配線基板及びその製造方法並びに配線基板を用いた電子部品の製造方法及びその装置
【課題】軽薄短小な配線基板及びその製造方法並びに配線基板を用いた電子部品の製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】絶縁性フィルム１０１に導体配線（ダイパッド１０５、配線パターン１０４）を積層した配線基板において、前記絶縁性フィルム１０１を厚さ４０μｍ以下の樹脂フィルムから構成する。前記絶縁性フィルム１０１の外部配線の配線部には、前記絶縁性フィルム１０１を厚み方向に貫通する開口１２４を設け、前記絶縁性フィルム１０１の反対側には、剥離可能な接着剤を介して補強フィルム１２２を積層する。
【解決手段】絶縁性フィルム１０１に導体配線（ダイパッド１０５、配線パターン１０４）を積層した配線基板において、前記絶縁性フィルム１０１を厚さ４０μｍ以下の樹脂フィルムから構成する。前記絶縁性フィルム１０１の外部配線の配線部には、前記絶縁性フィルム１０１を厚み方向に貫通する開口１２４を設け、前記絶縁性フィルム１０１の反対側には、剥離可能な接着剤を介して補強フィルム１２２を積層する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法、配線基板に電子部品を実装した電子装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図９は配線基板に電子部品を搭載した従来の電子装置の断面図、図１０は図９の平面図である。
図示されるように、電子装置1は、配線基板２と電子部品３とで構成されていて、配線基板２の下面のはんだボール４を介してプリント基板等の回線基板（図示せず）に接続する構造となっている。
配線基板２の配線パターン５とダイパッド６とは、絶縁性フィルム７の上面に接着剤層８を介して積層されており、複数の配線パターン５の一端部５ａと電子部品３の端子１０とは、ボンディングワイヤ１１を介して導通している。
ベースフィルムを構成する絶縁性フィルム７と接着剤層８には、厚み方向に貫通する開口によりビアホール１２が形成されている。このビアホール１２は、絶縁性フィルム７側開口１２ａが配線パターン５の他端部５ｂの下面により被蔽されていて、絶縁性フィルム７側と反対側からはんだボール４の接合部を内部へと案内し、配線パターン５の他端部５ｂの下面にはんだ付けする構造となっている。
また、前記配線パターン５、ダイパッド６、電子部品３、ボンディングワイヤ１１は、封止樹脂によってモールド成形された外殻１３に封止されている。
このように、従来の電子装置１は、封止樹脂からなる外殻１３により保護されており、ボンディングワイヤ１１、配線パターン５、はんだボール４を介して電子部品３の端子１０を外部に引き出す構造となっていて、薄い絶縁性フィルム７を用いることによって、配線基板２の薄肉化と軽量化とを実現するようになっている。
【０００３】
また、図１１に示すように、前記配線基板２において、ビアホール１２内に金属めっき層１４を充填し、金属めっき層１４に前記はんだボールを接続する際に、開口の半径をＲ、はんだボール等の球形の外部接続端子の半径をｒ、開口の深さをＤ、金属めっきの厚みをＴとして、Ｔ≧Ｄ−[ｒ−（ｒ2−Ｒ2）1／2]の関係式を満足するように金属めっきの厚みＴを定めると、はんだボール４に対する金属めっき層の厚みが定まり、結果として、ビアホール１２の底が浅くなるので、はんだボール４等の球形の外部接続端子の接続、あるいははんだペースト印刷・リフローにおけるはんだ接合の信頼性が向上することが知られている（特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−０４１３５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、前記配線基板を製造する場合、製造工程は、テープを製造するテープ製造工程と、テープ製造工程で製造したテープに電子部品を実装するパッケージ工程とに分かれており、テープ製造工程では、絶縁性フィルムからなる樹脂テープと、配線パターンやダイパッドを形成するための導体配線となる銅薄膜テープとを互いに対向させてそれぞれ一方のリールから他方のリールに巻き取りながら接着剤で貼り合せ、この後、銅薄膜にケミカルエッチングを施して配線パターンとダイパッドとを形成しているが、樹脂テープと銅薄膜テープとの貼り合わせの工程や銅薄膜のケミカルエッチングの工程では、樹脂テープと銅薄膜テープの巻き取りの際に、樹脂テープや銅薄膜テープに伸びが生じて弛みやずれが発生することがある。このような場合、これらのテープに皺や折り曲げ部が発生してしまい、製造不良となってしまうので、巻き取り張力に対応した厚みの樹脂テープや銅薄膜テープを選定せざるを得ない。従って、従来は、絶縁性フィルムの材料に厚み５０〜１００μｍのポリイミドテープを、銅薄膜の材料に厚み１２〜３５μｍの銅薄膜テープを選定し、ポリイミドテープに厚み１０〜２０μｍのエポキシ系の接着剤を積層した後、接着剤により、相互を重ねて接合しているが、配線基板の厚みは、ポリイミドフィルム、接着剤、銅薄膜の厚みを合わせた７２〜１５５μｍと厚くなってしまう。
【０００６】
また、ベースフィルムが７２〜１５５μｍと厚くなってしまうと、ビアホールも深くなってしまい、一般的な硫酸銅めっき浴により、適正電流密度２〜５A／ｄｍ2で金属めっき層を形成する場合では、めっきの所要時間が単純計算で５０〜１４０分となってしまい、配線基板の生産性が低下してしまう。
【０００７】
このように、配線基板をテープから製造する場合、電子部品の実装に支障がない薄さのテープであっても、搬送やハンドリングの際の機械的強度が不足してしまい、テープに伸びが生じたり挙動が不安定となってしまうことがあり、厚いテープを使用せざるを得ない実情にある。
【０００８】
そこで、本発明は、配線基板の薄型化を実現するために上記課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１記載の発明は、絶縁性フィルムに接着剤層を積層すると共にその反対側面に補強フィルムを剥離可能に積層した複合テープの外部配線の配線部に対して厚み方向に貫通する開口を形成する工程と、金属薄膜を前記複合テープに前記接着剤層を介して積層する工程と、前記開口内に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むものである。ここで、絶縁性フィルムは配線基板の薄肉化を達成できる厚みとなっており、補強フィルムは、絶縁性フィルムの機械的強度を搬送やハンドリングに支障のないように補強できる機械的強度を有している。このため、搬送やハンドリングに対する絶縁性フィルムの機械的強度不足が解消され、配線基板の薄肉化が可能となる。複合テープの外部配線の配線部に開口を形成し、樹脂テープの接着剤層に金属薄膜を重ねて貼り付けると、開口がビアホールとなり、外部接続端子や回線基板の接続端子のはんだ付けが可能となる。
【００１０】
請求項２記載の発明は、金属薄膜に樹脂のキャスティングにより絶縁性フィルムを積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して前記絶縁性フィルムに補強フィルムを積層した複合テープの外部配線接続部に対して前記補強フィルム側からレーザを照射することにより前記補強フィルム及び前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成する工程と、前記開口に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むものである。
【００１１】
請求項３記載の発明は、絶縁性フィルムに金属めっきにより導体配線となる金属薄膜を積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して金属薄膜と反対側面に補強フィルムを積層した複合基材の外部配線接続部に対して補強フィルム側からレーザを照射することにより補強フィルム及び絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成する工程と、前記開口に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合基材から前記補強フィルムを剥離する工程とを含むものである。
【００１２】
請求項４記載の発明は、絶縁性フィルムに接着剤層を積層すると共にその反対側面に補強フィルムを剥離可能に積層した複合テープの外部配線の配線部に対して厚み方向に貫通する開口を形成する工程と、金属を素材としたキャリア層に剥離可能層を介して金属薄膜を積層した複合金属テープの金属薄膜を前記複合テープの接着剤層に対向させてラミネートした後、前記複合金属テープから前記キャリア層を剥離する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むものである。
【００１３】
請求項５記載の発明は、金属を素材としたキャリア層に剥離可能層を介して金属薄膜を積層した後、樹脂のキャスティングにより前記金属薄膜に絶縁性フィルムを積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して前記絶縁性フィルムに補強フィルムを積層して複合テープを形成する工程と、前記複合テープの外部配線接続部に前記補強フィルム側からレーザを照射して前記補強フィルム及び前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成した後、前記キャリア層を剥離する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とする工程とを含むものである。
【００１４】
請求項６記載の発明は、請求項１〜５いずれかに記載の発明において、前記絶縁性フィルムの厚みを４０μｍ以下とし、前記補強フィルムの厚みを５０μm以上としたものである。
このように前記絶縁性フィルムの厚みを４０μｍ以下とし、前記補強フィルムの厚みを５０μｍ以上とすると、配線基板が薄肉化され、軽量化される。この場合前記絶縁性フィルムの厚みを２５μｍ以下とすると、配線基板がより薄肉化され、より軽量化される。
【００１５】
請求項７記載の発明は、請求項１〜６いずれかに記載の発明において、前記補強フィルムが、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレートより選択した１つの樹脂素材で形成され、微粘着性の接着剤を介して前記絶縁性フィルムに貼り合せ可能なフィルム材料である。
【００１６】
請求項８記載の発明は、請求項１〜７いずれかに記載の絶縁性フィルムに電子部品を搭載する工程と、前記電子部品の端子と前記導体配線とを電気的に接続する工程と、前記電子部品及び導体配線を含む前記絶縁性フィルムの電子部品側を絶縁性の封止樹脂に封止する工程とを含むものである。
絶縁性フィルムが薄いので、電子部品を実装した電子装置の軽薄短小が実現される。また、実装部が絶縁性の樹脂からなる外殻に封止され保護されるので取り扱いが容易になる。
【００１７】
請求項９記載の発明は、絶縁性フィルムに電子部品を実装するための導体配線が積層された配線基板において、前記絶縁性フィルムが厚さ４０μｍ以下の樹脂フィルムから構成されると共に、前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する開口が、前記絶縁性フィルムの外部配線の配線部に設けられ、前記絶縁性フィルムの前記導体配線側と反対側面に厚さ５０μｍ以上の補強フィルムが剥離可能な接着剤を介して貼り付けられたものである。なお、金属薄膜には、圧延による箔、めっきによる薄膜が含まれるものとする。
このように、絶縁性フィルムに補強フィルムを剥離可能に積層し、搬送やハンドリングの際の絶縁性フィルムの強度不足を補うように構成すると、絶縁性フィルムの厚みを従来よりも薄くすることが可能となる。絶縁性フィルムが薄くなると、開口の深さも浅くなるので、外部接続端子との直接接合や、金属めっき層を介して接合する際の接合信頼性が向上する。
この場合、絶縁性フィルムの厚みを２５μm以下とすると、より薄く軽い配線基板となる。また、開口の深さも大幅に浅くなるので、導体配線裏面に対する外部接続端子の接合の信頼性が大幅に向上する。
【００１８】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の発明において、前記導体配線が前記絶縁性フィルムに直接又は接着剤層を介して積層されたものである。
接着剤層を介して導体配線を接合すると、その分厚みが増すが、接合がしやすく作業性がよい。絶縁性フィルムに導体配線を直接接合すると、接着剤が不要となる分、配線基板の厚みが薄くなり、軽くなる。
【００１９】
請求項１１記載の発明は、請求項９又は請求項１０記載の発明において、前記開口内に前記導体配線と導通可能に金属めっきが形成され、前記金属めっき層の開口深さ方向の厚みが前記開口の深さとほぼ同じにしたものである。
開口内に前記導体配線と導通可能な金属めっき層が形成され、前記金属めっき層の開口深さ方向の厚みが開口の深さとほぼ同じになると、金属めっき層の表面がベースフィルムの裏面とほぼ面一となるので、外部接続端子又は回路基板の端子を接合するときの接合の信頼性が格段に向上する。また、開口の深さが浅くなり、金属めっき層のめっき所要時間が短縮されるので、配線基板の生産性が向上する。
【００２０】
請求項１２記載の発明は、請求項１１記載の発明において、前記金属めっき層が、銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した1つ又は選択した２以上の金属の合金からなる単一層又は銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した異種金属の単一層同士を積層した複数層のめっき層又は異種合金の単一層同士を積層した複数層のめっき層からなるものである。
このようにすると、金属めっき層に対する外部接続端子の接合性が良好になる。
【００２１】
請求項１３記載の発明は、請求項９〜１２いずれかに記載の発明において、前記配線基板が、銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した1つ又は選択した２以上の金属の合金からなる単一層又は銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した異種金属の単一層同士を積層した複数層のめっき層又は異種合金の単一層同士を積層した複数層のめっき層からなる機能めっき層で被覆されたものである。
このようにすると、配線基板の材質に対応した配線が可能となる。
【００２２】
請求項１４記載の発明は、請求項９〜１３いずれかに記載の発明において、前記導体配線の被絶縁部にこれを覆って熱硬化性又は感光性のソルダーレジスト、カバーレイから選択した１つの絶縁性部材が設けられたものである。
被絶縁部が絶縁部材により絶縁されるので、ショートによる回路の損傷が防止される。
【００２３】
請求項１５記載の発明は、請求項９〜１４いずれかに記載の絶縁性フィルムに電子部品が搭載され、前記電子部品の端子と前記導体配線とがボンディングワイヤを介して接続され、且つ、前記電子部品及び前記導体配線を含んで前記絶縁性フィルムの電子部品実装側が絶縁性の封止樹脂からなる外殻内に封止されたものである。
絶縁性フィルムが薄いので、電子部品を実装した電子装置の軽薄短小が実現される。また、実装部が絶縁性の樹脂からなる外殻に封止され保護されるので取り扱いが容易になる。
【発明の効果】
【００２４】
以上、説明したことから明らかなように本発明によれば次の如き優れた効果を発揮する。
（１）製造工程で補強テープを貼り付けて絶縁性フィルムの機械的強度の不足を補うことができるので、４０μｍ以下の薄い絶縁性フィルムを用いることが可能となり、配線基板の薄肉化及び軽量化を達成することができる。
（２）絶縁性フィルムの厚みが薄くなるので、開口を通じて導体配線に対する球形の外部接続端子や回路基板の接続端子の接合の信頼性が大幅に向上する。
（３）絶縁性フィルムの厚さが薄くなるので、開口内に金属めっきを充填する場合に、めっき時間を大幅に短縮でき、配線基板の生産性が向上する。
（４）配線基板に半導体装置等の電子装置を搭載した電子装置の軽薄短小を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して本発明に係る実施の形態を説明する。
まず、図１及び図２を参照して本実施形態に係る配線基板及び電子装置の構成について説明する。
【００２６】
図１は本発明に係る配線基板の構造を示す断面図である。
図示されるように、配線基板１００は、絶縁性フィルム１０１に接着剤層１０２を積層したベースフィルム１０３と、絶縁性フィルム１０１に接着剤層１０２を介して積層された導体配線としての複数の配線パターン１０４及びダイパッド１０５と、絶縁性フィルム１０１及び接着剤層１０２を厚み方向に沿って貫通する開口からなるビアホール１０６と、ビアホール１０６内に充填された金属めっき層１０７とから構成される。
