表示装置及びその駆動方法並びに電子機器
【課題】
発光素子が有する性質により、環境温度が変化すると、輝度にバラツキが生じてしまう。上記の実情を鑑み、本発明は、環境温度の変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制する表示装置の提供を課題とする。特にソース信号線駆動回路が熱源となり画素部に温度傾斜が生じることによる輝度のバラツキを抑制することを課題とする。
【解決手段】
行方向にゲート信号線が配置され、列方向にソース信号線が配置され、ゲート信号線とソース信号線に対応してマトリクスに配置された画素部の発光素子とを有する表示装置において、画素部の脇にモニター素子の列を設け、モニター素子の各行毎に定電流を供給し、各行の画素毎のモニター素子に発生する電圧を、対応する行の発光素子に印加する。
発光素子が有する性質により、環境温度が変化すると、輝度にバラツキが生じてしまう。上記の実情を鑑み、本発明は、環境温度の変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制する表示装置の提供を課題とする。特にソース信号線駆動回路が熱源となり画素部に温度傾斜が生じることによる輝度のバラツキを抑制することを課題とする。
【解決手段】
行方向にゲート信号線が配置され、列方向にソース信号線が配置され、ゲート信号線とソース信号線に対応してマトリクスに配置された画素部の発光素子とを有する表示装置において、画素部の脇にモニター素子の列を設け、モニター素子の各行毎に定電流を供給し、各行の画素毎のモニター素子に発生する電圧を、対応する行の発光素子に印加する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は負荷に供給する電流をトランジスタで制御する機能を設けた半導体装置に係り、特に電流によって輝度が変化する電流駆動型発光素子で形成された画素や、その信号線駆動回路を含む表示装置に関する。また、その駆動方法に関する。また、その表示装置を表示部に有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素を発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子で形成した、いわゆる自発光型の表示装置が注目を浴びている。このような自発光型の表示装置に用いられる発光素子としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う）が注目を集めており、有機ＥＬディスプレイなどに用いられるようになってきている。
【０００３】
ＯＬＥＤなどの発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べて画素の視認性が高く、バックライトが不要で応答速度が速い等の利点がある。また発光素子の輝度は、発光素子を流れる電流値によって制御される。よって、階調を正確に表現するために、当該発光素子に一定の電流を流す定電流駆動を採用する表示装置がある（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３２３１５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発光素子は、その温度により、その抵抗値（内部抵抗値）が変化する性質を有する。具体的には、温度が通常よりも高くなると抵抗値が低下し、温度が通常よりも低くなると抵抗値が上昇する。そのため、定電圧駆動によって一定の電圧を発光素子に印加しているにも関わらず、温度が高くなると電流値が増加して所望の輝度よりも高い輝度となり、温度が低くなると電流値が低下して所望の輝度よりも低い輝度となる。
【０００５】
上述したような発光素子が有する性質により、温度が変化すると、輝度にバラツキが生じてしまう。上記の実情を鑑み、本発明は、温度の変化に起因した、発光素子の輝度のバラツキによる影響を抑制する表示装置の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の表示装置は、
温度変化により抵抗値が変化する複数の発光素子で構成される画素部と、
発光素子に電圧を供給する電圧源と、を有し、
電圧源は、画素部の面内の温度傾斜が発生し、発光素子毎に温度差が生じると、温度が高い発光素子には印加する電圧を低くし、温度が低い発光素子には印加する電圧を高くする手段を備えている。
【０００７】
また、本発明の表示装置は、列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
第１の信号線の列方向と第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は発光素子を有し、画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子に発生する電圧と概略同電圧を、モニター素子と並んで配置された発光素子に印加するアンプと、
を有する。
【０００８】
また、本発明の表示装置は、列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
第１の信号線の列方向と第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は発光素子を有し、画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、モニター素子と並んで配置された発光素子の陽極に入力するアンプと、
を有する。
【０００９】
また、本発明の表示装置は、列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
第１の信号線の列方向と第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は発光素子を有し、
画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
画素の複数行にわたって配置された複数のモニター素子に電流を供給する電流源と、
複数のモニター素子に発生する電圧と概略同電圧を複数のモニター素子と並んで配置された複数行の発光素子に電圧を印加するアンプと、
を有し、
画素の各行毎において配置された複数のモニター素子のうち、アンプが印加する複数行の発光素子と並んで配置された複数のモニター素子が並列接続されている。
【００１０】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、アンプはボルテージフォロワ回路である。
【００１１】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、画素部は複数の色要素でなる画素で構成され、モニター素子及びアンプは、色要素毎にそれぞれ設けられている。
【００１２】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子はＥＬ素子である。
【００１３】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子は同一の材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【００１４】
また、本発明の電子機器は、上記の表示装置を表示部に備えている。
【００１５】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、列方向に複数配置されたソース信号線に信号を出力するソース信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたゲート信号線に信号を出力するゲート信号線駆動回路と、
ソース信号線の列方向とゲート信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は発光素子及び発光素子を駆動するトランジスタと、を有し、画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、モニター素子と並んで配置された発光素子を駆動するトランジスタのソース端子に入力するアンプと、
を有する。
【００１６】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、列方向に複数配置されたソース信号線に信号を出力するソース信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたゲート信号線に信号を出力するゲート信号線駆動回路と、
ソース信号線の列方向とゲート信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は発光素子及び発光素子を駆動するトランジスタとを有し、画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
画素の複数行にわたって配置された複数のモニター素子に電流を供給する電流源と、
複数のモニター素子の陽極の電位と概略同電位を複数のモニター素子と並んで配置された複数行の発光素子を駆動するトランジスタのソース端子に入力するアンプと、
を有し、
画素の各行毎において配置された複数のモニター素子のうち、アンプが印加する複数行の発光素子と並んで配置された複数のモニター素子が並列接続されている。
【００１７】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、アンプはボルテージフォロワ回路である。
【００１８】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、画素部は複数の色要素でなる画素で構成され、モニター素子及びアンプは、色要素毎にそれぞれ設けられている。
【００１９】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子はＥＬ素子である。
【００２０】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子は同一の材料で形成されている。
【００２１】
また、本発明の電子機器は上記のアクティブマトリクス型表示装置を表示部に備えている。
【００２２】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、列方向に複数配置されたカラム信号線に信号を出力するカラム信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたロウ信号線に信号を出力するロウ信号線駆動回路と、
カラム信号線の列方向とロウ信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は、有機化合物を含む層がカラム信号線の一部でなる第１電極と、ロウ信号線の一部でなる第２電極とで挟まれた発光素子を有し、
画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置され、有機化合物を含む層がカラム信号線の一部でなる第１電極と、ロウ信号線の一部でなる第２電極とで挟まれたモニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、カラム信号線に入力するアンプと、
を有する。
【００２３】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、アンプはボルテージフォロワ回路である。
【００２４】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、画素は複数の色要素でなる画素で構成され、画素部の周辺に配置されたモニター素子及びアンプは、色要素の画素毎にそれぞれ設けられている。
【００２５】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子はＥＬ素子である。
【００２６】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子は同一の材料で形成されている。
【００２７】
また、本発明の電子機器は、上記構成のパッシブマトリクス型表示装置を表示部に備えている。
【００２８】
また、本発明の表示装置は、第１の基板上に第１の熱発散層を有し、
第１の熱発散層上に、温度変化で抵抗値が変化する発光素子を備えた画素部と、画素部の周辺に配置された駆動回路と、を有し、
画素部は第１の基板と第２の基板により挟まれている。
【００２９】
また、本発明の表示装置は、第１の基板上に第１の熱発散層を有し、
第１の熱発散層上に、温度変化で抵抗値が変化する発光素子を備えた画素部と、画素部の周辺に配置された薄膜トランジスタで構成される駆動回路と、を有し、
画素部は第１の基板と第２の基板により挟まれている。
【００３０】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第１の熱発散層の熱伝導率は１０〜３００Ｗ／ｍＫである。
【００３１】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第１の熱発散層は窒化アルミニウム又は窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む層である。
【００３２】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第１の熱発散層は窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）を含む層である。
【００３３】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、窒化酸化アルミニウムには酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれている。
【００３４】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第２の基板の外側の面には第２の熱発散層が形成されている。
【００３５】
また、本発明の表示装置は、第２の熱発散層は金属膜である。
【００３６】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、金属膜は銅を含む膜で形成されている。
【００３７】
また、本発明の電子機器は上記構成の表示装置を表示部に備えている。
【００３８】
また、本発明の表示装置の駆動方法は、温度変化により抵抗値が変化する複数の発光素子で構成される画素部を有する表示装置において、
画素部の面内の温度傾斜が生じると、温度が高い発光素子には印加する電圧を低くし、温度が低い発光素子には印加する電圧を高くする。
【発明の効果】
【００３９】
温度に起因した発光素子の輝度のバラツキを低減した表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４１】
図２３に本発明の表示装置の模式図を示す。本発明の表示装置は、第１の信号線駆動回路２３０１、第２の信号線駆動回路２３０２、画素部２３０３を備え、画素部２３０３にはマトリクスに複数の発光素子２３０７が配置されている。ここで、発光素子２３０７は温度が高くなると抵抗値が低くなる特性を有しているものとする。また、この表示装置において、第１の信号線駆動回路２３０１は第２の信号線駆動回路２３０２よりも高い周波数で動作しているものとする。
【００４２】
また、表示装置は画素部２３０３の周辺に、列方向にモニター素子２３０５が配置されたモニター素子群２３０６を有する。つまり、モニター素子２３０５は画素部２３０３の発光素子２３０７の各行方向に並んで配置されている。また、それらのモニター素子２３０５のそれぞれに定電流を供給する基本電流源２３０４を有する。
【００４３】
以下に本発明の表示装置の動作原理について簡単に説明する。基本電流源２３０４はモニター素子２３０５に定電流を供給する。つまり定電流駆動させる。そして、図２３中の矢印に示すようにモニター素子２３０５に発生する電圧を、モニター素子２３０５に並んで行方向に配置された複数の発光素子２３０７に印加する。つまり発光素子２３０７は定電圧駆動させる。
【００４４】
こうして、高い周波数で動作するために熱源となってしまう第１の信号線駆動回路２３０１から、画素部２３０３の面内において発光素子２３０７の配置が遠くになるにつれて、発光素子２３０７に印加する電圧を高くしていくことができる。逆にいえば、第１の信号線駆動回路２３０１から発光素子２３０７の配置が近くなるにつれて、発光素子２３０７に印加する電圧を低くしていくことができる。よって、画素部２３０３の面内の温度傾斜に伴う輝度のバラツキが低減される。
【００４５】
ここで、面内の発光素子に共通の電圧を供給する場合の表示装置の模式図を図２４に示す。図２４の表示装置は、第１の信号線駆動回路２４０１、第２の信号線駆動回路２４０２、画素部２４０３を備え、画素部２４０３にはマトリクスに複数の発光素子２４０４が配置されている。なお、発光素子２４０４は温度が高くなると抵抗値が低くなる特性を有しているものとする。また、この表示装置において、第１の信号線駆動回路２４０１は第２の信号線駆動回路２４０２よりも高い周波数で動作しているものとする。
【００４６】
ここで、第１の信号線駆動回路２４０１は高い周波数で動作するため、第２の信号線駆動回路２４０２に比べて高温となる。すると、画素部２４０３の面内の温度は第１の信号線駆動回路２４０１に近い部分は高温となり、遠くになるにつれて第１の信号線駆動回路２４０１からの発熱の影響が小さくなる。すると、第１の信号線駆動回路２４０１に近い方の画素部の発光素子２４０４も高温となり、抵抗値が小さくなる。一方、第１の信号線駆動回路２４０１から遠くの方の画素部の発光素子２４０４は第１の信号線駆動回路２４０１の発熱の影響が小さいためあまり抵抗値の変動は生じない。
【００４７】
このとき、画素部２４０３の発光素子２４０４に共通の電圧を供給すると、画素部２３０３の面内の発光素子２４０４は第１の信号線駆動回路２４０１に近づくにつれて明るく表示されてしまう。つまり輝度が高くなってしまう。
【００４８】
ところが、図２３を用いて説明したように本発明の表示装置ではこのバラツキが低減される。
【００４９】
なお、図２３や図２４では第１の信号線駆動回路２３０１、２４０１を熱源として説明したが、これに限られない。例えば表示装置のパネルとモジュールを接続するＦＰＣの接続部が熱源となる場合には、熱源となるＦＰＣ接続部から遠くになるにつれて発光素子に印加する電圧を高くするようにすればよい。
【００５０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、アクティブ型表示装置に本発明を適用した場合について説明する。まず、本発明の表示装置の有する温度及び劣化補償回路（以下単に補償回路という）の基本原理について図１１を用いて説明する。
【００５１】
図１１は、アクティブ型の表示装置を模式的に示した図である。表示装置はゲート信号線駆動回路（ゲートドライバともいう）１１０７、ソース信号線駆動回路（ソースドライバともいう）１１０８、画素部１１０９を備え、画素部１１０９は複数の画素１１０６から構成されており、画素１１０６は駆動トランジスタ１１０４、発光素子１１０５を有する。また、表示装置は基本電流源１１０１、モニター素子１１０２、アンプ１１０３を有しており、基本電流源１１０１はモニター素子１１０２に定電流を供給する。つまり、モニター素子１１０２は定電流駆動させる。よってモニター素子１１０２に流れる電流値は常に一定である。この状態で周囲の温度（以下環境温度という）が変化すると、モニター素子１１０２自体の抵抗値が変化する。そして、モニター素子１１０２の抵抗値が変化すると、当該モニター素子１１０２に流れる電流値は一定であることから、モニター素子１１０２の両電極間の電位差が変化する。このモニター素子１１０２の両電極間の電位差を検出することで温度の変化を検出する。より詳しくは、モニター素子１１０２の一定の電位に保たれている側の電極の電位、つまり図１では陰極１１１０の電位は変わらないので、基本電流源１１０１に接続されている側の電位、つまり図１では陽極１１１１の電位の変化を検出する。
【００５２】
ここで、モニター素子１１０２の電圧−電流特性の環境温度依存性ついて図１３を用いて説明する。室温（例えば２５℃）、低温（例えば−２０℃）、高温（例えば７０℃）でのモニター素子１１０２の電圧−電流特性をそれぞれ線１３０１、線１３０２、線１３０３に示す。基本電流源１１０１からモニター素子１１０２へ流れる電流値がＩ0であるとき、常温ではモニター素子にはＶ0の電圧が発生していることになる。そして、低温時ではＶ1の電圧となり、高温時ではＶ2の電圧となる。つまり、電流値Ｉ0の電流が常温のモニター素子１１０２に流れるとモニター素子１１０２での電圧降下はＶ0となり、低温のモニター素子１１０２での電圧降下はＶ1となり、高温のモニター素子１１０２での電圧降下はＶ2となる。よって、低温になったときには発光素子１１０５に電圧Ｖ1を、高温になったときには発光素子１１０５に電圧Ｖ2を加えるようにすると温度補償をすることができる。
【００５３】
また、図１４はモニター素子１１０２の電圧−電流特性の経時変化を説明する図である。モニター素子１１０２の初期特性を線１４０１、劣化後の特性を線１４０２で示している。なお、初期特性と劣化後の特性は同じ温度条件（常温）で測定したものとする。初期特性の状態でモニター素子１１０２に電流Ｉ0が流れるとモニター素子１１０２に発生する電圧はＶ0、劣化後のモニター素子１１０２に発生する電圧はＶ3となる。つまり、一定の電圧を発光素子に印加する場合には、経時的にその電流値が減少する性質を有する。つまり、発光素子に電流を流し始めた初期の状態に比べ、電流を流し続けて時間がたった後の発光素子の抵抗値は高くなる。よって、一定の電圧を発光素子に印加しているにも関わらず、発光素子に流れる電流値は経時的に減少してくる。よって、このＶ3の電圧を、同様に劣化した発光素子１１０５に印加するようにすれば、見かけ上の発光素子１１０５の劣化を低減することができる。
【００５４】
よって、これらの温度変化及び経時変化の情報を加味した電圧を発光素子１１０５に印加するようにする。つまり、温度変化及び経時変化に起因した発光素子１１０５の抵抗値の変化に合わせて電圧値を設定する。こうして、温度変化及び経時変化に起因した発光素子１１０５の輝度のバラツキを抑制する。
【００５５】
ここで、それぞれの発光素子１１０５の温度は画素部１１０９の面内における画素１１０６の位置する場所によっても大きく異なる。例えば、高い周波数で動作させるソース信号線駆動回路１１０８は発熱して高温になる。よって、ソース信号線駆動回路１１０８側に位置する画素１１０６の発光素子１１０５も高温になる。したがって、ソース信号線駆動回路１１０８の近くに位置する発光素子１１０５から遠くに位置する発光素子１１０５まで画素部１１０９に温度傾斜が生じることになるため、画素部１１０９を構成する全ての画素１１０６の発光素子１１０５に共通の電圧を印加すると、輝度にバラツキが生じてしまう。つまり、ソース信号線駆動回路１１０８に近い方の発光素子１１０５の輝度は高くなり、ソース信号線駆動回路１１０８から遠くなるにつれて発光素子１１０５の輝度は低くなってしまう。
【００５６】
そこで本発明は、画素部面内において、画素の位置する場所によって生じる発光素子の温度変化による輝度のバラツキを低減するため、画素部面内における画素の位置毎に適した電圧を発光素子に印加するようにする。より好ましくは列方向に複数配置されたソース信号線と行方向に複数配置されたゲート信号線に対応してマトリクスに配置された複数の画素を有する表示装置において、画素の各行毎に発光素子に印加する電圧を設定する。そして、その設定する電圧は、画素の各行毎に環境温度及び経時変化を補償した電圧を設定する。
【００５７】
図１を用いて画素の各行毎に温度及び経時変化を補償した電圧を設定するアクティブ型表示装置の構成の一例を説明する。本実施の形態の表示装置はデジタル時間階調方式を採用した表示装置を示している。
【００５８】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路１０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路１０６と、行方向と列方向に対応してマトリクスに複数の画素１０８が配置された画素部１０７を備えている。画素１０８は駆動トランジスタ１１０と発光素子１０９を有しており、発光素子１０９の陰極はＧＮＤに接続されている。ゲート選択期間中にソース信号線Ｓ1〜Ｓnにより入力された信号によって駆動トランジスタ１１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ１１０がオンになっている画素１０８の発光素子１０９が発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の行を画素群１１１ａ1、ゲート信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群１１１ａ2、ゲート信号線Ｇmにより選択される画素の行を画素群１１１ａmで示している。
【００５９】
さらに表示装置は基本電流源１０１ａ1〜１０１ａm、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａm、アンプ１０３ａ1〜１０３ａmを有している。モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmの陰極は発光素子１０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。そして、基本電流源１０１ａ1はモニター素子１０２ａ1に定電流を供給し、モニター素子１０２ａ1に電圧が発生する。つまり、モニター素子１０２ａ1の両電極間に電位差が生じる。このときのモニター素子１０２ａ1の陽極１０４ａ1の電位をアンプ１０３ａ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖ1に出力する。こうして、ゲート信号線Ｇ1にスイッチング用トランジスタのゲート電極が接続されている画素群１１１ａ1の中で駆動トランジスタ１１０がオンになっている画素１０８の発光素子１０９の陽極に、アンプ１０３ａ1から出力された電位が入力される。そして、発光素子１０９に電流が流れ、発光する。同様に基本電流源１０１ａ2〜１０１ａmはそれぞれモニター素子１０２ａ2〜１０２ａmに定電流を供給し、アンプ１０３ａ2〜１０３ａmがそれぞれのモニター素子１０２ａ2〜１０２ａmの陽極１０４ａ2〜１０４ａmの電位を検出し、概略同電位を電源線Ｖ2〜Ｖmに出力する。こうして、画素群１１１ａ1、１１１ａ2、１１１ａ3、・・・、１１１ａmというように画素行毎に発光素子１０９に印加する電圧を設定することができる。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【００６０】
なお、アンプ１０３ａ1〜１０３ａmとしてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には基本電流源１０１ａ2〜１０１mの電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ１０３ａ1〜１０３ａmには電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【００６１】
また、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmや各画素１０８の発光素子１０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmや各発光素子１０９の陰極は他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmと各発光素子１０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmや各画素１０８の発光素子１０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【００６２】
また、モニター素子１０２ａ1は、画素部の周辺に画素群１１１ａ1の発光素子１０９と並んで配置され、同様にモニター素子１０２ａ2〜１０２ａmは、画素部の周辺にそれぞれ画素群１１１ａ2〜１１１ａmの発光素子１０９と並んで配置されている。したがって、発光素子１０９には、ソース信号線駆動回路１０６からの距離が概略等しいモニター素子、つまり、温度変化により変動する抵抗値が概略等しいモニター素子に発生する電圧と概略等しい電圧が印加されることになる。よって、ソース信号線駆動回路１０６の発熱による画素部１０７の面内の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。なお、もちろん環境温度変化や経時変化に起因する輝度のバラツキも低減することができる。
【００６３】
なお、モニター素子と発光素子は同一基板上に同一の材料で同時に形成することが好ましい。そうすることで、モニター素子と発光素子の電流電圧特性のばらつきを低減することができるからである。
【００６４】
なお、図１の構成では各行の画素部に対応して１つのモニター素子を設けているが、複数であってもよい。モニター素子を各行毎に並列に複数設けることでモニター素子の特性のバラツキを平均化することができる。
【００６５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、図１を用いて説明したアクティブ型表示装置の具体的な構成の一例について図２を用いて説明する。
【００６６】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路２０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路２０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスに複数の画素２０８が配置された画素部２０７を備えている。画素２０８はスイッチング用トランジスタ２０４と、駆動トランジスタ２１０と、容量素子２１１と、発光素子２０９とを有している。
【００６７】
ここで、ソース信号線駆動回路２０６にはシリアルにＤＡＴＡ信号が入力される。そしてパルス出力回路２１２にはＳＣＫ信号、ＳＣＫＢ信号、ＳＳＰ信号が入力され、第１のラッチ回路２１３の各列に順次信号が出力される。このパルス出力回路２１２から出力された信号に従って第１のラッチ回路２１３にＤＡＴＡ信号がパラレルに保存されることになる。そして、第２のラッチ回路２１４にＳＬＡＴ信号が入力されると、この第１のラッチ回路２１３に保存されたＤＡＴＡ信号は第２のラッチ回路２１４に転送される。この第２のラッチ回路２１４に保存されたＤＡＴＡ信号がソース信号線駆動回路２０６から出力される。また、ゲート信号線駆動回路２０５にはＧＣＫ信号、ＧＣＫＢ信号、ＧＳＰ信号が入力され、順次ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmを選択する。ゲート選択期間中において、その選択されているゲート信号線にゲート電極が接続されているスイッチング用トランジスタ２０４がオンする。そして、ソース信号線駆動回路２０６から出力された信号がＳ1〜Ｓnを通じて、選択されている行の画素２０８の容量素子２１１に書き込まれる。こうしてソース信号線Ｓ1〜Ｓnからの信号となる電荷が容量素子２１１に蓄積される。この蓄積される電荷により駆動トランジスタ２１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ２１０がオンになっている画素２０８の発光素子２０９が発光する。
【００６８】
さらに表示装置は基本電流源２０１ａ1〜２０１ａm、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａm、ボルテージフォロワ回路２０３ａ1〜２０３ａmを有している。モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmの陰極及び発光素子２０９の陰極はＧＮＤに接続されている。そして、基本電流源２０１ａ1はモニター素子２０２ａ1に定電流を供給し、モニター素子２０２ａ1に電圧が発生する。つまり、モニター素子２０２ａ1の両電極間に電位差が生じる。このときのモニター素子２０２ａ1の陽極の電位をボルテージフォロワ回路２０３ａ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖ1に出力する。こうして、ゲート信号線Ｇ1が選択されているときに、ゲート信号線Ｇ1にスイッチング用トランジスタ２０４のゲート端子が接続されている画素行にソース信号線Ｓ1〜Ｓnから信号が入力される。そして、駆動トランジスタ２１０がオンになっている画素２０８の発光素子２０９に、ボルテージフォロワ回路２０３ａ1から出力された電位が入力される。そして、発光素子２０９に電流が流れ、発光する。同様に基本電流源２０１ａ2〜２０１mはそれぞれモニター素子２０２ａ2〜２０２ａmに定電流を供給し、ボルテージフォロワ回路２０３ａ2〜２０３ａmがそれぞれのモニター素子２０２ａ2〜２０２ａmの陽極の電位を検出し、概略同電位を電源線Ｖ2〜Ｖmに出力する。こうして、画素行毎に発光素子２０９に印加する電圧を設定することができる。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【００６９】
