配線基板及びその製造方法
【課題】 微細配線が要求される表層の導体層を微細なパターンで精度よく形成することを可能にするとともに、導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑え、且つ半導体素子や外部電気回路基板との良好な電気的接続を実現する。
【解決手段】 複数の絶縁層１を積層した絶縁基板２の表面及び絶縁層１の間に、金属箔から成る導体層３がそれぞれ埋設されている。絶縁基板２の表面に埋設された表面導体層３Ａの結晶粒径が、絶縁層１の間に埋設された内部導体層３Ｂの結晶粒径よりも小さく設定されている。表面導体層３Ａ、内部導体層３Ｂは何れも電解めっきにより形成されている。表面導体層３Ａについては、絶縁層１に埋設された側の主面がマット面であり、露出する側の主面がシャイニー面である。内部導体層３Ｂについては、埋設された側の主面が酸等の溶液処理により粗化されたシャイニー面であり、反対側の主面がマット面である。
【解決手段】 複数の絶縁層１を積層した絶縁基板２の表面及び絶縁層１の間に、金属箔から成る導体層３がそれぞれ埋設されている。絶縁基板２の表面に埋設された表面導体層３Ａの結晶粒径が、絶縁層１の間に埋設された内部導体層３Ｂの結晶粒径よりも小さく設定されている。表面導体層３Ａ、内部導体層３Ｂは何れも電解めっきにより形成されている。表面導体層３Ａについては、絶縁層１に埋設された側の主面がマット面であり、露出する側の主面がシャイニー面である。内部導体層３Ｂについては、埋設された側の主面が酸等の溶液処理により粗化されたシャイニー面であり、反対側の主面がマット面である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載する用途に好適な配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型化、薄型化、高機能化が要求されてきており、このような電子機器に使用される半導体素子を搭載するための配線基板にも小型化、薄型化、高密度配線化が求められてきている。そして、それを実現するために配線基板における信号導体等を含む配線導体の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、更に配線導体形成用の導体層と絶縁層とを交互に多層に積層して配線することにより高密度配線化が図られている。
【０００３】
このような配線基板としては、ガラス繊維基材にエポキシ樹脂を含浸させるとともに硬化させて成る絶縁層の上下面に金属箔から成る配線導体用の導体層を被着し、これら導体層を被着した絶縁層を、接着層を介して複数層積層圧着して多層化することにより製作された配線基板が知られている。しかしながら、この配線基板は、絶縁層の表面と導体層の表面との高さの相違により表面が凹凸状態になってしまうとともに、導体層のパターン間に接着層が十分に充填されずに隙間が生じてしまい、その隙間に湿気が浸入し配線導体間の絶縁性が低下してしまうという問題点があった。
【０００４】
そこで、このような問題点を解決するために、転写フィルム表面に形成された銅箔等の金属箔から成る配線導体用の導体層を未硬化の熱硬化性樹脂を含有する絶縁シートの表面に圧接して埋入させた後、転写フィルムを除去することによって導体層が転写された未硬化の絶縁層を複数枚作成し、これらを積層圧着後、一括して熱硬化させる一括硬化によって製作した多層配線基板が提案されている（特許文献１の「従来技術」欄）。当該多層配線基板は、工程を簡略化することを可能にするとともに、転写時に金属箔から成る導体層を未硬化状態の絶縁層に両者の表面が略同一面となるように埋入することを可能にするので、導体層と絶縁層との間に積層不良を生じることがない等の多くの利点を有するものである。
【０００５】
このような多層配線基板において導体層用に用いられる金属箔は、一般的には表面が平滑な電着ドラムの表面に電解めっき法によって金属膜を析出させる方法により形成されるものであり、その結晶粒径は0.2〜2.6μｍ程度である。そして金属箔のめっき液に触れる一方の面が、金属めっきの粒成長によって十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜7.0μｍの凹凸のついたマット面と呼ばれる粗化面となり、ドラム表面に接触する他方の面が、十点平均粗さ（Ｒｚ）が0.5〜3.5μｍのドラム表面に対応したシャイニー面と呼ばれる平滑面となる。また、転写フィルムに対して平滑面側が接着されてエッチングされることにより所定パターンの配線導体が形成されており、そのため導体層の絶縁層に埋入される側の主面は、凹凸のついた粗化面となっている。それにより、導体層が絶縁層に強固に接着される。なお、導体層は、配線パターン状にエッチング処理されることにより形成されるため、その側面はその粗さが1.0〜3.0μｍの平滑面となっている。
【０００６】
ところで上記の多層配線基板においては、一般的に内層の導体層よりも表層の導体層に微細配線が要求され、近時は40μｍ以下の線幅の極めて微細なパターンが要求されるようになってきている。しかしながら、銅箔を凹凸のついた粗化面側から微細なパターンでエッチングすると、エッチング用のマスクと銅箔表面の凹部との間に微小な隙間が発生するため微細なパターンを精度良く形成することができず、パターンの形状が崩れて電気抵抗が増大したり、断線が発生したりしてしまうという問題点を有していた。また、粗化面と反対側の主面は平滑面であるため、内層の絶縁層に転写された導体層においては、この平滑な主面と当該導体層の上に積層される別の絶縁層との間の接着強度が小さく、そのため、配線基板に半導体素子を実装するための熱や半導体素子が作動時に発生する熱が加えられると、導体層の平滑な主面と絶縁層との間で剥離が発生し、その剥離を起点としたクラックが発生して周囲の配線導体を切断してしまうという問題点も有していた。
【０００７】
当該問題点を解決するものとして、特許文献１は、転写フィルムに対して金属箔のマット面側を接着するとともに、金属箔のシャイニー面側をエッチング処理することにより粗化面とし、その後に金属箔を選択的にエッチングすることにより配線パターン状に導体層を形成する技術を開示している。形成された導体層は、絶縁シートに転写される。
【０００８】
しかしながら当該技術では、転写フィルムと金属箔との間に微小な隙間が発生し易いため、多層配線基板の表層の導体に必要とされる微細なパターンを精度良く形成することは困難であるという問題点があった。また、導体層のマット面が多層配線基板の表面に露出することとなるので、マット面に形成された凹凸により導体層と半導体素子や外部電気回路基板との良好な接続が困難となってしまうという問題点があった。
【特許文献１】特許第３０３７６６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、一般的に微細配線が要求される表層の導体層を微細なパターンで精度よく形成することを可能にするとともに、導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑え、且つ半導体素子や外部電気回路基板との良好な電気的接続を実現する多層構造の配線基板、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決し上記目的を達成するために、本発明のうち第１の態様に係るものは、複数層の導体層を有する多層構造の配線基板であって、絶縁基板と、前記絶縁基板の表面に埋設された金属箔から成る表面導体層と、前記絶縁基板の内部に埋設された金属箔から成る内部導体層と、を備えている。そして、前記表面導体層の結晶粒径が前記内部導体層の結晶粒径よりも小さく、前記表面導体層は、その埋設された側の主面がマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面であるとともに、露出する側の主面がシャイニー面から成る非粗化面又は粗化されたシャイニー面から成る粗化面であり、前記内部導体層は、一主面がマット面から成る粗化面であり、他主面が粗化されたシャイニー面から成る粗化面となっている。
【００１１】
この構成によれば、絶縁基板の表面に埋設された導体層である表面導体層の結晶粒径が絶縁基板の内部に埋設された導体層である内部導体層の結晶粒径よりも小さいことから、一般に微細配線が要求される表面導体層において、マット面の凹凸が小さいものとなる。それにより、表面導体層を微細なパターンで精度良く形成することが可能となる。また、表面導体層の埋設された側の主面がマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面であるので、表面導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑えることができる。更に、表面導体層の露出する側の主面がシャイニー面から成る非粗化面又は粗化されたシャイニー面から成る粗化面であるので、凹凸が小さく、表面導体層と半導体素子や外部電気回路基板とを良好に接続することができる。また、内部導体層は、一主面がマット面から成る粗化面であり、他主面が粗化されたシャイニー面から成る粗化面であるので、内部導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑えることができる。
【００１２】
本発明のうち第２の態様に係るものは、第１の態様に係る配線基板であって、前記表面導体層の埋設された側の前記主面の表面粗さが、前記内部導体層の前記他主面の表面粗さに略同一であることを特徴とするものである。
【００１３】
この構成によれば、表面導体層の埋設された側の主面の表面粗さが、内部導体層のエッチング処理により粗化されたシャイニー面の表面粗さと略同一であるので、絶縁基板に対する表面導体層の接着強度と内部導体層の接着強度とを同等程度とすることができる。すなわち、表面導体層の接着強度を内部導体層の接着強度と同等程度に実現しつつ、表面導体層を微細パターン化することが可能となる。
【００１４】
本発明のうち第３の態様に係るものは、第１又は第２の態様に係る配線基板であって、前記表面導体層は、その埋設された側面が粗化面であることを特徴とするものである。
【００１５】
この構成によれば、表面導体層の絶縁基板に埋設された側面が粗化面であるので、表面導体層と絶縁基板との間の接着強度が更に高められる。
【００１６】
本発明のうち第４の態様に係るものは、第３の態様に係る配線基板であって、前記表面導体層の前記側面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5〜3.5μｍであることを特徴とするものである。
【００１７】
この構成によれば、表面導体層の側面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5〜3.5μｍであるので、表面導体層と絶縁基板との接合強度を保ちつつ、表面導体層をより微細なパターンとして形成することができる。
【００１８】
本発明のうち第５の態様に係るものは、第１ないし第４の何れかの態様に係る配線基板であって、前記内部導体層は、その埋設された側面が粗化面であることを特徴とするものである。
【００１９】
この構成によれば、内部導体層の絶縁基板に埋設された側面が粗化面であるので、内部導体層と絶縁基板との間の接着強度が更に高められる。
【００２０】
本発明のうち第６の態様に係るものは、第１ないし第５の何れかの態様に係る配線基板であって、前記表面導体層の結晶粒径が0.2〜1.0μｍであり、前記内部導体層の結晶粒径が0.6〜1.8μｍであることを特徴とするものである。
【００２１】
この構成によれば、表面導体層の結晶粒径が0.2〜1.0μｍであり内部導体層の結晶粒径が0.6〜1.8μｍであるので、表面導体層をより一層微細なパターンとして形成することができるとともに表面導体層と絶縁層との間に十分な接着強度が得られる。
【００２２】
本発明のうち第７の態様に係るものは、第１ないし第６の何れかの態様に係る配線基板であって、前記表面導体層は、その埋設された側の前記主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が2.0〜4.0μｍであることを特徴とするものである。
【００２３】
この構成によれば、表面導体層の埋設された側の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が2.0〜4.0μｍであるので、表面導体層と絶縁基板とが更に強固に接合される。
【００２４】
本発明のうち第８の態様に係るものは、第１ないし第７の何れかの態様に係る配線基板であって、前記表面導体層の露出する側の前記主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜3.0μｍであることを特徴とするものである。
【００２５】
この構成によれば、表面導体層の露出する側の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜3.0μｍであるので、表面導体層と半導体素子や外部電気回路との接続が更に良好に実現する。
【００２６】
本発明のうち第９の態様に係るものは、第１ないし第８の何れかの態様に係る配線基板であって、前記内部導体層の前記一主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜5.0μｍであることを特徴とするものである。
