説明

表示装置

【課題】 ドライバーを内蔵したLCDにおいて、周縁シール材によりドライバーが動作不良となることを防ぐ。
【解決手段】 シール材3が水平シフトレジスタ61及びサンプリング部62からなるドレインドライバー上を通過するが、水平シフトレジスタ61上領域においてシール材3の縁線が直線状にされている。シール材3直下ではTFT素子の動作特性が変化するので、シール材3の領域外のTFT素子と動作特性が異なるが、段間で動作特性が異なることが無くなり、表示に悪影響がでることが防がれる

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶等の光学部材を用いた表示装置に関し、特に、駆動回路を内蔵した表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
所定の電極配線が形成された一組の基板を細隙をもって貼り合わせ、その細隙に液晶を封入することで、表示画素として液晶を誘電層とした容量を構成してなる液晶表示装置(LCD)、あるいは、電流量により発光量が制御できる有機エレクトロルミネッセンス(EL)を用いた有機EL表示装置は、小型、薄型、低消費電力の利点から、OA機器、AV機器の分野において、ディスプレイとして広く用いられている。特に、LCDにおいて、各表示画素容量に表示信号電圧の書き込みと保持を制御するためにスイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT)を接続形成したアクティブマトリクス型は、高精細な表示を行うことができ、主流となっている。
【0003】
図11は、LCDの全容を示す平面図である。(1)は紙面向こう側に位置するTFT基板、(2)は紙面手前に位置する対向基板、(3)は基板(1)と基板(2)とを貼り合わせる周縁シール材であり、エポキシ樹脂等の熱硬化性の接着材、UV光の照射により硬化する樹脂等からなる。TFT基板(1)と対向基板(2)との間には、不図示のスペーサにより支持された細隙があり、また、シール材(3)は一部が切り欠かれて注入孔(31)となっている。この注入孔(31)より内部の細隙に液晶を注入し、注入孔(31)を封止材(32)で塞ぐことにより液晶が密封されている。
【0004】
TFT基板(1)は、基板上にチャンネル層として多結晶シリコン(p−Si)を用いたTFTが形成されてなる。この基板(1)上には、複数のゲートライン(GL)とドレインライン(DL)が交差配置され、これらの交差部には画素TFT(SE)及び画素TFT(SE)に接続された表示画素容量の一方を成す画素電極(PX)が形成されてなる表示領域(4)と、表示領域(4)の周辺に、主として双方向シフトレジスタからなり画素TFT(SE)に走査信号を供給するゲートドライバー(5)、および、主として双方向シフトレジスタとアナログスイッチからなりゲートドライバー(5)の走査に同期して画素TFT(SE)に表示信号電圧を供給するドレインドライバー(6)、さらには、シフトレジスタのシフト方向を切り換えて各ドライバー(5,6)の動作方向を切り換える制御回路(7)が形成されている。これらドライバー(5,6)は、表示領域(4)と同じ構造のp−SiTFTから構成されるが、p−SiTFTは動作速度が十分に速いため、このように画素TFT(SE)としてのみならず、これを駆動するための周辺ドライバーをも構成することができ、ドライバーを表示パネルに内蔵形成したドライバー内蔵型LCDが可能となっている。これらのTFTはアクリル樹脂、SOG(SPIN ON GLASS)、BPSG(BORO-PHOSPHO SILICATE GLASS)等の平坦化絶縁膜により覆われており、表示領域(4)においては、画素電極(PX)がこの上に形成されて、平坦化絶縁膜に開けられたコンタクトホールを介して画素TFT(SE)に接続された構造となっている。(8)はこれら
ドライバーの信号入力端子である。
【0005】
対向基板(2)は、表示画素容量の他方を成す共通電極(9)が表示領域(4)に対応して全面的に形成されている。表示画素容量は、液晶および共通電極(9)が画素電極に区画された形で構成されている。共通電極(9)の一部は、基板(2)の角部に引き出されて第2の対極接続端子(91)とされている。また、TFT基板(1)には、共通電極(9)用の対極信号入力端子(91)が設けられており、引き回し線(82)により対極接続端子(91)に対応する領域に形成された第1の対極接続端子(83)へと引き回され、これら第1および第2の対極接続端子(91,83)が導電性接着材(92)により接続されている。
【0006】
図12は、LCDの一部拡大平面図である。ゲートドライバー(5)は、図の縦辺に沿って設けられた垂直シフトレジスタ(51)とバッファ部(52)からなる。ドレインドライバー(6)は、図の横辺に沿って設けられた水平シフトレジスタ(61)と、各列毎に対応したアナログスイッチからなるサンプリング部(62)からなる。アナログスイッチは、水平シフトレジスタ(61)の各出力段によりオン/オフを制御され、各水平期間内における各列に割り当てられたドット期間に同期して、外部から供給された原画信号より表示信号電圧をサンプリングして各列に出力する。
