部品内蔵配線基板の製造方法
【課題】内蔵部品との接続信頼性に優れた配線基板を低コストで製造することができる部品内蔵配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックコンデンサ１０１とコア基板１１とを準備した後、ビルドアップ材をコア基板１１のコア裏面１３側に接合することで、絶縁層を形成しかつ収容穴部９０の一方の開口を閉塞する。コア裏面１３側の絶縁層上にセラミックコンデンサ１０１を搭載することで収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収納し、樹脂充填部９３で収容穴部９０の内壁面９１とセラミックコンデンサ１０１との隙間９２を埋める。コア主面１２側及びコア裏面１３側に形成された絶縁層を研磨し、セラミックコンデンサ１０１の外部電極１１１，１１２，１２１，１２２を露出させる。樹脂充填部９３上に、全面めっきを施した後にパターニングを行って導体層５０を形成する。
【解決手段】セラミックコンデンサ１０１とコア基板１１とを準備した後、ビルドアップ材をコア基板１１のコア裏面１３側に接合することで、絶縁層を形成しかつ収容穴部９０の一方の開口を閉塞する。コア裏面１３側の絶縁層上にセラミックコンデンサ１０１を搭載することで収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収納し、樹脂充填部９３で収容穴部９０の内壁面９１とセラミックコンデンサ１０１との隙間９２を埋める。コア主面１２側及びコア裏面１３側に形成された絶縁層を研磨し、セラミックコンデンサ１０１の外部電極１１１，１１２，１２１，１２２を露出させる。樹脂充填部９３上に、全面めっきを施した後にパターニングを行って導体層５０を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板の収容穴部に内蔵部品を収容した部品内蔵配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。例えば、樹脂コア基板内にコンデンサを埋め込んだ部品内蔵配線基板（例えば特許文献１参照）が従来提案されている。
【０００３】
上記従来の部品内蔵配線基板の製造方法の一例を図１６及び図１７を用いて以下に説明する。まず、コア主面２０１及びコア裏面２０２の両方にて開口する収容穴部２０３を有する高分子材料製のコア基板２０４を準備する。併せて、コンデンサ主面２０５及びコンデンサ裏面２０６にそれぞれ複数の表面電極２０７，２０８を有するコンデンサ２０９を準備する。なお、このコンデンサ２０９におけるコンデンサ主面２０５側の表面電極２０７には突起状導体２１０が形成されている。次に、コア基板２０４において、コア裏面２０２側に粘着テープ２１１（マスキングテープ）を貼り付けるテーピング工程を行い、収容穴部２０３のコア裏面２０２側の開口をあらかじめシールする。そして、収容穴部２０３内にコンデンサ２０９を収容する収容工程を行い、コンデンサ裏面２０６を粘着テープ２１１の粘着面に貼り付けて仮固定する。
【０００４】
次に、コア主面２０１及びコンデンサ主面２０５に樹脂絶縁層２１２を形成する（図１６参照）。併せて、樹脂絶縁層２１２の一部により、収容穴部２０３の内壁面とコンデンサ２０９との隙間を埋めて、コンデンサ２０９を固定する。その後、粘着テープ２１１を剥離する。そして、樹脂絶縁層２１２を研磨して、コンデンサ２０９における表面電極２０７の突起状導体２１０の表面を露出させる。
【０００５】
次に、コア主面２０１及びコンデンサ主面２０５に樹脂絶縁層２１３を形成するとともに、コア裏面２０２及びコンデンサ裏面２０６に樹脂絶縁層２１４を形成する。さらに、レーザ孔あけ加工を行い、樹脂絶縁層２１３，２１４をそれぞれ貫通するビア孔２１６を複数箇所に形成し、表面電極２０７の突起状導体２１０や表面電極２０８を露出させる。そして、樹脂絶縁層２１３，２１４及びビア孔２１６の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂絶縁層２１３，２１４上に導体層２１５がパターン形成されるとともに、各ビア孔２１６の内部にビア導体２１７が形成される（図１７参照）。
【０００６】
この後、樹脂絶縁層２１３，２１４に対して、樹脂絶縁層の形成及び導体層の形成を交互に行うことで、ビルドアップ層を形成する。その結果、所望の配線基板が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−３０６１７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述した従来の製造方法では、収容穴部２０３内にコンデンサ２０９を仮固定するために粘着テープ２１１が必要となっている。この粘着テープ２１１は、コンデンサ２０９の固定後に不要となり、コア基板２０４から剥離されて廃棄されているため、無駄なコストとなっていた。また、コア基板２０４に内蔵されるコンデンサ２０９の各電極２０７，２０８と導体層２１５との電気的な接続は、樹脂絶縁層２１３，２１４に形成されるビア導体２１７を介して行われるため、配線パターンの自由度がなくなり、樹脂絶縁層２１３，２１４の総数が増加するといった問題も生じていた。さらに、コンデンサ２０９、コア基板２０４、及び埋め込み樹脂（樹脂絶縁層２１２）の熱膨張係数（ＣＴＥ）の違いによって、配線基板の反りや基板表面の波うちが発生するといった問題も生じていた。
【０００９】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、内蔵部品との接続信頼性に優れた配線基板を低コストで製造することができる部品内蔵配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の第１表面電極が配置された第１部品主面及び複数の第２表面電極が配置された第２部品主面を有する内蔵部品を準備するとともに、第１主面及び第２主面を有しかつ前記第１主面及び前記第２主面にて開口する収容穴部が貫設されたコア基板を準備する準備工程と、前記準備工程の後、樹脂材料を主体とするビルドアップ材を前記コア基板の前記第２主面側に接合することで、第２主面側絶縁層を形成しかつ前記収容穴部の一方の開口を閉塞する第２主面側絶縁層形成工程と、前記第２主面側絶縁層形成工程の後、前記第２主面側絶縁層上に前記内蔵部品を搭載することで前記収容穴部内に前記内蔵部品を収容する収容工程と、前記収容工程の後、充填樹脂材で前記収容穴部の内壁面と前記内蔵部品との隙間を埋める隙間埋め工程と、前記収容工程の後、前記ビルドアップ材を前記コア基板の前記第１主面側に接合することで、第１主面側絶縁層を形成しかつ前記収容穴部の他方の開口を閉塞する第１主面側絶縁層形成工程と、前記第１主面側絶縁層形成工程の後、前記第１主面側絶縁層を研磨して前記複数の第１表面電極を露出させ、かつ、前記第２主面側絶縁層を研磨して前記複数の第２表面電極を露出させる両面研磨工程と、前記両面研磨工程の後、前記第１主面側絶縁層及び前記第２主面側絶縁層の上に全面めっきを施した後にパターニングを行って配線層を形成するパターニング工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法がある。
【００１１】
従って、手段１に記載の発明によると、収容工程において、後に配線基板の一部として残る第２主面側絶縁層のビルドアップ材を用いて収容穴部内に内蔵部品が仮固定されている。このようにすると、従来技術のようにマスキングテープを使用して内蔵部品を固定する必要がないため、製造コストを抑えることができる。また、両面研磨工程において、第１主面側絶縁層及び第２主面側絶縁層が研磨され、第１表面電極及び第２表面電極が露出される。そして、パターニング工程において、配線層を形成することで内蔵部品の各電極に配線層を直接接続することができる。この場合、従来技術のようにビア導体によって各電極に接続する場合と比較して、配線パターンの自由度が増し内蔵部品への電気的接続を良好に行うことが可能となる。さらに、従来技術のように片面のみ研磨する場合では、片面側の導体層の伸び等によってコア基板に反りが発生することがあるが、本発明では、両面側が同様に研磨されるので、第１主面側及び第２主面側における導体層の伸びによる基板の反りを防止することができる。
【００１２】
隙間埋め工程では、第１主面側絶縁層を構成する樹脂材料の一部及び第２主面側絶縁層を構成する樹脂材料の一部を流動させることによって、収容穴部の内壁面と内蔵部品との隙間を埋めることが好ましい。このように、第１主面及び第２主面の両方の主面における絶縁層の樹脂材料を流動させる場合、片方の主面側のみの絶縁層の樹脂材料を流動させる場合と比較して、隙間を確実に埋めることができる。
【００１３】
内蔵部品における複数の第１表面電極及び複数の第２表面電極は、導体層上に突起状導体を形成してなることが好ましい。このように、厚みを持った突起状導体を各表面電極に設けると、収容穴部内において内蔵部品が厚み方向に位置ずれした場合でも、研磨工程で突起状導体を削ることでその位置ずれを調整することができる。
【００１４】
突起状導体を構成する金属材料は、例えば、銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。特に、突起状導体は、銅を主体として形成されていることが好ましい。このようにすれば、突起状導体を他の材料を主体として形成する場合よりも、突起状導体の低抵抗化が図られるとともに、突起状導体の導電性が向上する。しかも、突起状導体が比較的柔らかい銅を主体として形成されるため、突起状導体の研磨が容易になる。
【００１５】
突起状導体の形成方法としては、めっきによって突起状導体を形成する方法などが挙げられる。なお、突起状導体が銅を主体として形成される場合、突起状導体は、銅めっきによって形成されていることが好ましい。このようにすれば、突起状導体を例えば導電性ペーストなどによって形成する場合に比べて、突起状導体の導電性が向上する。また、突起状導体の他の形成方法としては、金属ペーストを印刷して突起状導体を形成する方法や、金属箔を貼付する工程のみを行って突起状導体を形成する方法や、突起状導体よりも大きい金属箔を貼付した後、金属箔に対するエッチングを行って突起状導体を形成する方法などが挙げられる。
【００１６】
収容工程では、複数の第２表面電極の少なくとも一部を第２主面側絶縁層に埋めるようにして第２主面側絶縁層上に内蔵部品を搭載してもよい。このようにすると、収容穴部内における内蔵部品の位置ずれを確実に防止することができる。
【００１７】
突起状導体、パターニング工程を経て突起状導体上に形成される導体層及び導体層上に形成されるビア導体が、ともに銅からなることが好ましい。このようにすると、内蔵部品の各表面電極と配線基板側の導体層との電気的接続を確実に行うことができる。
【００１８】
パターニング工程では、第１主面側絶縁層及び第２主面側絶縁層の上であって隙間に対応する箇所を覆うような導体層を形成することが好ましい。このようにすると、隙間を埋める樹脂材料は基板製造時に加わる熱によって膨張するが、樹脂材料よりも硬い導体層によって樹脂材料を押さえ込むことにより、配線基板の反りを確実に抑えることができる。
【００１９】