【００２７】
この構成によれば、内部導体層の一主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜5.0μｍであるので、内部導体層と絶縁基板との接着強度が更に向上する。
【００２８】
本発明のうち第１０の態様に係るものは、複数層の導体層を有する多層構造の配線基板を製造する方法であって、第１金属箔をめっきにより形成する第１工程と、前記第１金属箔のマット面が接着面となるように前記第１金属箔を第１フィルムに接着させる第２工程と、前記第１金属箔をパターニングすることにより第１導体層を形成する第３工程と、前記第２工程と前記第３工程との間、又は前記第３工程の後に、前記第１金属箔のシャイニー面を溶液処理により粗化する第４工程と、前記第３工程及び前記第４工程の後に、前記第１フィルムを未硬化ないし半硬化の第１絶縁層に圧力を加えつつ積層することにより前記第１導体層を前記第１絶縁層の表面に埋設する第５工程と、前記第５工程の後に、前記第１フィルムを剥離することにより前記第１導体層を前記第１絶縁層の表面に転写する第６工程と、前記第１金属箔よりも結晶粒径が小さくなるように第２金属箔をめっきにより形成する第７工程と、前記第２金属箔のシャイニー面が接着面となるように前記第２金属箔を第２フィルムに接着させる第８工程と、前記第２金属箔をパターニングすることにより第２導体層を形成する第９工程と、前記第９工程の後に、前記第２フィルムを未硬化ないし半硬化の第２絶縁層に圧力を加えつつ積層することにより前記第２導体層を前記第２絶縁層の表面に埋設する第１０工程と、前記第１０工程の後に、前記第２フィルムを剥離することにより前記第２導体層を前記第２絶縁層の表面に転写する第１１工程と、前記第６工程及び前記第１１工程の後に、前記第１導体層が内部に位置し前記第２導体層が表面に位置するように、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とを積層して硬化させる第１２工程と、を備えるものである。
【００２９】
この構成によれば、積層された第１絶縁層と第２絶縁層とが硬化されて成る絶縁基板の表面に埋設された表面導体層である第２導体層の結晶粒径が、絶縁基板の内部に埋設された内部導体層である第１導体層の結晶粒径よりも小さくなる。このため、一般に微細配線が要求される表面導体層において、マット面の凹凸が小さいものとなる。それにより、表面導体層を微細なパターンで精度良く形成することが可能となる。また、表面導体層の埋設された側の主面がマット面となるので、表面導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑えることができる。更に、表面導体層の露出する側の主面がシャイニー面となるので、表面導体層と半導体素子や外部電気回路基板とを良好に接続することができる。また、内部導体層は、一主面がマット面であり、他主面が溶液処理により粗化されたシャイニー面となるので、双方の主面が粗化された状態で絶縁基板に接触する。それにより、内部導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑えることができる。
【００３０】
本発明のうち第１１の態様に係るものは、第１０の態様に係る配線基板の製造方法であって、Ｎを１以上の整数として、前記第１工程ないし第６工程を、Ｎ回反復する反復工程を更に備え、前記第１２工程は、Ｎ＋１回の前記第６工程及び前記第１１工程の後に、全ての前記第１導体層が内部に位置し前記第２導体層が表面に位置するように、Ｎ＋１枚の前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とを積層して硬化させるものである。
【００３１】
この構成によれば、第１工程ないし第６工程が更に１回以上反復して行われ、全ての第１導体層が内部に位置し第２導体層が表面に位置するように、全３枚以上の絶縁層が積層され且つ硬化される。このため、複数層の内部導体層を有し、且つ表面導体層の微細パターン化、表面導体層と半導体素子や外部電気回路との良好な接続、及び内部及び表面導体層と絶縁層との接着強度の向上を同時に達成する配線基板が得られる。
【００３２】
本発明のうち第１２の態様に係るものは、第１０ないし第１１の何れかの態様に係る配線基板の製造方法であって、前記第８工程と前記第９工程との間、又は前記第９工程の後に、前記第２金属箔のマット面を溶液処理により更に粗化する第１３工程を更に備えるものである。
【００３３】
この構成によれば、第２金属箔のマット面が溶液処理により更に粗化されるので、表面導体層である第２導体層と絶縁基板との間の接着強度が更に高められる。特に、第１３工程が第９工程の後に行われる場合には、第２金属箔のパターニングによって得られた第２導体層の側面が同時に粗化されるので、第２導体層と絶縁基板との間の接着強度が更に高められる。
【発明の効果】
【００３４】
以上のように本発明によれば、一般的に微細配線が要求される表層の導体層を微細なパターンで精度よく形成することが可能となるとともに、導体層と絶縁基板との間の接着強度が向上し剥離が抑えられ、且つ半導体素子や外部電気回路基板との良好な電気的接続が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
（１．配線基板の構成）
図１は、本発明の一実施の形態による配線基板の構成を示す断面図である。また、図２は、図１の配線基板の一部拡大断面図である。この配線基板１００は、積層された複数の絶縁層１が一体化されてなる絶縁基板２、各絶縁層１の表面に埋設されることにより複数層にわたる導体層３、及び、各絶縁層１を貫通することにより異なる層に位置する導体層３どうしを電気的に接続する貫通導体４を、主要な要素として備えている。また、配線基板１００は、導体層３の一部を露出させるように絶縁基板２の上下の二主面に被着されたソルダーレジスト層５を更に備えている。なお、この実施の形態による配線基板１００では、ソルダーレジスト層５を備えている例を示しているが、本発明の配線基板は必ずしもソルダーレジスト層５を備えていることを要しない。
【００３６】
絶縁基板２を構成する各絶縁層１は、耐熱繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて成り、それぞれが導体層３を支持するとともに上下に位置する導体層３間の絶縁を保持する機能を有する。絶縁基板２は、例えばガラス繊維束を縦横に編み込んだ耐熱繊維基材に未硬化の熱硬化性樹脂組成物を含浸させ、通常においては更に半硬化状態とされて成り、厚みが50〜150μｍ程度の絶縁層１の素材としての絶縁シート（プリプレグ(Prepreg)と称される）を積層し、一括して熱硬化させることにより形成されている。すなわち、絶縁基板２は、一体化された絶縁層１の積層体として形成されている。
【００３７】
なお、絶縁層１の素材としての絶縁シートは、アラミド繊維やガラス繊維の不織布又は織布を、熱硬化性樹脂、架橋剤、エラストマー及び適当な溶剤を混合してなる液状の熱硬化性樹脂組成物に浸漬することによって、あるいはこの組成物をアラミド繊維やガラス繊維の不織布又は織布に塗布し含浸させることによって製作される。絶縁シートを構成する熱硬化性樹脂組成物に含有される熱硬化性樹脂としては、アリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂やエポキシ樹脂、変性ポリオレフィン樹脂等が用いられ、後述する導体層３の転写及び埋入が行ないやすいように、その分子量は10000〜500000に調整されている。
【００３８】
また、架橋剤としては、トリアリルイソシアヌレート等のトリアジン化合物が用いられ、その含有率は熱硬化性樹脂100質量部に対して、1〜10質量部であることが好ましい。架橋剤の含有率が熱硬化性樹脂100質量部に対して1質量部より少ないと架橋密度が低下し吸湿し易くなる傾向があり、10質量部より多いと絶縁層１が脆くなる傾向にある。従って、架橋剤の含有率は熱硬化性樹脂100質量部に対して1〜10質量部であることが好ましい。
【００３９】
更に、エラストマーとしては、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン（ＳＥＢＳ）やスチレン−エチレン−プロピレン−スチレン（ＳＥＰＳ）等の熱可塑性エラストマーが用いられ、その含有率は熱硬化性樹脂100質量部に対して、10〜40質量部が好ましい。エラストマーの含有率が熱硬化性樹脂100質量部に対して10質量部より少ないと絶縁層１が脆くなる傾向にあり、40質量部を超えると絶縁層１の剛性が低くなる傾向にある。従って、エラストマーの含有率は熱硬化性樹脂100質量部に対して10〜40質量部が好ましい。
【００４０】
また、耐熱繊維基材は、アラミド繊維やガラス繊維等の繊維の不織布又は織布から成り、織布の場合その織り方は特に制限されず、一般に用いられる平織、綾織、朱子織等の織布が用いられる。このような耐熱繊維基材の含有率は、熱硬化性樹脂100質量部に対して50〜130質量部が好ましい。耐熱性繊維基材の含有率が熱硬化性樹脂100質量部に対して50質量部より少ないと、絶縁層１の積層・硬化時に熱硬化性樹脂が流動し、絶縁層１表面の導体層３が歪んでしまい易くなる傾向があり、130質量部より多いと耐熱性繊維基材に熱硬化性樹脂を良好に含浸できなくなる傾向にある。従って、耐熱性繊維基材の含有率は、熱硬化性樹脂100質量部に対して、50〜130質量部が好ましい。
【００４１】
また、絶縁基板２の表面及び各絶縁層１の間に埋設された導体層３は、厚みが5〜50μｍ程度の銅やアルミニウム、銀等の金属箔から成り、配線基板に搭載される半導体素子の各電極を外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続する導電路の一部として機能する。これらの導体層３は、幅が20〜200μｍ程度の信号用導体や広面積の接地又は電源用導体を含んでおり、一般的には絶縁基板２の表面において微細な高密度配線が施されている。
【００４２】
絶縁基板２の上主面（図中上方に向いた一方主面を上主面、下方に向いた他方主面を下主面と仮称する）に埋設された導体層３のうち、ソルダーレジスト層５に覆われることなく露出する部分は半導体素子接続パッド３ａとして機能し、絶縁基板２の下主面に埋設された導体層３のうち露出する部分は外部接続パッド３ｂとして機能する。半導体素子接続パッド３ａは、半田バンプ７ａを通じて、例えばベアチップの形態を有する半導体素子６に接続される。他方の外部接続パッド３ｂは、半田バンプ７ｂを通じて不図示のマザーボード等の電気回路基板に接続される。
【００４３】
なお、このような導体層３は、転写フィルム上に接着剤を介して剥離可能に貼着した金属箔を所定パターンにエッチングすることにより形成した導体層３を、絶縁層１用の絶縁シートの表面に熱プレスを用いて熱圧着して埋入させておくことにより、絶縁基板２の表面すなわち上下両主面、及び絶縁基板２の内部である絶縁層１の間に埋設される。また、このような導体層３は、絶縁層１との接着強度を高めるために、絶縁層１用の絶縁シートに埋設される側の主面や側面を転写フィルム上で溶液処理することにより粗化しておくことが望ましい。
【００４４】
配線基板１００では、導体層３のうち、絶縁基板２の表面に埋設された導体層である表面導体層３Ａの結晶粒径が、絶縁層１の間に埋設された導体層である内部導体層３Ｂの結晶粒径よりも小さく設定されている。このように、表面導体層３Ａの結晶粒径が内部導体層３Ｂの結晶粒径より小さいことから、一般に微細配線が要求される表面導体層３Ａにおいて、粗化面の凹凸が小さいものとなり、その結果、表面導体層３Ａのパターンに大きな形状の崩れや断線が発生することが回避されるとともに、内部導体層３Ｂにおいては十分に大きな粗化面が形成され、絶縁層１との強固な密着が実現する。
【００４５】
なお、絶縁基板２の表面に埋設された表面導体層３Ａは、その結晶粒径が0.2μｍ未満であると、その埋設された側の主面に絶縁層１との間の強固な接合に必要な凹凸を十分に形成することが困難となる傾向にあり、他方、1.0μｍを超えると、表面導体層３Ａをエッチングして微細なパターンを形成する際にそのパターンを精度良く形成することが困難となる傾向にある。従って、表面導体層３Ａの結晶粒径は、0.2〜1.0μｍの範囲が好ましい。
【００４６】
更に、表面導体層３Ａは、その埋設された側の主面がマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面であるとともに、露出する主面はシャイニー面から成る非粗化面又は粗化されたシャイニー面から成る粗化面であり、且つ内部導体層３Ｂは、その一方の主面がマット面から成る粗化面であり、他方の主面が粗化されたシャイニー面から成る粗化面とされていることが好ましい。表面導体層３Ａは、その埋設された側の主面がマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面であると、粗化面の微小な凹凸と絶縁層１中の樹脂とが機械的に噛み合うことにより絶縁層１に強固に密着する。また、露出する他方の主面はシャイニー面から成る非粗化面又は粗化されたシャイニー面から成る粗化面となっていると、表面導体層３Ａと半導体素子や外部電気回路基板とを良好に接続することができる。更に、内部導体層３Ｂは、その一方の主面がマット面から成る粗化面であり、他方の主面が粗化されたシャイニー面から成る粗化面であると、双方の主面に形成された粗化面の微小な凹凸と絶縁層１中の樹脂とが機械的に噛み合うことにより絶縁層１に強固に密着する。従って、半導体素子６を実装する際の熱や半導体素子６が動作時に発生する熱が加えられた場合においても、導体層３と絶縁層１との間の剥離が抑えられ、半導体素子６や外部電気回路基板との電気的な接続に関して信頼性に優れる配線基板として、配線基板１００を提供することができる。
