電気光学装置の製造方法、透明電極の形成方法、電気光学装置および電気光学装置用基板
【課題】透明電極の形成において異物が付着した場合であっても、良好な表示品質を可能にする電気光学装置の製造方法等を提供することである。
【解決手段】電気光学装置に設けられた透明電極を複数回の透明導電膜成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０によって形成し、複数回の透明導電膜成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０の各工程間の１以上において洗浄工程ＳＴ１５を実施する。
【解決手段】電気光学装置に設けられた透明電極を複数回の透明導電膜成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０によって形成し、複数回の透明導電膜成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０の各工程間の１以上において洗浄工程ＳＴ１５を実施する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、透明電極の形成方法、電気光学装置および電気光学装置用基板に係る。
【背景技術】
【０００２】
例えばＴＮ（Twisted Nematic）方式の液晶表示装置では素子基板および対向基板のそれぞれに透明電極が設けられている。一般に透明電極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で構成されスパッタ法で形成される。スパッタ法によってＩＴＯ電極を形成する場合、基板をセットした真空チャンバ内にＡｒとＨ2Ｏとの混合ガスを流し、ＤＣ放電によってプラズマを発生させる。このプラズマでＩＴＯターゲット表面に衝撃を与えることによってターゲットからＩＴＯ粒子が飛び出し、基板上に堆積してＩＴＯ膜が形成される。
【０００３】
従来の形成方法では１回の成膜で所定膜厚のＩＴＯ膜すなわち透明電極を形成している。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−５３３０８号公報
【特許文献２】特開２００３−３１８５９４号公報
【特許文献３】特開２００４−６１７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
スパッタ法ではターゲット表面にノジュールと呼ばれる突起物が形成される場合がある。ノジュールは例えば次のようにして形成される。ターゲット表面にＩＴＯ粒子が付着すると、この付着部分ではＩＴＯ粒子が付着していない部分に比べてスパッタレートが低くなる。このため、ターゲットのスパッタが進むにつれてターゲット表面の浸食に差が生じ、これにより突起部すなわちノジュールが形成される。ノジュールの部分は異常放電（アーキング）が生じやすく、この異常放電によってノジュールが飛び散り新しいノジュール、大きいノジュール等の原因になる。
【０００６】
上記の飛び散ったノジュールは基板に付着する場合がある。また、基板とターゲットとの間に設けられるマスクに堆積したＩＴＯ膜が剥離して基板に付着する場合がある。これらの異物がＩＴＯ膜中に混入しパターン加工のためのエッチング時にＩＴＯ膜とともに剥がれると、透明電極において局所的な穴、欠け、剥がれ等の形状不具合が発生する。透明電極の穴等の部分では液晶分子を所望の配向状態に制御できない、すなわち液晶によって入射光を所望の通りに偏光できないので、表示品質が低下してしまう（図７参照）。
【０００７】
また、異物が剥がれ落ちずに透明電極中に残った場合、異物が存在する部分では、セルギャップが周囲と異なるので、所望の旋光性が得られず表示品質が低下してしまう。
【０００８】
なお、ここでは液晶表示装置の透明電極をスパッタ法で形成する場合を例示したが、他の電気光学装置および他の形成方法の場合においても同様の問題が生じうると考えられる。
【０００９】
本発明の目的は、透明電極の形成において異物が付着した場合であっても、良好な表示品質を可能にする電気光学装置の製造方法、透明電極の形成方法、電気光学装置および電気光学装置用基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、透明電極を有する電気光学装置の製造方法であって、前記透明電極を複数回の透明導電膜成膜工程によって形成し、前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の１以上において洗浄工程を実施することを特徴とする。上記構成によれば、透明電極の形成において異物が付着した場合であっても、当該異物を洗浄工程によって除去することができる。また、複数回の透明導電膜成膜工程によって透明電極を形成するので、異物により透明電極の一部の層に形状不具合が生じた場合であっても、当該形状不具合を他の層によって覆うことができる。したがって、当該透明電極による表示の品質が良好な電気光学装置を製造することができる。また、歩留まりを向上させることができる。
【００１１】
前記洗浄工程を少なくとも１回目の透明導電膜成膜工程後に実施することが好ましい。上記構成によれば、透明電極の形成前に付着した異物であっても除去可能である。このため、透明電極の形成前の洗浄工程を簡略化または省略することができる。
【００１２】
前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の全てにおいて洗浄工程を実施することが好ましい。上記構成によれば、より確実に異物を除去することができる。また、透明電極中の一部の層に異物による形状不具合が生じた場合であっても、上記の異物除去の確実化に伴って、透明電極の平坦化を図ることができる。これにより、表示品質をさらに良好にすることができる。
【００１３】
前記洗浄工程を流水洗浄と超音波洗浄との少なくとも一方を利用して実施することが好ましい。上記構成によれば、効果的な異物除去が可能になる。
【００１４】
前記複数回の透明導電膜成膜工程のうちの１以上をスパッタ法と蒸着法との少なくとも一方を利用して実施することが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係る透明電極の形成方法は、透明電極の形成方法であって、前記透明電極を複数回の透明導電膜成膜工程によって形成し、前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の１以上において洗浄工程を実施することを特徴とする。上記構成によれば、透明電極の形成において異物が付着した場合であっても、当該異物を洗浄工程によって除去することができる。また、複数回の透明導電膜成膜工程によって透明電極を形成するので、異物により透明電極の一部の層に形状不具合が生じた場合であっても、当該形状不具合を他の層によって覆うことができる。したがって、当該透明電極による表示の品質が良好な電気光学装置を製造することができる。また、歩留まりを向上させることができる。
【００１６】