内蔵部品としては、チップコンデンサやセラミックコンデンサを挙げることができる。また、好適なセラミックコンデンサとしては、誘電体層と、誘電体層を介して積層配置された複数の内部電極と、複数の内部電極に接続されるとともに両端部に複数の第１表面電極及び複数の第２表面電極が接続された複数のコンデンサ内ビア導体とを備え、複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサを挙げることができる。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電圧安定化が可能となる。
【００２０】
セラミックコンデンサの誘電体層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。この場合、用途に応じて、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体を使用することも好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなコンデンサを実現しやすくなる。
【００２１】
セラミックコンデンサの内部電極及びコンデンサ内ビア導体としては特に限定されないが、例えばメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。
【００２２】
コア基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。
【００２３】
絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。絶縁層の形成材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明を具体化した一実施の形態の部品内蔵配線基板を示す概略断面図。
【図２】セラミックコンデンサを示す概略断面図。
【図３】セラミックコンデンサを示す上面図。
【図４】セラミックコンデンサの外部電極を示す拡大断面図。
【図５】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１１】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１２】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１３】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１４】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１５】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１６】従来技術における部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１７】従来技術における部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を部品内蔵配線基板に具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２６】
図１に示されるように、本実施の形態の部品内蔵配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。部品内蔵配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２（第１主面）上に形成される第１ビルドアップ層３１と、コア基板１１のコア裏面１３（第２主面）上に形成される第２ビルドアップ層３２とからなる。
【００２７】
コア基板１１のコア主面１２上に形成された第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。
【００２８】
なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５が形成される領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。また、樹脂層間絶縁層３３，３５内における複数箇所にはビア導体４３が形成されている。ビア導体４３は、導体層４２や端子パッド４４に電気的に接続している。
【００２９】
コア基板１１のコア裏面１３上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第１層の樹脂層間絶縁層３４内における複数箇所にはビア導体４３が形成されており、各ビア導体４３の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３４の表面上に形成された導体層４２に接続されている。第２層の樹脂層間絶縁層３６内における複数箇所にもビア導体４３が形成されており、樹脂層間絶縁層３６の下面上において各ビア導体４３の下端となる箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードに対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００３０】
本実施の形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．９ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、例えば補強材としてのガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させてなる樹脂絶縁材（ガラスエポキシ材）にて構成されている。コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２及びコア裏面１３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。また、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。さらに、コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。なお、収容穴部９０は、四隅に面取り寸法０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の面取り部を有している。
【００３１】
そして、収容穴部９０内には、図２，図３に示すセラミックコンデンサ１０１（内蔵部品）が、埋め込まれた状態で収容されている。本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、１つのコンデンサ主面１０２（第１部品主面）、１つのコンデンサ裏面１０３（第２部品主面）、及び、４つのコンデンサ側面１０６を有する板状物であり、例えば縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．９ｍｍのサイズを有している。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２をコア主面１２と同じ側に向け、かつ、コンデンサ裏面１０３をコア裏面１３と同じ側に向けた状態で収容されている。セラミックコンデンサ１０１は、コア基板１１において前記ＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２内に位置している。
【００３２】
図１に示されるように、収容穴部９０の内壁面９１とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間９２は、高分子材料（本実施の形態ではエポキシ等の熱硬化性樹脂）からなる樹脂充填部９３によって埋められている。この樹脂充填部９３は、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定する機能を有している。また、樹脂充填部９３は、セラミックコンデンサ１０１との熱膨張差を緩和するために、シリカ等のセラミック粉が添加されていてもよい。また、放熱性を向上させるために、Ｃｕ等の金属粉が添加されてもよい。なお、セラミックコンデンサ１０１は、平面視略正方形状をなしており、四隅に面取り寸法０．５５ｍｍ以上（本実施の形態では面取り寸法０．６ｍｍ）の面取り部を有している。これにより、セラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵するときや、温度変化に伴う樹脂充填部９３の変形時において、セラミックコンデンサ１０１の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂充填部９３のクラックの発生を防止できる。
【００３３】
図１〜図３に示されるように、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのセラミックコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１（内部電極）とグランド用内部電極層１４２（内部電極）とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。
【００３４】
図１，図２に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体１０４の全面にわたってアレイ状に配置されている。各ビアホール１３０内には、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。なお本実施の形態において、ビアホール１３０の直径は約１００μｍに設定されているため、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径も約１００μｍに設定されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。
【００３５】
そして図２，図３に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、第１表面電極として複数の主面側電源用外部電極１１１と複数の主面側グランド用外部電極１１２とが設けられている。各外部電極１１１，１１２は、コンデンサ主面１０２に垂直な方向（部品厚さ方向）から見たときの形状が略円形状であり、３００μｍの直径を有している（図３参照）。主面側電源用外部電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用外部電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。
【００３６】
また、図２に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、第２表面電極として複数の裏面側電源用外部電極１２１と複数の裏面側グランド用外部電極１２２とが設けられている。各外部電極１２１，１２２は、コンデンサ裏面１０３に垂直な方向から見たときの形状が略円形状であり、３００μｍの直径を有している。裏面側電源用外部電極１２１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用外部電極１２２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用外部電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用外部電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。
【００３７】