また、モニター素子２０２ａ1は、画素部の周辺にゲート信号線Ｇ1にゲート電極が接続されたスイッチング用トランジスタ２０４を有する画素２０８の発光素子２０９と並んで配置され、同様にモニター素子２０２ａ2〜２０２ａmは、画素部の周辺にそれぞれゲート信号線Ｇ２〜Ｇｍにゲート電極が接続されたスイッチング用トランジスタ２０４を有する画素２０８の発光素子２０９と並んで配置されている。したがって、発光素子には、ソース信号線駆動回路２０６からの距離が概略等しいモニター素子、つまり、温度変化により変動する抵抗値が概略等しいモニター素子に発生する電圧と概略等しい電圧が印加されることになる。よって、ソース信号線駆動回路２０６の発熱による画素部２０７の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。なお、もちろん環境温度変化や経時変化に起因する輝度のバラツキも低減することができる。
【００７０】
なお、図２の構成ではボルテージフォロワ回路２０３ａ1〜２０３ａmを用いているが入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【００７１】
また、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmや各画素２０８の発光素子２０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmや発光素子２０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmと各発光素子２０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmや発光素子２０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【００７２】
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができる。
【００７３】
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択することができる。
【００７４】
また、図２の表示装置とは異なる構成を図３に示す。図３の構成では電源線Ｖ１〜Ｖｍを画素部の外に設けることができる。
【００７５】
図３に示す表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路３０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路３０６と、行方向と列方向に対応してマトリクスに複数の画素３０８が配置された画素部３０７を備えている。画素３０８はスイッチング用トランジスタ３０４と、駆動トランジスタ３１０と、容量素子３１１と、発光素子３０９とを有している。また、図３に示す表示装置は基本電流源３０１ａ1〜３０１ａm、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａm、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmを有している。ここで、図３に示す表示装置において、基本電流源３０１ａ1〜３０１ａm、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａm、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａm、ゲート信号線駆動回路３０５、ソース信号線駆動回路３０６、画素部３０７は、図２に示す表示装置の基本電流源２０１ａ1〜２０１ａm、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａm、ボルテージフォロワ回路２０３ａ1〜２０３ａm、ゲート信号線駆動回路２０５、ソース信号線駆動回路２０６、画素部２０７に対応し、動作については同様であるので説明は省略する。
【００７６】
なお、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmからは電位が出力される。よって、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmの出力端子から各画素３０８までの配線の配線抵抗により電圧降下が生じると各画素３０８の発光素子３０９に印加される電圧値がばらついてしまう。そこで、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmの出力端子から各画素３０８までの配線の配線抵抗を低くすることが好ましい。よって、電源線Ｖ1〜Ｖmを本構成のように電源線Ｖ1〜Ｖmを画素部の外に配置し、抵抗の低い材料で形成することでより各画素３０８の輝度のバラツキを低減することができる。ただし、画素行が多くなると、駆動トランジスタ３１０と電源線Ｖ1〜Ｖmとの引き回し配線が多くなり、画素の開口率が低くなってしまうため図２の構成や図３の構成を適宜用いるとよい。また、例えば、画素部３０７の上方の行と下方の行は図３のような構成とし、それ以外は図２のような構成とするように、組み合わせて用いても構わない。
【００７７】
なお、図３の構成ではボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmを用いているが入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【００７８】
また、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmや各画素３０８の発光素子３０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmや発光素子３０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmと各発光素子３０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmや発光素子３０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【００７９】
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができる。
【００８０】
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択することができる
【００８１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路４０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路４０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスに複数の画素４０８が配置された画素部４０７を備えている表示装置において、複数の行の画素４０８毎に分けて発光素子４０９に印加する電圧値を設定する表示装置の構成について説明する。つまり、図１の構成では画素の一行づつに電圧値を設定していたが、図４の構成では画素の二行づつに電圧値を設定する。
【００８２】
図４に示す表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路４０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路４０６と、行方向と列方向に対応してマトリクスに複数の画素４０８が配置された画素部４０７を備えている。画素４０８は駆動トランジスタ４１０と発光素子４０９を有しており、発光素子４０９の陰極はＧＮＤに接続されている。ゲート選択期間中にソース信号線により入力された信号によって駆動トランジスタ４１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ４１０がオンになっている画素４０８の発光素子４０９が発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の行を画素群４１１ａ1、ゲート信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群４１１ａ2、ゲート信号線Ｇmにより選択される画素の行を画素群４１１ａmで示している。
【００８３】
さらに表示装置は基本電流源４０１ａ1〜４０１ａm/2、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａm、アンプ４０３ａ1〜４０３ａm/2を有している。モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmの陰極は発光素子４０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。そして、基本電流源４０１ａ1はモニター素子４０２ａ1及びモニター素子４０２ａ2に定電流を供給し、モニター素子４０２ａ1及びモニター素子４０２ａ2に電圧が発生する。つまり、モニター素子４０２ａ1及びモニター素子４０２ａ2のそれぞれの両電極間に電位差が生じる。このときのモニター素子４０２ａ1及びモニター素子４０２ａ2の陽極４０４ａ1及び陽極４０４ａ2の電位をアンプ４０３ａ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖ1に出力する。こうして、ゲート信号線Ｇ1がスイッチング用トランジスタのゲート電極に接続されている画素群４１１ａ1又はゲート信号線Ｇ2がスイッチング用トランジスタのゲート電極に接続されている画素群４１１ａ2で駆動トランジスタ４１０がオンになっている画素４０８の発光素子４０９に、アンプ４０３ａ1から出力された電位が入力される。そして、発光素子４０９に電流が流れ、発光する。同様に基本電流源４０１ａ2〜４０１m/2はそれぞれモニター素子４０２ａ3及び４０２ａ4〜４０２ａm―1及び４０２ａmに定電流を供給し、アンプ４０３ａ2〜４０３ａm/2がそれぞれのモニター素子４０２ａ3及び４０２ａ4〜４０２ａm―1及び４０２ａmの陽極４０４ａ3及び４０４ａ4〜４０４ａm―1及び４０４ａmの電位を検出し、概略同電位を電源線Ｖ2〜Ｖm/2に出力する。こうして、画素群４１１ａ1と４１１ａ2、４１１ａ3と４１１ａ4、・・・、４１１ａm―1と４１１ａmというように二行の画素群毎に発光素子１０９に印加する電圧を設定することができる。つまり、二つのモニター素子の抵抗値の平均化した値に対する電圧値を検出し、発光素子に印加していることになる。また、二行分の画素の電源線を共通にすることから、電源線の数及び駆動トランジスタ４１０の引き回し配線を減らすことができる。よって、モニター素子の特性のバラツキの平均化及び画素の開口率の向上を図ることができる。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【００８４】
なお、図４の構成では、二行分の画素の電源線を共通としたが、これに限らない。画素部の温度傾斜による輝度のバラツキを低減することができるよう適宜調整することができる。例えば、画素部の画素行のちょうど半分のところで上部と下部に分けて二つの電源線を設けてもいいし、特にソース信号線駆動回路４０６の発熱による影響を受けやすい画素行、つまりソース信号線駆動回路４０６に近い数行の画素行のみの電源線を別に設けてもよい。
【００８５】
なお、アンプ４０３ａ1〜４０３ａm/2としてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には基本電流源４０１ａ2〜４０１m/2の電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ４０３ａ1〜４０３ａm/2には電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【００８６】
また、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmや各画素４０８の発光素子４０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmや各発光素子４０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmと各発光素子４０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmや各画素４０８の発光素子４０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【００８７】
また、図４の構成は図１の構成の表示装置の複数の画素行の電源線を共通とする例を示したが、図３のような構成のように、電源線を画素部の外に設けた構成においても適用することができる。そのような表示装置の具体的な構成の一例を図５に示す。
【００８８】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路５０５と、列方向にソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路５０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスに複数の画素５０８が配置された画素部５０７を備えている。画素５０８は駆動トランジスタ５１０とスイッチング用トランジスタ５０４と発光素子５０９とを有しており、発光素子５０９の陰極はＧＮＤに接続されている。また、ソース信号線駆動回路５０６はパルス出力回路５１２、第１のラッチ回路５１３、第２のラッチ回路５１４を有する。ゲート選択期間中にソース信号線により入力された信号によって駆動トランジスタ５１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ５１０がオンになっている画素５０８の発光素子５０９が発光する。
【００８９】
さらに表示装置は基本電流源５０１ａ1〜５０１ａm/2、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａm、ボルテージフォロワ回路５０３ａ1〜５０３ａm/2を有している。モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmの陰極は発光素子５０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。本構成では基本電流源５０１ａ1によりモニター素子５０２ａ1及びモニター素子５０２ａ2に電流が供給される。そして、ボルテージフォロワ回路５０３ａ1は、これらのモニター素子の陽極の電位を検出し、電源線Ｖ1に電位を設定する。
【００９０】
また、本構成は、電源線Ｖ1〜Ｖm/2が画素部５０７の外側に配置されており、かつ駆動トランジスタ５１０のソース電極の引き回し配線の数を減らすことができるため画素の開口率を向上させることができる。
【００９１】
なお、図５の構成ではボルテージフォロワ回路５０３ａ1〜５０３ａm/2を用いているが入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【００９２】
また、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmや各画素５０８の発光素子５０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmや発光素子５０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmと各発光素子５０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmや発光素子５０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【００９３】
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができる。
【００９４】
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択することができる
【００９５】
（実施の形態４）
本実施の形態では複数の色要素を有する表示装置において、色要素の画素毎に補償機能を有する表示装置について説明する。その一例としてＲＧＢの画素毎に補償機能を有する表示装置について図６を用いて説明する。なお、本実施の形態では、１画素を構成するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色要素毎にＲの画素、Ｇの画素、Ｂの画素という。
【００９６】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路６０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓｒ1、Ｓｇ1、Ｓｂ1、Ｓｒ2、Ｓｇ2、Ｓｂ2、・・・Ｓｒn、Ｓｇn、Ｓｂnへ信号を出力するソース信号線駆動回路６０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスにＲの画素６０８ｒ、Ｇの画素６０８ｇ、Ｂの画素６０８ｂから構成される画素６０８が複数配置された画素部６０７を備えている。Ｒの画素６０８ｒ、Ｇの画素６０８ｇ、Ｂの画素６０８ｂはそれぞれ駆動トランジスタ６１０と発光素子６０９を有しており、発光素子６０９の陰極はＧＮＤに接続されている。ゲート選択期間中にソース信号線Ｓｒ1、Ｓｇ1、Ｓｂ1〜Ｓｒn、Ｓｇn、Ｓｂnにより入力された信号によって駆動トランジスタ６１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ６１０がオンになっている画素６０８の発光素子６０９が発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の行を画素群６０４ａ1、ゲート信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群６０４ａ2、ゲート信号線Ｇ3により選択される画素の行を画素群６０４ａ3、ゲート信号線Ｇmにより選択される画素の行を画素群６０４ａmで示している。
【００９７】
さらに表示装置は基本電流源６０１ｒ1〜６０１ｒm、基本電流源６０１ｇ1〜６０１ｇm、基本電流源６０１ｂ1〜６０１ｂm、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、モニター素子６０２ｇ1〜６０２ｇm、モニター素子６０２ｂ1〜６０２ｂm、アンプ６０３ｒ1〜６０３ｒm、アンプ６０３ｇ1〜６０３ｇm、アンプ６０３ｂ1〜６０３ｂmを有している。モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、モニター素子６０２ｇ1〜６０２ｇm、モニター素子６０２ｂ1〜６０２ｂmの陰極は発光素子６０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。そして、基本電流源６０１ｒ1はモニター素子６０２ｒ1に定電流を供給し、モニター素子６０２ｒ1に電圧が発生する。つまり、モニター素子６０２ｒ1の両電極間に電位差が生じる。このときのモニター素子６０２ｒ1の陽極の電位をアンプ６０３ｒ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖｒ1に出力する。また、同様に基本電流源６０１ｇ1はモニター素子６０２ｇ1に、基本電流源６０１ｂ1はモニター素子６０２ｂ1に定電流を供給し、モニター素子６０２ｇ1の陽極の電位をアンプ６０３ｇ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖｇ1に出力し、モニター素子６０２ｂ1の陽極の電位をアンプ６０３ｂ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖｂ1に出力する。同様に基本電流源６０１ｒ2〜６０１ｒm、基本電流源６０１ｇ2〜６０１ｇm、基本電流源６０１ｂ2〜６０１ｂmはそれぞれモニター素子６０２ｒ2〜６０２ｒm、モニター素子６０２ｇ2〜６０２ｇm、モニター素子６０２ｂ2〜６０２ｂmに定電流を供給し、アンプ６０３ｒ2〜６０３ｒmがそれぞれのモニター素子６０２ｒ2〜６０２ｒmの陽極の電位を、アンプ６０３ｇ2〜６０３ｇmがそれぞれのモニター素子６０２ｇ2〜６０２ｇmの陽極の電位を、アンプ６０３ｂ2〜６０３ｂmがそれぞれのモニター素子６０２ｂ2〜６０２ｂmの陽極の電位を検出し、概略同電位をそれぞれ電源線Ｖｒ2〜Ｖｒm、電源線Ｖｇ2〜Ｖｇm、電源線Ｖｂ2〜Ｖｂmに出力する。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【００９８】
つまり、画素群６０４ａ1において、Ｒの画素の発光素子には電源線Ｖｒ1が電圧を供給し、Ｇの画素の発光素子には電源線Ｖｇ１が電圧を供給し、Ｂの画素の発光素子には電源線Ｖｂ1が電圧を供給する。同様に、画素群６０４ａ2〜画素群６０４ａmにおいて、Ｒの画素の発光素子には電源線Ｖｒ2〜Ｖｒmが、Ｇの画素の発光素子には電源線Ｖｇ2〜Ｖｇmが、Ｂの画素の発光素子には電源線Ｖｂ2〜Ｖｂmが電圧を供給する。
【００９９】
このように、画素行ごとに並んで配置して設けられたモニター素子に発生する電圧を検出し、その電圧をその画素行の発光素子に印加することでソース信号線駆動回路６０６の発熱による画素部の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。
【０１００】
また、画素行のＲＧＢの画素毎にモニター素子を設けて温度変化及び経時変化の補償を行っているため、ＲＧＢ毎の特性に合わせて発光素子に電圧値を設定することができる。つまり、ＲＧＢの画素間の輝度のバラツキを補償することができる。
【０１０１】
なお、本発明は、ＲＧＢ毎の画素をデルタ配置にした構成の表示装置にも適用することができる。デルタ配置の画素とすることで高画質な表示装置を提供することができる。
【０１０２】
また、アンプ６０３ｒ1〜６０３ｒm、アンプ６０３ｇ1〜６０３ｇm、アンプ６０３ｂ1〜６０３ｂmとしてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には基本電流源６０１ｒ1〜６０１ｒm、６０１ｇ1〜６０１ｇm、６０１ｂ1〜６０１ｂmの電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ６０３ｒ1〜６０３ｒm、アンプ６０３ｇ1〜６０３ｇm、アンプ６０３ｂ1〜６０３ｂmには電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【０１０３】
また、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２ｂmや各画素６０８の発光素子６０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２ｂmや各発光素子６０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２ｂmと各発光素子６０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２ｂmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２ｂmや各画素６０８の発光素子６０９は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【０１０４】
（実施の形態５）
本実施の形態では、図１の構成において、モニター素子に供給する基本電流源の数を減らした構成について図７を用いて説明する。
【０１０５】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路７０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路７０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスに複数の画素７０８が配置された画素部７０７を備えている。画素７０８は駆動トランジスタ７１０と発光素子７０９を有しており、発光素子７０９の陰極はＧＮＤに接続されている。ゲート選択期間中にソース信号線により入力された信号によって駆動トランジスタ７１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ７１０がオンになっている画素７０８の発光素子７０９が発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の行を画素群７１１ａ1、ゲート信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群７１１ａ2、ゲート信号線Ｇmにより選択される画素の行を画素群７１１ａmで示している。
【０１０６】
さらに表示装置は基本電流源７０１、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａm、アンプ７０３ａ1〜７０３ａmを有している。モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmの陰極は発光素子７０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。つまり、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに接続されているそれぞれの画素行毎の電源線Ｖ1〜Ｖmに電圧を供給するアンプがそれぞれ設けられている。そして、それぞれのアンプはそれぞれの画素行に並んで配置して設けられたモニター素子の陽極７０４ａ1の電位を検出して、概略同電位を電源線に設定する。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【０１０７】
ここで、一つの基本電流源７０１を用いて、各画素群７１１ａ1〜７１１ａmに並んで配置して設けられた各モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmに同じ電流値の電流を供給し、それぞれのモニター素子に発生する電圧を、それぞれの画素行毎に設けられたアンプ７０３ａ1〜７０３ａmにより検出する原理について説明する。
【０１０８】
まず、ゲート信号線Ｇ１により選択される画素群７１１ａ1の電源線Ｖ1に電位を設定するためスイッチ７１３ａ1及びスイッチ７１４ａ1をオンにする。すると、基本電流源７０１からの電流が容量素子７１２ａ1及びモニター素子７０２ａ1に流れる。そして、モニター素子７０２ａ1に発生する電圧分の電荷が容量素子７１２ａ1に蓄積され、容量素子７１２ａ１には電流が流れなくなる。そして、容量素子７１２ａ1の陽極の電位をアンプ７０３ａ１が検出する。ここで、容量素子７１２ａ1の陰極の電位はモニター素子の陰極の電位と同じに設定されているため、モニター素子７０２ａ1の陽極７０４ａ1の電位と同電位の容量素子７１２ａ1の陽極の電位を検出することで、モニター素子７０２ａ1に発生する電圧を検出することができる。
【０１０９】
なお、スイッチ７１３ａ1及びスイッチ７１４ａ1をオンにしているときには、スイッチ７１３ａ2〜スイッチ７１３ａm及びスイッチ７１４ａ2〜スイッチ７１４ａmはオフにする。そして、次にスイッチ７１３ａ2及び７１４ａ2をオンにするときにはスイッチ７１３ａ1、スイッチ７１３ａ3〜スイッチ７１３ａm及びスイッチ７１４ａ1、スイッチ７１４ａ3〜スイッチ７１４ａmはオフにする。こうすることで、各画素群７１１ａ1〜７１１ａmに並んで配置して設けられたモニター素子７０２ａ1〜７０２ａmへ順々に基本電流源７０１から電流を供給することができる。また、各モニター素子のそれぞれの電圧分の電荷を蓄積する容量素子は、対応するモニター素子に電流が供給されていないときには、対応するモニター素子に電流が流れていたときに発生した電圧を保持することができる。
【０１１０】
なお、アンプ７０３ａ1〜７０３ａmとしてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には基本電流源７０１の電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ７０３ａ1〜７０３ａmには電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【０１１１】
また、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各画素７０８の発光素子７０９の陰極や容量素子７１２ａ1〜７１２ａmの一方の電極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各発光素子７０９の陰極や容量素子７１２ａ1〜７１２ａmの一方の電極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各発光素子７０９の陰極や容量素子７１２ａ1〜７１２ａmの一方の電極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各画素７０８の発光素子７０９の陰極や容量素子７１２ａ1〜７１２ａmの一方の電極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【０１１２】
次に、図７に示した表示装置の具体的な構成の一例について図８を用いて説明する。
【０１１３】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路８０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路８０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスに複数の画素８０８が配置された画素部８０７を備えている。画素８０８はスイッチング用トランジスタ８０４と容量素子８１１と駆動トランジスタ８１０と発光素子８０９を有しており、発光素子８０９の陰極はＧＮＤに接続されている。
【０１１４】
さらに表示装置は基本電流源８０１並びに、各画素行毎に対応してモニター素子８０２、ボルテージフォロワ回路８０３、容量素子８１２、第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４を有している。ゲート信号線に第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４のゲート電極が接続されているため、ゲート信号線駆動回路８０５により選択されたゲート信号線にゲート電極が接続されているスイッチング用トランジスタ８０４がオンするタイミングで、これらのスイッチング用トランジスタを有する画素行に対応して設けられた第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４もオンする。つまり、ソース信号線Ｓ1〜Ｓmからの信号を駆動トランジスタ８１０に書き込むことができる状態（ゲート選択期間中）の画素行に対応して設けられた第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４がオンする。よって、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmの信号に従って各画素行に対応した第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４が順々にオンする。
【０１１５】
第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４がオンすると、基本電流源８０１からの電流が容量素子８１２及びモニター素子８０２に流れる。そして、モニター素子８０２に発生する電圧分の電荷が容量素子８１２に蓄積されると、容量素子８１２には電流が流れなくなり、モニター素子８０２にのみ電流が流れる。このときボルテージフォロワ回路８０３の非反転入力端子にはモニター素子８０２の陽極の電位が入力され、出力端子からは概略同電位を対応する画素行の電源線に出力する。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【０１１６】