前記絶縁性フィルム１０１は、４０μｍ以下の絶縁性のポリイミドテープで構成されており、導体配線としての各配線パターン１０４及びダイパッド１０５は、８μｍ以下の金属薄膜で構成されている。
各配線パターン１０４は、それぞれダイパッド１０５の外周縁部１０５ａとの間に間隔を隔ててダイパッド１０５の周囲に配置されており、ダイパッド１０５から絶縁性フィルム１０１の外周縁部に向かって所定長さ延びている。
各ビアホール１０６は、絶縁性フィルム１０１の外部配線の配線部、すなわち、ダイパッド１０５の外周縁部１０５ａから外側に所定距離隔てた絶縁性フィルム１０１の外周部側で且つ各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの下に配置されており、配線パターン１０４の他端部１０４ｂ下面によって配線パターン１０４の他端部１０４ｂ側の開口１０６ｂが被蔽された、いわゆるブラインド型ビアホールとなっている。また、ビアホール１０６内には、接着剤層１０２側と反対側の絶縁性フィルム１０１の下面とほぼ面一の深さに金属めっき層１０７が充填されている。
各配線パターン１０４の一端部１０４ａ、ダイパッド１０５の露出面及び金属めっき層１０７の表面は、下地ニッケルめっき、金めっきを順次積層した機能めっき層１０９でそれぞれ覆われており、ベースフィルム１０３の他端部１０４ｂ上面は、熱硬化性又は感光性のソルダーレジスト、カバーレイ等の絶縁部材１０８によって覆われている。また、前記金属めっき層１０７は、銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズ、又はそれらの合金からなる単一層、又は銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズ、又はそれらの合金から選択した異種金属の単一層同士又は２以上の異種金属の合金からなる単一層同士を積層しためっき層で構成されており、配線パターン１０４の他端部１０４ｂ側の下面と電気的に接合されている。
【００２７】
図２は前記配線基板１００に電子部品１１１を実装した電子装置２０１の構造を示す断面図である。
電子装置２０１は、配線基板１００と、前記ダイパッド１０５に実装する電子部品１１１と、電子部品１１１の各端子１１２を、配線パターン１０４に接続するためのボンディングワイヤ１１３とで構成されている。電子部品１１１は、ダイぺースト（図示せず）を介して前記ダイパッド１０５の表面を覆う機能めっき層１０９上に搭載されており、電子部品１１１の各端子１１２は、ボンディングワイヤ１１３を介して、接続すべき配線パターン１０４の一端部１０４ａに接続されている。
これらの電子部品１１１、配線パターン１０４、ダイパッド１０５及びボンディングワイヤ１１３は、封止樹脂によるモールド成形による外殻１１５に封止され、保護される。そして、各はんだボール１１４は、モールド成形後に、金属めっき層１０７の表面を覆う機能めっき層１０９にはんだ付けされている。
前記金属めっき層１０７のビアホール深さ方向の厚みは、ポリイミドテープからなる絶縁性フィルム１０１の厚みに接着剤層１０２の厚みを加えた厚みとほぼ同じであり、金属めっき層１０７に積層されている機能めっき層１０９の表面が絶縁性フィルム１０１の裏面よりも下方に位置している。このため、はんだボール１１４と機能めっき層１０９との接続を外部から視認することが可能となり、相互の接合の信頼性が大幅に向上する。また、本実施形態では、絶縁性フィルム１０１の厚みが４０μm以下であり、従来よりも薄くなっているため、めっき時間が大幅に短縮され、配線基板１００及び電子装置２０１の生産性が大幅に向上する。
【００２８】
以下、図３乃至図８を参照して前記配線基板の製造方法の実施形態を説明する。なお、以下の説明において、形状及び機能が同じ構成部については基本的に同一符号を付すものとする。
[第１実施形態]
図３は第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
図３（ａ）に示すように、厚さ１２．５μｍのポリイミドテープからなる絶縁性フィルム（例えば、宇部興産製 ユーピレックスＳシリーズ）１０１に、厚さ１２μｍの接着剤層（例えば、巴川製紙所製 Ｘシリーズ）１０２を貼り合せたベースフィルム１０３の接着剤層１０２側と反対側面に、剥離可能な３μｍ厚の微粘着性接着剤層１２１を介して厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート製フィルム（ＰＥＴフィルム）からなる補強フィルム１２２を貼り合わせた４層構成の複合テープ１２３を用意する。
ここで、複合テープ１２３の絶縁性フィルム１０１及び接着剤層１０２を合わせた厚みは２５μｍと薄くなっているが、厚み５０μｍの補強フィルム１２２の貼り合せによって従来のベースフィルムとほぼ同じ厚さとなっているので、リールからリールに巻き取る搬送の際の機械的強度が充分となり、伸び等の変形が発生することがない。
次に、前記複合テープ１２３を、一方のリール（図示せず）から他方のリール（図示せず）に巻き取りながら、金型（図示せず）によるプレス打ち抜きによって図３（ｂ）に示すように、複合テープ１２３に対する外部配線の配線部、すなわち、図１に示した配線パターン１０４の形成部で且つ配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部に対して複合テープ１２３を厚み方向に貫通する開口１２４を形成し、その結果として、ベースフィルム１０３、すなわち、絶縁性フィルム１０１と接着剤層１０２とにビアホール１０６を形成する。
【００２９】
次に、前記複合テープ１２３と、導体配線となる金属薄膜、すなわち、前記配線パターン１０４とダイパッド１０５となる厚さ１８μｍの電解性銅薄膜（例えば、三井金属製ＦＱ−ＶＬＰ薄膜等）１２５とを互いに対向させた状態で複合テープ１２３と電解性銅薄膜１２５とを一方のリールから他方のリールに巻き取りながら、図３（ｃ）に示すように上下又は左右一対のロール１２６，１２６間を通し、ラミネートにより両者を貼り合せて５層の基材１２７を製造する。
基材１２７は、表層側から下層に向かって、厚さ１８μｍの電解性銅薄膜１２５、厚さ１２μｍの接着剤層１０２、厚さ１２．５μｍの絶縁性フィルム１０１、厚さ３μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚さ５０μｍの補強フィルム１２２の５層構成となり、全体の総厚は９５．５μｍとなる。また、ビアホール１０６は、電解性銅薄膜１２５のラミネートによってベースフィルム１０３側の開口１０６ａが電解性銅薄膜１２５で塞がれた、いわゆる、ブラインド型のビアホールとなる。
【００３０】
基材１２７の製造を終了すると、図３（ｄ）に示すように、電解性銅薄膜１２５に、マスキングテープ１２８を貼り付けて、電解めっき法でビアホール１０６内のみに導電性金属、例えば、銅めっきを充填し、金属めっき層１０７を形成する。
この場合、ビアホール１０６の直径を従来と同じにし、銅めっきの充填量、すなわち、ビアホール１０６の深さ方向の金属めっき層１０７の厚みを、絶縁性フィルム１０１と接着剤層１０２との厚みの合計とほぼ同じ２４．５μｍを狙い値とし、めっき液に、一般的な硫酸銅めっき液を使用して、めっきの電流密度５Ａ／ｄｍ2とすると、所要時間２２分で、ビアホール１０６と同じ深さ換言すると、ベースフィルム１０３の下面と面一の金属めっき層１０７がビアホール１０６内に形成された。これにより、めっきの所要時間は、従来の５０分から２２分に短縮された。
【００３１】
次に、図３（ｅ）に示すように、補強フィルム１２２にマスキングテープ１２９を貼り付け、電解性銅薄膜１２５を覆っていたマスキングテープ１２８を剥離して金属めっき層１０７の溶解をマスキングテープ１２９により防止しながら前記電解性銅薄膜１２５にフォトファブリケーションによるケミカルエッチングを施し、電解性銅薄膜１２５から不要な部分を取り除くことにより配線パターン１０４と前記ダイパッド１０５とを形成する。
【００３２】
フォトファブリケーションによるケミカルエッチングを終了すると、次に、図３（ｆ）に示すように、開口１２４を被蔽しているマスキングテープ１２９を補強フィルム１２２から剥離し、続いて、配線パターン１０４の被絶縁部に対して硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布し、熱硬化又は感光により絶縁部材１０８を形成すると共に、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、及び金属めっき層１０７の露出面に、機能めっきとしての下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層させてそれぞれ前記機能めっき層１０９を積層する。
最後に、図３（ｇ）に示すように、絶縁性フィルム１０１から補強フィルム１２２を剥離して配線基板１００の製造を終了し、この後、パッケージ工程へと供給する。
【００３３】
パッケージ工程では、図２で説明したように、電子部品１１１をダイパッド１０５にダイペーストを介して搭載した後、金線からなるボンディングワイヤ１１３により電子部品１１１の各端子１１２と配線パターン１０４の一端部１０４ａとをそれぞれ接続し、この後、封止樹脂によるモールドにより、電子部品１１１、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、ボンディングワイヤ１１３を外殻１１５内に封止する。そして、最後に、各はんだボール１１４を各ビアホール１０６に充填した金属めっき層１０７の表層の機能めっき層１０９にはんだ付けして電子装置２０１のパッケージ工程を終了する。
【００３４】
（第１実施形態の効果）
この実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍであったが、この実施形態にかかる配線基板の総厚は４２．5μｍであり、薄型化が達成された。
（２）さらに、テープ製造工程においては、ベースフィルムに補強フィルムが貼り付けられていて総厚が９５．５μｍとなっているので従来と同等の機械的強度があるので、巻き取りによる連続搬送が可能となる。
（３）ビアホールの金属めっき層の充填が終了するまでの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この実施形態にではめっきの所要時間が２２分となるので、従来と比較して配線基板の生産性が大幅に向上する。
（４）配線基板の薄型化が達成され、電子部品を搭載した電子装置の薄型化が達成される。
【００３５】
[実施の形態２]
図４は第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【００３６】
図４（ａ）に示すように、まず、導体配線となる金属薄膜としての厚さ１２μｍの電解性銅薄膜１２５の下面にポリイミド前駆体ワニスを塗布しながら熱硬化させるいわゆるキャスティング法により、厚さ４０μｍのポリイミドフィルムからなる絶縁性フィルム１０１を積層した２層構成のテープ材（例えば、新日鐵化学製エスパネックシリーズ）１２０を用い、その電解性銅薄膜１２５側と反対側の絶縁性フィルム１０１に、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルムからなる補強フィルム１２２を、再剥離が可能な３μｍ厚の微粘着性接着剤層１２１を介して貼り合わせて複合化した複合基材１３０を用意する。
複合基材１３０は、表層側から下層側に、厚み１２μｍの電解性銅薄膜１２５、厚み４０μｍの絶縁性フィルム１０１、厚み３μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚み５０μｍの補強フィルム１２２からなる４層構成となり、総厚は１０５μｍとなる。このような複合基材１３０において、絶縁性フィルム１０１の厚みは４０μｍ、電解性銅薄膜１２５の厚みは１２μｍと薄くなるが、厚み５０μｍの補強フィルム１２２を貼り付けると従来のベースフィルムと同等の厚みとなるので、リールからリールに巻き取る搬送の際の機械的強度が充分になり、伸び等の変形が発生することがない。
【００３７】
次に、一方のリール（図示せず）から他方のリール（図示せず）に複合基材１３０を巻き取りながら、図４（ｂ）に示すように、前記複合基材１３０の外部配線接続部、すなわち、電解性銅薄膜１２５の各配線パターン１０４の形成部で各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部に向けて複合基材１３０の補強フィルム１２２側、すなわち、裏面側から高密度エネルギビームである炭酸ガスレーザビームを照射することにより、複合基材１３０に、補強フィルム１２２、微粘着性接着剤層１２１及び絶縁性フィルム１０１を厚み方向に貫通する一連の開口１２４を形成し、その結果として前記絶縁性フィルム１０１にビアホール１０６を形成する。ビアホール１０６は、電解性銅薄膜１２５側の開口１０６ａが電解性銅薄膜１２５の配線パターン形成部の他端部下面によって塞がれたブラインド型のビアホールとなる。
このように絶縁性フィルム１０１及び電解性銅薄膜１２５が補強フィルム１２２により補強され、補強フィルム１２２により巻き取り時の巻取り張力に対して機械的強度を実質的に増加するので、巻き取りの際に、伸びや厚みの変化がない。このため、正確な位置にビアホール１０６が形成される。
続いて、図４（ｃ）に示すように、電解性銅薄膜１２５の上面にマスキングテープ１２８を貼り付けた後、一方のリールから他方のリールに複合基材１３０を巻き取りながら電解めっき法でビアホール１０６内のみに前記開口１２４を通じて銅の充填めっきを施し、金属めっき層１０７を形成する。
【００３８】
ここで、金属めっき層１０７のビアホール１０６の深さ方向の厚みは、絶縁性フィルム１０１の厚みと同じ４０μｍを狙い値とし、めっき液には一般的な硫酸銅めっき液を使用する。そして、めっきの電流密度を５Ａ／ｄｍ2とすると、３６分のめっきの所要時間で、ビアホール１０６深さ方向にビアホール１０６の深さとほぼ同じ厚さの金属めっき層１０７が形成された。
次に、図４（ｄ）に示すように、エッチングによる前記金属めっき層１０７が溶解することを防ぐため補強フィルム１２２の下面にマスキングテープ１２９を貼り付け、電解性銅薄膜１２５からマスキングテープ１２８を剥離した状態で電解性銅薄膜１２５にフォトファブリケーションによるケミカルエッチングを施して配線パターン１０４とダイパッド１０５とを形成する。配線パターン１０４とダイパッド１０５の形成を終了すると、次に、図４（ｅ）に示すように、補強フィルム１２２の下面からマスキングテープ１２９を剥離すると共に、配線パターン１０４の被絶縁部に対して絶縁部材１０８としてのソルダーレジストを塗布し、熱硬化させた後に、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、銅めっき層１０７に対してそれぞれ下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層し、機能めっき層１０９を形成する。
最後に、図４（ｆ）に示すように、補強フィルム１２２及び微粘着性接着剤層１２１を剥離し、配線基板１００の製造を終了する。この後、図２に示すように配線基板１００のダイパッド１０５に電子部品１１１を実装した後、金線によるボンディングワイヤ１１３、封止樹脂によるモールドを行い、はんだボール１１４を接合すると、電子装置２０１のパッケージ工程が終了する。
【００３９】
（第２実施形態の効果）
この実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍであったが、この実施形態にかかる配線基板の総厚は５２μｍとなり、薄型化を達成することができた。
（２）さらに、テープ製造工程においては、補強フィルムを貼り付けによって、複合基材の総厚を１０５μｍとするので従来と同等の機械的強度が得られ、複合基材の巻取りによる連続搬送が可能となる。
（３）充填めっきの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この実施形態にかかる配線基板の所要時間は３６分で終了するので、従来と比較して生産性が大幅に向上する。
（４）配線基板の薄型化が達成されているので、電子部品を搭載した電子装置の薄型化を達成することができる。
【００４０】
[第３実施形態]
図５は第３実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
