電磁放射光を反射及び検出する装置
２個の導電性電極間に挟まれた絶縁性の焦電及び／又は圧電材料の薄層で形成される、電磁放射光を同時に検出し反射する装置。最も上部の電極は、放射光を反射部分と吸収される非反射部分とに分離することができ、絶縁層は、最も上部の電極によって吸収される電磁放射光の強度に依存する電気的特性を有している。２個の電極間で測定される電圧及び／又は電流は、絶縁層の電気的特性に敏感であって、吸収された電磁放射光の強度を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射電磁放射光を反射及び検出する装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電磁放射光の検出器は、その活性領域上に入射するすべての電磁放射光を吸収し、これを表す出力を供給するべく設計及び最適化されている。このような検出器は、正確には、エンドポイント検出器と呼ばれ、計器又は分析器内の光学経路の端部において光の強度を計測することを目的とするものである。これらの装置を使用することにより、パルス状の電磁放射光又は連続波（ＣＷ）の電磁放射光を検出可能である。
【０００３】
一方、光の経路に沿った複数のポイントにおいて、レーザーからの光パルスを計測することにより、複数中間ポイント検出タイプのシステムを提供する必要がある場合には、別のタイプの装置を使用することになる。現時点において利用可能な装置は、複数の別個のコンポーネント（即ち、電磁放射光透過基板上の高反射率の表面から構成されるミラーと、別個の検出器）から構成されている。検出器は、ミラーによって反射されず、ミラーを通過した電磁放射光のエネルギーを計測する。このタイプの装置は、キャビティリングダウン（Ｃａｖｉｔｙ Ｒｉｎｇ Ｄｏｗｎ：ＣＲＤ）分光法の高感度分析法に使用されている。この分析法の場合には、単一の小さな面積の検出器（１〜２０ｍｍ2）を使用しており、光共振器を使用することによって、光パルスを検出器に周期的に戻している。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明によれば、電磁放射光を同時に反射及び検出する装置が提供され、この装置は、層表面に入射した電磁放射光を同時に反射および吸収する導電性材料から製造された第１の層であって、入射電磁放射光を反射部分と非反射部分に分離し、反射部分の電磁放射光を装置から離れるように反射すると共に、非反射部分の電磁放射光を吸収する効力を有する第１の層と；第１の層の下部に位置し、第１の層によって吸収された電磁放射光の強度に依存する電気特性を具備する材料から製造された第２の層と；第２の層の下部に位置し、導電性材料から製造された第３の層と；を有し、第１の層と第２の層は、第１電極と第２電極をそれぞれ形成しており、これらの電極間において計測される電圧及び／又は電流は、電気特性に応答すると共に、吸収された電磁放射光の強度を表している。
【０００５】
検出表面は、実際には、組み合わされたミラーと検出器（検出ミラー）を画定している。この目的とするところは、入射電磁波の既定の比率を反射しつつ、入射電磁放射光の非反射部分を効率的に計測することにある。従来技術による装置と比べた場合のこの装置の利点は、この装置では光学経路から装置基板が除去されることである。この利点は、電磁スペクトルの赤外領域の放射光を検出する際に、特に重要である（赤外領域においては、透過成分に、しばしば、光学的及び機械的パラメータ間における不可避な妥協が伴っており、この結果、性能が理想の性能から大幅に低下することになる）。
【０００６】
本発明による装置は、高速の応答特性を具備可能であり、従って、短いパルスレーザー信号及びリングダウン信号の検出に適している。
【０００７】
本発明は、特に赤外放射光の検出に適用可能である（但し、これに限定されるものではない）。吸収バンドが強いのみならず、その構造がより単純であることから、分光法のアプリケーションには、赤外放射光を使用することが望ましい。この結果、高感度の計測を実行可能であり、スペクトルの曖昧さが大幅に低減する。
【０００８】
電磁スペクトルの赤外領域での使用に適した従来技術による検出器の多くは、一般に、高速の時間応答特性を具備しておらず、又、高速なものの場合には、通常、放射光検出用の小さな活性領域しか具備していない（１〜２０ｍｍ2）。
