電気光学装置の製造方法及び電気光学装置

【課題】基板表面に生じたキズを除去して、基板の割れの発生を抑制し、衝撃等に対して
割れ難い電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、複数の電気光学装置用の２枚の基板１１，１２
が貼り合わされた一対の基板を薄板化する第１の薄板化工程（S2）と、薄板化された一対
の基板を切断して、複数の電気光学装置２１ａを単品に分ける単品化工程（S3）と、単品
化された各電気光学装置２１ａの一対の基板を薄板化する第２の薄板化工程（S5）とを有
する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置に関し、特に、衝撃等に対して割
れ難い電気光学装置の製造方法及び電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電気光学装置として、液晶表示装置等の表示装置が知られている。例えば、
液晶表示装置は、２枚の基板を貼り合わせて構成されている。液晶表示装置等の表示装置
は、携帯電話等の電子機器に搭載されて広く使用されている。
そして、近年は、電子機器の小型化、あるいは薄型化に伴い、表示装置の薄型化が要求
されている。
【０００３】
通常、例えば、液晶表示装置の厚さを薄くする場合、ガラス基板の表面を機械的に研磨
して各ガラス基板を薄くすることによって、薄型の液晶表示装置が製造される。しかし、
研磨の精度の出せない場合、ガラス基板の表面を均一に研磨することが難しいという問題
がある。
そこで、液晶表示素子複数個分の面積を持つ一対のガラス基板に対して、各液晶表示素
子の区画に対応する表面を、エッチングにより薄くする方法が提案されている（例えば、
特許文献１参照）。そして、その一対のガラス基板の表面をエッチングした後、単品の液
晶表示装置に分断される。
【特許文献１】特開平4-116619号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、その提案に係る方法では、いわゆる大板の状態で、各液晶表示素子のガラス基
板の薄板化が行われた後に、大板のガラス基板の状態から個々の液晶表示素子にする、い
わゆる単品化の工程が存在する。そのため、ガラス基板がコロやロボット等で搬送された
り、ピンで支えられたりするときに、大板のガラス基板の表面にはキズが付いてしまう虞
がある。さらに、単品化のための切断工程時に発生したガラス粉によって、載置台等上に
置かれるとき等においても、ガラス基板表面にキズがついてしまう虞もあった。
【０００５】
薄型の液晶表示装置の基板表面上についたキズは、衝撃等による基板の割れの原因とな
る。例えば、液晶表示装置を搭載した電子機器が落下等したときに、地面等へぶつかった
ときの衝撃により、キズが割れの起点となって、電子機器内部の液晶表示装置の基板が割
れてしまう場合がある。特に、液晶表示装置の薄型化が進めば進む程、さらなる基板の薄
型化が要求され、たとえ小さなキズであっても、基板の割れの原因となる。
【０００６】
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、基板表面に生じたキ
ズを除去して、基板の割れの発生を抑制し、衝撃等に対して割れ難い電気光学装置の製造
方法及び電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の電気光学装置用の２枚の基板が貼り合わさ
れた一対の基板を薄板化する第１の薄板化工程と、薄板化された前記一対の基板を切断し
て、前記複数の電気光学装置を単品に分ける単品化工程と、単品化された各電気光学装置
の一対の基板を薄板化する第２の薄板化工程と、を有する。
このような構成によれば、衝撃等に対して割れ難い電気光学装置を提供することができ
る。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置の製造方法において、前記第２の薄板化工程における薄板
化は、ケミカルエッチングによる薄板化であることが望ましい。
このような構成によれば、単品化工程後についたキズを除去するだけでなく、第１の薄
板化工程において残留したキズも除去することができ、さらに、単品化された電気光学装
置の端面部も滑らかにすることができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置の製造方法において、前記第２の薄板化工程において、単
品化された各電気光学装置の外部回路との接続のための端子部を、保護材により保護した
後に、前記ケミカルエッチングを行うことが望ましい。
このような構成によれば、端子部を影響を与えずに、ケミカルエッチングを行うことが
できる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置の製造方法において、前記第１の薄板化工程における薄板
化は、メカニカルポリッシュによる薄板化であることが望ましい。
このような構成によれば、メカニカルポリッシュにおいて研磨の精度が出せるときには
、全体の板厚のバラツキを小さくすることができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置の製造方法において、前記第１の薄板化工程における薄板
化は、ケミカルエッチングによる薄板化であることが望ましい。