図４に示されるように、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２は、ニッケルを主体として構成されたメタライズ金属層１５１及びその金属層１５１を覆うように設けられた銅めっき層１５２（導体層）と、銅めっき層１５２上に突設された突起状導体１５３とにより構成されている。各突起状導体１５３は、銅めっきによって形成された円柱状導体（銅ポスト）である。各突起状導体１５３の直径は、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の直径（約３００μｍ）よりも小さく、かつ、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径（約１００μｍ）よりも大きく設定されており、本実施の形態では約２００μｍに設定されている。また、突起状導体１５３の高さは、５０μｍ以上２００μｍ以下に設定されている。
【００３８】
図１に示されるように、部品内蔵配線基板１０において、セラミックコンデンサ１０１における外部電極１１１，１１２の突起状導体１５３は、樹脂充填部９３の表面に形成された導体層５０（配線層）を介してコア基板１１上の導体層４１に直接接続されている。また、セラミックコンデンサ１０１とコア基板１１との隙間を埋める樹脂充填部９３を覆うように導体層５０が形成されている。
【００３９】
コンデンサ主面１０２側にある外部電極１１１，１１２の突起状導体１５３は、導体層４１，４２，５０、ビア導体４３、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にある外部電極１２１，１２２の突起状導体１５３は、導体層４１，４２，５０、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して、図示しないマザーボードが有する電極に対して電気的に接続される。
【００４０】
例えば、マザーボード側から外部電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
【００４１】
次に、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１の製造方法について述べる。
【００４２】
先ず、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料のグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。
【００４３】
さらに、レーザ加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように外部電極１１１，１１２のメタライズ金属層１５１を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように外部電極１２１，１２２のメタライズ金属層１５１を形成する。
【００４４】
この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各メタライズ金属層１５１をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。次に、得られたセラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上において、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２となる各メタライズ金属層１５１に対して銅めっきを行い、各メタライズ金属層１５１の上に銅めっき層１５２（厚さ１５μｍ）を形成する。
【００４５】
さらに、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に、所定箇所に開口部（内径２００μｍ）を有するフォトレジスト材をラミネートする。これらの開口部は、露光及び現像によって形成されており、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の表面の一部を露出させている。そして、フォトレジスト材を介して外部電極１１１，１１２，１２１，１２２上に対する電解銅めっきを行った後、フォトレジスト材を除去する。その結果、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２上に、突起状導体１５３が形成され、セラミックコンデンサ１０１が完成する。
【００４６】
次に、本実施の形態の部品内蔵配線基板１０の製造方法について述べる。
【００４７】
まず、基材の両面に銅箔（厚さ５０μｍ程度）が貼付された銅張積層板を準備する。そして、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板の表裏面を貫通する貫通孔（図示略）を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、銅張積層板の貫通孔の内面に対する無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、貫通孔内にスルーホール導体１６を形成する。その後、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体１７を形成する。
【００４８】
次に、スルーホール導体１６を形成した銅張積層板に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０となる貫通穴を所定位置に形成し、コア基板１１の中間製品を得る（図５参照）。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
【００４９】
以上のようにして、収容穴部９０が貫通形成されたコア基板１１を準備するとともに、内蔵部品としてのセラミックコンデンサ１０１を準備する（準備工程）。
【００５０】
準備工程の後、図６に示されるように、樹脂材料としての熱硬化性エポキシ樹脂を主体とするシート状のビルドアップ材をコア基板１１のコア裏面１３側に接合することで絶縁層１６１（第２主面側絶縁層）を形成し、かつその絶縁層１６１によって収容穴部９０の一方の開口部を閉塞する（第２主面側絶縁層形成工程）。なおここでは、ビルドアップ材をある程度加熱してその表面に粘着力を有する状態としている。
【００５１】
その後、図７に示されるように、絶縁層１６１上にセラミックコンデンサ１０１を搭載することで収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収容する（収容工程）。本実施の形態では、外部電極１２１，１２２における突起状導体１５３の先端部を絶縁層１６１内に埋めるようにして絶縁層１６１上にセラミックコンデンサ１０１を搭載している。このように、突起状導体１５３の先端部を絶縁層１６１内に埋め込むことでセラミックコンデンサ１０１が確実に仮固定される。なおここでは、突起状導体１５３の先端部を絶縁層１６１に埋め込んでいたが、必ずしも突起状導体１５３を絶縁層１６１に埋め込む必要はない。例えば、突起状導体１５３の先端面を絶縁層１６１の表面に接触させその絶縁層１６１の粘着力によってセラミックコンデンサ１０１を仮固定してもよい。
【００５２】
次に、樹脂材料としての熱硬化性エポキシ樹脂を主体とするシート状のビルドアップ材をコア基板１１のコア主面１２側に接合し収容穴部９０の上方の開口を閉塞する絶縁層１６２を形成した後、真空圧着熱プレス機（図示しない）で真空下にて加圧加熱する。このとき、図８に示されるように、上下面の絶縁層１６１，１６２を流動させその一部（樹脂充填部９３）で収容穴部９０の内壁面９１とセラミックコンデンサ１０１の側面１０６との隙間９２を埋めてセラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定する（隙間埋め工程及び第１主面側絶縁層形成工程）。
【００５３】
その後、例えばベルトサンダー装置を用いて、コア基板１１のコア主面１２側の絶縁層１６２を研磨して、セラミックコンデンサ１０１の外部電極１１１，１１２の突起状導体１５３を露出させる（図９参照）。また同様に、コア基板１１のコア裏面１３側の絶縁層１６１を研磨して、セラミックコンデンサ１０１の外部電極１２１，１２２の突起状導体１５３を露出させる（両面研磨工程）。なおこのとき、コア基板１１のコア主面１２上及びコア裏面１３上において、絶縁層１６１，１６２を完全に除去するとともに、基板表面の銅箔１６３の一部を研磨することで、コア基板１１の銅箔１６３を露出させる。
【００５４】
両面研磨工程の後、収容穴部９０にセラミックコンデンサ１０１を埋め込んだコア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３の全面に無電解銅めっき及び電解銅めっきを施して全面めっき層１６５を形成する（図１０参照）。その後、図１１に示されるように、サブトラクティブ法でパターニングを行って導体層５０（配線層）を形成する（パターニング工程）。具体的には、コア基板１１（全面めっき層１６５）の表面上において、ドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、所定のパターンのエッチングレジストを形成する。この状態で、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３の全面めっき層１６５に対してエッチングによるパターニングを行う。この結果、コア基板１１のコア主面１２やコア裏面１３においてスルーホール導体１６等に接続される導体層４１を形成するとともに、樹脂充填部９３の表面においてセラミックコンデンサ１０１の突起状導体１５３（外部電極１１１，１１２，１２１，１２２）に接続される導体層５０（配線層）を形成する。
【００５５】
そして、従来周知の手法に基づいてコア主面１２の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。具体的には、コア基板１１のコア主面１２側及びコア裏面１３側において、エポキシ等の熱硬化性樹脂からなるシート状の樹脂層間絶縁層３３，３４を貼り付け、樹脂層間絶縁層３３，３４をある程度硬化（プレキュア）させる（図１２参照）。そして、例えばエキシマレーザやＵＶレーザやＣＯ２レーザなどを用いてレーザ加工を施すことによって樹脂層間絶縁層３３，３４の所定の位置にビア穴１６７を形成する（図１３参照）。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴１６７内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばＯ２プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。
【００５６】
デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴１６７内にビア導体４３を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂層間絶縁層３３，３４上に導体層４２をパターン形成する（図１４参照）。また、他の樹脂層間絶縁層３５，３６や各パッド４４，４８についても、上述した樹脂層間絶縁層３３，３４及び導体層４２と同様の手法によって形成し、樹脂層間絶縁層３３，３４上に積層する。
【００５７】