図５（ａ）に示すように、まず、厚さ３８μｍのポリイミドテープからなる絶縁性フィルム（例えば、東レ製 カプトンＥＭ）１０１に無電解めっき又は電解めっき法で導体配線となる金属薄膜として厚さ８μｍの銅めっき層１３１を積層したテープ（例えば、住友金属鉱山製エスパーフレックスシリーズ）を用い、その絶縁性フィルム１０１側に厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルムからなる補強フィルム１２２を、再剥離が可能な３μｍ厚の微粘着性接着剤層１２１を介して貼り合わせた４層構成の複合基材１３２を用いる。このような複合基材１３２は、表層側から下層側に、厚み８μｍの銅めっき層１３１、厚み３８μｍの絶縁性フィルム１０１、厚み３μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚み５０μｍの補強フィルム１２２からなる４層構成となり、その総厚は９９μｍとなる。
この複合基材１３２は、絶縁性フィルム１０１の厚みが４０μｍ、銅めっき層１３１の厚みが８μｍと薄くなるが、厚み５０μｍの補強フィルム１２２の貼り合せによって従来のベースフィルムと同等の厚みとなるので、リールからリールに巻き取る搬送の際の機械的強度が充分になり、伸び等の変形が発生することがない。
次に、複合基材１３２を一方のリール（図示せず）から他方のリール（図示せず）に巻き取りながら図５（ｂ）に示すように複合基材１３２の外部配線接続部、すなわち、配線パターン１０４の形成部で且つ各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部に向けて補強フィルム１２２側から高密度エネルギビームである炭酸ガスレーザのビームを照射し、補強フィルム１２２、微粘着性接着剤層１２１及び絶縁性フィルム１０１を厚み方向に貫通する一連の開口１２４を形成し、その結果として、ビアホール１０６を形成する。ビアホール１０６は、銅めっき層１３１側の開口１０６ａが銅めっき層１３１の配線パターン形成部の他端部下面によって塞がれたブラインド型のビアホールとなる。
次に、図５（ｃ）に示すように、銅めっき層１３１の上面にマスキングテープ１２８を貼り付けてビアホール１０６を被蔽し、この後、電解めっき法で開口１２４を通じてビアホール１０６内のみに銅の充填めっきを施し、ビアホール１０６内に金属めっき層１０７を形成する。金属めっき層１０７のビアホール深さ方向の厚みは、ポリイミドテープからなる絶縁性フィルム１０１の膜厚と同じ３８μｍを狙い値とし、めっき液に一般的な硫酸銅めっき液を使用する。この場合、めっきの電流密度５Ａ／ｄｍ2とすると、所要時間３４分で絶縁性のベースフィルム１０３の膜厚と同じ３８μｍの厚みの銅めっき層１３１が絶縁性のベースフィルム１０３の裏面とほぼ面一に形成された。
次に、図５（ｄ）に示すように、マスキングテープ１２８を銅めっき層１３１から剥離し、補強フィルム１２２側の面にマスキングテープ１２９を貼り付けた状態として前記金属めっき層１１０がエッチングにより溶解することを防ぎながら前記銅めっき層１３１にフォトファブリケーションによるケミカルエッチングを施し、配線パターン１０４とダイパッド１０５とを形成する。
エッチングの終了後は、図５（ｅ）に示すように、マスキングテープ１２９を剥離した後に、配線パターン１０４の被絶縁部に熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布し、熱硬化又は感光により被絶縁部をソルダーレジストからなる絶縁部材１０８で覆い、次に、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、銅めっき層１０７に対してそれぞれ下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層し、機能めっき層１０９を形成する。
最後に、図５（ｆ）に示すように、ＰＥＴフィルムから成る補強フィルム１２２及び微粘着性接着剤層１２１を剥離し、配線基板の製造を終了する。
この後、第１実施形態と同様、図２に示すように、配線基板１００の配線パターン１０４側において、電子部品１１１を搭載した後、金線によるボンディングワイヤ１１３を接続し、封止樹脂によるモールドを行ってはんだボール１１４を接合すると電子装置の製造が終了する。
【００４１】
（第３実施形態の効果）
この実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍであったが、この第３実施形態にかかる配線基板の総厚は４６μｍであるので、薄型化を達成することができた。
（２）さらに、テープ製造工程では、補強フィルムの貼り付けによって複合基材の総厚が９９μｍとなるので従来と同等の機械的強度があり、複合基材の連続搬送が可能となる。また、補強フィルムを貼り付けた状態では十分な機械的強度があるので、搬送以外のハンドリングも容易である。
（３）充填めっきの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この第３実施形態にかかる配線基板の所要時間は３４分で終了するので、生産性が大幅に向上する。
（４）配線基板の薄型化が達成され、電子部品を搭載した電子装置の薄型化を達成することができる。
【００４２】
[第４実施形態]
図６は第４実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
まず、図６（ａ）に示すように、厚さ１２．５μｍのポリイミドテープからなる絶縁性フィルム（例えば、宇部興産製 ユーピレックスＳシリーズ）１０１に厚さ８μｍの接着剤層１０２（例えば、巴川製紙所製 Ｘシリーズ）を貼り合せたベースフィルム１０３の接着剤層１０２側と反対側面に、剥離可能な３μｍ厚の微粘着性接着剤層１２１を介して厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート製フィルム（ＰＥＴフィルム）からなる補強フィルム１２２を貼り合わせた４層構成の複合テープ１３３を用意する。
次に、図６（ｂ）に示すように、この複合テープ１３３の外部配線の配線部、すなわち、図１に示した配線パターン１０４の形成部で且つ各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部にプレス加工による打ち抜きを施して補強フィルム１２２、微粘着性接着剤層１２１、絶縁性フィルム１０１及び接着剤層１０２を厚み方向に貫通する開口１２４を形成し、その結果として、ベースフィルム１０３にビアホール１０６を形成する。
続いて、図６（ｃ）に示すように、厚み１８μｍの圧延銅薄膜からなるキャリア層１３４の下面に、めっき法による成膜により、厚み０．０１μｍの剥離可能な剥離可能層１３５、例えば、Ｎｉ等の合金層などを積層し、この剥離可能層１３５の下面に銅薄膜からなる厚さ３μｍの金属薄膜１３６を成膜により積層した複合金属テープ１３８を用意する。
次に、複合テープ１３３の接着剤層１０２と複合金属テープ１３８の金属薄膜１３６とを互いに対向させた状態で一対のリールの一方から他方に複合金属テープ１３８を巻き取りながら上下又は左右一対のロール１２６，１２６間を通してロール１２６，１２６によるラミネートにより両者を貼り合せて７層の複合基材１３７とする。この後、図６（ｄ）に示すように、剥離可能層１３５ごとキャリア層１３４を金属薄膜１３６から剥離して基材１３９とする。基材１３９は、表層側から下層に、厚み３μｍの導体配線としての金属薄膜１３６、厚み８μｍの接着剤層１０２、厚み１２．５μｍの絶縁性フィルム１０１、厚み３μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚み１００μｍの補強フィルム１２２の５層構成となり、総厚は、１２６．５μｍとなる。また、前記ビアホール１０６の絶縁性フィルム１０１側の開口１０６ａは、極薄の金属薄膜１３６で被蔽された、いわゆるブラインド型のビアホールとなる。
このように、本実施の形態では、予め、導体配線となる金属薄膜１３６を圧延銅薄膜からなるキャリア層１３４で補強し、また、絶縁性フィルム１０１を補強フィルム１２２で補強することで、リールからリールに巻き取る際の張力に起因する絶縁性フィルム１０１の伸び、金属薄膜１３６の伸びを防止する。
また、厚み５０μｍの補強フィルム１２２の貼り合せによって従来のベースフィルムと同等の厚みとなっているので、リールからリールに巻き取る搬送の際の機械的強度が充分になり、伸び等の変形が発生することがない。
【００４３】
次に、図６（ｅ）に示すように、前記金属薄膜１３６の上面にマスキングテープ１２８を貼り付け、この状態で電解めっきにより、ビアホール１０６内のみに金属めっきとしての銅充填めっきを施し、ビアホール１０６の内部に、金属めっき層１０７を形成する。銅めっきの充填量は、前記接着剤層１０２の厚みと前記絶縁性フィルム１０１の厚みとを合計した２０．５μｍを狙い値とする。めっき液に一般的な硫酸銅めっきを使用し、電流密度を５Ａ／ｄｍ2としてめっきを施すと、ビアホール深さ方向の厚みが２０．５μｍの金属めっき層１０７が所要時間１９分で形成された。
金属めっき層１０７の形成後は、図６（ｆ）に示すように、金属薄膜１３６からマスキングテープ１２８を剥離し、補強フィルム１２２にマスキングテープ１２９を貼り付けてビアホール１０６を被蔽した状態で前記金属薄膜１３６にフォトケミカルファブリケーションによるケミカルエッチングを施して前記ダイパッド１０５、配線パターン１０４を形成する。
【００４４】
次に、図６（ｇ）に示すように補強フィルム１２２からマスキングテープ１２９を剥離し、配線パターン１０４の被絶縁部に対して熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布し、熱硬化又は感光により配線パターン１０４の被絶縁部をソルダーレジストからなる絶縁部材１０８で覆い、この後、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、金属めっき層１０７に対してそれぞれ下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層し、機能めっき層１０９を形成する。
最後に、図６（ｈ）に示すように、補強フィルム１２２を剥離し、配線基板1００の製造を終了する。
この後、図２に示すように、パッケージ製造工程に進み、配線基板１００の配線パターン１０４に電子部品１１１を搭載した後、ボンディングワイヤ１１３の接続、封止樹脂によるモールドを行い、はんだボール１１４を接合して電子装置２０１の製造を終了する。
なお、１８μｍ以上の厚い圧延銅薄膜からなる金属薄膜をキャリア層１３４とし、これに後工程で剥離できる程度に接着力が弱い接着性を有する剥離可能層１３５を成膜により積層した後、電解めっき法で銅の金属薄膜１３６を積層したいわゆるキャリア付コア基板「たとえば、ＯＬＩＮ社のＣｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄ Ｅｘｔｒａ Ｔｈｉｎ Ｆｏｉｌ （ＸＴＦ）：商品名」等を前記複合テープ１３３として使用することも可能である。
【００４５】
（第４実施形態の効果）
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍに対して、この実施形態にかかる配線基板の総厚は、２３．５μｍであり、薄型化を達成できた。
（２）テープ製造工程において、絶縁性フィルムに補強フィルムが貼り付けられていて、総厚が１２６．５μｍのため、従来と同等の機械的強度があり、連続搬送が可能である。
（３）キャリア層を有する複合金属テープを使用するため機械的強度があり、連続搬送が可能である。
（４）めっきの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この実施形態にかかる配線基板の所要時間は19分で終了し、従来と比較して生産性がはるかに向上した。
（５）配線基板の薄型化、電子装置の軽薄短小が実現される。
【００４６】
[第５実施形態]
図７は第５実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【００４７】
まず、ＯＬＩＮ社等の複合金属テープ１３８を用意する。この複合金属テープ１３８は、１８μｍ以上の厚い圧延銅薄膜からなる金属薄膜をキャリア層１３４とし、これに後工程で剥離できる程度に接着力が弱い厚み０．０１μｍの剥離可能層１３５を成膜により積層した後、電解めっき法で厚み３μｍのめっき銅の薄い金属薄膜１３６を積層したものである。複合金属テープ１３８の金属薄膜１３６にポリイミド前駆体ワニスを塗布しながら熱硬化させる、いわゆる、キャスティング法により、厚さ１２μｍの絶縁性フィルム１０１を積層した後、絶縁性フィルム１０１に厚み１００μｍのＰＥＴ製フィルムからなる補強フィルム１２２を、再度剥離が可能な微粘着性接着剤層からなる３μm厚の微粘着性接着剤層１２１を介して貼り合わせる。
この後、図７（ｂ）に示すように、剥離可能層１３５において、キャリア層１３４を剥離して基材１４０を製造すると、基材１４０は、表層側より見て、厚さ３μｍの金属薄膜１３６、厚さ１２μｍの絶縁性フィルム１０１、厚さ3μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚さ１００μｍの補強フィルム１２２からなる４層構成となり、総厚は、１１８μｍとなる。
次に、キャリア層１３４を剥離した状態で、図７（ｃ）に示すように、基材１４０の外部配線接続部、すなわち、前記配線パターン１０４の形成部で且つ各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部に向けて補強フィルム１２２側から基材１４０に炭酸ガスレーザを照射し、補強フィルム１２２、微粘着性接着剤層１２１、及び絶縁性フィルム１０１をする貫通する厚み方向の一連の開口１２４を形成し、その結果として絶縁性フィルム１０１に前記ビアホール１０６を形成する。ビアホール１０６の絶縁性フィルム１０１側の１０６は金属薄膜１３６により被蔽された、ブラインド型のビアホールとなる。
続いて、図７（ｄ）に示すように、金属薄膜１３６にマスキングテープ１２８を貼り付け覆い、この状態で、電解めっき法で、各ビアホール１０６に、銅めっきを充填し、金属めっき層１０７を形成する。金属めっき層１０７のビアホール深さ方向の厚みは、前記絶縁性フィルム１０１と同じ１２μｍを狙い値とする。
めっき液には一般的に硫酸銅めっき液を用い、電流密度を５Ａ／ｄｍ2とすると、所要時間１１分でビアホール１０６内とほぼ同じ深さの厚み１２．５μｍの金属めっき層１０７を形成することができた。
金属めっき層１０７の形成した後は、図７（ｆ）に示すように、金属薄膜１３６からマスキングテープ１２８を剥離すると共に、補強フィルム１２２にマスキングテープ１２９を貼り付けてビアホール１０６を被蔽し、この状態で、導体配線となる金属薄膜１３６にケミカルエッチングを施し、前記ダイパッド１０５と前記配線パターン１０４とを形成する。このように、エッチングの際には、前記ビアホール１０６がマスキングテープ１２９で被蔽されているので、前記金属めっき層１０７のエッチングによる溶解が防止される。
次に、図７（ｆ）に示すように補強フィルム１２２からマスキングテープ１２９を剥離すると共に、配線パターン１０４の被絶縁部に対して熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布した後、熱硬化又は感光により硬化させることにより、配線パターン１０４の被絶縁部をソルダーレジストからなる絶縁部材１０８で被覆する。
この後に、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、金属めっき層１０７に対してそれぞれ下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層し、機能めっき層１０９を形成する。
最後に、図７（ｇ）に示すように、ＰＥＴフィルムからなる補強フィルム１２２及び微粘着性接着剤層１２１を剥離し、配線基板１００の製造を終了する。
この後、パッケージ製造工程に進み、図２で説明したように、配線基板１００の配線パターン１０４側において、電子部品１１１を搭載した後、ボンディングワイヤ１１３、封止樹脂によるモールドを行い、はんだボール１１４を接合して電子装置２０１の製造を終了する。
【００４８】
（第５実施形態の効果）
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍに対して、この実施形態にかかる配線基板の総厚は、1５μｍであり、薄型化を達成できた。
（２）テープ製造時においては、補強フィルムが貼り付けられていて、総厚が１１８μｍのため、従来と同等の機械的強度があるので、巻き取りに対応した連続搬送が可能となる。
（３）キャリア層を有する複合金属テープを用いるので、これにキャスティング法でベースフィルムを形成する際の機械的強度が十分になる。また、キャリア層を剥離により、ベースフィルム上にわずか３μｍという極めて薄い金属薄膜を積層した複合金属テープが得られるので配線基板の軽薄短小が実現される。