また、本発明に係る電気光学装置は、透明電極を備えた電気光学装置であって、前記透明電極は透明導電膜が積層されて構成されており、一部の透明導電膜に形成された形状不具合が他の透明導電膜によって覆われていることを特徴とする。上記構成によれば、一部の透明導電膜の形状不具合部分に透明電極を貫通する穴等が形成されるのが回避されている。したがって、当該透明電極による表示の品質が良好な電気光学装置を提供することができる。
【００１７】
また、本発明に係る電気光学装置は、透明電極を備えた電気光学装置であって、前記透明電極は、複数の層が積層された第１の部分と、前記第１の部分よりも積層数が少ないが前記第１の部分と共通の層を有する第２の部分と、を含むことを特徴とする。上記構成によれば、第２の部分に透明電極を貫通する穴等が形成されるのが回避されている。したがって、当該透明電極による表示の品質が良好な電気光学装置を提供することができる。
【００１８】
また、本発明に係る電気光学装置用基板は、透明電極を備えた電気光学装置用基板であって、前記透明電極は透明導電膜が積層されて構成されており、一部の透明導電膜に形成された形状不具合が他の導電膜によって覆われていることを特徴とする。上記構成によれば、一部の透明導電膜の形状不具合部分に透明電極を貫通する穴等が形成されるのが回避されている。したがって、当該透明電極による表示の品質を良好にしうる電気光学装置用基板を提供することができる。
【００１９】
また、本発明に係る電気光学装置用基板は、透明電極を備えた電気光学装置用基板であって、前記透明電極は、複数の層が積層された第１の部分と、前記第１の部分よりも積層数が少ないが前記第１の部分と共通の層を有する第２の部分と、を含むことを特徴とする。上記構成によれば、第２の部分に透明電極を貫通する穴等が形成されるのが回避されている。したがって、当該透明電極による表示の品質を良好にしうる電気光学装置用基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。ここでは、本発明の実施の形態に係る電気光学装置の一例として液晶表示装置を例示する。なお、当該液晶表示装置は透過型、反射型または半透過型のいずれであってもよい。
【００２１】
図１に本発明の実施の形態に係る液晶表示装置５０を説明する断面図を示す。図１には１画素分の構成を簡略化して例示している。なお、以下に説明する液晶表示装置５０の構成はあくまでも例示であり、例えば他の各種要素を追加することも可能である。
【００２２】
液晶表示装置５０は、対向配置された一対の基板１１０，２１０と、当該一対の基板１１０，２１０の間に挟持された液晶層３００とを含んでいる。基板１１０，２１０は例えばガラス板等の透明基板で構成可能であるが、反射型の場合は基板１１０，２１０の一方は透明基板でなくてもよい。基板１１０および基板２１０は以下に例示する種々の要素が設けられて、電気光学装置用基板としての素子基板１００および対向基板２００をそれぞれ構成する。このため、液晶層３００は素子基板１００と対向基板２００とで挟持されているとも捉えられる。
【００２３】
素子基板１００は、上記基板１１０の他に、基板１１０の液晶層３００側に、絶縁層１１２と、画素電極１１４とを含んでいる。
【００２４】
絶縁層１１２は、基板１１０上に配置されており、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル等の樹脂等で構成可能である。図１では絶縁層１１２を１層で例示しているが、多層構造にすることも可能である。絶縁層１１２内には例えば画素トランジスタや各種配線等が埋設されている。
【００２５】
画素電極１１４は、絶縁層１１２上に配置されており、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成可能である。画素電極１１４は各画素に設けられている。画素電極１１４の厚さは例えば１３００〜１６００オングストローム（１３０〜１６０ｎｍ）である。
【００２６】
対向基板２００は、上記基板２１０の他に、基板２１０の液晶層３００側に、遮光膜２１２と、カラーフィルタ２１４と、オーバーコート層２１６と、共通電極２１８とを含んでいる。
【００２７】
遮光膜２１２は、基板２１０上に配置されており、各画素に開口部を有している。当該各開口部には、その画素の表示色に応じた色相のカラーフィルタ２１４が配置されている。カラーフィルタ２１４は画素電極１１４に対向する位置に配置されている。なお、液晶表示装置５０が例えば白黒表示用の場合、カラーフィルタ２１４は省略可能である。
【００２８】
オーバーコート層２１６は、遮光膜２１２上およびカラーフィルタ２１４上に配置されている。オーバーコート層２１６は例えばアクリル樹脂等の透明絶縁材料で構成可能である。オーバーコート層２１６は平坦化膜を兼ねることもできる。
【００２９】
共通電極２１８は、オーバーコート層２１６上に配置されており、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電材料で構成可能である。共通電極２１８は各画素に設けられている。図１では隣接する画素の共通電極２１８が連結した場合を例示しており、この場合、複数の画素にまたがった透明電極のうちで各画素内の部分が、その画素の共通電極２１８を構成している。共通電極２１８の厚さは例えば１３００〜１６００オングストローム（１３０〜１６０ｎｍ）である。
【００３０】
画素電極１１４および共通電極２１８には不図示の配線、画素トランジスタ等によって所定の電位がそれぞれ印加される。両電極１１４，２１８間の電界によって液晶層３００中の液晶分子の配向状態が制御される。すなわち液晶層３００の旋光性が制御される。これにより、画素の表示状態が制御される。かかる点に鑑みれば電極１１４，２１８をそれぞれ表示電極と呼ぶこともできる。
【００３１】
次に、画素電極１１４と共通電極２１８との一方または両方に適用可能な透明電極７０を例示する。図２および図３〜図５に透明電極７０の形成方法の一例を説明するフローチャートおよび断面図を示す。なお、液晶表示装置５０のその他の要素は公知の各種形成方法を利用して形成可能である。
【００３２】
透明電極７０は、図２のフローチャートおよび図５の断面図から分かるように、２回の透明導電膜成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０によって透明導電膜を２層積層して形成される。さらに、２回の成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０の工程間において、基板すなわち透明導電膜の洗浄工程ＳＴ１５を実施する。２層目の成膜工程ＳＴ２０の後に、透明導電膜７１，７２の積層膜を所定の形状にパターニングする（パターニング工程ＳＴ３０）。
【００３３】
透明導電膜７１，７２の成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０では、例えばスパッタ法を利用することが可能である。
【００３４】