そして、ある画素行のゲート選択期間が終了し、次の画素行がゲート選択期間になると、ゲート選択期間の終了した画素行に対応する第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４がオフし、そのときのモニター素子８０２に発生する電圧を容量素子８１２が保持する。次々に各画素行に対応するモニター素子８０２に発生する電圧を各容量素子８１２に保持させることで、画素の各行に対応するボルテージフォロワ回路８０３の非反転入力端子にはそれぞれの対応するモニター素子８０２の陽極の電位を入力することができる。よって、各電源線には各画素行ごとに各モニター素子８０２の陽極の電位と概略同電位が設定される。そして、それぞれの画素行が再びゲート選択期間になると、各容量素子８１２は、環境温度変化及び経時変化に起因して変化するモニター素子８０２の抵抗値の変化に伴う電圧分の電荷を蓄積し、ゲート選択期間が終了する瞬間のモニター素子８０２の電圧を保持する。
【０１１７】
このように、図８の構成の表示装置では、ゲート選択期間に合わせて温度変化や、経時変化に起因してバラツキが生じる発光素子の輝度を補償することができる。
【０１１８】
また、画素行毎に電源線の電位を設定し、ソース信号線駆動回路８０６が熱源となって生じる温度傾斜に起因する発光素子８０９の輝度のバラツキも補償することができる。
【０１１９】
また、簡易な構成により電流源の数を一つとすることができるため、回路構成を簡略化し、コスト削減にもつながる。
【０１２０】
なお、図８の構成ではボルテージフォロワ回路８０３を用いているが入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【０１２１】
また、各モニター素子８０２や各画素８０８の発光素子８０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、各モニター素子８０２や各発光素子８０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、各モニター素子８０２と各発光素子８０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、各モニター素子８０２の各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、各モニター素子８０２や各発光素子８０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【０１２２】
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができる。
【０１２３】
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択することができる
【０１２４】
（実施の形態６）
実施の形態１〜５ではアクティブマトリクス型表示装置（アクティブ型表示装置ともいう）を用いて説明したが、本発明はパッシブマトリクス型表示装置（パッシブ型表示装置ともいう）にも適用することが可能である。そこで、本実施の形態では、本発明の補償回路をパッシブマトリクス型表示装置に適用した場合について説明する。
【０１２５】
パッシブ型表示装置の有する温度及び劣化補償回路（以下単に補償回路という）の基本原理及び表示装置の駆動方法について図１２を用いて簡単に説明する。
【０１２６】
図１２の表示装置は行方向に配置されたロウ信号線Ｒ1〜Ｒmに信号を出力するロウ信号線駆動回路１２０２と、列方向に配置されたカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに信号を出力するカラム信号線駆動回路１２０１と、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmとカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに対応してマトリクスに発光素子１２０８が配置された画素部１２０３とを備える。ロウ信号線駆動回路１２０２により、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmから一つのロウ信号線が選択（ここでは、ロウ信号線がＧＮＤに接続）される。つまり、カラム信号線Ｃ1〜Ｃnに設定された電位との電位差により発光素子１２０８に電流が流れるように一つのロウ信号線が選択される。そして、選択されたロウ信号線とカラム信号線に設定された電位との電位差がロウ信号線とカラム信号線に挟まれた発光素子１２０８に印加される。そして、電流が流れると発光素子１２０８が発光する。このとき、カラム信号線Ｃ1〜Ｃnに設定される電位の大きさは各カラム信号線で同じように設定されるが、電位が設定される期間が異なる。こうして時間階調表示を行うことができる。
【０１２７】
また、表示装置は基本電流源１２０５、モニター素子１２０７、アンプ１２０４を有する。そして、基本電流源１２０５はモニター素子１２０７に定電流を供給する。つまりモニター素子１２０７は定電流駆動を行う。そして、モニター素子１２０７の陽極１２０６側の電位をアンプ１２０４は検出し、カラム信号線Ｃ1〜Ｃnへ出力する電位を設定する。なお、アンプ１２０４としては例えばボルテージフォロワ回路を用いることができる。
【０１２８】
また、カラム信号線駆動回路１２０１はパルス出力回路１２０９、第１のラッチ回路１２１０、第２のラッチ回路１２１１、スイッチ群１２１２を有する。そして、パルス出力回路１２０９からパルスが出力され、そのパルスにしたがって第１のラッチ回路１２１０に順々にＤＡＴＡ信号が格納される。そして第１のラッチ回路１２１０で保持されたデータはＳＬＡＴ信号のタイミングにより第２のラッチ回路１２１１に転送される。そして、第２のラッチ回路１２１１に保持されたデータがスイッチ群１２１２の各々のスイッチのオンの期間を制御し、カラム信号線Ｃ１〜Ｃｎへ電位を供給する期間を設定する、つまり発光素子へ電位を設定する期間を決定する。こうして時間階調表示を行うことができる。
【０１２９】
なお、実際には例えば３ビットの階調を行う場合には第１のラッチ回路１２１０及び第２のラッチ回路１２１１は各カラム信号線の電源供給を制御するスイッチ毎に３つのラッチ回路を有する。そして第２のラッチ回路１２１１から出力された各カラム信号線毎の３ビットのデータを８階調で階調を行う場合のパルス幅に変換し、そのパルス幅の期間スイッチ群１２１２を構成する各々のスイッチをオンさせるようにする。こうして８階調の表示を行うことができる。
【０１３０】
ここで、本発明の表示装置は行方向に配置された発光素子と並んで配置して画素部の周辺に配置されたモニター素子を有する。そして、各モニター素子に定電流を供給し、モニター素子に発生する電圧を検出し、対応して行方向に配置された発光素子にその電圧を印加する手段を備える。そのようなパッシブ型表示装置の例を図９を用いて説明する。
【０１３１】
図９の表示装置は行方向に配置されたロウ信号線（走査線ともいう）Ｒ1〜Ｒmに信号を出力するロウ信号線駆動回路９０２と、列方向に配置されたカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに信号を出力するカラム信号線駆動回路９０１と、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmとカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに対応してマトリクスに発光素子９０８が配置された画素部９０３とを備える。なお、ロウ信号線Ｒ1に陰極が接続されている発光素子の行を発光素子群９０６ａ1、ロウ信号線Ｒ2に陰極が接続されている発光素子の行を発光素子群９０６ａ2、ロウ信号線Ｒmに陰極が接続されている発光素子の行を発光素子群９０６ａmで示している。
【０１３２】
また、図９に示す表示装置は基本電流源９０５、アンプ９０４、モニター素子９０７ａ1〜９０７ａmを有している。基本電流源９０５は定電流をモニター素子９０７ａ1〜９０７ａmのいずれかに供給する。本構成においては、行方向に配置された発光素子群に対応した各モニター素子の陰極は、それぞれ発光素子群の有する発光素子９０８の陰極と同様にロウ信号線に接続されていることから、走査線選択期間の発光素子群に対応したモニター素子にのみ電流が流れる。つまり、ロウ信号線がＧＮＤに接続されている行の発光素子９０８及びモニター素子に電流が流れる。
【０１３３】
そして、電流が流れているモニター素子に発生する電圧をアンプ９０４が検出し、カラム信号線駆動回路９０１にその電圧を入力する。そして、カラム信号線駆動回路９０１によりアンプ９０４から入力された電圧を各カラム信号線Ｃ1〜Ｃnに供給する期間が設定される。つまり、ある行の発光素子群の各列毎に電圧の供給される期間が設定される。そして、各列の発光素子に印加される電圧はアンプ９０４によって供給される同じ電圧である。
【０１３４】
このように、発光素子の各行毎に配置されたモニター素子に定電流を供給し、発生する電圧を同じ行の発光素子９０８に印加する。つまり、基本電流源９０５から定電流がモニター素子９０７ａ1に供給され、発生する電圧は発光素子群９０６ａ1に印加し、基本電流源９０５から定電流がモニター素子９０７ａ2に供給され、発生する電圧は発光素子群９０６ａ２に印加し、基本電流源９０５から定電流がモニター素子９０７ａmに供給され、発生する電圧は発光素子群９０６ａmに印加する。
【０１３５】
このように、発光素子の各行毎に並んで配置して設けられたモニター素子に発生する電圧を検出し、その電圧をその行の発光素子に印加することでカラム信号線駆動回路９０１の発熱による画素部の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。
【０１３６】
また、環境温度の変化や経時変化に起因して変化する発光素子９０８の抵抗値に合わせて電圧を設定することができるため環境温度変化及び経時変化についても補償することができる。
【０１３７】
なお、アンプ９０４としてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には基本電流源９０５の電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ９０４には電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【０１３８】
また、ロウ信号線の選択されるときの電位がＧＮＤとなっているがこれに限定されない。よって、ＧＮＤ以外の他の特定電位の配線であっても構わない。
【０１３９】
続いて、ＲＧＢのそれぞれの発光素子毎に電圧を設定するため、ＲＧＢの発光素子毎にそれぞれモニター素子を設けた具体的な構成の一例について図１０を用いて説明する。
【０１４０】
図１０の表示装置は行方向に配置されたロウ信号線（走査線ともいう）Ｒ1〜Ｒmに信号を出力するロウ信号線駆動回路１００２と、列方向に配置されたカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに信号を出力するカラム信号線駆動回路１００１と、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmとカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに対応してマトリクスに発光素子が配置された画素部１００３とを備える。
【０１４１】
なお、Ｒの要素の発光素子１００８ｒ、Ｇの要素の発光素子１００８ｇ、Ｂの要素の発光素子１００８ｂはカラム信号線に対応する列方向に配列されＲＧＢの順に並んでいる。また、このＲＧＢ毎の発光素子の列に並んで配置して画素部１００３の周辺にＲの要素のモニター素子群１００６ｒ、Ｇの要素のモニター素子群１００６ｇ、Ｂの要素のモニター素子群１００６ｂが設けられている。そして、これらのモニター素子群を構成するモニター素子はロウ信号線Ｒ1〜Ｒmに対応して行方向に配置された発光素子と並んで配置されて設けられている。
【０１４２】
また、モニター素子群１００６ｒを構成するモニター素子に電流を供給する基本電流源１００５ｒと、モニター素子群１００６ｇを構成するモニター素子に電流を供給する基本電流源１００５ｇと、モニター素子群１００６ｂを構成するモニター素子に電流を供給する基本電流源１００５ｂと、モニター素子群１００６ｒを構成するモニター素子の陽極の電位を検出し、電源線Ｖｒにその電位と概略同電位を設定するボルテージフォロワ回路１００４ｒと、モニター素子群１００６ｇを構成するモニター素子の陽極の電位を検出し、電源線Ｖｇにその電位と概略同電位を設定するボルテージフォロワ回路１００４ｇと、モニター素子群１００６ｂを構成するモニター素子の陽極の電位を検出し、電源線Ｖｂにその電位と概略同電位を設定するボルテージフォロワ回路１００４ｂとを有する。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【０１４３】
また、カラム信号線駆動回路はパルス出力回路１００９と第１のラッチ回路１０１０と、第２のラッチ回路１０１１とを有する。なお、カラム信号線駆動回路１００１の動作については図１２を用いて説明したものと同様なので省略する。
【０１４４】
本構成においては、例えば、ロウ信号線Ｒ1が選択されているときには、基本電流源１００５ｒはモニター素子群１００６ｒを構成するモニター素子の中でロウ信号線に陰極が接続されているモニター素子１００７に電流を供給する。そして、電流が流れ、電圧が発生しているモニター素子１００７の陽極の電位をボルテージフォロワ回路１００４ｒが検出し、その電位と概略同電位を電源線Ｖｒに設定する。そして、電源線Ｖｒに設定された電位は、カラム信号線Ｃｒ1〜Ｃｒnによって、選択されているロウ信号線Ｒ1に陰極が接続された発光素子１００８ｒに、電圧として供給される。同様に基本電流源１００５ｇはモニター素子群１００６ｇを構成するモニター素子の中でロウ信号線に陰極が接続されているモニター素子１００７に電流を供給する。そして、電流が流れ、電圧が発生しているモニター素子１００７の陽極の電位をボルテージフォロワ回路１００４ｇが検出し、その電位と概略同電位を電源線Ｖｇに設定する。そして、電源線Ｖｇに設定された電位は、カラム信号線Ｃｇ1〜Ｃｇnによって、選択されているロウ信号線Ｒ1に陰極が接続された発光素子１００８ｇに、電圧として供給される。基本電流源１００５ｂはモニター素子群１００６ｂを構成するモニター素子の中でロウ信号線に陰極が接続されているモニター素子１００７に電流を供給する。そして、電流が流れ、電圧が発生しているモニター素子１００７の陽極の電位をボルテージフォロワ回路１００４ｂ検出し、その電位と概略同電位を電源線Ｖｂに設定する。そして、電源線Ｖｂに設定された電位は、カラム信号線Ｃｂ1〜Ｃｂnによって、選択されているロウ信号線Ｒ1に陰極が接続された発光素子１００８ｂに、電圧として供給される。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【０１４５】
こうして、ロウ信号線Ｒ1に対応して行方向に配置されている発光素子のＲＧＢの発光素子毎に別々に電圧を印加することができる。
【０１４６】
続いて、ロウ信号線Ｒ2、Ｒ3、・・Ｒｍが選択されると、その行に対応したＲＧＢのモニター素子毎に定電流が供給され、それぞれの行のＲＧＢのモニター素子毎に発生する電圧を、それぞれのＲＧＢ毎に対応したアンプが検出し、対応した行のＲＧＢの発光素子毎にその電圧を供給する。
【０１４７】
このように、画素行ごとに並んで配置して設けられたモニター素子に発生する電圧を検出し、その電圧をその画素行の発光素子に印加することでソース信号線駆動回路６０６の発熱による画素部の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。
【０１４８】
また、画素行のＲＧＢの画素毎にモニター素子を設けて環境温度変化及び経時変化の補償を行っているため、ＲＧＢ毎の特性に合わせて発光素子に電圧値を設定することができる。つまり、ＲＧＢの画素間の輝度のバラツキを補償することができる。
【０１４９】
なお、図８の構成ではボルテージフォロワ回路１００４ｒ、ボルテージフォロワ回路１００４ｇ、ボルテージフォロワ回路１００４ｂを用いているが入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【０１５０】
（実施の形態７）
本実施の形態では信号線駆動回路の発熱による画素部の温度傾斜を低減する表示装置のパネルの構成について説明する。
【０１５１】
本実施の形態では表示装置の画素部の温度傾斜を低減するため熱発散層を設ける。
【０１５２】
つまり、温度変化で輝度が変化する発光素子を備えた画素部と、画素部の周辺に配置された駆動回路とを、第１の基板上に第１の熱発散層を介して有し、画素部は第１の基板と第２の基板により挟まれている構造の表示装置とする。
【０１５３】
まず、画素部を形成する基板面に下地膜として熱発散効果のある層を設けたパネル構造の一例について図１５を用いて説明する。なお、図１５（Ａ）は、表示装置を示す上面図、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）をＡ−Ａ’−Ａ”で切断した断面図である。点線で示したように表示装置は駆動回路部（ソース信号線駆動回路）１５０１、画素部１５０２、モニター素子部１５０３、駆動回路部（ゲート信号線駆動回路）１５０４を有する。また、封止基板（対向基板）１５０５とシール材１５０６で囲まれた内側は、空間１５０７になっている。
【０１５４】
なお、配線１５０９はソース信号線駆動回路１５０１及びゲート信号線駆動回路１５０４に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１５１０からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。また、ＦＰＣ上にはＩＣチップ（半導体集積回路）１５１１がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で接続されている。なお、ＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて接続してもよい。
【０１５５】
次に、断面構造について図１５（Ｂ）を用いて説明する。基板１５０８上には熱発散層として熱発散効果を有する下地膜１５２６が形成されている。熱発散効果を有する下地膜１５２６の熱伝導率は１０〜３００Ｗ／ｍＫであることが望ましく、より好ましくは熱伝導率が５０〜３００Ｗ／ｍＫであることが望ましい。また、下地膜として用いる材料として、熱伝導率の高い、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、立方晶窒化ホウ素（ｃ―ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＢｅＯ（ベリリア）、ダイアモンドなどが挙げられる。特に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は高い熱伝導性、絶縁性、高周波特性に優れ、また、シリコンと近い熱膨張係数を有することからも熱発散層として好ましい。例えば、下地膜としてＡｌＮ（窒化アルミニウム）の単層や、ＡｌＮ、ＳｉＮＯ（窒化酸化珪素）、ＳｉＯＮ（酸化窒化珪素）との積層などを用いるとよい。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０１５６】
そして、下地膜１５２６上にソース信号線駆動回路１５０１、画素部１５０２、モニター素子部１５０３及びゲート信号線駆動回路１５０４が形成されている。
【０１５７】
なお、ソース信号線駆動回路１５０１はｎチャネル型ＴＦＴ１５１２とｐチャネル型ＴＦＴ１５１３とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。またＴＦＴ１５２４はゲート信号線駆動回路を構成するＴＦＴを示している。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１５８】
また、画素部１５０２はスイッチング用ＴＦＴ１５１４と、電流制御用ＴＦＴ１５１５とそのドレインに電気的に接続された第１の電極１５１６とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極１５１６の端部を覆って絶縁物１５１７が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【０１５９】
また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物１５１７の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物１５１７の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物１５１７の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１５１７として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０１６０】
第１の電極１５１６上には、電界発光層１５１８、および第２の電極１５１９がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極１５１６に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【０１６１】
また、電界発光層１５１８は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって形成される。電界発光層１５１８には、元素周期律第４族金属錯体をその一部に用いることとし、その他、組み合わせて用いることのできる材料としては、低分子系材料であっても高分子系材料であっても良い。また、電界発光層に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本実施の形態では有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。さらに、公知の三重項材料を用いることも可能である。
【０１６２】
さらに、電界発光層１５１８上に形成される第２の電極１５１９に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）を用いればよい。なお、ここでは、上面出射型であるので、第２の電極１５１９として１ｎｍ〜１０ｎｍのアルミニウム膜、Ｌｉを微量に含むアルミニウム膜、若しくは、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【０１６３】
また、画素部１５０２において、電流制御用ＴＦＴ１５１５とそのドレインに電気的に接続された第１の電極１５１６と同一の材料で形成された配線１５２１と、その配線１５２１に接続された陽極１５２２と、第２の電極１５１９に電界発光層１５１８が挟まれた構造のモニター素子１５２３が形成されている。なお、このモニター素子からの発光は遮光するように、モニター素子部１５０３の上面には遮光膜１５２５が形成されている。
【０１６４】
さらにシール材１５０６で封止基板１５０５を素子基板１５０８と貼り合わせることにより、素子基板１５０８、封止基板１５０５、およびシール材１５０６で囲まれた空間１５０７に電界発光素子１５２０及びモニター素子１５２３が備えられた構造になっている。なお、空間１５０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１５０６で充填される構成も含むものとする。
【０１６５】
なお、シール材１５０６にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１５０５に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１６６】
以上のようにして、画素部の温度傾斜を低減したアクティブマトリクス型表示装置を得ることができる。
【０１６７】
また、画素部の温度傾斜を低減するための別の構成として、温度変化で輝度が変化する発光素子を備えた画素部と、画素部の周辺に配置された駆動回路とを、第１の基板上に有し、画素部は第１の基板と第２の基板により挟まれている構造の表示装置において、第２の基板の外側の面に熱発散効果の有する層を設ける構成としてもよい。
【０１６８】
ここで、対向基板に熱発散効果を有する層を設けた場合のパネルの構成について図１６を用いて説明する。なお、図１５と共通するところは共通の符号を用いて説明は省略する。
【０１６９】
本構成では、対向基板となる封止基板１５０５上に熱発散効果の有する膜１６０１を設ける。例えば、熱伝導性の良い金属膜を設けると良い。金属膜の例として銅をスピンコートで膜上に形成したものを用いることができる。なお、下地膜１５２６としては図１５のパネル構成で説明したように、熱発散効果の有する層の単層や、これらの層と窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素との積層でも良いが、図１６の構成においては窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素の積層だけでも良い。ただし、より効果的に熱を発散させるためには、透光性の有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やダイヤモンドと窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素の積層の積層にするのが好ましい。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０１７０】
また、図１６のパネルの構成では、陽極として機能する第１の電極１５１６に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０１７１】
また、陰極として機能する第２の電極１５１９に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）からなる金属膜を用いることができる。こうして、光を反射する金属膜を用いることで光が透過しない陰極を形成することができる。
【０１７２】
こうして、図１６の矢印に示すように発光素子からの光を下面に取り出すことが可能になる。
【０１７３】
なお、下面出射型構造の発光素子を表示装置に用いる場合には基板１５０８は光透過性を有する基板を用いる。
【０１７４】
また、光学フィルムを設ける場合には、基板１５０８に光学フィルムを設ければよい。
【０１７５】
なお、図１５では上面出射型構造、図１６では下面出射型構造の表示装置のパネルについて示したが、もちろん、両面出射型構造でも構わない。
【０１７６】
本発明の表示装置に適用可能な両面出射型構造の発光素子について図１９を用いて説明する。
【０１７７】
基板１９００上に下地膜１９０５が形成され、ぞの上に電流制御用ＴＦＴ１９０１が形成され、電流制御用ＴＦＴ１９０１のドレイン電極に接して第１の電極１９０２が形成され、その上に有機化合物を含む層１９０３と第２の電極１９０４が形成されている。なお、下地膜１９０５としては、熱発散効果を有する層の単層又は、この層と窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素との積層を用いると良い。このとき熱発散効果を有する層としては、透光性の有する、窒化アルミニウムやダイヤモンドなどを用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０１７８】
また、第１の電極１９０２は発光素子の陽極である。そして第２の電極１９０４は発光素子の陰極である。つまり、第１の電極１９０２と第２の電極１９０４とで有機化合物を含む層１９０３が挟まれているところが発光素子となる。
【０１７９】
また、ここで、陽極として機能する第１の電極１９０２に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０１８０】
また、陰極として機能する第２の電極１９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陰極を形成することができる。
【０１８１】
こうして、図１９の矢印に示すように発光素子からの光を両面に取り出すことが可能になる。つまり、図１５の表示装置のパネルに適用した場合には、基板１５０８側と封止基板１５０５側に光が出射することになる。従って両面出射型構造の発光素子を表示装置に用いる場合には基板１５０８および封止基板１５０５は、ともに光透過性を有する基板を用いる。 また、光学フィルムを設ける場合には、基板１５０８および封止基板１５０５の両方に光学フィルムを設ければよい。
【０１８２】
また、白色の発光素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する表示装置にも本発明を適用することが可能である。
【０１８３】
図２０に示すように、基板２０００上に下地膜２００２が形成され、その上に電流制御用ＴＦＴ２００１が形成され、電流制御用ＴＦＴ２００１のドレイン電極に接して第１の電極２００３が形成され、その上に有機化合物を含む層２００４と第２の電極２００５が形成されている。なお、下地膜２００２に用いる材料として、熱伝導率の高い、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、立方晶窒化ホウ素（ｃ―ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＢｅＯ（ベリリア）、ダイヤモンドなどが挙げられる。これらの単層やこれらと窒化酸化珪素膜及び酸化窒化珪素膜との積層を用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０１８４】
また、第１の電極２００３は発光素子の陽極である。そして第２の電極２００５は発光素子の陰極である。つまり、第１の電極２００３と第２の電極２００５とで有機化合物を含む層２００４が挟まれているところが発光素子となる。図２０の構成では白色光を発光する。そして、発光素子の上部に赤色のカラーフィルター２００６Ｒ、緑色のカラーフィルター２００６Ｇ、青色のカラーフィルター２００６Ｂを設けられており、フルカラー表示を行うことができる。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（ＢＭともいう）２００７が設けられている。
【０１８５】
また、図２０の構成は、画素部の発光素子は白色の発光素子のみであるため、モニター素子も同様の材料で形成することで、素子特性をそろえることができるため補償機能の精度をより高めることができる。
【０１８６】
次に、パッシブ型表示装置のパネル構造の一例について図１７を用いて説明する。なお、図１７（Ａ）は、表示装置を示す上面図、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）をＢ−Ｂ’−Ｂ”で切断した断面図である。点線で示したように表示装置は駆動回路部（カラム信号線駆動回路）１７０１、画素部１７０２、モニター素子部１７０３、駆動回路部（ロウ信号線駆動回路）１７０４を有する。また、封止基板１７０５とシール材１７０６で囲まれた内側は、空間１７０７になっている。
【０１８７】
なお、配線１７０９はカラム信号線駆動回路１７０１及ロウ信号線駆動回路１７０４に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１７１０からビデオ信号、クロック信号、スタート信号等を受け取る。また、ＦＰＣ上にはＩＣチップ（半導体集積回路）１７１１がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で接続されている。なお、ＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて接続してもよい。
【０１８８】
次に、断面構造について図１７（Ｂ）を用いて説明する。 第１の基板１７０８上には熱発散効果を有する下地膜１７２１が形成されている。例えば、下地膜としてＡｌＮ（窒化アルミ）の単層、ＡｌＮ、ＳｉＮＯ（窒化酸化珪素）、ＳｉＯＮ（酸化窒化珪素）との積層などを用いるとよい。ＡｌＮは高い熱伝導性を有し、面内温度の均熱性が良く、放熱特性に優れた絶縁体であるからである。
【０１８９】
