３に設けられる。また、各検査用トランジスタ９０２は、画素領域９０１の各画素のＲＧＢに対応してそれぞれ設けられ、検査用トランジスタ９０２のドレインは、画素領域９０１の各画素のＲＧＢに応じて、Ｒ検査用配線９０８、Ｇ検査用配線９０９、Ｂ検査用配線９１０に接続される。更に、各ＲＧＢ検査用配線９０８、９０９、９１０は、ドライバ領域部９８０に設けられた各ＲＧＢドレイン線検査用端子９０５、９０６、９０７に接続される。各検査用トランジスタ９０２のゲートは、ゲート配線９１１を介して、ドライバ領域部９８０に設けられたゲート線端子９１２に接続される。また、各検査用トランジスタ９０２のソースは、画素領域９０１を介してドライバ設置領域９０４に配線される。
【０００７】
この場合、ドライバ設置領域９０４から画素領域９０１までの配線については、断線やショートが検出できないという問題がある。
【０００８】
そこで、図１０に示すように、ドライバにＲＧＢスイッチ機能がある場合において、検査用回路をドライバ設置領域に設ける構成が知られている。なお、ドレイン線以外の回路については省略されている。
【０００９】
図１０に示すように、表示パネル９６０には、ドライバを設置するドライバ設置領域９０４と画素領域９０１の間の画素領域部９０３に、ＲＧＢスイッチ９２０が設けられる。また、ＲＧＢスイッチ用端子９２１、９２２、９２３はそれぞれ、ドライバ領域部９８０に設けられる。
【００１０】
ＲＧＢスイッチ９２０のソースは画素領域９０１のＲＧＢいずれかの画素にそれぞれ接続される。各ＲＧＢスイッチのゲートは、それぞれ対応する画素領域９０１のＲＧＢ画素毎に、ＲＧＢスイッチ用端子９２１、９２２、９２３に各ＲＧＢスイッチゲート用配線９７１、９７２、９７３を介して接続される。ＲＧＢスイッチ９２０のドレインは、３のトランジスタから構成されるＲＧＢスイッチ９２０が、並列に接続された後、各検査用トランジスタ９３０のソースに配線される。さらに、各検査用トランジスタ９３０のドレインには、ドレイン線検査用配線９４０を介してドレイン線検査用端子９４１が接続され、各検査用トランジスタ９３０のゲートには、ゲート配線９５０を介してゲート線端子９５１が接続される。
【００１１】
この場合、図９の場合と比較して、ＲＧＢスイッチ９２０により切り替えてＱＤ点灯検査を行うことが可能なため、検査用トランジスタ９３０の個数を３分の１に減らすことができ、検査用トランジスタ９３０を含む検査用回路の領域を広く確保することができる。その結果、ドライバの出力端子が高精細になった場合であっても、所望の検査用トランジスタの幅を確保することができる。また、ドライバの各出力端子から、画素領域までの配線についての断線やショートについても検出できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００４−１０１８６３号公報
【特許文献２】特開２００１−３２４７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、ＬＴＰＳ−ＴＦＴパネルにおいて、ＲＧＢスイッチ機能がないドライバを用いようとする場合、単にドライバ設置領域にＱＤ点灯検査回路を配置しようとしても、検査用トランジスタの幅を十分にとることができず、ＱＤ点灯検査を適切に行うことができないという問題がある。下記に、単に検査用トランジスタを一列に並んで形成した検査回路の概略図である図１１の例を用いて説明する。
【００１４】
図１１に示すように、ドライバの出力端子が接続されるドライバのパッド１４０は、例えば、一列に整列されたパッド接続コンタクト１５０に、金属配線１５１で接続される。また、当該パッド接続コンタクト１５０に対向する位置に、検査配線接続コンタクト１６０が配置される。各パッド接続コンタクト１５０及び検査配線接続コンタクト１６０は、それぞれポリシリコン膜１２０で接続され、１本のゲートメタル１３０が各ポリシリコン膜１２０を横切ることにより、一列に並んだ検査用トランジスタ１１０が形成される。
【００１５】
ここで、ポリシリコン膜１２０はポリシリコン層に形成され、ゲートメタル１３０はポリシリコン層とは異なるゲートメタル層に形成される。また、各ＲＧＢ検査用配線１８１、１８２、１８３は、金属配線１８４、ゲートメタル１３０と同層のゲート配線１８５、コンタクト１８６等を用いて、対応する各検査配線接続コンタクト１６０に接続されている。
【００１６】
図１１の構成の場合、各検査用トランジスタ１１０は、ゲートメタル１３０が各ポリシリコン膜１２０を横切るように配置されることにより、形成される。なお、トランジスタの形成や各層の詳細については、下記に説明する実施の形態の場合と同様であるので省略する。
【００１７】
この場合、パッド接続コンタクト１５０の幅は、ドライバの出力端子が接続されるパッド１４０の間隔によって制限され、各検査用トランジスタ１１０の幅は、各パッド接続コンタクト１５０の幅に限定される。つまり、ドライバ出力端子の間隔によって検査用トランジスタの幅１１０の幅が制限される。
【００１８】
したがって、出力端子の間隔が非常に狭い高精細なドライバを用いる場合には、十分な検査用トランジスタ１１０の幅を確保することができないという問題がある。具体的には、例えば、図１１の構成を採用する場合、ドライバの出力端子のピッチが１５μｍの場合であると、上記理由やポリシリコンの特性やポリシリコン層の製法上等の理由から、各検査用トランジスタの幅は１０μｍしか確保できない。ＱＤ点灯検査において、表示パネルを適切に点灯させて検査する場合には、トランジスタの幅は１３μｍ以上が必要であり、問題となる。
【００１９】
そこで、本発明は、上記の課題を鏡みて、ＲＧＢスイッチ機能がない高精細なドライバを用いる場合において、ドライバの出力端子間の間隔が非常に狭い場合においても、所望の検査用トランジスタの幅を確保した検査用回路を備えた表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
（１）本発明にかかる表示パネルは、ドライバを設置する複数のパッドと、前記複数のパッドとそれぞれ接続された複数の第１のコンタクトと、前記複数の第１のコンタクトと対向して設置された複数の第２のコンタクトと、前記複数の第１及び第２のコンタクト間をそれぞれ延伸し接続する複数のポリシリコン膜を形成するポリシリコン層と、少なくとも１本のゲートメタルを形成する、前記ポリシリコン層とは異なるゲートメタル層とを有し、前記ゲートメタル層は、隣接する少なくとも１以上のトランジスタ毎に千鳥配置された複数のトランジスタを、前記複数のポリシリコン膜を横切ることにより形成し、前記複数のトランジスタを形成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅は、前記コンタクトと接続する部分よりも広いことを特徴とする。これにより、ＲＧＢスイッチがなく、かつ、出力端子間の間隔が非常に狭い高精細なドライバを実装するための表示パネルにおいて、所望の検査用トランジスタの幅を確保した検査用トランジスタを備えることができる。
【００２１】
（２）上記（１）記載の表示パネルであって、前記複数のトランジスタは、隣接する２以上のトランジスタからなる複数のトランジスタ列を含み、前記複数のトランジスタ列が、千鳥配置されていることを特徴とする。
【００２２】
（３）上記（２）記載の表示パネルであって、前記複数のトランジスタ列は、それぞれ４以下のトランジスタを有することを特徴とする。
【００２３】
（４）上記（２）記載の表示パネルであって、前記複数のトランジスタ列は、前記複数の第１のコンタクト側から前記複数の第２のコンタクト側をみて、互いに重なっている部分を有することを特徴とする。
【００２４】
（５）上記（２）記載の表示パネルであって、前記複数のトランジスタ列の間に配置された各ポリシリコン膜の幅は、前記複数のトランジスタを構成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅よりも狭いことを特徴とする。
【００２５】
（６）上記（１）記載の表示パネルであって、前記ゲートメタル層は、２本のゲートメタルを有し、前記複数のトランジスタは、１のトランジスタ毎に千鳥配置されていることを特徴とする。
【００２６】
（７）上記（６）記載の表示パネルであって、前記複数の第１及び第２のコンタクトは、前記複数のパッドの配列方向に、千鳥配置されていることを特徴とする。
【００２７】
（８）上記（７）記載の表示パネルであって、前記複数の第１及び第２のコンタクトは、前記２本のゲートメタルの間において、一列に並ぶコンタクト列を形成することを特徴とする。
【００２８】
（９）上記（７）記載の表示パネルであって、前記表示パネルは、更に、前記ポリシリコン層及びゲートメタルとは異なる層に形成された金属配線層に複数の金属配線を有し、前記複数の金属配線は、前記複数の第１及び第２のコンタクトとそれぞれ接続され、前記金属配線の幅は、前記複数の第１及び第２のコンタクトの幅よりも狭いことを特徴とする。
【００２９】
（１０）上記（８）記載の表示パネルであって、前記ゲートメタルは、前記コンタクト列を形成する前記複数の第１及び第２のコンタクトに接続された前記複数の金属配線を、横切ることを特徴とする。
【００３０】
（１１）上記（１）記載の表示パネルであって、前記複数のトランジスタを形成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅は、前記複数の第１及び第２のコンタクトの幅よりも広いことを特徴とする。
【００３１】
（１２）上記（１）記載の表示パネルであって、前記ポリシリコン層と前記ゲートメタル層の間に絶縁層を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
ＲＧＢスイッチ機能がなく、かつ、出力端子間の間隔が非常に狭い高精細なドライバを実装するための表示パネルにおいて、所望の検査用トランジスタの幅を確保した検査用トランジスタを備えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本実施の形態における液晶表示装置の概略図を示す図である。
【図２】本実施の形態における液晶表示パネルの概略図を示す図である。
【図３】本実施の形態における液晶表示パネルのＱＤ点灯用検査回路の概略図を示す図である。
【図４】図３のIV−IV断面を拡大した図である。
【図５】図３のV−V断面を拡大した図である。
【図６】本実施の形態における液晶表示パネルのＱＤ点灯用検査回路の変形例を示す図である。
【図７】図６のVII−VII断面を拡大した図である。
【図８】図６のVIII−VIII断面を拡大した図である。
【図９】従来の表示パネルの概略図を示す。
【図１０】従来の表示パネルの概略図を示す。
【図１１】本発明の課題を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明の実施形態における表示パネルは、例えば、ＬＴＰＳ―ＴＦＴ液晶表示パネルのドライバ設置領域に検査用回路を設置したものであって、設置されるドライバにはＲＧＢスイッチ機能がない。
【００３５】