ここで、図６にスパッタ法を説明する模式図を示す。スパッタ法では、真空チャンバ５０２内に基板５００と透明導電膜の材料ターゲット５０４とが向かい合わせにセットされる。ここで、基板５００は、透明電極７０を形成する対象となる基板であり、例えば基板１１０上に絶縁層１１２まで形成された状態の素子基板１００、基板２１０上にオーバーコート層２１６まで形成された状態の対向基板２００等が相当する。図６には基板５００とターゲット５０４との間にマスク５０６を設けた場合を例示している。チャンバ５０２内にＡｒとＨ2Ｏとの混合ガスを流し例えばＤＣ放電によってプラズマを発生させる。なお、混合ガスの流量等は透明導電膜が所定の膜特性で形成されるように設定される。プラズマ中のＡｒイオン５０８がターゲット５０４をスパッタし、飛び出した材料粒子５１０が基板５００上に堆積することによって透明導電膜が形成される。
【００３５】
図５では成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０による透明導電膜７１，７２が同じ膜厚の場合を例示しているが、異なる膜厚で透明導電膜７１，７２を成膜してもよい。また、１回に成膜する膜厚は、薄い方が、洗浄時に容易に異物を除去できるが、成膜の誤差を考慮して、確実に成膜できる膜厚、例えば、成膜の誤差が１００オングストロームであれば、３００オングストローム程度に形成すればよい。また、透明導電膜７１，７２は同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００３６】
洗浄工程ＳＴ１５では、流水洗浄、超音波洗浄、または、流水洗浄と超音波洗浄との組み合わせを利用する。この際、流水洗浄や超音波洗浄で用いる洗浄液には、形成された透明導電膜に影響が少ない洗浄液を用いるのが好ましく、例えばＩＴＯ膜に利用可能な洗浄液として例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等のアルコール、希フッ酸、純水等が挙げられる。なお、洗浄方法としては、上記した純水等の流体を用いる湿式洗浄に加え、ＵＶオゾン洗浄等の光洗浄技術を用いた乾式洗浄を組み合わせて用いることも可能である。
【００３７】
パターニング工程ＳＴ３０では、例えばレジスト膜の形成、露光、現像、エッチング、レジスト膜の剥離等の工程が実施される。なお、エッチング工程はウェットエッチングとドライエッチングとのいずれを利用してもよい。また、他の方法、例えばメタルマスクを用いたスパッタ法によってパターニング工程ＳＴ３０を実施してもよい。なお、パターニング工程ＳＴ３０を必要としない場合もある。例えば各画素の共通電極２１８を全画素にまたがる透明電極で構成する場合、当該透明電極の形成領域は成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０でのマスク５０６によって画定することも可能である。
【００３８】
図２に例示の形成方法によれば、例えば図３に示すように１層目の透明導電膜７１の成膜工程ＳＴ１０において下地層６８に異物８０が付着した場合であっても、次の洗浄工程ＳＴ１５によって当該異物８０を除去することができる（図４参照）。なお、下地層６８は、透明電極７０の直下の層であり、例えば素子基板１００の絶縁層１１２、対向基板２００のオーバーコート層２１６等が相当する（図１参照）。透明導電膜７１は、１回の成膜工程によって所定膜厚に形成された透明電極に比べて、薄いので、洗浄工程ＳＴ１５によって容易に異物８０を除去することができる。また、上記例示の流水洗浄、超音波洗浄等によれば、流体（洗浄液）が異物８０に対して物理的に作用するので、単に静水に浸漬するだけの洗浄方法に比べて効果的である。
【００３９】
異物８０が除去されると、その部分に透明導電膜７１の形状不具合が生じる場合がある。この形状不具合を図４では穴７８として例示している。しかし、図２に例示の形成方法によれば、１層目の透明導電膜７１の穴７８は成膜工程ＳＴ２０での２層目の透明導電膜７２によって覆われる（図５参照）。換言すれば穴７８がリペアされる。
【００４０】
この場合、完成状態の透明電極７０は、図５に示すように、透明導電膜７１，７２が積層された第１の部分７０Ａと、透明導電膜７１を有さず透明導電膜７２で構成される第２の部分７０Ｂとを含んでいる。第２の部分７０Ｂは、１層目の透明導電膜７１の穴７８の箇所に位置する部分であり、このため第１の部分７０Ａよりも積層数が少ない。しかし、第２の部分７０Ｂは第１の部分７０Ａと共通の透明導電膜７２の層を有しているので、１回の成膜工程によって所定膜厚に形成される透明電極とは異なり、穴７８が、完成状態の透明電極７０を貫通する局所的な穴、欠け、剥がれ等を引き起こすのが回避されている。
【００４１】
なお、一般的に、透明導電膜の積層構造は、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）等の透過型の顕微鏡によって観察することができる。
【００４２】
透明電極７０によれば、１層目の透明導電膜７１が穴７８を有している場合であっても、２層目の透明導電膜７２によって、液晶層３００への印加電界すなわち液晶層３００における旋光性を適切に制御することができる。したがって、透明電極７０による表示を品質良好にすることができ、透明電極７０を適用した素子基板１００、対向基板２００および液晶表示装置５０によれば良好な表示品質が得られる。また、透明電極７０の上記形成方法ならびに当該形成方法を含んだ素子基板１００、対向基板２００および液晶表示装置５０の製造方法によれば、歩留まりを向上させることができる。
【００４３】
ここで、異物８０は例えばターゲット５０４から飛び散ったノジュール、マスク５０６から剥離した異物である場合、ターゲット５０４およびマスク５０６を定期的に清掃することによって異物８０の個数を減らせるかもしれない。しかし、定期的な清掃によっても異物８０の発生を完全に抑制することは難しいし、異物８０の発生源はターゲット５０４およびマスク５０６だけとは限らない。かかる点に鑑みれば、上記の透明電極７０の形成方法は効果的である。
【００４４】
また、透明電極７０が厚いほど、または画素サイズが小さくなり高精細になるほど、異物８０による表示品質の低下は大きくなる。このため、画素電極１１４と共通電極２１８との一方または両方が比較的厚い場合、液晶表示装置５０が高精細タイプである場合等において、上記の透明電極７０の形成方法は有用である。
【００４５】
上記では各成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０でスパッタ法を利用する場合を例示したが、その他の成膜方法、例えば蒸着法を利用した場合においても異物８０の付着は起こりうる。このため、成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０において蒸着法等の他の成膜方法を利用する場合にも上記の透明電極７０の形成方法は有用である。
【００４６】