次に、樹脂層間絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。その後、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする（図１５参照）。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。なお、この状態のものは、部品内蔵配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である部品内蔵配線基板１０（図１参照）が多数個同時に得られる。
【００５８】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５９】
（１）本実施の形態では、収容工程において、後に配線基板１０の一部（樹脂充填部９３）として残る絶縁層１６１のビルドアップ材を用いて収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１が仮固定されている。このようにすると、従来技術のように粘着テープ２１１を使用してコンデンサ１０１を固定する必要がないため、製造コストを抑えることができる。また、両面研磨工程において、コア主面１２側の絶縁層１６２及びコア裏面１３側の絶縁層１６１が研磨され、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の突起状導体１５３が露出される。そして、パターニング工程において、導体層５０をパターン形成することでセラミックコンデンサ１０１の各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２に導体層５０の配線パターンを直接接続することができる。この場合、従来技術のようにビア導体２１７により各電極２０７，２０８に接続する場合と比較して、配線パターンの自由度が増しセラミックコンデンサ１０１への電気的接続を良好に行うことができるとともに、ビルドアップ層３１，３２における絶縁層の層数を減らすことが可能となる。さらに、従来技術のように片面のみ研磨する場合では、片面側の導体層の伸び等によってコア基板２０４に反りが発生することがあるが、本発明では、両面側が同様に研磨されるので、コア主面１２側及びコア裏面１３側における導体層（銅箔１６３）の伸びによるコア基板１１の反りを防止することができる。
【００６０】
（２）本実施の形態の隙間埋め工程では、コア主面１２側の絶縁層１６２を構成する樹脂材料の一部及びコア裏面１３側の絶縁層１６１を構成する樹脂材料の一部を流動させることによって、収容穴部９０の内壁面９１とセラミックコンデンサ１０１との隙間９２が埋められている。この場合、従来技術のようにコア主面２０１側のみの絶縁層２１２の樹脂材料を流動させる場合と比較して、隙間９２を確実に埋めることができる。
【００６１】
（３）本実施の形態の場合、セラミックコンデンサ１０１の複数の外部電極１１１，１１２，１２１，１２２は、導体層（メタライズ金属層１５１及び銅めっき層１５２）上に突起状導体１５３を形成してなる。このように、厚みを持った突起状導体１５３を各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２に設けると、収容穴部９０内においてセラミックコンデンサ１０１が厚み方向に位置ずれした場合でも、研磨工程で突起状導体１５３を削ることでその位置ずれを調整することができる。
【００６２】
（４）本実施の形態の収容工程では、コンデンサ裏面１０３側の複数の外部電極１２１，１２２の先端部をコア裏面１３側の絶縁層１６１に埋めるようにして絶縁層１６１上にセラミックコンデンサ１０１を搭載している。このようにすると、収容穴部９０内におけるセラミックコンデンサ１０１の位置ずれを確実に防止することができる。
【００６３】
（５）本実施の形態では、突起状導体１５３、突起状導体１５３上に形成される導体層５０及び導体層５０上に形成されるビア導体４３が、ともに銅からなる。この場合、セラミックコンデンサ１０１の各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２と各導体層４１，４２，５０との電気的接続を確実に行うことができる。
【００６４】
（６）本実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、樹脂充填部９３上であって隙間９２に対応する箇所を覆うような導体層５０が形成されている。このようにすると、部品内蔵配線基板１０において、隙間９２を埋める樹脂充填部９３は基板製造時に加わる熱によって膨張するが、樹脂充填部９３よりも硬い導体層５０によって樹脂充填部９３を押さえ込むことにより、配線基板１０の反りや基板表面の波うちを確実に抑えることができる。
【００６５】
（７）本実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、内蔵部品としてビアアレイタイプのセラミックコンデンサ１０１が収容穴部９０に収納されている。このセラミックコンデンサ１０１では、複数のビア導体１３１，１３２が全体としてアレイ状に配置されているので、セラミックコンデンサ１０１のインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。
【００６６】
（８）本実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００６７】
（９）本実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、上記ＩＣチップ搭載領域２３においては、第１ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
【００６８】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００６９】
・上記実施の形態では、隙間埋め工程及び第１主面側絶縁層形成工程を同一工程で行っていたが、これに限定されるものではない。例えば、収容工程の後、収容穴部９０の内壁面９１とセラミックコンデンサ１０１の側面１０６との隙間９２を充填樹脂材で埋める隙間埋め工程を先に行った後に、コア主面１２側に絶縁層１６２を形成して収容穴部９０の上方の開口を閉塞する第１主面側絶縁層形成工程を行うように変更してもよい。
【００７０】
・上記実施の形態のセラミックコンデンサ１０１では、円形状の外部電極１１１，１１２，１２１，１２２を備えるものであったが、その電極形状は、略矩形状などの他の形状に変更してもよい。また、コンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上において各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の周囲を囲むようにダミー電極を設けてもよい。
【００７１】
・上記実施の形態では、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２を構成する突起状導体１５３は円柱形状であったが、これに限定されるものではなく、三角柱形状、四角柱形状などの他の形状であってもよい。また、突起状導体１５３は、頂部の径と底部の径とが等しい柱形状であったが、頂部の径と底部の径とが異なる台形状導体としてもよい。
【００７２】
・上記実施の形態では、部品内蔵配線基板１０のパッケージ形態はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）であるが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１０…部品内蔵配線基板
１１…コア基板
１２…第１主面としてのコア主面
１３…第２主面としてのコア裏面
５０…配線層を構成する導体層
９０…収容穴部
９１…収容穴部の内壁面
９２…隙間
１０１…内蔵部品としてのセラミックコンデンサ
１０２…第１部品主面としてのコンデンサ主面
１０３…第２部品主面としてのコンデンサ裏面
１０５…誘電体層としてのセラミック誘電体層
１１１…第１表面電極としての主面側電源用外部電極
１１２…第１表面電極としての主面側グランド用外部電極
１２１…第２表面電極としての裏面側電源用外部電極
１２２…第２表面電極としての裏面側グランド用外部電極
１３１…コンデンサ内ビア導体としての電源用コンデンサ内ビア導体
１３２…コンデンサ内ビア導体としてのグランド用コンデンサ内ビア導体
１４１…内部電極としての電源用内部電極層
１４２…内部電極としてのグランド用内部電極層
１５１…導体層を構成するメタライズ金属層
１５２…導体層を構成する銅めっき層
１５３…突起状導体
１６１…第２主面側絶縁層としての絶縁層
１６２…第１主面側絶縁層としての絶縁層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板の収容穴部に内蔵部品を収容した部品内蔵配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。例えば、樹脂コア基板内にコンデンサを埋め込んだ部品内蔵配線基板（例えば特許文献１参照）が従来提案されている。
【０００３】
上記従来の部品内蔵配線基板の製造方法の一例を図１６及び図１７を用いて以下に説明する。まず、コア主面２０１及びコア裏面２０２の両方にて開口する収容穴部２０３を有する高分子材料製のコア基板２０４を準備する。併せて、コンデンサ主面２０５及びコンデンサ裏面２０６にそれぞれ複数の表面電極２０７，２０８を有するコンデンサ２０９を準備する。なお、このコンデンサ２０９におけるコンデンサ主面２０５側の表面電極２０７には突起状導体２１０が形成されている。次に、コア基板２０４において、コア裏面２０２側に粘着テープ２１１（マスキングテープ）を貼り付けるテーピング工程を行い、収容穴部２０３のコア裏面２０２側の開口をあらかじめシールする。そして、収容穴部２０３内にコンデンサ２０９を収容する収容工程を行い、コンデンサ裏面２０６を粘着テープ２１１の粘着面に貼り付けて仮固定する。
【０００４】
次に、コア主面２０１及びコンデンサ主面２０５に樹脂絶縁層２１２を形成する（図１６参照）。併せて、樹脂絶縁層２１２の一部により、収容穴部２０３の内壁面とコンデンサ２０９との隙間を埋めて、コンデンサ２０９を固定する。その後、粘着テープ２１１を剥離する。そして、樹脂絶縁層２１２を研磨して、コンデンサ２０９における表面電極２０７の突起状導体２１０の表面を露出させる。
【０００５】
次に、コア主面２０１及びコンデンサ主面２０５に樹脂絶縁層２１３を形成するとともに、コア裏面２０２及びコンデンサ裏面２０６に樹脂絶縁層２１４を形成する。さらに、レーザ孔あけ加工を行い、樹脂絶縁層２１３，２１４をそれぞれ貫通するビア孔２１６を複数箇所に形成し、表面電極２０７の突起状導体２１０や表面電極２０８を露出させる。そして、樹脂絶縁層２１３，２１４及びビア孔２１６の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂絶縁層２１３，２１４上に導体層２１５がパターン形成されるとともに、各ビア孔２１６の内部にビア導体２１７が形成される（図１７参照）。
【０００６】