図１は、本発明の実施形態にかかる液晶表示装置の概略構成を示すブロック図である。図１に示すように、本実施形態にかかる液晶表示装置は、画素電極、薄膜トランジスタ等が設けられたＴＦＴ基板１０１と、カラーフィルタ等が形成される対向基板１０２を有する。ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２は、両基板の額縁領域に枠状に設けたシール材により、貼り合わされている。そして、シール材の一部に設けた液晶封入口から両基板間のシール材の内側に液晶が封入、封止され、さらに、両基板の外側に偏光板が貼り付けられて構成される。つまり、液晶が一対の基板の間に挟まれた構造となっている。
【００３６】
ＴＦＴ基板１０１は、対向基板１０２よりも大きな面積を有し、ＴＦＴ基板１０１の対向基板１０２と重ならない領域１０５には、薄膜トランジスタを駆動するドライバ１０３が実装される。また、ドライバ１０３に対して対向基板１０２に対して反対側の当該領域１０５には、フレキシブル配線基板１０４が配置される。
【００３７】
なお、本実施の形態ではドライバ１０３により液晶表示装置を駆動する例を示しているが、駆動回路を、薄膜トランジスタ等を用いてＴＦＴ基板１０１に形成してもよい。また、カラーフィルタは対向基板１０２ではなくＴＦＴ基板１０１に設けてもよい。更に、フィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置であれば、カラーフィルタは不要であり、ＲＧＢ３色の光源が用いられる。また、対向電極は、ＴＮ方式やＶＡ方式の場合は、対向基板１０２に設けられ、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の場合は、ＴＦＴ基板１０１に設けられる。
【００３８】
図２は、ドライバにＲＧＢスイッチ機能がない場合において、ドライバ設置領域に検査用トランジスタを配置した表示パネルの概略図であって、図１に示したＴＦＴ基板１０１にドライバが設置される前の状態を示すものである。図２に示すように、表示パネル２００は、画素領域２０１とその周辺部分である周辺領域２０２を含む画素領域部２０３と、ドライバが設置されるドライバ設置領域２０４等を含むドライバ領域部２０５を有する。ここで、ドライバ設置領域２０４とは、ＱＤ点灯検査後にドライバが設置される領域をいう。
【００３９】
ドライバ設置領域２０４には、複数の検査用トランジスタ２０６が、画素領域２０１の各ＲＧＢ画素に対応して順次配置される。各検査用トランジスタ２０６のソースは、各ソース用配線２１０、２１１、２１２によって、画素領域２０１の各ＲＧＢ画素に接続される。各検査用トランジスタ２０６のドレインは、Ｒ検査用配線２０７、Ｇ検査用配線２０８、Ｂ検査用配線２０９を介して、各ＲＧＢドレイン線検査用端子２１３、２１４、２１５に接続される。各検査用トランジスタのゲートは、ゲート配線２１６を通じて、ゲート端子２１７に接続される。
【００４０】
なお、図２においては、検査用トランジスタ２０６に近い方からＲ検査用配線２０７、Ｇ検査用配線２０８、Ｂ検査用配線２０９の順に配置されているが、異なる順序であってもよい。また、図２に示した各検査用トランジスタ２０６の配置は概略的に示したものであって、それに限定されるものではなく、各検査用トランジスタ２０６の詳細な配置については、後に説明する。
【００４１】
上記のような構成の表示パネル２００は、例えば、次のように検査される。各ＲＧＢ検査用端子２１３、２１４、２１５とゲート端子２１７に所定の形式で所定の電圧を与え、表示パネル２００の表示状態を観察することにより、各色映像線の断線や隣接する映像線間の短絡（ショート）を検査することができる。
【００４２】
図３は、隣接する３のトランジスタ群が千鳥配置された検査用回路を示した概略図であって、図２の検査用トランジスタ２０６周辺を拡大した概略図である。図４は、図３のIV−IV断面の拡大図であり、また、図５は、図３のV―V断面の拡大図である。図３乃至５に示すように、検査用トランジスタ等からなる検査用回路は、ゲートメタル層３０１、ポリシリコン層３０２、ＳＤメタル層３０３、絶縁層５０１、５０２、５０３から構成され、下記に説明するポリシリコン膜３５０は、ポリシリコン層３０２に形成され、ゲートメタル配線３９０は、ゲートメタル層３０１に形成される。また、パッド接続コンタクト３１０、検査配線接続コンタクト３２０、コンタクト４０１、４０４等、各ＲＧＢ検査用配線３６０、３６１、３６２、及び、当該パッド接続コンタクト３１０等を接続する金属配線３４０、４００、４０２、４０６等はＳＤメタル層３０３に形成される。
【００４３】
図３に示すように、表示パネル２００のドライバ設置領域２０４に、ドライバ１０３の各出力端子を受けるパッド３３０が形成される。パッド３３０は、それぞれ金属配線３４０を介して、パッド接続コンタクト３１０に接続される。また、当該パッド接続コンタクト３１０と対向する位置に、検査配線接続コンタクト３２０が形成される。更に、各検査配線接続コンタクト３２０は、図３の左から順に、各ＲＧＢ検査用配線３６０、３６１、３６２に接続される。
【００４４】
Ｒ検査用配線３６０、Ｇ検査用配線３６１、Ｂ検査用配線３６２は、検査配線接続コンタクト３２０に近い方から順に、検査配線接続コンタクト３２０に並行に配置される。検査配線接続コンタクト３２０のうち、図３の左から１つ目の検査配線接続コンタクト３２１は、金属配線４００を介して、Ｒ検査用配線３６０に接続される。
【００４５】
２つ目の検査配線接続コンタクト３２２は、隣接するコンタクト４０１に金属配線４０２を介して接続された後、ゲートメタル層に形成されてＲ検査用配線３６０と絶縁状態で交差する配線横断線４０３と、Ｇ検査用配線３６１に形成されたコンタクト４０４とを介して、Ｇ検査用配線３６１に接続される。
【００４６】
３つ目の検査配線接続コンタクト３２３は、２つ目の検査配線接続コンタクト３２２と同様に、隣接するコンタクト４０５に金属配線４０６を介して接続された後、ゲートメタル層に形成されてＲ検査用配線３６０および検査用配線３６１と絶縁状態で交差する配線横断線４０７とＢ検査用配線３６２に形成されたコンタクト４０８とを介して、Ｂ検査用配線３６２に接続される。以下、同様に４つ目以降の検査配線接続コンタクト３２０は、各ＲＧＢ検査用配線３６０、３６１、３６２に、順に接続される。
【００４７】
なお、各ＲＧＢ検査用配線３６０、３６１、３６２の位置や検査配線接続コンタクト３２０は例示であって、各検査配線接続コンタクト３２０に適切に各ＲＧＢ検査用配線３６０、３６１、３６２が接続される限り、上記に限定されるものではない。また、パッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０の数は、図３記載の数に限定されるものではない。更に、パッド３３０の位置は、ドライバ１０３の出力端子の形状に応じてその位置は変化し得る。
【００４８】
各パッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０の間は、ポリシリコン層３０２に形成されたポリシリコン膜３５０で接続される。各ポリシリコン膜３５０は、その一部に検査用トランジスタ４１０が形成されるトランジスタ形成領域４２０と、当該トランジスタ形成領域より幅が狭い部分であって、パッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０に接続する配線として使用される配線領域４３０を有する。また、トランジスタ形成領域４２０の幅は、パッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０よりも広い。
【００４９】
そして、例えば、図３に示すように、左から１乃至３番目のポリシリコン膜３５０は、検査配線接続コンタクト３２０側にトランジスタ形成領域４２０を有する。一方、左から４乃至６番目のポリシリコン膜３５０は、パッド接続コンタクト３１０側にトランジスタ形成領域４２０を有する。以下、同様に、７番目以降のポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０は、順に隣接する３のポリシリコン膜３５０毎に、交互に形成される。
【００５０】
隣接する３のポリシリコン膜３５０のうち、図３の一番左に位置するポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０は、左側に延長されるように幅が広く形成され、一方、残りの２のポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０、右側に延長されるように幅が広く形成される。パッド接続コンタクト３１０と検査配線接続コンタクト３２０間の限られたスペースを有効活用するためである。
【００５１】
ポリシリコン膜３５０の配線領域４３０のうち、トランジスタ形成領域４２０からパッド接続コンタクト３１０または検査配線接続コンタクト３２０までの距離が長い部分の幅は、短い部分の幅よりも狭く構成され得る。また、配線領域４３０の距離が長い部分の幅は、パッド接続コンタクト３１０または検査配線接続コンタクト３２０の幅よりも狭く形成され得る。
【００５２】
図３の左から２番目及び３番目のパッド接続コンタクト３１０側の配線領域４３０は、その中央部分で、対応するパッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０よりも、左から１番目のポリシリコン膜３５０に近接して形成される。また、左から４番目及び６番目のポリシリコン膜３５０は、対応するパッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０よりも、５番目のポリシリコン膜に近接して形成される。以下、７番目以降のポリシリコン膜３５０は、順に同様の形式で配置される。
【００５３】
ゲートメタル層３０１には、一本のゲートメタル３９０が形成されており、当該ゲートメタル３９０が、上記のように形成された各ポリシリコン膜３５０を横切るように形成される。そして、ゲートメタル３９０が、各ポリシリコン膜３５０と重なる部分において、検査用トランジスタ４１０が形成される。所定の位置以外にトランジスタが形成されないようにするため、ゲートメタル３９０は、各ポリシリコン膜３５０の配線領域４３０を避けるようにして形成される。
【００５４】
このようにして、検査用トランジスタ４１０が形成され、隣接する３の検査用トランジスタ４１０が、パッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０の配列方向に千鳥配置される。いいかえれば、隣接する３の検査用トランジスタ４１０で構成される複数のトランジスタ列が千鳥配置され、パッド接続コンタクト３１０側から検査配線接続コンタクト３２０側をみると、隣接する２のトランジスタ列ごとに重なる。
【００５５】
次に、検査用トランジスタ４１０周辺の断面構造について説明する。図４及び図５に示すように、絶縁層５０１上にはポリシリコン層３０２が形成され、当該ポリシリコン層３０２上には絶縁層５０２を介してゲートメタル層３０１が形成される。当該ゲートメタル層３０１上には絶縁層５０３が形成される。当該絶縁層５０３上にはＳＤメタル層３０３が形成され、パッド接続コンタクト３１０の部分では絶縁層５０３、５０２を貫通してポリシリコン層３０２上部と接触するよう構成される。