このような構成によれば、第１の薄板化工程がケミカルエッチングである場合には、同
じ処理なので、リードタイムを短くし、かつコストの低減に繋げることができる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置は、本発明の製造方法で製造された電気光学装置である。

このような構成によれば、衝撃等に対して割れ難い電気光学装置を実現することができ
る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
まず図１に基づき、本実施の形態に係わる電気光学装置の製造方法の構成を説明する。
図１は、本実施の形態に係わる電気光学装置の製造方法にかかる工程を説明するための図
である。以下、図１に沿って、液晶表示装置の製造方法を説明する。
【００１４】
図２は、複数の液晶表示装置を構成する２枚の基板１１，１２の貼り合わせを説明する
ための図である。基板１１は、複数の液晶表示装置の形成領域が配列されたものであって
、液晶表示装置を構成する２枚の基板の内の一方となるものである。従って、基板１１は
、複数の液晶表示装置のそれぞれの一方の基板となる大板の基板（いわゆるマザー基板と
もいうことがある）である。基板１１は、例えば、液晶表示装置の、いわゆるTFT基板等
の素子基板となるガラス基板である。基板１２は、２枚の基板の内の他方の基板である対
向基板となるガラス基板である。対向基板側の基板１２も大板の基板である。
【００１５】
これらの基板１１と１２はそれぞれ、平面視したとき、すなわち、基板の表面に対して
直交する方向から見たとき（平面視した際）、矩形、あるいは円形の形状を有している。
以下、各基板１１、１２が、矩形である場合で説明する。なお、図１において、小さな矩
形１３は、各液晶表示装置に対応する部分を示す。
図２に示すような大板の基板１１と１２が貼り合わされる（ステップS1）。この貼り合
わせでは、基板１１又は基板１２のうち一方の大板の対向面に、個々の液晶表示装置の形
成領域に対応して設けられた液晶（表示領域）を取り囲む枠状のシール材（図示省略）と
、複数の液晶表示装置の形成領域を取り囲み、後のケミカルエッチングにおけるフッ酸等
のエッチング溶液の大板間への浸入を防止するために大板外周に設けられたシール材（図
示省略）によって、２枚の大板１５と２５は貼り合わされている。その２枚の基板間に液
晶が封入されることによって、複数の液晶表示装置用の一対の基板を含む集合体が作成さ
れる。
その集合体は、後の工程における処理を行うために搬送等され、その搬送等の際に、集
合体のガラス基板の外側表面上には、キズが形成されてしまう場合がある。
【００１６】
図３は、集合体に形成されたキズを説明するための模式的断面図である。図３に示すよ
うに、ここでは、集合体２１の基板１２側の表面上にキズ２２が形成されている。キズ２
２は、製造工程における搬送時のコロ、ロボット等、あるいは支持するためのピン等によ
って作られる。
【００１７】
次に、第１の薄板化工程が実施される（ステップS2）。図４は、第１の薄板化の処理を
説明するための図である。ここでは、薄板化処理は、ケミカルエッチングにより行われる
。
図４は、そのケミカルエッチングの処理を説明するための図である。集合体２１を、フ
ッ酸系の溶液３１が貯留された槽３２に浸漬することによって、集合体２１の２枚のガラ
ス基板１１と１２の薄板化処理が行われる。槽３２内の溶液３１中に気泡等が無い状態で
（言い換えると、溶液３１が静止した状態で）、集合体２１が溶液３１中に浸漬される。
槽３２内で溶液３１が静止していない状態で、溶液３１に集合体２１を浸漬すると、均一
にエッチングされなくなる虞があるからである。図４に示すように、集合体２１を、静止
したフッ酸系の溶液３１に浸漬することによって、ガラス基板１１と１２の外側表面がエ
ッチングされる。集合体２１を溶液３１に浸す時間の長さに応じて、エッチングによる、
薄板化の度合いが変わる。従って、その時間を制御することによって、基板のエッチング
量を制御することができる。
【００１８】
ここでは、例として、基板１１と１２のそれぞれの厚さは、０．５ｍｍであったが、こ
の薄板化により、０．３ｍｍにエッチングされる。
【００１９】
このエッチングにより、各基板表面上のすべてのキズが除去される場合もあるが、一部
のキズは、残ってしまう場合もある。図５は、ケミカルエッチング後に残ったキズを説明
するための模式的断面図である。
【００２０】
図５に示すように、貼り合わせ後に生じた基板表面上の一部のキズは、半休状の窪み状
のキズ２３に変化する。これは、ケミカルエッチングにより、角張った窪み状のキズ２２
の表面が、溶かされるからである。
【００２１】
この大板状態でケミカルエッチングされた集合体２１から、個々の液晶表示装置の単品
に分けるために、単品化工程が実施される（ステップS3）。
単品化工程では、集合体２１の一対の基板１１，１２を所定のテーブル上に載置して、
スクライブ装置等により、スクライブブレイクすなわち切断する処理が行われる。
【００２２】
その単品化工程により、集合体２１から、個々の液晶表示装置２１ａが得られる。スク
ライブブレイクされた個々の液晶表示装置２１ａは、基板１１ａが基板１２ａより大きく
、基板１１ａは基板１２ａから張り出した部分（延出部）が設けられており、各液晶表示