この後、樹脂絶縁層２１３，２１４に対して、樹脂絶縁層の形成及び導体層の形成を交互に行うことで、ビルドアップ層を形成する。その結果、所望の配線基板が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−３０６１７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述した従来の製造方法では、収容穴部２０３内にコンデンサ２０９を仮固定するために粘着テープ２１１が必要となっている。この粘着テープ２１１は、コンデンサ２０９の固定後に不要となり、コア基板２０４から剥離されて廃棄されているため、無駄なコストとなっていた。また、コア基板２０４に内蔵されるコンデンサ２０９の各電極２０７，２０８と導体層２１５との電気的な接続は、樹脂絶縁層２１３，２１４に形成されるビア導体２１７を介して行われるため、配線パターンの自由度がなくなり、樹脂絶縁層２１３，２１４の総数が増加するといった問題も生じていた。さらに、コンデンサ２０９、コア基板２０４、及び埋め込み樹脂（樹脂絶縁層２１２）の熱膨張係数（ＣＴＥ）の違いによって、配線基板の反りや基板表面の波うちが発生するといった問題も生じていた。
【０００９】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、内蔵部品との接続信頼性に優れた配線基板を低コストで製造することができる部品内蔵配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の第１表面電極が配置された第１部品主面及び複数の第２表面電極が配置された第２部品主面を有する内蔵部品を準備するとともに、第１主面及び第２主面を有しかつ前記第１主面及び前記第２主面にて開口する収容穴部が貫設されたコア基板を準備する準備工程と、前記準備工程の後、樹脂材料を主体とするビルドアップ材を前記コア基板の前記第２主面側に接合することで、第２主面側絶縁層を形成しかつ前記収容穴部の一方の開口を閉塞する第２主面側絶縁層形成工程と、前記第２主面側絶縁層形成工程の後、前記第２主面側絶縁層上に前記内蔵部品を搭載することで前記収容穴部内に前記内蔵部品を収容する収容工程と、前記収容工程の後、充填樹脂材で前記収容穴部の内壁面と前記内蔵部品との隙間を埋める隙間埋め工程と、前記収容工程の後、前記ビルドアップ材を前記コア基板の前記第１主面側に接合することで、第１主面側絶縁層を形成しかつ前記収容穴部の他方の開口を閉塞する第１主面側絶縁層形成工程と、前記第１主面側絶縁層形成工程の後、前記第１主面側絶縁層を研磨して前記複数の第１表面電極を露出させ、かつ、前記第２主面側絶縁層を研磨して前記複数の第２表面電極を露出させる両面研磨工程と、前記両面研磨工程の後、前記第１主面側絶縁層及び前記第２主面側絶縁層の上に全面めっきを施した後にパターニングを行って配線層を形成するパターニング工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法がある。
【００１１】
従って、手段１に記載の発明によると、収容工程において、後に配線基板の一部として残る第２主面側絶縁層のビルドアップ材を用いて収容穴部内に内蔵部品が仮固定されている。このようにすると、従来技術のようにマスキングテープを使用して内蔵部品を固定する必要がないため、製造コストを抑えることができる。また、両面研磨工程において、第１主面側絶縁層及び第２主面側絶縁層が研磨され、第１表面電極及び第２表面電極が露出される。そして、パターニング工程において、配線層を形成することで内蔵部品の各電極に配線層を直接接続することができる。この場合、従来技術のようにビア導体によって各電極に接続する場合と比較して、配線パターンの自由度が増し内蔵部品への電気的接続を良好に行うことが可能となる。さらに、従来技術のように片面のみ研磨する場合では、片面側の導体層の伸び等によってコア基板に反りが発生することがあるが、本発明では、両面側が同様に研磨されるので、第１主面側及び第２主面側における導体層の伸びによる基板の反りを防止することができる。
【００１２】
隙間埋め工程では、第１主面側絶縁層を構成する樹脂材料の一部及び第２主面側絶縁層を構成する樹脂材料の一部を流動させることによって、収容穴部の内壁面と内蔵部品との隙間を埋めることが好ましい。このように、第１主面及び第２主面の両方の主面における絶縁層の樹脂材料を流動させる場合、片方の主面側のみの絶縁層の樹脂材料を流動させる場合と比較して、隙間を確実に埋めることができる。
【００１３】
内蔵部品における複数の第１表面電極及び複数の第２表面電極は、導体層上に突起状導体を形成してなることが好ましい。このように、厚みを持った突起状導体を各表面電極に設けると、収容穴部内において内蔵部品が厚み方向に位置ずれした場合でも、研磨工程で突起状導体を削ることでその位置ずれを調整することができる。
【００１４】
突起状導体を構成する金属材料は、例えば、銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。特に、突起状導体は、銅を主体として形成されていることが好ましい。このようにすれば、突起状導体を他の材料を主体として形成する場合よりも、突起状導体の低抵抗化が図られるとともに、突起状導体の導電性が向上する。しかも、突起状導体が比較的柔らかい銅を主体として形成されるため、突起状導体の研磨が容易になる。
【００１５】
突起状導体の形成方法としては、めっきによって突起状導体を形成する方法などが挙げられる。なお、突起状導体が銅を主体として形成される場合、突起状導体は、銅めっきによって形成されていることが好ましい。このようにすれば、突起状導体を例えば導電性ペーストなどによって形成する場合に比べて、突起状導体の導電性が向上する。また、突起状導体の他の形成方法としては、金属ペーストを印刷して突起状導体を形成する方法や、金属箔を貼付する工程のみを行って突起状導体を形成する方法や、突起状導体よりも大きい金属箔を貼付した後、金属箔に対するエッチングを行って突起状導体を形成する方法などが挙げられる。
【００１６】
収容工程では、複数の第２表面電極の少なくとも一部を第２主面側絶縁層に埋めるようにして第２主面側絶縁層上に内蔵部品を搭載してもよい。このようにすると、収容穴部内における内蔵部品の位置ずれを確実に防止することができる。
【００１７】
突起状導体、パターニング工程を経て突起状導体上に形成される導体層及び導体層上に形成されるビア導体が、ともに銅からなることが好ましい。このようにすると、内蔵部品の各表面電極と配線基板側の導体層との電気的接続を確実に行うことができる。
【００１８】
パターニング工程では、第１主面側絶縁層及び第２主面側絶縁層の上であって隙間に対応する箇所を覆うような導体層を形成することが好ましい。このようにすると、隙間を埋める樹脂材料は基板製造時に加わる熱によって膨張するが、樹脂材料よりも硬い導体層によって樹脂材料を押さえ込むことにより、配線基板の反りを確実に抑えることができる。
【００１９】
内蔵部品としては、チップコンデンサやセラミックコンデンサを挙げることができる。また、好適なセラミックコンデンサとしては、誘電体層と、誘電体層を介して積層配置された複数の内部電極と、複数の内部電極に接続されるとともに両端部に複数の第１表面電極及び複数の第２表面電極が接続された複数のコンデンサ内ビア導体とを備え、複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサを挙げることができる。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電圧安定化が可能となる。
【００２０】
セラミックコンデンサの誘電体層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。この場合、用途に応じて、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体を使用することも好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなコンデンサを実現しやすくなる。
【００２１】
セラミックコンデンサの内部電極及びコンデンサ内ビア導体としては特に限定されないが、例えばメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。
【００２２】
コア基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。
【００２３】
絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。絶縁層の形成材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明を具体化した一実施の形態の部品内蔵配線基板を示す概略断面図。
【図２】セラミックコンデンサを示す概略断面図。
【図３】セラミックコンデンサを示す上面図。
【図４】セラミックコンデンサの外部電極を示す拡大断面図。
【図５】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１１】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１２】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１３】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１４】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１５】部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１６】従来技術における部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１７】従来技術における部品内蔵配線基板の製造方法を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を部品内蔵配線基板に具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２６】
図１に示されるように、本実施の形態の部品内蔵配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。部品内蔵配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２（第１主面）上に形成される第１ビルドアップ層３１と、コア基板１１のコア裏面１３（第２主面）上に形成される第２ビルドアップ層３２とからなる。
【００２７】
コア基板１１のコア主面１２上に形成された第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。
【００２８】
なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５が形成される領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。また、樹脂層間絶縁層３３，３５内における複数箇所にはビア導体４３が形成されている。ビア導体４３は、導体層４２や端子パッド４４に電気的に接続している。
【００２９】
コア基板１１のコア裏面１３上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第１層の樹脂層間絶縁層３４内における複数箇所にはビア導体４３が形成されており、各ビア導体４３の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３４の表面上に形成された導体層４２に接続されている。第２層の樹脂層間絶縁層３６内における複数箇所にもビア導体４３が形成されており、樹脂層間絶縁層３６の下面上において各ビア導体４３の下端となる箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードに対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００３０】