【０００９】
これとは対照的に、本発明による装置は、大きな活性領域を具備可能であり（通常、５００ｍｍ2）、且つ、サブナノ秒レベルの応答特性（通常、０．５〜２ナノ秒）を実現することができる。これは、従来の装置を使用しては、費用効率の高い方式で実現することができない重要な特徴である。又、この装置の時間応答特性と感度は、活性領域の全体にわたって均一であり、この装置は、ハイレベルな物理的及び光学的な安定性を具備している。
【００１０】
吸収プロセスは、通常、第１の層内において、フェムト秒レベルの時間尺度で実行され、従って、この装置のサブナノ秒レベルの応答時間は、主に第２の層の絶縁材料の応答時間に依存することになる。通常、ＰＶＤＦやＰＶＤＦ／ＴｒＦＥコポリマーなどの絶縁材料を使用しているが、この代わりに、更に高速の応答時間を具備するその他の材料を使用することも可能であろう。
【００１１】
又、前述のように、既存の装置は、いくつかの別個のコンポーネント部品から構成されているが、本発明による装置は、これとは対照的に、統合された構造を具備する単一の装置である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、一例として、添付の図面を参照し、本発明の実施例について説明する。
【００１３】
図１は、短いレーザーパルスを検出及び反射するのに特に適した高速応答大活性領域電磁放射光検出装置を示している。この装置は、焦電及び／又は圧電活性絶縁材料の薄い層３の両側に配設された金属電極のペア１、２から構成されている。これらの電極１、２及び絶縁層３は、プレフォームされた基板４上に取り付けられている。この基板は、電極１、２と層３が適合する所望の形状を具備するようにプレフォームされている。そして、この基板は、通常、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ：ＰＣＢ）５の上面に直接取り付けられており、このＰＣＢの裏面には、前置増幅器電子回路６が取り付けられている。尚、必要に応じて、遮蔽された容器（図示されてはいない）の内部にこの装置を取り付けることにより、外部で生成される高周波（Ｒａｄｉｏ−Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）干渉に対する露出を極小化することができる。
【００１４】
上部金属電極１は、電磁放射光が入射する表面を提供している。この電極１は、光学的に不透明な導電性材料の薄い層によって製造されている。この層は、本装置内において、いくつかの異なる機能を実行する。
【００１５】
即ち、第１に、この層は、反射鏡面を具備しており（即ち、これは、スネルの反射法則に従って機能する）、従って、入射電磁放射光の中の一定比率を反射するミラーとして機能する。このために、この層の上部表面は、望ましい光学的な平坦さを具備している。前述のように、このミラーの形状は、所望の光学的な仕上げを具備する基板４の形状によって決定される。この例においては、ミラーは凹面である。又、この層は、反射されない電磁放射光のエネルギーを吸収し、この吸収したエネルギーを絶縁層３に伝達する。そして、最後に、この層は、電極としても機能し、この電極は、電極２と協働して、絶縁層３を横断して生成される電流又は電圧の計測を可能にしている。尚、この第１の層は、拡散反射表面を具備することも可能である。
【００１６】
この上部金属電極１に使用する材料は、第一義的には、その光学的及び電気的特性の観点において選択されるが、その化学的特性の観点においても、同様に選択可能である。通常、この金属電極１は、銀、金、アルミニウム、又は銅から製造されるが、この代わりに、その他の金属を使用することも可能である。又、この上部金属電極１は、その上部表面上に被覆として提供される追加層１０を具備することも可能である。この層１０は、特定範囲の波長に対して透明であってよく、高域、低域、又は帯域通過フィルタとして機能するものであってよい。或いは、この代わりに（又は、これに加えて）、層１０は、例えば、金属層１を酸化から保護するための化学的な保護層として機能することも可能である。この追加層１０は、特に１つ又は複数の帯域の波長に対して反射性を有すると共に、その他のすべての波長に対しては、光学的な透過性を有するものであってよい。この場合には、この追加層１０を使用することにより、上部電極１に到達する電磁放射光の強度を効率的に減衰させることが可能であり、この結果、上部電極１の反射／吸収比率を微細に制御することできる。尚、この追加層１０は、単一の層であってもよく、或いは、複数の層から構成することも可能である。又、この追加層１０は、金属電極１の形状に適合していることが好ましいが、その他の形状も考えられる。
