電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器

【課題】電子部品の端子と基板の端子との接触面積が大きく接続信頼性に優れた電気光学
装置の製造方法、電気光学装置、該電気光学装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】加熱圧着工程（Ｓ３）では、加熱された接着材２９が硬化する温度以下の温
度で導電粒子２８の金属膜２７（Ｓｎ）を溶融させるので、加熱圧着工程時に、接着材２
９を硬化させる温度（例えば２５０°Ｃ）以下の温度で、導電粒子２８の表面のＳｎを溶
融させ、基板側出力端子１４ａと、溶融した導電粒子２８の表面との接触面積を増加させ
たり、ドライバ側出力端子２４と、溶融した導電粒子２８の表面との接触面積を増加させ
たりすることができ、接着材２９を硬化させるための温度を超える温度に加熱するような
別工程を必要とすることなく、基板側出力端子１４ａと、ドライバ側出力端子２４との電
気的かつ機械的な接続の信頼性を向上させることができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器及び電子機器に用いられ
る電気光学装置及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等といった電子機器の表示装置として電気
光学装置としての例えば液晶装置等が用いられている。この液晶装置等には、例えば、基
板とＩＣチップとの間にＡＣＦ（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｆｉ
ｌｍ）等を介してフリップチップ方式でＩＣチップが実装されているが、ＩＣチップの入
力バンプと出力バンプとの中心と、ＩＣチップの外形の中心とが異なる場合には、加圧ヘ
ッドによりＩＣチップを押圧するときに入出力バンプを均一に押圧することが難しく入出
力バンプの接続信頼性が低下する、という問題があった。
【０００３】
この問題を解決するために、例えば加圧ヘッドの中心が、入力バンプ列と出力バンプ列
との中心線に略一致する状態で、加圧ヘッドによりＩＣチップを押圧しようとする技術が
開示されている。（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−３４０６１３号公報（段落［００２８］、図２）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した技術では、例えば入出力バンプと、基板側の端子とが圧接して
設けられているものの、入出力バンプと、基板側の端子との接触面積を大きく確保するこ
とが難しく、接続の信頼性が低下する、という問題がある。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、電子部品の端子と基板の端子との接触
面積が大きく接続信頼性に優れた電気光学装置の製造方法、電気光学装置、該電気光学装
置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る電気光学装置の製造方法は、第
１の端子を有する基板に、前記第１の端子に電気的に接続される第２の端子を有する電子
部品が実装された電気光学装置の製造方法であって、前記第１の端子又は前記第２の端子
上に導電粒子及び接着材を配置する配置工程と、前記第１の端子と、前記第２の端子とが
前記導電粒子を介して電気的に接続されるように、前記電子部品を前記基板に加熱圧着す
る加熱圧着工程とを備え、前記加熱圧着工程では、前記接着材が軟化又は硬化する温度以
下の温度で少なくとも前記導電粒子の表面を溶融させることを特徴とする。
【０００７】
本発明では、加熱圧着工程では、接着材が軟化又は硬化する温度以下の温度で少なくと
も導電粒子の表面を溶融させるので、例えば、接着材を硬化させる温度以下の温度で、導
電粒子の表面を溶融させ、第１の端子と、溶融した導電粒子の表面との接触面積を増加さ
せたり、第２の端子と、溶融した導電粒子の表面との接触面積を増加させたりすることが
でき、例えば接着材を硬化させるための温度を超える温度に加熱するような別工程を必要
とすることなく、加熱圧着工程で基板の第１の端子と電子部品の第２の端子との電気的か
つ機械的な接続の信頼性を向上させることができる。例えば、溶融した導電粒子の表面と
、第１の端子との接触面積が増大することで、導通をより確実に確保することができると
共に、溶融した状態の導電粒子の表面と第１の端子とが接合されるので、より安定した強
固な電気的、機械的な接続構造を得ることができる。
【０００８】
本発明の他の観点に係る電気光学装置の製造方法は、第１の端子を有する基板に、前記
第１の端子に電気的に接続される第２の端子を有する電子部品が実装された電気光学装置
の製造方法であって、前記第１の端子又は前記第２の端子上に導電粒子を配置する導電粒
子配置工程と、少なくとも前記基板の前記電子部品側の面又は少なくとも前記電子部品の
前記基板側の面に接着材を配置する接着材配置工程と、前記第１の端子と、前記第２の端
子とが前記導電粒子を介して電気的に接続されるように、前記電子部品を前記基板に加熱
圧着する加熱圧着工程とを備え、前記加熱圧着工程では、前記接着材が軟化又は硬化する
温度以下の温度で少なくとも前記導電粒子の表面を溶融させることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、第１の端子又は第２の端子上に導電粒子を配置する導電粒子配置工程と、
少なくとも基板の電子部品側の面又は少なくとも電子部品の基板側の面に接着材を配置す
る接着材配置工程と、第１の端子と、第２の端子とが導電粒子を介して電気的に接続され
るように、電子部品を基板に加熱圧着する加熱圧着工程とを備えるので、例えば、基板の
第１の端子上に導電粒子を配置し、基板の電子部品側の面に接着材を配置した状態（導電
粒子と接着材とを別々に配置した状態）で電子部品を基板に加熱圧着することができ、加
熱圧着工程では、接着材が軟化又は硬化する温度以下の温度で少なくとも導電粒子の表面
を溶融させるので、加熱圧着工程時に、例えば、接着材を硬化させる温度以下の温度で、
例えば導電粒子の表面を溶融させ、第１の端子と、溶融した導電粒子の表面との接触面積
を増加させたり、第２の側端子と、溶融した導電粒子の表面との接触面積を増加させたり
することができ、例えば接着材を硬化させるための温度を超える温度に加熱するような別
工程を必要とすることなく、加熱圧着工程で電気的かつ機械的な接続の信頼性を向上させ
ることができる。例えば、溶融した導電粒子の表面と、第１の端子との接触面積が増大す
ることで、導通をより確実に確保することができると共に、溶融した状態の導電粒子の表
面と第１の端子とが接合されるので、より安定した強固な電気的、機械的な接続構造を得
ることができる。
【００１０】
本発明の他の観点に係る電気光学装置の製造方法は、第１の端子を有する基板に、前記
第１の端子に電気的に接続される第２の端子を有する電子部品が実装された電気光学装置