本実施の形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．９ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、例えば補強材としてのガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させてなる樹脂絶縁材（ガラスエポキシ材）にて構成されている。コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２及びコア裏面１３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。また、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。さらに、コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。なお、収容穴部９０は、四隅に面取り寸法０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の面取り部を有している。
【００３１】
そして、収容穴部９０内には、図２，図３に示すセラミックコンデンサ１０１（内蔵部品）が、埋め込まれた状態で収容されている。本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、１つのコンデンサ主面１０２（第１部品主面）、１つのコンデンサ裏面１０３（第２部品主面）、及び、４つのコンデンサ側面１０６を有する板状物であり、例えば縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．９ｍｍのサイズを有している。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２をコア主面１２と同じ側に向け、かつ、コンデンサ裏面１０３をコア裏面１３と同じ側に向けた状態で収容されている。セラミックコンデンサ１０１は、コア基板１１において前記ＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２内に位置している。
【００３２】
図１に示されるように、収容穴部９０の内壁面９１とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間９２は、高分子材料（本実施の形態ではエポキシ等の熱硬化性樹脂）からなる樹脂充填部９３によって埋められている。この樹脂充填部９３は、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定する機能を有している。また、樹脂充填部９３は、セラミックコンデンサ１０１との熱膨張差を緩和するために、シリカ等のセラミック粉が添加されていてもよい。また、放熱性を向上させるために、Ｃｕ等の金属粉が添加されてもよい。なお、セラミックコンデンサ１０１は、平面視略正方形状をなしており、四隅に面取り寸法０．５５ｍｍ以上（本実施の形態では面取り寸法０．６ｍｍ）の面取り部を有している。これにより、セラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵するときや、温度変化に伴う樹脂充填部９３の変形時において、セラミックコンデンサ１０１の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂充填部９３のクラックの発生を防止できる。
【００３３】
図１〜図３に示されるように、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのセラミックコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１（内部電極）とグランド用内部電極層１４２（内部電極）とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。
【００３４】
図１，図２に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体１０４の全面にわたってアレイ状に配置されている。各ビアホール１３０内には、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。なお本実施の形態において、ビアホール１３０の直径は約１００μｍに設定されているため、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径も約１００μｍに設定されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。
【００３５】
そして図２，図３に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、第１表面電極として複数の主面側電源用外部電極１１１と複数の主面側グランド用外部電極１１２とが設けられている。各外部電極１１１，１１２は、コンデンサ主面１０２に垂直な方向（部品厚さ方向）から見たときの形状が略円形状であり、３００μｍの直径を有している（図３参照）。主面側電源用外部電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用外部電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。
【００３６】
また、図２に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、第２表面電極として複数の裏面側電源用外部電極１２１と複数の裏面側グランド用外部電極１２２とが設けられている。各外部電極１２１，１２２は、コンデンサ裏面１０３に垂直な方向から見たときの形状が略円形状であり、３００μｍの直径を有している。裏面側電源用外部電極１２１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用外部電極１２２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用外部電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用外部電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。
【００３７】
図４に示されるように、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２は、ニッケルを主体として構成されたメタライズ金属層１５１及びその金属層１５１を覆うように設けられた銅めっき層１５２（導体層）と、銅めっき層１５２上に突設された突起状導体１５３とにより構成されている。各突起状導体１５３は、銅めっきによって形成された円柱状導体（銅ポスト）である。各突起状導体１５３の直径は、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の直径（約３００μｍ）よりも小さく、かつ、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径（約１００μｍ）よりも大きく設定されており、本実施の形態では約２００μｍに設定されている。また、突起状導体１５３の高さは、５０μｍ以上２００μｍ以下に設定されている。
【００３８】
図１に示されるように、部品内蔵配線基板１０において、セラミックコンデンサ１０１における外部電極１１１，１１２の突起状導体１５３は、樹脂充填部９３の表面に形成された導体層５０（配線層）を介してコア基板１１上の導体層４１に直接接続されている。また、セラミックコンデンサ１０１とコア基板１１との隙間を埋める樹脂充填部９３を覆うように導体層５０が形成されている。
【００３９】
コンデンサ主面１０２側にある外部電極１１１，１１２の突起状導体１５３は、導体層４１，４２，５０、ビア導体４３、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にある外部電極１２１，１２２の突起状導体１５３は、導体層４１，４２，５０、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して、図示しないマザーボードが有する電極に対して電気的に接続される。
【００４０】
例えば、マザーボード側から外部電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
【００４１】
次に、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１の製造方法について述べる。
【００４２】
先ず、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料のグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。
【００４３】
さらに、レーザ加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように外部電極１１１，１１２のメタライズ金属層１５１を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように外部電極１２１，１２２のメタライズ金属層１５１を形成する。
【００４４】
この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各メタライズ金属層１５１をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。次に、得られたセラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上において、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２となる各メタライズ金属層１５１に対して銅めっきを行い、各メタライズ金属層１５１の上に銅めっき層１５２（厚さ１５μｍ）を形成する。
【００４５】
さらに、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に、所定箇所に開口部（内径２００μｍ）を有するフォトレジスト材をラミネートする。これらの開口部は、露光及び現像によって形成されており、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の表面の一部を露出させている。そして、フォトレジスト材を介して外部電極１１１，１１２，１２１，１２２上に対する電解銅めっきを行った後、フォトレジスト材を除去する。その結果、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２上に、突起状導体１５３が形成され、セラミックコンデンサ１０１が完成する。
【００４６】
次に、本実施の形態の部品内蔵配線基板１０の製造方法について述べる。
【００４７】