（４）ビアホールに対する金属めっきの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この実施形態にかかる配線基板の所要時間は１１分で終了し、従来と比較して生産性がはるかに向上する。
（５）本実施形態に係る電子装置は、配線基板の薄型化により、軽薄短小が実現される。
[第６実施形態]
図８は第６実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
この実施の形態では、図８（ａ）に示すように、最初に、厚さ４μｍのアラミド樹脂からなる絶縁性フィルム１０１に、厚さ８μmの接着剤層（例えば、巴川製紙所 Ｘシリーズ）１０２を貼り合わせた絶縁性フィルム１０１を用い、絶縁性フィルム１０１に厚さ１００μｍの補強フィルム１２２を、再剥離が可能な３μｍ厚の微粘着性接着剤層１２１を介して貼り合わせた４層構成の複合テープ１３３を用意する。
次に、図８（ｂ）に示すように、前記複合テープ１３３の外部配線接続部、すなわち、前記配線パターン１０４の形成部で且つ各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部に向けて補強フィルム１２２側から複合テープ１３３に対して金型（図示せず）による打ち抜きを施して複合テープ１３３を厚み方向に貫通する厚み方向の一連の開口１２４を形成し、この結果、絶縁性フィルム１０１には、ビアホール１０６を形成する。
次に、ＯＬＩＬ社のキャリア付コア基板等の複合金属テープ１３８を用意する。この複合金属テープ１３８は、図８（ｃ）に示す如く、厚さ１８μｍの圧延銅薄膜によるキャリア層１３４の下面に、厚さ０．１μｍの剥離可能層１３５を成膜し、さらに、この剥離可能層１３５上に、厚さ３μｍの薄いめっき銅による金属薄膜１３６を成膜により積層したものである。この複合金属テープ（複合銅テープ）１３８の金属薄膜１３６と複合テープ１３３の接着剤層１０２とを互いに対峙させながら巻き取って一対のロール１２６，１２６間を通過させてロール１２６，１２６のラミネートにより両者を接合することにより、基材１２７を製造する。
この後、図８（ｄ）に示すように、基材１２７の剥離可能層１３５からキャリア層１３４を剥離すると、表層側から下層側を見て、厚み３μｍの金属薄膜（極薄銅薄膜）１３６、厚み８μｍの接着剤層１０２、厚み４μｍの絶縁性フィルム１０１、厚み３μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚み１００μｍの補強フィルム１２２からなる５層構成となり、総厚は１１８μｍとなる。また、開口１２４によるビアホール１０６は、絶縁性フィルム１０１側の開口１０６ａが導体配線となる金属薄膜１３６により被蔽されたブラインド型のビアホールとなる。
次に、図８（ｅ）に示すように、金属薄膜１３６にマスキングテープ１２８を貼り付けて被覆した後、電解銅めっき法により、各ビアホール１０６のみに銅めっきを充填し、金属めっき層１０７を形成する。金属めっき層１０７は絶縁性フィルム１０１の厚み１２μｍを狙い値とする。めっき液には、一般的な硫酸銅めっき液を用い、電流密度を５Ａ／ｄｍ2とすると、めっき時間１1分で、ビアホール１０６の深とほぼ面一な厚み１５μｍの銅めっきによる金属めっき層１０７が形成された。
金属めっき層１０７の形成後は、図８（ｅ）に示すように、金属薄膜１３６からマスキングテープを剥離した状態し、補強フィルム１２２の下面にマスキングテープ１２９を貼り付けてビアホール１０６を被蔽した状態で、前記金属薄膜１３６にフォトケミカルファブリケーションによるケミカルエッチングを施して金属めっき層１０７の溶解を防止しながら前記銅薄膜に配線パターン１０４、ダイパッド１０５を形成する。
次に、図８（ｆ）に示すように補強フィルム１２２からマスキングテープ１２９を剥離すると共に、配線パターン１０４の被絶縁部に対して熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布した後、熱硬化又は感光により硬化させることにより、配線パターン１０４の被絶縁部をソルダーレジストからなる絶縁部材１０８で被覆する。
この後に、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、金属めっき層１０７に対してそれぞれ下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層し、機能めっき層１０９を形成する。
最後に、図８（ｇ）に示すように、ＰＥＴフィルムからなる補強フィルム１２２及び微粘着性接着剤層１２１を剥離し、配線基板１００の製造を終了する。
この後、パッケージ製造工程に進み、図２で説明したように、配線基板１００の配線パターン１０４側において、電子部品１１１を搭載し、この後、ボンディングワイヤ１１３、封止樹脂によるモールドを行い、はんだボール１１４を接合して電子装置２０１の製造を終了する。
【００４９】
（第６実施形態の効果）
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍに対して、この実施形態にかかる配線基板の総厚は、1５μｍであり、薄型化を達成できた。
（２）テープ製造時においては、絶縁性フィルムに補強フィルムが貼り付けられていて、総厚が１１８μｍのため、従来と同等の機械的強度があり、連続搬送が可能である。
（３）キャリア層を有する複合金属テープを用い、複合テープとの接合の際巻き取り張力に対する機械的強度が十分になる。また、キャリア層を剥離すると、ベースフィルム上にわずか３μｍという極めて薄い金属薄膜を積層した基材が獲られるので配線基板の軽薄短小が実現される。
（４）ビアホールに対する金属めっきの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この実施形態にかかる配線基板の所要時間は１１分で終了し、従来と比較して生産性がはるかに向上した。
（５）本実施形態に係る電子装置は、配線基板の薄型化により、軽薄短小が実現される。
【００５０】
なお、本発明に係る第１実施形態〜第６実施形態では、ワイヤボンディング及びはんだボール実装タイプのＢＧＡパッケージを前提としたが、この実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱するあるいは変更しない範囲内で種々の変形が可能である。
例えば、
（１）電子装置用の配線基板の製造時のベースフィルムとして最も一般的なポリイミドフィルムを使用し、補強フィルムには安価なＰＥＴ材料を用いた構造としたが、要求性能やコストを考慮の上、金属箔、樹脂フィルム等、別の素材を使用することも可能である。
（２）要求された絶縁信頼性や設計寸法を考慮の上、熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを使用したが、要求特性に応じて省略することも可能であるし、感光性ソルダーレジストやカバーレイなどを使用することも可能である。
（３）前記した第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態における機能めっきには、ワイヤボンディング及びはんだボール実装タイプＢＧＡパッケージを前提として、金／ニッケルの２層のめっき構成を示したが、これに限定されるものではなく、電子部品の組立法、特に、部品と基板との電気的接続方法および組み立てられた部品のプリント配線基板への実装方法によっては、適正な種類と厚さを自由に組み合わせるようにしてもよい。
（４）前記各実施の形態においては、はんだボールを接合したＢＧＡパッケージを前提としたが、はんだボールを接合せず、ビアホールからの金属はんだ層の突き出し量を大きくしてこれを面実装のＬＧＡパッケージやコンデンサ用部品などに応用することが可能である。
【００５１】
（５）また、特許文献１に開示された下式を用いると右辺が０の場合に金属めっき層が不要となるので、
Ｔ≧Ｄ−[ｒ−（ｒ2−Ｒ2）１／2]
但し、Ｔ：金属めっき層の必要厚み
ｒ：はんだボールの半径
Ｄ：ビアホールの深さ
Ｒ：はんだボールを搭載するランド（ビアホールの開口）の半径
絶縁性フィルムの厚みを１２μｍ又はそれ以下とした場合は、金属めっき層を廃止し、はんだボールを、配線パターンの他端部下面に直接接続するようにしてもよいし、配線パターンの他端部の裏面を回路基板の表面から突き出した接点に直接、はんだ付けするようにしてもよい。一例としては、ＬＧＡパッケージやコンデンサ用部品などの表面実装部品のはんだ実装が挙げられる。
（６）絶縁性フィルムとして最も一般的なポリイミドフィルムを使用し、補強フィルムには、安価なＰＥＴフィルムを用いた構造としたが、搬送やハンドリングに対する性能やコストを考慮の上、別の樹脂素材を使用することも可能である。
（７）熱硬化性又は感光性のソルダーレジストで被覆する説明をしたが、要求される絶縁性に対する信頼性や設計寸法を考慮の上、廃止することも可能である。
（８）排水処理が容易で低コストの銅のケミカルエッチング溶解液としては、塩化第２鉄系のエッチング液が一般的であるが、塩化銅系のエッチング液や硫酸と過酸化水素水の混合溶液を用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る配線基板の構造を示す断面図である。
【図２】配線基板に電子部品を実装した電子装置の構造を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図８】本発明の第６実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図９】従来の配線基板に電子部品を搭載した従来の電子装置の断面図である。
【図１０】図９の電子装置の平面図である。
【図１１】従来の配線基板を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０１ 絶縁性フィルム
１０４ 配線パターン（導体配線）
１０５ ダイパッド（導体配線）
１２４ 開口
１２２ 補強フィルム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法、配線基板に電子部品を実装した電子装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図９は配線基板に電子部品を搭載した従来の電子装置の断面図、図１０は図９の平面図である。
図示されるように、電子装置1は、配線基板２と電子部品３とで構成されていて、配線基板２の下面のはんだボール４を介してプリント基板等の回線基板（図示せず）に接続する構造となっている。
配線基板２の配線パターン５とダイパッド６とは、絶縁性フィルム７の上面に接着剤層８を介して積層されており、複数の配線パターン５の一端部５ａと電子部品３の端子１０とは、ボンディングワイヤ１１を介して導通している。
ベースフィルムを構成する絶縁性フィルム７と接着剤層８には、厚み方向に貫通する開口によりビアホール１２が形成されている。このビアホール１２は、絶縁性フィルム７側開口１２ａが配線パターン５の他端部５ｂの下面により被蔽されていて、絶縁性フィルム７側と反対側からはんだボール４の接合部を内部へと案内し、配線パターン５の他端部５ｂの下面にはんだ付けする構造となっている。
また、前記配線パターン５、ダイパッド６、電子部品３、ボンディングワイヤ１１は、封止樹脂によってモールド成形された外殻１３に封止されている。
このように、従来の電子装置１は、封止樹脂からなる外殻１３により保護されており、ボンディングワイヤ１１、配線パターン５、はんだボール４を介して電子部品３の端子１０を外部に引き出す構造となっていて、薄い絶縁性フィルム７を用いることによって、配線基板２の薄肉化と軽量化とを実現するようになっている。
【０００３】
また、図１１に示すように、前記配線基板２において、ビアホール１２内に金属めっき層１４を充填し、金属めっき層１４に前記はんだボールを接続する際に、開口の半径をＲ、はんだボール等の球形の外部接続端子の半径をｒ、開口の深さをＤ、金属めっきの厚みをＴとして、Ｔ≧Ｄ−[ｒ−（ｒ2−Ｒ2）1／2]の関係式を満足するように金属めっきの厚みＴを定めると、はんだボール４に対する金属めっき層の厚みが定まり、結果として、ビアホール１２の底が浅くなるので、はんだボール４等の球形の外部接続端子の接続、あるいははんだペースト印刷・リフローにおけるはんだ接合の信頼性が向上することが知られている（特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−０４１３５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、前記配線基板を製造する場合、製造工程は、テープを製造するテープ製造工程と、テープ製造工程で製造したテープに電子部品を実装するパッケージ工程とに分かれており、テープ製造工程では、絶縁性フィルムからなる樹脂テープと、配線パターンやダイパッドを形成するための導体配線となる銅薄膜テープとを互いに対向させてそれぞれ一方のリールから他方のリールに巻き取りながら接着剤で貼り合せ、この後、銅薄膜にケミカルエッチングを施して配線パターンとダイパッドとを形成しているが、樹脂テープと銅薄膜テープとの貼り合わせの工程や銅薄膜のケミカルエッチングの工程では、樹脂テープと銅薄膜テープの巻き取りの際に、樹脂テープや銅薄膜テープに伸びが生じて弛みやずれが発生することがある。このような場合、これらのテープに皺や折り曲げ部が発生してしまい、製造不良となってしまうので、巻き取り張力に対応した厚みの樹脂テープや銅薄膜テープを選定せざるを得ない。従って、従来は、絶縁性フィルムの材料に厚み５０〜１００μｍのポリイミドテープを、銅薄膜の材料に厚み１２〜３５μｍの銅薄膜テープを選定し、ポリイミドテープに厚み１０〜２０μｍのエポキシ系の接着剤を積層した後、接着剤により、相互を重ねて接合しているが、配線基板の厚みは、ポリイミドフィルム、接着剤、銅薄膜の厚みを合わせた７２〜１５５μｍと厚くなってしまう。
【０００６】
また、ベースフィルムが７２〜１５５μｍと厚くなってしまうと、ビアホールも深くなってしまい、一般的な硫酸銅めっき浴により、適正電流密度２〜５A／ｄｍ2で金属めっき層を形成する場合では、めっきの所要時間が単純計算で５０〜１４０分となってしまい、配線基板の生産性が低下してしまう。
【０００７】
このように、配線基板をテープから製造する場合、電子部品の実装に支障がない薄さのテープであっても、搬送やハンドリングの際の機械的強度が不足してしまい、テープに伸びが生じたり挙動が不安定となってしまうことがあり、厚いテープを使用せざるを得ない実情にある。
【０００８】
そこで、本発明は、配線基板の薄型化を実現するために上記課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１記載の発明は、絶縁性フィルムに接着剤層を積層すると共にその反対側面に補強フィルムを剥離可能に積層した複合テープの外部配線の配線部に対して厚み方向に貫通する開口を形成する工程と、金属薄膜を前記複合テープに前記接着剤層を介して積層する工程と、前記開口内に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むものである。ここで、絶縁性フィルムは配線基板の薄肉化を達成できる厚みとなっており、補強フィルムは、絶縁性フィルムの機械的強度を搬送やハンドリングに支障のないように補強できる機械的強度を有している。このため、搬送やハンドリングに対する絶縁性フィルムの機械的強度不足が解消され、配線基板の薄肉化が可能となる。複合テープの外部配線の配線部に開口を形成し、樹脂テープの接着剤層に金属薄膜を重ねて貼り付けると、開口がビアホールとなり、外部接続端子や回線基板の接続端子のはんだ付けが可能となる。
【００１０】
請求項２記載の発明は、金属薄膜に樹脂のキャスティングにより絶縁性フィルムを積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して前記絶縁性フィルムに補強フィルムを積層した複合テープの外部配線接続部に対して前記補強フィルム側からレーザを照射することにより前記補強フィルム及び前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成する工程と、前記開口に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むものである。
【００１１】
請求項３記載の発明は、絶縁性フィルムに金属めっきにより導体配線となる金属薄膜を積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して金属薄膜と反対側面に補強フィルムを積層した複合基材の外部配線接続部に対して補強フィルム側からレーザを照射することにより補強フィルム及び絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成する工程と、前記開口に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合基材から前記補強フィルムを剥離する工程とを含むものである。