の製造方法であって、前記第１の端子又は前記第２の端子上に導電粒子を配置する導電粒
子配置工程と、前記第１の端子と、前記第２の端子とを前記導電粒子を介して対向配置す
る工程と、前記基板と前記電子部品との間に接着材を注入する注入工程と、前記第１の端
子と、前記第２の端子とが前記導電粒子を介して電気的に接続されるように、前記電子部
品を前記基板に加熱圧着する加熱圧着工程とを備え、前記加熱圧着工程では、前記接着材
が軟化又は硬化する温度以下の温度で少なくとも前記導電粒子の表面を溶融させることを
特徴とする。
【００１１】
本発明では、第１の端子又は第２の端子上に導電粒子を配置する導電粒子配置工程と、
第１の端子と、第２の端子とを導電粒子を介して対向配置する工程と、基板と電子部品と
の間に接着材を注入する注入工程と、第１の端子と、第２の端子とが導電粒子を介して電
気的に接続されるように、電子部品を基板に加熱圧着する加熱圧着工程とを備えているの
で、第１の端子と第２の端子との間に導電粒子を挟んだ状態で基板と電子部品との間の隙
間に接着材を注入し加熱圧着することができると共に、加熱圧着工程では、接着材が軟化
又は硬化する温度以下の温度で少なくとも導電粒子の表面を溶融させるので、加熱圧着工
程時に、例えば、導電粒子の表面を溶融させると共に接着材を硬化させ、第１の端子と、
溶融した導電粒子の表面との接触面積を増加させたり、電子部品側端子と、溶融した導電
粒子の表面との接触面積を増加させたりすることができ、例えば接着材を硬化させるため
の温度を超える温度に加熱するような別工程を必要とすることなく、加熱圧着工程で電気
的かつ機械的な接続の信頼性を向上させることができる。例えば、溶融した導電粒子を介
して第１の端子と第２の端子とを加熱圧着することで、溶融した導電粒子の表面と、第１
の端子との接触面積を増大させ、導通をより確実に確保することができると共に、溶融し
た状態の導電粒子の表面と第１の端子とが接合されるので、より安定した強固な電気的、
機械的な接続構造を得ることができる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記配置工程は、前記第１の端子又は前記第２の端子上に
前記接着材を配置する接着材配置工程と、前記接着材配置工程の後に、前記第１の端子又
は前記第２の端子上に前記導電粒子を配置する導電粒子配置工程とを有することを特徴と
する。これにより、配置工程は、第１の端子又は前記第２の端子上に接着材を配置する接
着材配置工程と、接着材配置工程の後に、第１の端子又は第２の端子上に導電粒子を配置
する導電粒子配置工程とを有するので、例えば基板の第１の端子上に接着材を配置した後
に、接着材上に選択的に導電粒子を配置することができ、導電粒子の低コスト化を図るこ
とができると共に、接着材に導電粒子を捕らえることができ、例えば第１の端子間の短絡
を防止することができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記接着材は、２５０°Ｃ以下の温度で軟化又は硬化する
ことを特徴とする。これにより、接着材は、２５０°Ｃ以下の温度で軟化又は硬化するの
で、例えば接着材を硬化させるために接着材を２５０°Ｃに加熱する必要がある場合に、
例えば融点が２５０°Ｃ以下の導電粒子を用いることで、接着材を硬化させるときに導電
粒子を溶融させることができ、基板の第１の端子と電子部品の第２の端子との接触面積を
増加させることができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記加熱圧着工程で少なくとも表面が溶融した前記導電粒
子は、前記第２の端子の前記導電粒子に圧接された圧接領域の周りに広がって、前記第１
の端子及び前記第２の端子の少なくとも一方に接触することを特徴とする。ここで、「圧
接領域」とは、例えば、電子部品を押圧したときに、導電粒子と、基板の第１の端子、電
子部品の第２の端子とが圧接された領域である。これにより、加熱圧着工程で少なくとも
表面が溶融した導電粒子は、第２の端子の導電粒子に圧接された圧接領域の周りに広がっ
て、第１の端子及び第２の端子の少なくとも一方に接触するので、例えば、電子部品の第
２の端子と導電粒子とが圧接された圧接領域の面積より広い面積で導通を図り電気的かつ
機械的な接続の信頼性をより向上させることができる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記導電粒子は、その表面の構成材料にＳｎ、Ｉｎ、Ｎａ
又はＫを有することを特徴とする。ここで、Ｓｎは錫、Ｉｎはインジウム、Ｎａはナトリ
ウム、Ｋはカリウムである。これにより、導電粒子は、その表面の構成材料にＳｎ、Ｉｎ
、Ｎａ又はＫを有するので、例えば導電粒子がＳｎの場合には、Ｓｎの融点が２３２°Ｃ
であるので、加熱圧着工程において、温度が上昇するのに伴い、導電粒子の温度が２３２
°Ｃを超えると、まず、導電粒子が溶融し始め、続いて、接着材を２５０°Ｃに一定時間
保持して接着材の硬化反応を進行させることができる。このように、接着材を硬化させる
際に同時に導電粒子の少なくとも表面を溶融させて、例えば導電粒子と電子部品の第２の
端子との電気的かつ機械的な接続の信頼性を向上させることができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記導電粒子は、その表面の構成材料にＳｎとＢｉとＣｄ
とＰｂとの合金又はＳｎとＡｇとＣｕとの合金を有することを特徴とする。ここで、Ｓｎ
は錫、Ｂｉはビスマス、Ｃｄはカドミウム、Ｐｂは鉛、Ａｇは銀、Ｃｕは銅である。これ
により、導電粒子は、その表面の構成材料にＳｎとＢｉとＣｄとＰｂとの合金又はＳｎと
ＡｇとＣｕとの合金を有するので、例えば導電粒子がＳｎとＡｇとＣｕとの合金の場合に
は、ＳｎとＡｇとＣｕとの合金の融点が２２０°Ｃであり、加熱圧着工程において、導電
粒子の温度が上昇するのに伴い、導電粒子の温度が２２０°Ｃを超えると、まず、導電粒
子の表面が溶融し始め、続いて、接着材を２５０°Ｃに一定時間保持して接着材の硬化反
応を進行させることができる。このように、接着材を硬化させる際に同時に導電粒子の表
面を溶融させる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、溶融した前記導電粒子と、前記第１の端子及び前記第２の
端子のうち少なくとも一方とは、金属結合されていることを特徴とする。これにより、溶
融した導電粒子と、基板の第１の端子及び電子部品の第２の端子のうち少なくとも一方と
は、金属結合されているので、例えば第１の端子と導電粒子との境界領域等で抵抗（導電
性）が大きく変化したりすることなく、より強固な電気的、機械的な接続構造とすること
ができる。
【００１８】
本発明の他の観点に係る電気光学装置は、第１の端子を有する基板と、前記第１の端子
に電気的に接続された第２の端子を有する電子部品と、前記第１の端子及び前記第２の端
子と電気的に接続され、表面の材質の融点が２５０°Ｃ以下の導電粒子と、を備えたこと
を特徴とする。
【００１９】
本発明では、第１の端子を有する基板と、第１の端子に電気的に接続された第２の端子