【００１７】
上部金属電極１の許容可能な最低厚さは、その装置の導電性及び光学的な不透明性要件によって定義され、上部金属電極１の最大厚さは、望ましくない機械的及び電磁的な共振を抑圧するためのニーズによって定義されることになる。通常、この電極１は、０．５μｍ〜１００μｍの均一な厚さを具備しているが、この範囲を超えるその他の厚さを使用することも可能である。
【００１８】
この上部電極１は、好適な実施例においては、圧電及び／又は焦電活性絶縁層３上に、連続した均一な金属薄膜を堆積することによって形成される。
【００１９】
２つの金属電極１、２間に提供されている絶縁層３は、これらを分離していると共に、上部金属電極１によって吸収されたエネルギー用の検出媒体としても機能している。吸収されたエネルギーは、絶縁層３の焦電及び誘電特性を監視することによって検出される。具体的には、絶縁層３の材料の電気特性は、電極１の材料によって吸収される電磁放射光の強度に依存し、この結果、電極１、２間において、絶縁層を横断して計測される電圧及び／又は電流は、入射放射光の非反射部分における電磁放射光の強度を表すことになる。層１の導電性材料が電磁放射光を吸収することにより、圧電及び／又は焦電活性材料の分極及び誘電特性が変化し、この結果、電極１、２において計測可能な電荷が生成されるものと考えられる。この絶縁層３は、通常、ポリ（ビニリデンジフロライド）（ＰＶＤＦ）やポリ（ビニリデンジフロライド）／トリフルオロエチレン（ＰＶＤＦ／ＴｒＦＥ）コポリマーなどの焦電及び圧電活性ポリマー薄膜から製造されている。尚、このような材料に、焦電及び圧電活性を付与するには、分極処理（Ｐｏｌｉｎｇ）が必要である。この手順を実行する方法及び技法については、周知であり、Ｍｉｒａｎｄａ他による「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ａ」（第５０巻、４３１〜４３８頁、１９９０年）に、その例が記載されている。
【００２０】
下部電極２も、導電性材料から製造されており、第２出力電極を提供している。この第２電極２は、絶縁基板４上に堆積された薄い金属層（０．５〜１００μｍ）であってよく、或いは、この代わりに、これを基板４から構成することも可能である。
【００２１】
本装置は、伝送路の要件とＨＦ及びＵＨＦでの動作に適した出力インピーダンスを考慮して電気的に終端されており、プリント回路基板（ＰＣＢ）５の裏面には、前置増幅器電子回路６が取り付けられている。この電気的な端子は、受動的又は能動的な電気抵抗装置であってよい。受動装置は、通常、５０Ωの抵抗値を具備する電気抵抗装置である。一方、能動装置は、５０Ωの出力インピーダンスを有するＦＥＴ入力高周波前置増幅器であることが好ましいが、この代わりに、その他の能動端子装置を使用することも可能であろう。尚、最適な動作を確保するべく、この電気的な端子と検出装置間の距離は、相対的に短く維持されている（通常、５ｍｍ未満である）。
【００２２】
この装置の場合には、上部金属電極１は、効率的な伝導に必要とされる最小の厚さにおいて、電磁放射光に対して光学的に不透明であり、従って、非反射電磁放射光は、透過することなく、金属電極１によって吸収される。これは、電磁放射光の相対的に長い波長（例：赤外放射光）を検出する際に、この装置が、特に効果的且つ理想的なソリューションを提供することを意味している。従来の構成においては、ミラーと検出器間に通常配置されている放射光透過材料が、機械的な安定性を欠いていたり、或いは、独自の吸収帯域を具備し、この結果、相対的に長い波長の検出の際に、その構造の全体的な有効性が制限されていた。この本装置における反射層の使用は、電磁放射光の非反射入射エネルギーの計測を可能にするための効率的且つ光学的に単純な方法である。