そして下地膜１７２１上には画素部１７０２及びモニター素子部１７０３が形成されている。そして、カラム信号線駆動回路１７０１及びロウ信号線駆動回路１７０４はＩＣチップ上に形成されＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で第１の基板１７０８に接続されている。
【０１９０】
第１の基板１７０８上には下地膜１７２１が設けられ、その上には積層からなるカラム信号線が形成されている。カラム信号線の下層１７１２は反射性を有する金属膜であり、上層１７１３は透明な酸化物導電膜である。上層１７１３は仕事関数の高い導電膜を用いることが好ましく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料、もしくはこれらを組み合わせた化合物を含む膜を用いることができる。中でもＩＴＳＯは、ベークを行ってもＩＴＯのように結晶化せず、アモルファス状態のままである。従って、ＩＴＳＯは、ＩＴＯよりも平坦性が高く、有機化合物を含む層が薄くとも陰極とのショートが生じにくく、発光素子の陽極として適している。
【０１９１】
また、下層１７１２は、Ａｇ、Ａｌ、またはＡｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜を用いる。中でもＡｌ（Ｃ＋Ｎｉ）膜（炭素及びニッケル（１〜２０ｗｔ％）を含むアルミニウム合金膜）は、通電、或いは熱処理後もＩＴＯやＩＴＳＯとのコンタクト抵抗値に大きな変動がない材料であり、好ましい。
【０１９２】
隣り合うカラム信号線同士を絶縁化するための隔壁１７１８は黒色樹脂であり、異なる着色層（封止基板側に設けられる）との境界、或いは隙間と重なるブラックマトリクス（ＢＭ）の役目を果たしている。黒い隔壁で囲まれた領域が発光領域と対応して同一面積になっている。
【０１９３】
有機化合物を含む層１７１４はカラム信号線（陽極）側から順に、ＨＩＬ（ホール注入層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注入層）の順に積層されている。なお、有機化合物を含む層は、積層構造以外に単層構造、又は混合構造をとることができる。
【０１９４】
ロウ信号線（陰極）１７１５は、カラム信号線（陽極）と交差するように形成されている。こうして、カラム信号線とロウ信号線により有機化合物を含む層１７１４が挟まれた領域に発光素子１７１６及びモニター素子１７１７が形成される。ロウ信号線（陰極）１７１５は、ＩＴＯや、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯなどの透明導電膜を用いる。本実施の形態の構成では、矢印に示すように発光が封止基板１７０５を通過する上面出射型の表示装置の例であるのでロウ信号線１７１５は透明であることが重要である。なお、隣り合うロウ信号線同士を絶縁化するための隔壁１７１９はフォトリソグラフィー法に従い、未露光部分がパターンとしてポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節すことによって形成する。
【０１９５】
また、水分や脱ガスによるダメージから発光素子を保護するため、ロウ信号線１７１５を覆う透明な保護膜を設けてもよい。透明な保護膜としては、ＰＣＶＤ法による緻密な無機絶縁膜（ＳｉＮ、ＳｉＮＯ膜など）、スパッタ法による緻密な無機絶縁膜（ＳｉＮ、ＳｉＮＯ膜など）、炭素を主成分とする薄膜（ＤＬＣ膜、ＣＮ膜、アモルファスカーボン膜）、金属酸化物膜（ＷＯ2、ＣａＦ2、Ａｌ2Ｏ3など）などを用いることが好ましい。透明とは、可視光の透過率が８０〜１００％であることを指す。
【０１９６】
また、モニター素子部１７０３上には、遮光膜１７２０を設け、モニター素子部１７０３からの発光が外部に漏れないようにしている。
【０１９７】
また、発光素子を含む画素部１７０２は、シール材１７０６及び封止基板１７０５で封止され、囲まれた空間１７０７を密閉なものとしている。
【０１９８】
シール材１７０６としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることが可能である。また、シール材はフィラー（棒状またはファイバー状のスペーサ）や球状のスペーサを添加したものであっても良い。
【０１９９】
また、封止基板１７０５としてガラス基板またはプラスチック基板を用いる。プラスチック基板としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＳ（ポリエチレンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を板状もしくはフィルム状にして用いることができる。
【０２００】
一方、第１の基板１７０８の端部には端子電極が形成され、この部分で外部回路と接続するＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１７１０を貼り合わせる。端子電極は、反射性を有する金属膜と、透明な酸化物導電膜との積層で構成しているが、特に限定されない。
【０２０１】
また、画素部の周辺には、画素部へ各信号を伝送する駆動回路等が形成されたＩＣチップ１７１１を異方導電性材料により電気的に接続している。また、カラー表示に対応した画素部を形成するためには、ＸＧＡクラスでカラム信号線の本数が３０７２本でありロウ信号線が７６８本必要となる。このような数で形成されたカラム信号線及びロウ信号線は画素部の端部で数ブロック毎に区分して引出線を形成し、ＩＣの出力端子のピッチに合わせて集める。
【０２０２】
以上に示す表示装置は、上面出射型の表示装置であり、黒い隔壁１７１８及び１７１９によってコントラストが向上されている。
【０２０３】
また、対向基板に熱発散効果を有する層を設けた場合のパネルの構成について図１８を用いて説明する。なお、図１７と共通するところは共通の符号を用いて説明は省略する。
【０２０４】
本構成では、対向基板となる封止基板１７０５上に熱発散効果の有する膜１８０１を設ける。例えば、熱伝導性の良い金属膜を設けると良い。金属膜の例として銅をスピンコートで膜状に形成したものを用いることができる。なお、下地膜１７２１としては、熱発散効果を有する層の単層又は、この層と窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素との積層を用いると良い。このとき熱発散効果を有する層としては、透光性の有する、窒化アルミニウムやダイヤモンドなどを用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０２０５】
下面出射型構造の発光素子は、透明な酸化物導電膜からなるカラム信号線（陽極）と、有機化合物を含む層１７１４と、反射性を有する導電膜からなるロウ信号線１７１５とで構成している。また、隔壁１７１８は透光性を有する材料で構成されている。
【０２０６】
発光素子からの発光は図１８中の矢印に示す方向、即ち、第１の基板１７０８を通過する方向に取り出される。従って、封止基板１７０５は特に光透過性を有する必要はなく、金属板でもよい。また、発光素子の信頼性を向上させるために膜厚の厚い保護膜を形成しても光の取り出し効率が低下しないので好ましい。
【０２０７】
また、光学フィルムを設ける場合には、第１の基板１７０８側に光学フィルムを設ければよい。
【０２０８】
図１７では上面出射型構造、図１８では下面出射型構造の表示装置のパネルについて示したがもちろん両面出射型構造でもでも構わない。
【０２０９】
両面出射型構造の発光素子について図２１を用いて説明する。
【０２１０】
両面出射型構造の発光素子は、透明な酸化物導電膜からなるカラム信号線（陽極）２１０２と、有機化合物を含む層２１０４と、透明な酸化物導電膜からなるロウ信号線２１０５とで構成している。また、隔壁２１０３は遮光性を有する材料で構成されている。また、発光素子は下地膜２１０７を介して第１の基板２１０１上に形成されている。なお、下地膜２１０７には、図１７のパネル構成で説明したように、熱発散効果の有する層の単層や、これらの層と窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素との積層を用いることができる。熱発散効果の有する層の材料としては、透光性の有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やダイヤモンドを用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０２１１】
発光素子からの発光は図２１中の矢印に示す方向、即ち、第１の基板２１０１を通過する方向と、第２の基板２１０６を通過する方向との両方で取り出される。従って、第１の基板２１０１および第２の基板２１０６は、ともに光透過性を有する基板を用いる。
【０２１２】
また、光学フィルムを設ける場合には、第１の基板２１０１および第２の基板２１０６の両方に光学フィルムを設ければよい。
【０２１３】
また、隔壁が逆テーパ形状ではなく、順テーパ形状の例を図２２を用いて説明する。なお、図２２は、白色の発光素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する。
【０２１４】
第１の基板２２０１上に下地膜２２１０を形成し、その上にストライプ状の第１の電極２２０２を形成する。本構成では、第１の電極２２０２上に開口部を有する隔壁２２０３が設けられ、その上にスペーサ２２０６、及びスペーサ２２０６上の幅の大きいオーバーハング体２２０７で構成される隔壁を形成する。なお、下地膜２２１０に用いる材料として、熱伝導率の高い、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、立方晶窒化ホウ素（ｃ―ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＢｅＯ（ベリリア）、ダイヤモンドなどが挙げられる。これらの単層やこれらと窒化酸化珪素膜及び酸化窒化珪素膜との積層を用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０２１５】
スペーサ２２０６はポリイミドなどの有機樹脂膜を用い、オーバーハング体２２０７は、レジストなどの感光性樹脂膜を用いる。ポリイミドなどの有機樹脂膜を成膜して、分離したい電極の間にレジストなどの感光性樹脂膜のパターンを残す。そして、露出した有機樹脂膜をエッチングする。このエッチングする際に感光性樹脂のパターンの下方にアンダーカットを発生させるようにエッチング条件を調節する。これらの工程によりオーバーハング構造を持つ素子分離体構造、即ち隔壁が形成できる。
【０２１６】
図２２では、開口部を有する隔壁２２０３、スペーサ２２０６、またはオーバーハング体２２０７を遮光性を有する材料で構成し、コントラストを向上させる。
【０２１７】
隔壁を形成した後、有機化合物を含む層および透明導電膜を形成すれば、分離された有機化合物を含む層２２０４および第２の電極２２０５を形成することができる。
【０２１８】
また、図２２では、有機化合物を含む層２２０４は積層とし、Ａｌｑ3にクマリン６をドープした緑色発光層と、ＴＰＤにルブレンをドープした黄色発光層とを積層したものを用いて２層発光を用いた白色発光素子とする。本構成においては、発光色ごとに塗り分ける工程を省略できるため、パッシブマトリクス型発光装置の作製時間を短縮することができる。
【０２１９】
また、フルカラー表示とするため、白色発光素子の画素に対向する位置に着色層２２０８Ｒ、２２０８Ｇ、２２０８Ｂのみからなるカラーフィルタを第２の基板２２０９に設けている。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（ＢＭともいう）２２１１が設けられている。
【０２２０】
また、図２２の構成は、画素部の発光素子は白色の発光素子のみであるため、モニター素子も同様の材料で形成することで、素子特性をそろえることができるため補償機能の精度をより高めることができる。
【０２２１】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明のアクティブ型表示装置の画素構成に適用することができる画素構成について説明する。
【０２２２】
画素構成としては図２、図３、図５、図８に示した構成に限られず、画素トランジスタに電圧駆動型を適用した他の画素構成を用いることができる。つまり、発光素子の駆動トランジスタとして、線形領域で動作するトランジスタを用いている画素構成を有する表示装置に本発明を適用することができる。
【０２２３】
まず、図２５（Ａ）に図２、図３、図５及び図８で示した表示装置の画素構成の動作について説明する。スイッチング用トランジスタ２５０１と、容量素子２５０２と、駆動トランジスタ２５０３と、発光素子２５０４と、ゲート信号線２５０５と、ソース信号線２５０６と、電源線２５０７とを有する。スイッチング用トランジスタ２５０１のゲート端子はゲート信号線２５０５に接続されている。スイッチング用トランジスタ２５０１のソース端子はソース信号線２５０６に接続され、ドレイン端子は駆動トランジスタ２５０３のゲート端子に接続されている。また、容量素子２５０２の一方の端子も駆動トランジスタ２５０３のゲート端子に接続され、他方の端子は電源線２５０７に接続されている。駆動トランジスタ２５０３のソース端子も電源線２５０７に接続され、ドレイン端子が発光素子２５０４の陽極に接続されている。そして、ゲート信号線２５０５により入力される信号によってスイッチング用トランジスタ２５０１がオン状態になると、ソース信号線２５０６よりデジタルの映像信号が駆動トランジスタ２５０３のゲート端子に入力される。入力されたデジタルの映像信号の電圧は容量素子２５０２において保持される。この入力されたデジタルの映像信号によって、駆動トランジスタ２５０３のオンオフが選択され、電源線２５０７により設定される電位を発光素子２５０４の陽極に設定するかどうかを制御する。本発明により電源線２５０７の電位を設定することで、温度及び経時変化に起因して変動する発光素子２５０４の電流値の補正をすることができる。また、安定した電圧供給源を提供することができる。
【０２２４】
また、図２５（Ｂ）に示したような画素構成を有する表示装置に本発明を適用することもできる。図２５（Ｂ）の構成は図２５（Ａ）の構成に消去用トランジスタ２５０８と、消去用信号線２５０９を追加したものに相当する。よって図２５（Ａ）と共通のところは共通の符号を用いている。この構成においては、消去用信号線２５０９に消去信号が入力され、消去用トランジスタ２５０８がオンすると容量素子２５０２に保持された電荷が放電され、駆動トランジスタ２５０３がオフ状態となり、発光素子２５０４を非発光とすることができる。この構成においても、本発明により電源線２５０７の電位を設定することで、温度及び経時変化に起因して変動する発光素子２５０４の電流値の補正をすることができる。また、安定した電圧供給源を提供することができる。
【０２２５】
また、これらの構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができる。
【０２２６】
（実施の形態９）
本発明は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
【０２２７】
図２６（Ａ）はディスプレイであり、筐体２６００１、支持台２６００２、表示部２６００３、スピーカー部２６００４、ビデオ入力端子２６００５等を含む。本発明を表示部２６００３に用いたディスプレイは、温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。なお、ディスプレイは、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０２２８】
図２６（Ｂ）はカメラであり、本体２６１０１、表示部２６１０２、受像部２６１０３、操作キー２６１０４、外部接続ポート２６１０５、シャッター２６１０６等を含む。本発明を表示部２６１０２に用いたカメラは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２２９】
図２１（Ｃ）はコンピュータであり、本体２６２０１、筐体２６２０２、表示部２６２０３、キーボード２６２０４、外部接続ポート２６２０５、ポインティングマウス２６２０６等を含む。本発明を表示部２６２０３に用いたコンピュータは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３０】
図２６（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２６３０１、表示部２６３０２、スイッチ２６３０３、操作キー２６３０４、赤外線ポート２６３０５等を含む。本発明を表示部２６３０２に用いたモバイルコンピュータは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３１】
図２６（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２６４０１、筐体２６４０２、表示部Ａ２６４０３、表示部Ｂ２６４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２６４０５、操作キー２６４０６、スピーカー部２６４０７等を含む。表示部Ａ２６４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２６４０４は主として文字情報を表示することができる。本発明を表示部Ａ２６４０３や表示部Ｂ２６４０４に用いた画像再生装置は温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３２】
図２６（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２６５０１、表示部２６５０２、アーム部２６５０３を含む。本発明を表示部２６５０２に用いたゴーグル型ディスプレイは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３３】
図２６（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６６０１、表示部２６６０２、筐体２６６０３、外部接続ポート２６６０４、リモコン受信部２６６０５、受像部２６６０６、バッテリー２６６０７、音声入力部２６６０８、操作キー２６６０９、接眼部２６６１０等を含む。本発明を表示部２６６０２に用いたビデオカメラは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３４】
図２６（Ｈ）は携帯電話機であり、本体２６７０１、筐体２６７０２、表示部２６７０３、音声入力部２６７０４、音声出力部２６７０５、操作キー２６７０６、外部接続ポート２６７０７、アンテナ２６７０８等を含む。本発明を表示部２６７０３に用いた携帯電話は温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３５】
このように本発明は、あらゆる電子機器に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２３６】
【図１】本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。
【図２】本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。
【図３】本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。
【図４】本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。
【図５】本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。
【図６】本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。
【図７】本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。
【図８】本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。
【図９】本発明のパッシブマトリクス型表示装置を説明する図。
【図１０】本発明のパッシブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。
【図１１】本発明のアクティブマトリクス型表示装置の補償機能を説明する図。
【図１２】本発明のパッシブマトリクス型表示装置の補償機能を説明する図。
【図１３】発光素子の電圧−電流特性の温度依存性を説明する図。
【図１４】発光素子の電圧−電流特性の経時変化を説明する図。
【図１５】本発明のアクティブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。
【図１６】本発明のアクティブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。
【図１７】本発明のパッシブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。
【図１８】本発明のパッシブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。
【図１９】本発明のアクティブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。
【図２０】本発明のアクティブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。
【図２１】本発明のパッシブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。
【図２２】本発明のパッシブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。
【図２３】本発明の表示装置の原理について説明する図。
【図２４】表示装置の画素部の温度傾斜を説明する図。
【図２５】本発明のアクティブマトリクス型表示装置に適用可能な画素構成の例。
【図２６】表示部に本発明の表示装置を適用可能な電子機器の例。
【技術分野】
【０００１】
本発明は負荷に供給する電流をトランジスタで制御する機能を設けた半導体装置に係り、特に電流によって輝度が変化する電流駆動型発光素子で形成された画素や、その信号線駆動回路を含む表示装置に関する。また、その駆動方法に関する。また、その表示装置を表示部に有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素を発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子で形成した、いわゆる自発光型の表示装置が注目を浴びている。このような自発光型の表示装置に用いられる発光素子としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う）が注目を集めており、有機ＥＬディスプレイなどに用いられるようになってきている。
【０００３】
ＯＬＥＤなどの発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べて画素の視認性が高く、バックライトが不要で応答速度が速い等の利点がある。また発光素子の輝度は、発光素子を流れる電流値によって制御される。よって、階調を正確に表現するために、当該発光素子に一定の電流を流す定電流駆動を採用する表示装置がある（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３２３１５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発光素子は、その温度により、その抵抗値（内部抵抗値）が変化する性質を有する。具体的には、温度が通常よりも高くなると抵抗値が低下し、温度が通常よりも低くなると抵抗値が上昇する。そのため、定電圧駆動によって一定の電圧を発光素子に印加しているにも関わらず、温度が高くなると電流値が増加して所望の輝度よりも高い輝度となり、温度が低くなると電流値が低下して所望の輝度よりも低い輝度となる。
【０００５】
上述したような発光素子が有する性質により、温度が変化すると、輝度にバラツキが生じてしまう。上記の実情を鑑み、本発明は、温度の変化に起因した、発光素子の輝度のバラツキによる影響を抑制する表示装置の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の表示装置は、
温度変化により抵抗値が変化する複数の発光素子で構成される画素部と、
発光素子に電圧を供給する電圧源と、を有し、
電圧源は、画素部の面内の温度傾斜が発生し、発光素子毎に温度差が生じると、温度が高い発光素子には印加する電圧を低くし、温度が低い発光素子には印加する電圧を高くする手段を備えている。
【０００７】
また、本発明の表示装置は、列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
第１の信号線の列方向と第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は発光素子を有し、画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子に発生する電圧と概略同電圧を、モニター素子と並んで配置された発光素子に印加するアンプと、
を有する。
【０００８】
また、本発明の表示装置は、列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
第１の信号線の列方向と第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は発光素子を有し、画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、モニター素子と並んで配置された発光素子の陽極に入力するアンプと、
を有する。
【０００９】
また、本発明の表示装置は、列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
第１の信号線の列方向と第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は発光素子を有し、
画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
画素の複数行にわたって配置された複数のモニター素子に電流を供給する電流源と、
複数のモニター素子に発生する電圧と概略同電圧を複数のモニター素子と並んで配置された複数行の発光素子に電圧を印加するアンプと、
を有し、
画素の各行毎において配置された複数のモニター素子のうち、アンプが印加する複数行の発光素子と並んで配置された複数のモニター素子が並列接続されている。
【００１０】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、アンプはボルテージフォロワ回路である。
【００１１】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、画素部は複数の色要素でなる画素で構成され、モニター素子及びアンプは、色要素毎にそれぞれ設けられている。
【００１２】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子はＥＬ素子である。
【００１３】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子は同一の材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【００１４】
また、本発明の電子機器は、上記の表示装置を表示部に備えている。
【００１５】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、列方向に複数配置されたソース信号線に信号を出力するソース信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたゲート信号線に信号を出力するゲート信号線駆動回路と、
ソース信号線の列方向とゲート信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は発光素子及び発光素子を駆動するトランジスタと、を有し、画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、モニター素子と並んで配置された発光素子を駆動するトランジスタのソース端子に入力するアンプと、
を有する。
【００１６】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、列方向に複数配置されたソース信号線に信号を出力するソース信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたゲート信号線に信号を出力するゲート信号線駆動回路と、
ソース信号線の列方向とゲート信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は発光素子及び発光素子を駆動するトランジスタとを有し、画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
画素の複数行にわたって配置された複数のモニター素子に電流を供給する電流源と、
複数のモニター素子の陽極の電位と概略同電位を複数のモニター素子と並んで配置された複数行の発光素子を駆動するトランジスタのソース端子に入力するアンプと、
を有し、
画素の各行毎において配置された複数のモニター素子のうち、アンプが印加する複数行の発光素子と並んで配置された複数のモニター素子が並列接続されている。
【００１７】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、アンプはボルテージフォロワ回路である。
【００１８】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、画素部は複数の色要素でなる画素で構成され、モニター素子及びアンプは、色要素毎にそれぞれ設けられている。
【００１９】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子はＥＬ素子である。
【００２０】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子は同一の材料で形成されている。
【００２１】
また、本発明の電子機器は上記のアクティブマトリクス型表示装置を表示部に備えている。
【００２２】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、列方向に複数配置されたカラム信号線に信号を出力するカラム信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたロウ信号線に信号を出力するロウ信号線駆動回路と、
カラム信号線の列方向とロウ信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
画素は、有機化合物を含む層がカラム信号線の一部でなる第１電極と、ロウ信号線の一部でなる第２電極とで挟まれた発光素子を有し、
画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置され、有機化合物を含む層がカラム信号線の一部でなる第１電極と、ロウ信号線の一部でなる第２電極とで挟まれたモニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、カラム信号線に入力するアンプと、
を有する。
【００２３】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、アンプはボルテージフォロワ回路である。
【００２４】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、画素は複数の色要素でなる画素で構成され、画素部の周辺に配置されたモニター素子及びアンプは、色要素の画素毎にそれぞれ設けられている。
【００２５】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子はＥＬ素子である。
【００２６】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子は同一の材料で形成されている。
【００２７】
また、本発明の電子機器は、上記構成のパッシブマトリクス型表示装置を表示部に備えている。
【００２８】
また、本発明の表示装置は、第１の基板上に第１の熱発散層を有し、
第１の熱発散層上に、温度変化で抵抗値が変化する発光素子を備えた画素部と、画素部の周辺に配置された駆動回路と、を有し、
画素部は第１の基板と第２の基板により挟まれている。
【００２９】