【００４７】
なお、表面導体層３Ａは、その埋設された側の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が2.0μｍ未満であると、絶縁層１との密着力、すなわち接着強度が弱いものとなり、表面導体層３Ａに半導体素子６や外部電気回路基板を接続する際等に応力が加えられると、絶縁基板２から剥離してしまう危険性が大きくなる。他方、上記十点平均粗さ（Ｒｚ）が4.0μｍを超えると、表面導体層３Ａをエッチングして微細なパターンを形成する際に、そのパターンを精度良く形成することが困難となったり、表面導体層３Ａの埋設される側の主面を粗化する際に微細なパターンに断線が発生したりする可能性がある。従って、表面導体層３Ａの埋設された側の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は、2.0〜4.0μｍの範囲であることが好ましい。
【００４８】
更に、表面導体層３Ａは、その埋設された側面が粗化面であると、粗化された側面の微小な凹凸と絶縁層１中の樹脂とが機械的に噛み合うことにより絶縁層１との接合力、言い換えると接着強度をより高いものとすることができる。従って、表面導体層３Ａの側面は粗化されていることが好ましい。表面導体層３Ａは、その側面が粗化面となっている場合、側面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5μｍ未満であると、側面と絶縁層１との接合力、すなわち接着強度を向上させることが困難であり、3.5μｍを越えると、粗化する際に微細なパターンに断線が発生する危険性がある。従って、表面導体層３Ａは、その側面が粗化面となっている場合、側面の十点平均粗さ（Ｒｚ）を1.5〜3.5μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００４９】
また、表面導体層３Ａは、その露出する側の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0μｍ未満であると、表面導体層３Ａの露出する側の主面とソルダーレジスト層５との接合力を向上させることが困難となる。また、上記十点平均粗さ（Ｒｚ）が3.0μｍを超えると、表面導体層３Ａを選択的にエッチングすることにより微細パターンを形成する際に、転写フィルムと表面導体層３Ａとの間に隙間が発生し易く、微細なパターンを精度良く形成することができず、パターンの形状が崩れて電気抵抗が増大したり、断線が発生したりしてしまう。それにより、半導体素子６や外部電気回路基板との接続の信頼性が低下する傾向が現れることとなる。従って、表面導体層３Ａの露出する主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は、1.0〜3.0μｍの範囲であることが好ましい。
【００５０】
更に、絶縁層１の間に埋設された内部導体層３Ｂは、その双方の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0μｍ未満であると、絶縁層１との接合力すなわち接着強度が小さく、絶縁層１との間で剥離してしまう危険性が大きくなる。内部導体層３Ｂの双方の主面のうち、絶縁層１に埋設される側とは反対側の主面について、上記十点平均粗さ（Ｒｚ）が5.0μｍを超えると、導体層３を絶縁層１用の絶縁シートに埋入して転写する際に、転写フィルムと内部導体層３Ｂとを接着している接着剤が内部導体層３Ｂの上記主面に残留してしまい、残留した接着剤が内部導体層３Ｂと絶縁層１との強固な密着を阻害してしまう危険性がある。従って、内部導体層３Ｂの双方の主面のうち、絶縁層１に埋設される側とは反対側の主面については、その十点平均粗さ（Ｒｚ）は1.0〜5.0μｍの範囲であることが好ましい。
【００５１】
内部導体層３Ｂの側面も、粗化面として形成されていることが更に望ましい。それにより、内部導体層３Ｂと絶縁層１との間の接着強度が更に高められる。
【００５２】
また、絶縁層１を貫通して設けられた貫通導体４は、各絶縁層１を挟んで上下に位置する導体層３同士を互いに電気的に接続する層間接続導体として機能する。貫通導体４は、その直径が好ましくは30〜200μｍであり、絶縁層１に設けられた貫通孔内に金属粉末とトリアジン系熱硬化性樹脂等とから成る導電性材料を埋め込み熱硬化することにより形成されている。貫通導体４は、その直径が30μｍ未満になると貫通導体４の形成が困難となる傾向があり、200μｍを超えると高密度配線が形成できなくなる傾向がある。従って、貫通導体４の直径は30〜200μｍであることが好ましい。
【００５３】
また、貫通導体４を形成する導電性材料の金属粉末の含有量は80〜95質量％が好ましい。金属粉末の含有量が80質量％より少ないと、トリアジン系熱硬化性樹脂により金属粉末同士の接続が妨げられ導通抵抗が上昇してしまう傾向があり、95質量％を超えると導電性材料の粘度が上がり過ぎて良好に埋め込みできない傾向がある。従って、導電性材料の金属粉末の含有量は、80〜95質量％であることが好ましい。
【００５４】
なお、貫通導体４用の導電性材料に含有される金属粉末は、錫と銀とビスマスと銅とを含有する合金から成り、錫を70〜90質量％含有することが好ましい。また、金属粉末の平均粒径は5〜10μｍであることが好ましい。平均粒径が5μｍより小さいと導電性材料の粘度が上がり過ぎて良好に埋め込みできない傾向があり、10μｍより大きいと金属粉末が高充填できず導通抵抗が高くなってしまう傾向がある。従って、貫通導体４用の導電性材料に含有される金属粉末の平均粒径は、5〜10μｍであることが好ましい。
【００５５】
また、貫通導体４の熱硬化性樹脂は、トリアリルシアヌレートやトリアリルイソシアヌレート、トリスエポキシプロピルイソシアヌレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート等のトリアジン系熱硬化性樹脂であることが好ましい。
【００５６】
更に、絶縁基板２の上下両主面にはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るソルダーレジスト層５が、導体層３の半導体素子接続パッド３ａや外部接続パッド３ｂの中央部を露出させるようにして被着されている。ソルダーレジスト層５は、半導体素子接続パッド３ａ同士や外部接続パッド３ｂ同士が半田バンプ７ａや７ｂにより互いに電気的に短絡するのを防止するための短絡防止手段として機能し、感光性を有する未硬化の熱硬化性樹脂のシートを絶縁基板２の上下両主面に貼着するとともに露光及び現像した後、紫外線及び熱硬化させることによって形成される。
【００５７】
なお、配線基板１００がソルダーレジスト層５を有する場合、表面導体層３Ａの露出する側の主面とソルダーレジスト層５をとの接合力を高めるため、絶縁層１に埋設された表面導体層３Ａの露出する側の主面を溶液処理やブラスト研磨等により粗化し、その上にソルダーレジスト層５を形成するようにしてもよい。この場合、ソルダーレジスト層５を形成した後、ソルダーレジスト層５から露出する表面導体層３Ａの表面を選択的にソフトエッチングしてその十点平均粗さ（Ｒｚ）を1.0〜3.0μｍに調整することが好ましい。
【００５８】
かくして、本発明の一実施の形態による配線基板１００によれば、絶縁基板２の表面、すなわち両主面に埋設された表面導体層３Ａの結晶粒径が、絶縁層１の間に埋設された内部導体層３Ｂの結晶粒径よりも小さいことから、一般に微細配線が要求される表面導体層３Ａにおいて、粗化面の凹凸が小さいものとなり、その結果、表面導体層３Ａのパターンに大きな形状の崩れや断線が発生することが回避される。同時に、内部導体層３Ｂにおいては十分に大きな粗化面が形成されるので、内部導体層３Ｂが絶縁層１と強固に密着する。従って、表層に精度良く形成された微細なパターンの配線導体を有するとともに、半導体素子６を実装する際の熱や半導体素子６が作動時に発生する熱が加えられても、導体層３と絶縁層１との間の剥離が抑えられ、半導体素子６や外部電気回路基板との電気的な接続に対する信頼性に優れる高密度配線の配線基板として、配線基板１００を得ることができる。
【００５９】
通常において、絶縁基板２の両主面のうち、半導体素子６が接続される側の主面に埋設される表面導体層３Ａの方が、他方の主面に埋設される表面導体層３Ａに比べて、より微細なパターン形状であることを要する。従って、絶縁基板２の両主面に埋設された表面導体層３Ａのうち、一方主面に埋設されたもの、例えば半導体素子６が接続される側の主面に埋設されたものについてのみ、結晶粒径が内部導体層３Ｂの結晶粒径よりも小さく設定され、絶縁層１に埋設される側の主面が粗化面とされ、その反対主面が非粗化面とされてもよい。
【００６０】
（２．製造方法）
図３及び図４は、配線基板１００を製造する好ましい方法を示す製造工程図である。以下に図３及び図４を参照しつつ、配線基板１００を製造するための好ましい方法について説明する。
【００６１】
配線基板１００を製造するには、まず、絶縁層１の間に埋設される内部導体層３Ｂの元になる金属箔（「第１金属箔」と仮称する）と、絶縁基板２の表面に埋設される表面導体層３Ａの元になる金属箔（「第２金属箔」と仮称する）とが準備される。これらの金属箔は、図３（ａ）に例示するように電解めっきにより形成される。以下、金属箔が銅箔である場合を例に挙げる。銅箔を形成する場合には、銅イオンを含有する電解液であるめっき液２０に浸漬した電着ドラム（カソード体）２１と鉛容器（アノード体）２２との間に、電流密度が数10〜数100Ａ／ｄｍ２の電流を通電して電着ドラム２１の表面に、厚さ10〜30μｍ程度の銅箔２３を析出させる。電着ドラム２１の表面に析出した銅箔２３は、電着ドラム２１から連続して剥離され、巻き取りロール２４に巻き取られる。
【００６２】
このとき、表面導体層３Ａ用の銅箔であれば、その結晶粒径が0.2〜1.0μｍとなるように、内部導体層３Ｂ用の銅箔であれば、その結晶粒径が0.6〜1.8μｍとなるように析出させる。銅箔の結晶粒径を制御するには、電着ドラム２１の回転速度を調整すればよい。回転速度を高くすれば結晶粒径が0.2〜1.0μｍと小さくなり、回転速度を低くすれば結晶粒径が0.6〜1.8μｍと大きくなる。また、電着ドラム２１の表面に接着する側の銅箔２３の主面は、十点平均粗さ（Ｒｚ）が電着ドラム２１の表面に対応した1.0〜3.0μｍであるシャイニー面と呼ばれる平滑面となる。一方、銅箔２３の反対側の面、すなわち、めっき液２０に接触する側の主面は、銅の結晶が析出するに伴ってこぶ状、すなわち複数の結晶が塊になったノジュール(Nodule)状の微細な突起の集合体として成長することにより形成されるマット面と呼ばれる粗化面となる。なお、この粗化面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は、表面導体層３Ａ用の銅箔であれば、1.5〜3.5μｍとなり、内部導体層３Ｂ用の銅箔であれば、1.0〜5.0μｍとなる。
【００６３】
次に、図３（ｂ）及び図３（ｃ）が示すように、厚みが20〜50μｍ程度のポリエチレンテレフタレート等の耐熱性樹脂から成る転写フィルム３０の片面に接着剤を介して上記の銅箔２３をそれぞれ貼着する。このとき、表面導体層３Ａ用の銅箔２３Ａは、その平滑面、すなわちシャイニー面が転写フィルムの主面に接触するように貼着され、内部導体層３Ｂ用の銅箔２３Ｂは、その粗化面、すなわちマット面が転写フィルムの主面に接触するように貼着される。図４（ａ）は、図３（ｂ）及び図３（ｃ）の何れかの工程によって得られた銅箔２３が貼着、すなわち接着された転写フィルム３０を示している。
【００６４】
次に、転写フィルム３０に貼着された銅箔２３の上に、レジストマスクとしての耐エッチング樹脂を被着し、この耐エッチング樹脂を選択的に露光及び現像することにより、図４（ｂ）に示すように、銅箔２３を導体層３の配線パターン状に被覆する耐エッチング樹脂層３１を形成する。その後、この工程で得られた構造体を、塩化第二鉄溶液中に浸漬することにより、銅箔２３の露出部をエッチング除去した後、耐エッチング樹脂層３１を剥離することにより、図４（ｃ）に示すように、転写フィルム３０上に導体層３を形成する。このとき、導体層３が表面導体層３Ａである場合には、導体層３はその結晶粒径が0.2〜1.0μｍと小さいため粗化面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5〜3.5μｍである。このため、粗化面と耐エッチング樹脂３１とが隙間なく密着するので、例えば幅が40μｍ以下の微細なパターンを精度よく形成することができる。
【００６５】