【００２３】
本装置の主なアプリケーションは、キャビティリングダウン分光法などのマルチパスガス分子分光法に使用する反射器と検出器の組み合わせとしてのものであり、その使用の容易性と単純さの両方の観点において、本装置は、特に、キャビティリングダウン分光法に適している。又、本装置のその他のアプリケーションには、インラインビームモニタやレーザーキャビティモニタとしての使用が含まれる。
【００２４】
本装置の有用な波長範囲は、上部金属電極１の反射特性と同一であり、これは、軟Ｘ線／深紫外（Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：ＤＵＶ）から、可視、そして、赤外から遠赤外にまで及んでいる。この波長範囲は、０．１５μｍ〜１ｃｍである。又、上部金属電極１の反射率を変化させることにより、所望の反射／吸収比率特性を付与することができる。この反射率の変更は、キャビティリングダウン分光法において、所与のアプリケーション用の最適な出力感度と最大光学経路長を得るのに特に有益である。
【００２５】
尚、本装置は、図面を参照して説明した特定の幾何学的構成に限定されるものではないことを理解されたい。例えば、図２に示されている装置は、円形の活性領域を具備しているが、本装置は、この代わりに、正方形や矩形の活性領域を具備することも可能であろう。
【００２６】
同様に、本装置は、凹面の上部表面を具備しているが、この上部表面を、その他の幾何学的構成にすることも可能である。例えば、本装置は、完全に平坦な表面を具備することも可能であり、或いは、表面を複雑な形にすることも可能である。究極的には、本装置の形状は、絶縁層３を堆積するのに使用する製造プロセスの制限によって定義されることになる。
【００２７】
又、セグメント化された第１及び／又は第３導電性層によって本装置を形成することにより、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を提供することも可能であることを理解されたい。この結果、このセグメント化された層は、ｎ個の要素のアレイ（ここで、ｎは、１よりも大きい）として機能することができる。尚、通常、第１の層がセグメント化されている場合には、第３の層は連続的な層となる（又は、この逆である）。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明による電磁放射光を検出及び反射する装置の横断面図を示している。
【図２】図１に示されている装置の平面図を示している。
【図３】図１に示されている装置の底面図を示している。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射電磁放射光を反射及び検出する装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電磁放射光の検出器は、その活性領域上に入射するすべての電磁放射光を吸収し、これを表す出力を供給するべく設計及び最適化されている。このような検出器は、正確には、エンドポイント検出器と呼ばれ、計器又は分析器内の光学経路の端部において光の強度を計測することを目的とするものである。これらの装置を使用することにより、パルス状の電磁放射光又は連続波（ＣＷ）の電磁放射光を検出可能である。
【０００３】
一方、光の経路に沿った複数のポイントにおいて、レーザーからの光パルスを計測することにより、複数中間ポイント検出タイプのシステムを提供する必要がある場合には、別のタイプの装置を使用することになる。現時点において利用可能な装置は、複数の別個のコンポーネント（即ち、電磁放射光透過基板上の高反射率の表面から構成されるミラーと、別個の検出器）から構成されている。検出器は、ミラーによって反射されず、ミラーを通過した電磁放射光のエネルギーを計測する。このタイプの装置は、キャビティリングダウン（Ｃａｖｉｔｙ Ｒｉｎｇ Ｄｏｗｎ：ＣＲＤ）分光法の高感度分析法に使用されている。この分析法の場合には、単一の小さな面積の検出器（１〜２０ｍｍ2）を使用しており、光共振器を使用することによって、光パルスを検出器に周期的に戻している。