を有する電子部品と、第１の端子及び第２の端子と電気的に接続され、表面の材質の融点
が２５０°Ｃ以下の導電粒子とを備えるので、例えば、基板の第１の端子と、溶融した導
電粒子の表面との接触面積が、導電粒子の表面の溶融前より大きくなっており、電気的か
つ機械的な接続の信頼性を向上させることができる。
【００２０】
本発明の他の観点に係る電子部品は、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする
。
【００２１】
本発明では、電子部品側端子と、導電粒子との接触面積や基板側端子と、導電粒子との
接触面積が増加した電気的かつ機械的な接続の信頼性に優れた電気光学装置を備えている
ので、例えば表示品位に優れた電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明する
にあたっては、電気光学装置としての液晶装置、具体的には反射半透過型のＴＦＴ（Ｔｈ
ｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス方式の液晶装置、また
、その液晶装置を用いた電子機器、及び液晶装置の製造方法について説明するが、これに
限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、
実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２３】
（第１の実施形態）
【００２４】
図１は本発明に係る第１の実施形態の液晶装置の概略斜視図、図２は図１の液晶装置の
Ａ−Ａ断面図、図３は図２の液晶装置のドライバＩＣのドライバ側出力端子の拡大断面図
である。
【００２５】
（液晶装置の構成）
【００２６】
液晶装置１は、液晶パネル２と、液晶パネル２に接続された回路基板３とを備えている
。なお、液晶装置１は、液晶パネル２を支持する図示を省略したフレーム等のその他の付
帯機構が必要に応じて付設される。
【００２７】
液晶パネル２は、基板４と、基板４に対向するように設けられた基板５と、基板４、５
の間に設けられたシール材６及び基板４、５により封止された図示しない液晶とを備えて
いる。液晶には、例えばＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）が用いられている。
【００２８】
基板４及び基板５は、例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板
状部材である。基板４の液晶側には、ゲート電極７、ソース電極８、薄膜トランジスタ素
子Ｔ及び画素電極９が形成されており、基板５の液晶側には、共通電極５ａが形成されて
いる。
【００２９】
ゲート電極７はＸ方向に、ソース電極８はＹ方向に、それぞれ例えばアルミニウム等の
金属材料等によって形成されている。ソース電極８は、例えば図１に示すように上半分が
左側に、下半分が右側に引き回されて形成されている。なお、ゲート電極７及びソース電
極８の本数は、液晶装置１の解像度や表示領域の大きさに応じて適宜変更可能である。
【００３０】
薄膜トランジスタ素子Ｔは、ゲート電極７、ソース電極８及び画素電極９にそれぞれ電
気的に接続される３つの端子を備えている。薄膜トランジスタ素子Ｔは画素電極９、ゲー
ト電極７、ソース電極８に電気的に接続されている。これにより、ゲート電極７に電圧を
印加したときにソース電極８から画素電極９に又はその逆に電流が流れるように構成され
ている。
【００３１】
また、基板４は、基板５の外縁から張り出した領域（以下、「張り出し部」と表記する
）４ａを備えている。張り出し部４ａの面上には、入力配線１１〜１３、出力配線１４〜
１６が付設されていると共に、例えば液晶を駆動するためのドライバＩＣ１７、１８及び
１９が実装されている。
【００３２】
入力配線１１は、図２に示す一端部の第１の端子としての基板側入力端子１１ａがドラ
イバＩＣ１７の図２に示す第２の端子としてのドライバ側入力端子２３に導電粒子２８を
介して電気的に接続され、他端部１１ｂが回路基板３の可撓性基材３１に付設された配線
３６に図示しないＡＣＦ等を介して電気的に接続されている。なお、入力配線１２、１３
は、それぞれ一端部の図示しない入力端子がドライバＩＣ１８、１９の図示しない入力端
子に電気的に接続される等している。
【００３３】
出力配線１４は、図２に示す一端部の第１の端子としての基板側出力端子１４ａがドラ
イバＩＣ１７の図２に示す第２の端子としてのドライバ側出力端子２４に導電粒子２８を
介して電気的に接続されており、他端部が図１に示すゲート電極７に繋がっている。なお
、出力配線１５、１６は、一端部の図示しない出力端子がそれぞれドライバＩＣ１８、１
９の図示しない出力端子に電気的に接続される等している。
【００３４】
ドライバＩＣ１７は、図２に示すように、ドライバＩＣ１７と基板４との間に設けられ
た例えばＡＣＦ２５により基板４に接着されている。
【００３５】
ドライバＩＣ１７は、基材２０と、基材２０の基板４と対向する実装面２０ａ側に設け
られた例えばアルミニウム製の電極パッド２１、２２と、電極パッド２１、２２にそれぞ
れ接続されドライバＩＣ１７の実装面２０ａ側に突設された複数のドライバ側入力端子２
３、複数のドライバ側出力端子２４とを備えている。
【００３６】
電極パッド２１、２２は、基材２０の実装面２０ａ側にゲート電極７の配列方向（Ｙ方
向）に配列して設けられている。
【００３７】
ドライバ側入力端子２３、ドライバ側出力端子２４は、それぞれ図２に示す電極パッド
２１、２２に接続されてそれぞれゲート電極７の配列方向（Ｙ方向）に配列して設けられ
ている。
【００３８】
ＡＣＦ２５には、図３に示すように、例えば樹脂製の弾性粒子２６が金属膜２７により
被覆された導電粒子２８が、ＡＣＦ２５の接着材２９中に含まれて構成されている。
【００３９】
弾性粒子２６は、例えば樹脂が用いられており、後述する加熱圧着時に弾性変形したり
、外力に応じてドライバ側出力端子２４に追従したりして、基板側入出力端子１１ａ、１
４ａと、ドライバ側入出力端子２３、２４との電気的な接続を確保するように構成されて
いる。
【００４０】
金属膜２７は、図３に示すように、例えば、ドライバ側出力端子２４や基板側出力端子
１４ａとの接触部分が、加熱圧着時に溶融して濡れ広がって設けられている。例えば、加
熱圧着時に溶融した金属層２７は、図３に示すように、ドライバ側出力端子２４の導電粒
子２８に圧接された圧接領域Ｓの周りに広がって、基板側出力端子１４ａ、ドライバ側出
力端子２４に接触している。圧接領域Ｓとは、図３に示すように、例えば、導電粒子２８
を介してドライバＩＣ１７を押圧したときに、ドライバ側出力端子２４、基板側出力端子
１４ａと、導電粒子２８とが圧接された領域を言う。
【００４１】
金属膜２７は、例えば、弾性粒子２６を被覆するように形成された例えばＮｉ（ニッケ
ル）製の下地層と、導電粒子２８の表面を形成する例えばＳｎ（錫：融点２３２°Ｃ）、
Ｉｎ（インジウム：融点１５７°Ｃ）、Ｎａ（ナトリウム：融点９８°Ｃ）、又は、Ｋ（