また、本発明の表示装置は、第１の基板上に第１の熱発散層を有し、
第１の熱発散層上に、温度変化で抵抗値が変化する発光素子を備えた画素部と、画素部の周辺に配置された薄膜トランジスタで構成される駆動回路と、を有し、
画素部は第１の基板と第２の基板により挟まれている。
【００３０】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第１の熱発散層の熱伝導率は１０〜３００Ｗ／ｍＫである。
【００３１】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第１の熱発散層は窒化アルミニウム又は窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む層である。
【００３２】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第１の熱発散層は窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）を含む層である。
【００３３】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、窒化酸化アルミニウムには酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれている。
【００３４】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第２の基板の外側の面には第２の熱発散層が形成されている。
【００３５】
また、本発明の表示装置は、第２の熱発散層は金属膜である。
【００３６】
また、本発明の表示装置は、上記構成において、金属膜は銅を含む膜で形成されている。
【００３７】
また、本発明の電子機器は上記構成の表示装置を表示部に備えている。
【００３８】
また、本発明の表示装置の駆動方法は、温度変化により抵抗値が変化する複数の発光素子で構成される画素部を有する表示装置において、
画素部の面内の温度傾斜が生じると、温度が高い発光素子には印加する電圧を低くし、温度が低い発光素子には印加する電圧を高くする。
【発明の効果】
【００３９】
温度に起因した発光素子の輝度のバラツキを低減した表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４１】
図２３に本発明の表示装置の模式図を示す。本発明の表示装置は、第１の信号線駆動回路２３０１、第２の信号線駆動回路２３０２、画素部２３０３を備え、画素部２３０３にはマトリクスに複数の発光素子２３０７が配置されている。ここで、発光素子２３０７は温度が高くなると抵抗値が低くなる特性を有しているものとする。また、この表示装置において、第１の信号線駆動回路２３０１は第２の信号線駆動回路２３０２よりも高い周波数で動作しているものとする。
【００４２】
また、表示装置は画素部２３０３の周辺に、列方向にモニター素子２３０５が配置されたモニター素子群２３０６を有する。つまり、モニター素子２３０５は画素部２３０３の発光素子２３０７の各行方向に並んで配置されている。また、それらのモニター素子２３０５のそれぞれに定電流を供給する基本電流源２３０４を有する。
【００４３】
以下に本発明の表示装置の動作原理について簡単に説明する。基本電流源２３０４はモニター素子２３０５に定電流を供給する。つまり定電流駆動させる。そして、図２３中の矢印に示すようにモニター素子２３０５に発生する電圧を、モニター素子２３０５に並んで行方向に配置された複数の発光素子２３０７に印加する。つまり発光素子２３０７は定電圧駆動させる。
【００４４】
こうして、高い周波数で動作するために熱源となってしまう第１の信号線駆動回路２３０１から、画素部２３０３の面内において発光素子２３０７の配置が遠くになるにつれて、発光素子２３０７に印加する電圧を高くしていくことができる。逆にいえば、第１の信号線駆動回路２３０１から発光素子２３０７の配置が近くなるにつれて、発光素子２３０７に印加する電圧を低くしていくことができる。よって、画素部２３０３の面内の温度傾斜に伴う輝度のバラツキが低減される。
【００４５】
ここで、面内の発光素子に共通の電圧を供給する場合の表示装置の模式図を図２４に示す。図２４の表示装置は、第１の信号線駆動回路２４０１、第２の信号線駆動回路２４０２、画素部２４０３を備え、画素部２４０３にはマトリクスに複数の発光素子２４０４が配置されている。なお、発光素子２４０４は温度が高くなると抵抗値が低くなる特性を有しているものとする。また、この表示装置において、第１の信号線駆動回路２４０１は第２の信号線駆動回路２４０２よりも高い周波数で動作しているものとする。
【００４６】
ここで、第１の信号線駆動回路２４０１は高い周波数で動作するため、第２の信号線駆動回路２４０２に比べて高温となる。すると、画素部２４０３の面内の温度は第１の信号線駆動回路２４０１に近い部分は高温となり、遠くになるにつれて第１の信号線駆動回路２４０１からの発熱の影響が小さくなる。すると、第１の信号線駆動回路２４０１に近い方の画素部の発光素子２４０４も高温となり、抵抗値が小さくなる。一方、第１の信号線駆動回路２４０１から遠くの方の画素部の発光素子２４０４は第１の信号線駆動回路２４０１の発熱の影響が小さいためあまり抵抗値の変動は生じない。
【００４７】
このとき、画素部２４０３の発光素子２４０４に共通の電圧を供給すると、画素部２３０３の面内の発光素子２４０４は第１の信号線駆動回路２４０１に近づくにつれて明るく表示されてしまう。つまり輝度が高くなってしまう。
【００４８】
ところが、図２３を用いて説明したように本発明の表示装置ではこのバラツキが低減される。
【００４９】
なお、図２３や図２４では第１の信号線駆動回路２３０１、２４０１を熱源として説明したが、これに限られない。例えば表示装置のパネルとモジュールを接続するＦＰＣの接続部が熱源となる場合には、熱源となるＦＰＣ接続部から遠くになるにつれて発光素子に印加する電圧を高くするようにすればよい。
【００５０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、アクティブ型表示装置に本発明を適用した場合について説明する。まず、本発明の表示装置の有する温度及び劣化補償回路（以下単に補償回路という）の基本原理について図１１を用いて説明する。
【００５１】
図１１は、アクティブ型の表示装置を模式的に示した図である。表示装置はゲート信号線駆動回路（ゲートドライバともいう）１１０７、ソース信号線駆動回路（ソースドライバともいう）１１０８、画素部１１０９を備え、画素部１１０９は複数の画素１１０６から構成されており、画素１１０６は駆動トランジスタ１１０４、発光素子１１０５を有する。また、表示装置は基本電流源１１０１、モニター素子１１０２、アンプ１１０３を有しており、基本電流源１１０１はモニター素子１１０２に定電流を供給する。つまり、モニター素子１１０２は定電流駆動させる。よってモニター素子１１０２に流れる電流値は常に一定である。この状態で周囲の温度（以下環境温度という）が変化すると、モニター素子１１０２自体の抵抗値が変化する。そして、モニター素子１１０２の抵抗値が変化すると、当該モニター素子１１０２に流れる電流値は一定であることから、モニター素子１１０２の両電極間の電位差が変化する。このモニター素子１１０２の両電極間の電位差を検出することで温度の変化を検出する。より詳しくは、モニター素子１１０２の一定の電位に保たれている側の電極の電位、つまり図１では陰極１１１０の電位は変わらないので、基本電流源１１０１に接続されている側の電位、つまり図１では陽極１１１１の電位の変化を検出する。
【００５２】
ここで、モニター素子１１０２の電圧−電流特性の環境温度依存性ついて図１３を用いて説明する。室温（例えば２５℃）、低温（例えば−２０℃）、高温（例えば７０℃）でのモニター素子１１０２の電圧−電流特性をそれぞれ線１３０１、線１３０２、線１３０３に示す。基本電流源１１０１からモニター素子１１０２へ流れる電流値がＩ0であるとき、常温ではモニター素子にはＶ0の電圧が発生していることになる。そして、低温時ではＶ1の電圧となり、高温時ではＶ2の電圧となる。つまり、電流値Ｉ0の電流が常温のモニター素子１１０２に流れるとモニター素子１１０２での電圧降下はＶ0となり、低温のモニター素子１１０２での電圧降下はＶ1となり、高温のモニター素子１１０２での電圧降下はＶ2となる。よって、低温になったときには発光素子１１０５に電圧Ｖ1を、高温になったときには発光素子１１０５に電圧Ｖ2を加えるようにすると温度補償をすることができる。
【００５３】
また、図１４はモニター素子１１０２の電圧−電流特性の経時変化を説明する図である。モニター素子１１０２の初期特性を線１４０１、劣化後の特性を線１４０２で示している。なお、初期特性と劣化後の特性は同じ温度条件（常温）で測定したものとする。初期特性の状態でモニター素子１１０２に電流Ｉ0が流れるとモニター素子１１０２に発生する電圧はＶ0、劣化後のモニター素子１１０２に発生する電圧はＶ3となる。つまり、一定の電圧を発光素子に印加する場合には、経時的にその電流値が減少する性質を有する。つまり、発光素子に電流を流し始めた初期の状態に比べ、電流を流し続けて時間がたった後の発光素子の抵抗値は高くなる。よって、一定の電圧を発光素子に印加しているにも関わらず、発光素子に流れる電流値は経時的に減少してくる。よって、このＶ3の電圧を、同様に劣化した発光素子１１０５に印加するようにすれば、見かけ上の発光素子１１０５の劣化を低減することができる。
【００５４】
よって、これらの温度変化及び経時変化の情報を加味した電圧を発光素子１１０５に印加するようにする。つまり、温度変化及び経時変化に起因した発光素子１１０５の抵抗値の変化に合わせて電圧値を設定する。こうして、温度変化及び経時変化に起因した発光素子１１０５の輝度のバラツキを抑制する。
【００５５】
ここで、それぞれの発光素子１１０５の温度は画素部１１０９の面内における画素１１０６の位置する場所によっても大きく異なる。例えば、高い周波数で動作させるソース信号線駆動回路１１０８は発熱して高温になる。よって、ソース信号線駆動回路１１０８側に位置する画素１１０６の発光素子１１０５も高温になる。したがって、ソース信号線駆動回路１１０８の近くに位置する発光素子１１０５から遠くに位置する発光素子１１０５まで画素部１１０９に温度傾斜が生じることになるため、画素部１１０９を構成する全ての画素１１０６の発光素子１１０５に共通の電圧を印加すると、輝度にバラツキが生じてしまう。つまり、ソース信号線駆動回路１１０８に近い方の発光素子１１０５の輝度は高くなり、ソース信号線駆動回路１１０８から遠くなるにつれて発光素子１１０５の輝度は低くなってしまう。
【００５６】
そこで本発明は、画素部面内において、画素の位置する場所によって生じる発光素子の温度変化による輝度のバラツキを低減するため、画素部面内における画素の位置毎に適した電圧を発光素子に印加するようにする。より好ましくは列方向に複数配置されたソース信号線と行方向に複数配置されたゲート信号線に対応してマトリクスに配置された複数の画素を有する表示装置において、画素の各行毎に発光素子に印加する電圧を設定する。そして、その設定する電圧は、画素の各行毎に環境温度及び経時変化を補償した電圧を設定する。
【００５７】
図１を用いて画素の各行毎に温度及び経時変化を補償した電圧を設定するアクティブ型表示装置の構成の一例を説明する。本実施の形態の表示装置はデジタル時間階調方式を採用した表示装置を示している。
【００５８】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路１０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路１０６と、行方向と列方向に対応してマトリクスに複数の画素１０８が配置された画素部１０７を備えている。画素１０８は駆動トランジスタ１１０と発光素子１０９を有しており、発光素子１０９の陰極はＧＮＤに接続されている。ゲート選択期間中にソース信号線Ｓ1〜Ｓnにより入力された信号によって駆動トランジスタ１１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ１１０がオンになっている画素１０８の発光素子１０９が発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の行を画素群１１１ａ1、ゲート信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群１１１ａ2、ゲート信号線Ｇmにより選択される画素の行を画素群１１１ａmで示している。
【００５９】
さらに表示装置は基本電流源１０１ａ1〜１０１ａm、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａm、アンプ１０３ａ1〜１０３ａmを有している。モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmの陰極は発光素子１０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。そして、基本電流源１０１ａ1はモニター素子１０２ａ1に定電流を供給し、モニター素子１０２ａ1に電圧が発生する。つまり、モニター素子１０２ａ1の両電極間に電位差が生じる。このときのモニター素子１０２ａ1の陽極１０４ａ1の電位をアンプ１０３ａ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖ1に出力する。こうして、ゲート信号線Ｇ1にスイッチング用トランジスタのゲート電極が接続されている画素群１１１ａ1の中で駆動トランジスタ１１０がオンになっている画素１０８の発光素子１０９の陽極に、アンプ１０３ａ1から出力された電位が入力される。そして、発光素子１０９に電流が流れ、発光する。同様に基本電流源１０１ａ2〜１０１ａmはそれぞれモニター素子１０２ａ2〜１０２ａmに定電流を供給し、アンプ１０３ａ2〜１０３ａmがそれぞれのモニター素子１０２ａ2〜１０２ａmの陽極１０４ａ2〜１０４ａmの電位を検出し、概略同電位を電源線Ｖ2〜Ｖmに出力する。こうして、画素群１１１ａ1、１１１ａ2、１１１ａ3、・・・、１１１ａmというように画素行毎に発光素子１０９に印加する電圧を設定することができる。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【００６０】
なお、アンプ１０３ａ1〜１０３ａmとしてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には基本電流源１０１ａ2〜１０１mの電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ１０３ａ1〜１０３ａmには電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【００６１】
また、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmや各画素１０８の発光素子１０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmや各発光素子１０９の陰極は他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmと各発光素子１０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmや各画素１０８の発光素子１０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【００６２】
また、モニター素子１０２ａ1は、画素部の周辺に画素群１１１ａ1の発光素子１０９と並んで配置され、同様にモニター素子１０２ａ2〜１０２ａmは、画素部の周辺にそれぞれ画素群１１１ａ2〜１１１ａmの発光素子１０９と並んで配置されている。したがって、発光素子１０９には、ソース信号線駆動回路１０６からの距離が概略等しいモニター素子、つまり、温度変化により変動する抵抗値が概略等しいモニター素子に発生する電圧と概略等しい電圧が印加されることになる。よって、ソース信号線駆動回路１０６の発熱による画素部１０７の面内の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。なお、もちろん環境温度変化や経時変化に起因する輝度のバラツキも低減することができる。
【００６３】
なお、モニター素子と発光素子は同一基板上に同一の材料で同時に形成することが好ましい。そうすることで、モニター素子と発光素子の電流電圧特性のばらつきを低減することができるからである。
【００６４】
なお、図１の構成では各行の画素部に対応して１つのモニター素子を設けているが、複数であってもよい。モニター素子を各行毎に並列に複数設けることでモニター素子の特性のバラツキを平均化することができる。
【００６５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、図１を用いて説明したアクティブ型表示装置の具体的な構成の一例について図２を用いて説明する。
【００６６】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路２０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路２０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスに複数の画素２０８が配置された画素部２０７を備えている。画素２０８はスイッチング用トランジスタ２０４と、駆動トランジスタ２１０と、容量素子２１１と、発光素子２０９とを有している。
【００６７】
ここで、ソース信号線駆動回路２０６にはシリアルにＤＡＴＡ信号が入力される。そしてパルス出力回路２１２にはＳＣＫ信号、ＳＣＫＢ信号、ＳＳＰ信号が入力され、第１のラッチ回路２１３の各列に順次信号が出力される。このパルス出力回路２１２から出力された信号に従って第１のラッチ回路２１３にＤＡＴＡ信号がパラレルに保存されることになる。そして、第２のラッチ回路２１４にＳＬＡＴ信号が入力されると、この第１のラッチ回路２１３に保存されたＤＡＴＡ信号は第２のラッチ回路２１４に転送される。この第２のラッチ回路２１４に保存されたＤＡＴＡ信号がソース信号線駆動回路２０６から出力される。また、ゲート信号線駆動回路２０５にはＧＣＫ信号、ＧＣＫＢ信号、ＧＳＰ信号が入力され、順次ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmを選択する。ゲート選択期間中において、その選択されているゲート信号線にゲート電極が接続されているスイッチング用トランジスタ２０４がオンする。そして、ソース信号線駆動回路２０６から出力された信号がＳ1〜Ｓnを通じて、選択されている行の画素２０８の容量素子２１１に書き込まれる。こうしてソース信号線Ｓ1〜Ｓnからの信号となる電荷が容量素子２１１に蓄積される。この蓄積される電荷により駆動トランジスタ２１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ２１０がオンになっている画素２０８の発光素子２０９が発光する。
【００６８】
さらに表示装置は基本電流源２０１ａ1〜２０１ａm、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａm、ボルテージフォロワ回路２０３ａ1〜２０３ａmを有している。モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmの陰極及び発光素子２０９の陰極はＧＮＤに接続されている。そして、基本電流源２０１ａ1はモニター素子２０２ａ1に定電流を供給し、モニター素子２０２ａ1に電圧が発生する。つまり、モニター素子２０２ａ1の両電極間に電位差が生じる。このときのモニター素子２０２ａ1の陽極の電位をボルテージフォロワ回路２０３ａ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖ1に出力する。こうして、ゲート信号線Ｇ1が選択されているときに、ゲート信号線Ｇ1にスイッチング用トランジスタ２０４のゲート端子が接続されている画素行にソース信号線Ｓ1〜Ｓnから信号が入力される。そして、駆動トランジスタ２１０がオンになっている画素２０８の発光素子２０９に、ボルテージフォロワ回路２０３ａ1から出力された電位が入力される。そして、発光素子２０９に電流が流れ、発光する。同様に基本電流源２０１ａ2〜２０１mはそれぞれモニター素子２０２ａ2〜２０２ａmに定電流を供給し、ボルテージフォロワ回路２０３ａ2〜２０３ａmがそれぞれのモニター素子２０２ａ2〜２０２ａmの陽極の電位を検出し、概略同電位を電源線Ｖ2〜Ｖmに出力する。こうして、画素行毎に発光素子２０９に印加する電圧を設定することができる。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【００６９】
また、モニター素子２０２ａ1は、画素部の周辺にゲート信号線Ｇ1にゲート電極が接続されたスイッチング用トランジスタ２０４を有する画素２０８の発光素子２０９と並んで配置され、同様にモニター素子２０２ａ2〜２０２ａmは、画素部の周辺にそれぞれゲート信号線Ｇ２〜Ｇｍにゲート電極が接続されたスイッチング用トランジスタ２０４を有する画素２０８の発光素子２０９と並んで配置されている。したがって、発光素子には、ソース信号線駆動回路２０６からの距離が概略等しいモニター素子、つまり、温度変化により変動する抵抗値が概略等しいモニター素子に発生する電圧と概略等しい電圧が印加されることになる。よって、ソース信号線駆動回路２０６の発熱による画素部２０７の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。なお、もちろん環境温度変化や経時変化に起因する輝度のバラツキも低減することができる。
【００７０】
なお、図２の構成ではボルテージフォロワ回路２０３ａ1〜２０３ａmを用いているが入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【００７１】
また、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmや各画素２０８の発光素子２０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmや発光素子２０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmと各発光素子２０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmや発光素子２０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【００７２】
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができる。
【００７３】
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択することができる。
【００７４】
また、図２の表示装置とは異なる構成を図３に示す。図３の構成では電源線Ｖ１〜Ｖｍを画素部の外に設けることができる。
【００７５】
図３に示す表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路３０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路３０６と、行方向と列方向に対応してマトリクスに複数の画素３０８が配置された画素部３０７を備えている。画素３０８はスイッチング用トランジスタ３０４と、駆動トランジスタ３１０と、容量素子３１１と、発光素子３０９とを有している。また、図３に示す表示装置は基本電流源３０１ａ1〜３０１ａm、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａm、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmを有している。ここで、図３に示す表示装置において、基本電流源３０１ａ1〜３０１ａm、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａm、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａm、ゲート信号線駆動回路３０５、ソース信号線駆動回路３０６、画素部３０７は、図２に示す表示装置の基本電流源２０１ａ1〜２０１ａm、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａm、ボルテージフォロワ回路２０３ａ1〜２０３ａm、ゲート信号線駆動回路２０５、ソース信号線駆動回路２０６、画素部２０７に対応し、動作については同様であるので説明は省略する。
【００７６】
なお、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmからは電位が出力される。よって、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmの出力端子から各画素３０８までの配線の配線抵抗により電圧降下が生じると各画素３０８の発光素子３０９に印加される電圧値がばらついてしまう。そこで、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmの出力端子から各画素３０８までの配線の配線抵抗を低くすることが好ましい。よって、電源線Ｖ1〜Ｖmを本構成のように電源線Ｖ1〜Ｖmを画素部の外に配置し、抵抗の低い材料で形成することでより各画素３０８の輝度のバラツキを低減することができる。ただし、画素行が多くなると、駆動トランジスタ３１０と電源線Ｖ1〜Ｖmとの引き回し配線が多くなり、画素の開口率が低くなってしまうため図２の構成や図３の構成を適宜用いるとよい。また、例えば、画素部３０７の上方の行と下方の行は図３のような構成とし、それ以外は図２のような構成とするように、組み合わせて用いても構わない。
【００７７】
なお、図３の構成ではボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmを用いているが入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【００７８】
また、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmや各画素３０８の発光素子３０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmや発光素子３０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmと各発光素子３０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmや発光素子３０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【００７９】
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができる。
【００８０】
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択することができる
【００８１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路４０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路４０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスに複数の画素４０８が配置された画素部４０７を備えている表示装置において、複数の行の画素４０８毎に分けて発光素子４０９に印加する電圧値を設定する表示装置の構成について説明する。つまり、図１の構成では画素の一行づつに電圧値を設定していたが、図４の構成では画素の二行づつに電圧値を設定する。
【００８２】
図４に示す表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路４０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路４０６と、行方向と列方向に対応してマトリクスに複数の画素４０８が配置された画素部４０７を備えている。画素４０８は駆動トランジスタ４１０と発光素子４０９を有しており、発光素子４０９の陰極はＧＮＤに接続されている。ゲート選択期間中にソース信号線により入力された信号によって駆動トランジスタ４１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ４１０がオンになっている画素４０８の発光素子４０９が発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の行を画素群４１１ａ1、ゲート信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群４１１ａ2、ゲート信号線Ｇmにより選択される画素の行を画素群４１１ａmで示している。
【００８３】
さらに表示装置は基本電流源４０１ａ1〜４０１ａm/2、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａm、アンプ４０３ａ1〜４０３ａm/2を有している。モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmの陰極は発光素子４０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。そして、基本電流源４０１ａ1はモニター素子４０２ａ1及びモニター素子４０２ａ2に定電流を供給し、モニター素子４０２ａ1及びモニター素子４０２ａ2に電圧が発生する。つまり、モニター素子４０２ａ1及びモニター素子４０２ａ2のそれぞれの両電極間に電位差が生じる。このときのモニター素子４０２ａ1及びモニター素子４０２ａ2の陽極４０４ａ1及び陽極４０４ａ2の電位をアンプ４０３ａ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖ1に出力する。こうして、ゲート信号線Ｇ1がスイッチング用トランジスタのゲート電極に接続されている画素群４１１ａ1又はゲート信号線Ｇ2がスイッチング用トランジスタのゲート電極に接続されている画素群４１１ａ2で駆動トランジスタ４１０がオンになっている画素４０８の発光素子４０９に、アンプ４０３ａ1から出力された電位が入力される。そして、発光素子４０９に電流が流れ、発光する。同様に基本電流源４０１ａ2〜４０１m/2はそれぞれモニター素子４０２ａ3及び４０２ａ4〜４０２ａm―1及び４０２ａmに定電流を供給し、アンプ４０３ａ2〜４０３ａm/2がそれぞれのモニター素子４０２ａ3及び４０２ａ4〜４０２ａm―1及び４０２ａmの陽極４０４ａ3及び４０４ａ4〜４０４ａm―1及び４０４ａmの電位を検出し、概略同電位を電源線Ｖ2〜Ｖm/2に出力する。こうして、画素群４１１ａ1と４１１ａ2、４１１ａ3と４１１ａ4、・・・、４１１ａm―1と４１１ａmというように二行の画素群毎に発光素子１０９に印加する電圧を設定することができる。つまり、二つのモニター素子の抵抗値の平均化した値に対する電圧値を検出し、発光素子に印加していることになる。また、二行分の画素の電源線を共通にすることから、電源線の数及び駆動トランジスタ４１０の引き回し配線を減らすことができる。よって、モニター素子の特性のバラツキの平均化及び画素の開口率の向上を図ることができる。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【００８４】
なお、図４の構成では、二行分の画素の電源線を共通としたが、これに限らない。画素部の温度傾斜による輝度のバラツキを低減することができるよう適宜調整することができる。例えば、画素部の画素行のちょうど半分のところで上部と下部に分けて二つの電源線を設けてもいいし、特にソース信号線駆動回路４０６の発熱による影響を受けやすい画素行、つまりソース信号線駆動回路４０６に近い数行の画素行のみの電源線を別に設けてもよい。
【００８５】
なお、アンプ４０３ａ1〜４０３ａm/2としてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には基本電流源４０１ａ2〜４０１m/2の電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ４０３ａ1〜４０３ａm/2には電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【００８６】