まず、基材の両面に銅箔（厚さ５０μｍ程度）が貼付された銅張積層板を準備する。そして、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板の表裏面を貫通する貫通孔（図示略）を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、銅張積層板の貫通孔の内面に対する無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、貫通孔内にスルーホール導体１６を形成する。その後、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体１７を形成する。
【００４８】
次に、スルーホール導体１６を形成した銅張積層板に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０となる貫通穴を所定位置に形成し、コア基板１１の中間製品を得る（図５参照）。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
【００４９】
以上のようにして、収容穴部９０が貫通形成されたコア基板１１を準備するとともに、内蔵部品としてのセラミックコンデンサ１０１を準備する（準備工程）。
【００５０】
準備工程の後、図６に示されるように、樹脂材料としての熱硬化性エポキシ樹脂を主体とするシート状のビルドアップ材をコア基板１１のコア裏面１３側に接合することで絶縁層１６１（第２主面側絶縁層）を形成し、かつその絶縁層１６１によって収容穴部９０の一方の開口部を閉塞する（第２主面側絶縁層形成工程）。なおここでは、ビルドアップ材をある程度加熱してその表面に粘着力を有する状態としている。
【００５１】
その後、図７に示されるように、絶縁層１６１上にセラミックコンデンサ１０１を搭載することで収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収容する（収容工程）。本実施の形態では、外部電極１２１，１２２における突起状導体１５３の先端部を絶縁層１６１内に埋めるようにして絶縁層１６１上にセラミックコンデンサ１０１を搭載している。このように、突起状導体１５３の先端部を絶縁層１６１内に埋め込むことでセラミックコンデンサ１０１が確実に仮固定される。なおここでは、突起状導体１５３の先端部を絶縁層１６１に埋め込んでいたが、必ずしも突起状導体１５３を絶縁層１６１に埋め込む必要はない。例えば、突起状導体１５３の先端面を絶縁層１６１の表面に接触させその絶縁層１６１の粘着力によってセラミックコンデンサ１０１を仮固定してもよい。
【００５２】
次に、樹脂材料としての熱硬化性エポキシ樹脂を主体とするシート状のビルドアップ材をコア基板１１のコア主面１２側に接合し収容穴部９０の上方の開口を閉塞する絶縁層１６２を形成した後、真空圧着熱プレス機（図示しない）で真空下にて加圧加熱する。このとき、図８に示されるように、上下面の絶縁層１６１，１６２を流動させその一部（樹脂充填部９３）で収容穴部９０の内壁面９１とセラミックコンデンサ１０１の側面１０６との隙間９２を埋めてセラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定する（隙間埋め工程及び第１主面側絶縁層形成工程）。
【００５３】
その後、例えばベルトサンダー装置を用いて、コア基板１１のコア主面１２側の絶縁層１６２を研磨して、セラミックコンデンサ１０１の外部電極１１１，１１２の突起状導体１５３を露出させる（図９参照）。また同様に、コア基板１１のコア裏面１３側の絶縁層１６１を研磨して、セラミックコンデンサ１０１の外部電極１２１，１２２の突起状導体１５３を露出させる（両面研磨工程）。なおこのとき、コア基板１１のコア主面１２上及びコア裏面１３上において、絶縁層１６１，１６２を完全に除去するとともに、基板表面の銅箔１６３の一部を研磨することで、コア基板１１の銅箔１６３を露出させる。
【００５４】
両面研磨工程の後、収容穴部９０にセラミックコンデンサ１０１を埋め込んだコア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３の全面に無電解銅めっき及び電解銅めっきを施して全面めっき層１６５を形成する（図１０参照）。その後、図１１に示されるように、サブトラクティブ法でパターニングを行って導体層５０（配線層）を形成する（パターニング工程）。具体的には、コア基板１１（全面めっき層１６５）の表面上において、ドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、所定のパターンのエッチングレジストを形成する。この状態で、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３の全面めっき層１６５に対してエッチングによるパターニングを行う。この結果、コア基板１１のコア主面１２やコア裏面１３においてスルーホール導体１６等に接続される導体層４１を形成するとともに、樹脂充填部９３の表面においてセラミックコンデンサ１０１の突起状導体１５３（外部電極１１１，１１２，１２１，１２２）に接続される導体層５０（配線層）を形成する。
【００５５】
そして、従来周知の手法に基づいてコア主面１２の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。具体的には、コア基板１１のコア主面１２側及びコア裏面１３側において、エポキシ等の熱硬化性樹脂からなるシート状の樹脂層間絶縁層３３，３４を貼り付け、樹脂層間絶縁層３３，３４をある程度硬化（プレキュア）させる（図１２参照）。そして、例えばエキシマレーザやＵＶレーザやＣＯ２レーザなどを用いてレーザ加工を施すことによって樹脂層間絶縁層３３，３４の所定の位置にビア穴１６７を形成する（図１３参照）。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴１６７内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばＯ２プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。
【００５６】
デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴１６７内にビア導体４３を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂層間絶縁層３３，３４上に導体層４２をパターン形成する（図１４参照）。また、他の樹脂層間絶縁層３５，３６や各パッド４４，４８についても、上述した樹脂層間絶縁層３３，３４及び導体層４２と同様の手法によって形成し、樹脂層間絶縁層３３，３４上に積層する。
【００５７】
次に、樹脂層間絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。その後、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする（図１５参照）。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。なお、この状態のものは、部品内蔵配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である部品内蔵配線基板１０（図１参照）が多数個同時に得られる。
【００５８】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５９】
（１）本実施の形態では、収容工程において、後に配線基板１０の一部（樹脂充填部９３）として残る絶縁層１６１のビルドアップ材を用いて収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１が仮固定されている。このようにすると、従来技術のように粘着テープ２１１を使用してコンデンサ１０１を固定する必要がないため、製造コストを抑えることができる。また、両面研磨工程において、コア主面１２側の絶縁層１６２及びコア裏面１３側の絶縁層１６１が研磨され、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の突起状導体１５３が露出される。そして、パターニング工程において、導体層５０をパターン形成することでセラミックコンデンサ１０１の各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２に導体層５０の配線パターンを直接接続することができる。この場合、従来技術のようにビア導体２１７により各電極２０７，２０８に接続する場合と比較して、配線パターンの自由度が増しセラミックコンデンサ１０１への電気的接続を良好に行うことができるとともに、ビルドアップ層３１，３２における絶縁層の層数を減らすことが可能となる。さらに、従来技術のように片面のみ研磨する場合では、片面側の導体層の伸び等によってコア基板２０４に反りが発生することがあるが、本発明では、両面側が同様に研磨されるので、コア主面１２側及びコア裏面１３側における導体層（銅箔１６３）の伸びによるコア基板１１の反りを防止することができる。
【００６０】
（２）本実施の形態の隙間埋め工程では、コア主面１２側の絶縁層１６２を構成する樹脂材料の一部及びコア裏面１３側の絶縁層１６１を構成する樹脂材料の一部を流動させることによって、収容穴部９０の内壁面９１とセラミックコンデンサ１０１との隙間９２が埋められている。この場合、従来技術のようにコア主面２０１側のみの絶縁層２１２の樹脂材料を流動させる場合と比較して、隙間９２を確実に埋めることができる。
【００６１】
（３）本実施の形態の場合、セラミックコンデンサ１０１の複数の外部電極１１１，１１２，１２１，１２２は、導体層（メタライズ金属層１５１及び銅めっき層１５２）上に突起状導体１５３を形成してなる。このように、厚みを持った突起状導体１５３を各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２に設けると、収容穴部９０内においてセラミックコンデンサ１０１が厚み方向に位置ずれした場合でも、研磨工程で突起状導体１５３を削ることでその位置ずれを調整することができる。
【００６２】
（４）本実施の形態の収容工程では、コンデンサ裏面１０３側の複数の外部電極１２１，１２２の先端部をコア裏面１３側の絶縁層１６１に埋めるようにして絶縁層１６１上にセラミックコンデンサ１０１を搭載している。このようにすると、収容穴部９０内におけるセラミックコンデンサ１０１の位置ずれを確実に防止することができる。
【００６３】
（５）本実施の形態では、突起状導体１５３、突起状導体１５３上に形成される導体層５０及び導体層５０上に形成されるビア導体４３が、ともに銅からなる。この場合、セラミックコンデンサ１０１の各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２と各導体層４１，４２，５０との電気的接続を確実に行うことができる。
【００６４】
（６）本実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、樹脂充填部９３上であって隙間９２に対応する箇所を覆うような導体層５０が形成されている。このようにすると、部品内蔵配線基板１０において、隙間９２を埋める樹脂充填部９３は基板製造時に加わる熱によって膨張するが、樹脂充填部９３よりも硬い導体層５０によって樹脂充填部９３を押さえ込むことにより、配線基板１０の反りや基板表面の波うちを確実に抑えることができる。