カリウム：融点６３°Ｃ）製の表面層とを備えている。
【００４２】
表面層の材料には、例えば、Ｓｎ（錫）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｃｄ（カドミウム）及び
Ｐｂ（鉛）の合金（例えば重量パーセント比Ｓｎ：Ｂｉ：Ｃｄ：Ｐｂ＝８．７：５６：
６．４：２８．９融点１００°Ｃ以下）やＳｎ（錫）、Ａｇ（銀）及びＣｕ（銅）の合
金（融点２２０°Ｃ）等を用いることもできる。表面層の材料の融点は、例えば後述する
接着材２９が硬化するときの温度以下の温度に設定されている。
【００４３】
表面層の厚さは、例えば加熱圧着時の後述する押圧ヘッドの温度や押圧力等に応じて適
宜変更される。例えば加熱圧着工程時に、後述するように溶融する金属膜２７の量を多く
したい場合には、表面層の厚さを厚くすればよい。
【００４４】
なお、本実施形態では、例えば、金属膜２７が下地層と表面層とで形成されている例を
示した。しかし、金属層２７はこれに限定されず、例えば、３層以上の層から構成されて
いるようにしてもよい。
【００４５】
接着材２９には、例えば硬化性の樹脂等が用いられている。接着材２９が硬化する温度
は、例えば、導電粒子２８の金属膜２７の融点以上に設定されている。接着材２９が硬化
するときの温度は、例えば、２５０°Ｃとされている。
【００４６】
なお、本実施形態では、例えば硬化性の接着材２９を用いる例を示した。しかし、これ
に限定されず、例えば、熱可塑性の接着材を用いるようにしてもよい。
【００４７】
回路基板３は、図１に示すように、張り出し部４ａに例えば接着材等を介して電気的に
接続されている。回路基板３は、可撓性基材３１と、可撓性基材３１に設けられた出力配
線３２、入力配線３３と、例えばドライバＩＣ１７等を制御するために可撓性基材３１に
実装された半導体ＩＣ３４とを備えている。可撓性基材３１には、例えばこの他にも図示
を省略した電源供給用の半導体ＩＣ等が実装されている。
【００４８】
出力配線３２は、図１に示すように、例えばＸ方向に引き回されており、その一端が、
可撓性基材３１に形成された図２に示すスルーホール内に設けられた接続部材３７を介し
て可撓性基材３１に付設された配線３６の端部に接続されている。出力配線３２の他端は
、ＡＣＦ等を介して半導体ＩＣ３４の図示を省略した出力端子に電気的に接続されている
。
【００４９】
入力配線３３は、図１に示すように、例えばＸ方向に引き回されている。入力配線３３
の一端は、図１に示すように例えば半導体ＩＣ３４の図示しない入力端子にＡＣＦ等を介
して電気的に接続されている。入力配線３３の他端は、例えば図示しない外部装置に電気
的に接続されている。
【００５０】
（液晶装置１の製造方法）
【００５１】
次に、液晶装置１の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００５２】
図４は第１の実施形態の液晶装置の製造工程を示すフローチャート、図５は液晶パネル
２の基板４にＡＣＦ２５を貼り付けた状態（図４のＳ２）の断面図、図６は基板４にドラ
イバＩＣ１７を加熱圧着する加熱圧着工程（図４のＳ３）の断面図である。なお、本実施
形態では、ドライバＩＣ１７等を実装する前の液晶パネル２の製造工程（Ｓ１）及び回路
基板３の製造工程（Ｓ４）等については公知技術と同様なのでその説明を省略し、ドライ
バＩＣ１７の実装工程等（Ｓ２〜Ｓ３）について中心的に説明する。
【００５３】
まず、例えばドライバＩＣ１７を実装する前のステップ１で製造された液晶パネル２を
、図５に示すように、ステージ４１上に載置し、液晶パネル２の基板４に形成された基板
側出力端子１４ａ上に、導電粒子２８及び接着材２９を含むＡＣＦ２５を貼り付ける（Ｓ
２）。
【００５４】
次いで、図６に示すように、上下動可能な押圧ヘッド４０によりドライバＩＣ１７に熱
を加えながら基板４に近づく方向（図６のＤ方向）にドライバＩＣ１７を押圧し、基板４
にドライバＩＣ１７を加熱圧着する（Ｓ３加熱圧着工程）。
【００５５】
このとき、押圧ヘッド４０側からの熱がドライバＩＣ１７に伝わりＡＣＦ２５の温度が
上昇する。ＡＣＦ２５中の導電粒子２８の温度が２３２°Ｃを超えると、まず、導電粒子
２８の表面層のＳｎが溶融し、図６に示すように、例えばドライバ側出力端子２４との接
触面及び基板側出力端子１４ａとの接触面にＳｎの一部が濡れ広がる。これにより、導電
粒子２８の溶融前に比べて、ドライバ側出力端子２４と導電粒子２８との接触面積及び基
板側出力端子１４ａと導電粒子２８との接触面積が増加する。
【００５６】
更に温度が上昇し、接着材２９の温度が例えば２５０°Ｃで一定時間保持され、接着材
２９の硬化反応が進行し、図６に示すように、ドライバ側出力端子２４と、基板側出力端
子１４ａとが、導電粒子２８を介して電気的に接続された状態で固定される。例えば、ド
ライバ側出力端子２４と導電粒子２８とが接続（接合）された部分や基板側出力端子１４
ａと導電粒子２８とが接続（接合）された部分は、例えば、金属結合される。
【００５７】
そして、液晶パネル２と、ステップ４で製造した回路基板３とを図示を省略した導電性
の接着材等を介して電気的に接続し（Ｓ５）、バックライトや反射シート等を設ける等し
て液晶装置１を製造する（Ｓ６）。
【００５８】
以上で液晶装置１の製造方法についての説明を終了する。
【００５９】
このように本実施形態によれば、加熱圧着工程（Ｓ３）では、加熱された接着材２９が
硬化する温度以下の温度で導電粒子２８の金属膜２７（Ｓｎ）を溶融させるので、加熱圧
着工程（Ｓ３）時に、例えば、接着材２９を硬化させる温度（例えば２５０°Ｃ）以下の
温度で、例えば導電粒子２８の表面のＳｎを溶融させ、基板側出力端子１４ａと、溶融し
た導電粒子２８の表面との接触面積を増加させたり、ドライバ側出力端子２４と、溶融し
た導電粒子２８の表面との接触面積を増加させたりすることができ、接着材２９を硬化さ
せるための温度を超える温度に加熱するような別工程を必要とすることなく、基板側出力
端子１４ａと、ドライバ側出力端子２４との電気的かつ機械的な接続の信頼性を向上させ
ることができる。例えば、溶融した導電粒子２８の表面と、基板側出力端子１４ａとの接
触面積が増大することで、導通をより確実に確保することができると共に、溶融した状態
の導電粒子２８の表面と基板側出力端子１４ａとが接合されるので、例えば従来のような
圧接されただけのような構造に比べて、より安定した強固な電気的、機械的な接続構造を
得ることができる。
【００６０】
また、ＡＣＦ２５の接着材２９は、例えば２５０°Ｃ以下の温度で硬化する硬化性樹脂
であるので、例えば接着材２９を硬化させるために接着材２９を２５０°Ｃに加熱する必
要がある場合に、融点が２５０°Ｃ以下のＳｎ等の表面層を備えた導電粒子２８を用いる
ことで、接着材２９が硬化する際に導電粒子２８の表面層２９を溶融させ、基板側出力端
子１４ａとドライバ側出力端子２４との接触面積を増加させることができる。
【００６１】
更に、加熱圧着工程（Ｓ３）で溶融した導電粒子２８は、ドライバ側出力端子２４の導