また、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmや各画素４０８の発光素子４０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmや各発光素子４０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmと各発光素子４０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmや各画素４０８の発光素子４０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【００８７】
また、図４の構成は図１の構成の表示装置の複数の画素行の電源線を共通とする例を示したが、図３のような構成のように、電源線を画素部の外に設けた構成においても適用することができる。そのような表示装置の具体的な構成の一例を図５に示す。
【００８８】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路５０５と、列方向にソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路５０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスに複数の画素５０８が配置された画素部５０７を備えている。画素５０８は駆動トランジスタ５１０とスイッチング用トランジスタ５０４と発光素子５０９とを有しており、発光素子５０９の陰極はＧＮＤに接続されている。また、ソース信号線駆動回路５０６はパルス出力回路５１２、第１のラッチ回路５１３、第２のラッチ回路５１４を有する。ゲート選択期間中にソース信号線により入力された信号によって駆動トランジスタ５１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ５１０がオンになっている画素５０８の発光素子５０９が発光する。
【００８９】
さらに表示装置は基本電流源５０１ａ1〜５０１ａm/2、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａm、ボルテージフォロワ回路５０３ａ1〜５０３ａm/2を有している。モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmの陰極は発光素子５０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。本構成では基本電流源５０１ａ1によりモニター素子５０２ａ1及びモニター素子５０２ａ2に電流が供給される。そして、ボルテージフォロワ回路５０３ａ1は、これらのモニター素子の陽極の電位を検出し、電源線Ｖ1に電位を設定する。
【００９０】
また、本構成は、電源線Ｖ1〜Ｖm/2が画素部５０７の外側に配置されており、かつ駆動トランジスタ５１０のソース電極の引き回し配線の数を減らすことができるため画素の開口率を向上させることができる。
【００９１】
なお、図５の構成ではボルテージフォロワ回路５０３ａ1〜５０３ａm/2を用いているが入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【００９２】
また、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmや各画素５０８の発光素子５０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmや発光素子５０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmと各発光素子５０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmや発光素子５０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【００９３】
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができる。
【００９４】
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択することができる
【００９５】
（実施の形態４）
本実施の形態では複数の色要素を有する表示装置において、色要素の画素毎に補償機能を有する表示装置について説明する。その一例としてＲＧＢの画素毎に補償機能を有する表示装置について図６を用いて説明する。なお、本実施の形態では、１画素を構成するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色要素毎にＲの画素、Ｇの画素、Ｂの画素という。
【００９６】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路６０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓｒ1、Ｓｇ1、Ｓｂ1、Ｓｒ2、Ｓｇ2、Ｓｂ2、・・・Ｓｒn、Ｓｇn、Ｓｂnへ信号を出力するソース信号線駆動回路６０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスにＲの画素６０８ｒ、Ｇの画素６０８ｇ、Ｂの画素６０８ｂから構成される画素６０８が複数配置された画素部６０７を備えている。Ｒの画素６０８ｒ、Ｇの画素６０８ｇ、Ｂの画素６０８ｂはそれぞれ駆動トランジスタ６１０と発光素子６０９を有しており、発光素子６０９の陰極はＧＮＤに接続されている。ゲート選択期間中にソース信号線Ｓｒ1、Ｓｇ1、Ｓｂ1〜Ｓｒn、Ｓｇn、Ｓｂnにより入力された信号によって駆動トランジスタ６１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ６１０がオンになっている画素６０８の発光素子６０９が発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の行を画素群６０４ａ1、ゲート信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群６０４ａ2、ゲート信号線Ｇ3により選択される画素の行を画素群６０４ａ3、ゲート信号線Ｇmにより選択される画素の行を画素群６０４ａmで示している。
【００９７】
さらに表示装置は基本電流源６０１ｒ1〜６０１ｒm、基本電流源６０１ｇ1〜６０１ｇm、基本電流源６０１ｂ1〜６０１ｂm、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、モニター素子６０２ｇ1〜６０２ｇm、モニター素子６０２ｂ1〜６０２ｂm、アンプ６０３ｒ1〜６０３ｒm、アンプ６０３ｇ1〜６０３ｇm、アンプ６０３ｂ1〜６０３ｂmを有している。モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、モニター素子６０２ｇ1〜６０２ｇm、モニター素子６０２ｂ1〜６０２ｂmの陰極は発光素子６０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。そして、基本電流源６０１ｒ1はモニター素子６０２ｒ1に定電流を供給し、モニター素子６０２ｒ1に電圧が発生する。つまり、モニター素子６０２ｒ1の両電極間に電位差が生じる。このときのモニター素子６０２ｒ1の陽極の電位をアンプ６０３ｒ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖｒ1に出力する。また、同様に基本電流源６０１ｇ1はモニター素子６０２ｇ1に、基本電流源６０１ｂ1はモニター素子６０２ｂ1に定電流を供給し、モニター素子６０２ｇ1の陽極の電位をアンプ６０３ｇ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖｇ1に出力し、モニター素子６０２ｂ1の陽極の電位をアンプ６０３ｂ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖｂ1に出力する。同様に基本電流源６０１ｒ2〜６０１ｒm、基本電流源６０１ｇ2〜６０１ｇm、基本電流源６０１ｂ2〜６０１ｂmはそれぞれモニター素子６０２ｒ2〜６０２ｒm、モニター素子６０２ｇ2〜６０２ｇm、モニター素子６０２ｂ2〜６０２ｂmに定電流を供給し、アンプ６０３ｒ2〜６０３ｒmがそれぞれのモニター素子６０２ｒ2〜６０２ｒmの陽極の電位を、アンプ６０３ｇ2〜６０３ｇmがそれぞれのモニター素子６０２ｇ2〜６０２ｇmの陽極の電位を、アンプ６０３ｂ2〜６０３ｂmがそれぞれのモニター素子６０２ｂ2〜６０２ｂmの陽極の電位を検出し、概略同電位をそれぞれ電源線Ｖｒ2〜Ｖｒm、電源線Ｖｇ2〜Ｖｇm、電源線Ｖｂ2〜Ｖｂmに出力する。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【００９８】
つまり、画素群６０４ａ1において、Ｒの画素の発光素子には電源線Ｖｒ1が電圧を供給し、Ｇの画素の発光素子には電源線Ｖｇ１が電圧を供給し、Ｂの画素の発光素子には電源線Ｖｂ1が電圧を供給する。同様に、画素群６０４ａ2〜画素群６０４ａmにおいて、Ｒの画素の発光素子には電源線Ｖｒ2〜Ｖｒmが、Ｇの画素の発光素子には電源線Ｖｇ2〜Ｖｇmが、Ｂの画素の発光素子には電源線Ｖｂ2〜Ｖｂmが電圧を供給する。
【００９９】
このように、画素行ごとに並んで配置して設けられたモニター素子に発生する電圧を検出し、その電圧をその画素行の発光素子に印加することでソース信号線駆動回路６０６の発熱による画素部の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。
【０１００】
また、画素行のＲＧＢの画素毎にモニター素子を設けて温度変化及び経時変化の補償を行っているため、ＲＧＢ毎の特性に合わせて発光素子に電圧値を設定することができる。つまり、ＲＧＢの画素間の輝度のバラツキを補償することができる。
【０１０１】
なお、本発明は、ＲＧＢ毎の画素をデルタ配置にした構成の表示装置にも適用することができる。デルタ配置の画素とすることで高画質な表示装置を提供することができる。
【０１０２】
また、アンプ６０３ｒ1〜６０３ｒm、アンプ６０３ｇ1〜６０３ｇm、アンプ６０３ｂ1〜６０３ｂmとしてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には基本電流源６０１ｒ1〜６０１ｒm、６０１ｇ1〜６０１ｇm、６０１ｂ1〜６０１ｂmの電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ６０３ｒ1〜６０３ｒm、アンプ６０３ｇ1〜６０３ｇm、アンプ６０３ｂ1〜６０３ｂmには電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【０１０３】
また、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２ｂmや各画素６０８の発光素子６０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２ｂmや各発光素子６０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２ｂmと各発光素子６０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２ｂmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２ｂmや各画素６０８の発光素子６０９は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【０１０４】
（実施の形態５）
本実施の形態では、図１の構成において、モニター素子に供給する基本電流源の数を減らした構成について図７を用いて説明する。
【０１０５】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路７０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路７０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスに複数の画素７０８が配置された画素部７０７を備えている。画素７０８は駆動トランジスタ７１０と発光素子７０９を有しており、発光素子７０９の陰極はＧＮＤに接続されている。ゲート選択期間中にソース信号線により入力された信号によって駆動トランジスタ７１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ７１０がオンになっている画素７０８の発光素子７０９が発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の行を画素群７１１ａ1、ゲート信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群７１１ａ2、ゲート信号線Ｇmにより選択される画素の行を画素群７１１ａmで示している。
【０１０６】
さらに表示装置は基本電流源７０１、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａm、アンプ７０３ａ1〜７０３ａmを有している。モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmの陰極は発光素子７０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。つまり、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに接続されているそれぞれの画素行毎の電源線Ｖ1〜Ｖmに電圧を供給するアンプがそれぞれ設けられている。そして、それぞれのアンプはそれぞれの画素行に並んで配置して設けられたモニター素子の陽極７０４ａ1の電位を検出して、概略同電位を電源線に設定する。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【０１０７】
ここで、一つの基本電流源７０１を用いて、各画素群７１１ａ1〜７１１ａmに並んで配置して設けられた各モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmに同じ電流値の電流を供給し、それぞれのモニター素子に発生する電圧を、それぞれの画素行毎に設けられたアンプ７０３ａ1〜７０３ａmにより検出する原理について説明する。
【０１０８】
まず、ゲート信号線Ｇ１により選択される画素群７１１ａ1の電源線Ｖ1に電位を設定するためスイッチ７１３ａ1及びスイッチ７１４ａ1をオンにする。すると、基本電流源７０１からの電流が容量素子７１２ａ1及びモニター素子７０２ａ1に流れる。そして、モニター素子７０２ａ1に発生する電圧分の電荷が容量素子７１２ａ1に蓄積され、容量素子７１２ａ１には電流が流れなくなる。そして、容量素子７１２ａ1の陽極の電位をアンプ７０３ａ１が検出する。ここで、容量素子７１２ａ1の陰極の電位はモニター素子の陰極の電位と同じに設定されているため、モニター素子７０２ａ1の陽極７０４ａ1の電位と同電位の容量素子７１２ａ1の陽極の電位を検出することで、モニター素子７０２ａ1に発生する電圧を検出することができる。
【０１０９】
なお、スイッチ７１３ａ1及びスイッチ７１４ａ1をオンにしているときには、スイッチ７１３ａ2〜スイッチ７１３ａm及びスイッチ７１４ａ2〜スイッチ７１４ａmはオフにする。そして、次にスイッチ７１３ａ2及び７１４ａ2をオンにするときにはスイッチ７１３ａ1、スイッチ７１３ａ3〜スイッチ７１３ａm及びスイッチ７１４ａ1、スイッチ７１４ａ3〜スイッチ７１４ａmはオフにする。こうすることで、各画素群７１１ａ1〜７１１ａmに並んで配置して設けられたモニター素子７０２ａ1〜７０２ａmへ順々に基本電流源７０１から電流を供給することができる。また、各モニター素子のそれぞれの電圧分の電荷を蓄積する容量素子は、対応するモニター素子に電流が供給されていないときには、対応するモニター素子に電流が流れていたときに発生した電圧を保持することができる。
【０１１０】
なお、アンプ７０３ａ1〜７０３ａmとしてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には基本電流源７０１の電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ７０３ａ1〜７０３ａmには電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【０１１１】
また、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各画素７０８の発光素子７０９の陰極や容量素子７１２ａ1〜７１２ａmの一方の電極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各発光素子７０９の陰極や容量素子７１２ａ1〜７１２ａmの一方の電極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各発光素子７０９の陰極や容量素子７１２ａ1〜７１２ａmの一方の電極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各画素７０８の発光素子７０９の陰極や容量素子７１２ａ1〜７１２ａmの一方の電極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【０１１２】
次に、図７に示した表示装置の具体的な構成の一例について図８を用いて説明する。
【０１１３】
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動回路８０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路８０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスに複数の画素８０８が配置された画素部８０７を備えている。画素８０８はスイッチング用トランジスタ８０４と容量素子８１１と駆動トランジスタ８１０と発光素子８０９を有しており、発光素子８０９の陰極はＧＮＤに接続されている。
【０１１４】
さらに表示装置は基本電流源８０１並びに、各画素行毎に対応してモニター素子８０２、ボルテージフォロワ回路８０３、容量素子８１２、第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４を有している。ゲート信号線に第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４のゲート電極が接続されているため、ゲート信号線駆動回路８０５により選択されたゲート信号線にゲート電極が接続されているスイッチング用トランジスタ８０４がオンするタイミングで、これらのスイッチング用トランジスタを有する画素行に対応して設けられた第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４もオンする。つまり、ソース信号線Ｓ1〜Ｓmからの信号を駆動トランジスタ８１０に書き込むことができる状態（ゲート選択期間中）の画素行に対応して設けられた第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４がオンする。よって、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmの信号に従って各画素行に対応した第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４が順々にオンする。
【０１１５】
第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４がオンすると、基本電流源８０１からの電流が容量素子８１２及びモニター素子８０２に流れる。そして、モニター素子８０２に発生する電圧分の電荷が容量素子８１２に蓄積されると、容量素子８１２には電流が流れなくなり、モニター素子８０２にのみ電流が流れる。このときボルテージフォロワ回路８０３の非反転入力端子にはモニター素子８０２の陽極の電位が入力され、出力端子からは概略同電位を対応する画素行の電源線に出力する。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【０１１６】
そして、ある画素行のゲート選択期間が終了し、次の画素行がゲート選択期間になると、ゲート選択期間の終了した画素行に対応する第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４がオフし、そのときのモニター素子８０２に発生する電圧を容量素子８１２が保持する。次々に各画素行に対応するモニター素子８０２に発生する電圧を各容量素子８１２に保持させることで、画素の各行に対応するボルテージフォロワ回路８０３の非反転入力端子にはそれぞれの対応するモニター素子８０２の陽極の電位を入力することができる。よって、各電源線には各画素行ごとに各モニター素子８０２の陽極の電位と概略同電位が設定される。そして、それぞれの画素行が再びゲート選択期間になると、各容量素子８１２は、環境温度変化及び経時変化に起因して変化するモニター素子８０２の抵抗値の変化に伴う電圧分の電荷を蓄積し、ゲート選択期間が終了する瞬間のモニター素子８０２の電圧を保持する。
【０１１７】
このように、図８の構成の表示装置では、ゲート選択期間に合わせて温度変化や、経時変化に起因してバラツキが生じる発光素子の輝度を補償することができる。
【０１１８】
また、画素行毎に電源線の電位を設定し、ソース信号線駆動回路８０６が熱源となって生じる温度傾斜に起因する発光素子８０９の輝度のバラツキも補償することができる。
【０１１９】
また、簡易な構成により電流源の数を一つとすることができるため、回路構成を簡略化し、コスト削減にもつながる。
【０１２０】
なお、図８の構成ではボルテージフォロワ回路８０３を用いているが入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【０１２１】
また、各モニター素子８０２や各画素８０８の発光素子８０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない。例えば、各モニター素子８０２や各発光素子８０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、各モニター素子８０２と各発光素子８０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、各モニター素子８０２の各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、各モニター素子８０２や各発光素子８０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好ましい。
【０１２２】
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができる。
【０１２３】
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択することができる
【０１２４】
（実施の形態６）
実施の形態１〜５ではアクティブマトリクス型表示装置（アクティブ型表示装置ともいう）を用いて説明したが、本発明はパッシブマトリクス型表示装置（パッシブ型表示装置ともいう）にも適用することが可能である。そこで、本実施の形態では、本発明の補償回路をパッシブマトリクス型表示装置に適用した場合について説明する。
【０１２５】
パッシブ型表示装置の有する温度及び劣化補償回路（以下単に補償回路という）の基本原理及び表示装置の駆動方法について図１２を用いて簡単に説明する。
【０１２６】
図１２の表示装置は行方向に配置されたロウ信号線Ｒ1〜Ｒmに信号を出力するロウ信号線駆動回路１２０２と、列方向に配置されたカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに信号を出力するカラム信号線駆動回路１２０１と、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmとカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに対応してマトリクスに発光素子１２０８が配置された画素部１２０３とを備える。ロウ信号線駆動回路１２０２により、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmから一つのロウ信号線が選択（ここでは、ロウ信号線がＧＮＤに接続）される。つまり、カラム信号線Ｃ1〜Ｃnに設定された電位との電位差により発光素子１２０８に電流が流れるように一つのロウ信号線が選択される。そして、選択されたロウ信号線とカラム信号線に設定された電位との電位差がロウ信号線とカラム信号線に挟まれた発光素子１２０８に印加される。そして、電流が流れると発光素子１２０８が発光する。このとき、カラム信号線Ｃ1〜Ｃnに設定される電位の大きさは各カラム信号線で同じように設定されるが、電位が設定される期間が異なる。こうして時間階調表示を行うことができる。
【０１２７】
また、表示装置は基本電流源１２０５、モニター素子１２０７、アンプ１２０４を有する。そして、基本電流源１２０５はモニター素子１２０７に定電流を供給する。つまりモニター素子１２０７は定電流駆動を行う。そして、モニター素子１２０７の陽極１２０６側の電位をアンプ１２０４は検出し、カラム信号線Ｃ1〜Ｃnへ出力する電位を設定する。なお、アンプ１２０４としては例えばボルテージフォロワ回路を用いることができる。
【０１２８】
また、カラム信号線駆動回路１２０１はパルス出力回路１２０９、第１のラッチ回路１２１０、第２のラッチ回路１２１１、スイッチ群１２１２を有する。そして、パルス出力回路１２０９からパルスが出力され、そのパルスにしたがって第１のラッチ回路１２１０に順々にＤＡＴＡ信号が格納される。そして第１のラッチ回路１２１０で保持されたデータはＳＬＡＴ信号のタイミングにより第２のラッチ回路１２１１に転送される。そして、第２のラッチ回路１２１１に保持されたデータがスイッチ群１２１２の各々のスイッチのオンの期間を制御し、カラム信号線Ｃ１〜Ｃｎへ電位を供給する期間を設定する、つまり発光素子へ電位を設定する期間を決定する。こうして時間階調表示を行うことができる。
【０１２９】
なお、実際には例えば３ビットの階調を行う場合には第１のラッチ回路１２１０及び第２のラッチ回路１２１１は各カラム信号線の電源供給を制御するスイッチ毎に３つのラッチ回路を有する。そして第２のラッチ回路１２１１から出力された各カラム信号線毎の３ビットのデータを８階調で階調を行う場合のパルス幅に変換し、そのパルス幅の期間スイッチ群１２１２を構成する各々のスイッチをオンさせるようにする。こうして８階調の表示を行うことができる。
【０１３０】
ここで、本発明の表示装置は行方向に配置された発光素子と並んで配置して画素部の周辺に配置されたモニター素子を有する。そして、各モニター素子に定電流を供給し、モニター素子に発生する電圧を検出し、対応して行方向に配置された発光素子にその電圧を印加する手段を備える。そのようなパッシブ型表示装置の例を図９を用いて説明する。
【０１３１】
図９の表示装置は行方向に配置されたロウ信号線（走査線ともいう）Ｒ1〜Ｒmに信号を出力するロウ信号線駆動回路９０２と、列方向に配置されたカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに信号を出力するカラム信号線駆動回路９０１と、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmとカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに対応してマトリクスに発光素子９０８が配置された画素部９０３とを備える。なお、ロウ信号線Ｒ1に陰極が接続されている発光素子の行を発光素子群９０６ａ1、ロウ信号線Ｒ2に陰極が接続されている発光素子の行を発光素子群９０６ａ2、ロウ信号線Ｒmに陰極が接続されている発光素子の行を発光素子群９０６ａmで示している。
【０１３２】
また、図９に示す表示装置は基本電流源９０５、アンプ９０４、モニター素子９０７ａ1〜９０７ａmを有している。基本電流源９０５は定電流をモニター素子９０７ａ1〜９０７ａmのいずれかに供給する。本構成においては、行方向に配置された発光素子群に対応した各モニター素子の陰極は、それぞれ発光素子群の有する発光素子９０８の陰極と同様にロウ信号線に接続されていることから、走査線選択期間の発光素子群に対応したモニター素子にのみ電流が流れる。つまり、ロウ信号線がＧＮＤに接続されている行の発光素子９０８及びモニター素子に電流が流れる。
【０１３３】
そして、電流が流れているモニター素子に発生する電圧をアンプ９０４が検出し、カラム信号線駆動回路９０１にその電圧を入力する。そして、カラム信号線駆動回路９０１によりアンプ９０４から入力された電圧を各カラム信号線Ｃ1〜Ｃnに供給する期間が設定される。つまり、ある行の発光素子群の各列毎に電圧の供給される期間が設定される。そして、各列の発光素子に印加される電圧はアンプ９０４によって供給される同じ電圧である。
【０１３４】
このように、発光素子の各行毎に配置されたモニター素子に定電流を供給し、発生する電圧を同じ行の発光素子９０８に印加する。つまり、基本電流源９０５から定電流がモニター素子９０７ａ1に供給され、発生する電圧は発光素子群９０６ａ1に印加し、基本電流源９０５から定電流がモニター素子９０７ａ2に供給され、発生する電圧は発光素子群９０６ａ２に印加し、基本電流源９０５から定電流がモニター素子９０７ａmに供給され、発生する電圧は発光素子群９０６ａmに印加する。
【０１３５】
このように、発光素子の各行毎に並んで配置して設けられたモニター素子に発生する電圧を検出し、その電圧をその行の発光素子に印加することでカラム信号線駆動回路９０１の発熱による画素部の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。
【０１３６】
また、環境温度の変化や経時変化に起因して変化する発光素子９０８の抵抗値に合わせて電圧を設定することができるため環境温度変化及び経時変化についても補償することができる。
【０１３７】
なお、アンプ９０４としてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には基本電流源９０５の電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ９０４には電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【０１３８】
また、ロウ信号線の選択されるときの電位がＧＮＤとなっているがこれに限定されない。よって、ＧＮＤ以外の他の特定電位の配線であっても構わない。
【０１３９】
続いて、ＲＧＢのそれぞれの発光素子毎に電圧を設定するため、ＲＧＢの発光素子毎にそれぞれモニター素子を設けた具体的な構成の一例について図１０を用いて説明する。
【０１４０】
図１０の表示装置は行方向に配置されたロウ信号線（走査線ともいう）Ｒ1〜Ｒmに信号を出力するロウ信号線駆動回路１００２と、列方向に配置されたカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに信号を出力するカラム信号線駆動回路１００１と、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmとカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに対応してマトリクスに発光素子が配置された画素部１００３とを備える。
【０１４１】
なお、Ｒの要素の発光素子１００８ｒ、Ｇの要素の発光素子１００８ｇ、Ｂの要素の発光素子１００８ｂはカラム信号線に対応する列方向に配列されＲＧＢの順に並んでいる。また、このＲＧＢ毎の発光素子の列に並んで配置して画素部１００３の周辺にＲの要素のモニター素子群１００６ｒ、Ｇの要素のモニター素子群１００６ｇ、Ｂの要素のモニター素子群１００６ｂが設けられている。そして、これらのモニター素子群を構成するモニター素子はロウ信号線Ｒ1〜Ｒmに対応して行方向に配置された発光素子と並んで配置されて設けられている。
【０１４２】