【特許文献1】特開平8−220560号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
シール材(3)であるエポキシ樹脂やUV樹脂中には、塗布時の乾燥後に残る水分や、外気中の水分や不純物イオン等が含まれていることがあり、シール材(3)の下地となっている平坦化絶縁膜に分極を発生させ、平坦化絶縁膜下にあるTFTのバックチャネル効果を招いて閾値の変動をさせる。このため、図11に示すように、シール材(3)が、ゲートドライバー(5)やドレインドライバー(6)の領域上を通過する構成において、特に、シフトレジスタのような論理回路がシール材(3)直下にあり、それらの各TFT素子の動作特性が変わると、誤動作、更には、不動作の問題を招く。
【0008】
更に、TFT素子の特性変化が僅かであっても、図12に示すように、シール材(3)の特に外側縁線が湾曲した部分がドレインドライバー(6)上にあるような形状になっている場合、ドレインドライバー(6)の各出力段の中で、シール材(3)下にあるものとそれ以外のものとで動作に違いが生じる。この結果、シール材(3)下にある出力段に対応する表示領域(4)の列と、シール材(3)以外の領域にある列とでは、表示特性が異なってしまう。ゲートドライバー(5)側に関しても同様に、ゲートドライバー(5)の対応する段がシール材(3)の直下にある行と、シール材(3)以外の領域にある行とでも表示特性異なる。図において、影部を付した領域は、ゲートドライバー(5)またはドレインドライバー(6)の対応する段がシール材(3)以外の領域にあり、影部を付さな
い領域は対応する段がシール材(3)の直下にある。影部を付した領域は表示特性の変動が無い領域であり、影部を付さない領域には表示特性の変動がある領域であるが、表示上は、影部を付した領域が他の領域と異なって見える。また、シール材(3)の湾曲した外側の縁部には大きな力がかかり、その下にあるTFT素子の特性に影響を与えるため、対応するドライバー(5,6)の段がシール材(3)の湾曲部分にある領域は、他の領域と異なって見える。このように、表示領域(4)内に、表示特性の異なる領域が混在すると、表示品位を低下させる。
【0009】
また、制御回路(7)が動作不良となると、ドライバー(5,6)の動作方向の切り換えを行うことができず、ドライバーを内蔵したLCDにあって汎用性が低下する問題がある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明は、前述の課題を解決するために成され、対向面上に、行列状に配列された画素電極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の薄膜トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領域の周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からなり前記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回路領域及び前記駆動回路を制御するための制御回路領域とが設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、前記接着材は、前記駆動回路領域上にある縁線が、前記駆動回路領域の長辺方向に延びる直線状にされている構成である。
【0011】
これにより、駆動回路内において段間で接着材により異なる影響を受けることが防がれ、表示領域内で表示が異なる領域が混在することを無くせる。
【0012】
特に、前記接着材は、前記制御回路領域を回避している構成である。
【0013】
これにより、駆動回路の動作方向の切り換えが良好に行われる。
【0014】
また、対向面上に、行列状に配列された画素電極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の薄膜トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領域の周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からなり前記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回路領域が設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、前記接着材は、前記駆動回路領域上にある前記接着材の縁線が、前記駆動回路領域の長辺方向に延びる直線状に設けられている構成である。
【0015】
これにより、駆動回路内において段間で接着材により異なる影響を受けることが防がれ、表示領域内で表示が異なる領域が混在することを無くせる。
【0016】