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明によれば、電磁放射光を同時に反射及び検出する装置が提供され、この装置は、層表面に入射した電磁放射光を同時に反射および吸収する導電性材料から製造された第１の層であって、入射電磁放射光を反射部分と非反射部分に分離し、反射部分の電磁放射光を装置から離れるように反射すると共に、非反射部分の電磁放射光を吸収する効力を有する第１の層と；第１の層の下部に位置し、第１の層によって吸収された電磁放射光の強度に依存する電気特性を具備する材料から製造された第２の層と；第２の層の下部に位置し、導電性材料から製造された第３の層と；を有し、第１の層と第２の層は、第１電極と第２電極をそれぞれ形成しており、これらの電極間において計測される電圧及び／又は電流は、電気特性に応答すると共に、吸収された電磁放射光の強度を表している。
【０００５】
検出表面は、実際には、組み合わされたミラーと検出器（検出ミラー）を画定している。この目的とするところは、入射電磁波の既定の比率を反射しつつ、入射電磁放射光の非反射部分を効率的に計測することにある。従来技術による装置と比べた場合のこの装置の利点は、この装置では光学経路から装置基板が除去されることである。この利点は、電磁スペクトルの赤外領域の放射光を検出する際に、特に重要である（赤外領域においては、透過成分に、しばしば、光学的及び機械的パラメータ間における不可避な妥協が伴っており、この結果、性能が理想の性能から大幅に低下することになる）。
【０００６】
本発明による装置は、高速の応答特性を具備可能であり、従って、短いパルスレーザー信号及びリングダウン信号の検出に適している。
【０００７】
本発明は、特に赤外放射光の検出に適用可能である（但し、これに限定されるものではない）。吸収バンドが強いのみならず、その構造がより単純であることから、分光法のアプリケーションには、赤外放射光を使用することが望ましい。この結果、高感度の計測を実行可能であり、スペクトルの曖昧さが大幅に低減する。
【０００８】
電磁スペクトルの赤外領域での使用に適した従来技術による検出器の多くは、一般に、高速の時間応答特性を具備しておらず、又、高速なものの場合には、通常、放射光検出用の小さな活性領域しか具備していない（１〜２０ｍｍ2）。
【０００９】
これとは対照的に、本発明による装置は、大きな活性領域を具備可能であり（通常、５００ｍｍ2）、且つ、サブナノ秒レベルの応答特性（通常、０．５〜２ナノ秒）を実現することができる。これは、従来の装置を使用しては、費用効率の高い方式で実現することができない重要な特徴である。又、この装置の時間応答特性と感度は、活性領域の全体にわたって均一であり、この装置は、ハイレベルな物理的及び光学的な安定性を具備している。
【００１０】
吸収プロセスは、通常、第１の層内において、フェムト秒レベルの時間尺度で実行され、従って、この装置のサブナノ秒レベルの応答時間は、主に第２の層の絶縁材料の応答時間に依存することになる。通常、ＰＶＤＦやＰＶＤＦ／ＴｒＦＥコポリマーなどの絶縁材料を使用しているが、この代わりに、更に高速の応答時間を具備するその他の材料を使用することも可能であろう。
【００１１】
又、前述のように、既存の装置は、いくつかの別個のコンポーネント部品から構成されているが、本発明による装置は、これとは対照的に、統合された構造を具備する単一の装置である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、一例として、添付の図面を参照し、本発明の実施例について説明する。
【００１３】
図１は、短いレーザーパルスを検出及び反射するのに特に適した高速応答大活性領域電磁放射光検出装置を示している。この装置は、焦電及び／又は圧電活性絶縁材料の薄い層３の両側に配設された金属電極のペア１、２から構成されている。これらの電極１、２及び絶縁層３は、プレフォームされた基板４上に取り付けられている。この基板は、電極１、２と層３が適合する所望の形状を具備するようにプレフォームされている。そして、この基板は、通常、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ：ＰＣＢ）５の上面に直接取り付けられており、このＰＣＢの裏面には、前置増幅器電子回路６が取り付けられている。尚、必要に応じて、遮蔽された容器（図示されてはいない）の内部にこの装置を取り付けることにより、外部で生成される高周波（Ｒａｄｉｏ−Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）干渉に対する露出を極小化することができる。