また、モニター素子群１００６ｒを構成するモニター素子に電流を供給する基本電流源１００５ｒと、モニター素子群１００６ｇを構成するモニター素子に電流を供給する基本電流源１００５ｇと、モニター素子群１００６ｂを構成するモニター素子に電流を供給する基本電流源１００５ｂと、モニター素子群１００６ｒを構成するモニター素子の陽極の電位を検出し、電源線Ｖｒにその電位と概略同電位を設定するボルテージフォロワ回路１００４ｒと、モニター素子群１００６ｇを構成するモニター素子の陽極の電位を検出し、電源線Ｖｇにその電位と概略同電位を設定するボルテージフォロワ回路１００４ｇと、モニター素子群１００６ｂを構成するモニター素子の陽極の電位を検出し、電源線Ｖｂにその電位と概略同電位を設定するボルテージフォロワ回路１００４ｂとを有する。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【０１４３】
また、カラム信号線駆動回路はパルス出力回路１００９と第１のラッチ回路１０１０と、第２のラッチ回路１０１１とを有する。なお、カラム信号線駆動回路１００１の動作については図１２を用いて説明したものと同様なので省略する。
【０１４４】
本構成においては、例えば、ロウ信号線Ｒ1が選択されているときには、基本電流源１００５ｒはモニター素子群１００６ｒを構成するモニター素子の中でロウ信号線に陰極が接続されているモニター素子１００７に電流を供給する。そして、電流が流れ、電圧が発生しているモニター素子１００７の陽極の電位をボルテージフォロワ回路１００４ｒが検出し、その電位と概略同電位を電源線Ｖｒに設定する。そして、電源線Ｖｒに設定された電位は、カラム信号線Ｃｒ1〜Ｃｒnによって、選択されているロウ信号線Ｒ1に陰極が接続された発光素子１００８ｒに、電圧として供給される。同様に基本電流源１００５ｇはモニター素子群１００６ｇを構成するモニター素子の中でロウ信号線に陰極が接続されているモニター素子１００７に電流を供給する。そして、電流が流れ、電圧が発生しているモニター素子１００７の陽極の電位をボルテージフォロワ回路１００４ｇが検出し、その電位と概略同電位を電源線Ｖｇに設定する。そして、電源線Ｖｇに設定された電位は、カラム信号線Ｃｇ1〜Ｃｇnによって、選択されているロウ信号線Ｒ1に陰極が接続された発光素子１００８ｇに、電圧として供給される。基本電流源１００５ｂはモニター素子群１００６ｂを構成するモニター素子の中でロウ信号線に陰極が接続されているモニター素子１００７に電流を供給する。そして、電流が流れ、電圧が発生しているモニター素子１００７の陽極の電位をボルテージフォロワ回路１００４ｂ検出し、その電位と概略同電位を電源線Ｖｂに設定する。そして、電源線Ｖｂに設定された電位は、カラム信号線Ｃｂ1〜Ｃｂnによって、選択されているロウ信号線Ｒ1に陰極が接続された発光素子１００８ｂに、電圧として供給される。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
【０１４５】
こうして、ロウ信号線Ｒ1に対応して行方向に配置されている発光素子のＲＧＢの発光素子毎に別々に電圧を印加することができる。
【０１４６】
続いて、ロウ信号線Ｒ2、Ｒ3、・・Ｒｍが選択されると、その行に対応したＲＧＢのモニター素子毎に定電流が供給され、それぞれの行のＲＧＢのモニター素子毎に発生する電圧を、それぞれのＲＧＢ毎に対応したアンプが検出し、対応した行のＲＧＢの発光素子毎にその電圧を供給する。
【０１４７】
このように、画素行ごとに並んで配置して設けられたモニター素子に発生する電圧を検出し、その電圧をその画素行の発光素子に印加することでソース信号線駆動回路６０６の発熱による画素部の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。
【０１４８】
また、画素行のＲＧＢの画素毎にモニター素子を設けて環境温度変化及び経時変化の補償を行っているため、ＲＧＢ毎の特性に合わせて発光素子に電圧値を設定することができる。つまり、ＲＧＢの画素間の輝度のバラツキを補償することができる。
【０１４９】
なお、図８の構成ではボルテージフォロワ回路１００４ｒ、ボルテージフォロワ回路１００４ｇ、ボルテージフォロワ回路１００４ｂを用いているが入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【０１５０】
（実施の形態７）
本実施の形態では信号線駆動回路の発熱による画素部の温度傾斜を低減する表示装置のパネルの構成について説明する。
【０１５１】
本実施の形態では表示装置の画素部の温度傾斜を低減するため熱発散層を設ける。
【０１５２】
つまり、温度変化で輝度が変化する発光素子を備えた画素部と、画素部の周辺に配置された駆動回路とを、第１の基板上に第１の熱発散層を介して有し、画素部は第１の基板と第２の基板により挟まれている構造の表示装置とする。
【０１５３】
まず、画素部を形成する基板面に下地膜として熱発散効果のある層を設けたパネル構造の一例について図１５を用いて説明する。なお、図１５（Ａ）は、表示装置を示す上面図、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）をＡ−Ａ’−Ａ”で切断した断面図である。点線で示したように表示装置は駆動回路部（ソース信号線駆動回路）１５０１、画素部１５０２、モニター素子部１５０３、駆動回路部（ゲート信号線駆動回路）１５０４を有する。また、封止基板（対向基板）１５０５とシール材１５０６で囲まれた内側は、空間１５０７になっている。
【０１５４】
なお、配線１５０９はソース信号線駆動回路１５０１及びゲート信号線駆動回路１５０４に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１５１０からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。また、ＦＰＣ上にはＩＣチップ（半導体集積回路）１５１１がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で接続されている。なお、ＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて接続してもよい。
【０１５５】
次に、断面構造について図１５（Ｂ）を用いて説明する。基板１５０８上には熱発散層として熱発散効果を有する下地膜１５２６が形成されている。熱発散効果を有する下地膜１５２６の熱伝導率は１０〜３００Ｗ／ｍＫであることが望ましく、より好ましくは熱伝導率が５０〜３００Ｗ／ｍＫであることが望ましい。また、下地膜として用いる材料として、熱伝導率の高い、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、立方晶窒化ホウ素（ｃ―ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＢｅＯ（ベリリア）、ダイアモンドなどが挙げられる。特に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は高い熱伝導性、絶縁性、高周波特性に優れ、また、シリコンと近い熱膨張係数を有することからも熱発散層として好ましい。例えば、下地膜としてＡｌＮ（窒化アルミニウム）の単層や、ＡｌＮ、ＳｉＮＯ（窒化酸化珪素）、ＳｉＯＮ（酸化窒化珪素）との積層などを用いるとよい。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０１５６】
そして、下地膜１５２６上にソース信号線駆動回路１５０１、画素部１５０２、モニター素子部１５０３及びゲート信号線駆動回路１５０４が形成されている。
【０１５７】
なお、ソース信号線駆動回路１５０１はｎチャネル型ＴＦＴ１５１２とｐチャネル型ＴＦＴ１５１３とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。またＴＦＴ１５２４はゲート信号線駆動回路を構成するＴＦＴを示している。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１５８】
また、画素部１５０２はスイッチング用ＴＦＴ１５１４と、電流制御用ＴＦＴ１５１５とそのドレインに電気的に接続された第１の電極１５１６とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極１５１６の端部を覆って絶縁物１５１７が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【０１５９】
また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物１５１７の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物１５１７の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物１５１７の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１５１７として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０１６０】
第１の電極１５１６上には、電界発光層１５１８、および第２の電極１５１９がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極１５１６に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【０１６１】
また、電界発光層１５１８は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって形成される。電界発光層１５１８には、元素周期律第４族金属錯体をその一部に用いることとし、その他、組み合わせて用いることのできる材料としては、低分子系材料であっても高分子系材料であっても良い。また、電界発光層に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本実施の形態では有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。さらに、公知の三重項材料を用いることも可能である。
【０１６２】
さらに、電界発光層１５１８上に形成される第２の電極１５１９に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）を用いればよい。なお、ここでは、上面出射型であるので、第２の電極１５１９として１ｎｍ〜１０ｎｍのアルミニウム膜、Ｌｉを微量に含むアルミニウム膜、若しくは、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【０１６３】
また、画素部１５０２において、電流制御用ＴＦＴ１５１５とそのドレインに電気的に接続された第１の電極１５１６と同一の材料で形成された配線１５２１と、その配線１５２１に接続された陽極１５２２と、第２の電極１５１９に電界発光層１５１８が挟まれた構造のモニター素子１５２３が形成されている。なお、このモニター素子からの発光は遮光するように、モニター素子部１５０３の上面には遮光膜１５２５が形成されている。
【０１６４】
さらにシール材１５０６で封止基板１５０５を素子基板１５０８と貼り合わせることにより、素子基板１５０８、封止基板１５０５、およびシール材１５０６で囲まれた空間１５０７に電界発光素子１５２０及びモニター素子１５２３が備えられた構造になっている。なお、空間１５０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１５０６で充填される構成も含むものとする。
【０１６５】
なお、シール材１５０６にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１５０５に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１６６】
以上のようにして、画素部の温度傾斜を低減したアクティブマトリクス型表示装置を得ることができる。
【０１６７】
また、画素部の温度傾斜を低減するための別の構成として、温度変化で輝度が変化する発光素子を備えた画素部と、画素部の周辺に配置された駆動回路とを、第１の基板上に有し、画素部は第１の基板と第２の基板により挟まれている構造の表示装置において、第２の基板の外側の面に熱発散効果の有する層を設ける構成としてもよい。
【０１６８】
ここで、対向基板に熱発散効果を有する層を設けた場合のパネルの構成について図１６を用いて説明する。なお、図１５と共通するところは共通の符号を用いて説明は省略する。
【０１６９】
本構成では、対向基板となる封止基板１５０５上に熱発散効果の有する膜１６０１を設ける。例えば、熱伝導性の良い金属膜を設けると良い。金属膜の例として銅をスピンコートで膜上に形成したものを用いることができる。なお、下地膜１５２６としては図１５のパネル構成で説明したように、熱発散効果の有する層の単層や、これらの層と窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素との積層でも良いが、図１６の構成においては窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素の積層だけでも良い。ただし、より効果的に熱を発散させるためには、透光性の有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やダイヤモンドと窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素の積層の積層にするのが好ましい。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０１７０】
また、図１６のパネルの構成では、陽極として機能する第１の電極１５１６に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０１７１】
また、陰極として機能する第２の電極１５１９に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）からなる金属膜を用いることができる。こうして、光を反射する金属膜を用いることで光が透過しない陰極を形成することができる。
【０１７２】
こうして、図１６の矢印に示すように発光素子からの光を下面に取り出すことが可能になる。
【０１７３】
なお、下面出射型構造の発光素子を表示装置に用いる場合には基板１５０８は光透過性を有する基板を用いる。
【０１７４】
また、光学フィルムを設ける場合には、基板１５０８に光学フィルムを設ければよい。
【０１７５】
なお、図１５では上面出射型構造、図１６では下面出射型構造の表示装置のパネルについて示したが、もちろん、両面出射型構造でも構わない。
【０１７６】
本発明の表示装置に適用可能な両面出射型構造の発光素子について図１９を用いて説明する。
【０１７７】
基板１９００上に下地膜１９０５が形成され、ぞの上に電流制御用ＴＦＴ１９０１が形成され、電流制御用ＴＦＴ１９０１のドレイン電極に接して第１の電極１９０２が形成され、その上に有機化合物を含む層１９０３と第２の電極１９０４が形成されている。なお、下地膜１９０５としては、熱発散効果を有する層の単層又は、この層と窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素との積層を用いると良い。このとき熱発散効果を有する層としては、透光性の有する、窒化アルミニウムやダイヤモンドなどを用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０１７８】
また、第１の電極１９０２は発光素子の陽極である。そして第２の電極１９０４は発光素子の陰極である。つまり、第１の電極１９０２と第２の電極１９０４とで有機化合物を含む層１９０３が挟まれているところが発光素子となる。
【０１７９】
また、ここで、陽極として機能する第１の電極１９０２に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０１８０】
また、陰極として機能する第２の電極１９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陰極を形成することができる。
【０１８１】
こうして、図１９の矢印に示すように発光素子からの光を両面に取り出すことが可能になる。つまり、図１５の表示装置のパネルに適用した場合には、基板１５０８側と封止基板１５０５側に光が出射することになる。従って両面出射型構造の発光素子を表示装置に用いる場合には基板１５０８および封止基板１５０５は、ともに光透過性を有する基板を用いる。 また、光学フィルムを設ける場合には、基板１５０８および封止基板１５０５の両方に光学フィルムを設ければよい。
【０１８２】
また、白色の発光素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する表示装置にも本発明を適用することが可能である。
【０１８３】
図２０に示すように、基板２０００上に下地膜２００２が形成され、その上に電流制御用ＴＦＴ２００１が形成され、電流制御用ＴＦＴ２００１のドレイン電極に接して第１の電極２００３が形成され、その上に有機化合物を含む層２００４と第２の電極２００５が形成されている。なお、下地膜２００２に用いる材料として、熱伝導率の高い、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、立方晶窒化ホウ素（ｃ―ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＢｅＯ（ベリリア）、ダイヤモンドなどが挙げられる。これらの単層やこれらと窒化酸化珪素膜及び酸化窒化珪素膜との積層を用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０１８４】
また、第１の電極２００３は発光素子の陽極である。そして第２の電極２００５は発光素子の陰極である。つまり、第１の電極２００３と第２の電極２００５とで有機化合物を含む層２００４が挟まれているところが発光素子となる。図２０の構成では白色光を発光する。そして、発光素子の上部に赤色のカラーフィルター２００６Ｒ、緑色のカラーフィルター２００６Ｇ、青色のカラーフィルター２００６Ｂを設けられており、フルカラー表示を行うことができる。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（ＢＭともいう）２００７が設けられている。
【０１８５】
また、図２０の構成は、画素部の発光素子は白色の発光素子のみであるため、モニター素子も同様の材料で形成することで、素子特性をそろえることができるため補償機能の精度をより高めることができる。
【０１８６】
次に、パッシブ型表示装置のパネル構造の一例について図１７を用いて説明する。なお、図１７（Ａ）は、表示装置を示す上面図、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）をＢ−Ｂ’−Ｂ”で切断した断面図である。点線で示したように表示装置は駆動回路部（カラム信号線駆動回路）１７０１、画素部１７０２、モニター素子部１７０３、駆動回路部（ロウ信号線駆動回路）１７０４を有する。また、封止基板１７０５とシール材１７０６で囲まれた内側は、空間１７０７になっている。
【０１８７】
なお、配線１７０９はカラム信号線駆動回路１７０１及ロウ信号線駆動回路１７０４に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１７１０からビデオ信号、クロック信号、スタート信号等を受け取る。また、ＦＰＣ上にはＩＣチップ（半導体集積回路）１７１１がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で接続されている。なお、ＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて接続してもよい。
【０１８８】
次に、断面構造について図１７（Ｂ）を用いて説明する。 第１の基板１７０８上には熱発散効果を有する下地膜１７２１が形成されている。例えば、下地膜としてＡｌＮ（窒化アルミ）の単層、ＡｌＮ、ＳｉＮＯ（窒化酸化珪素）、ＳｉＯＮ（酸化窒化珪素）との積層などを用いるとよい。ＡｌＮは高い熱伝導性を有し、面内温度の均熱性が良く、放熱特性に優れた絶縁体であるからである。
【０１８９】
そして下地膜１７２１上には画素部１７０２及びモニター素子部１７０３が形成されている。そして、カラム信号線駆動回路１７０１及びロウ信号線駆動回路１７０４はＩＣチップ上に形成されＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で第１の基板１７０８に接続されている。
【０１９０】
第１の基板１７０８上には下地膜１７２１が設けられ、その上には積層からなるカラム信号線が形成されている。カラム信号線の下層１７１２は反射性を有する金属膜であり、上層１７１３は透明な酸化物導電膜である。上層１７１３は仕事関数の高い導電膜を用いることが好ましく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料、もしくはこれらを組み合わせた化合物を含む膜を用いることができる。中でもＩＴＳＯは、ベークを行ってもＩＴＯのように結晶化せず、アモルファス状態のままである。従って、ＩＴＳＯは、ＩＴＯよりも平坦性が高く、有機化合物を含む層が薄くとも陰極とのショートが生じにくく、発光素子の陽極として適している。
【０１９１】
また、下層１７１２は、Ａｇ、Ａｌ、またはＡｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜を用いる。中でもＡｌ（Ｃ＋Ｎｉ）膜（炭素及びニッケル（１〜２０ｗｔ％）を含むアルミニウム合金膜）は、通電、或いは熱処理後もＩＴＯやＩＴＳＯとのコンタクト抵抗値に大きな変動がない材料であり、好ましい。
【０１９２】
隣り合うカラム信号線同士を絶縁化するための隔壁１７１８は黒色樹脂であり、異なる着色層（封止基板側に設けられる）との境界、或いは隙間と重なるブラックマトリクス（ＢＭ）の役目を果たしている。黒い隔壁で囲まれた領域が発光領域と対応して同一面積になっている。
【０１９３】
有機化合物を含む層１７１４はカラム信号線（陽極）側から順に、ＨＩＬ（ホール注入層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注入層）の順に積層されている。なお、有機化合物を含む層は、積層構造以外に単層構造、又は混合構造をとることができる。
【０１９４】
ロウ信号線（陰極）１７１５は、カラム信号線（陽極）と交差するように形成されている。こうして、カラム信号線とロウ信号線により有機化合物を含む層１７１４が挟まれた領域に発光素子１７１６及びモニター素子１７１７が形成される。ロウ信号線（陰極）１７１５は、ＩＴＯや、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯなどの透明導電膜を用いる。本実施の形態の構成では、矢印に示すように発光が封止基板１７０５を通過する上面出射型の表示装置の例であるのでロウ信号線１７１５は透明であることが重要である。なお、隣り合うロウ信号線同士を絶縁化するための隔壁１７１９はフォトリソグラフィー法に従い、未露光部分がパターンとしてポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節すことによって形成する。
【０１９５】
また、水分や脱ガスによるダメージから発光素子を保護するため、ロウ信号線１７１５を覆う透明な保護膜を設けてもよい。透明な保護膜としては、ＰＣＶＤ法による緻密な無機絶縁膜（ＳｉＮ、ＳｉＮＯ膜など）、スパッタ法による緻密な無機絶縁膜（ＳｉＮ、ＳｉＮＯ膜など）、炭素を主成分とする薄膜（ＤＬＣ膜、ＣＮ膜、アモルファスカーボン膜）、金属酸化物膜（ＷＯ2、ＣａＦ2、Ａｌ2Ｏ3など）などを用いることが好ましい。透明とは、可視光の透過率が８０〜１００％であることを指す。
【０１９６】
また、モニター素子部１７０３上には、遮光膜１７２０を設け、モニター素子部１７０３からの発光が外部に漏れないようにしている。
【０１９７】
また、発光素子を含む画素部１７０２は、シール材１７０６及び封止基板１７０５で封止され、囲まれた空間１７０７を密閉なものとしている。
【０１９８】
シール材１７０６としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることが可能である。また、シール材はフィラー（棒状またはファイバー状のスペーサ）や球状のスペーサを添加したものであっても良い。
【０１９９】
また、封止基板１７０５としてガラス基板またはプラスチック基板を用いる。プラスチック基板としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＳ（ポリエチレンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を板状もしくはフィルム状にして用いることができる。
【０２００】
一方、第１の基板１７０８の端部には端子電極が形成され、この部分で外部回路と接続するＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１７１０を貼り合わせる。端子電極は、反射性を有する金属膜と、透明な酸化物導電膜との積層で構成しているが、特に限定されない。
【０２０１】
また、画素部の周辺には、画素部へ各信号を伝送する駆動回路等が形成されたＩＣチップ１７１１を異方導電性材料により電気的に接続している。また、カラー表示に対応した画素部を形成するためには、ＸＧＡクラスでカラム信号線の本数が３０７２本でありロウ信号線が７６８本必要となる。このような数で形成されたカラム信号線及びロウ信号線は画素部の端部で数ブロック毎に区分して引出線を形成し、ＩＣの出力端子のピッチに合わせて集める。
【０２０２】
以上に示す表示装置は、上面出射型の表示装置であり、黒い隔壁１７１８及び１７１９によってコントラストが向上されている。
【０２０３】
また、対向基板に熱発散効果を有する層を設けた場合のパネルの構成について図１８を用いて説明する。なお、図１７と共通するところは共通の符号を用いて説明は省略する。
【０２０４】
本構成では、対向基板となる封止基板１７０５上に熱発散効果の有する膜１８０１を設ける。例えば、熱伝導性の良い金属膜を設けると良い。金属膜の例として銅をスピンコートで膜状に形成したものを用いることができる。なお、下地膜１７２１としては、熱発散効果を有する層の単層又は、この層と窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素との積層を用いると良い。このとき熱発散効果を有する層としては、透光性の有する、窒化アルミニウムやダイヤモンドなどを用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０２０５】
下面出射型構造の発光素子は、透明な酸化物導電膜からなるカラム信号線（陽極）と、有機化合物を含む層１７１４と、反射性を有する導電膜からなるロウ信号線１７１５とで構成している。また、隔壁１７１８は透光性を有する材料で構成されている。
【０２０６】
発光素子からの発光は図１８中の矢印に示す方向、即ち、第１の基板１７０８を通過する方向に取り出される。従って、封止基板１７０５は特に光透過性を有する必要はなく、金属板でもよい。また、発光素子の信頼性を向上させるために膜厚の厚い保護膜を形成しても光の取り出し効率が低下しないので好ましい。
【０２０７】
また、光学フィルムを設ける場合には、第１の基板１７０８側に光学フィルムを設ければよい。
【０２０８】
図１７では上面出射型構造、図１８では下面出射型構造の表示装置のパネルについて示したがもちろん両面出射型構造でもでも構わない。
【０２０９】
両面出射型構造の発光素子について図２１を用いて説明する。
【０２１０】
両面出射型構造の発光素子は、透明な酸化物導電膜からなるカラム信号線（陽極）２１０２と、有機化合物を含む層２１０４と、透明な酸化物導電膜からなるロウ信号線２１０５とで構成している。また、隔壁２１０３は遮光性を有する材料で構成されている。また、発光素子は下地膜２１０７を介して第１の基板２１０１上に形成されている。なお、下地膜２１０７には、図１７のパネル構成で説明したように、熱発散効果の有する層の単層や、これらの層と窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素との積層を用いることができる。熱発散効果の有する層の材料としては、透光性の有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やダイヤモンドを用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０２１１】
発光素子からの発光は図２１中の矢印に示す方向、即ち、第１の基板２１０１を通過する方向と、第２の基板２１０６を通過する方向との両方で取り出される。従って、第１の基板２１０１および第２の基板２１０６は、ともに光透過性を有する基板を用いる。
【０２１２】
また、光学フィルムを設ける場合には、第１の基板２１０１および第２の基板２１０６の両方に光学フィルムを設ければよい。
【０２１３】
また、隔壁が逆テーパ形状ではなく、順テーパ形状の例を図２２を用いて説明する。なお、図２２は、白色の発光素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する。
【０２１４】
第１の基板２２０１上に下地膜２２１０を形成し、その上にストライプ状の第１の電極２２０２を形成する。本構成では、第１の電極２２０２上に開口部を有する隔壁２２０３が設けられ、その上にスペーサ２２０６、及びスペーサ２２０６上の幅の大きいオーバーハング体２２０７で構成される隔壁を形成する。なお、下地膜２２１０に用いる材料として、熱伝導率の高い、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、立方晶窒化ホウ素（ｃ―ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＢｅＯ（ベリリア）、ダイヤモンドなどが挙げられる。これらの単層やこれらと窒化酸化珪素膜及び酸化窒化珪素膜との積層を用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
【０２１５】
スペーサ２２０６はポリイミドなどの有機樹脂膜を用い、オーバーハング体２２０７は、レジストなどの感光性樹脂膜を用いる。ポリイミドなどの有機樹脂膜を成膜して、分離したい電極の間にレジストなどの感光性樹脂膜のパターンを残す。そして、露出した有機樹脂膜をエッチングする。このエッチングする際に感光性樹脂のパターンの下方にアンダーカットを発生させるようにエッチング条件を調節する。これらの工程によりオーバーハング構造を持つ素子分離体構造、即ち隔壁が形成できる。
【０２１６】
図２２では、開口部を有する隔壁２２０３、スペーサ２２０６、またはオーバーハング体２２０７を遮光性を有する材料で構成し、コントラストを向上させる。
【０２１７】
隔壁を形成した後、有機化合物を含む層および透明導電膜を形成すれば、分離された有機化合物を含む層２２０４および第２の電極２２０５を形成することができる。
【０２１８】
また、図２２では、有機化合物を含む層２２０４は積層とし、Ａｌｑ3にクマリン６をドープした緑色発光層と、ＴＰＤにルブレンをドープした黄色発光層とを積層したものを用いて２層発光を用いた白色発光素子とする。本構成においては、発光色ごとに塗り分ける工程を省略できるため、パッシブマトリクス型発光装置の作製時間を短縮することができる。
【０２１９】
また、フルカラー表示とするため、白色発光素子の画素に対向する位置に着色層２２０８Ｒ、２２０８Ｇ、２２０８Ｂのみからなるカラーフィルタを第２の基板２２０９に設けている。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（ＢＭともいう）２２１１が設けられている。
【０２２０】
また、図２２の構成は、画素部の発光素子は白色の発光素子のみであるため、モニター素子も同様の材料で形成することで、素子特性をそろえることができるため補償機能の精度をより高めることができる。
【０２２１】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明のアクティブ型表示装置の画素構成に適用することができる画素構成について説明する。
【０２２２】
画素構成としては図２、図３、図５、図８に示した構成に限られず、画素トランジスタに電圧駆動型を適用した他の画素構成を用いることができる。つまり、発光素子の駆動トランジスタとして、線形領域で動作するトランジスタを用いている画素構成を有する表示装置に本発明を適用することができる。
【０２２３】