次に、導体層３の露出表面を酸処理により粗化することにより、十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5〜4.0μｍの粗化面とする。このとき、表面導体層３Ａは転写フィルム３０側の主面が粗化されていない平滑面として残るとともに露出する主面が十点平均粗さ（Ｒｚ）で2.0〜4.0μｍの粗化面となり、側面が十点平均粗さ（Ｒｚ）で1.5〜3.5μｍの粗化面となる。また、内部導体層３Ｂは、転写フィルム３０側の主面が1.0〜5.0μｍの粗化面として残るとともに、露出する主面及び側面が十点平均粗さ（Ｒｚ）で1.5〜4.0μｍの粗化面となる。なお、この粗化処理は、塩酸や硫酸、硝酸、酢酸、蟻酸等の酸処理による化学的な薬品処理によって行うことができ、それによって多数の尖頭状の微細な突起を形成することができる。中でも、酸溶液を導体層３に噴霧することが望ましい。
【００６６】
この粗化処理は、図４（ａ）の工程後であって、図４（ｂ）の工程前、すなわち耐エッチング樹脂層３１を被覆する前に行っても良い。それにより、銅箔２３の露出する側の主面に粗化処理を施すことができる。エッチング液を用いて銅箔２３を選択的にエッチングする図４（ｃ）の工程によって、導体層３の側面がある程度に粗化される。
【００６７】
なお、表面導体層３Ａの場合、これらの粗化処理は必ずしも要しない。その場合、表面導体層３Ａの前記露出する側の主面は、マット面から成る粗化面として残る。
【００６８】
また、表面導体層３Ａの粗化面の表面粗さと、内部導体層３Ｂの粗化されたシャイニー面の表面粗さとは、略同一に設定されるのが望ましい。それにより、絶縁層１に対する表面導体層３Ａの接着強度を内部導体層３Ｂの接着強度と同等程度に実現しつつ、表面導体層３Ａを微細パターン化することが可能となる。
【００６９】
次に、耐熱繊維基材に未硬化の熱硬化性樹脂組成物を含浸させて成る絶縁層１用の絶縁シート４０、すなわちプリプレグを複数枚準備する（図４（ｄ））。次に、これらの絶縁シート４０にレーザ光を選択的に照射することにより、貫通導体４を形成するための貫通孔４１を穿孔する（図４（ｅ））。貫通孔４１は、絶縁シート４０の表面に保護フィルムを貼着した後、その上から炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等のレーザ光を照射することにより形成される。
【００７０】
次に、絶縁シート４０に形成された貫通孔４１内に、導電性粉末と未硬化の熱硬化性樹脂とから成る導電性材料のペーストである導電ペースト４２を充填する（図４（ｆ））。導電ペースト４２としては、錫と銀とビスマスと銅とを含有する合金や、銅、銀等の導電性粉末に未硬化のトリアジン系熱硬化性樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と液状の硬化剤とを混練したものが好ましく、導電性材料を熱硬化して成る貫通導体４を低抵抗化するという観点からは、金属粉末に少なくとも鉛や錫を含む低融点金属を含有させることが好ましい。貫通孔４１への導電ペースト４２の充填は、スクリーン印刷法により行なわれる。その際に、印刷用のマスクとして、貫通孔に対応する孔を有するメタルマスクを用いたり、図４（ｅ）の工程で被覆した保護フィルムをそのまま用いたりすることができる。
【００７１】
次に、絶縁シート４０から不図示の保護フィルムを剥離した後、転写フィルム３０上に形成した導体層３と貫通孔４１内の導電ペースト４２とが接触するようにして、熱プレスを用いることにより絶縁シート４０の表面に導体層３を熱圧着して埋入させる（図４（ｇ））。その後、絶縁シート４０から転写フィルム３０を剥離することにより、導体層３を絶縁シート４０に転写する（図４（ｈ））。熱圧着は、熱プレス機を用いて、温度が100〜150°Ｃ、圧力が0.5〜5ＭＰａの条件で数分間加圧することにより行なわれる。
【００７２】
このとき、導体層３のうち表面導体層３Ａは、十点平均粗さ（Ｒｚ）が2.0〜4.0μｍのマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面である側の主面が絶縁シート４０に埋入され、シャイニー面から成る平滑面である側の主面が表面に露出する。導体層３のうち内部導体層３Ｂは、酸処理により粗化されたシャイニー面から成る粗化面である側の主面が絶縁シート４０に埋入され、マット面から成る粗化面である側の主面が表面に露出する。
【００７３】
なお、熱圧着は加熱に先行して加圧のみを行なう方が良い。加熱を先に行なうと、熱によって転写フィルム３０が伸び、導体層３と導電ペースト４２との正確な位置合わせが困難となる傾向がある。従って、熱圧着は加熱に先行して加圧のみを行なうことが好ましい。
【００７４】
また、絶縁シート４０はロール状の連続体ではなく、１枚ずつカットされて供給されることが望ましい。これは通常、導体層３が貼着された転写フィルム３０がロール状の連続体で供給されるため、絶縁シート４０を動かして細かな位置の調整を行ない、導体層３との位置合わせを行なった方が、位置合わせ機構がコンパクトになるためである。なお、導体層３と絶縁シート４０との位置合わせは画像認識装置により、光学的に行なうことができるが、その他、様々な公知の方法も使用しても良い。
【００７５】
次に、導体層３が転写された絶縁シート４０の複数枚を、各絶縁シート４０に転写された導体層３同士が貫通孔４１に充填された導電ペースト４２で接続されるようにして積層した後、それらを加熱加圧する（図４（ｉ））。それにより、絶縁シート４０及び導電ペースト４２の中の熱硬化性樹脂が熱硬化する。その結果、絶縁シート４０の各々が絶縁層１となるとともに、積層された絶縁シート４０すなわち絶縁層１が一体化して絶縁基板２（図１）を形成する。同時に、導電ペースト４２が導体層３と結合した貫通導体４となる。
【００７６】
すなわち、図４（ｉ）の工程によって、複数の絶縁層１が積層された絶縁基板２の表面及び絶縁層１の間に導体層３が埋設されているとともに、絶縁基板２の表面に埋設された表面導体層３Ａの結晶粒径が絶縁層１の間に埋設された内部導体層３Ｂの結晶粒径よりも小さな配線基板１００が得られる。なお、積層体の加熱処理にあたっては、積層体をフッ素系樹脂等から成る離型性シートで上下から挟みこみ、1〜5ＭＰａの圧力で150〜240°Ｃの温度で熱処理して、絶縁シート４０及び導電ペースト４２中の熱硬化性樹脂を熱硬化させることが好ましい。
【００７７】
図４（ｉ）は、内部導体層３Ｂが埋設された絶縁シート４０が１枚である例を示しているが、言うまでもなく、内部導体層３Ｂが埋設された絶縁シート４０は複数枚であってもよい。図１に例示する配線基板１００は、表面導体層３Ａが埋設された絶縁層１を２層有し、それらの間に挟まれるように、内部導体層３Ｂが埋設された絶縁層１を６層有している。従って、配線基板１００を製造するためには、内部導体層３Ｂが埋設された絶縁シート４０を得るための図４（ａ）〜図４（ｈ）の工程が６回反復して実行され、表面導体層３Ａが埋設された絶縁シート４０を得るための図４（ａ）〜図４（ｈ）の工程が２回反復して実行される。
【００７８】
また、内部導体層３Ｂが埋設された絶縁シート４０を得るための一回ないし複数回の図４（ａ）〜図４（ｈ）の工程と、表面導体層３Ａが埋設された絶縁シート４０を得るための一回ないし複数回の図４（ａ）〜図４（ｈ）の工程とは、互いに順序が任意であり、且つ互いに同時並行に行われても良い。更に、図３及び図４（ａ）〜図４（ｃ）の工程と、図４（ｄ）〜図（ｆ）の工程とは、互いに順序が任意であり、且つ互いに同時並行に行われても良い。
【００７９】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更が可能であることは言うまでもない。例えば、本発明の配線基板をコア基板として用い、その少なくとも一方の主面にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層と銅めっき膜から成る配線層をビルドアップ法により交互に多層に積層してビルドアップ基板としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の配線基板の一実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１の一部拡大断面図である。
【図３】図１の配線基板の製造工程図である。
【図４】図１の配線基板の製造工程図である。
【符号の説明】
【００８１】
１・・・・絶縁層（第１、第２絶縁層）
２・・・・絶縁基板
３・・・・導体層
３Ａ・・・・表面導体層（第２導体層）
３Ｂ・・・・内部導体層（第１導体層）
４・・・・貫通導体
２３・・・・銅箔（金属箔）
２３Ａ・・・・銅箔（第２金属箔）
２３Ｂ・・・・銅箔（第１金属箔）
３０・・・・転写フィルム（第１、第２フィルム）
４０・・・・絶縁シート（第１、第２絶縁層）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載する用途に好適な配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型化、薄型化、高機能化が要求されてきており、このような電子機器に使用される半導体素子を搭載するための配線基板にも小型化、薄型化、高密度配線化が求められてきている。そして、それを実現するために配線基板における信号導体等を含む配線導体の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、更に配線導体形成用の導体層と絶縁層とを交互に多層に積層して配線することにより高密度配線化が図られている。
【０００３】
このような配線基板としては、ガラス繊維基材にエポキシ樹脂を含浸させるとともに硬化させて成る絶縁層の上下面に金属箔から成る配線導体用の導体層を被着し、これら導体層を被着した絶縁層を、接着層を介して複数層積層圧着して多層化することにより製作された配線基板が知られている。しかしながら、この配線基板は、絶縁層の表面と導体層の表面との高さの相違により表面が凹凸状態になってしまうとともに、導体層のパターン間に接着層が十分に充填されずに隙間が生じてしまい、その隙間に湿気が浸入し配線導体間の絶縁性が低下してしまうという問題点があった。
【０００４】
そこで、このような問題点を解決するために、転写フィルム表面に形成された銅箔等の金属箔から成る配線導体用の導体層を未硬化の熱硬化性樹脂を含有する絶縁シートの表面に圧接して埋入させた後、転写フィルムを除去することによって導体層が転写された未硬化の絶縁層を複数枚作成し、これらを積層圧着後、一括して熱硬化させる一括硬化によって製作した多層配線基板が提案されている（特許文献１の「従来技術」欄）。当該多層配線基板は、工程を簡略化することを可能にするとともに、転写時に金属箔から成る導体層を未硬化状態の絶縁層に両者の表面が略同一面となるように埋入することを可能にするので、導体層と絶縁層との間に積層不良を生じることがない等の多くの利点を有するものである。
【０００５】
このような多層配線基板において導体層用に用いられる金属箔は、一般的には表面が平滑な電着ドラムの表面に電解めっき法によって金属膜を析出させる方法により形成されるものであり、その結晶粒径は0.2〜2.6μｍ程度である。そして金属箔のめっき液に触れる一方の面が、金属めっきの粒成長によって十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜7.0μｍの凹凸のついたマット面と呼ばれる粗化面となり、ドラム表面に接触する他方の面が、十点平均粗さ（Ｒｚ）が0.5〜3.5μｍのドラム表面に対応したシャイニー面と呼ばれる平滑面となる。また、転写フィルムに対して平滑面側が接着されてエッチングされることにより所定パターンの配線導体が形成されており、そのため導体層の絶縁層に埋入される側の主面は、凹凸のついた粗化面となっている。それにより、導体層が絶縁層に強固に接着される。なお、導体層は、配線パターン状にエッチング処理されることにより形成されるため、その側面はその粗さが1.0〜3.0μｍの平滑面となっている。
【０００６】
ところで上記の多層配線基板においては、一般的に内層の導体層よりも表層の導体層に微細配線が要求され、近時は40μｍ以下の線幅の極めて微細なパターンが要求されるようになってきている。しかしながら、銅箔を凹凸のついた粗化面側から微細なパターンでエッチングすると、エッチング用のマスクと銅箔表面の凹部との間に微小な隙間が発生するため微細なパターンを精度良く形成することができず、パターンの形状が崩れて電気抵抗が増大したり、断線が発生したりしてしまうという問題点を有していた。また、粗化面と反対側の主面は平滑面であるため、内層の絶縁層に転写された導体層においては、この平滑な主面と当該導体層の上に積層される別の絶縁層との間の接着強度が小さく、そのため、配線基板に半導体素子を実装するための熱や半導体素子が作動時に発生する熱が加えられると、導体層の平滑な主面と絶縁層との間で剥離が発生し、その剥離を起点としたクラックが発生して周囲の配線導体を切断してしまうという問題点も有していた。
【０００７】
当該問題点を解決するものとして、特許文献１は、転写フィルムに対して金属箔のマット面側を接着するとともに、金属箔のシャイニー面側をエッチング処理することにより粗化面とし、その後に金属箔を選択的にエッチングすることにより配線パターン状に導体層を形成する技術を開示している。形成された導体層は、絶縁シートに転写される。
【０００８】
しかしながら当該技術では、転写フィルムと金属箔との間に微小な隙間が発生し易いため、多層配線基板の表層の導体に必要とされる微細なパターンを精度良く形成することは困難であるという問題点があった。また、導体層のマット面が多層配線基板の表面に露出することとなるので、マット面に形成された凹凸により導体層と半導体素子や外部電気回路基板との良好な接続が困難となってしまうという問題点があった。