また、２層目の成膜工程ＳＴ２０後、すなわち最後の成膜工程後に洗浄工程を追加してもよく、これによれば最後の成膜工程で付着した異物８０を除去することができる。当該洗浄工程は例えばパターニング工程ＳＴ３０における洗浄工程と兼ねることが可能である。換言すれば最後の成膜工程とパターニング工程ＳＴ３０との間で洗浄工程を実施しない場合であっても、パターニング工程ＳＴ３０での洗浄工程、例えばレジスト膜の形成前、剥離後等の洗浄工程によって、最後の成膜工程で付着した異物８０を除去することは可能である。洗浄工程の兼用によれば、製造時間を短縮することができる。
【００４７】
また、上記では２層構造の透明電極７０を例示したが、透明電極７０を３層以上で構成することも可能である。この場合、複数の成膜工程の各工程間の１以上において洗浄工程を実施することによって上記の各種効果が得られる。
【００４８】
ここで、各工程間の全てにおいて、すなわち毎回の成膜工程後に洗浄工程を実施することによって、より確実に異物を除去することができる。異物の付着は上記例示の１層目のみとは限らないからである。また、例えば２層おきに洗浄工程を実施する場合に比べて、異物除去に伴う形状不具合（図４の穴７８を参照）を小さく抑えることができる。このため、透明電極７０の平坦化を図ることができる。平坦な透明電極７０によれば、透明電極７０全体において電界の均質化を図ることができるので、表示品質をさらに良好にすることができる。
【００４９】
また、各成膜工程間の一部においてのみ洗浄工程を実施する場合には、上記のように毎回、洗浄工程を実施する場合に比べて、製造時間を短縮することができる。このとき、洗浄工程は、例えば等間隔で（例えば数回の成膜工程終了ごとに）実施してもよいし、例えば全成膜工程を前半と後半に分け前後半で実施回数を異ならせて（例えば前半に多く）実施してもよい。
【００５０】
また、洗浄工程を少なくとも１回目の成膜工程ＳＴ１０後、換言すれば１回目の成膜工程ＳＴ１０後を含んで実施する場合には、透明電極７０の形成前に付着した異物８０であっても除去可能である。このため、透明電極７０の形成前の洗浄工程を簡略化または省略することができる。
【００５１】
なお、３層以上の透明電極７０においても、各層の透明導電膜の材質は同じであってもよいし、一部または全部が異なっていてもよい。各透明導電膜の膜厚についても同様である。また、各洗浄工程での条件（例えば洗浄液、洗浄時間等）は同じであってもよいし、一部または全部が異なっていてもよい。
【００５２】
上記では画素電極１１４および共通電極２１８が基板１１０および基板２１０にそれぞれ設けられた構成を例示したが、かかる構成は例えばＴＮ方式等において採用される。これに対して、例えばＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式やＩＰＳ（In-Plane Switching）方式等では画素電極１１４と共通電極２１８との両方が一対の基板１１０，２１０の一方に設けられる。かかる構成の液晶表示装置においても、画素電極１１４、共通電極２１８等に透明電極７０を適用することによって、上記の各種効果を得ることができる。
【００５３】
また、上記では電気光学装置として液晶表示装置５０を例示したが、プラズマディスプレイ装置等の他の電気光学装置にも透明電極７０を適用可能であり、上記の各種効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施の形態に係る液晶表示装置を説明する断面図である。
【図２】実施の形態に係る透明電極の形成方法を説明するフローチャートである。
【図３】実施の形態に係る透明電極の形成方法を説明する断面図である。
【図４】実施の形態に係る透明電極の形成方法を説明する断面図である。
【図５】実施の形態に係る透明電極の形成方法を説明する断面図である。
【図６】スパッタ法を説明する模式図である。
【図７】従来の液晶表示装置を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００５５】
５０ 液晶表示装置（電気光学装置）、７０ 透明電極、７１，７２ 透明導電膜、７０Ａ 第１の部分、７０Ｂ 第２の部分、１００ 素子基板（電気光学装置用基板）、１１４ 画素電極（透明電極）、２００ 対向基板（電気光学装置用基板）、２１８ 共通電極（透明電極）、ＳＴ１０，ＳＴ２０ 透明導電膜成膜工程、ＳＴ１５ 洗浄工程。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、透明電極の形成方法、電気光学装置および電気光学装置用基板に係る。
【背景技術】
【０００２】
例えばＴＮ（Twisted Nematic）方式の液晶表示装置では素子基板および対向基板のそれぞれに透明電極が設けられている。一般に透明電極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で構成されスパッタ法で形成される。スパッタ法によってＩＴＯ電極を形成する場合、基板をセットした真空チャンバ内にＡｒとＨ2Ｏとの混合ガスを流し、ＤＣ放電によってプラズマを発生させる。このプラズマでＩＴＯターゲット表面に衝撃を与えることによってターゲットからＩＴＯ粒子が飛び出し、基板上に堆積してＩＴＯ膜が形成される。
【０００３】
従来の形成方法では１回の成膜で所定膜厚のＩＴＯ膜すなわち透明電極を形成している。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−５３３０８号公報
【特許文献２】特開２００３−３１８５９４号公報
【特許文献３】特開２００４−６１７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
スパッタ法ではターゲット表面にノジュールと呼ばれる突起物が形成される場合がある。ノジュールは例えば次のようにして形成される。ターゲット表面にＩＴＯ粒子が付着すると、この付着部分ではＩＴＯ粒子が付着していない部分に比べてスパッタレートが低くなる。このため、ターゲットのスパッタが進むにつれてターゲット表面の浸食に差が生じ、これにより突起部すなわちノジュールが形成される。ノジュールの部分は異常放電（アーキング）が生じやすく、この異常放電によってノジュールが飛び散り新しいノジュール、大きいノジュール等の原因になる。
【０００６】
上記の飛び散ったノジュールは基板に付着する場合がある。また、基板とターゲットとの間に設けられるマスクに堆積したＩＴＯ膜が剥離して基板に付着する場合がある。これらの異物がＩＴＯ膜中に混入しパターン加工のためのエッチング時にＩＴＯ膜とともに剥がれると、透明電極において局所的な穴、欠け、剥がれ等の形状不具合が発生する。透明電極の穴等の部分では液晶分子を所望の配向状態に制御できない、すなわち液晶によって入射光を所望の通りに偏光できないので、表示品質が低下してしまう（図７参照）。
【０００７】
また、異物が剥がれ落ちずに透明電極中に残った場合、異物が存在する部分では、セルギャップが周囲と異なるので、所望の旋光性が得られず表示品質が低下してしまう。
【０００８】