【００１４】
上部金属電極１は、電磁放射光が入射する表面を提供している。この電極１は、光学的に不透明な導電性材料の薄い層によって製造されている。この層は、本装置内において、いくつかの異なる機能を実行する。
【００１５】
即ち、第１に、この層は、反射鏡面を具備しており（即ち、これは、スネルの反射法則に従って機能する）、従って、入射電磁放射光の中の一定比率を反射するミラーとして機能する。このために、この層の上部表面は、望ましい光学的な平坦さを具備している。前述のように、このミラーの形状は、所望の光学的な仕上げを具備する基板４の形状によって決定される。この例においては、ミラーは凹面である。又、この層は、反射されない電磁放射光のエネルギーを吸収し、この吸収したエネルギーを絶縁層３に伝達する。そして、最後に、この層は、電極としても機能し、この電極は、電極２と協働して、絶縁層３を横断して生成される電流又は電圧の計測を可能にしている。尚、この第１の層は、拡散反射表面を具備することも可能である。
【００１６】
この上部金属電極１に使用する材料は、第一義的には、その光学的及び電気的特性の観点において選択されるが、その化学的特性の観点においても、同様に選択可能である。通常、この金属電極１は、銀、金、アルミニウム、又は銅から製造されるが、この代わりに、その他の金属を使用することも可能である。又、この上部金属電極１は、その上部表面上に被覆として提供される追加層１０を具備することも可能である。この層１０は、特定範囲の波長に対して透明であってよく、高域、低域、又は帯域通過フィルタとして機能するものであってよい。或いは、この代わりに（又は、これに加えて）、層１０は、例えば、金属層１を酸化から保護するための化学的な保護層として機能することも可能である。この追加層１０は、特に１つ又は複数の帯域の波長に対して反射性を有すると共に、その他のすべての波長に対しては、光学的な透過性を有するものであってよい。この場合には、この追加層１０を使用することにより、上部電極１に到達する電磁放射光の強度を効率的に減衰させることが可能であり、この結果、上部電極１の反射／吸収比率を微細に制御することできる。尚、この追加層１０は、単一の層であってもよく、或いは、複数の層から構成することも可能である。又、この追加層１０は、金属電極１の形状に適合していることが好ましいが、その他の形状も考えられる。
【００１７】
上部金属電極１の許容可能な最低厚さは、その装置の導電性及び光学的な不透明性要件によって定義され、上部金属電極１の最大厚さは、望ましくない機械的及び電磁的な共振を抑圧するためのニーズによって定義されることになる。通常、この電極１は、０．５μｍ〜１００μｍの均一な厚さを具備しているが、この範囲を超えるその他の厚さを使用することも可能である。
【００１８】
この上部電極１は、好適な実施例においては、圧電及び／又は焦電活性絶縁層３上に、連続した均一な金属薄膜を堆積することによって形成される。
【００１９】
２つの金属電極１、２間に提供されている絶縁層３は、これらを分離していると共に、上部金属電極１によって吸収されたエネルギー用の検出媒体としても機能している。吸収されたエネルギーは、絶縁層３の焦電及び誘電特性を監視することによって検出される。具体的には、絶縁層３の材料の電気特性は、電極１の材料によって吸収される電磁放射光の強度に依存し、この結果、電極１、２間において、絶縁層を横断して計測される電圧及び／又は電流は、入射放射光の非反射部分における電磁放射光の強度を表すことになる。層１の導電性材料が電磁放射光を吸収することにより、圧電及び／又は焦電活性材料の分極及び誘電特性が変化し、この結果、電極１、２において計測可能な電荷が生成されるものと考えられる。この絶縁層３は、通常、ポリ（ビニリデンジフロライド）（ＰＶＤＦ）やポリ（ビニリデンジフロライド）／トリフルオロエチレン（ＰＶＤＦ／ＴｒＦＥ）コポリマーなどの焦電及び圧電活性ポリマー薄膜から製造されている。尚、このような材料に、焦電及び圧電活性を付与するには、分極処理（Ｐｏｌｉｎｇ）が必要である。この手順を実行する方法及び技法については、周知であり、Ｍｉｒａｎｄａ他による「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ａ」（第５０巻、４３１〜４３８頁、１９９０年）に、その例が記載されている。