【特許文献１】特許第３０３７６６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、一般的に微細配線が要求される表層の導体層を微細なパターンで精度よく形成することを可能にするとともに、導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑え、且つ半導体素子や外部電気回路基板との良好な電気的接続を実現する多層構造の配線基板、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決し上記目的を達成するために、本発明のうち第１の態様に係るものは、複数層の導体層を有する多層構造の配線基板であって、絶縁基板と、前記絶縁基板の表面に埋設された金属箔から成る表面導体層と、前記絶縁基板の内部に埋設された金属箔から成る内部導体層と、を備えている。そして、前記表面導体層の結晶粒径が前記内部導体層の結晶粒径よりも小さく、前記表面導体層は、その埋設された側の主面がマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面であるとともに、露出する側の主面がシャイニー面から成る非粗化面又は粗化されたシャイニー面から成る粗化面であり、前記内部導体層は、一主面がマット面から成る粗化面であり、他主面が粗化されたシャイニー面から成る粗化面となっている。
【００１１】
この構成によれば、絶縁基板の表面に埋設された導体層である表面導体層の結晶粒径が絶縁基板の内部に埋設された導体層である内部導体層の結晶粒径よりも小さいことから、一般に微細配線が要求される表面導体層において、マット面の凹凸が小さいものとなる。それにより、表面導体層を微細なパターンで精度良く形成することが可能となる。また、表面導体層の埋設された側の主面がマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面であるので、表面導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑えることができる。更に、表面導体層の露出する側の主面がシャイニー面から成る非粗化面又は粗化されたシャイニー面から成る粗化面であるので、凹凸が小さく、表面導体層と半導体素子や外部電気回路基板とを良好に接続することができる。また、内部導体層は、一主面がマット面から成る粗化面であり、他主面が粗化されたシャイニー面から成る粗化面であるので、内部導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑えることができる。
【００１２】
本発明のうち第２の態様に係るものは、第１の態様に係る配線基板であって、前記表面導体層の埋設された側の前記主面の表面粗さが、前記内部導体層の前記他主面の表面粗さに略同一であることを特徴とするものである。
【００１３】
この構成によれば、表面導体層の埋設された側の主面の表面粗さが、内部導体層のエッチング処理により粗化されたシャイニー面の表面粗さと略同一であるので、絶縁基板に対する表面導体層の接着強度と内部導体層の接着強度とを同等程度とすることができる。すなわち、表面導体層の接着強度を内部導体層の接着強度と同等程度に実現しつつ、表面導体層を微細パターン化することが可能となる。
【００１４】
本発明のうち第３の態様に係るものは、第１又は第２の態様に係る配線基板であって、前記表面導体層は、その埋設された側面が粗化面であることを特徴とするものである。
【００１５】
この構成によれば、表面導体層の絶縁基板に埋設された側面が粗化面であるので、表面導体層と絶縁基板との間の接着強度が更に高められる。
【００１６】
本発明のうち第４の態様に係るものは、第３の態様に係る配線基板であって、前記表面導体層の前記側面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5〜3.5μｍであることを特徴とするものである。
【００１７】
この構成によれば、表面導体層の側面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5〜3.5μｍであるので、表面導体層と絶縁基板との接合強度を保ちつつ、表面導体層をより微細なパターンとして形成することができる。
【００１８】
本発明のうち第５の態様に係るものは、第１ないし第４の何れかの態様に係る配線基板であって、前記内部導体層は、その埋設された側面が粗化面であることを特徴とするものである。
【００１９】
この構成によれば、内部導体層の絶縁基板に埋設された側面が粗化面であるので、内部導体層と絶縁基板との間の接着強度が更に高められる。
【００２０】
本発明のうち第６の態様に係るものは、第１ないし第５の何れかの態様に係る配線基板であって、前記表面導体層の結晶粒径が0.2〜1.0μｍであり、前記内部導体層の結晶粒径が0.6〜1.8μｍであることを特徴とするものである。
【００２１】
この構成によれば、表面導体層の結晶粒径が0.2〜1.0μｍであり内部導体層の結晶粒径が0.6〜1.8μｍであるので、表面導体層をより一層微細なパターンとして形成することができるとともに表面導体層と絶縁層との間に十分な接着強度が得られる。
【００２２】
本発明のうち第７の態様に係るものは、第１ないし第６の何れかの態様に係る配線基板であって、前記表面導体層は、その埋設された側の前記主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が2.0〜4.0μｍであることを特徴とするものである。
【００２３】
この構成によれば、表面導体層の埋設された側の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が2.0〜4.0μｍであるので、表面導体層と絶縁基板とが更に強固に接合される。
【００２４】
本発明のうち第８の態様に係るものは、第１ないし第７の何れかの態様に係る配線基板であって、前記表面導体層の露出する側の前記主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜3.0μｍであることを特徴とするものである。
【００２５】
この構成によれば、表面導体層の露出する側の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜3.0μｍであるので、表面導体層と半導体素子や外部電気回路との接続が更に良好に実現する。
【００２６】
本発明のうち第９の態様に係るものは、第１ないし第８の何れかの態様に係る配線基板であって、前記内部導体層の前記一主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜5.0μｍであることを特徴とするものである。
【００２７】
この構成によれば、内部導体層の一主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜5.0μｍであるので、内部導体層と絶縁基板との接着強度が更に向上する。
【００２８】
本発明のうち第１０の態様に係るものは、複数層の導体層を有する多層構造の配線基板を製造する方法であって、第１金属箔をめっきにより形成する第１工程と、前記第１金属箔のマット面が接着面となるように前記第１金属箔を第１フィルムに接着させる第２工程と、前記第１金属箔をパターニングすることにより第１導体層を形成する第３工程と、前記第２工程と前記第３工程との間、又は前記第３工程の後に、前記第１金属箔のシャイニー面を溶液処理により粗化する第４工程と、前記第３工程及び前記第４工程の後に、前記第１フィルムを未硬化ないし半硬化の第１絶縁層に圧力を加えつつ積層することにより前記第１導体層を前記第１絶縁層の表面に埋設する第５工程と、前記第５工程の後に、前記第１フィルムを剥離することにより前記第１導体層を前記第１絶縁層の表面に転写する第６工程と、前記第１金属箔よりも結晶粒径が小さくなるように第２金属箔をめっきにより形成する第７工程と、前記第２金属箔のシャイニー面が接着面となるように前記第２金属箔を第２フィルムに接着させる第８工程と、前記第２金属箔をパターニングすることにより第２導体層を形成する第９工程と、前記第９工程の後に、前記第２フィルムを未硬化ないし半硬化の第２絶縁層に圧力を加えつつ積層することにより前記第２導体層を前記第２絶縁層の表面に埋設する第１０工程と、前記第１０工程の後に、前記第２フィルムを剥離することにより前記第２導体層を前記第２絶縁層の表面に転写する第１１工程と、前記第６工程及び前記第１１工程の後に、前記第１導体層が内部に位置し前記第２導体層が表面に位置するように、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とを積層して硬化させる第１２工程と、を備えるものである。
【００２９】
この構成によれば、積層された第１絶縁層と第２絶縁層とが硬化されて成る絶縁基板の表面に埋設された表面導体層である第２導体層の結晶粒径が、絶縁基板の内部に埋設された内部導体層である第１導体層の結晶粒径よりも小さくなる。このため、一般に微細配線が要求される表面導体層において、マット面の凹凸が小さいものとなる。それにより、表面導体層を微細なパターンで精度良く形成することが可能となる。また、表面導体層の埋設された側の主面がマット面となるので、表面導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑えることができる。更に、表面導体層の露出する側の主面がシャイニー面となるので、表面導体層と半導体素子や外部電気回路基板とを良好に接続することができる。また、内部導体層は、一主面がマット面であり、他主面が溶液処理により粗化されたシャイニー面となるので、双方の主面が粗化された状態で絶縁基板に接触する。それにより、内部導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑えることができる。
【００３０】
本発明のうち第１１の態様に係るものは、第１０の態様に係る配線基板の製造方法であって、Ｎを１以上の整数として、前記第１工程ないし第６工程を、Ｎ回反復する反復工程を更に備え、前記第１２工程は、Ｎ＋１回の前記第６工程及び前記第１１工程の後に、全ての前記第１導体層が内部に位置し前記第２導体層が表面に位置するように、Ｎ＋１枚の前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とを積層して硬化させるものである。
【００３１】
この構成によれば、第１工程ないし第６工程が更に１回以上反復して行われ、全ての第１導体層が内部に位置し第２導体層が表面に位置するように、全３枚以上の絶縁層が積層され且つ硬化される。このため、複数層の内部導体層を有し、且つ表面導体層の微細パターン化、表面導体層と半導体素子や外部電気回路との良好な接続、及び内部及び表面導体層と絶縁層との接着強度の向上を同時に達成する配線基板が得られる。
【００３２】
本発明のうち第１２の態様に係るものは、第１０ないし第１１の何れかの態様に係る配線基板の製造方法であって、前記第８工程と前記第９工程との間、又は前記第９工程の後に、前記第２金属箔のマット面を溶液処理により更に粗化する第１３工程を更に備えるものである。
【００３３】
この構成によれば、第２金属箔のマット面が溶液処理により更に粗化されるので、表面導体層である第２導体層と絶縁基板との間の接着強度が更に高められる。特に、第１３工程が第９工程の後に行われる場合には、第２金属箔のパターニングによって得られた第２導体層の側面が同時に粗化されるので、第２導体層と絶縁基板との間の接着強度が更に高められる。
【発明の効果】
【００３４】
以上のように本発明によれば、一般的に微細配線が要求される表層の導体層を微細なパターンで精度よく形成することが可能となるとともに、導体層と絶縁基板との間の接着強度が向上し剥離が抑えられ、且つ半導体素子や外部電気回路基板との良好な電気的接続が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
（１．配線基板の構成）
図１は、本発明の一実施の形態による配線基板の構成を示す断面図である。また、図２は、図１の配線基板の一部拡大断面図である。この配線基板１００は、積層された複数の絶縁層１が一体化されてなる絶縁基板２、各絶縁層１の表面に埋設されることにより複数層にわたる導体層３、及び、各絶縁層１を貫通することにより異なる層に位置する導体層３どうしを電気的に接続する貫通導体４を、主要な要素として備えている。また、配線基板１００は、導体層３の一部を露出させるように絶縁基板２の上下の二主面に被着されたソルダーレジスト層５を更に備えている。なお、この実施の形態による配線基板１００では、ソルダーレジスト層５を備えている例を示しているが、本発明の配線基板は必ずしもソルダーレジスト層５を備えていることを要しない。
【００３６】
絶縁基板２を構成する各絶縁層１は、耐熱繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて成り、それぞれが導体層３を支持するとともに上下に位置する導体層３間の絶縁を保持する機能を有する。絶縁基板２は、例えばガラス繊維束を縦横に編み込んだ耐熱繊維基材に未硬化の熱硬化性樹脂組成物を含浸させ、通常においては更に半硬化状態とされて成り、厚みが50〜150μｍ程度の絶縁層１の素材としての絶縁シート（プリプレグ(Prepreg)と称される）を積層し、一括して熱硬化させることにより形成されている。すなわち、絶縁基板２は、一体化された絶縁層１の積層体として形成されている。