【００１２】
請求項４記載の発明は、絶縁性フィルムに接着剤層を積層すると共にその反対側面に補強フィルムを剥離可能に積層した複合テープの外部配線の配線部に対して厚み方向に貫通する開口を形成する工程と、金属を素材としたキャリア層に剥離可能層を介して金属薄膜を積層した複合金属テープの金属薄膜を前記複合テープの接着剤層に対向させてラミネートした後、前記複合金属テープから前記キャリア層を剥離する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むものである。
【００１３】
請求項５記載の発明は、金属を素材としたキャリア層に剥離可能層を介して金属薄膜を積層した後、樹脂のキャスティングにより前記金属薄膜に絶縁性フィルムを積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して前記絶縁性フィルムに補強フィルムを積層して複合テープを形成する工程と、前記複合テープの外部配線接続部に前記補強フィルム側からレーザを照射して前記補強フィルム及び前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成した後、前記キャリア層を剥離する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とする工程とを含むものである。
【００１４】
請求項６記載の発明は、請求項１〜５いずれかに記載の発明において、前記絶縁性フィルムの厚みを４０μｍ以下とし、前記補強フィルムの厚みを５０μm以上としたものである。
このように前記絶縁性フィルムの厚みを４０μｍ以下とし、前記補強フィルムの厚みを５０μｍ以上とすると、配線基板が薄肉化され、軽量化される。この場合前記絶縁性フィルムの厚みを２５μｍ以下とすると、配線基板がより薄肉化され、より軽量化される。
【００１５】
請求項７記載の発明は、請求項１〜６いずれかに記載の発明において、前記補強フィルムが、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレートより選択した１つの樹脂素材で形成され、微粘着性の接着剤を介して前記絶縁性フィルムに貼り合せ可能なフィルム材料である。
【００１６】
請求項８記載の発明は、請求項１〜７いずれかに記載の絶縁性フィルムに電子部品を搭載する工程と、前記電子部品の端子と前記導体配線とを電気的に接続する工程と、前記電子部品及び導体配線を含む前記絶縁性フィルムの電子部品側を絶縁性の封止樹脂に封止する工程とを含むものである。
絶縁性フィルムが薄いので、電子部品を実装した電子装置の軽薄短小が実現される。また、実装部が絶縁性の樹脂からなる外殻に封止され保護されるので取り扱いが容易になる。
【００１７】
請求項９記載の発明は、絶縁性フィルムに電子部品を実装するための導体配線が積層された配線基板において、前記絶縁性フィルムが厚さ４０μｍ以下の樹脂フィルムから構成されると共に、前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する開口が、前記絶縁性フィルムの外部配線の配線部に設けられ、前記絶縁性フィルムの前記導体配線側と反対側面に厚さ５０μｍ以上の補強フィルムが剥離可能な接着剤を介して貼り付けられたものである。なお、金属薄膜には、圧延による箔、めっきによる薄膜が含まれるものとする。
このように、絶縁性フィルムに補強フィルムを剥離可能に積層し、搬送やハンドリングの際の絶縁性フィルムの強度不足を補うように構成すると、絶縁性フィルムの厚みを従来よりも薄くすることが可能となる。絶縁性フィルムが薄くなると、開口の深さも浅くなるので、外部接続端子との直接接合や、金属めっき層を介して接合する際の接合信頼性が向上する。
この場合、絶縁性フィルムの厚みを２５μm以下とすると、より薄く軽い配線基板となる。また、開口の深さも大幅に浅くなるので、導体配線裏面に対する外部接続端子の接合の信頼性が大幅に向上する。
【００１８】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の発明において、前記導体配線が前記絶縁性フィルムに直接又は接着剤層を介して積層されたものである。
接着剤層を介して導体配線を接合すると、その分厚みが増すが、接合がしやすく作業性がよい。絶縁性フィルムに導体配線を直接接合すると、接着剤が不要となる分、配線基板の厚みが薄くなり、軽くなる。
【００１９】
請求項１１記載の発明は、請求項９又は請求項１０記載の発明において、前記開口内に前記導体配線と導通可能に金属めっきが形成され、前記金属めっき層の開口深さ方向の厚みが前記開口の深さとほぼ同じにしたものである。
開口内に前記導体配線と導通可能な金属めっき層が形成され、前記金属めっき層の開口深さ方向の厚みが開口の深さとほぼ同じになると、金属めっき層の表面がベースフィルムの裏面とほぼ面一となるので、外部接続端子又は回路基板の端子を接合するときの接合の信頼性が格段に向上する。また、開口の深さが浅くなり、金属めっき層のめっき所要時間が短縮されるので、配線基板の生産性が向上する。
【００２０】
請求項１２記載の発明は、請求項１１記載の発明において、前記金属めっき層が、銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した1つ又は選択した２以上の金属の合金からなる単一層又は銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した異種金属の単一層同士を積層した複数層のめっき層又は異種合金の単一層同士を積層した複数層のめっき層からなるものである。
このようにすると、金属めっき層に対する外部接続端子の接合性が良好になる。
【００２１】
請求項１３記載の発明は、請求項９〜１２いずれかに記載の発明において、前記配線基板が、銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した1つ又は選択した２以上の金属の合金からなる単一層又は銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した異種金属の単一層同士を積層した複数層のめっき層又は異種合金の単一層同士を積層した複数層のめっき層からなる機能めっき層で被覆されたものである。
このようにすると、配線基板の材質に対応した配線が可能となる。
【００２２】
請求項１４記載の発明は、請求項９〜１３いずれかに記載の発明において、前記導体配線の被絶縁部にこれを覆って熱硬化性又は感光性のソルダーレジスト、カバーレイから選択した１つの絶縁性部材が設けられたものである。
被絶縁部が絶縁部材により絶縁されるので、ショートによる回路の損傷が防止される。
【００２３】
請求項１５記載の発明は、請求項９〜１４いずれかに記載の絶縁性フィルムに電子部品が搭載され、前記電子部品の端子と前記導体配線とがボンディングワイヤを介して接続され、且つ、前記電子部品及び前記導体配線を含んで前記絶縁性フィルムの電子部品実装側が絶縁性の封止樹脂からなる外殻内に封止されたものである。
絶縁性フィルムが薄いので、電子部品を実装した電子装置の軽薄短小が実現される。また、実装部が絶縁性の樹脂からなる外殻に封止され保護されるので取り扱いが容易になる。
【発明の効果】
【００２４】
以上、説明したことから明らかなように本発明によれば次の如き優れた効果を発揮する。
（１）製造工程で補強テープを貼り付けて絶縁性フィルムの機械的強度の不足を補うことができるので、４０μｍ以下の薄い絶縁性フィルムを用いることが可能となり、配線基板の薄肉化及び軽量化を達成することができる。
（２）絶縁性フィルムの厚みが薄くなるので、開口を通じて導体配線に対する球形の外部接続端子や回路基板の接続端子の接合の信頼性が大幅に向上する。
（３）絶縁性フィルムの厚さが薄くなるので、開口内に金属めっきを充填する場合に、めっき時間を大幅に短縮でき、配線基板の生産性が向上する。
（４）配線基板に半導体装置等の電子装置を搭載した電子装置の軽薄短小を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して本発明に係る実施の形態を説明する。
まず、図１及び図２を参照して本実施形態に係る配線基板及び電子装置の構成について説明する。
【００２６】
図１は本発明に係る配線基板の構造を示す断面図である。
図示されるように、配線基板１００は、絶縁性フィルム１０１に接着剤層１０２を積層したベースフィルム１０３と、絶縁性フィルム１０１に接着剤層１０２を介して積層された導体配線としての複数の配線パターン１０４及びダイパッド１０５と、絶縁性フィルム１０１及び接着剤層１０２を厚み方向に沿って貫通する開口からなるビアホール１０６と、ビアホール１０６内に充填された金属めっき層１０７とから構成される。
前記絶縁性フィルム１０１は、４０μｍ以下の絶縁性のポリイミドテープで構成されており、導体配線としての各配線パターン１０４及びダイパッド１０５は、８μｍ以下の金属薄膜で構成されている。
各配線パターン１０４は、それぞれダイパッド１０５の外周縁部１０５ａとの間に間隔を隔ててダイパッド１０５の周囲に配置されており、ダイパッド１０５から絶縁性フィルム１０１の外周縁部に向かって所定長さ延びている。
各ビアホール１０６は、絶縁性フィルム１０１の外部配線の配線部、すなわち、ダイパッド１０５の外周縁部１０５ａから外側に所定距離隔てた絶縁性フィルム１０１の外周部側で且つ各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの下に配置されており、配線パターン１０４の他端部１０４ｂ下面によって配線パターン１０４の他端部１０４ｂ側の開口１０６ｂが被蔽された、いわゆるブラインド型ビアホールとなっている。また、ビアホール１０６内には、接着剤層１０２側と反対側の絶縁性フィルム１０１の下面とほぼ面一の深さに金属めっき層１０７が充填されている。
各配線パターン１０４の一端部１０４ａ、ダイパッド１０５の露出面及び金属めっき層１０７の表面は、下地ニッケルめっき、金めっきを順次積層した機能めっき層１０９でそれぞれ覆われており、ベースフィルム１０３の他端部１０４ｂ上面は、熱硬化性又は感光性のソルダーレジスト、カバーレイ等の絶縁部材１０８によって覆われている。また、前記金属めっき層１０７は、銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズ、又はそれらの合金からなる単一層、又は銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズ、又はそれらの合金から選択した異種金属の単一層同士又は２以上の異種金属の合金からなる単一層同士を積層しためっき層で構成されており、配線パターン１０４の他端部１０４ｂ側の下面と電気的に接合されている。
【００２７】
図２は前記配線基板１００に電子部品１１１を実装した電子装置２０１の構造を示す断面図である。
電子装置２０１は、配線基板１００と、前記ダイパッド１０５に実装する電子部品１１１と、電子部品１１１の各端子１１２を、配線パターン１０４に接続するためのボンディングワイヤ１１３とで構成されている。電子部品１１１は、ダイぺースト（図示せず）を介して前記ダイパッド１０５の表面を覆う機能めっき層１０９上に搭載されており、電子部品１１１の各端子１１２は、ボンディングワイヤ１１３を介して、接続すべき配線パターン１０４の一端部１０４ａに接続されている。
これらの電子部品１１１、配線パターン１０４、ダイパッド１０５及びボンディングワイヤ１１３は、封止樹脂によるモールド成形による外殻１１５に封止され、保護される。そして、各はんだボール１１４は、モールド成形後に、金属めっき層１０７の表面を覆う機能めっき層１０９にはんだ付けされている。
前記金属めっき層１０７のビアホール深さ方向の厚みは、ポリイミドテープからなる絶縁性フィルム１０１の厚みに接着剤層１０２の厚みを加えた厚みとほぼ同じであり、金属めっき層１０７に積層されている機能めっき層１０９の表面が絶縁性フィルム１０１の裏面よりも下方に位置している。このため、はんだボール１１４と機能めっき層１０９との接続を外部から視認することが可能となり、相互の接合の信頼性が大幅に向上する。また、本実施形態では、絶縁性フィルム１０１の厚みが４０μm以下であり、従来よりも薄くなっているため、めっき時間が大幅に短縮され、配線基板１００及び電子装置２０１の生産性が大幅に向上する。
【００２８】
以下、図３乃至図８を参照して前記配線基板の製造方法の実施形態を説明する。なお、以下の説明において、形状及び機能が同じ構成部については基本的に同一符号を付すものとする。
[第１実施形態]
図３は第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
図３（ａ）に示すように、厚さ１２．５μｍのポリイミドテープからなる絶縁性フィルム（例えば、宇部興産製 ユーピレックスＳシリーズ）１０１に、厚さ１２μｍの接着剤層（例えば、巴川製紙所製 Ｘシリーズ）１０２を貼り合せたベースフィルム１０３の接着剤層１０２側と反対側面に、剥離可能な３μｍ厚の微粘着性接着剤層１２１を介して厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート製フィルム（ＰＥＴフィルム）からなる補強フィルム１２２を貼り合わせた４層構成の複合テープ１２３を用意する。
ここで、複合テープ１２３の絶縁性フィルム１０１及び接着剤層１０２を合わせた厚みは２５μｍと薄くなっているが、厚み５０μｍの補強フィルム１２２の貼り合せによって従来のベースフィルムとほぼ同じ厚さとなっているので、リールからリールに巻き取る搬送の際の機械的強度が充分となり、伸び等の変形が発生することがない。
次に、前記複合テープ１２３を、一方のリール（図示せず）から他方のリール（図示せず）に巻き取りながら、金型（図示せず）によるプレス打ち抜きによって図３（ｂ）に示すように、複合テープ１２３に対する外部配線の配線部、すなわち、図１に示した配線パターン１０４の形成部で且つ配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部に対して複合テープ１２３を厚み方向に貫通する開口１２４を形成し、その結果として、ベースフィルム１０３、すなわち、絶縁性フィルム１０１と接着剤層１０２とにビアホール１０６を形成する。
【００２９】
次に、前記複合テープ１２３と、導体配線となる金属薄膜、すなわち、前記配線パターン１０４とダイパッド１０５となる厚さ１８μｍの電解性銅薄膜（例えば、三井金属製ＦＱ−ＶＬＰ薄膜等）１２５とを互いに対向させた状態で複合テープ１２３と電解性銅薄膜１２５とを一方のリールから他方のリールに巻き取りながら、図３（ｃ）に示すように上下又は左右一対のロール１２６，１２６間を通し、ラミネートにより両者を貼り合せて５層の基材１２７を製造する。
基材１２７は、表層側から下層に向かって、厚さ１８μｍの電解性銅薄膜１２５、厚さ１２μｍの接着剤層１０２、厚さ１２．５μｍの絶縁性フィルム１０１、厚さ３μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚さ５０μｍの補強フィルム１２２の５層構成となり、全体の総厚は９５．５μｍとなる。また、ビアホール１０６は、電解性銅薄膜１２５のラミネートによってベースフィルム１０３側の開口１０６ａが電解性銅薄膜１２５で塞がれた、いわゆる、ブラインド型のビアホールとなる。
【００３０】
基材１２７の製造を終了すると、図３（ｄ）に示すように、電解性銅薄膜１２５に、マスキングテープ１２８を貼り付けて、電解めっき法でビアホール１０６内のみに導電性金属、例えば、銅めっきを充填し、金属めっき層１０７を形成する。
この場合、ビアホール１０６の直径を従来と同じにし、銅めっきの充填量、すなわち、ビアホール１０６の深さ方向の金属めっき層１０７の厚みを、絶縁性フィルム１０１と接着剤層１０２との厚みの合計とほぼ同じ２４．５μｍを狙い値とし、めっき液に、一般的な硫酸銅めっき液を使用して、めっきの電流密度５Ａ／ｄｍ2とすると、所要時間２２分で、ビアホール１０６と同じ深さ換言すると、ベースフィルム１０３の下面と面一の金属めっき層１０７がビアホール１０６内に形成された。これにより、めっきの所要時間は、従来の５０分から２２分に短縮された。
【００３１】
次に、図３（ｅ）に示すように、補強フィルム１２２にマスキングテープ１２９を貼り付け、電解性銅薄膜１２５を覆っていたマスキングテープ１２８を剥離して金属めっき層１０７の溶解をマスキングテープ１２９により防止しながら前記電解性銅薄膜１２５にフォトファブリケーションによるケミカルエッチングを施し、電解性銅薄膜１２５から不要な部分を取り除くことにより配線パターン１０４と前記ダイパッド１０５とを形成する。