なお、ここでは液晶表示装置の透明電極をスパッタ法で形成する場合を例示したが、他の電気光学装置および他の形成方法の場合においても同様の問題が生じうると考えられる。
【０００９】
本発明の目的は、透明電極の形成において異物が付着した場合であっても、良好な表示品質を可能にする電気光学装置の製造方法、透明電極の形成方法、電気光学装置および電気光学装置用基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、透明電極を有する電気光学装置の製造方法であって、前記透明電極を複数回の透明導電膜成膜工程によって形成し、前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の１以上において洗浄工程を実施することを特徴とする。上記構成によれば、透明電極の形成において異物が付着した場合であっても、当該異物を洗浄工程によって除去することができる。また、複数回の透明導電膜成膜工程によって透明電極を形成するので、異物により透明電極の一部の層に形状不具合が生じた場合であっても、当該形状不具合を他の層によって覆うことができる。したがって、当該透明電極による表示の品質が良好な電気光学装置を製造することができる。また、歩留まりを向上させることができる。
【００１１】
前記洗浄工程を少なくとも１回目の透明導電膜成膜工程後に実施することが好ましい。上記構成によれば、透明電極の形成前に付着した異物であっても除去可能である。このため、透明電極の形成前の洗浄工程を簡略化または省略することができる。
【００１２】
前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の全てにおいて洗浄工程を実施することが好ましい。上記構成によれば、より確実に異物を除去することができる。また、透明電極中の一部の層に異物による形状不具合が生じた場合であっても、上記の異物除去の確実化に伴って、透明電極の平坦化を図ることができる。これにより、表示品質をさらに良好にすることができる。
【００１３】
前記洗浄工程を流水洗浄と超音波洗浄との少なくとも一方を利用して実施することが好ましい。上記構成によれば、効果的な異物除去が可能になる。
【００１４】
前記複数回の透明導電膜成膜工程のうちの１以上をスパッタ法と蒸着法との少なくとも一方を利用して実施することが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係る透明電極の形成方法は、透明電極の形成方法であって、前記透明電極を複数回の透明導電膜成膜工程によって形成し、前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の１以上において洗浄工程を実施することを特徴とする。上記構成によれば、透明電極の形成において異物が付着した場合であっても、当該異物を洗浄工程によって除去することができる。また、複数回の透明導電膜成膜工程によって透明電極を形成するので、異物により透明電極の一部の層に形状不具合が生じた場合であっても、当該形状不具合を他の層によって覆うことができる。したがって、当該透明電極による表示の品質が良好な電気光学装置を製造することができる。また、歩留まりを向上させることができる。
【００１６】
また、本発明に係る電気光学装置は、透明電極を備えた電気光学装置であって、前記透明電極は透明導電膜が積層されて構成されており、一部の透明導電膜に形成された形状不具合が他の透明導電膜によって覆われていることを特徴とする。上記構成によれば、一部の透明導電膜の形状不具合部分に透明電極を貫通する穴等が形成されるのが回避されている。したがって、当該透明電極による表示の品質が良好な電気光学装置を提供することができる。
【００１７】
また、本発明に係る電気光学装置は、透明電極を備えた電気光学装置であって、前記透明電極は、複数の層が積層された第１の部分と、前記第１の部分よりも積層数が少ないが前記第１の部分と共通の層を有する第２の部分と、を含むことを特徴とする。上記構成によれば、第２の部分に透明電極を貫通する穴等が形成されるのが回避されている。したがって、当該透明電極による表示の品質が良好な電気光学装置を提供することができる。
【００１８】
また、本発明に係る電気光学装置用基板は、透明電極を備えた電気光学装置用基板であって、前記透明電極は透明導電膜が積層されて構成されており、一部の透明導電膜に形成された形状不具合が他の導電膜によって覆われていることを特徴とする。上記構成によれば、一部の透明導電膜の形状不具合部分に透明電極を貫通する穴等が形成されるのが回避されている。したがって、当該透明電極による表示の品質を良好にしうる電気光学装置用基板を提供することができる。
【００１９】
また、本発明に係る電気光学装置用基板は、透明電極を備えた電気光学装置用基板であって、前記透明電極は、複数の層が積層された第１の部分と、前記第１の部分よりも積層数が少ないが前記第１の部分と共通の層を有する第２の部分と、を含むことを特徴とする。上記構成によれば、第２の部分に透明電極を貫通する穴等が形成されるのが回避されている。したがって、当該透明電極による表示の品質を良好にしうる電気光学装置用基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。ここでは、本発明の実施の形態に係る電気光学装置の一例として液晶表示装置を例示する。なお、当該液晶表示装置は透過型、反射型または半透過型のいずれであってもよい。
【００２１】
図１に本発明の実施の形態に係る液晶表示装置５０を説明する断面図を示す。図１には１画素分の構成を簡略化して例示している。なお、以下に説明する液晶表示装置５０の構成はあくまでも例示であり、例えば他の各種要素を追加することも可能である。
【００２２】
液晶表示装置５０は、対向配置された一対の基板１１０，２１０と、当該一対の基板１１０，２１０の間に挟持された液晶層３００とを含んでいる。基板１１０，２１０は例えばガラス板等の透明基板で構成可能であるが、反射型の場合は基板１１０，２１０の一方は透明基板でなくてもよい。基板１１０および基板２１０は以下に例示する種々の要素が設けられて、電気光学装置用基板としての素子基板１００および対向基板２００をそれぞれ構成する。このため、液晶層３００は素子基板１００と対向基板２００とで挟持されているとも捉えられる。
【００２３】
素子基板１００は、上記基板１１０の他に、基板１１０の液晶層３００側に、絶縁層１１２と、画素電極１１４とを含んでいる。
【００２４】
絶縁層１１２は、基板１１０上に配置されており、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル等の樹脂等で構成可能である。図１では絶縁層１１２を１層で例示しているが、多層構造にすることも可能である。絶縁層１１２内には例えば画素トランジスタや各種配線等が埋設されている。
【００２５】
画素電極１１４は、絶縁層１１２上に配置されており、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成可能である。画素電極１１４は各画素に設けられている。画素電極１１４の厚さは例えば１３００〜１６００オングストローム（１３０〜１６０ｎｍ）である。