電粒子２８に圧接された圧接領域Ｓの周りに広がって、基板側出力端子１４ａ、ドライバ
側出力端子２４に接触しているので、例えば、ドライバ側出力端子２４と導電粒子２８と
の圧接された圧接領域Ｓの面積より広い面積で接合することで、導通をより向上させるこ
とができる。
【００６２】
更に、導電粒子２８の金属膜２７の表面層は、その構成材料がＳｎ（又は、Ｉｎ、Ｎａ
、Ｋ）であるので、例えば導電粒子２８の金属膜２７の表面層がＳｎの場合には、Ｓｎの
融点が２３２°Ｃであり、加熱圧着工程（Ｓ３）において、導電粒子２８の温度が上昇す
るのに伴い、導電粒子２８の温度が２３２°Ｃを超えると、まず、導電粒子２８の金属膜
２７の表面層が溶融し、続いて、接着材２９の温度が例えば２５０°Ｃで一定時間保持さ
れ、接着材２９の硬化反応が進行し、接着材２９を硬化させることができる。このように
、加熱圧着を開始してから接着材２９が硬化するまでの間に、導電粒子２８の金属膜２７
の表面層を溶融させて、例えば導電粒子２８とドライバ側出力端子２４や基板側出力端子
１４ａとの電気的かつ機械的な接続の信頼性を向上させることができる。
【００６３】
なお、本実施形態では、導電粒子２８の金属膜２７の表面層の構成材料が例えばＳｎの
例を示した。しかし、導電粒子２８の金属膜２７の表面層の構成材料は、これに限定され
ず、例えば、ＳｎとＢｉとＣｄとＰｂとの合金又はＳｎとＡｇとＣｕとの合金としてもよ
い。例えば導電粒子の表面層の構成材料がＳｎとＡｇとＣｕとの合金の場合には、Ｓｎと
ＡｇとＣｕとの合金の融点が２２０°Ｃであるので、加熱圧着工程（Ｓ３）において、導
電粒子の温度が上昇するのに伴い、導電粒子の温度が２２０°Ｃを超えると、まず、導電
粒子が溶融し、続いて、接着材の温度が２５０°Ｃで一定時間保持され、接着材２９の硬
化反応が進行し、接着材２９を硬化させることができる。
【００６４】
また、溶融した導電粒子２８の金属膜２７と、基板側出力端子１４ａ及びドライバ側出
力端子２４は、金属結合されているので、例えば基板側出力端子１４ａと導電粒子２８の
金属膜２７との境界領域等で抵抗（導電性）が大きく変化したりすることなく、より強固
な電気的、機械的な接続構造とすることができる。
【００６５】
（第１の変形例）
【００６６】
次に、本発明に係る第１の変形例の液晶装置、液晶装置の製造方法について説明する。
なお、本変家例以降においては、上記実施形態と同一の構成部材等には同一の符号を付し
その説明を省略し、異なる箇所を中心に説明する。また、液晶装置の構成等については、
第１の実施の形態と略同様なのでその説明を省略する。
【００６７】
図７は第１の変形例の基板の基板側入出力端子上に導電粒子を配置した状態の断面図、
図８は第１の変形例の導電粒子上に接着材を配置した状態の断面図である。
【００６８】
（液晶装置の製造方法）
【００６９】
次に、液晶装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、本変形例では
、ドライバＩＣ１７等を実装する前の液晶パネル２の製造工程及び回路基板３の製造工程
等については公知技術と同様なのでその説明を省略し、導電粒子２８と、接着材との配置
の方法が異なるのでこれらの配置工程について中心的に説明する。
【００７０】
まず、例えばドライバＩＣ１７を実装する前の液晶パネル２を、図７に示すように、ス
テージ４１上に載置し、液晶パネル２の基板４に形成された基板側出力端子１４ａ上に、
導電粒子２８を配置する。このとき、例えば、導電粒子２８を噴出可能な図示を省略した
インクジェット装置等を用いる。
【００７１】
次いで、図８に示すように、例えば導電粒子２８に重なるように、接着材２９´を貼り
付ける。このとき、例えば、図示しない接着材貼り付け装置を用いてもよいし、手動で貼
り付けてもよい。接着材２９´には、例えばＮＣＦ（ＮｏｎＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦ
ｉｌｍ）を用いることができる。
【００７２】
続いて、押圧ヘッド４０により、ドライバＩＣ１７に熱を加えながら基板４に向かう方
向（図６のＤ方向）にドライバＩＣ１７を押圧し、基板４にドライバＩＣ１７を加熱圧着
する（加熱圧着工程）。
【００７３】
このとき、押圧ヘッド４０側からの熱がドライバＩＣ１７に伝わり接着材２９´及び導
電粒子２８の温度が上昇する。導電粒子２８の温度が２３２°Ｃを超えると、まず、導電
粒子２８の表面層であるＳｎが溶融し始め、図６に示すように、例えばドライバ側出力端
子２４との接触面及び基板側出力端子１４ａとの接触面にＳｎの一部が濡れ広がる。これ
により、導電粒子２８の溶融前に比べて、ドライバ側出力端子２４と導電粒子２８との接
触面積及び基板側出力端子１４ａと導電粒子２８との接触面積が増加する。
【００７４】
次いで、更に温度が上昇し、接着材２９´の温度が例えば２５０°Ｃで一定時間保持さ
れ、接着材２９´の硬化反応が進行し、ドライバ側出力端子２４と、基板側出力端子１４
ａとが、導電粒子２８を介して電気的に接続された状態で固定される。例えば、ドライバ
側出力端子２４と導電粒子２８とが接続（接合）された部分や基板側出力端子１４ａと導
電粒子２８とが接続（接合）された部分は、例えば、金属結合されている。
【００７５】
そして、液晶パネル２と、回路基板３とを図示を省略した導電性の接着材等を介して電
気的に接続し、バックライトや反射シート等を設ける等して液晶装置を製造する。
【００７６】
以上で液晶装置の製造方法についての説明を終了する。
【００７７】
このように本変形例によれば、例えば図７に示すように、液晶パネル２の基板４に形成
された基板側出力端子１４ａ上に、導電粒子２８を配置した後に、図８に示すように、例
えば導電粒子２８に重なるように、接着材２９を貼り付け、続いて、押圧ヘッド４０によ
り、ドライバＩＣ１７に熱を加えながら基板４に向かう方向（図６のＤ方向）にドライバ
ＩＣ１７を押圧し、基板４にドライバＩＣ１７を加熱圧着する（加熱圧着工程）ので、例
えば、基板側出力端子１４ａ上に図示しないインクジェット装置等を用いて選択的に導電
粒子２８を配置することができ、不要な場所に配置することをなくし、低コスト化及び導
電粒子２８による短絡を防止することができる。また、ＡＣＦ２５を用いることなく、加
熱圧着工程時に、例えば、接着材２９´を硬化させる温度以下の温度で、例えば導電粒子
２８の表面の金属Ｓｎを溶融させ、基板側出力端子１４ａと、溶融した導電粒子２８の金
属膜２７との接触面積を増加させたり、ドライバ側出力端子２４と、溶融した導電粒子２
８の金属膜２７との接触面積を増加させたりすることができ、例えば接着材２９´を硬化
させるための温度を超える温度に加熱するような別工程を必要とすることなく、電気的か
つ機械的な接続の信頼性を向上させることができる。
【００７８】
（第２の変形例）
【００７９】
次に、本発明に係る第２の変形例の液晶装置、液晶装置の製造方法について説明する。
なお、液晶装置の構成等については、第１の実施の形態と略同様なのでその説明を省略す
る。
【００８０】
図９は第２の変形例の基板の基板側端子上に接着材を配置した状態の断面図、図１０は