装置２１ａは、この張り出した部分の基板１２ａ側の面に他の回路装置等との接続のため
の複数の端子、駆動回路等が設けられた端子部１４ａを有する。図６は、液晶表示装置２
１ａを説明するための模式的断面図である。図７は、液晶表示装置２１ａを説明するため
の模式的斜視図である。
【００２３】
図６及び図７に示すように、液晶表示装置２１ａは、一方の基板、ここでは素子基板１
１ａ側の表面に端子部１４ａが設けられている。言い換えると、液晶表示装置２１ａの一
方の基板の他方の基板からの延出部に端子部１４ａが露出している。
【００２４】
単品化工程では、集合体２１がコロやロボット等で搬送されたり、単品化のための切断
工程時に発生したガラス粉により、集合体２１がテーブル上に置かれるとき、あるいは各
液晶表示装置２１ａがテーブルから移動されるときに、各液晶表示装置２１ａのガラス基
板表面にキズ２４が付いてしまう。例えば、基板１１と１２と、テーブルとの間に、切断
時に生じたガラス粉が存在すると、搬送時、把持時、あるいは移動時の、基板１１、１２
とテーブルとの間の摩擦によりキズ２４が付く。
【００２５】
次に、外部装置との接続用の端子部１４ａに、保護材を塗布して被覆する保護材塗布工
程が実施される（ステップS4）。図８は、外部装置との接続用の端子部１４ａに、保護材
を塗布する処理を説明するための模式的斜視図である。
保護材４１は、端子部１４ａの端子等が形成されている表面に、例えば、液体状態の保
護材を滴下等によって塗布され、複数の端子部１４ａの形成領域を覆って設けられており
、各端子部１４ａを被覆している。保護材４１は、エポキシ樹脂等の樹脂等からなり、次
の薄板化工程において、端子部１４ａを保護する材料である。
【００２６】
そして、端子部１４ａが保護材４１により保護された状態の液晶表示装置２１ａに対し
て、第２の薄板化工程が実施される（ステップS5）。第２の薄板化工程では、ケミカルエ
ッチングによる薄板化処理が行われる。
【００２７】
図９は、第２の薄板化工程のケミカルエッチングの処理を説明するための図である。分
断化されて個々にされた液晶表示装置２１ａを、フッ酸系の溶液３１が貯留された槽３２
に浸漬することによって、液晶表示装置２１ａの２枚のガラス基板１１ａと１２ａの薄板
化処理が行われる。この第２の薄板化工程においても、槽３２内の溶液３１が静止した状
態で、集合体２１が浸漬される。図９においても、液晶表示装置２１ａを溶液３１に浸す
時間の長さに応じて、エッチングによる、薄板化の度合いが変わる。従って、その時間を
制御することによって、基板のエッチング量を制御することができる。
【００２８】
例えば、基板１１ａと１２ａのそれぞれの厚さは、０．３ｍｍであったが、この薄板化
により、数μｍから１０μｍだけエッチングされる。従って、第２の薄板化工程における
ケミカルエッチングのための溶液浸漬時間は、第１の薄板化工程におけるケミカルエッチ
ングのための溶液浸漬時間よりも短い。
【００２９】
よって、端子部１４ａを保護材４１によって保護しながら、第２の薄板化工程において
、液晶表示装置２１ａの２枚のガラス基板１１ａと１２ａの外側の表面がエッチングされ
るので、端子部１４ａにケミカルエッチングにおけるエッチング溶液（フッ酸系の溶液）
の浸入によるダメージを与えないようにしながら、基板表面のキズの除去を行う。
【００３０】
なお、第１の薄板化工程において残った半球状の窪み２３は、そのままの状態で、ある
いは単品化工程（S3）以降の工程において付けられたキズを有した状態で、第２の薄板化
工程（S5）が行われて、除去される場合もある。
【００３１】
また、第２の薄板化工程はケミカルエッチングなので、単品化された液晶表示装置２１
ａの切断面部である端面部もエッチングされて滑らかになるので、一層衝撃等に対して割
れ難くなる。
【００３２】
第２の薄板化工程が終了すると、液晶表示装置２１ａを、洗浄し、乾燥した後に、保護
材４１を除去する保護材剥離工程を実施する（ステップS6）。図１０は、保護材の剥離処
理を説明するための模式的斜視図である。保護材４１の剥離は、例えば、紫外線（UV）を
照射することによって行うことができるが、その他の方法でもよい。
【００３３】
図１１は、第２の薄板化工程により、ガラス基板表面のキズが除去され、保護材が剥離
された液晶表示装置の模式的断面図である。図１１は、基板１１ａと１２ａの表面がエッ
チングされ、保護材４１が剥離された基板１１ａと１２ａとを有する液晶表示装置２１ａ
を示す。図６の液晶表示装置２１ａと比較して、図１１に基板１１ａと１２ａでは、キズ
が除去されている。
【００３４】
なお、電気光学物質である液晶は、図３に示すような複数の液晶表示装置の状態におい
て、各液晶表示装置の液晶の封入口から封入して封入口を封止材で封止することによって
、各液晶表示装置内に封入される。あるいは、図７のように、個々の液晶表示装置に単品
化された後に、各液晶表示装置の液晶の封入口から封入して封入口を封止材で封止するこ
とによって、液晶を、液晶表示装置内に封入するようにしてもよい。
【００３５】
さらになお、液晶を対向基板側の表面に枠状のシール材を設け、シール材の内側に液晶
を滴下して対向基板側と素子基板側を貼り合わせる滴下貼り合わせ方式の場合は、図１の
ような大板の状態で、液晶の滴下が行われることによって、液晶は、各液晶表示装置内に
封入される。
【００３６】
以上のようにして、本実施の形態の電気光学装置の製造方法では、２枚の基板を貼り合