【００２６】
対向基板２００は、上記基板２１０の他に、基板２１０の液晶層３００側に、遮光膜２１２と、カラーフィルタ２１４と、オーバーコート層２１６と、共通電極２１８とを含んでいる。
【００２７】
遮光膜２１２は、基板２１０上に配置されており、各画素に開口部を有している。当該各開口部には、その画素の表示色に応じた色相のカラーフィルタ２１４が配置されている。カラーフィルタ２１４は画素電極１１４に対向する位置に配置されている。なお、液晶表示装置５０が例えば白黒表示用の場合、カラーフィルタ２１４は省略可能である。
【００２８】
オーバーコート層２１６は、遮光膜２１２上およびカラーフィルタ２１４上に配置されている。オーバーコート層２１６は例えばアクリル樹脂等の透明絶縁材料で構成可能である。オーバーコート層２１６は平坦化膜を兼ねることもできる。
【００２９】
共通電極２１８は、オーバーコート層２１６上に配置されており、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電材料で構成可能である。共通電極２１８は各画素に設けられている。図１では隣接する画素の共通電極２１８が連結した場合を例示しており、この場合、複数の画素にまたがった透明電極のうちで各画素内の部分が、その画素の共通電極２１８を構成している。共通電極２１８の厚さは例えば１３００〜１６００オングストローム（１３０〜１６０ｎｍ）である。
【００３０】
画素電極１１４および共通電極２１８には不図示の配線、画素トランジスタ等によって所定の電位がそれぞれ印加される。両電極１１４，２１８間の電界によって液晶層３００中の液晶分子の配向状態が制御される。すなわち液晶層３００の旋光性が制御される。これにより、画素の表示状態が制御される。かかる点に鑑みれば電極１１４，２１８をそれぞれ表示電極と呼ぶこともできる。
【００３１】
次に、画素電極１１４と共通電極２１８との一方または両方に適用可能な透明電極７０を例示する。図２および図３〜図５に透明電極７０の形成方法の一例を説明するフローチャートおよび断面図を示す。なお、液晶表示装置５０のその他の要素は公知の各種形成方法を利用して形成可能である。
【００３２】
透明電極７０は、図２のフローチャートおよび図５の断面図から分かるように、２回の透明導電膜成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０によって透明導電膜を２層積層して形成される。さらに、２回の成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０の工程間において、基板すなわち透明導電膜の洗浄工程ＳＴ１５を実施する。２層目の成膜工程ＳＴ２０の後に、透明導電膜７１，７２の積層膜を所定の形状にパターニングする（パターニング工程ＳＴ３０）。
【００３３】
透明導電膜７１，７２の成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０では、例えばスパッタ法を利用することが可能である。
【００３４】
ここで、図６にスパッタ法を説明する模式図を示す。スパッタ法では、真空チャンバ５０２内に基板５００と透明導電膜の材料ターゲット５０４とが向かい合わせにセットされる。ここで、基板５００は、透明電極７０を形成する対象となる基板であり、例えば基板１１０上に絶縁層１１２まで形成された状態の素子基板１００、基板２１０上にオーバーコート層２１６まで形成された状態の対向基板２００等が相当する。図６には基板５００とターゲット５０４との間にマスク５０６を設けた場合を例示している。チャンバ５０２内にＡｒとＨ2Ｏとの混合ガスを流し例えばＤＣ放電によってプラズマを発生させる。なお、混合ガスの流量等は透明導電膜が所定の膜特性で形成されるように設定される。プラズマ中のＡｒイオン５０８がターゲット５０４をスパッタし、飛び出した材料粒子５１０が基板５００上に堆積することによって透明導電膜が形成される。
【００３５】
図５では成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０による透明導電膜７１，７２が同じ膜厚の場合を例示しているが、異なる膜厚で透明導電膜７１，７２を成膜してもよい。また、１回に成膜する膜厚は、薄い方が、洗浄時に容易に異物を除去できるが、成膜の誤差を考慮して、確実に成膜できる膜厚、例えば、成膜の誤差が１００オングストロームであれば、３００オングストローム程度に形成すればよい。また、透明導電膜７１，７２は同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００３６】
洗浄工程ＳＴ１５では、流水洗浄、超音波洗浄、または、流水洗浄と超音波洗浄との組み合わせを利用する。この際、流水洗浄や超音波洗浄で用いる洗浄液には、形成された透明導電膜に影響が少ない洗浄液を用いるのが好ましく、例えばＩＴＯ膜に利用可能な洗浄液として例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等のアルコール、希フッ酸、純水等が挙げられる。なお、洗浄方法としては、上記した純水等の流体を用いる湿式洗浄に加え、ＵＶオゾン洗浄等の光洗浄技術を用いた乾式洗浄を組み合わせて用いることも可能である。
【００３７】
パターニング工程ＳＴ３０では、例えばレジスト膜の形成、露光、現像、エッチング、レジスト膜の剥離等の工程が実施される。なお、エッチング工程はウェットエッチングとドライエッチングとのいずれを利用してもよい。また、他の方法、例えばメタルマスクを用いたスパッタ法によってパターニング工程ＳＴ３０を実施してもよい。なお、パターニング工程ＳＴ３０を必要としない場合もある。例えば各画素の共通電極２１８を全画素にまたがる透明電極で構成する場合、当該透明電極の形成領域は成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０でのマスク５０６によって画定することも可能である。
【００３８】
図２に例示の形成方法によれば、例えば図３に示すように１層目の透明導電膜７１の成膜工程ＳＴ１０において下地層６８に異物８０が付着した場合であっても、次の洗浄工程ＳＴ１５によって当該異物８０を除去することができる（図４参照）。なお、下地層６８は、透明電極７０の直下の層であり、例えば素子基板１００の絶縁層１１２、対向基板２００のオーバーコート層２１６等が相当する（図１参照）。透明導電膜７１は、１回の成膜工程によって所定膜厚に形成された透明電極に比べて、薄いので、洗浄工程ＳＴ１５によって容易に異物８０を除去することができる。また、上記例示の流水洗浄、超音波洗浄等によれば、流体（洗浄液）が異物８０に対して物理的に作用するので、単に静水に浸漬するだけの洗浄方法に比べて効果的である。
【００３９】