第２の変形例の接着材上に導電粒子を配置した状態の断面図である。
【００８１】
（液晶装置の製造方法）
【００８２】
次に、液晶装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、本変形例では
、ドライバＩＣ１７等を実装する前の液晶パネル２の製造工程及び回路基板３の製造工程
等については公知技術と同様なのでその説明を省略し、導電粒子２８及び接着材２９´の
配置工程のみが異なるので、これらの工程等について中心的に説明する。
【００８３】
接着材２９´には、例えば硬化性の樹脂等が用いられている。接着材２９´が硬化する
温度は、例えば、導電粒子２８の金属膜２７の融点以上に設定されている。接着材２９´
が硬化するときの温度は、例えば、２５０°Ｃとされている。
【００８４】
まず、例えばドライバＩＣ１７を実装する前の液晶パネル２を、図９に示すように、ス
テージ４１上に載置し、液晶パネル２の基板４に形成された基板側入出力端子１１ａ、１
４ａ上に、接着材２９´を配置する。このとき、例えば、図示しない接着材貼り付け装置
を用いてもよいし、手動で貼り付けてもよい。
【００８５】
次いで、図１０に示すように、例えば接着材２９´を介して基板側入出力端子１１ａ、
１４ａに重なるように、導電粒子２８を配置する。このとき、例えば、導電粒子２８を噴
出可能な図示を省略したインクジェット装置等を用いる。
【００８６】
続いて、押圧ヘッド４０により、ドライバＩＣ１７に熱を加えながら基板４に向かう方
向にドライバＩＣ１７を押圧し、基板４にドライバＩＣ１７を加熱圧着する（加熱圧着工
程）。
【００８７】
このとき、押圧ヘッド４０側からの熱がドライバＩＣ１７に伝わり接着材２９´及び導
電粒子２８の温度が上昇する。導電粒子２８の温度が２３２°Ｃを超えると、まず、導電
粒子２８の表面層であるＳｎが溶融し、図６に示すように、例えばドライバ側出力端子２
４との接触面及び基板側出力端子１４ａとの接触面にＳｎの一部が濡れ広がる。これによ
り、導電粒子２８の溶融前に比べて、ドライバ側出力端子２４と導電粒子２８との接触面
積及び基板側出力端子１４ａと導電粒子２８との接触面積が増加する。
【００８８】
次いで、更に温度が上昇し、接着材２９´の温度が例えば２５０°Ｃで一定時間保持さ
れ、接着材２９´の硬化反応が進行し、ドライバ側出力端子２４と、基板側出力端子１４
ａとが、導電粒子２８を介して電気的に接続された状態で固定される。例えば、ドライバ
側出力端子２４と導電粒子２８とが接続（接合）された部分や基板側出力端子１４ａと導
電粒子２８とが接続（接合）された部分は、例えば、金属結合されている。
【００８９】
以上で液晶装置の製造方法についての説明を終了する。
【００９０】
このように本変形例によれば、図９に示すように、例えば液晶パネル２の基板４に形成
された基板側入出力端子１１ａ、１４ａ上に、接着材２９´を配置した後に、図１０に示
すように、例えば接着材２９´を介して基板側入出力端子１１ａ、１４ａに重なるように
、導電粒子２８を配置するので、例えば、基板側入力端子１１ａ、基板側出力端子１４ａ
上に例えば図示しないインクジェット装置等により導電粒子２８を配置することができ、
無駄な導電粒子２８を減少させて低コスト化を図ることができる。また、例えば導電粒子
２８を接着材２９´上に配置することができるので、配置した導電粒子２８を接着材２９
´上に捕らえることができ、無駄な導電粒子２８を減少させることができる。
【００９１】
また、押圧ヘッド４０により、ドライバＩＣ１７に熱を加えながら基板４に向かう方向
（図６のＤ方向）にドライバＩＣ１７を押圧し、基板４にドライバＩＣ１７を加熱圧着す
る加熱圧着工程を備えているので、ＡＣＦ２５を用いることなく、加熱圧着工程時に、例
えば、接着材２９´を硬化させる温度以下の温度で、例えば導電粒子２８の表面の金属Ｓ
ｎを溶融させ、基板側出力端子１４ａと、溶融した導電粒子２８の金属膜２７との接触面
積を増加させたり、ドライバ側出力端子２４と、溶融した導電粒子２８の金属膜２７との
接触面積を増加させたりすることができ、接着材２９´が硬化する温度を超える温度に加
熱するような別工程を施すことなく、基板側出力端子１４ａと、ドライバ側出力端子２４
との電気的かつ機械的な接続の信頼性を向上させることができる。例えば、溶融した状態
の導電粒子２８と基板側出力端子１４ａとが接合（例えば金属結合）されるので、圧接さ
れただけの構造に比べて、より安定した強固な電気的、機械的な接続構造を得ることがで
きる。
【００９２】
（第３の変形例）
【００９３】
次に、本発明に係る第３の変形例の液晶装置、液晶装置の製造方法について説明する。
なお、液晶装置の構成等については、第１の実施の形態と略同様なのでその説明を省略す
る。
【００９４】
図１１は第３の変形例の液晶装置の製造工程を示すフローチャート、図１２は第３の変
形例の接着材注入前の製造工程を説明するための断面図である。
【００９５】
（液晶装置の製造方法）
【００９６】
次に、液晶装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、本変形例では
、ドライバＩＣ１７等を実装する前の液晶パネル２の製造工程及び回路基板３の製造工程
等については公知技術と同様なのでその説明を省略し、導電粒子２８と接着材２９´との
配置工程等が異なるので、これらの工程等について中心的に説明する。
【００９７】
まず、例えばドライバＩＣ１７を実装する前のステップ１で製造した液晶パネル２を、
図１２に示すように、ステージ４１上に載置し、液晶パネル２の基板４に形成された基板
側入出力端子１１ａ、１４ａ上に、弾性粒子２６が金属膜２７により被覆された導電粒子
２８を配置する（Ｓ２１）。このとき、例えば、導電粒子２８を噴出可能な図示を省略し
たインクジェット装置等を用いる。
【００９８】
次いで、図１２に示すように、例えば押圧ヘッド４０に保持したドライバＩＣ１７を基
板４に近づける方向（図１２のＤ方向）に下降させる。これにより、図１２に示すように
、基板側入出力端子１１ａ、１４ａと、ドライバＩＣ１７のドライバ側入出力端子２３、
２４とを、導電粒子２８を挟むように対向配置する（Ｓ２２）。このとき、例えば次の接
着材の注入工程でドライバＩＣ１７の位置ずれが生じないように、基板４に対してドライ
バＩＣ１７を押圧するようにする。
【００９９】
次に、図１２に示す状態で、例えば接着材を供給することが可能な図示しない接着材供
給装置を用いて、図１２に示すドライバＩＣ１７と、基板４との間に、接着材を供給する
（Ｓ２３）。これにより、例えばドライバＩＣ１７と、基板４との間に略隙間なく接着材
を注入する。
【０１００】
続いて、例えば、押圧ヘッド４０により、ドライバＩＣ１７に熱を加えながら基板４に
向かう方向（Ｄ方向）にドライバＩＣ１７を押圧し、基板４にドライバＩＣ１７を加熱圧
着する（加熱圧着工程）。
【０１０１】
このとき、押圧ヘッド４０側からの熱がドライバＩＣ１７に伝わり接着材及び導電粒子
２８の温度が上昇する。導電粒子２８の温度が２３２°Ｃを超えると、まず、導電粒子２