【００５６】
上述の隣接する３のポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０及び配線領域４３０は、ポリシリコン層３０２に形成される。そして、隣接する３のポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０上方を、絶縁層５０２を介して当該トランジスタ形成領域４２０を覆うように、ゲートメタル層３０１に形成されたゲートメタル３９０が形成される。このとき、図５に示したように、図３のV−Vの断面からみると、ゲートメタル３９０がトランジスタ形成領域４２０上方に形成される。
【００５７】
上記の構成により、ポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０と、当該トランジスタ形成領域４２０上方に配置されたゲートメタル３９０によって検査用トランジスタ４１０が形成される。つまり、ポリシリコン層３０２とゲートメタル層３０１の２層により検査用トランジスタ４１０が形成される。
【００５８】
なお、ゲートメタル層３０１は、例えば、モリブデン等の導電性の金属で形成され、公知のリソグラフィ工程とエッチング工程を経てその形状が同図に示すように加工される。また、絶縁層５０１、５０２、５０３は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）であり、ＣＶＤ法等によって成膜される。ポリシリコン層３０２は、例えば、非晶質シリコンがＣＶＤ法によって成膜され、レーザアニールによって多結晶シリコンへと結晶化された後、公知のリソグラフィ工程とエッチング工程を経てその形状が図３乃至５に示すように加工されて形成される。ＳＤメタル層も、例えば、同様に公知のリソグラフィ工程とエッチング工程を経てその形状が図３乃至５に示すように加工されて形成される。なお、ＳＤメタル層３０３は、画素領域２０１のＴＦＴのソースまたはドレイン電極と同じ金属で構成される。
【００５９】
また、公知のリソグラフィ工程とは、例えば、次の工程をいう。まず、フォトレジストを絶縁膜上に塗布し、該フォトレジスト上に、所定のパターンが形成されたフォトマスクを介して紫外線等を照射する。フォトマスク上のパターンに対応するパターンがフォトレジスト上に転写されると、紫外線等が照射される部分と照射されない部分が生じて、照射される部分のフォトレジストに化学反応が生じる。そして、現像プロセスにより、フォトレジストにおける化学反応が生じた部分、或いは、化学反応が生じなかった部分が除去されて、レジストパターンが形成されることとなる。
【００６０】
上記のようにして、本実施の形態の表示パネル２００を構成することにより、パッド接続コンタクト３１０と検査配線接続コンタクト３２０間の限られたスペースを有効活用でき、トランジスタ形成領域４２０の幅をより広く確保できる。結果として検査用トランジスタ４１０の幅を広く確保できる。
【００６１】
具体的には、例えば、図３に示すように、左から１番目のトランジスタ形成領域４２０の左端から３番目のトランジスタ形成領域４２０の右端までの距離は、一番目のパッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０の左端から３番目までのパッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０の右端までの距離よりも大きく確保され、図１１の場合と比べ検査用トランジスタ４１０の幅をより大きく確保できる。
【００６２】
例えば、ドライバの出力端子間の間隔に対応するパッドの配列方向のコンタクトの中心間の距離が１５μｍの場合、必要とされる検査用トランジスタの幅１３μｍ以上を確保することができる。結果として、表示パネル２００のＱＤ点灯検査を適切に行うことができる。
【００６３】
なお、本実施の形態では、隣接する３の検査用トランジスタ４１０毎に千鳥配置される構成としたが、隣接する異なる数の検査用トランジスタ４１０が千鳥配置される構成としてもよい。特には、隣接する検査用トランジスタ４１０の数は、２以上であることが好ましく、また、４以下であることが好ましい。
【００６４】
また、本実施の形態では、パッド接続コンタクト３１０は、請求項の複数の第１のコンタクトに対応し、検査配線接続コンタクト３２０は、請求項の複数の第２のコンタクトに対応するものである。
【００６５】
［変形例］
図６は、本発明の実施形態の変形例を示す概略図である。当該変形例では、上記実施の形態と異なり、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０は、パッド３３０の配列方向、つまり、図６の左右の方向に、それぞれ千鳥配置されている。また、検査用トランジスタ７１０は、１つの検査用トランジスタ７１０毎に、パッド３３０の配列方向に千鳥配置されている。更に、ゲートメタル配線６９０、６９１は、上記実施の形態と異なり、２本配置されている。なお、ゲートメタル配線６９０、６９１は、その一端で接続されていてもよい。
【００６６】
具体的には、例えば、図６に示すように、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０は、左から偶数番目のパッド接続コンタクト６１０及び奇数番目の検査配線接続コンタクト６２０が順番に並んだコンタクト列８１０を形成するように、千鳥配置される。つまり、コンタクト列８１０は、偶数番目のパッド接続コンタクト６１０及び奇数番目の検査配線接続コンタクト６２０が順に配置されるよう形成される。このように並べられたコンタクト列８１０は間隔をもって配置されたゲートメタル配線６９０とゲートメタル配線９６１の間に配置される。
【００６７】
また、左から奇数番目のパッド接続コンタクト６１０は、コンタクト列８１０に対してパッド３３０側に、パッド３３０の配列方向に並んで配置され、一方、左から偶数番目の検査配線接続コンタクト６２０は、コンタクト列８１０に対してパッド３３０と反対側に、パッド３３０の配列方向に並んで配置される。
【００６８】
奇数番目のパッド接続コンタクト６１０は、上記実施の形態と同様に、パッド３３０に接続されているが、偶数番目のパッド接続コンタクト６１０は、金属配線８２０で延長されてパッド３３０に接続されている。
【００６９】
各ＲＧＢ検査用ドレイン線６６０、６６１、６６２は、検査配線接続コンタクト６２０に近い方から、順にパッド３３０の配列方向に、並列に形成されており、検査配線接続コンタクト６２０は、当該ＲＧＢ検査用ドレイン線６６０、６６１、６６２に接続される。
【００７０】
具体的には、本変形例においては、例えば、図６に示すように、複数の検査配線接続コンタクト６２０のうち左から１番目の検査配線接続コンタクト６２１は、Ｒ検査用配線６６０から金属配線８３１を介して接続されている。
【００７１】
左から２番目の検査配線接続コンタクト６２２は、図６の下方に隣接して形成されたコンタクト７０１へ金属配線８３２にて延長される。そして、当該コンタクト７０１からゲートメタル層に形成され且つＲ検査用配線６６０と絶縁状態で交差する配線横断線８４２でバイパスされ、Ｇ検査用配線６６１に形成されたコンタクト７０２を通じてＧ検査用ドレイン線６６１に接続される。
【００７２】
左から３番目の検査配線接続コンタクト６２３は、２番目と４番目の検査配線接続コンタクト６２２、６２４の間に形成されたコンタクト７０３まで金属配線８３３で延長される。そして、当該コンタクト７０３に接続された配線横断線８４３にてバイパスされ、Ｂ検査用配線６６２に形成されたコンタクト７０４を通じてＢ検査用配線６６２に接続される。配線横断線８４３はゲートメタル層に形成され且つＲ検査用配線６６０および検査用配線６６１と絶縁状態で交差している。
【００７３】
４番目の検査配線接続コンタクト６２４は、図６下方に延長された金属配線８３４を介してＲ検査用配線６６０に接続される。
【００７４】
５番目の検査配線接続コンタクト６２５は、４番目と６番目の検査配線接続コンタクト６２４、６２６の間に形成されたコンタクト７０５まで金属配線８３５で延長される。そして、当該コンタクト７０５に接続された配線横断線８４５にてバイパスされ、Ｇ検査用配線６６１に形成されたコンタクト７０６を介してＧ検査用配線６６１に接続される。配線横断線８４５はゲートメタル層に形成され且つＲ検査用配線６６０と絶縁状態で交差している。
【００７５】
６番目の検査配線接続コンタクト６２６は、図６の下方に隣接して形成されたコンタクト７０７に金属配線８３６にて延長される。そして、当該コンタクト７０７から配線横断線８４６でバイパスされ、Ｂ検査用配線６６２に形成されたコンタクト７０８を通じてＢ検査用配線６６２に接続される。配線横断線８４６はゲートメタル層に形成され且つＲ検査用配線６６０および検査用配線６６１と絶縁状態で交差している。
【００７６】
以下順に７番目以降のコンタクトは、１番目から６番目の検査配線接続コンタクト６２１乃至６２６と同様に、各ＲＧＢ検査用配線６６０、６６１、６６２に接続される。つまり、コンタクト列８１０を形成する奇数番目の検査配線接続コンタクト６２６は、金属配線８３０により延長されてＲＧＢ検査用配線６６０、６６１、６６２に接続されることとなる。各ポリシリコン膜６５０から各検査用配線６６０、６６１、６６２に向かって延びる金属配線８３０（８３１、８３２、８３３、８３４、８３５、８３６）はＳＤメタル層７５０に形成される。
【００７７】
ここで、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０に接続される各金属配線８２０、８３０の幅は、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０の幅よりも狭い。
【００７８】
なお、各ＲＧＢ検査用配線６６０、６６１、６６２の位置やその接続方法は各ＲＧＢ検査用配線６６０、６６１、６６２が混線しないようにＳＤメタル層に形成した金属配線やゲートメタル層に形成した配線、コンタクト等を介して接続されればよく、図６に示した接続形態に限定されるものではない。
【００７９】
各パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０の間は、それぞれポリシリコン膜６５０で接続される。上述したように各パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０はそれぞれ千鳥配置されるため、ポリシリコン膜６５０もパッド３３０の配列方向に千鳥配置されることとなる。
【００８０】
各ポリシリコン膜６５０は、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０に接続される部分である配線領域６７０と、当該配線領域６７０より広い幅を有するトランジスタ形成領域６３０で形成される。また、トランジスタ形成領域６３０の幅は、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０の幅よりも広い。なお、当該変形例では、上記実施形態と異なり、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０と接続される配線領域６７０の幅は、略同一である。