【００３２】
フォトファブリケーションによるケミカルエッチングを終了すると、次に、図３（ｆ）に示すように、開口１２４を被蔽しているマスキングテープ１２９を補強フィルム１２２から剥離し、続いて、配線パターン１０４の被絶縁部に対して硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布し、熱硬化又は感光により絶縁部材１０８を形成すると共に、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、及び金属めっき層１０７の露出面に、機能めっきとしての下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層させてそれぞれ前記機能めっき層１０９を積層する。
最後に、図３（ｇ）に示すように、絶縁性フィルム１０１から補強フィルム１２２を剥離して配線基板１００の製造を終了し、この後、パッケージ工程へと供給する。
【００３３】
パッケージ工程では、図２で説明したように、電子部品１１１をダイパッド１０５にダイペーストを介して搭載した後、金線からなるボンディングワイヤ１１３により電子部品１１１の各端子１１２と配線パターン１０４の一端部１０４ａとをそれぞれ接続し、この後、封止樹脂によるモールドにより、電子部品１１１、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、ボンディングワイヤ１１３を外殻１１５内に封止する。そして、最後に、各はんだボール１１４を各ビアホール１０６に充填した金属めっき層１０７の表層の機能めっき層１０９にはんだ付けして電子装置２０１のパッケージ工程を終了する。
【００３４】
（第１実施形態の効果）
この実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍであったが、この実施形態にかかる配線基板の総厚は４２．5μｍであり、薄型化が達成された。
（２）さらに、テープ製造工程においては、ベースフィルムに補強フィルムが貼り付けられていて総厚が９５．５μｍとなっているので従来と同等の機械的強度があるので、巻き取りによる連続搬送が可能となる。
（３）ビアホールの金属めっき層の充填が終了するまでの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この実施形態にではめっきの所要時間が２２分となるので、従来と比較して配線基板の生産性が大幅に向上する。
（４）配線基板の薄型化が達成され、電子部品を搭載した電子装置の薄型化が達成される。
【００３５】
[実施の形態２]
図４は第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【００３６】
図４（ａ）に示すように、まず、導体配線となる金属薄膜としての厚さ１２μｍの電解性銅薄膜１２５の下面にポリイミド前駆体ワニスを塗布しながら熱硬化させるいわゆるキャスティング法により、厚さ４０μｍのポリイミドフィルムからなる絶縁性フィルム１０１を積層した２層構成のテープ材（例えば、新日鐵化学製エスパネックシリーズ）１２０を用い、その電解性銅薄膜１２５側と反対側の絶縁性フィルム１０１に、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルムからなる補強フィルム１２２を、再剥離が可能な３μｍ厚の微粘着性接着剤層１２１を介して貼り合わせて複合化した複合基材１３０を用意する。
複合基材１３０は、表層側から下層側に、厚み１２μｍの電解性銅薄膜１２５、厚み４０μｍの絶縁性フィルム１０１、厚み３μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚み５０μｍの補強フィルム１２２からなる４層構成となり、総厚は１０５μｍとなる。このような複合基材１３０において、絶縁性フィルム１０１の厚みは４０μｍ、電解性銅薄膜１２５の厚みは１２μｍと薄くなるが、厚み５０μｍの補強フィルム１２２を貼り付けると従来のベースフィルムと同等の厚みとなるので、リールからリールに巻き取る搬送の際の機械的強度が充分になり、伸び等の変形が発生することがない。
【００３７】
次に、一方のリール（図示せず）から他方のリール（図示せず）に複合基材１３０を巻き取りながら、図４（ｂ）に示すように、前記複合基材１３０の外部配線接続部、すなわち、電解性銅薄膜１２５の各配線パターン１０４の形成部で各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部に向けて複合基材１３０の補強フィルム１２２側、すなわち、裏面側から高密度エネルギビームである炭酸ガスレーザビームを照射することにより、複合基材１３０に、補強フィルム１２２、微粘着性接着剤層１２１及び絶縁性フィルム１０１を厚み方向に貫通する一連の開口１２４を形成し、その結果として前記絶縁性フィルム１０１にビアホール１０６を形成する。ビアホール１０６は、電解性銅薄膜１２５側の開口１０６ａが電解性銅薄膜１２５の配線パターン形成部の他端部下面によって塞がれたブラインド型のビアホールとなる。
このように絶縁性フィルム１０１及び電解性銅薄膜１２５が補強フィルム１２２により補強され、補強フィルム１２２により巻き取り時の巻取り張力に対して機械的強度を実質的に増加するので、巻き取りの際に、伸びや厚みの変化がない。このため、正確な位置にビアホール１０６が形成される。
続いて、図４（ｃ）に示すように、電解性銅薄膜１２５の上面にマスキングテープ１２８を貼り付けた後、一方のリールから他方のリールに複合基材１３０を巻き取りながら電解めっき法でビアホール１０６内のみに前記開口１２４を通じて銅の充填めっきを施し、金属めっき層１０７を形成する。
【００３８】
ここで、金属めっき層１０７のビアホール１０６の深さ方向の厚みは、絶縁性フィルム１０１の厚みと同じ４０μｍを狙い値とし、めっき液には一般的な硫酸銅めっき液を使用する。そして、めっきの電流密度を５Ａ／ｄｍ2とすると、３６分のめっきの所要時間で、ビアホール１０６深さ方向にビアホール１０６の深さとほぼ同じ厚さの金属めっき層１０７が形成された。
次に、図４（ｄ）に示すように、エッチングによる前記金属めっき層１０７が溶解することを防ぐため補強フィルム１２２の下面にマスキングテープ１２９を貼り付け、電解性銅薄膜１２５からマスキングテープ１２８を剥離した状態で電解性銅薄膜１２５にフォトファブリケーションによるケミカルエッチングを施して配線パターン１０４とダイパッド１０５とを形成する。配線パターン１０４とダイパッド１０５の形成を終了すると、次に、図４（ｅ）に示すように、補強フィルム１２２の下面からマスキングテープ１２９を剥離すると共に、配線パターン１０４の被絶縁部に対して絶縁部材１０８としてのソルダーレジストを塗布し、熱硬化させた後に、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、銅めっき層１０７に対してそれぞれ下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層し、機能めっき層１０９を形成する。
最後に、図４（ｆ）に示すように、補強フィルム１２２及び微粘着性接着剤層１２１を剥離し、配線基板１００の製造を終了する。この後、図２に示すように配線基板１００のダイパッド１０５に電子部品１１１を実装した後、金線によるボンディングワイヤ１１３、封止樹脂によるモールドを行い、はんだボール１１４を接合すると、電子装置２０１のパッケージ工程が終了する。
【００３９】
（第２実施形態の効果）
この実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍであったが、この実施形態にかかる配線基板の総厚は５２μｍとなり、薄型化を達成することができた。
（２）さらに、テープ製造工程においては、補強フィルムを貼り付けによって、複合基材の総厚を１０５μｍとするので従来と同等の機械的強度が得られ、複合基材の巻取りによる連続搬送が可能となる。
（３）充填めっきの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この実施形態にかかる配線基板の所要時間は３６分で終了するので、従来と比較して生産性が大幅に向上する。
（４）配線基板の薄型化が達成されているので、電子部品を搭載した電子装置の薄型化を達成することができる。
【００４０】
[第３実施形態]
図５は第３実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
図５（ａ）に示すように、まず、厚さ３８μｍのポリイミドテープからなる絶縁性フィルム（例えば、東レ製 カプトンＥＭ）１０１に無電解めっき又は電解めっき法で導体配線となる金属薄膜として厚さ８μｍの銅めっき層１３１を積層したテープ（例えば、住友金属鉱山製エスパーフレックスシリーズ）を用い、その絶縁性フィルム１０１側に厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルムからなる補強フィルム１２２を、再剥離が可能な３μｍ厚の微粘着性接着剤層１２１を介して貼り合わせた４層構成の複合基材１３２を用いる。このような複合基材１３２は、表層側から下層側に、厚み８μｍの銅めっき層１３１、厚み３８μｍの絶縁性フィルム１０１、厚み３μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚み５０μｍの補強フィルム１２２からなる４層構成となり、その総厚は９９μｍとなる。
この複合基材１３２は、絶縁性フィルム１０１の厚みが４０μｍ、銅めっき層１３１の厚みが８μｍと薄くなるが、厚み５０μｍの補強フィルム１２２の貼り合せによって従来のベースフィルムと同等の厚みとなるので、リールからリールに巻き取る搬送の際の機械的強度が充分になり、伸び等の変形が発生することがない。
次に、複合基材１３２を一方のリール（図示せず）から他方のリール（図示せず）に巻き取りながら図５（ｂ）に示すように複合基材１３２の外部配線接続部、すなわち、配線パターン１０４の形成部で且つ各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部に向けて補強フィルム１２２側から高密度エネルギビームである炭酸ガスレーザのビームを照射し、補強フィルム１２２、微粘着性接着剤層１２１及び絶縁性フィルム１０１を厚み方向に貫通する一連の開口１２４を形成し、その結果として、ビアホール１０６を形成する。ビアホール１０６は、銅めっき層１３１側の開口１０６ａが銅めっき層１３１の配線パターン形成部の他端部下面によって塞がれたブラインド型のビアホールとなる。
次に、図５（ｃ）に示すように、銅めっき層１３１の上面にマスキングテープ１２８を貼り付けてビアホール１０６を被蔽し、この後、電解めっき法で開口１２４を通じてビアホール１０６内のみに銅の充填めっきを施し、ビアホール１０６内に金属めっき層１０７を形成する。金属めっき層１０７のビアホール深さ方向の厚みは、ポリイミドテープからなる絶縁性フィルム１０１の膜厚と同じ３８μｍを狙い値とし、めっき液に一般的な硫酸銅めっき液を使用する。この場合、めっきの電流密度５Ａ／ｄｍ2とすると、所要時間３４分で絶縁性のベースフィルム１０３の膜厚と同じ３８μｍの厚みの銅めっき層１３１が絶縁性のベースフィルム１０３の裏面とほぼ面一に形成された。
次に、図５（ｄ）に示すように、マスキングテープ１２８を銅めっき層１３１から剥離し、補強フィルム１２２側の面にマスキングテープ１２９を貼り付けた状態として前記金属めっき層１１０がエッチングにより溶解することを防ぎながら前記銅めっき層１３１にフォトファブリケーションによるケミカルエッチングを施し、配線パターン１０４とダイパッド１０５とを形成する。
エッチングの終了後は、図５（ｅ）に示すように、マスキングテープ１２９を剥離した後に、配線パターン１０４の被絶縁部に熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布し、熱硬化又は感光により被絶縁部をソルダーレジストからなる絶縁部材１０８で覆い、次に、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、銅めっき層１０７に対してそれぞれ下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層し、機能めっき層１０９を形成する。
最後に、図５（ｆ）に示すように、ＰＥＴフィルムから成る補強フィルム１２２及び微粘着性接着剤層１２１を剥離し、配線基板の製造を終了する。
この後、第１実施形態と同様、図２に示すように、配線基板１００の配線パターン１０４側において、電子部品１１１を搭載した後、金線によるボンディングワイヤ１１３を接続し、封止樹脂によるモールドを行ってはんだボール１１４を接合すると電子装置の製造が終了する。
【００４１】
（第３実施形態の効果）
この実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍであったが、この第３実施形態にかかる配線基板の総厚は４６μｍであるので、薄型化を達成することができた。
（２）さらに、テープ製造工程では、補強フィルムの貼り付けによって複合基材の総厚が９９μｍとなるので従来と同等の機械的強度があり、複合基材の連続搬送が可能となる。また、補強フィルムを貼り付けた状態では十分な機械的強度があるので、搬送以外のハンドリングも容易である。
（３）充填めっきの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この第３実施形態にかかる配線基板の所要時間は３４分で終了するので、生産性が大幅に向上する。
（４）配線基板の薄型化が達成され、電子部品を搭載した電子装置の薄型化を達成することができる。
【００４２】
[第４実施形態]
図６は第４実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
まず、図６（ａ）に示すように、厚さ１２．５μｍのポリイミドテープからなる絶縁性フィルム（例えば、宇部興産製 ユーピレックスＳシリーズ）１０１に厚さ８μｍの接着剤層１０２（例えば、巴川製紙所製 Ｘシリーズ）を貼り合せたベースフィルム１０３の接着剤層１０２側と反対側面に、剥離可能な３μｍ厚の微粘着性接着剤層１２１を介して厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート製フィルム（ＰＥＴフィルム）からなる補強フィルム１２２を貼り合わせた４層構成の複合テープ１３３を用意する。
次に、図６（ｂ）に示すように、この複合テープ１３３の外部配線の配線部、すなわち、図１に示した配線パターン１０４の形成部で且つ各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部にプレス加工による打ち抜きを施して補強フィルム１２２、微粘着性接着剤層１２１、絶縁性フィルム１０１及び接着剤層１０２を厚み方向に貫通する開口１２４を形成し、その結果として、ベースフィルム１０３にビアホール１０６を形成する。
続いて、図６（ｃ）に示すように、厚み１８μｍの圧延銅薄膜からなるキャリア層１３４の下面に、めっき法による成膜により、厚み０．０１μｍの剥離可能な剥離可能層１３５、例えば、Ｎｉ等の合金層などを積層し、この剥離可能層１３５の下面に銅薄膜からなる厚さ３μｍの金属薄膜１３６を成膜により積層した複合金属テープ１３８を用意する。
次に、複合テープ１３３の接着剤層１０２と複合金属テープ１３８の金属薄膜１３６とを互いに対向させた状態で一対のリールの一方から他方に複合金属テープ１３８を巻き取りながら上下又は左右一対のロール１２６，１２６間を通してロール１２６，１２６によるラミネートにより両者を貼り合せて７層の複合基材１３７とする。この後、図６（ｄ）に示すように、剥離可能層１３５ごとキャリア層１３４を金属薄膜１３６から剥離して基材１３９とする。基材１３９は、表層側から下層に、厚み３μｍの導体配線としての金属薄膜１３６、厚み８μｍの接着剤層１０２、厚み１２．５μｍの絶縁性フィルム１０１、厚み３μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚み１００μｍの補強フィルム１２２の５層構成となり、総厚は、１２６．５μｍとなる。また、前記ビアホール１０６の絶縁性フィルム１０１側の開口１０６ａは、極薄の金属薄膜１３６で被蔽された、いわゆるブラインド型のビアホールとなる。
このように、本実施の形態では、予め、導体配線となる金属薄膜１３６を圧延銅薄膜からなるキャリア層１３４で補強し、また、絶縁性フィルム１０１を補強フィルム１２２で補強することで、リールからリールに巻き取る際の張力に起因する絶縁性フィルム１０１の伸び、金属薄膜１３６の伸びを防止する。