８の表面層であるＳｎが溶融し始め、例えばドライバ側出力端子２４との接触面及び基板
側出力端子１４ａとの接触面にＳｎの一部が濡れ広がる。これにより、導電粒子２８の溶
融前に比べて、ドライバ側出力端子２４と導電粒子２８との接触面積及び基板側出力端子
１４ａと導電粒子２８との接触面積が増加する。
【０１０２】
更に温度が上昇し、接着材の温度が例えば２５０°Ｃで一定時間保持され、接着材の硬
化反応が進行し、ドライバ側出力端子２４と、基板側出力端子１４ａとが、導電粒子２８
を介して電気的に接続される。例えば、ドライバ側出力端子２４と導電粒子２８とが接続
（接合）された部分や基板側出力端子１４ａと導電粒子２８とが接続（接合）された部分
は、例えば、金属結合されている。
【０１０３】
以上で液晶装置の製造方法についての説明を終了する。
【０１０４】
このように本変形例によれば、基板４に設けられた基板側出力端子１４ａ上に導電粒子
２８を配置する工程（Ｓ２１）と、基板側出力端子１４ａと、ドライバＩＣ１７のドライ
バ側出力端子２４とを導電粒子２８を介して対向配置する工程（Ｓ２２）と、基板４とド
ライバＩＣ１７との間に接着材を注入する工程（Ｓ２３）と、基板側出力端子２４と、ド
ライバ側出力端子１４ａとを導電粒子２８を介して加熱圧着する加熱圧着工程（Ｓ３）と
を備え、加熱圧着工程（Ｓ３）では、加熱された接着材の硬化する温度以下の温度で導電
粒子２８の金属膜２７を溶融させるので、加熱圧着工程（Ｓ３）時に、例えば、接着材を
硬化させる温度（例えば２５０°Ｃ）以下の温度で、例えば導電粒子２８の表面の金属Ｓ
ｎを溶融させ、基板側出力端子１４ａと、溶融した導電粒子２８の金属膜２７との接触面
積を増加させたり、ドライバ側出力端子２４と、溶融した導電粒子２８の金属膜２７との
接触面積を増加させたりすることができ、例えば接着材の硬化温度より高い温度に接着材
を加熱する別工程等を施すことなく、基板側出力端子１４ａと、ドライバ側出力端子２４
との電気的かつ機械的な接続の信頼性を向上させることができる。例えば、溶融した導電
粒子２８の金属膜２７を介してドライバ側出力端子２４と基板側出力端子１４ａとを加熱
圧着することで、溶融した導電粒子２８の金属膜２７と、基板側出力端子１４ａとの接触
面積を増大させ、導通をより確実に確保することができると共に、溶融した状態の導電粒
子２８の金属膜２７と基板側出力端子１４ａとが接合されるので、例えば圧接されただけ
のような従来の構造に比べて、より安定した強固な電気的、機械的な接続構造を得ること
ができる。
【０１０５】
なお、上記実施形態及び変形例では、例えばＡＣＦ２５を基板４の基板側入出力端子１
１ａ、１４ａ上に貼り付ける例や導電粒子２８や接着材２９等を例えば基板４の基板側出
力端子１４ａ上等に配置する例を示した。しかし、例えばＡＣＦ２５をドライバＩＣ１７
の実装面２０ａ側にドライバ側入出力端子２３、２４を覆うように貼り付けたり、ドライ
バＩＣ１７のドライバ側出力端子２４上に接着材を貼り付け、更にこの接着材に導電粒子
２８を配置しておき、その後、加熱圧着したりするようにしてもよい。
【０１０６】
（第２の実施形態・電子機器）
【０１０７】
次に、上述した液晶装置１を備えた本発明の第２の実施形態に係る電子機器について説
明する。
【０１０８】
図１３は本発明の第２の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成の概略構成図
である。
【０１０９】
電子機器３００は、表示制御系として例えば図１３に示すように液晶パネル２及び表示
制御回路３９０などを備え、その表示制御回路３９０は表示情報出力源３９１、表示情報
処理回路３９２、電源回路３９３及びタイミングジェネレータ３９４などを有する。
【０１１０】
また、液晶パネル２には表示領域Ｉを駆動するドライバＩＣ１７等を含む駆動回路３６
１を有する。
【０１１１】
表示情報出力源３９１は、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒ
ａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや
光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同
調回路とを備えている。更に表示情報出力源３９１は、タイミングジェネレータ３９４に
よって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形
で表示情報を表示情報処理回路３９２に供給するように構成されている。
【０１１２】
また、表示情報処理回路３９２はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ロー
テーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した
表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３６１へ
供給する。また、電源回路３９３は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。
【０１１３】
このように本実施形態によれば、ドライバＩＣ１７のドライバ側出力端子２４と基板４
の基板側出力端子１４ａとの導電粒子２８を介した接触面積が大きく接続信頼性に優れた
液晶装置１を備えているので、表示品位に優れた電子機器を得ることができる。
【０１１４】
具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置
が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直
視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワード
プロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、こ
れらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１等が適用可能なのは言う
までもない。
【０１１５】
なお、本発明の電子機器、液晶装置の製造方法は、上述した例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加えたり組み合わせたりできるこ
とは勿論である。
【０１１６】
例えば、上述の実施形態ではＴＦＴ型の液晶装置１等について説明したがこれに限られ
るものではなく、例えばＴＦＤ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＤｉｏｄｅ）型アクティブマトリ
ックス型、パッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。また、プラズマディスプレ
イ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓ
ｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ及びＳｕｒｆａｃｅ‐ＣｏｎｄｕｃｔｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏ
ｎ‐ＥｍｉｔｔｅｒＤｉｓｐｌａｙ等）などの各種電気光学装置に本発明を適用しても
よい。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明に係る第１の実施形態の液晶装置の概略斜視図である。
【図２】図１の液晶装置のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図２の液晶装置のドライバＩＣのドライバ側出力端子の拡大断面図である。
【図４】第１の実施形態の液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】液晶パネルの基板にＡＣＦを貼り付けた状態（図４のＳ２）の断面図である。
【図６】基板にドライバＩＣを加熱圧着する加熱圧着工程（図４のＳ３）の断面図である。
【図７】第１の変形例の基板の基板側端子上に導電粒子を配置した状態の断面図である。
【図８】第１の変形例の導電粒子上に接着材を配置した状態の断面図である。
【図９】第２の変形例の基板の基板側端子上に接着材を配置した状態の断面図である。
【図１０】第２の変形例の接着材上に導電粒子を配置した状態の断面図である。
【図１１】第３の変形例の液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図１２】第３の変形例の接着材注入前の製造工程を説明するための断面図である。
【図１３】本発明に係る第４の実施形態の電子機器の表示制御系の概略構成図である。
【符号の説明】
【０１１８】
Ｔ薄膜トランジスタ素子、Ｓ圧接領域、１液晶装置、２液晶パネル、３回路
基板、４、５基板、４ａ張り出し部、５ａ共通電極、６シール材、７ゲート電
極、８ソース電極、９画素電極、１１〜１３入力配線、１１ａ基板側入力端子、
１１ｂ他端部、１４〜１６出力配線、１４ａ基板側出力端子、１７、１８、１９
ドライバＩＣ、２０基材、２０ａ実装面、２１、２２電極パッド、２３ドライ
バ側入力端子、２４ドライバ側出力端子、２５ＡＣＦ、２６弾性粒子、２７金属
膜、２８導電粒子、２９接着材、３１可撓性基材、３２出力配線、３３入力配
線、３４半導体ＩＣ、３６配線、３７接続部材、４０押圧ヘッド、４１ステ
ージ、３００電子機器

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端子を有する基板に、前記第１の端子に電気的に接続される第２の端子を有する
電子部品が実装された電気光学装置の製造方法であって、
前記第１の端子又は前記第２の端子上に導電粒子及び接着材を配置する配置工程と、
前記第１の端子と、前記第２の端子とが前記導電粒子を介して電気的に接続されるよう
に、前記電子部品を前記基板に加熱圧着する加熱圧着工程とを備え、
前記加熱圧着工程では、前記接着材が軟化又は硬化する温度以下の温度で少なくとも前
記導電粒子の表面を溶融させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
第１の端子を有する基板に、前記第１の端子に電気的に接続される第２の端子を有する
電子部品が実装された電気光学装置の製造方法であって、
前記第１の端子又は前記第２の端子上に導電粒子を配置する導電粒子配置工程と、
少なくとも前記基板の前記電子部品側の面又は少なくとも前記電子部品の前記基板側の
面に接着材を配置する接着材配置工程と、
前記第１の端子と、前記第２の端子とが前記導電粒子を介して電気的に接続されるよう
に、前記電子部品を前記基板に加熱圧着する加熱圧着工程とを備え、
前記加熱圧着工程では、前記接着材が軟化又は硬化する温度以下の温度で少なくとも前
記導電粒子の表面を溶融させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
第１の端子を有する基板に、前記第１の端子に電気的に接続される第２の端子を有する
電子部品が実装された電気光学装置の製造方法であって、
前記第１の端子又は前記第２の端子上に導電粒子を配置する導電粒子配置工程と、
前記第１の端子と、前記第２の端子とを前記導電粒子を介して対向配置する工程と、
前記基板と前記電子部品との間に接着材を注入する注入工程と、
前記第１の端子と、前記第２の端子とが前記導電粒子を介して電気的に接続されるよう
に、前記電子部品を前記基板に加熱圧着する加熱圧着工程とを備え、
前記加熱圧着工程では、前記接着材が軟化又は硬化する温度以下の温度で少なくとも前
記導電粒子の表面を溶融させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記配置工程は、
前記第１の端子又は前記第２の端子上に前記接着材を配置する接着材配置工程と、
前記接着材配置工程の後に、前記第１の端子又は前記第２の端子上に前記導電粒子を配
置する導電粒子配置工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製
造方法。
【請求項５】
前記接着材は、２５０°Ｃ以下の温度で軟化又は硬化することを特徴とする請求項１か
ら請求項４のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記加熱圧着工程で少なくとも表面が溶融した前記導電粒子は、前記第２の端子の前記
導電粒子に圧接された圧接領域の周りに広がって、前記第１の端子及び前記第２の端子の
少なくとも一方に接触することを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか一項に
記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電粒子は、その表面の構成材料にＳｎ、Ｉｎ、Ｎａ又はＫを有することを特徴と
する請求項１から請求項６のうちのいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記導電粒子は、その表面の構成材料にＳｎとＢｉとＣｄとＰｂとの合金又はＳｎとＡ
ｇとＣｕとの合金を有することを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか一項
に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
溶融した前記導電粒子と、前記第１の端子及び前記第２の端子のうち少なくとも一方と
は、金属結合されていることを特徴とする請求項１から請求項８のうちのいずれか一項に
記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
第１の端子を有する基板と、
前記第１の端子に電気的に接続された第２の端子を有する電子部品と、
前記第１の端子及び前記第２の端子と電気的に接続され、表面の材質の融点が２５０°
Ｃ以下の導電粒子と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

【図１】