異物８０が除去されると、その部分に透明導電膜７１の形状不具合が生じる場合がある。この形状不具合を図４では穴７８として例示している。しかし、図２に例示の形成方法によれば、１層目の透明導電膜７１の穴７８は成膜工程ＳＴ２０での２層目の透明導電膜７２によって覆われる（図５参照）。換言すれば穴７８がリペアされる。
【００４０】
この場合、完成状態の透明電極７０は、図５に示すように、透明導電膜７１，７２が積層された第１の部分７０Ａと、透明導電膜７１を有さず透明導電膜７２で構成される第２の部分７０Ｂとを含んでいる。第２の部分７０Ｂは、１層目の透明導電膜７１の穴７８の箇所に位置する部分であり、このため第１の部分７０Ａよりも積層数が少ない。しかし、第２の部分７０Ｂは第１の部分７０Ａと共通の透明導電膜７２の層を有しているので、１回の成膜工程によって所定膜厚に形成される透明電極とは異なり、穴７８が、完成状態の透明電極７０を貫通する局所的な穴、欠け、剥がれ等を引き起こすのが回避されている。
【００４１】
なお、一般的に、透明導電膜の積層構造は、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）等の透過型の顕微鏡によって観察することができる。
【００４２】
透明電極７０によれば、１層目の透明導電膜７１が穴７８を有している場合であっても、２層目の透明導電膜７２によって、液晶層３００への印加電界すなわち液晶層３００における旋光性を適切に制御することができる。したがって、透明電極７０による表示を品質良好にすることができ、透明電極７０を適用した素子基板１００、対向基板２００および液晶表示装置５０によれば良好な表示品質が得られる。また、透明電極７０の上記形成方法ならびに当該形成方法を含んだ素子基板１００、対向基板２００および液晶表示装置５０の製造方法によれば、歩留まりを向上させることができる。
【００４３】
ここで、異物８０は例えばターゲット５０４から飛び散ったノジュール、マスク５０６から剥離した異物である場合、ターゲット５０４およびマスク５０６を定期的に清掃することによって異物８０の個数を減らせるかもしれない。しかし、定期的な清掃によっても異物８０の発生を完全に抑制することは難しいし、異物８０の発生源はターゲット５０４およびマスク５０６だけとは限らない。かかる点に鑑みれば、上記の透明電極７０の形成方法は効果的である。
【００４４】
また、透明電極７０が厚いほど、または画素サイズが小さくなり高精細になるほど、異物８０による表示品質の低下は大きくなる。このため、画素電極１１４と共通電極２１８との一方または両方が比較的厚い場合、液晶表示装置５０が高精細タイプである場合等において、上記の透明電極７０の形成方法は有用である。
【００４５】
上記では各成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０でスパッタ法を利用する場合を例示したが、その他の成膜方法、例えば蒸着法を利用した場合においても異物８０の付着は起こりうる。このため、成膜工程ＳＴ１０，ＳＴ２０において蒸着法等の他の成膜方法を利用する場合にも上記の透明電極７０の形成方法は有用である。
【００４６】
また、２層目の成膜工程ＳＴ２０後、すなわち最後の成膜工程後に洗浄工程を追加してもよく、これによれば最後の成膜工程で付着した異物８０を除去することができる。当該洗浄工程は例えばパターニング工程ＳＴ３０における洗浄工程と兼ねることが可能である。換言すれば最後の成膜工程とパターニング工程ＳＴ３０との間で洗浄工程を実施しない場合であっても、パターニング工程ＳＴ３０での洗浄工程、例えばレジスト膜の形成前、剥離後等の洗浄工程によって、最後の成膜工程で付着した異物８０を除去することは可能である。洗浄工程の兼用によれば、製造時間を短縮することができる。
【００４７】
また、上記では２層構造の透明電極７０を例示したが、透明電極７０を３層以上で構成することも可能である。この場合、複数の成膜工程の各工程間の１以上において洗浄工程を実施することによって上記の各種効果が得られる。
【００４８】
ここで、各工程間の全てにおいて、すなわち毎回の成膜工程後に洗浄工程を実施することによって、より確実に異物を除去することができる。異物の付着は上記例示の１層目のみとは限らないからである。また、例えば２層おきに洗浄工程を実施する場合に比べて、異物除去に伴う形状不具合（図４の穴７８を参照）を小さく抑えることができる。このため、透明電極７０の平坦化を図ることができる。平坦な透明電極７０によれば、透明電極７０全体において電界の均質化を図ることができるので、表示品質をさらに良好にすることができる。
【００４９】
また、各成膜工程間の一部においてのみ洗浄工程を実施する場合には、上記のように毎回、洗浄工程を実施する場合に比べて、製造時間を短縮することができる。このとき、洗浄工程は、例えば等間隔で（例えば数回の成膜工程終了ごとに）実施してもよいし、例えば全成膜工程を前半と後半に分け前後半で実施回数を異ならせて（例えば前半に多く）実施してもよい。
【００５０】
また、洗浄工程を少なくとも１回目の成膜工程ＳＴ１０後、換言すれば１回目の成膜工程ＳＴ１０後を含んで実施する場合には、透明電極７０の形成前に付着した異物８０であっても除去可能である。このため、透明電極７０の形成前の洗浄工程を簡略化または省略することができる。
【００５１】
なお、３層以上の透明電極７０においても、各層の透明導電膜の材質は同じであってもよいし、一部または全部が異なっていてもよい。各透明導電膜の膜厚についても同様である。また、各洗浄工程での条件（例えば洗浄液、洗浄時間等）は同じであってもよいし、一部または全部が異なっていてもよい。
【００５２】
上記では画素電極１１４および共通電極２１８が基板１１０および基板２１０にそれぞれ設けられた構成を例示したが、かかる構成は例えばＴＮ方式等において採用される。これに対して、例えばＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式やＩＰＳ（In-Plane Switching）方式等では画素電極１１４と共通電極２１８との両方が一対の基板１１０，２１０の一方に設けられる。かかる構成の液晶表示装置においても、画素電極１１４、共通電極２１８等に透明電極７０を適用することによって、上記の各種効果を得ることができる。
【００５３】
また、上記では電気光学装置として液晶表示装置５０を例示したが、プラズマディスプレイ装置等の他の電気光学装置にも透明電極７０を適用可能であり、上記の各種効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施の形態に係る液晶表示装置を説明する断面図である。
【図２】実施の形態に係る透明電極の形成方法を説明するフローチャートである。
【図３】実施の形態に係る透明電極の形成方法を説明する断面図である。
【図４】実施の形態に係る透明電極の形成方法を説明する断面図である。
【図５】実施の形態に係る透明電極の形成方法を説明する断面図である。
【図６】スパッタ法を説明する模式図である。
【図７】従来の液晶表示装置を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００５５】