【００８１】
２本のゲートメタル配線６９０、６９１は、各ポリシリコン膜６５０のトランジスタ領域６３０を横切るように形成されることにより、検査用トランジスタ７１０が形成される。具体的には、ゲートメタル配線６９０は、左から奇数番目のパッド接続コンタクト６１０と検査配線接続コンタクト６２０の間に形成されたポリシリコン膜６５０のトランジスタ領域６３０と左から偶数番目の金属配線８２０を横切るように配置される。
【００８２】
一方、ゲートメタル配線６９１は、左から偶数番目のパッド接続コンタクト６１０と検査配線接続コンタクト６２０の間に形成されたポリシリコン膜６５０のトランジスタ領域６３０と左から奇数番目の金属配線８３０（８３１、８３３、８３５）を横切るように配置される。結果として、パッド３３０の配列方向に千鳥配置された複数の検査用トランジスタ７１０が、ゲートメタル配線６９０、６９１に沿って形成される。 次に、検査用トランジスタ４１０周辺の断面構造について説明する。上記実施の形態と同様に、図７及び図８に示した図６のVII−VII断面の拡大図及びVIII−VIII断面の拡大図に示すように、絶縁層７２１上にポリシリコン層７３０が形成され、当該ポリシリコン層７３０上に絶縁層７２２を介してゲートメタル層７４０が形成される。当該ゲートメタル層７４０上には更に絶縁層７２３が形成され、その上にＳＤメタル層７５０が形成される。
【００８３】
上記実施の形態と同様に、ポリシリコン膜６５０は、ポリシリコン層７３０に形成され、ゲートメタル配線６９０、６９１はゲートメタル層７４０で形成される。また、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０、金属配線８２０等はＳＤメタル層７５０に形成される。なお、各層は上記実施の形態と同様の材質で形成され、また、同様の方法により、同図に示した形状が形成される。
【００８４】
図７に示した図６のVII−VII断面図からみると、ゲートメタル配線６９０はゲートメタル層７４０に形成され、ポリシリコン層７３０に位置するポリシリコン膜６５０のトランジスタ形成領域６３０の上方を、当該トランジスタ形成領域６３０を覆うようにして形成される。このとき、図８に示した図６のVIII−VIII断面図からみると、ゲートメタル配線６９０は、ポリシリコン膜６５０のトランジスタ形成領域６３０の一部の上方に形成される。同様に、ゲートメタル６９１も、ポリシリコン膜６５０のトランジスタ形成領域６３０の上方を、当該トランジスタ形成領域６３０を覆うように形成される。
【００８５】
上記の構成により、ポリシリコン膜６５０のトランジスタ形成領域６３０を横切るようにして形成されたゲートメタル配線６９０、６９１によって、各検査用トランジスタ７１０が形成される。つまり、ポリシリコン層７３０とゲートメタル層７４０の２層で各検査用トランジスタ７１０が形成される。
【００８６】
上記のような構成によれば、千鳥配置された各検査用トランジスタ７１０は、コンタクトに接続された金属配線２つ分の幅、例えば、図６の偶数番目のパッド接続コンタクト６１０に接続された金属配線８２０間の幅まで、トランジスタ形成領域６３０の幅を確保することができる。また、ポリシリコン膜６５０同士のショート等を考慮に入れないとすれば、コンタクト２つ分の間の距離、例えば図６の偶数番目のパッド接続コンタクト６１０の中心間の距離まで、トランジスタ形成領域６３０の幅を確保することができる。
【００８７】
また、上記のようにコンタクト列８１０が形成されるようパッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０を千鳥配置することにより、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０間の限られたスペースに、より効率的に検査用トランジスタ７１０を確保できる。
【００８８】
更に、本変形例では、上記実施形態のように、各配線領域６７０の幅は、各パッド接続コンタクト６１０間または各検査配線接続コンタクト６２０間の幅よりも狭くする必要がなく、より効率的に検査用トランジスタ７１０の幅を確保することもできる。
【００８９】
具体的には、例えば、ドライバの出力端子間の間隔に対応するパッドの配列方向のコンタクトの中心間の距離が、１５μｍの場合、２２μｍの検査用トランジスタの幅が確保でき、必要とされる検査用トランジスタの幅１３μｍ以上を確保することができる。
【００９０】
なお、当該変形例では、パッド接続コンタクト６１０が請求項の複数の第１のコンタクトに、検査配線接続コンタクト６２０は請求項の複数の第２のコンタクトに対応する。
【００９１】
なお、本発明は液晶表示パネルに限られず、例えば、有機ＥＬ表示パネルなど他の形式の表示パネルに適用できる。また、本発明は、上述した実施の形態及び変形例に限定されるものではなく変形可能であり、上記の構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００９２】
１０１ ＴＦＴ基板、１０２ 対向基板、１０３ ドライバ、１５０ パッド接続コンタクト、１６０ 検査配線接続コンタクト、２００ 表示パネル、３１０ パッド接続コンタクト、３２０ 検査配線接続コンタクト、３０２ ポリシリコン層、３５０ ポリシリコン膜、４１０ 検査用トランジスタ、４２０ トランジスタ形成領域、４３０ 配線領域、６１０ パッド接続コンタクト、６２０ 検査配線接続コンタクト、６９０、６９１ ゲートメタル、７１０ 検査用トランジスタ、６３０ トランジスタ形成領域、６７０ 配線領域、６５０ ポリシリコン膜、７２１ 絶縁層、７３０ ポリシリコン層、７４０ ゲートメタル層、９００ 表示パネル、９０２ 検査用トランジスタ、９０３ 画素領域部、９０５、９０６、９０７ ＲＧＢドレイン線検査用端子、９２０ ＲＧＢスイッチ、９３０ 検査用トランジスタ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルに関するものであり、特には、不良検出用検査用回路を備えた表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
表示パネルとして、薄膜トランジスタを用いた液晶表示パネルが知られており、テレビ、パソコン用のディスプレイ、携帯電話等に広く用いられている。
【０００３】
一般に、液晶表示パネルには、複数の画素が形成された表示領域があり、当該表示領域を囲んで周辺領域が形成される。近年表示領域が大きくなるにつれて、周辺領域が狭くなり、周辺領域に、液晶表示パネルを点灯させて検査するための検査端子を設けるスペースを確保することが困難となっている。そのため、この液晶表示パネルの不良検出方法として、疑似ダイナミック点灯検査（以下、ＱＤ点灯検査という。）が用いられている（下記特許文献１、及び特許文献２参照）。ＱＤ点灯検査によれば液晶表示パネルに検査用回路を設けることにより検査端子の個数を減らすことができる。
【０００４】
図９は、従来技術における表示パネルの概略図である。当該表示パネルに設置される液晶駆動用ドライバ（以下、ドライバという）にはＲＧＢスイッチ機能がない。なお、ドレイン線以外の回路については省略されている。
【０００５】
図９に示すように、表示パネル９００は、画素領域９０１及び検査用トランジスタ９０２が設けられた画素領域部９０３と、ドライバが設置されるドライバ設置領域９０４及び各ＲＧＢドレイン線検査用端子９０５、９０６、９０７が設けられたドライバ領域部９８０を有する。
【０００６】
検査用トランジスタ９０２は、画素領域９０１からみてドライバ設置領域９０４と反対側の画素領域部９０３に設けられる。また、各検査用トランジスタ９０２は、画素領域９０１の各画素のＲＧＢに対応してそれぞれ設けられ、検査用トランジスタ９０２のドレインは、画素領域９０１の各画素のＲＧＢに応じて、Ｒ検査用配線９０８、Ｇ検査用配線９０９、Ｂ検査用配線９１０に接続される。更に、各ＲＧＢ検査用配線９０８、９０９、９１０は、ドライバ領域部９８０に設けられた各ＲＧＢドレイン線検査用端子９０５、９０６、９０７に接続される。各検査用トランジスタ９０２のゲートは、ゲート配線９１１を介して、ドライバ領域部９８０に設けられたゲート線端子９１２に接続される。また、各検査用トランジスタ９０２のソースは、画素領域９０１を介してドライバ設置領域９０４に配線される。
【０００７】
この場合、ドライバ設置領域９０４から画素領域９０１までの配線については、断線やショートが検出できないという問題がある。
【０００８】
そこで、図１０に示すように、ドライバにＲＧＢスイッチ機能がある場合において、検査用回路をドライバ設置領域に設ける構成が知られている。なお、ドレイン線以外の回路については省略されている。
【０００９】
図１０に示すように、表示パネル９６０には、ドライバを設置するドライバ設置領域９０４と画素領域９０１の間の画素領域部９０３に、ＲＧＢスイッチ９２０が設けられる。また、ＲＧＢスイッチ用端子９２１、９２２、９２３はそれぞれ、ドライバ領域部９８０に設けられる。
【００１０】
ＲＧＢスイッチ９２０のソースは画素領域９０１のＲＧＢいずれかの画素にそれぞれ接続される。各ＲＧＢスイッチのゲートは、それぞれ対応する画素領域９０１のＲＧＢ画素毎に、ＲＧＢスイッチ用端子９２１、９２２、９２３に各ＲＧＢスイッチゲート用配線９７１、９７２、９７３を介して接続される。ＲＧＢスイッチ９２０のドレインは、３のトランジスタから構成されるＲＧＢスイッチ９２０が、並列に接続された後、各検査用トランジスタ９３０のソースに配線される。さらに、各検査用トランジスタ９３０のドレインには、ドレイン線検査用配線９４０を介してドレイン線検査用端子９４１が接続され、各検査用トランジスタ９３０のゲートには、ゲート配線９５０を介してゲート線端子９５１が接続される。
【００１１】
この場合、図９の場合と比較して、ＲＧＢスイッチ９２０により切り替えてＱＤ点灯検査を行うことが可能なため、検査用トランジスタ９３０の個数を３分の１に減らすことができ、検査用トランジスタ９３０を含む検査用回路の領域を広く確保することができる。その結果、ドライバの出力端子が高精細になった場合であっても、所望の検査用トランジスタの幅を確保することができる。また、ドライバの各出力端子から、画素領域までの配線についての断線やショートについても検出できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００４−１０１８６３号公報
【特許文献２】特開２００１−３２４７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、ＬＴＰＳ−ＴＦＴパネルにおいて、ＲＧＢスイッチ機能がないドライバを用いようとする場合、単にドライバ設置領域にＱＤ点灯検査回路を配置しようとしても、検査用トランジスタの幅を十分にとることができず、ＱＤ点灯検査を適切に行うことができないという問題がある。下記に、単に検査用トランジスタを一列に並んで形成した検査回路の概略図である図１１の例を用いて説明する。
【００１４】