また、厚み５０μｍの補強フィルム１２２の貼り合せによって従来のベースフィルムと同等の厚みとなっているので、リールからリールに巻き取る搬送の際の機械的強度が充分になり、伸び等の変形が発生することがない。
【００４３】
次に、図６（ｅ）に示すように、前記金属薄膜１３６の上面にマスキングテープ１２８を貼り付け、この状態で電解めっきにより、ビアホール１０６内のみに金属めっきとしての銅充填めっきを施し、ビアホール１０６の内部に、金属めっき層１０７を形成する。銅めっきの充填量は、前記接着剤層１０２の厚みと前記絶縁性フィルム１０１の厚みとを合計した２０．５μｍを狙い値とする。めっき液に一般的な硫酸銅めっきを使用し、電流密度を５Ａ／ｄｍ2としてめっきを施すと、ビアホール深さ方向の厚みが２０．５μｍの金属めっき層１０７が所要時間１９分で形成された。
金属めっき層１０７の形成後は、図６（ｆ）に示すように、金属薄膜１３６からマスキングテープ１２８を剥離し、補強フィルム１２２にマスキングテープ１２９を貼り付けてビアホール１０６を被蔽した状態で前記金属薄膜１３６にフォトケミカルファブリケーションによるケミカルエッチングを施して前記ダイパッド１０５、配線パターン１０４を形成する。
【００４４】
次に、図６（ｇ）に示すように補強フィルム１２２からマスキングテープ１２９を剥離し、配線パターン１０４の被絶縁部に対して熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布し、熱硬化又は感光により配線パターン１０４の被絶縁部をソルダーレジストからなる絶縁部材１０８で覆い、この後、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、金属めっき層１０７に対してそれぞれ下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層し、機能めっき層１０９を形成する。
最後に、図６（ｈ）に示すように、補強フィルム１２２を剥離し、配線基板1００の製造を終了する。
この後、図２に示すように、パッケージ製造工程に進み、配線基板１００の配線パターン１０４に電子部品１１１を搭載した後、ボンディングワイヤ１１３の接続、封止樹脂によるモールドを行い、はんだボール１１４を接合して電子装置２０１の製造を終了する。
なお、１８μｍ以上の厚い圧延銅薄膜からなる金属薄膜をキャリア層１３４とし、これに後工程で剥離できる程度に接着力が弱い接着性を有する剥離可能層１３５を成膜により積層した後、電解めっき法で銅の金属薄膜１３６を積層したいわゆるキャリア付コア基板「たとえば、ＯＬＩＮ社のＣｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄ Ｅｘｔｒａ Ｔｈｉｎ Ｆｏｉｌ （ＸＴＦ）：商品名」等を前記複合テープ１３３として使用することも可能である。
【００４５】
（第４実施形態の効果）
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍに対して、この実施形態にかかる配線基板の総厚は、２３．５μｍであり、薄型化を達成できた。
（２）テープ製造工程において、絶縁性フィルムに補強フィルムが貼り付けられていて、総厚が１２６．５μｍのため、従来と同等の機械的強度があり、連続搬送が可能である。
（３）キャリア層を有する複合金属テープを使用するため機械的強度があり、連続搬送が可能である。
（４）めっきの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この実施形態にかかる配線基板の所要時間は19分で終了し、従来と比較して生産性がはるかに向上した。
（５）配線基板の薄型化、電子装置の軽薄短小が実現される。
【００４６】
[第５実施形態]
図７は第５実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【００４７】
まず、ＯＬＩＮ社等の複合金属テープ１３８を用意する。この複合金属テープ１３８は、１８μｍ以上の厚い圧延銅薄膜からなる金属薄膜をキャリア層１３４とし、これに後工程で剥離できる程度に接着力が弱い厚み０．０１μｍの剥離可能層１３５を成膜により積層した後、電解めっき法で厚み３μｍのめっき銅の薄い金属薄膜１３６を積層したものである。複合金属テープ１３８の金属薄膜１３６にポリイミド前駆体ワニスを塗布しながら熱硬化させる、いわゆる、キャスティング法により、厚さ１２μｍの絶縁性フィルム１０１を積層した後、絶縁性フィルム１０１に厚み１００μｍのＰＥＴ製フィルムからなる補強フィルム１２２を、再度剥離が可能な微粘着性接着剤層からなる３μm厚の微粘着性接着剤層１２１を介して貼り合わせる。
この後、図７（ｂ）に示すように、剥離可能層１３５において、キャリア層１３４を剥離して基材１４０を製造すると、基材１４０は、表層側より見て、厚さ３μｍの金属薄膜１３６、厚さ１２μｍの絶縁性フィルム１０１、厚さ3μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚さ１００μｍの補強フィルム１２２からなる４層構成となり、総厚は、１１８μｍとなる。
次に、キャリア層１３４を剥離した状態で、図７（ｃ）に示すように、基材１４０の外部配線接続部、すなわち、前記配線パターン１０４の形成部で且つ各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部に向けて補強フィルム１２２側から基材１４０に炭酸ガスレーザを照射し、補強フィルム１２２、微粘着性接着剤層１２１、及び絶縁性フィルム１０１をする貫通する厚み方向の一連の開口１２４を形成し、その結果として絶縁性フィルム１０１に前記ビアホール１０６を形成する。ビアホール１０６の絶縁性フィルム１０１側の１０６は金属薄膜１３６により被蔽された、ブラインド型のビアホールとなる。
続いて、図７（ｄ）に示すように、金属薄膜１３６にマスキングテープ１２８を貼り付け覆い、この状態で、電解めっき法で、各ビアホール１０６に、銅めっきを充填し、金属めっき層１０７を形成する。金属めっき層１０７のビアホール深さ方向の厚みは、前記絶縁性フィルム１０１と同じ１２μｍを狙い値とする。
めっき液には一般的に硫酸銅めっき液を用い、電流密度を５Ａ／ｄｍ2とすると、所要時間１１分でビアホール１０６内とほぼ同じ深さの厚み１２．５μｍの金属めっき層１０７を形成することができた。
金属めっき層１０７の形成した後は、図７（ｆ）に示すように、金属薄膜１３６からマスキングテープ１２８を剥離すると共に、補強フィルム１２２にマスキングテープ１２９を貼り付けてビアホール１０６を被蔽し、この状態で、導体配線となる金属薄膜１３６にケミカルエッチングを施し、前記ダイパッド１０５と前記配線パターン１０４とを形成する。このように、エッチングの際には、前記ビアホール１０６がマスキングテープ１２９で被蔽されているので、前記金属めっき層１０７のエッチングによる溶解が防止される。
次に、図７（ｆ）に示すように補強フィルム１２２からマスキングテープ１２９を剥離すると共に、配線パターン１０４の被絶縁部に対して熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布した後、熱硬化又は感光により硬化させることにより、配線パターン１０４の被絶縁部をソルダーレジストからなる絶縁部材１０８で被覆する。
この後に、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、金属めっき層１０７に対してそれぞれ下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層し、機能めっき層１０９を形成する。
最後に、図７（ｇ）に示すように、ＰＥＴフィルムからなる補強フィルム１２２及び微粘着性接着剤層１２１を剥離し、配線基板１００の製造を終了する。
この後、パッケージ製造工程に進み、図２で説明したように、配線基板１００の配線パターン１０４側において、電子部品１１１を搭載した後、ボンディングワイヤ１１３、封止樹脂によるモールドを行い、はんだボール１１４を接合して電子装置２０１の製造を終了する。
【００４８】
（第５実施形態の効果）
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍに対して、この実施形態にかかる配線基板の総厚は、1５μｍであり、薄型化を達成できた。
（２）テープ製造時においては、補強フィルムが貼り付けられていて、総厚が１１８μｍのため、従来と同等の機械的強度があるので、巻き取りに対応した連続搬送が可能となる。
（３）キャリア層を有する複合金属テープを用いるので、これにキャスティング法でベースフィルムを形成する際の機械的強度が十分になる。また、キャリア層を剥離により、ベースフィルム上にわずか３μｍという極めて薄い金属薄膜を積層した複合金属テープが得られるので配線基板の軽薄短小が実現される。
（４）ビアホールに対する金属めっきの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この実施形態にかかる配線基板の所要時間は１１分で終了し、従来と比較して生産性がはるかに向上する。
（５）本実施形態に係る電子装置は、配線基板の薄型化により、軽薄短小が実現される。
[第６実施形態]
図８は第６実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
この実施の形態では、図８（ａ）に示すように、最初に、厚さ４μｍのアラミド樹脂からなる絶縁性フィルム１０１に、厚さ８μmの接着剤層（例えば、巴川製紙所 Ｘシリーズ）１０２を貼り合わせた絶縁性フィルム１０１を用い、絶縁性フィルム１０１に厚さ１００μｍの補強フィルム１２２を、再剥離が可能な３μｍ厚の微粘着性接着剤層１２１を介して貼り合わせた４層構成の複合テープ１３３を用意する。
次に、図８（ｂ）に示すように、前記複合テープ１３３の外部配線接続部、すなわち、前記配線パターン１０４の形成部で且つ各配線パターン１０４の他端部１０４ｂの形成部に向けて補強フィルム１２２側から複合テープ１３３に対して金型（図示せず）による打ち抜きを施して複合テープ１３３を厚み方向に貫通する厚み方向の一連の開口１２４を形成し、この結果、絶縁性フィルム１０１には、ビアホール１０６を形成する。
次に、ＯＬＩＬ社のキャリア付コア基板等の複合金属テープ１３８を用意する。この複合金属テープ１３８は、図８（ｃ）に示す如く、厚さ１８μｍの圧延銅薄膜によるキャリア層１３４の下面に、厚さ０．１μｍの剥離可能層１３５を成膜し、さらに、この剥離可能層１３５上に、厚さ３μｍの薄いめっき銅による金属薄膜１３６を成膜により積層したものである。この複合金属テープ（複合銅テープ）１３８の金属薄膜１３６と複合テープ１３３の接着剤層１０２とを互いに対峙させながら巻き取って一対のロール１２６，１２６間を通過させてロール１２６，１２６のラミネートにより両者を接合することにより、基材１２７を製造する。
この後、図８（ｄ）に示すように、基材１２７の剥離可能層１３５からキャリア層１３４を剥離すると、表層側から下層側を見て、厚み３μｍの金属薄膜（極薄銅薄膜）１３６、厚み８μｍの接着剤層１０２、厚み４μｍの絶縁性フィルム１０１、厚み３μｍの微粘着性接着剤層１２１、厚み１００μｍの補強フィルム１２２からなる５層構成となり、総厚は１１８μｍとなる。また、開口１２４によるビアホール１０６は、絶縁性フィルム１０１側の開口１０６ａが導体配線となる金属薄膜１３６により被蔽されたブラインド型のビアホールとなる。
次に、図８（ｅ）に示すように、金属薄膜１３６にマスキングテープ１２８を貼り付けて被覆した後、電解銅めっき法により、各ビアホール１０６のみに銅めっきを充填し、金属めっき層１０７を形成する。金属めっき層１０７は絶縁性フィルム１０１の厚み１２μｍを狙い値とする。めっき液には、一般的な硫酸銅めっき液を用い、電流密度を５Ａ／ｄｍ2とすると、めっき時間１1分で、ビアホール１０６の深とほぼ面一な厚み１５μｍの銅めっきによる金属めっき層１０７が形成された。
金属めっき層１０７の形成後は、図８（ｅ）に示すように、金属薄膜１３６からマスキングテープを剥離した状態し、補強フィルム１２２の下面にマスキングテープ１２９を貼り付けてビアホール１０６を被蔽した状態で、前記金属薄膜１３６にフォトケミカルファブリケーションによるケミカルエッチングを施して金属めっき層１０７の溶解を防止しながら前記銅薄膜に配線パターン１０４、ダイパッド１０５を形成する。
次に、図８（ｆ）に示すように補強フィルム１２２からマスキングテープ１２９を剥離すると共に、配線パターン１０４の被絶縁部に対して熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを塗布した後、熱硬化又は感光により硬化させることにより、配線パターン１０４の被絶縁部をソルダーレジストからなる絶縁部材１０８で被覆する。
この後に、配線パターン１０４、ダイパッド１０５、金属めっき層１０７に対してそれぞれ下地ニッケルめっき層、金めっき層を順次積層し、機能めっき層１０９を形成する。
最後に、図８（ｇ）に示すように、ＰＥＴフィルムからなる補強フィルム１２２及び微粘着性接着剤層１２１を剥離し、配線基板１００の製造を終了する。
この後、パッケージ製造工程に進み、図２で説明したように、配線基板１００の配線パターン１０４側において、電子部品１１１を搭載し、この後、ボンディングワイヤ１１３、封止樹脂によるモールドを行い、はんだボール１１４を接合して電子装置２０１の製造を終了する。
【００４９】
（第６実施形態の効果）
（１）従来の電子装置の配線基板の総厚は７２〜１５５μｍに対して、この実施形態にかかる配線基板の総厚は、1５μｍであり、薄型化を達成できた。
（２）テープ製造時においては、絶縁性フィルムに補強フィルムが貼り付けられていて、総厚が１１８μｍのため、従来と同等の機械的強度があり、連続搬送が可能である。
（３）キャリア層を有する複合金属テープを用い、複合テープとの接合の際巻き取り張力に対する機械的強度が十分になる。また、キャリア層を剥離すると、ベースフィルム上にわずか３μｍという極めて薄い金属薄膜を積層した基材が獲られるので配線基板の軽薄短小が実現される。
（４）ビアホールに対する金属めっきの所要時間は、従来、５０〜１４０分であったが、この実施形態にかかる配線基板の所要時間は１１分で終了し、従来と比較して生産性がはるかに向上した。
（５）本実施形態に係る電子装置は、配線基板の薄型化により、軽薄短小が実現される。
【００５０】
なお、本発明に係る第１実施形態〜第６実施形態では、ワイヤボンディング及びはんだボール実装タイプのＢＧＡパッケージを前提としたが、この実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱するあるいは変更しない範囲内で種々の変形が可能である。
例えば、
（１）電子装置用の配線基板の製造時のベースフィルムとして最も一般的なポリイミドフィルムを使用し、補強フィルムには安価なＰＥＴ材料を用いた構造としたが、要求性能やコストを考慮の上、金属箔、樹脂フィルム等、別の素材を使用することも可能である。
（２）要求された絶縁信頼性や設計寸法を考慮の上、熱硬化性又は感光性のソルダーレジストを使用したが、要求特性に応じて省略することも可能であるし、感光性ソルダーレジストやカバーレイなどを使用することも可能である。
（３）前記した第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態における機能めっきには、ワイヤボンディング及びはんだボール実装タイプＢＧＡパッケージを前提として、金／ニッケルの２層のめっき構成を示したが、これに限定されるものではなく、電子部品の組立法、特に、部品と基板との電気的接続方法および組み立てられた部品のプリント配線基板への実装方法によっては、適正な種類と厚さを自由に組み合わせるようにしてもよい。
（４）前記各実施の形態においては、はんだボールを接合したＢＧＡパッケージを前提としたが、はんだボールを接合せず、ビアホールからの金属はんだ層の突き出し量を大きくしてこれを面実装のＬＧＡパッケージやコンデンサ用部品などに応用することが可能である。
【００５１】
（５）また、特許文献１に開示された下式を用いると右辺が０の場合に金属めっき層が不要となるので、
Ｔ≧Ｄ−[ｒ−（ｒ2−Ｒ2）１／2]
但し、Ｔ：金属めっき層の必要厚み
ｒ：はんだボールの半径
Ｄ：ビアホールの深さ
Ｒ：はんだボールを搭載するランド（ビアホールの開口）の半径
絶縁性フィルムの厚みを１２μｍ又はそれ以下とした場合は、金属めっき層を廃止し、はんだボールを、配線パターンの他端部下面に直接接続するようにしてもよいし、配線パターンの他端部の裏面を回路基板の表面から突き出した接点に直接、はんだ付けするようにしてもよい。一例としては、ＬＧＡパッケージやコンデンサ用部品などの表面実装部品のはんだ実装が挙げられる。