【００６５】
（７）本実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、内蔵部品としてビアアレイタイプのセラミックコンデンサ１０１が収容穴部９０に収納されている。このセラミックコンデンサ１０１では、複数のビア導体１３１，１３２が全体としてアレイ状に配置されているので、セラミックコンデンサ１０１のインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。
【００６６】
（８）本実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００６７】
（９）本実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、上記ＩＣチップ搭載領域２３においては、第１ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
【００６８】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００６９】
・上記実施の形態では、隙間埋め工程及び第１主面側絶縁層形成工程を同一工程で行っていたが、これに限定されるものではない。例えば、収容工程の後、収容穴部９０の内壁面９１とセラミックコンデンサ１０１の側面１０６との隙間９２を充填樹脂材で埋める隙間埋め工程を先に行った後に、コア主面１２側に絶縁層１６２を形成して収容穴部９０の上方の開口を閉塞する第１主面側絶縁層形成工程を行うように変更してもよい。
【００７０】
・上記実施の形態のセラミックコンデンサ１０１では、円形状の外部電極１１１，１１２，１２１，１２２を備えるものであったが、その電極形状は、略矩形状などの他の形状に変更してもよい。また、コンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上において各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の周囲を囲むようにダミー電極を設けてもよい。
【００７１】
・上記実施の形態では、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２を構成する突起状導体１５３は円柱形状であったが、これに限定されるものではなく、三角柱形状、四角柱形状などの他の形状であってもよい。また、突起状導体１５３は、頂部の径と底部の径とが等しい柱形状であったが、頂部の径と底部の径とが異なる台形状導体としてもよい。
【００７２】
・上記実施の形態では、部品内蔵配線基板１０のパッケージ形態はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）であるが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１０…部品内蔵配線基板
１１…コア基板
１２…第１主面としてのコア主面
１３…第２主面としてのコア裏面
５０…配線層を構成する導体層
９０…収容穴部
９１…収容穴部の内壁面
９２…隙間
１０１…内蔵部品としてのセラミックコンデンサ
１０２…第１部品主面としてのコンデンサ主面
１０３…第２部品主面としてのコンデンサ裏面
１０５…誘電体層としてのセラミック誘電体層
１１１…第１表面電極としての主面側電源用外部電極
１１２…第１表面電極としての主面側グランド用外部電極
１２１…第２表面電極としての裏面側電源用外部電極
１２２…第２表面電極としての裏面側グランド用外部電極
１３１…コンデンサ内ビア導体としての電源用コンデンサ内ビア導体
１３２…コンデンサ内ビア導体としてのグランド用コンデンサ内ビア導体
１４１…内部電極としての電源用内部電極層
１４２…内部電極としてのグランド用内部電極層
１５１…導体層を構成するメタライズ金属層
１５２…導体層を構成する銅めっき層
１５３…突起状導体
１６１…第２主面側絶縁層としての絶縁層
１６２…第１主面側絶縁層としての絶縁層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１表面電極が配置された第１部品主面及び複数の第２表面電極が配置された第２部品主面を有する内蔵部品を準備するとともに、第１主面及び第２主面を有しかつ前記第１主面及び前記第２主面にて開口する収容穴部が貫設されたコア基板を準備する準備工程と、
前記準備工程の後、樹脂材料を主体とするビルドアップ材を前記コア基板の前記第２主面側に接合することで、第２主面側絶縁層を形成しかつ前記収容穴部の一方の開口を閉塞する第２主面側絶縁層形成工程と、
前記第２主面側絶縁層形成工程の後、前記第２主面側絶縁層上に前記内蔵部品を搭載することで前記収容穴部内に前記内蔵部品を収容する収容工程と、
前記収容工程の後、充填樹脂材で前記収容穴部の内壁面と前記内蔵部品との隙間を埋める隙間埋め工程と、
前記収容工程の後、前記ビルドアップ材を前記コア基板の前記第１主面側に接合することで、第１主面側絶縁層を形成しかつ前記収容穴部の他方の開口を閉塞する第１主面側絶縁層形成工程と、
前記第１主面側絶縁層形成工程の後、前記第１主面側絶縁層を研磨して前記複数の第１表面電極を露出させ、かつ、前記第２主面側絶縁層を研磨して前記複数の第２表面電極を露出させる両面研磨工程と、
前記両面研磨工程の後、前記第１主面側絶縁層及び前記第２主面側絶縁層の上に全面めっきを施した後にパターニングを行って配線層を形成するパターニング工程と
を含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記隙間埋め工程では、前記第１主面側絶縁層を構成する樹脂材料の一部及び前記第２主面側絶縁層を構成する樹脂材料の一部を流動させることによって、前記隙間を埋めることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記内蔵部品における前記複数の第１表面電極及び前記複数の第２表面電極は、導体層上に突起状導体を形成してなることを特徴とする請求項１または２に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記収容工程では、前記複数の第２表面電極の少なくとも一部を前記第２主面側絶縁層に埋めるようにして前記第２主面側絶縁層上に前記内蔵部品を搭載することを特徴とする請求項３に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記突起状導体、前記パターニング工程を経て前記突起状導体上に形成される導体層及び前記導体層上に形成されるビア導体が、ともに銅からなることを特徴とする請求項３または４に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記パターニング工程では、前記第１主面側絶縁層及び前記第２主面側絶縁層の上であって前記隙間に対応する箇所を覆うような導体層を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記内蔵部品は、
誘電体層と、
前記誘電体層を介して積層配置された複数の内部電極と、
前記複数の内部電極に接続されるとともに両端部に前記複数の第１表面電極及び前記複数の第２表面電極が接続された複数のコンデンサ内ビア導体と
を備え、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項１】
複数の第１表面電極が配置された第１部品主面及び複数の第２表面電極が配置された第２部品主面を有する内蔵部品を準備するとともに、第１主面及び第２主面を有しかつ前記第１主面及び前記第２主面にて開口する収容穴部が貫設されたコア基板を準備する準備工程と、
前記準備工程の後、樹脂材料を主体とするビルドアップ材を前記コア基板の前記第２主面側に接合することで、第２主面側絶縁層を形成しかつ前記収容穴部の一方の開口を閉塞する第２主面側絶縁層形成工程と、
前記第２主面側絶縁層形成工程の後、前記第２主面側絶縁層上に前記内蔵部品を搭載することで前記収容穴部内に前記内蔵部品を収容する収容工程と、
前記収容工程の後、充填樹脂材で前記収容穴部の内壁面と前記内蔵部品との隙間を埋める隙間埋め工程と、
前記収容工程の後、前記ビルドアップ材を前記コア基板の前記第１主面側に接合することで、第１主面側絶縁層を形成しかつ前記収容穴部の他方の開口を閉塞する第１主面側絶縁層形成工程と、
前記第１主面側絶縁層形成工程の後、前記第１主面側絶縁層を研磨して前記複数の第１表面電極を露出させ、かつ、前記第２主面側絶縁層を研磨して前記複数の第２表面電極を露出させる両面研磨工程と、
前記両面研磨工程の後、前記第１主面側絶縁層及び前記第２主面側絶縁層の上に全面めっきを施した後にパターニングを行って配線層を形成するパターニング工程と
を含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記隙間埋め工程では、前記第１主面側絶縁層を構成する樹脂材料の一部及び前記第２主面側絶縁層を構成する樹脂材料の一部を流動させることによって、前記隙間を埋めることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記内蔵部品における前記複数の第１表面電極及び前記複数の第２表面電極は、導体層上に突起状導体を形成してなることを特徴とする請求項１または２に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記収容工程では、前記複数の第２表面電極の少なくとも一部を前記第２主面側絶縁層に埋めるようにして前記第２主面側絶縁層上に前記内蔵部品を搭載することを特徴とする請求項３に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記突起状導体、前記パターニング工程を経て前記突起状導体上に形成される導体層及び前記導体層上に形成されるビア導体が、ともに銅からなることを特徴とする請求項３または４に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記パターニング工程では、前記第１主面側絶縁層及び前記第２主面側絶縁層の上であって前記隙間に対応する箇所を覆うような導体層を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記内蔵部品は、
誘電体層と、
前記誘電体層を介して積層配置された複数の内部電極と、
前記複数の内部電極に接続されるとともに両端部に前記複数の第１表面電極及び前記複数の第２表面電極が接続された複数のコンデンサ内ビア導体と
を備え、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１２−１５１１５４（Ｐ２０１２−１５１１５４Ａ）
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６４９８（Ｐ２０１１−６４９８）
【出願日】平成２３年１月１４日（２０１１．１．１４）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月１４日（２０１１．１．１４）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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