図１１に示すように、ドライバの出力端子が接続されるドライバのパッド１４０は、例えば、一列に整列されたパッド接続コンタクト１５０に、金属配線１５１で接続される。また、当該パッド接続コンタクト１５０に対向する位置に、検査配線接続コンタクト１６０が配置される。各パッド接続コンタクト１５０及び検査配線接続コンタクト１６０は、それぞれポリシリコン膜１２０で接続され、１本のゲートメタル１３０が各ポリシリコン膜１２０を横切ることにより、一列に並んだ検査用トランジスタ１１０が形成される。
【００１５】
ここで、ポリシリコン膜１２０はポリシリコン層に形成され、ゲートメタル１３０はポリシリコン層とは異なるゲートメタル層に形成される。また、各ＲＧＢ検査用配線１８１、１８２、１８３は、金属配線１８４、ゲートメタル１３０と同層のゲート配線１８５、コンタクト１８６等を用いて、対応する各検査配線接続コンタクト１６０に接続されている。
【００１６】
図１１の構成の場合、各検査用トランジスタ１１０は、ゲートメタル１３０が各ポリシリコン膜１２０を横切るように配置されることにより、形成される。なお、トランジスタの形成や各層の詳細については、下記に説明する実施の形態の場合と同様であるので省略する。
【００１７】
この場合、パッド接続コンタクト１５０の幅は、ドライバの出力端子が接続されるパッド１４０の間隔によって制限され、各検査用トランジスタ１１０の幅は、各パッド接続コンタクト１５０の幅に限定される。つまり、ドライバ出力端子の間隔によって検査用トランジスタの幅１１０の幅が制限される。
【００１８】
したがって、出力端子の間隔が非常に狭い高精細なドライバを用いる場合には、十分な検査用トランジスタ１１０の幅を確保することができないという問題がある。具体的には、例えば、図１１の構成を採用する場合、ドライバの出力端子のピッチが１５μｍの場合であると、上記理由やポリシリコンの特性やポリシリコン層の製法上等の理由から、各検査用トランジスタの幅は１０μｍしか確保できない。ＱＤ点灯検査において、表示パネルを適切に点灯させて検査する場合には、トランジスタの幅は１３μｍ以上が必要であり、問題となる。
【００１９】
そこで、本発明は、上記の課題を鏡みて、ＲＧＢスイッチ機能がない高精細なドライバを用いる場合において、ドライバの出力端子間の間隔が非常に狭い場合においても、所望の検査用トランジスタの幅を確保した検査用回路を備えた表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
（１）本発明にかかる表示パネルは、ドライバを設置する複数のパッドと、前記複数のパッドとそれぞれ接続された複数の第１のコンタクトと、前記複数の第１のコンタクトと対向して設置された複数の第２のコンタクトと、前記複数の第１及び第２のコンタクト間をそれぞれ延伸し接続する複数のポリシリコン膜を形成するポリシリコン層と、少なくとも１本のゲートメタルを形成する、前記ポリシリコン層とは異なるゲートメタル層とを有し、前記ゲートメタル層は、隣接する少なくとも１以上のトランジスタ毎に千鳥配置された複数のトランジスタを、前記複数のポリシリコン膜を横切ることにより形成し、前記複数のトランジスタを形成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅は、前記コンタクトと接続する部分よりも広いことを特徴とする。これにより、ＲＧＢスイッチがなく、かつ、出力端子間の間隔が非常に狭い高精細なドライバを実装するための表示パネルにおいて、所望の検査用トランジスタの幅を確保した検査用トランジスタを備えることができる。
【００２１】
（２）上記（１）記載の表示パネルであって、前記複数のトランジスタは、隣接する２以上のトランジスタからなる複数のトランジスタ列を含み、前記複数のトランジスタ列が、千鳥配置されていることを特徴とする。
【００２２】
（３）上記（２）記載の表示パネルであって、前記複数のトランジスタ列は、それぞれ４以下のトランジスタを有することを特徴とする。
【００２３】
（４）上記（２）記載の表示パネルであって、前記複数のトランジスタ列は、前記複数の第１のコンタクト側から前記複数の第２のコンタクト側をみて、互いに重なっている部分を有することを特徴とする。
【００２４】
（５）上記（２）記載の表示パネルであって、前記複数のトランジスタ列の間に配置された各ポリシリコン膜の幅は、前記複数のトランジスタを構成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅よりも狭いことを特徴とする。
【００２５】
（６）上記（１）記載の表示パネルであって、前記ゲートメタル層は、２本のゲートメタルを有し、前記複数のトランジスタは、１のトランジスタ毎に千鳥配置されていることを特徴とする。
【００２６】
（７）上記（６）記載の表示パネルであって、前記複数の第１及び第２のコンタクトは、前記複数のパッドの配列方向に、千鳥配置されていることを特徴とする。
【００２７】
（８）上記（７）記載の表示パネルであって、前記複数の第１及び第２のコンタクトは、前記２本のゲートメタルの間において、一列に並ぶコンタクト列を形成することを特徴とする。
【００２８】
（９）上記（７）記載の表示パネルであって、前記表示パネルは、更に、前記ポリシリコン層及びゲートメタルとは異なる層に形成された金属配線層に複数の金属配線を有し、前記複数の金属配線は、前記複数の第１及び第２のコンタクトとそれぞれ接続され、前記金属配線の幅は、前記複数の第１及び第２のコンタクトの幅よりも狭いことを特徴とする。
【００２９】
（１０）上記（８）記載の表示パネルであって、前記ゲートメタルは、前記コンタクト列を形成する前記複数の第１及び第２のコンタクトに接続された前記複数の金属配線を、横切ることを特徴とする。
【００３０】
（１１）上記（１）記載の表示パネルであって、前記複数のトランジスタを形成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅は、前記複数の第１及び第２のコンタクトの幅よりも広いことを特徴とする。
【００３１】
（１２）上記（１）記載の表示パネルであって、前記ポリシリコン層と前記ゲートメタル層の間に絶縁層を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
ＲＧＢスイッチ機能がなく、かつ、出力端子間の間隔が非常に狭い高精細なドライバを実装するための表示パネルにおいて、所望の検査用トランジスタの幅を確保した検査用トランジスタを備えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本実施の形態における液晶表示装置の概略図を示す図である。
【図２】本実施の形態における液晶表示パネルの概略図を示す図である。
【図３】本実施の形態における液晶表示パネルのＱＤ点灯用検査回路の概略図を示す図である。
【図４】図３のIV−IV断面を拡大した図である。
【図５】図３のV−V断面を拡大した図である。
【図６】本実施の形態における液晶表示パネルのＱＤ点灯用検査回路の変形例を示す図である。
【図７】図６のVII−VII断面を拡大した図である。
【図８】図６のVIII−VIII断面を拡大した図である。
【図９】従来の表示パネルの概略図を示す。
【図１０】従来の表示パネルの概略図を示す。
【図１１】本発明の課題を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明の実施形態における表示パネルは、例えば、ＬＴＰＳ―ＴＦＴ液晶表示パネルのドライバ設置領域に検査用回路を設置したものであって、設置されるドライバにはＲＧＢスイッチ機能がない。
【００３５】
図１は、本発明の実施形態にかかる液晶表示装置の概略構成を示すブロック図である。図１に示すように、本実施形態にかかる液晶表示装置は、画素電極、薄膜トランジスタ等が設けられたＴＦＴ基板１０１と、カラーフィルタ等が形成される対向基板１０２を有する。ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２は、両基板の額縁領域に枠状に設けたシール材により、貼り合わされている。そして、シール材の一部に設けた液晶封入口から両基板間のシール材の内側に液晶が封入、封止され、さらに、両基板の外側に偏光板が貼り付けられて構成される。つまり、液晶が一対の基板の間に挟まれた構造となっている。
【００３６】
ＴＦＴ基板１０１は、対向基板１０２よりも大きな面積を有し、ＴＦＴ基板１０１の対向基板１０２と重ならない領域１０５には、薄膜トランジスタを駆動するドライバ１０３が実装される。また、ドライバ１０３に対して対向基板１０２に対して反対側の当該領域１０５には、フレキシブル配線基板１０４が配置される。
【００３７】
なお、本実施の形態ではドライバ１０３により液晶表示装置を駆動する例を示しているが、駆動回路を、薄膜トランジスタ等を用いてＴＦＴ基板１０１に形成してもよい。また、カラーフィルタは対向基板１０２ではなくＴＦＴ基板１０１に設けてもよい。更に、フィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置であれば、カラーフィルタは不要であり、ＲＧＢ３色の光源が用いられる。また、対向電極は、ＴＮ方式やＶＡ方式の場合は、対向基板１０２に設けられ、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の場合は、ＴＦＴ基板１０１に設けられる。
【００３８】
図２は、ドライバにＲＧＢスイッチ機能がない場合において、ドライバ設置領域に検査用トランジスタを配置した表示パネルの概略図であって、図１に示したＴＦＴ基板１０１にドライバが設置される前の状態を示すものである。図２に示すように、表示パネル２００は、画素領域２０１とその周辺部分である周辺領域２０２を含む画素領域部２０３と、ドライバが設置されるドライバ設置領域２０４等を含むドライバ領域部２０５を有する。ここで、ドライバ設置領域２０４とは、ＱＤ点灯検査後にドライバが設置される領域をいう。
【００３９】
ドライバ設置領域２０４には、複数の検査用トランジスタ２０６が、画素領域２０１の各ＲＧＢ画素に対応して順次配置される。各検査用トランジスタ２０６のソースは、各ソース用配線２１０、２１１、２１２によって、画素領域２０１の各ＲＧＢ画素に接続される。各検査用トランジスタ２０６のドレインは、Ｒ検査用配線２０７、Ｇ検査用配線２０８、Ｂ検査用配線２０９を介して、各ＲＧＢドレイン線検査用端子２１３、２１４、２１５に接続される。各検査用トランジスタのゲートは、ゲート配線２１６を通じて、ゲート端子２１７に接続される。
【００４０】
なお、図２においては、検査用トランジスタ２０６に近い方からＲ検査用配線２０７、Ｇ検査用配線２０８、Ｂ検査用配線２０９の順に配置されているが、異なる順序であってもよい。また、図２に示した各検査用トランジスタ２０６の配置は概略的に示したものであって、それに限定されるものではなく、各検査用トランジスタ２０６の詳細な配置については、後に説明する。
【００４１】
上記のような構成の表示パネル２００は、例えば、次のように検査される。各ＲＧＢ検査用端子２１３、２１４、２１５とゲート端子２１７に所定の形式で所定の電圧を与え、表示パネル２００の表示状態を観察することにより、各色映像線の断線や隣接する映像線間の短絡（ショート）を検査することができる。