（６）絶縁性フィルムとして最も一般的なポリイミドフィルムを使用し、補強フィルムには、安価なＰＥＴフィルムを用いた構造としたが、搬送やハンドリングに対する性能やコストを考慮の上、別の樹脂素材を使用することも可能である。
（７）熱硬化性又は感光性のソルダーレジストで被覆する説明をしたが、要求される絶縁性に対する信頼性や設計寸法を考慮の上、廃止することも可能である。
（８）排水処理が容易で低コストの銅のケミカルエッチング溶解液としては、塩化第２鉄系のエッチング液が一般的であるが、塩化銅系のエッチング液や硫酸と過酸化水素水の混合溶液を用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る配線基板の構造を示す断面図である。
【図２】配線基板に電子部品を実装した電子装置の構造を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図８】本発明の第６実施形態に係る配線基板の製造方法を示すテープ製造工程の工程図である。
【図９】従来の配線基板に電子部品を搭載した従来の電子装置の断面図である。
【図１０】図９の電子装置の平面図である。
【図１１】従来の配線基板を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０１ 絶縁性フィルム
１０４ 配線パターン（導体配線）
１０５ ダイパッド（導体配線）
１２４ 開口
１２２ 補強フィルム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性フィルムに接着剤層を積層すると共にその反対側面に補強フィルムを剥離可能に積層した複合テープの外部配線の配線部に対して厚み方向に貫通する開口を形成する工程と、金属薄膜を前記複合テープに前記接着剤層を介して積層する工程と、前記開口内に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
金属薄膜に樹脂のキャスティングにより絶縁性フィルムを積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して前記絶縁性フィルムに補強フィルムを積層した複合テープの外部配線接続部に対して前記補強フィルム側からレーザを照射することにより前記補強フィルム及び前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成する工程と、前記開口に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
絶縁性フィルムに金属めっきにより導体配線となる金属薄膜を積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して金属薄膜と反対側面に補強フィルムを積層した複合基材の外部配線接続部に対して補強フィルム側からレーザを照射することにより補強フィルム及び絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成する工程と、前記開口に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合基材から前記補強フィルムを剥離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
絶縁性フィルムに接着剤層を積層すると共にその反対側面に補強フィルムを剥離可能に積層した複合テープの外部配線の配線部に対して厚み方向に貫通する開口を形成する工程と、金属を素材としたキャリア層に剥離可能層を介して金属薄膜を積層した複合金属テープの金属薄膜を前記複合テープの接着剤層に対向させてラミネートした後、前記複合金属テープから前記キャリア層を剥離する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
金属を素材としたキャリア層に剥離可能層を介して金属薄膜を積層した後、樹脂のキャスティングにより前記金属薄膜に絶縁性フィルムを積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して前記絶縁性フィルムに補強フィルムを積層して複合テープを形成する工程と、前記複合テープの外部配線接続部に前記補強フィルム側からレーザを照射して前記補強フィルム及び前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成した後、前記キャリア層を剥離する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とする工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５いずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁性フィルムの厚さを４０μｍ以下とし、前記補強フィルムの厚さを５０μｍ以上とすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６いずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記補強フィルムが、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレートより選択した１つの樹脂素材で形成され、微粘着性の接着剤を介して前記絶縁性フィルムに貼り合せ可能なフィルム材料であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７いずれかに記載の絶縁性フィルムに電子部品を搭載する工程と、前記電子部品の端子と前記導体配線とを電気的に接続する工程と、前記電子部品及び導体配線を含む前記絶縁性フィルムの電子部品側を絶縁性の封止樹脂に封止する工程とを含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項９】
絶縁性フィルムに電子部品を実装するための導体配線が積層された配線基板において、前記絶縁性フィルムが厚さ４０μｍ以下の樹脂フィルムから構成されると共に、前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する開口が、前記絶縁性フィルムの外部配線の配線部に設けられ、前記絶縁性フィルムの前記導体配線側と反対側面に厚さ５０μｍ以上の補強フィルムが剥離可能な接着剤を介して貼り付けられたことを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項９記載の配線基板において、
前記導体配線が前記絶縁性フィルムに直接又は接着剤層を介して積層されたことを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０記載の配線基板において、
前記開口内に前記導体配線と導通可能に金属めっきが形成され、前記金属めっき層の開口深さ方向の厚みが前記開口の深さとほぼ同じであることを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
請求項１１記載の配線基板において、
前記金属めっき層が、銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した1つ又は選択した２以上の金属の合金からなる単一層又は銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した異種金属の単一層同士を積層した複数層のめっき層又は異種合金の単一層同士を積層した複数層のめっき層からなることを特徴とする配線基板。
【請求項１３】
請求項９〜１２いずれかに記載の配線基板において、
前記配線基板が、銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した1つ又は選択した２以上の金属の合金からなる単一層又は銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した異種金属の単一層同士を積層した複数層のめっき層又は異種合金の単一層同士を積層した複数層のめっき層からなる機能めっき層で被覆されたことを特徴とする配線基板。
【請求項１４】
請求項９〜１３いずれかに記載の配線基板において、
前記導体配線の被絶縁部にこれを覆って熱硬化性又は感光性のソルダーレジスト、カバーレイから選択した１つの絶縁性部材が設けられたことを特徴とする配線基板。
【請求項１５】
請求項９〜１４いずれかに記載の絶縁性フィルムに電子部品が搭載され、前記電子部品の端子と前記導体配線とがボンディングワイヤを介して接続され、且つ、前記電子部品及び前記導体配線を含んで前記絶縁性フィルムの電子部品実装側が絶縁性の封止樹脂からなる外殻内に封止されたことを特徴とする電子装置。
【請求項１】
絶縁性フィルムに接着剤層を積層すると共にその反対側面に補強フィルムを剥離可能に積層した複合テープの外部配線の配線部に対して厚み方向に貫通する開口を形成する工程と、金属薄膜を前記複合テープに前記接着剤層を介して積層する工程と、前記開口内に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
金属薄膜に樹脂のキャスティングにより絶縁性フィルムを積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して前記絶縁性フィルムに補強フィルムを積層した複合テープの外部配線接続部に対して前記補強フィルム側からレーザを照射することにより前記補強フィルム及び前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成する工程と、前記開口に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
絶縁性フィルムに金属めっきにより導体配線となる金属薄膜を積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して金属薄膜と反対側面に補強フィルムを積層した複合基材の外部配線接続部に対して補強フィルム側からレーザを照射することにより補強フィルム及び絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成する工程と、前記開口に金属めっきを充填する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合基材から前記補強フィルムを剥離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
絶縁性フィルムに接着剤層を積層すると共にその反対側面に補強フィルムを剥離可能に積層した複合テープの外部配線の配線部に対して厚み方向に貫通する開口を形成する工程と、金属を素材としたキャリア層に剥離可能層を介して金属薄膜を積層した複合金属テープの金属薄膜を前記複合テープの接着剤層に対向させてラミネートした後、前記複合金属テープから前記キャリア層を剥離する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とした後、前記複合テープから前記補強フィルムを剥離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
金属を素材としたキャリア層に剥離可能層を介して金属薄膜を積層した後、樹脂のキャスティングにより前記金属薄膜に絶縁性フィルムを積層すると共に、剥離可能な接着剤を介して前記絶縁性フィルムに補強フィルムを積層して複合テープを形成する工程と、前記複合テープの外部配線接続部に前記補強フィルム側からレーザを照射して前記補強フィルム及び前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する一連の開口を形成した後、前記キャリア層を剥離する工程と、前記金属薄膜にケミカルエッチングを施して電子部品を実装するための導体配線とする工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５いずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁性フィルムの厚さを４０μｍ以下とし、前記補強フィルムの厚さを５０μｍ以上とすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６いずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記補強フィルムが、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレートより選択した１つの樹脂素材で形成され、微粘着性の接着剤を介して前記絶縁性フィルムに貼り合せ可能なフィルム材料であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７いずれかに記載の絶縁性フィルムに電子部品を搭載する工程と、前記電子部品の端子と前記導体配線とを電気的に接続する工程と、前記電子部品及び導体配線を含む前記絶縁性フィルムの電子部品側を絶縁性の封止樹脂に封止する工程とを含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項９】
絶縁性フィルムに電子部品を実装するための導体配線が積層された配線基板において、前記絶縁性フィルムが厚さ４０μｍ以下の樹脂フィルムから構成されると共に、前記絶縁性フィルムを厚み方向に貫通する開口が、前記絶縁性フィルムの外部配線の配線部に設けられ、前記絶縁性フィルムの前記導体配線側と反対側面に厚さ５０μｍ以上の補強フィルムが剥離可能な接着剤を介して貼り付けられたことを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項９記載の配線基板において、
前記導体配線が前記絶縁性フィルムに直接又は接着剤層を介して積層されたことを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０記載の配線基板において、
前記開口内に前記導体配線と導通可能に金属めっきが形成され、前記金属めっき層の開口深さ方向の厚みが前記開口の深さとほぼ同じであることを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
請求項１１記載の配線基板において、
前記金属めっき層が、銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した1つ又は選択した２以上の金属の合金からなる単一層又は銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した異種金属の単一層同士を積層した複数層のめっき層又は異種合金の単一層同士を積層した複数層のめっき層からなることを特徴とする配線基板。
【請求項１３】
請求項９〜１２いずれかに記載の配線基板において、
前記配線基板が、銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した1つ又は選択した２以上の金属の合金からなる単一層又は銅、ニッケル、金、銀、ロジウム、スズの中から選択した異種金属の単一層同士を積層した複数層のめっき層又は異種合金の単一層同士を積層した複数層のめっき層からなる機能めっき層で被覆されたことを特徴とする配線基板。
【請求項１４】
請求項９〜１３いずれかに記載の配線基板において、
前記導体配線の被絶縁部にこれを覆って熱硬化性又は感光性のソルダーレジスト、カバーレイから選択した１つの絶縁性部材が設けられたことを特徴とする配線基板。
【請求項１５】
請求項９〜１４いずれかに記載の絶縁性フィルムに電子部品が搭載され、前記電子部品の端子と前記導体配線とがボンディングワイヤを介して接続され、且つ、前記電子部品及び前記導体配線を含んで前記絶縁性フィルムの電子部品実装側が絶縁性の封止樹脂からなる外殻内に封止されたことを特徴とする電子装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００７−１５００９９（Ｐ２００７−１５００９９Ａ）
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３４４４１７（Ｐ２００５−３４４４１７）
【出願日】平成１７年１１月２９日（２００５．１１．２９）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月２９日（２００５．１１．２９）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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