わせた大板の状態の集合体２１に対して、第１の薄板化工程を行い、さらに、集合体２１
を分断して単品化された液晶表示装置２１ａの端子部１４ａを保護材４１により覆って保
護した状態で、第２の薄板化工程を行う。よって、集合体の切断工程において、各基板の
ガラス表面に付いたキズが除去し、かつケミカルエッチングの影響を端子部へ与えないで
、基板の割れの発生を抑制した電気光学装置を得ることができる。結果として、衝撃等に
対して割れ難い電気光学装置を実現することができる。
【００３７】
特に、第２の薄板化工程は、ケミカルエッチングにより行われるので、基板の割れの基
点となるようなキズを除去することができ、結果として、落下等の衝撃に対して基板が割
れ難い、液晶表示装置を得ることができる。基板表面のキズの形状によっては、キズが、
ガラスである基板が割れるときに、割れの基点となりやすいが、ケミカルエッチングによ
りキズの形状は、割れの起点となりにくい形状となる。
【００３８】
なお、第１の薄板化工程は、メカニカルポリッシュ（機械的研磨）によって薄板化を行
ってもよい。メカニカルポリッシュによって、基板の薄板化を精度よく均一に行うことが
できる場合は、集合体２１全体の板厚のバラツキを小さくすることができる。
さらになお、上述した実施の形態のように、第１の薄板化工程と第２の薄板化工程を共
に、ケミカルエッチングによって行う場合は、共に同じ処理なので、リードタイムの短縮
化と、コストの低減を図ることができる。
【００３９】
また、本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置（例えば、Ｔ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた
液晶表示パネル）だけでなく、パッシブマトリクス型の液晶表示装置にも同様に適用する
ことが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、
有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ
装置、電気放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及びSurface-Conduction El
ectron-Emission Display等）等の各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用す
ることが可能である。
【００４０】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範
囲において、種々の変更、改変等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態の電気光学装置の製造方法にかかる工程を説明するための図。
【図２】本発明の実施の形態の２枚の基板の貼り合わせを説明するための図。
【図３】集合体に形成されたキズを説明するための模式的断面図。
【図４】第１の薄板化工程のケミカルエッチングの処理を説明するための図。
【図５】ケミカルエッチング後に残ったキズを説明するための模式的断面図。
【図６】液晶表示装置を説明するための模式的断面図。
【図７】液晶表示装置を説明するための模式的斜視図。
【図８】端子部に保護材を塗布する処理を説明するための模式的斜視図。
【図９】第２の薄板化工程のケミカルエッチングの処理を説明するための図。
【図１０】保護材の剥離処理を説明するための模式的斜視図。
【図１１】第２の薄板化工程後、保護材が剥離された液晶表示装置の模式的断面図。
【符号の説明】
【００４２】
１１、１１ａ、１２、１２ａ基板、１４ａ端子部、２１集合体、２１ａ液晶表示
装置、２２，２３，２４キズ、３１溶液、３２槽、４１保護材

【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電気光学装置用の２枚の基板が貼り合わされた一対の基板を薄板化する第１の薄
板化工程と、
薄板化された前記一対の基板を切断して、前記複数の電気光学装置を単品に分ける単品
化工程と、
単品化された各電気光学装置の一対の基板を薄板化する第２の薄板化工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の薄板化工程における薄板化は、ケミカルエッチングによる薄板化であること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の薄板化工程において、単品化された各電気光学装置の外部回路との接続のた
めの端子部を、保護材により保護した後に、前記ケミカルエッチングを行うことを特徴と
する請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の薄板化工程における薄板化は、メカニカルポリッシュによる薄板化であるこ
とを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の薄板化工程における薄板化は、ケミカルエッチングによる薄板化であること
を特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１つに記載の方法で製造されたことを特徴とする電気光学装
置。

【図１】