【００４２】
図３は、隣接する３のトランジスタ群が千鳥配置された検査用回路を示した概略図であって、図２の検査用トランジスタ２０６周辺を拡大した概略図である。図４は、図３のIV−IV断面の拡大図であり、また、図５は、図３のV―V断面の拡大図である。図３乃至５に示すように、検査用トランジスタ等からなる検査用回路は、ゲートメタル層３０１、ポリシリコン層３０２、ＳＤメタル層３０３、絶縁層５０１、５０２、５０３から構成され、下記に説明するポリシリコン膜３５０は、ポリシリコン層３０２に形成され、ゲートメタル配線３９０は、ゲートメタル層３０１に形成される。また、パッド接続コンタクト３１０、検査配線接続コンタクト３２０、コンタクト４０１、４０４等、各ＲＧＢ検査用配線３６０、３６１、３６２、及び、当該パッド接続コンタクト３１０等を接続する金属配線３４０、４００、４０２、４０６等はＳＤメタル層３０３に形成される。
【００４３】
図３に示すように、表示パネル２００のドライバ設置領域２０４に、ドライバ１０３の各出力端子を受けるパッド３３０が形成される。パッド３３０は、それぞれ金属配線３４０を介して、パッド接続コンタクト３１０に接続される。また、当該パッド接続コンタクト３１０と対向する位置に、検査配線接続コンタクト３２０が形成される。更に、各検査配線接続コンタクト３２０は、図３の左から順に、各ＲＧＢ検査用配線３６０、３６１、３６２に接続される。
【００４４】
Ｒ検査用配線３６０、Ｇ検査用配線３６１、Ｂ検査用配線３６２は、検査配線接続コンタクト３２０に近い方から順に、検査配線接続コンタクト３２０に並行に配置される。検査配線接続コンタクト３２０のうち、図３の左から１つ目の検査配線接続コンタクト３２１は、金属配線４００を介して、Ｒ検査用配線３６０に接続される。
【００４５】
２つ目の検査配線接続コンタクト３２２は、隣接するコンタクト４０１に金属配線４０２を介して接続された後、ゲートメタル層に形成されてＲ検査用配線３６０と絶縁状態で交差する配線横断線４０３と、Ｇ検査用配線３６１に形成されたコンタクト４０４とを介して、Ｇ検査用配線３６１に接続される。
【００４６】
３つ目の検査配線接続コンタクト３２３は、２つ目の検査配線接続コンタクト３２２と同様に、隣接するコンタクト４０５に金属配線４０６を介して接続された後、ゲートメタル層に形成されてＲ検査用配線３６０および検査用配線３６１と絶縁状態で交差する配線横断線４０７とＢ検査用配線３６２に形成されたコンタクト４０８とを介して、Ｂ検査用配線３６２に接続される。以下、同様に４つ目以降の検査配線接続コンタクト３２０は、各ＲＧＢ検査用配線３６０、３６１、３６２に、順に接続される。
【００４７】
なお、各ＲＧＢ検査用配線３６０、３６１、３６２の位置や検査配線接続コンタクト３２０は例示であって、各検査配線接続コンタクト３２０に適切に各ＲＧＢ検査用配線３６０、３６１、３６２が接続される限り、上記に限定されるものではない。また、パッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０の数は、図３記載の数に限定されるものではない。更に、パッド３３０の位置は、ドライバ１０３の出力端子の形状に応じてその位置は変化し得る。
【００４８】
各パッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０の間は、ポリシリコン層３０２に形成されたポリシリコン膜３５０で接続される。各ポリシリコン膜３５０は、その一部に検査用トランジスタ４１０が形成されるトランジスタ形成領域４２０と、当該トランジスタ形成領域より幅が狭い部分であって、パッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０に接続する配線として使用される配線領域４３０を有する。また、トランジスタ形成領域４２０の幅は、パッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０よりも広い。
【００４９】
そして、例えば、図３に示すように、左から１乃至３番目のポリシリコン膜３５０は、検査配線接続コンタクト３２０側にトランジスタ形成領域４２０を有する。一方、左から４乃至６番目のポリシリコン膜３５０は、パッド接続コンタクト３１０側にトランジスタ形成領域４２０を有する。以下、同様に、７番目以降のポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０は、順に隣接する３のポリシリコン膜３５０毎に、交互に形成される。
【００５０】
隣接する３のポリシリコン膜３５０のうち、図３の一番左に位置するポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０は、左側に延長されるように幅が広く形成され、一方、残りの２のポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０、右側に延長されるように幅が広く形成される。パッド接続コンタクト３１０と検査配線接続コンタクト３２０間の限られたスペースを有効活用するためである。
【００５１】
ポリシリコン膜３５０の配線領域４３０のうち、トランジスタ形成領域４２０からパッド接続コンタクト３１０または検査配線接続コンタクト３２０までの距離が長い部分の幅は、短い部分の幅よりも狭く構成され得る。また、配線領域４３０の距離が長い部分の幅は、パッド接続コンタクト３１０または検査配線接続コンタクト３２０の幅よりも狭く形成され得る。
【００５２】
図３の左から２番目及び３番目のパッド接続コンタクト３１０側の配線領域４３０は、その中央部分で、対応するパッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０よりも、左から１番目のポリシリコン膜３５０に近接して形成される。また、左から４番目及び６番目のポリシリコン膜３５０は、対応するパッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０よりも、５番目のポリシリコン膜に近接して形成される。以下、７番目以降のポリシリコン膜３５０は、順に同様の形式で配置される。
【００５３】
ゲートメタル層３０１には、一本のゲートメタル３９０が形成されており、当該ゲートメタル３９０が、上記のように形成された各ポリシリコン膜３５０を横切るように形成される。そして、ゲートメタル３９０が、各ポリシリコン膜３５０と重なる部分において、検査用トランジスタ４１０が形成される。所定の位置以外にトランジスタが形成されないようにするため、ゲートメタル３９０は、各ポリシリコン膜３５０の配線領域４３０を避けるようにして形成される。
【００５４】
このようにして、検査用トランジスタ４１０が形成され、隣接する３の検査用トランジスタ４１０が、パッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０の配列方向に千鳥配置される。いいかえれば、隣接する３の検査用トランジスタ４１０で構成される複数のトランジスタ列が千鳥配置され、パッド接続コンタクト３１０側から検査配線接続コンタクト３２０側をみると、隣接する２のトランジスタ列ごとに重なる。
【００５５】
次に、検査用トランジスタ４１０周辺の断面構造について説明する。図４及び図５に示すように、絶縁層５０１上にはポリシリコン層３０２が形成され、当該ポリシリコン層３０２上には絶縁層５０２を介してゲートメタル層３０１が形成される。当該ゲートメタル層３０１上には絶縁層５０３が形成される。当該絶縁層５０３上にはＳＤメタル層３０３が形成され、パッド接続コンタクト３１０の部分では絶縁層５０３、５０２を貫通してポリシリコン層３０２上部と接触するよう構成される。
【００５６】
上述の隣接する３のポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０及び配線領域４３０は、ポリシリコン層３０２に形成される。そして、隣接する３のポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０上方を、絶縁層５０２を介して当該トランジスタ形成領域４２０を覆うように、ゲートメタル層３０１に形成されたゲートメタル３９０が形成される。このとき、図５に示したように、図３のV−Vの断面からみると、ゲートメタル３９０がトランジスタ形成領域４２０上方に形成される。
【００５７】
上記の構成により、ポリシリコン膜３５０のトランジスタ形成領域４２０と、当該トランジスタ形成領域４２０上方に配置されたゲートメタル３９０によって検査用トランジスタ４１０が形成される。つまり、ポリシリコン層３０２とゲートメタル層３０１の２層により検査用トランジスタ４１０が形成される。
【００５８】
なお、ゲートメタル層３０１は、例えば、モリブデン等の導電性の金属で形成され、公知のリソグラフィ工程とエッチング工程を経てその形状が同図に示すように加工される。また、絶縁層５０１、５０２、５０３は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）であり、ＣＶＤ法等によって成膜される。ポリシリコン層３０２は、例えば、非晶質シリコンがＣＶＤ法によって成膜され、レーザアニールによって多結晶シリコンへと結晶化された後、公知のリソグラフィ工程とエッチング工程を経てその形状が図３乃至５に示すように加工されて形成される。ＳＤメタル層も、例えば、同様に公知のリソグラフィ工程とエッチング工程を経てその形状が図３乃至５に示すように加工されて形成される。なお、ＳＤメタル層３０３は、画素領域２０１のＴＦＴのソースまたはドレイン電極と同じ金属で構成される。
【００５９】
また、公知のリソグラフィ工程とは、例えば、次の工程をいう。まず、フォトレジストを絶縁膜上に塗布し、該フォトレジスト上に、所定のパターンが形成されたフォトマスクを介して紫外線等を照射する。フォトマスク上のパターンに対応するパターンがフォトレジスト上に転写されると、紫外線等が照射される部分と照射されない部分が生じて、照射される部分のフォトレジストに化学反応が生じる。そして、現像プロセスにより、フォトレジストにおける化学反応が生じた部分、或いは、化学反応が生じなかった部分が除去されて、レジストパターンが形成されることとなる。
【００６０】
上記のようにして、本実施の形態の表示パネル２００を構成することにより、パッド接続コンタクト３１０と検査配線接続コンタクト３２０間の限られたスペースを有効活用でき、トランジスタ形成領域４２０の幅をより広く確保できる。結果として検査用トランジスタ４１０の幅を広く確保できる。
【００６１】
具体的には、例えば、図３に示すように、左から１番目のトランジスタ形成領域４２０の左端から３番目のトランジスタ形成領域４２０の右端までの距離は、一番目のパッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０の左端から３番目までのパッド接続コンタクト３１０及び検査配線接続コンタクト３２０の右端までの距離よりも大きく確保され、図１１の場合と比べ検査用トランジスタ４１０の幅をより大きく確保できる。