また、対向面上に、行列状に配列された画素電極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の薄膜トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領域の周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からなり前記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回路領域が設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、前記接着材は、前記駆動回路領域上を回避して設けられている構成である。
【0017】
これにより、シフトレジスタが接着材による影響を受けて動作不良となることが防がれる。
【0018】
また、対向面上に、行列状に配列された画素電極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の薄膜トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領域の周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からなり前記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回路領域及び前記駆動回路を制御するための制御回路領域とが設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、前記接着材は、前記駆動回路領域上または/及び前記制御回路領域上を回避して設けられている構成である。
【0019】
これにより、シフトレジスタや制御回路が接着材による影響を受けて動作不良となることが防がれる。
【0020】
特に、前記駆動回路は、少なくともシフトレジスタ及びシフトレジスタの各出力段からの出力に基づく駆動信号出力部とからなり、前記接着材は、前記シフトレジスタ領域または/及び前記制御回路領域を回避して設けられている構成である。
【0021】
これにより、シフトレジスタや制御回路が接着材による影響を受けて動作不良となることが防がれる。
【0022】
更に、対向面上に、行列状に配列された画素電極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の薄膜トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領域の周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からなり前記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回路領域及び前記駆動回路を制御するための制御回路領域とが設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、前記駆動回路は、少なくともシフトレジスタ及びシフトレジスタの各出力段からの出力に基づく駆動信号出力部とからなり、前記接着材は、前記シフトレジスタ領域または前記駆動信号出力部のいずれかの領域を全て覆う構成である。
【0023】
これにより、シフトレジスタ内の全ての段に関して、接着材により受ける影響が等しくなり、全ての段の動作特性が均一になるので、表示領域内において表示が異なる領域が混在することが防がれる。
【0024】
特に、前記接着材は、前記駆動回路領域の全てを覆う構成である。
【0025】
これにより、駆動回路内の全ての段に関して、接着材により受ける影響が等しくなり、全ての段の動作特性が均一になるので、表示領域内において表示が異なる領域が混在することが防がれる。
【発明の効果】
【0026】
本発明により、駆動回路を内蔵した表示装置において、対向する一組の電極基板を貼り合わせるための接着材により、駆動回路が動作不良となることが防がれ、良好な表示を行うことができるようになった。

【発明を実施するための最良の形態】
【0027】
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。(1)及び(2)は各々、p−SiTFTが形成されたTFT基板と対向基板で、平面的にエッジを一致させている。TFT基板(1)は、複数のゲートライン(GL)及びドレインライン(DL)が互いに交差して配置され、それらの交差部には画素TFT(SE)及び画素TFT(SE)に接続され表示画素容量の一方を成す画素電極(PX)がマトリクス状に配列されてなる表示領域(4)を有している。また、表示領域(4)の周辺には、双方向の垂直シフトレジスタ(51)とその出力部であるバッファ部(52)からなるゲートドライバー、及び、双方向の水平シフトレジスタ(61)とこれに制御される出力部であるサンプリング部(52)からなるドレインドライバーが設けられている。更に、表示領
域(4)の周辺には、これらシフトレジスタ(51,61)のシフト方向を切り換えて、ドライバーの動作方向を正逆に切り換えるための制御回路(7)が設けられている。対向基板(2)には不図示である共通電極が設けられている。