まず、図２５（Ａ）に図２、図３、図５及び図８で示した表示装置の画素構成の動作について説明する。スイッチング用トランジスタ２５０１と、容量素子２５０２と、駆動トランジスタ２５０３と、発光素子２５０４と、ゲート信号線２５０５と、ソース信号線２５０６と、電源線２５０７とを有する。スイッチング用トランジスタ２５０１のゲート端子はゲート信号線２５０５に接続されている。スイッチング用トランジスタ２５０１のソース端子はソース信号線２５０６に接続され、ドレイン端子は駆動トランジスタ２５０３のゲート端子に接続されている。また、容量素子２５０２の一方の端子も駆動トランジスタ２５０３のゲート端子に接続され、他方の端子は電源線２５０７に接続されている。駆動トランジスタ２５０３のソース端子も電源線２５０７に接続され、ドレイン端子が発光素子２５０４の陽極に接続されている。そして、ゲート信号線２５０５により入力される信号によってスイッチング用トランジスタ２５０１がオン状態になると、ソース信号線２５０６よりデジタルの映像信号が駆動トランジスタ２５０３のゲート端子に入力される。入力されたデジタルの映像信号の電圧は容量素子２５０２において保持される。この入力されたデジタルの映像信号によって、駆動トランジスタ２５０３のオンオフが選択され、電源線２５０７により設定される電位を発光素子２５０４の陽極に設定するかどうかを制御する。本発明により電源線２５０７の電位を設定することで、温度及び経時変化に起因して変動する発光素子２５０４の電流値の補正をすることができる。また、安定した電圧供給源を提供することができる。
【０２２４】
また、図２５（Ｂ）に示したような画素構成を有する表示装置に本発明を適用することもできる。図２５（Ｂ）の構成は図２５（Ａ）の構成に消去用トランジスタ２５０８と、消去用信号線２５０９を追加したものに相当する。よって図２５（Ａ）と共通のところは共通の符号を用いている。この構成においては、消去用信号線２５０９に消去信号が入力され、消去用トランジスタ２５０８がオンすると容量素子２５０２に保持された電荷が放電され、駆動トランジスタ２５０３がオフ状態となり、発光素子２５０４を非発光とすることができる。この構成においても、本発明により電源線２５０７の電位を設定することで、温度及び経時変化に起因して変動する発光素子２５０４の電流値の補正をすることができる。また、安定した電圧供給源を提供することができる。
【０２２５】
また、これらの構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができる。
【０２２６】
（実施の形態９）
本発明は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
【０２２７】
図２６（Ａ）はディスプレイであり、筐体２６００１、支持台２６００２、表示部２６００３、スピーカー部２６００４、ビデオ入力端子２６００５等を含む。本発明を表示部２６００３に用いたディスプレイは、温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。なお、ディスプレイは、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０２２８】
図２６（Ｂ）はカメラであり、本体２６１０１、表示部２６１０２、受像部２６１０３、操作キー２６１０４、外部接続ポート２６１０５、シャッター２６１０６等を含む。本発明を表示部２６１０２に用いたカメラは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２２９】
図２１（Ｃ）はコンピュータであり、本体２６２０１、筐体２６２０２、表示部２６２０３、キーボード２６２０４、外部接続ポート２６２０５、ポインティングマウス２６２０６等を含む。本発明を表示部２６２０３に用いたコンピュータは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３０】
図２６（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２６３０１、表示部２６３０２、スイッチ２６３０３、操作キー２６３０４、赤外線ポート２６３０５等を含む。本発明を表示部２６３０２に用いたモバイルコンピュータは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３１】
図２６（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２６４０１、筐体２６４０２、表示部Ａ２６４０３、表示部Ｂ２６４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２６４０５、操作キー２６４０６、スピーカー部２６４０７等を含む。表示部Ａ２６４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２６４０４は主として文字情報を表示することができる。本発明を表示部Ａ２６４０３や表示部Ｂ２６４０４に用いた画像再生装置は温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３２】
図２６（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２６５０１、表示部２６５０２、アーム部２６５０３を含む。本発明を表示部２６５０２に用いたゴーグル型ディスプレイは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３３】
図２６（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６６０１、表示部２６６０２、筐体２６６０３、外部接続ポート２６６０４、リモコン受信部２６６０５、受像部２６６０６、バッテリー２６６０７、音声入力部２６６０８、操作キー２６６０９、接眼部２６６１０等を含む。本発明を表示部２６６０２に用いたビデオカメラは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３４】
図２６（Ｈ）は携帯電話機であり、本体２６７０１、筐体２６７０２、表示部２６７０３、音声入力部２６７０４、音声出力部２６７０５、操作キー２６７０６、外部接続ポート２６７０７、アンテナ２６７０８等を含む。本発明を表示部２６７０３に用いた携帯電話は温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０２３５】
このように本発明は、あらゆる電子機器に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２３６】
【図１】本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。
【図２】本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。
【図３】本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。
【図４】本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。
【図５】本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。
【図６】本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。
【図７】本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。
【図８】本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。
【図９】本発明のパッシブマトリクス型表示装置を説明する図。
【図１０】本発明のパッシブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。
【図１１】本発明のアクティブマトリクス型表示装置の補償機能を説明する図。
【図１２】本発明のパッシブマトリクス型表示装置の補償機能を説明する図。
【図１３】発光素子の電圧−電流特性の温度依存性を説明する図。
【図１４】発光素子の電圧−電流特性の経時変化を説明する図。
【図１５】本発明のアクティブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。
【図１６】本発明のアクティブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。
【図１７】本発明のパッシブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。
【図１８】本発明のパッシブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。
【図１９】本発明のアクティブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。
【図２０】本発明のアクティブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。
【図２１】本発明のパッシブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。
【図２２】本発明のパッシブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。
【図２３】本発明の表示装置の原理について説明する図。
【図２４】表示装置の画素部の温度傾斜を説明する図。
【図２５】本発明のアクティブマトリクス型表示装置に適用可能な画素構成の例。
【図２６】表示部に本発明の表示装置を適用可能な電子機器の例。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度変化により抵抗値が変化する複数の発光素子で構成される画素部と、
前記発光素子に電圧を供給する電圧源と、を有し、
前記電圧源は、前記画素部の面内の温度傾斜が発生し、発光素子毎に温度差が生じると、温度が高い発光素子には印加する電圧を低くし、温度が低い発光素子には印加する電圧を高くする手段を備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
前記第１の信号線の列方向と前記第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は発光素子を有し、
前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子に発生する電圧と概略同電圧を、前記モニター素子と並んで配置された前記発光素子に印加するアンプと、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
前記第１の信号線の列方向と前記第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は発光素子を有し、
前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、前記モニター素子と並んで配置された前記発光素子の陽極に入力するアンプと、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
前記第１の信号線の列方向と前記第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は発光素子を有し、
前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
前記画素の複数行にわたって配置された複数のモニター素子に電流を供給する電流源と、
前記複数のモニター素子に発生する電圧と概略同電圧を前記複数のモニター素子と並んで配置された複数行の前記発光素子に電圧を印加するアンプと、
を有し、
前記画素の各行毎において配置された複数の前記モニター素子のうち、前記アンプが印加する複数行の前記発光素子と並んで配置された前記複数のモニター素子が並列接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、前記アンプはボルテージフォロワ回路であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一項において、前記画素部は複数の色要素でなる画素で構成され、前記モニター素子及び前記アンプは、前記色要素毎にそれぞれ設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子はＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項２乃至７のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子は同一の材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項２乃至８に記載の表示装置を表示部に備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
列方向に複数配置されたソース信号線に信号を出力するソース信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたゲート信号線に信号を出力するゲート信号線駆動回路と、
前記ソース信号線の列方向と前記ゲート信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタとを有し、前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、前記モニター素子と並んで配置された前記発光素子を駆動するトランジスタのソース端子に入力するアンプと、
を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】
列方向に複数配置されたソース信号線に信号を出力するソース信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたゲート信号線に信号を出力するゲート信号線駆動回路と、
前記ソース信号線の列方向と前記ゲート信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタとを有し、前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
前記画素の複数行にわたって配置された複数のモニター素子に電流を供給する電流源と、
前記複数のモニター素子の陽極の電位と概略同電位を前記複数のモニター素子と並んで配置された複数行の前記発光素子を駆動するトランジスタのソース端子に入力するアンプと、
を有し、
前記画素の各行毎において配置された複数の前記モニター素子のうち、前記アンプが印加する複数行の前記発光素子と並んで配置された前記複数のモニター素子が並列接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、前記アンプはボルテージフォロワ回路であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一項において、前記画素部は複数の色要素でなる画素で構成され、前記モニター素子及び前記アンプは、前記色要素毎にそれぞれ設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子はＥＬ素子であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子は同一の材料で形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５に記載のアクティブマトリクス型表示装置を表示部に備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１７】
列方向に複数配置されたカラム信号線に信号を出力するカラム信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたロウ信号線に信号を出力するロウ信号線駆動回路と、
前記カラム信号線の列方向と前記ロウ信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は、有機化合物を含む層が前記カラム信号線の一部でなる第１電極と、ロウ信号線の一部でなる第２電極とで挟まれた発光素子を有し、
前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置され、有機化合物を含む層が前記カラム信号線の一部でなる第１電極と、ロウ信号線の一部でなる第２電極とで挟まれたモニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、カラム信号線に入力するアンプと、
を有することを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項１８】
請求項１７において、前記アンプはボルテージフォロワ回路であることを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項１９】
請求項１７又は１８において、前記画素部は複数の色要素でなる画素で構成され、前記モニター素子及び前記アンプは、前記色要素毎にそれぞれ設けられていることを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項２０】
請求項１７乃至１９のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子はＥＬ素子であることを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項２１】
請求項１７乃至２０のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子は同一の材料で形成されていることを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項２２】
請求項１７乃至２１に記載のパッシブマトリクス型表示装置を表示部に備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項２３】
第１の基板上に第１の熱発散層を有し、
前記第１の熱発散層上に、温度変化で抵抗値が変化する発光素子を備えた画素部と、前記画素部の周辺に配置された駆動回路と、を有し、
前記画素部は前記第１の基板と第２の基板により挟まれていることを特徴とする表示装置。
【請求項２４】
第１の基板上に第１の熱発散層を有し、
前記第１の熱発散層上に、温度変化で抵抗値が変化する発光素子を備えた画素部と、前記画素部の周辺に配置された薄膜トランジスタで構成される駆動回路と、を有し、
前記画素部は前記第１の基板と第２の基板により挟まれていることを特徴とする表示装置。
【請求項２５】
請求項２３又は２４のいずれかにおいて、前記第１の熱発散層の熱伝導率は１０〜３００Ｗ／ｍＫであることを特徴とする表示装置。
【請求項２６】
請求項２３乃至２５のいずれか一項において、前記第１の熱発散層は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む層であることを特徴とする表示装置。
【請求項２７】
請求項２３乃至２５のいずれか一項において、前記第１の熱発散層は窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）を含む層であることを特徴とする表示装置。
【請求項２８】
請求項２７において、前記窒化酸化アルミニウムには酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれていることを特徴とする表示装置。
【請求項２９】
請求項２３乃至２８のいずれか一項において、前記第２の基板の外側の面には第２の熱発散層が形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３０】
請求項２９において、前記第２の熱発散層は金属膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項３１】
請求項３０において、前記金属膜は銅を含む膜で形成されていることを特徴する表示装置。
【請求項３２】
請求項２３乃至３１に記載の表示装置を表示部に備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項３３】
温度変化により抵抗値が変化する複数の発光素子で構成される画素部を有する表示装置において、
前記画素部の面内の温度傾斜が生じると、温度が高い発光素子には印加する電圧を低くし、温度が低い発光素子には印加する電圧を高くすることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１】
温度変化により抵抗値が変化する複数の発光素子で構成される画素部と、
前記発光素子に電圧を供給する電圧源と、を有し、
前記電圧源は、前記画素部の面内の温度傾斜が発生し、発光素子毎に温度差が生じると、温度が高い発光素子には印加する電圧を低くし、温度が低い発光素子には印加する電圧を高くする手段を備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
前記第１の信号線の列方向と前記第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は発光素子を有し、
前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子に発生する電圧と概略同電圧を、前記モニター素子と並んで配置された前記発光素子に印加するアンプと、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
前記第１の信号線の列方向と前記第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は発光素子を有し、
前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、前記モニター素子と並んで配置された前記発光素子の陽極に入力するアンプと、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
前記第１の信号線の列方向と前記第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は発光素子を有し、
前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
前記画素の複数行にわたって配置された複数のモニター素子に電流を供給する電流源と、
前記複数のモニター素子に発生する電圧と概略同電圧を前記複数のモニター素子と並んで配置された複数行の前記発光素子に電圧を印加するアンプと、
を有し、
前記画素の各行毎において配置された複数の前記モニター素子のうち、前記アンプが印加する複数行の前記発光素子と並んで配置された前記複数のモニター素子が並列接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、前記アンプはボルテージフォロワ回路であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一項において、前記画素部は複数の色要素でなる画素で構成され、前記モニター素子及び前記アンプは、前記色要素毎にそれぞれ設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子はＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項２乃至７のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子は同一の材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項２乃至８に記載の表示装置を表示部に備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
列方向に複数配置されたソース信号線に信号を出力するソース信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたゲート信号線に信号を出力するゲート信号線駆動回路と、
前記ソース信号線の列方向と前記ゲート信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタとを有し、前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、前記モニター素子と並んで配置された前記発光素子を駆動するトランジスタのソース端子に入力するアンプと、
を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】
列方向に複数配置されたソース信号線に信号を出力するソース信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたゲート信号線に信号を出力するゲート信号線駆動回路と、
前記ソース信号線の列方向と前記ゲート信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタとを有し、前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
前記画素の複数行にわたって配置された複数のモニター素子に電流を供給する電流源と、
前記複数のモニター素子の陽極の電位と概略同電位を前記複数のモニター素子と並んで配置された複数行の前記発光素子を駆動するトランジスタのソース端子に入力するアンプと、
を有し、
前記画素の各行毎において配置された複数の前記モニター素子のうち、前記アンプが印加する複数行の前記発光素子と並んで配置された前記複数のモニター素子が並列接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、前記アンプはボルテージフォロワ回路であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一項において、前記画素部は複数の色要素でなる画素で構成され、前記モニター素子及び前記アンプは、前記色要素毎にそれぞれ設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子はＥＬ素子であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子は同一の材料で形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５に記載のアクティブマトリクス型表示装置を表示部に備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１７】
列方向に複数配置されたカラム信号線に信号を出力するカラム信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたロウ信号線に信号を出力するロウ信号線駆動回路と、
前記カラム信号線の列方向と前記ロウ信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画素部と、を備え、
前記画素は、有機化合物を含む層が前記カラム信号線の一部でなる第１電極と、ロウ信号線の一部でなる第２電極とで挟まれた発光素子を有し、
前記画素の各行毎において、前記画素部の周辺に前記発光素子と並んで配置され、有機化合物を含む層が前記カラム信号線の一部でなる第１電極と、ロウ信号線の一部でなる第２電極とで挟まれたモニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、カラム信号線に入力するアンプと、
を有することを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項１８】
請求項１７において、前記アンプはボルテージフォロワ回路であることを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項１９】
請求項１７又は１８において、前記画素部は複数の色要素でなる画素で構成され、前記モニター素子及び前記アンプは、前記色要素毎にそれぞれ設けられていることを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項２０】
請求項１７乃至１９のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子はＥＬ素子であることを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項２１】
請求項１７乃至２０のいずれか一項において、前記モニター素子と前記発光素子は同一の材料で形成されていることを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項２２】
請求項１７乃至２１に記載のパッシブマトリクス型表示装置を表示部に備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項２３】
第１の基板上に第１の熱発散層を有し、
前記第１の熱発散層上に、温度変化で抵抗値が変化する発光素子を備えた画素部と、前記画素部の周辺に配置された駆動回路と、を有し、
前記画素部は前記第１の基板と第２の基板により挟まれていることを特徴とする表示装置。
【請求項２４】
第１の基板上に第１の熱発散層を有し、
前記第１の熱発散層上に、温度変化で抵抗値が変化する発光素子を備えた画素部と、前記画素部の周辺に配置された薄膜トランジスタで構成される駆動回路と、を有し、
前記画素部は前記第１の基板と第２の基板により挟まれていることを特徴とする表示装置。
【請求項２５】
請求項２３又は２４のいずれかにおいて、前記第１の熱発散層の熱伝導率は１０〜３００Ｗ／ｍＫであることを特徴とする表示装置。
【請求項２６】
請求項２３乃至２５のいずれか一項において、前記第１の熱発散層は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む層であることを特徴とする表示装置。
【請求項２７】
請求項２３乃至２５のいずれか一項において、前記第１の熱発散層は窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）を含む層であることを特徴とする表示装置。
【請求項２８】
請求項２７において、前記窒化酸化アルミニウムには酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれていることを特徴とする表示装置。
【請求項２９】
請求項２３乃至２８のいずれか一項において、前記第２の基板の外側の面には第２の熱発散層が形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３０】
請求項２９において、前記第２の熱発散層は金属膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項３１】
請求項３０において、前記金属膜は銅を含む膜で形成されていることを特徴する表示装置。
【請求項３２】
請求項２３乃至３１に記載の表示装置を表示部に備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項３３】
温度変化により抵抗値が変化する複数の発光素子で構成される画素部を有する表示装置において、
前記画素部の面内の温度傾斜が生じると、温度が高い発光素子には印加する電圧を低くし、温度が低い発光素子には印加する電圧を高くすることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２５】
【図２６】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２５】
【図２６】
【図２４】
【公開番号】特開２００６−９１８６０（Ｐ２００６−９１８６０Ａ）
【公開日】平成１８年４月６日（２００６．４．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２４１０４３（Ｐ２００５−２４１０４３）
【出願日】平成１７年８月２３日（２００５．８．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年４月６日（２００６．４．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年８月２３日（２００５．８．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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