【００６２】
例えば、ドライバの出力端子間の間隔に対応するパッドの配列方向のコンタクトの中心間の距離が１５μｍの場合、必要とされる検査用トランジスタの幅１３μｍ以上を確保することができる。結果として、表示パネル２００のＱＤ点灯検査を適切に行うことができる。
【００６３】
なお、本実施の形態では、隣接する３の検査用トランジスタ４１０毎に千鳥配置される構成としたが、隣接する異なる数の検査用トランジスタ４１０が千鳥配置される構成としてもよい。特には、隣接する検査用トランジスタ４１０の数は、２以上であることが好ましく、また、４以下であることが好ましい。
【００６４】
また、本実施の形態では、パッド接続コンタクト３１０は、請求項の複数の第１のコンタクトに対応し、検査配線接続コンタクト３２０は、請求項の複数の第２のコンタクトに対応するものである。
【００６５】
［変形例］
図６は、本発明の実施形態の変形例を示す概略図である。当該変形例では、上記実施の形態と異なり、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０は、パッド３３０の配列方向、つまり、図６の左右の方向に、それぞれ千鳥配置されている。また、検査用トランジスタ７１０は、１つの検査用トランジスタ７１０毎に、パッド３３０の配列方向に千鳥配置されている。更に、ゲートメタル配線６９０、６９１は、上記実施の形態と異なり、２本配置されている。なお、ゲートメタル配線６９０、６９１は、その一端で接続されていてもよい。
【００６６】
具体的には、例えば、図６に示すように、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０は、左から偶数番目のパッド接続コンタクト６１０及び奇数番目の検査配線接続コンタクト６２０が順番に並んだコンタクト列８１０を形成するように、千鳥配置される。つまり、コンタクト列８１０は、偶数番目のパッド接続コンタクト６１０及び奇数番目の検査配線接続コンタクト６２０が順に配置されるよう形成される。このように並べられたコンタクト列８１０は間隔をもって配置されたゲートメタル配線６９０とゲートメタル配線９６１の間に配置される。
【００６７】
また、左から奇数番目のパッド接続コンタクト６１０は、コンタクト列８１０に対してパッド３３０側に、パッド３３０の配列方向に並んで配置され、一方、左から偶数番目の検査配線接続コンタクト６２０は、コンタクト列８１０に対してパッド３３０と反対側に、パッド３３０の配列方向に並んで配置される。
【００６８】
奇数番目のパッド接続コンタクト６１０は、上記実施の形態と同様に、パッド３３０に接続されているが、偶数番目のパッド接続コンタクト６１０は、金属配線８２０で延長されてパッド３３０に接続されている。
【００６９】
各ＲＧＢ検査用ドレイン線６６０、６６１、６６２は、検査配線接続コンタクト６２０に近い方から、順にパッド３３０の配列方向に、並列に形成されており、検査配線接続コンタクト６２０は、当該ＲＧＢ検査用ドレイン線６６０、６６１、６６２に接続される。
【００７０】
具体的には、本変形例においては、例えば、図６に示すように、複数の検査配線接続コンタクト６２０のうち左から１番目の検査配線接続コンタクト６２１は、Ｒ検査用配線６６０から金属配線８３１を介して接続されている。
【００７１】
左から２番目の検査配線接続コンタクト６２２は、図６の下方に隣接して形成されたコンタクト７０１へ金属配線８３２にて延長される。そして、当該コンタクト７０１からゲートメタル層に形成され且つＲ検査用配線６６０と絶縁状態で交差する配線横断線８４２でバイパスされ、Ｇ検査用配線６６１に形成されたコンタクト７０２を通じてＧ検査用ドレイン線６６１に接続される。
【００７２】
左から３番目の検査配線接続コンタクト６２３は、２番目と４番目の検査配線接続コンタクト６２２、６２４の間に形成されたコンタクト７０３まで金属配線８３３で延長される。そして、当該コンタクト７０３に接続された配線横断線８４３にてバイパスされ、Ｂ検査用配線６６２に形成されたコンタクト７０４を通じてＢ検査用配線６６２に接続される。配線横断線８４３はゲートメタル層に形成され且つＲ検査用配線６６０および検査用配線６６１と絶縁状態で交差している。
【００７３】
４番目の検査配線接続コンタクト６２４は、図６下方に延長された金属配線８３４を介してＲ検査用配線６６０に接続される。
【００７４】
５番目の検査配線接続コンタクト６２５は、４番目と６番目の検査配線接続コンタクト６２４、６２６の間に形成されたコンタクト７０５まで金属配線８３５で延長される。そして、当該コンタクト７０５に接続された配線横断線８４５にてバイパスされ、Ｇ検査用配線６６１に形成されたコンタクト７０６を介してＧ検査用配線６６１に接続される。配線横断線８４５はゲートメタル層に形成され且つＲ検査用配線６６０と絶縁状態で交差している。
【００７５】
６番目の検査配線接続コンタクト６２６は、図６の下方に隣接して形成されたコンタクト７０７に金属配線８３６にて延長される。そして、当該コンタクト７０７から配線横断線８４６でバイパスされ、Ｂ検査用配線６６２に形成されたコンタクト７０８を通じてＢ検査用配線６６２に接続される。配線横断線８４６はゲートメタル層に形成され且つＲ検査用配線６６０および検査用配線６６１と絶縁状態で交差している。
【００７６】
以下順に７番目以降のコンタクトは、１番目から６番目の検査配線接続コンタクト６２１乃至６２６と同様に、各ＲＧＢ検査用配線６６０、６６１、６６２に接続される。つまり、コンタクト列８１０を形成する奇数番目の検査配線接続コンタクト６２６は、金属配線８３０により延長されてＲＧＢ検査用配線６６０、６６１、６６２に接続されることとなる。各ポリシリコン膜６５０から各検査用配線６６０、６６１、６６２に向かって延びる金属配線８３０（８３１、８３２、８３３、８３４、８３５、８３６）はＳＤメタル層７５０に形成される。
【００７７】
ここで、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０に接続される各金属配線８２０、８３０の幅は、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０の幅よりも狭い。
【００７８】
なお、各ＲＧＢ検査用配線６６０、６６１、６６２の位置やその接続方法は各ＲＧＢ検査用配線６６０、６６１、６６２が混線しないようにＳＤメタル層に形成した金属配線やゲートメタル層に形成した配線、コンタクト等を介して接続されればよく、図６に示した接続形態に限定されるものではない。
【００７９】
各パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０の間は、それぞれポリシリコン膜６５０で接続される。上述したように各パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０はそれぞれ千鳥配置されるため、ポリシリコン膜６５０もパッド３３０の配列方向に千鳥配置されることとなる。
【００８０】
各ポリシリコン膜６５０は、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０に接続される部分である配線領域６７０と、当該配線領域６７０より広い幅を有するトランジスタ形成領域６３０で形成される。また、トランジスタ形成領域６３０の幅は、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０の幅よりも広い。なお、当該変形例では、上記実施形態と異なり、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０と接続される配線領域６７０の幅は、略同一である。
【００８１】
２本のゲートメタル配線６９０、６９１は、各ポリシリコン膜６５０のトランジスタ領域６３０を横切るように形成されることにより、検査用トランジスタ７１０が形成される。具体的には、ゲートメタル配線６９０は、左から奇数番目のパッド接続コンタクト６１０と検査配線接続コンタクト６２０の間に形成されたポリシリコン膜６５０のトランジスタ領域６３０と左から偶数番目の金属配線８２０を横切るように配置される。
【００８２】
一方、ゲートメタル配線６９１は、左から偶数番目のパッド接続コンタクト６１０と検査配線接続コンタクト６２０の間に形成されたポリシリコン膜６５０のトランジスタ領域６３０と左から奇数番目の金属配線８３０（８３１、８３３、８３５）を横切るように配置される。結果として、パッド３３０の配列方向に千鳥配置された複数の検査用トランジスタ７１０が、ゲートメタル配線６９０、６９１に沿って形成される。 次に、検査用トランジスタ４１０周辺の断面構造について説明する。上記実施の形態と同様に、図７及び図８に示した図６のVII−VII断面の拡大図及びVIII−VIII断面の拡大図に示すように、絶縁層７２１上にポリシリコン層７３０が形成され、当該ポリシリコン層７３０上に絶縁層７２２を介してゲートメタル層７４０が形成される。当該ゲートメタル層７４０上には更に絶縁層７２３が形成され、その上にＳＤメタル層７５０が形成される。
【００８３】
上記実施の形態と同様に、ポリシリコン膜６５０は、ポリシリコン層７３０に形成され、ゲートメタル配線６９０、６９１はゲートメタル層７４０で形成される。また、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０、金属配線８２０等はＳＤメタル層７５０に形成される。なお、各層は上記実施の形態と同様の材質で形成され、また、同様の方法により、同図に示した形状が形成される。
【００８４】
図７に示した図６のVII−VII断面図からみると、ゲートメタル配線６９０はゲートメタル層７４０に形成され、ポリシリコン層７３０に位置するポリシリコン膜６５０のトランジスタ形成領域６３０の上方を、当該トランジスタ形成領域６３０を覆うようにして形成される。このとき、図８に示した図６のVIII−VIII断面図からみると、ゲートメタル配線６９０は、ポリシリコン膜６５０のトランジスタ形成領域６３０の一部の上方に形成される。同様に、ゲートメタル６９１も、ポリシリコン膜６５０のトランジスタ形成領域６３０の上方を、当該トランジスタ形成領域６３０を覆うように形成される。
【００８５】
上記の構成により、ポリシリコン膜６５０のトランジスタ形成領域６３０を横切るようにして形成されたゲートメタル配線６９０、６９１によって、各検査用トランジスタ７１０が形成される。つまり、ポリシリコン層７３０とゲートメタル層７４０の２層で各検査用トランジスタ７１０が形成される。
【００８６】
上記のような構成によれば、千鳥配置された各検査用トランジスタ７１０は、コンタクトに接続された金属配線２つ分の幅、例えば、図６の偶数番目のパッド接続コンタクト６１０に接続された金属配線８２０間の幅まで、トランジスタ形成領域６３０の幅を確保することができる。また、ポリシリコン膜６５０同士のショート等を考慮に入れないとすれば、コンタクト２つ分の間の距離、例えば図６の偶数番目のパッド接続コンタクト６１０の中心間の距離まで、トランジスタ形成領域６３０の幅を確保することができる。
【００８７】