【0028】
図2は、ゲートドライバー部(51,52)の等価回路図である。下段が垂直シフトレジスタ(51)部であり、上段が出力バッファ部(52)である。垂直シフトレジスタ(51)の各段は、第1のクロックドインバータ(53)とインバータ(54)及びインバータ(54)に逆方向に並列接続された第2のクロックドインバータ(55)からなる。これら隣接する各段からの出力はANDゲート(56)により論理積が取られて出力される。これらの垂直シフトレジスタ(51)からの各出力段からの段出力は、複数のインバータ(57)が直列接続されてなるバッファ部(52)を介して、所望の振幅を有した走査信号として、表示領域(4)の対応する各行のゲートライン(GL)へと出力され、同一行の各画素TFT(SE)のゲートへ共通に入力される。
【0029】
図3は、ドレインドライバー部(61,62)の等価回路図である。下段が双方向の水平シフトレジスタ(61)、上段がサンプリング部(62)である。水平シフトレジスタ(61)の各段は、第1のクロックドインバータ(63)とインバータ(64)及びインバータ(64)に逆方向に並列接続された第2のクロックドインバータ(65)からなる。これら各出力段からの出力は、複数のインバータ(66)が直列接続されてなるバッファ部を介してサンプリング部(62)へと送られる。サンプリング部(62)は、ゲートをバッファ部(66)の対応する各段に接続したアナログスイッチ(67)と、外部からの原画信号が乗せられたビデオライン(68)とよりなる。アナログスイッチ(67)はビデオライン(68)に接続されているとともに、水平シフトレジスタ(61)部の各段からの出力によりオン/オフが制御され、原画信号から各表示画素へ供給すべき表示信号をサンプリングし、表示領域(4)の対応する各列のドレインライン(DL)へ出力し、同一列の画素TFT(SE)へ供給される。
【0030】
本発明では、図1に示されるように、シール材(3)は、一部がドレインドライバー、特に、水平シフトレジスタ(61)上を通過するが、その縁線は、水平シフトレジスタ(61)上の領域においては直線状になっている。水平シフトレジスタ(61)は、一つのシフトレジスタ回路が図における表示領域(4)の横辺について全域にわたって設けられているか、複数のシフトレジスタ回路が直列に接続された形で横辺の全域にわたって設けられている。いずれにしても、シール材(3)は、同一辺に関して水平シフトレジスタ(61)上の全域にわたって、直線状の縁線をもって水平シフトレジスタ(61)上を通過している。このため、たとえシール材(3)直下のTFT素子の特性が変動して、シール材(3)直下とそれ以外の領域のTFT素子の特性に違いが生じても、水平シフトレジスタ(61)の段間で動作特性が異なることは防がれる。従って、表示領域(4)においても列間方向に関して表示が異なる領域が混在することが無くされる。
【0031】
同様に、ゲートドライバー側についても、シール材(3)は、一部が図における表示領域(4)の縦辺の全域にわたって垂直シフトレジスタ(51)上を通過するが、その縁線は垂直シフトレジスタ(51)上では直線状になっている。このため、シール材(3)直下のTFT素子の特性が変動しても、垂直シフトレジスタ(51)の段間で動作特性が異なることが防がれ、表示領域(4)においても行間方向に関して表示が異なる領域が混在することが無くされる。
【0032】
また、シール材(3)は、制御回路(7)上を回避しているので、制御回路(7)の動作不良となることが防がれ、ドライバー(5,6)の動作方向の切り換えを自在に行うことができる。
【0033】
更に、シール材(3)の湾曲部分が、ドライバー(5,6)上、制御回路(7)上のいずれの領域にも無いので、シール材(3)の湾曲部分に応力がかかっても表示に影響を及ぼすことが防がれる。
【0034】
図4は、本発明の第2の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。本実施の形態では、シール材(3)は、全幅が、水平シフトレジスタ(61)とサンプリング部(62)からなるドレインドライバー上を通過しているが、これらドレインドライバー(61,62)上領域におけるシール材(3)の縁線は直線状とされている。このため、シール材(3)の直下領域とそれ以外の領域でTFT素子の特性が異なっていても、ドレインドライバー(61,62)の段間での動作に差が生じることは無く、表示領域(4)内において列間で表示が異なることが防がれる。
【0035】
特に、本実施の形態では、図4におけるシール材(3)の外側の縁線は、より詳細には図3のX線にて示すように水平シフトレジスタ(61)部のシフトレジスタ回路部(63,64,65)とバッファ部(66)の間に位置している。即ち、バッファ部(66)はシール材(3)の直下領域にあり、シフトレジスタ回路部(63,64,65)はシール材(3)の領域外にある。シール材(3)の直下においてTFT素子の閾値が変動すると論理動作に影響を及ぼすことがあるが、バッファ部(66)では、段間で差が無い限りにおいて、シフトレジスタ回路部(63,64,65)程には閾値変動の影響を受けない。また、サンプリング部(67)も同様に、閾値の変動の影響を受けにくい。このため、たとえシール材(3)がドレインドライバー(61,62)上を通過しても、シフトレジスタ回路(63,64,65)上を回避している場合は特に、シフトレジスタ回路(63,64,65)の正常な論理動作が行われるとともに、バッファ部(66)及びサンプリング部(62)において正確な振幅の表示信号の出力が行われ、ドレインドライバー(61,62)全体として良好な動作が行われる。