【００３７】
なお、絶縁層１の素材としての絶縁シートは、アラミド繊維やガラス繊維の不織布又は織布を、熱硬化性樹脂、架橋剤、エラストマー及び適当な溶剤を混合してなる液状の熱硬化性樹脂組成物に浸漬することによって、あるいはこの組成物をアラミド繊維やガラス繊維の不織布又は織布に塗布し含浸させることによって製作される。絶縁シートを構成する熱硬化性樹脂組成物に含有される熱硬化性樹脂としては、アリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂やエポキシ樹脂、変性ポリオレフィン樹脂等が用いられ、後述する導体層３の転写及び埋入が行ないやすいように、その分子量は10000〜500000に調整されている。
【００３８】
また、架橋剤としては、トリアリルイソシアヌレート等のトリアジン化合物が用いられ、その含有率は熱硬化性樹脂100質量部に対して、1〜10質量部であることが好ましい。架橋剤の含有率が熱硬化性樹脂100質量部に対して1質量部より少ないと架橋密度が低下し吸湿し易くなる傾向があり、10質量部より多いと絶縁層１が脆くなる傾向にある。従って、架橋剤の含有率は熱硬化性樹脂100質量部に対して1〜10質量部であることが好ましい。
【００３９】
更に、エラストマーとしては、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン（ＳＥＢＳ）やスチレン−エチレン−プロピレン−スチレン（ＳＥＰＳ）等の熱可塑性エラストマーが用いられ、その含有率は熱硬化性樹脂100質量部に対して、10〜40質量部が好ましい。エラストマーの含有率が熱硬化性樹脂100質量部に対して10質量部より少ないと絶縁層１が脆くなる傾向にあり、40質量部を超えると絶縁層１の剛性が低くなる傾向にある。従って、エラストマーの含有率は熱硬化性樹脂100質量部に対して10〜40質量部が好ましい。
【００４０】
また、耐熱繊維基材は、アラミド繊維やガラス繊維等の繊維の不織布又は織布から成り、織布の場合その織り方は特に制限されず、一般に用いられる平織、綾織、朱子織等の織布が用いられる。このような耐熱繊維基材の含有率は、熱硬化性樹脂100質量部に対して50〜130質量部が好ましい。耐熱性繊維基材の含有率が熱硬化性樹脂100質量部に対して50質量部より少ないと、絶縁層１の積層・硬化時に熱硬化性樹脂が流動し、絶縁層１表面の導体層３が歪んでしまい易くなる傾向があり、130質量部より多いと耐熱性繊維基材に熱硬化性樹脂を良好に含浸できなくなる傾向にある。従って、耐熱性繊維基材の含有率は、熱硬化性樹脂100質量部に対して、50〜130質量部が好ましい。
【００４１】
また、絶縁基板２の表面及び各絶縁層１の間に埋設された導体層３は、厚みが5〜50μｍ程度の銅やアルミニウム、銀等の金属箔から成り、配線基板に搭載される半導体素子の各電極を外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続する導電路の一部として機能する。これらの導体層３は、幅が20〜200μｍ程度の信号用導体や広面積の接地又は電源用導体を含んでおり、一般的には絶縁基板２の表面において微細な高密度配線が施されている。
【００４２】
絶縁基板２の上主面（図中上方に向いた一方主面を上主面、下方に向いた他方主面を下主面と仮称する）に埋設された導体層３のうち、ソルダーレジスト層５に覆われることなく露出する部分は半導体素子接続パッド３ａとして機能し、絶縁基板２の下主面に埋設された導体層３のうち露出する部分は外部接続パッド３ｂとして機能する。半導体素子接続パッド３ａは、半田バンプ７ａを通じて、例えばベアチップの形態を有する半導体素子６に接続される。他方の外部接続パッド３ｂは、半田バンプ７ｂを通じて不図示のマザーボード等の電気回路基板に接続される。
【００４３】
なお、このような導体層３は、転写フィルム上に接着剤を介して剥離可能に貼着した金属箔を所定パターンにエッチングすることにより形成した導体層３を、絶縁層１用の絶縁シートの表面に熱プレスを用いて熱圧着して埋入させておくことにより、絶縁基板２の表面すなわち上下両主面、及び絶縁基板２の内部である絶縁層１の間に埋設される。また、このような導体層３は、絶縁層１との接着強度を高めるために、絶縁層１用の絶縁シートに埋設される側の主面や側面を転写フィルム上で溶液処理することにより粗化しておくことが望ましい。
【００４４】
配線基板１００では、導体層３のうち、絶縁基板２の表面に埋設された導体層である表面導体層３Ａの結晶粒径が、絶縁層１の間に埋設された導体層である内部導体層３Ｂの結晶粒径よりも小さく設定されている。このように、表面導体層３Ａの結晶粒径が内部導体層３Ｂの結晶粒径より小さいことから、一般に微細配線が要求される表面導体層３Ａにおいて、粗化面の凹凸が小さいものとなり、その結果、表面導体層３Ａのパターンに大きな形状の崩れや断線が発生することが回避されるとともに、内部導体層３Ｂにおいては十分に大きな粗化面が形成され、絶縁層１との強固な密着が実現する。
【００４５】
なお、絶縁基板２の表面に埋設された表面導体層３Ａは、その結晶粒径が0.2μｍ未満であると、その埋設された側の主面に絶縁層１との間の強固な接合に必要な凹凸を十分に形成することが困難となる傾向にあり、他方、1.0μｍを超えると、表面導体層３Ａをエッチングして微細なパターンを形成する際にそのパターンを精度良く形成することが困難となる傾向にある。従って、表面導体層３Ａの結晶粒径は、0.2〜1.0μｍの範囲が好ましい。
【００４６】
更に、表面導体層３Ａは、その埋設された側の主面がマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面であるとともに、露出する主面はシャイニー面から成る非粗化面又は粗化されたシャイニー面から成る粗化面であり、且つ内部導体層３Ｂは、その一方の主面がマット面から成る粗化面であり、他方の主面が粗化されたシャイニー面から成る粗化面とされていることが好ましい。表面導体層３Ａは、その埋設された側の主面がマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面であると、粗化面の微小な凹凸と絶縁層１中の樹脂とが機械的に噛み合うことにより絶縁層１に強固に密着する。また、露出する他方の主面はシャイニー面から成る非粗化面又は粗化されたシャイニー面から成る粗化面となっていると、表面導体層３Ａと半導体素子や外部電気回路基板とを良好に接続することができる。更に、内部導体層３Ｂは、その一方の主面がマット面から成る粗化面であり、他方の主面が粗化されたシャイニー面から成る粗化面であると、双方の主面に形成された粗化面の微小な凹凸と絶縁層１中の樹脂とが機械的に噛み合うことにより絶縁層１に強固に密着する。従って、半導体素子６を実装する際の熱や半導体素子６が動作時に発生する熱が加えられた場合においても、導体層３と絶縁層１との間の剥離が抑えられ、半導体素子６や外部電気回路基板との電気的な接続に関して信頼性に優れる配線基板として、配線基板１００を提供することができる。
【００４７】
なお、表面導体層３Ａは、その埋設された側の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が2.0μｍ未満であると、絶縁層１との密着力、すなわち接着強度が弱いものとなり、表面導体層３Ａに半導体素子６や外部電気回路基板を接続する際等に応力が加えられると、絶縁基板２から剥離してしまう危険性が大きくなる。他方、上記十点平均粗さ（Ｒｚ）が4.0μｍを超えると、表面導体層３Ａをエッチングして微細なパターンを形成する際に、そのパターンを精度良く形成することが困難となったり、表面導体層３Ａの埋設される側の主面を粗化する際に微細なパターンに断線が発生したりする可能性がある。従って、表面導体層３Ａの埋設された側の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は、2.0〜4.0μｍの範囲であることが好ましい。
【００４８】
更に、表面導体層３Ａは、その埋設された側面が粗化面であると、粗化された側面の微小な凹凸と絶縁層１中の樹脂とが機械的に噛み合うことにより絶縁層１との接合力、言い換えると接着強度をより高いものとすることができる。従って、表面導体層３Ａの側面は粗化されていることが好ましい。表面導体層３Ａは、その側面が粗化面となっている場合、側面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5μｍ未満であると、側面と絶縁層１との接合力、すなわち接着強度を向上させることが困難であり、3.5μｍを越えると、粗化する際に微細なパターンに断線が発生する危険性がある。従って、表面導体層３Ａは、その側面が粗化面となっている場合、側面の十点平均粗さ（Ｒｚ）を1.5〜3.5μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００４９】
また、表面導体層３Ａは、その露出する側の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0μｍ未満であると、表面導体層３Ａの露出する側の主面とソルダーレジスト層５との接合力を向上させることが困難となる。また、上記十点平均粗さ（Ｒｚ）が3.0μｍを超えると、表面導体層３Ａを選択的にエッチングすることにより微細パターンを形成する際に、転写フィルムと表面導体層３Ａとの間に隙間が発生し易く、微細なパターンを精度良く形成することができず、パターンの形状が崩れて電気抵抗が増大したり、断線が発生したりしてしまう。それにより、半導体素子６や外部電気回路基板との接続の信頼性が低下する傾向が現れることとなる。従って、表面導体層３Ａの露出する主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は、1.0〜3.0μｍの範囲であることが好ましい。
【００５０】
更に、絶縁層１の間に埋設された内部導体層３Ｂは、その双方の主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0μｍ未満であると、絶縁層１との接合力すなわち接着強度が小さく、絶縁層１との間で剥離してしまう危険性が大きくなる。内部導体層３Ｂの双方の主面のうち、絶縁層１に埋設される側とは反対側の主面について、上記十点平均粗さ（Ｒｚ）が5.0μｍを超えると、導体層３を絶縁層１用の絶縁シートに埋入して転写する際に、転写フィルムと内部導体層３Ｂとを接着している接着剤が内部導体層３Ｂの上記主面に残留してしまい、残留した接着剤が内部導体層３Ｂと絶縁層１との強固な密着を阻害してしまう危険性がある。従って、内部導体層３Ｂの双方の主面のうち、絶縁層１に埋設される側とは反対側の主面については、その十点平均粗さ（Ｒｚ）は1.0〜5.0μｍの範囲であることが好ましい。
【００５１】
内部導体層３Ｂの側面も、粗化面として形成されていることが更に望ましい。それにより、内部導体層３Ｂと絶縁層１との間の接着強度が更に高められる。
【００５２】
また、絶縁層１を貫通して設けられた貫通導体４は、各絶縁層１を挟んで上下に位置する導体層３同士を互いに電気的に接続する層間接続導体として機能する。貫通導体４は、その直径が好ましくは30〜200μｍであり、絶縁層１に設けられた貫通孔内に金属粉末とトリアジン系熱硬化性樹脂等とから成る導電性材料を埋め込み熱硬化することにより形成されている。貫通導体４は、その直径が30μｍ未満になると貫通導体４の形成が困難となる傾向があり、200μｍを超えると高密度配線が形成できなくなる傾向がある。従って、貫通導体４の直径は30〜200μｍであることが好ましい。
【００５３】
また、貫通導体４を形成する導電性材料の金属粉末の含有量は80〜95質量％が好ましい。金属粉末の含有量が80質量％より少ないと、トリアジン系熱硬化性樹脂により金属粉末同士の接続が妨げられ導通抵抗が上昇してしまう傾向があり、95質量％を超えると導電性材料の粘度が上がり過ぎて良好に埋め込みできない傾向がある。従って、導電性材料の金属粉末の含有量は、80〜95質量％であることが好ましい。
【００５４】
なお、貫通導体４用の導電性材料に含有される金属粉末は、錫と銀とビスマスと銅とを含有する合金から成り、錫を70〜90質量％含有することが好ましい。また、金属粉末の平均粒径は5〜10μｍであることが好ましい。平均粒径が5μｍより小さいと導電性材料の粘度が上がり過ぎて良好に埋め込みできない傾向があり、10μｍより大きいと金属粉末が高充填できず導通抵抗が高くなってしまう傾向がある。従って、貫通導体４用の導電性材料に含有される金属粉末の平均粒径は、5〜10μｍであることが好ましい。
【００５５】
また、貫通導体４の熱硬化性樹脂は、トリアリルシアヌレートやトリアリルイソシアヌレート、トリスエポキシプロピルイソシアヌレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート等のトリアジン系熱硬化性樹脂であることが好ましい。
【００５６】