また、上記のようにコンタクト列８１０が形成されるようパッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０を千鳥配置することにより、パッド接続コンタクト６１０及び検査配線接続コンタクト６２０間の限られたスペースに、より効率的に検査用トランジスタ７１０を確保できる。
【００８８】
更に、本変形例では、上記実施形態のように、各配線領域６７０の幅は、各パッド接続コンタクト６１０間または各検査配線接続コンタクト６２０間の幅よりも狭くする必要がなく、より効率的に検査用トランジスタ７１０の幅を確保することもできる。
【００８９】
具体的には、例えば、ドライバの出力端子間の間隔に対応するパッドの配列方向のコンタクトの中心間の距離が、１５μｍの場合、２２μｍの検査用トランジスタの幅が確保でき、必要とされる検査用トランジスタの幅１３μｍ以上を確保することができる。
【００９０】
なお、当該変形例では、パッド接続コンタクト６１０が請求項の複数の第１のコンタクトに、検査配線接続コンタクト６２０は請求項の複数の第２のコンタクトに対応する。
【００９１】
なお、本発明は液晶表示パネルに限られず、例えば、有機ＥＬ表示パネルなど他の形式の表示パネルに適用できる。また、本発明は、上述した実施の形態及び変形例に限定されるものではなく変形可能であり、上記の構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００９２】
１０１ ＴＦＴ基板、１０２ 対向基板、１０３ ドライバ、１５０ パッド接続コンタクト、１６０ 検査配線接続コンタクト、２００ 表示パネル、３１０ パッド接続コンタクト、３２０ 検査配線接続コンタクト、３０２ ポリシリコン層、３５０ ポリシリコン膜、４１０ 検査用トランジスタ、４２０ トランジスタ形成領域、４３０ 配線領域、６１０ パッド接続コンタクト、６２０ 検査配線接続コンタクト、６９０、６９１ ゲートメタル、７１０ 検査用トランジスタ、６３０ トランジスタ形成領域、６７０ 配線領域、６５０ ポリシリコン膜、７２１ 絶縁層、７３０ ポリシリコン層、７４０ ゲートメタル層、９００ 表示パネル、９０２ 検査用トランジスタ、９０３ 画素領域部、９０５、９０６、９０７ ＲＧＢドレイン線検査用端子、９２０ ＲＧＢスイッチ、９３０ 検査用トランジスタ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライバを設置する複数のパッドと、前記複数のパッドとそれぞれ接続された複数の第１のコンタクトと、前記複数の第１のコンタクトと対向して設置された複数の第２のコンタクトと、前記複数の第１及び第２のコンタクト間をそれぞれ延伸し接続する複数のポリシリコン膜を形成するポリシリコン層と、少なくとも１本のゲートメタルを形成する、前記ポリシリコン層とは異なるゲートメタル層とを有し、前記ゲートメタル層は、隣接する少なくとも１以上のトランジスタ毎に千鳥配置された複数のトランジスタを、前記複数のポリシリコン膜を横切ることにより形成し、前記複数のトランジスタを形成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅は、前記コンタクトと接続する部分よりも広いことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記複数のトランジスタは、隣接する２以上のトランジスタからなる複数のトランジスタ列を含み、前記複数のトランジスタ列は、千鳥配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記複数のトランジスタ列は、それぞれ４以下のトランジスタを有する特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記複数のトランジスタ列は、前記複数の第１のコンタクト側から前記複数の第２のコンタクト側をみて、互いに重なっている部分を有することを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記複数のトランジスタ列の間に配置された各ポリシリコン膜の幅は、前記複数のトランジスタを構成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅よりも狭いことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記ゲートメタル層は、２本のゲートメタルを有し、前記複数のトランジスタは、１のトランジスタ毎に千鳥配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記複数の第１及び第２のコンタクトは、前記複数のパッドの配列方向に、千鳥配置されていることを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記複数の第１及び第２のコンタクトは、前記２本のゲートメタルの間において、一列に並ぶコンタクト列を形成することを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記表示パネルは、更に、前記ポリシリコン層及びゲートメタルとは異なる層に形成された金属配線層に複数の金属配線を有し、前記複数の金属配線は、前記複数の第１及び第２のコンタクトとそれぞれ接続され、前記金属配線の幅は、前記複数の第１及び第２のコンタクトの幅よりも狭いことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記ゲートメタルは、前記コンタクト列を形成する前記複数の第１及び第２のコンタクトに接続された前記複数の金属配線を、横切ることを特徴とする請求項８に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記複数のトランジスタを形成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅は、前記複数の第１及び第２のコンタクトの幅よりも広いことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１２】
前記ポリシリコン層と前記ゲートメタル層の間に絶縁層を有することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１】
ドライバを設置する複数のパッドと、前記複数のパッドとそれぞれ接続された複数の第１のコンタクトと、前記複数の第１のコンタクトと対向して設置された複数の第２のコンタクトと、前記複数の第１及び第２のコンタクト間をそれぞれ延伸し接続する複数のポリシリコン膜を形成するポリシリコン層と、少なくとも１本のゲートメタルを形成する、前記ポリシリコン層とは異なるゲートメタル層とを有し、前記ゲートメタル層は、隣接する少なくとも１以上のトランジスタ毎に千鳥配置された複数のトランジスタを、前記複数のポリシリコン膜を横切ることにより形成し、前記複数のトランジスタを形成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅は、前記コンタクトと接続する部分よりも広いことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記複数のトランジスタは、隣接する２以上のトランジスタからなる複数のトランジスタ列を含み、前記複数のトランジスタ列は、千鳥配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記複数のトランジスタ列は、それぞれ４以下のトランジスタを有する特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記複数のトランジスタ列は、前記複数の第１のコンタクト側から前記複数の第２のコンタクト側をみて、互いに重なっている部分を有することを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記複数のトランジスタ列の間に配置された各ポリシリコン膜の幅は、前記複数のトランジスタを構成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅よりも狭いことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記ゲートメタル層は、２本のゲートメタルを有し、前記複数のトランジスタは、１のトランジスタ毎に千鳥配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記複数の第１及び第２のコンタクトは、前記複数のパッドの配列方向に、千鳥配置されていることを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記複数の第１及び第２のコンタクトは、前記２本のゲートメタルの間において、一列に並ぶコンタクト列を形成することを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記表示パネルは、更に、前記ポリシリコン層及びゲートメタルとは異なる層に形成された金属配線層に複数の金属配線を有し、前記複数の金属配線は、前記複数の第１及び第２のコンタクトとそれぞれ接続され、前記金属配線の幅は、前記複数の第１及び第２のコンタクトの幅よりも狭いことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記ゲートメタルは、前記コンタクト列を形成する前記複数の第１及び第２のコンタクトに接続された前記複数の金属配線を、横切ることを特徴とする請求項８に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記複数のトランジスタを形成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅は、前記複数の第１及び第２のコンタクトの幅よりも広いことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１２】
前記ポリシリコン層と前記ゲートメタル層の間に絶縁層を有することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１１−８１０９２（Ｐ２０１１−８１０９２Ａ）
【公開日】平成２３年４月２１日（２０１１．４．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２３１９６８（Ｐ２００９−２３１９６８）
【出願日】平成２１年１０月５日（２００９．１０．５）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月２１日（２０１１．４．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１０月５日（２００９．１０．５）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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