【0036】
ゲートドライバー側においても同様に、シール材(3)は、全幅が、垂直シフトレジスタ(51)とサンプリング部(52)からなるゲートドライバー上を通過しているが、これらゲートドライバー(51,52)上領域におけるシール材(3)の縁線は直線状とされている。従って、シール材(3)直下とそれ以外の領域とでTFT素子の特性が異なっていても段間で動作に違いが生じることが無く、表示領域(4)内において行間で表示が異なることが防がれる。また、特に、図2においてX線にて示すようにシール材(3)の外側の縁線は、シフトレジスタ回路部(53,54,55)よりも内側にされている。従って、TFT素子の閾値変動がシフトレジスタ(53,54,55)の論理動作に影響を及ぼすことが防がれる。更に、シール材(3)の外側縁線がANDゲート(56)よりも内側とすることでより安定性がより高まる。また、シール材(3)がバッファ部(52)上にかかっていても閾値変動の影響は無い。
【0037】
図5は本発明の第3の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
本実施の形態では、シール材(3)はドレインドライバー上を通過しているが、特に、全幅が水平シフトレジスタ(61)上に位置しており、かつ、水平シフトレジスタ(61)上領域においてはシール材(3)の縁線が直線状とされている。ゲートドライバー側においても同様に、シール材(3)は、全幅が、垂直シフトレジスタ(51)上に位置しており、かつ垂直シフトレジスタ(51)上領域においてはシール材(3)の縁線は直線状とされている。従って、シール材(3)直下とそれ以外の領域とでTFT素子の特性が異なっていても段間で動作に違いが生じることが無く、表示領域(4)内で表示が異なることが防がれる。
【0038】
図6は本発明の第4の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
本実施の形態では、シール材(3)はドレインドライバー上を通過しているが、特に、サンプリング部(62)上を全て覆うように位置している。アナログスイッチ(67)の動作が段間で違いが生じない限り、閾値が変動してもサンプリングに影響を及ぼすことはなく、表示が列間で異なることが防がれる。また、シール材(3)はゲートドライバーのバッファ部(52)上を全て覆うように位置しているが、この場合も、インバータ(57)を構成するTFT素子の閾値が変動しても表示に影響を及ぼすことはない。
【0039】
更に、シール材(3)は制御回路(7)上を回避しているので、ドライバーの切換動作が不良となることが防がれる。
【0040】
図7は本発明の第5の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
本実施の形態では、シール材(3)はドレインドライバー上を通過しているが、水平シフトレジスタ(61)を全て覆うように設けられている。このため、水平シフトレジスタ(61)内の全てのTFT素子が同様の閾値変動の影響を受けるので、段間で動作に違いが生じることが無く、結果的に、表示領域(4)内において列間で表示の異なる領域が混在することが防がれる。また、ゲートドライバーについても同様に垂直シフトレジスタ(51)を全て覆うように設けられているので、表示領域(4)において行間で表示の異なる領域が混在することが防がれる。
【0041】
図8は本発明の第6の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
本実施の形態では、シール材(3)は、水平シフトレジスタ(61)及びサンプリング部(62)からなるドレインドライバーの全てを覆うように設けられている。このため、ドレインドライバー(61,62)内の全てのTFT素子が同様の閾値変動の影響を受けるので、段間で動作に違いが生じることが無く、結果的に、表示領域(4)内において列間で表示の異なる領域が混在することが防がれる。また、シール材(3)は、垂直シフトレジスタ(51)及びバッファ部(66)からなるゲートドライバーの全てを覆うように設けられている。このため、ゲートドライバー(51,52)内の全てのTFT素子が同様の閾値変動の影響を受けるので、段間で動作に違いが生じることが無く、結果的に、表示領域(4)内において行間で表示の異なる領域が混在することが防がれる。
【0042】
図9は本発明の第7の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