更に、絶縁基板２の上下両主面にはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るソルダーレジスト層５が、導体層３の半導体素子接続パッド３ａや外部接続パッド３ｂの中央部を露出させるようにして被着されている。ソルダーレジスト層５は、半導体素子接続パッド３ａ同士や外部接続パッド３ｂ同士が半田バンプ７ａや７ｂにより互いに電気的に短絡するのを防止するための短絡防止手段として機能し、感光性を有する未硬化の熱硬化性樹脂のシートを絶縁基板２の上下両主面に貼着するとともに露光及び現像した後、紫外線及び熱硬化させることによって形成される。
【００５７】
なお、配線基板１００がソルダーレジスト層５を有する場合、表面導体層３Ａの露出する側の主面とソルダーレジスト層５をとの接合力を高めるため、絶縁層１に埋設された表面導体層３Ａの露出する側の主面を溶液処理やブラスト研磨等により粗化し、その上にソルダーレジスト層５を形成するようにしてもよい。この場合、ソルダーレジスト層５を形成した後、ソルダーレジスト層５から露出する表面導体層３Ａの表面を選択的にソフトエッチングしてその十点平均粗さ（Ｒｚ）を1.0〜3.0μｍに調整することが好ましい。
【００５８】
かくして、本発明の一実施の形態による配線基板１００によれば、絶縁基板２の表面、すなわち両主面に埋設された表面導体層３Ａの結晶粒径が、絶縁層１の間に埋設された内部導体層３Ｂの結晶粒径よりも小さいことから、一般に微細配線が要求される表面導体層３Ａにおいて、粗化面の凹凸が小さいものとなり、その結果、表面導体層３Ａのパターンに大きな形状の崩れや断線が発生することが回避される。同時に、内部導体層３Ｂにおいては十分に大きな粗化面が形成されるので、内部導体層３Ｂが絶縁層１と強固に密着する。従って、表層に精度良く形成された微細なパターンの配線導体を有するとともに、半導体素子６を実装する際の熱や半導体素子６が作動時に発生する熱が加えられても、導体層３と絶縁層１との間の剥離が抑えられ、半導体素子６や外部電気回路基板との電気的な接続に対する信頼性に優れる高密度配線の配線基板として、配線基板１００を得ることができる。
【００５９】
通常において、絶縁基板２の両主面のうち、半導体素子６が接続される側の主面に埋設される表面導体層３Ａの方が、他方の主面に埋設される表面導体層３Ａに比べて、より微細なパターン形状であることを要する。従って、絶縁基板２の両主面に埋設された表面導体層３Ａのうち、一方主面に埋設されたもの、例えば半導体素子６が接続される側の主面に埋設されたものについてのみ、結晶粒径が内部導体層３Ｂの結晶粒径よりも小さく設定され、絶縁層１に埋設される側の主面が粗化面とされ、その反対主面が非粗化面とされてもよい。
【００６０】
（２．製造方法）
図３及び図４は、配線基板１００を製造する好ましい方法を示す製造工程図である。以下に図３及び図４を参照しつつ、配線基板１００を製造するための好ましい方法について説明する。
【００６１】
配線基板１００を製造するには、まず、絶縁層１の間に埋設される内部導体層３Ｂの元になる金属箔（「第１金属箔」と仮称する）と、絶縁基板２の表面に埋設される表面導体層３Ａの元になる金属箔（「第２金属箔」と仮称する）とが準備される。これらの金属箔は、図３（ａ）に例示するように電解めっきにより形成される。以下、金属箔が銅箔である場合を例に挙げる。銅箔を形成する場合には、銅イオンを含有する電解液であるめっき液２０に浸漬した電着ドラム（カソード体）２１と鉛容器（アノード体）２２との間に、電流密度が数10〜数100Ａ／ｄｍ２の電流を通電して電着ドラム２１の表面に、厚さ10〜30μｍ程度の銅箔２３を析出させる。電着ドラム２１の表面に析出した銅箔２３は、電着ドラム２１から連続して剥離され、巻き取りロール２４に巻き取られる。
【００６２】
このとき、表面導体層３Ａ用の銅箔であれば、その結晶粒径が0.2〜1.0μｍとなるように、内部導体層３Ｂ用の銅箔であれば、その結晶粒径が0.6〜1.8μｍとなるように析出させる。銅箔の結晶粒径を制御するには、電着ドラム２１の回転速度を調整すればよい。回転速度を高くすれば結晶粒径が0.2〜1.0μｍと小さくなり、回転速度を低くすれば結晶粒径が0.6〜1.8μｍと大きくなる。また、電着ドラム２１の表面に接着する側の銅箔２３の主面は、十点平均粗さ（Ｒｚ）が電着ドラム２１の表面に対応した1.0〜3.0μｍであるシャイニー面と呼ばれる平滑面となる。一方、銅箔２３の反対側の面、すなわち、めっき液２０に接触する側の主面は、銅の結晶が析出するに伴ってこぶ状、すなわち複数の結晶が塊になったノジュール(Nodule)状の微細な突起の集合体として成長することにより形成されるマット面と呼ばれる粗化面となる。なお、この粗化面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は、表面導体層３Ａ用の銅箔であれば、1.5〜3.5μｍとなり、内部導体層３Ｂ用の銅箔であれば、1.0〜5.0μｍとなる。
【００６３】
次に、図３（ｂ）及び図３（ｃ）が示すように、厚みが20〜50μｍ程度のポリエチレンテレフタレート等の耐熱性樹脂から成る転写フィルム３０の片面に接着剤を介して上記の銅箔２３をそれぞれ貼着する。このとき、表面導体層３Ａ用の銅箔２３Ａは、その平滑面、すなわちシャイニー面が転写フィルムの主面に接触するように貼着され、内部導体層３Ｂ用の銅箔２３Ｂは、その粗化面、すなわちマット面が転写フィルムの主面に接触するように貼着される。図４（ａ）は、図３（ｂ）及び図３（ｃ）の何れかの工程によって得られた銅箔２３が貼着、すなわち接着された転写フィルム３０を示している。
【００６４】
次に、転写フィルム３０に貼着された銅箔２３の上に、レジストマスクとしての耐エッチング樹脂を被着し、この耐エッチング樹脂を選択的に露光及び現像することにより、図４（ｂ）に示すように、銅箔２３を導体層３の配線パターン状に被覆する耐エッチング樹脂層３１を形成する。その後、この工程で得られた構造体を、塩化第二鉄溶液中に浸漬することにより、銅箔２３の露出部をエッチング除去した後、耐エッチング樹脂層３１を剥離することにより、図４（ｃ）に示すように、転写フィルム３０上に導体層３を形成する。このとき、導体層３が表面導体層３Ａである場合には、導体層３はその結晶粒径が0.2〜1.0μｍと小さいため粗化面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5〜3.5μｍである。このため、粗化面と耐エッチング樹脂３１とが隙間なく密着するので、例えば幅が40μｍ以下の微細なパターンを精度よく形成することができる。
【００６５】
次に、導体層３の露出表面を酸処理により粗化することにより、十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5〜4.0μｍの粗化面とする。このとき、表面導体層３Ａは転写フィルム３０側の主面が粗化されていない平滑面として残るとともに露出する主面が十点平均粗さ（Ｒｚ）で2.0〜4.0μｍの粗化面となり、側面が十点平均粗さ（Ｒｚ）で1.5〜3.5μｍの粗化面となる。また、内部導体層３Ｂは、転写フィルム３０側の主面が1.0〜5.0μｍの粗化面として残るとともに、露出する主面及び側面が十点平均粗さ（Ｒｚ）で1.5〜4.0μｍの粗化面となる。なお、この粗化処理は、塩酸や硫酸、硝酸、酢酸、蟻酸等の酸処理による化学的な薬品処理によって行うことができ、それによって多数の尖頭状の微細な突起を形成することができる。中でも、酸溶液を導体層３に噴霧することが望ましい。
【００６６】
この粗化処理は、図４（ａ）の工程後であって、図４（ｂ）の工程前、すなわち耐エッチング樹脂層３１を被覆する前に行っても良い。それにより、銅箔２３の露出する側の主面に粗化処理を施すことができる。エッチング液を用いて銅箔２３を選択的にエッチングする図４（ｃ）の工程によって、導体層３の側面がある程度に粗化される。
【００６７】
なお、表面導体層３Ａの場合、これらの粗化処理は必ずしも要しない。その場合、表面導体層３Ａの前記露出する側の主面は、マット面から成る粗化面として残る。
【００６８】
また、表面導体層３Ａの粗化面の表面粗さと、内部導体層３Ｂの粗化されたシャイニー面の表面粗さとは、略同一に設定されるのが望ましい。それにより、絶縁層１に対する表面導体層３Ａの接着強度を内部導体層３Ｂの接着強度と同等程度に実現しつつ、表面導体層３Ａを微細パターン化することが可能となる。
【００６９】
次に、耐熱繊維基材に未硬化の熱硬化性樹脂組成物を含浸させて成る絶縁層１用の絶縁シート４０、すなわちプリプレグを複数枚準備する（図４（ｄ））。次に、これらの絶縁シート４０にレーザ光を選択的に照射することにより、貫通導体４を形成するための貫通孔４１を穿孔する（図４（ｅ））。貫通孔４１は、絶縁シート４０の表面に保護フィルムを貼着した後、その上から炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等のレーザ光を照射することにより形成される。
【００７０】
次に、絶縁シート４０に形成された貫通孔４１内に、導電性粉末と未硬化の熱硬化性樹脂とから成る導電性材料のペーストである導電ペースト４２を充填する（図４（ｆ））。導電ペースト４２としては、錫と銀とビスマスと銅とを含有する合金や、銅、銀等の導電性粉末に未硬化のトリアジン系熱硬化性樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と液状の硬化剤とを混練したものが好ましく、導電性材料を熱硬化して成る貫通導体４を低抵抗化するという観点からは、金属粉末に少なくとも鉛や錫を含む低融点金属を含有させることが好ましい。貫通孔４１への導電ペースト４２の充填は、スクリーン印刷法により行なわれる。その際に、印刷用のマスクとして、貫通孔に対応する孔を有するメタルマスクを用いたり、図４（ｅ）の工程で被覆した保護フィルムをそのまま用いたりすることができる。
【００７１】
次に、絶縁シート４０から不図示の保護フィルムを剥離した後、転写フィルム３０上に形成した導体層３と貫通孔４１内の導電ペースト４２とが接触するようにして、熱プレスを用いることにより絶縁シート４０の表面に導体層３を熱圧着して埋入させる（図４（ｇ））。その後、絶縁シート４０から転写フィルム３０を剥離することにより、導体層３を絶縁シート４０に転写する（図４（ｈ））。熱圧着は、熱プレス機を用いて、温度が100〜150°Ｃ、圧力が0.5〜5ＭＰａの条件で数分間加圧することにより行なわれる。
【００７２】
このとき、導体層３のうち表面導体層３Ａは、十点平均粗さ（Ｒｚ）が2.0〜4.0μｍのマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面である側の主面が絶縁シート４０に埋入され、シャイニー面から成る平滑面である側の主面が表面に露出する。導体層３のうち内部導体層３Ｂは、酸処理により粗化されたシャイニー面から成る粗化面である側の主面が絶縁シート４０に埋入され、マット面から成る粗化面である側の主面が表面に露出する。
【００７３】
なお、熱圧着は加熱に先行して加圧のみを行なう方が良い。加熱を先に行なうと、熱によって転写フィルム３０が伸び、導体層３と導電ペースト４２との正確な位置合わせが困難となる傾向がある。従って、熱圧着は加熱に先行して加圧のみを行なうことが好ましい。
【００７４】
また、絶縁シート４０はロール状の連続体ではなく、１枚ずつカットされて供給されることが望ましい。これは通常、導体層３が貼着された転写フィルム３０がロール状の連続体で供給されるため、絶縁シート４０を動かして細かな位置の調整を行ない、導体層３との位置合わせを行なった方が、位置合わせ機構がコンパクトになるためである。なお、導体層３と絶縁シート４０との位置合わせは画像認識装置により、光学的に行なうことができるが、その他、様々な公知の方法も使用しても良い。
【００７５】
次に、導体層３が転写された絶縁シート４０の複数枚を、各絶縁シート４０に転写された導体層３同士が貫通孔４１に充填された導電ペースト４２で接続されるようにして積層した後、それらを加熱加圧する（図４（ｉ））。それにより、絶縁シート４０及び導電ペースト４２の中の熱硬化性樹脂が熱硬化する。その結果、絶縁シート４０の各々が絶縁層１となるとともに、積層された絶縁シート４０すなわち絶縁層１が一体化して絶縁基板２（図１）を形成する。同時に、導電ペースト４２が導体層３と結合した貫通導体４となる。
【００７６】
すなわち、図４（ｉ）の工程によって、複数の絶縁層１が積層された絶縁基板２の表面及び絶縁層１の間に導体層３が埋設されているとともに、絶縁基板２の表面に埋設された表面導体層３Ａの結晶粒径が絶縁層１の間に埋設された内部導体層３Ｂの結晶粒径よりも小さな配線基板１００が得られる。なお、積層体の加熱処理にあたっては、積層体をフッ素系樹脂等から成る離型性シートで上下から挟みこみ、1〜5ＭＰａの圧力で150〜240°Ｃの温度で熱処理して、絶縁シート４０及び導電ペースト４２中の熱硬化性樹脂を熱硬化させることが好ましい。
【００７７】
図４（ｉ）は、内部導体層３Ｂが埋設された絶縁シート４０が１枚である例を示しているが、言うまでもなく、内部導体層３Ｂが埋設された絶縁シート４０は複数枚であってもよい。図１に例示する配線基板１００は、表面導体層３Ａが埋設された絶縁層１を２層有し、それらの間に挟まれるように、内部導体層３Ｂが埋設された絶縁層１を６層有している。従って、配線基板１００を製造するためには、内部導体層３Ｂが埋設された絶縁シート４０を得るための図４（ａ）〜図４（ｈ）の工程が６回反復して実行され、表面導体層３Ａが埋設された絶縁シート４０を得るための図４（ａ）〜図４（ｈ）の工程が２回反復して実行される。
【００７８】