５０ 液晶表示装置（電気光学装置）、７０ 透明電極、７１，７２ 透明導電膜、７０Ａ 第１の部分、７０Ｂ 第２の部分、１００ 素子基板（電気光学装置用基板）、１１４ 画素電極（透明電極）、２００ 対向基板（電気光学装置用基板）、２１８ 共通電極（透明電極）、ＳＴ１０，ＳＴ２０ 透明導電膜成膜工程、ＳＴ１５ 洗浄工程。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明電極を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記透明電極を複数回の透明導電膜成膜工程によって形成し、
前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の１以上において洗浄工程を実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記洗浄工程を少なくとも１回目の透明導電膜成膜工程後に実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の全てにおいて洗浄工程を実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記洗浄工程を流水洗浄と超音波洗浄との少なくとも一方を利用して実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記複数回の透明導電膜成膜工程のうちの１以上をスパッタ法と蒸着法との少なくとも一方を利用して実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
透明電極の形成方法であって、
前記透明電極を複数回の透明導電膜成膜工程によって形成し、
前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の１以上において洗浄工程を実施することを特徴とする透明電極の形成方法。
【請求項７】
透明電極を備えた電気光学装置であって、
前記透明電極は透明導電膜が積層されて構成されており、一部の透明導電膜に形成された形状不具合が他の透明導電膜によって覆われていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
透明電極を備えた電気光学装置であって、
前記透明電極は、
複数の層が積層された第１の部分と、
前記第１の部分よりも積層数が少ないが前記第１の部分と共通の層を有する第２の部分と、
を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
透明電極を備えた電気光学装置用基板であって、
前記透明電極は透明導電膜が積層されて構成されており、一部の透明導電膜に形成された形状不具合が他の導電膜によって覆われていることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項１０】
透明電極を備えた電気光学装置用基板であって、
前記透明電極は、
複数の層が積層された第１の部分と、
前記第１の部分よりも積層数が少ないが前記第１の部分と共通の層を有する第２の部分と、
を含むことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項１】
透明電極を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記透明電極を複数回の透明導電膜成膜工程によって形成し、
前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の１以上において洗浄工程を実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記洗浄工程を少なくとも１回目の透明導電膜成膜工程後に実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の全てにおいて洗浄工程を実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記洗浄工程を流水洗浄と超音波洗浄との少なくとも一方を利用して実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記複数回の透明導電膜成膜工程のうちの１以上をスパッタ法と蒸着法との少なくとも一方を利用して実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
透明電極の形成方法であって、
前記透明電極を複数回の透明導電膜成膜工程によって形成し、
前記複数回の透明導電膜成膜工程の各工程間の１以上において洗浄工程を実施することを特徴とする透明電極の形成方法。
【請求項７】
透明電極を備えた電気光学装置であって、
前記透明電極は透明導電膜が積層されて構成されており、一部の透明導電膜に形成された形状不具合が他の透明導電膜によって覆われていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
透明電極を備えた電気光学装置であって、
前記透明電極は、
複数の層が積層された第１の部分と、
前記第１の部分よりも積層数が少ないが前記第１の部分と共通の層を有する第２の部分と、
を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
透明電極を備えた電気光学装置用基板であって、
前記透明電極は透明導電膜が積層されて構成されており、一部の透明導電膜に形成された形状不具合が他の導電膜によって覆われていることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項１０】
透明電極を備えた電気光学装置用基板であって、
前記透明電極は、
複数の層が積層された第１の部分と、
前記第１の部分よりも積層数が少ないが前記第１の部分と共通の層を有する第２の部分と、
を含むことを特徴とする電気光学装置用基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００８−２９９１９８（Ｐ２００８−２９９１９８Ａ）
【公開日】平成２０年１２月１１日（２００８．１２．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１４６９８４（Ｐ２００７−１４６９８４）
【出願日】平成１９年６月１日（２００７．６．１）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１２月１１日（２００８．１２．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年６月１日（２００７．６．１）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
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