本実施の形態では、シール材(3)はドレインドライバー(61,62)あるいはゲートドライバー(51,52)の外側を迂回して設けられているので、シール材(3)によるTFT素子の閾値変動が全くなく、表示に悪影響を及ぼすことが完全に防がれる。また、シール材(3)は制御回路(7)上を回避しているので、ドライバーの動作方向の切換が不能となることが防がれる。
【0043】
図10は本発明の第8の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
本実施の形態では、シール材(3)はドレインドライバー(61,62)あるいはゲートドライバー(51,52)の内側を迂回して設けられているので、シール材(3)によるTFT素子の閾値変動が全く無く、表示に悪影響を及ぼすことが完全に防がれる。また、シール材(3)は制御回路(7)上を回避しているので、ドライバーの動作方向の切換が不能となることが防がれる。
【0044】
なお、上述の本発明の各実施の形態においては制御回路を設けた場合について説明したが、制御回路を設けない場合においてもシフトレジスタが接着材による影響を受けて動作不良となることが防止できるという本発明の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【0045】
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
【図2】本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部等価回路図である。
【図3】本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部等価回路図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
【図6】本発明の第4の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
【図7】本発明の第5の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
【図8】本発明の第6の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
【図9】本発明の第7の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
【図10】本発明の第8の実施の形態にかかる液晶表示装置の一部平面図である。
【図11】液晶表示装置の平面図である。
【図12】従来の液晶表示装置の一部平面図である。
【符号の説明】
【0046】
1 TFT基板
2 対向基板
3 シール材
4 表示領域
5 ゲートドライバー
6 ドレインドライバー
7 制御回路
8 入力端子
9 共通電極
51 垂直シフトレジスタ
52 出力バッファ部
61 水平シフトレジスタ
62 サンプリング部

【特許請求の範囲】
【請求項1】
対向面上に、行列状に配列された画素電極群と各画素電極に表示信号電圧を供給する第1の薄膜トランジスタ群が形成された表示領域、前記表示領域の周辺に形成された第2の薄膜トランジスタ群からなり前記第1の薄膜トランジスタを駆動する複数の駆動回路領域が設けられた第1の基板と、共通電極が形成された第2の基板とが、周縁に設けられた接着材により光学部材を間に挟んで貼り合わせてなる表示装置において、
前記駆動回路は、シフトレジスタ回路部及びバッファ部とを備えたシフトレジスタからなり、前記接着材の外側の縁線は、前記シフトレジスタ回路部と前記バッファ部との間に位置することを特徴とする表示装置。
【請求項2】
前記接着材は、該接着材の外側の縁線が、前記駆動回路の長辺方向に延びる直線状に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
【請求項3】
前記接着材は、前記制御回路領域上を回避して設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
【請求項4】
前記駆動回路は、少なくともシフトレジスタ及びシフトレジスタの各出力段からの出力に基づく駆動信号出力部とからなり、前記接着材は、前記シフトレジスタ領域または/及び前記制御回路領域を回避して設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の表示装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【公開番号】特開2004−151716(P2004−151716A)
【公開日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2003−359338(P2003−359338)
【出願日】平成15年10月20日(2003.10.20)
【分割の表示】特願平10−287083の分割
【原出願日】平成10年10月8日(1998.10.8)
【出願人】(000001889)三洋電機株式会社 (18,308)
【Fターム(参考)】