また、内部導体層３Ｂが埋設された絶縁シート４０を得るための一回ないし複数回の図４（ａ）〜図４（ｈ）の工程と、表面導体層３Ａが埋設された絶縁シート４０を得るための一回ないし複数回の図４（ａ）〜図４（ｈ）の工程とは、互いに順序が任意であり、且つ互いに同時並行に行われても良い。更に、図３及び図４（ａ）〜図４（ｃ）の工程と、図４（ｄ）〜図（ｆ）の工程とは、互いに順序が任意であり、且つ互いに同時並行に行われても良い。
【００７９】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更が可能であることは言うまでもない。例えば、本発明の配線基板をコア基板として用い、その少なくとも一方の主面にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層と銅めっき膜から成る配線層をビルドアップ法により交互に多層に積層してビルドアップ基板としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の配線基板の一実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１の一部拡大断面図である。
【図３】図１の配線基板の製造工程図である。
【図４】図１の配線基板の製造工程図である。
【符号の説明】
【００８１】
１・・・・絶縁層（第１、第２絶縁層）
２・・・・絶縁基板
３・・・・導体層
３Ａ・・・・表面導体層（第２導体層）
３Ｂ・・・・内部導体層（第１導体層）
４・・・・貫通導体
２３・・・・銅箔（金属箔）
２３Ａ・・・・銅箔（第２金属箔）
２３Ｂ・・・・銅箔（第１金属箔）
３０・・・・転写フィルム（第１、第２フィルム）
４０・・・・絶縁シート（第１、第２絶縁層）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数層の導体層を有する多層構造の配線基板であって、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に埋設された金属箔から成る表面導体層と、
前記絶縁基板の内部に埋設された金属箔から成る内部導体層と、を備え、
前記表面導体層の結晶粒径が前記内部導体層の結晶粒径よりも小さく、
前記表面導体層は、その埋設された側の主面がマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面であるとともに、露出する側の主面がシャイニー面から成る非粗化面又は粗化されたシャイニー面から成る粗化面であり、
前記内部導体層は、一主面がマット面から成る粗化面であり、他主面が粗化されたシャイニー面から成る粗化面であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記表面導体層の埋設された側の前記主面の表面粗さが、前記内部導体層の前記他主面の表面粗さに略同一であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記表面導体層は、その埋設された側面が粗化面であることを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記表面導体層の前記側面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5〜3.5μｍであることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記内部導体層は、その埋設された側面が粗化面であることを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記表面導体層の結晶粒径が0.2〜1.0μｍであり、前記内部導体層の結晶粒径が0.6〜1.8μｍであることを特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載の配線基板。
【請求項７】
前記表面導体層は、その埋設された側の前記主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が2.0〜4.0μｍであることを特徴とする請求項１ないし６の何れかに記載の配線基板。
【請求項８】
前記表面導体層の露出する側の前記主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜3.0μｍであることを特徴とする請求項１ないし７の何れかに記載の配線基板。
【請求項９】
前記内部導体層の前記一主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜5.0μｍであることを特徴とする請求項１ないし８の何れかに記載の配線基板。
【請求項１０】
複数層の導体層を有する多層構造の配線基板を製造する方法であって、
第１金属箔をめっきにより形成する第１工程と、
前記第１金属箔のマット面が接着面となるように前記第１金属箔を第１フィルムに接着させる第２工程と、
前記第１金属箔をパターニングすることにより第１導体層を形成する第３工程と、
前記第２工程と前記第３工程との間、又は前記第３工程の後に、前記第１金属箔のシャイニー面を溶液処理により粗化する第４工程と、
前記第３工程及び前記第４工程の後に、前記第１フィルムを未硬化ないし半硬化の第１絶縁層に圧力を加えつつ積層することにより前記第１導体層を前記第１絶縁層の表面に埋設する第５工程と、
前記第５工程の後に、前記第１フィルムを剥離することにより前記第１導体層を前記第１絶縁層の表面に転写する第６工程と、
前記第１金属箔よりも結晶粒径が小さくなるように第２金属箔をめっきにより形成する第７工程と、
前記第２金属箔のシャイニー面が接着面となるように前記第２金属箔を第２フィルムに接着させる第８工程と、
前記第２金属箔をパターニングすることにより第２導体層を形成する第９工程と、
前記第９工程の後に、前記第２フィルムを未硬化ないし半硬化の第２絶縁層に圧力を加えつつ積層することにより前記第２導体層を前記第２絶縁層の表面に埋設する第１０工程と、
前記第１０工程の後に、前記第２フィルムを剥離することにより前記第２導体層を前記第２絶縁層の表面に転写する第１１工程と、
前記第６工程及び前記第１１工程の後に、前記第１導体層が内部に位置し前記第２導体層が表面に位置するように、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とを積層して硬化させる第１２工程と、を備える配線基板の製造方法。
【請求項１１】
Ｎを１以上の整数として、前記第１工程ないし第６工程を、Ｎ回反復する反復工程を更に備え、
前記第１２工程は、Ｎ＋１回の前記第６工程及び前記第１１工程の後に、全ての前記第１導体層が内部に位置し前記第２導体層が表面に位置するように、Ｎ＋１枚の前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とを積層して硬化させる請求項１０記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第８工程と前記第９工程との間、又は前記第９工程の後に、前記第２金属箔のマット面を溶液処理により更に粗化する第１３工程を更に備える請求項１０又は１１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
複数層の導体層を有する多層構造の配線基板であって、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に埋設された金属箔から成る表面導体層と、
前記絶縁基板の内部に埋設された金属箔から成る内部導体層と、を備え、
前記表面導体層の結晶粒径が前記内部導体層の結晶粒径よりも小さく、
前記表面導体層は、その埋設された側の主面がマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面であるとともに、露出する側の主面がシャイニー面から成る非粗化面又は粗化されたシャイニー面から成る粗化面であり、
前記内部導体層は、一主面がマット面から成る粗化面であり、他主面が粗化されたシャイニー面から成る粗化面であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記表面導体層の埋設された側の前記主面の表面粗さが、前記内部導体層の前記他主面の表面粗さに略同一であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記表面導体層は、その埋設された側面が粗化面であることを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記表面導体層の前記側面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.5〜3.5μｍであることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記内部導体層は、その埋設された側面が粗化面であることを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記表面導体層の結晶粒径が0.2〜1.0μｍであり、前記内部導体層の結晶粒径が0.6〜1.8μｍであることを特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載の配線基板。
【請求項７】
前記表面導体層は、その埋設された側の前記主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が2.0〜4.0μｍであることを特徴とする請求項１ないし６の何れかに記載の配線基板。
【請求項８】
前記表面導体層の露出する側の前記主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜3.0μｍであることを特徴とする請求項１ないし７の何れかに記載の配線基板。
【請求項９】
前記内部導体層の前記一主面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が1.0〜5.0μｍであることを特徴とする請求項１ないし８の何れかに記載の配線基板。
【請求項１０】
複数層の導体層を有する多層構造の配線基板を製造する方法であって、
第１金属箔をめっきにより形成する第１工程と、
前記第１金属箔のマット面が接着面となるように前記第１金属箔を第１フィルムに接着させる第２工程と、
前記第１金属箔をパターニングすることにより第１導体層を形成する第３工程と、
前記第２工程と前記第３工程との間、又は前記第３工程の後に、前記第１金属箔のシャイニー面を溶液処理により粗化する第４工程と、
前記第３工程及び前記第４工程の後に、前記第１フィルムを未硬化ないし半硬化の第１絶縁層に圧力を加えつつ積層することにより前記第１導体層を前記第１絶縁層の表面に埋設する第５工程と、
前記第５工程の後に、前記第１フィルムを剥離することにより前記第１導体層を前記第１絶縁層の表面に転写する第６工程と、
前記第１金属箔よりも結晶粒径が小さくなるように第２金属箔をめっきにより形成する第７工程と、
前記第２金属箔のシャイニー面が接着面となるように前記第２金属箔を第２フィルムに接着させる第８工程と、
前記第２金属箔をパターニングすることにより第２導体層を形成する第９工程と、
前記第９工程の後に、前記第２フィルムを未硬化ないし半硬化の第２絶縁層に圧力を加えつつ積層することにより前記第２導体層を前記第２絶縁層の表面に埋設する第１０工程と、
前記第１０工程の後に、前記第２フィルムを剥離することにより前記第２導体層を前記第２絶縁層の表面に転写する第１１工程と、
前記第６工程及び前記第１１工程の後に、前記第１導体層が内部に位置し前記第２導体層が表面に位置するように、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とを積層して硬化させる第１２工程と、を備える配線基板の製造方法。
【請求項１１】
Ｎを１以上の整数として、前記第１工程ないし第６工程を、Ｎ回反復する反復工程を更に備え、
前記第１２工程は、Ｎ＋１回の前記第６工程及び前記第１１工程の後に、全ての前記第１導体層が内部に位置し前記第２導体層が表面に位置するように、Ｎ＋１枚の前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とを積層して硬化させる請求項１０記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第８工程と前記第９工程との間、又は前記第９工程の後に、前記第２金属箔のマット面を溶液処理により更に粗化する第１３工程を更に備える請求項１０又は１１に記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００６−２８６７２４（Ｐ２００６−２８６７２４Ａ）
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１０１４９５（Ｐ２００５−１０１４９５）
【出願日】平成１７年３月３１日（２００５．３．３１）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月３１日（２００５．３．３１）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]