【００２０】
下部電極２も、導電性材料から製造されており、第２出力電極を提供している。この第２電極２は、絶縁基板４上に堆積された薄い金属層（０．５〜１００μｍ）であってよく、或いは、この代わりに、これを基板４から構成することも可能である。
【００２１】
本装置は、伝送路の要件とＨＦ及びＵＨＦでの動作に適した出力インピーダンスを考慮して電気的に終端されており、プリント回路基板（ＰＣＢ）５の裏面には、前置増幅器電子回路６が取り付けられている。この電気的な端子は、受動的又は能動的な電気抵抗装置であってよい。受動装置は、通常、５０Ωの抵抗値を具備する電気抵抗装置である。一方、能動装置は、５０Ωの出力インピーダンスを有するＦＥＴ入力高周波前置増幅器であることが好ましいが、この代わりに、その他の能動端子装置を使用することも可能であろう。尚、最適な動作を確保するべく、この電気的な端子と検出装置間の距離は、相対的に短く維持されている（通常、５ｍｍ未満である）。
【００２２】
この装置の場合には、上部金属電極１は、効率的な伝導に必要とされる最小の厚さにおいて、電磁放射光に対して光学的に不透明であり、従って、非反射電磁放射光は、透過することなく、金属電極１によって吸収される。これは、電磁放射光の相対的に長い波長（例：赤外放射光）を検出する際に、この装置が、特に効果的且つ理想的なソリューションを提供することを意味している。従来の構成においては、ミラーと検出器間に通常配置されている放射光透過材料が、機械的な安定性を欠いていたり、或いは、独自の吸収帯域を具備し、この結果、相対的に長い波長の検出の際に、その構造の全体的な有効性が制限されていた。この本装置における反射層の使用は、電磁放射光の非反射入射エネルギーの計測を可能にするための効率的且つ光学的に単純な方法である。
【００２３】
本装置の主なアプリケーションは、キャビティリングダウン分光法などのマルチパスガス分子分光法に使用する反射器と検出器の組み合わせとしてのものであり、その使用の容易性と単純さの両方の観点において、本装置は、特に、キャビティリングダウン分光法に適している。又、本装置のその他のアプリケーションには、インラインビームモニタやレーザーキャビティモニタとしての使用が含まれる。
【００２４】
本装置の有用な波長範囲は、上部金属電極１の反射特性と同一であり、これは、軟Ｘ線／深紫外（Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：ＤＵＶ）から、可視、そして、赤外から遠赤外にまで及んでいる。この波長範囲は、０．１５μｍ〜１ｃｍである。又、上部金属電極１の反射率を変化させることにより、所望の反射／吸収比率特性を付与することができる。この反射率の変更は、キャビティリングダウン分光法において、所与のアプリケーション用の最適な出力感度と最大光学経路長を得るのに特に有益である。
【００２５】
尚、本装置は、図面を参照して説明した特定の幾何学的構成に限定されるものではないことを理解されたい。例えば、図２に示されている装置は、円形の活性領域を具備しているが、本装置は、この代わりに、正方形や矩形の活性領域を具備することも可能であろう。
【００２６】
同様に、本装置は、凹面の上部表面を具備しているが、この上部表面を、その他の幾何学的構成にすることも可能である。例えば、本装置は、完全に平坦な表面を具備することも可能であり、或いは、表面を複雑な形にすることも可能である。究極的には、本装置の形状は、絶縁層３を堆積するのに使用する製造プロセスの制限によって定義されることになる。
【００２７】
又、セグメント化された第１及び／又は第３導電性層によって本装置を形成することにより、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を提供することも可能であることを理解されたい。この結果、このセグメント化された層は、ｎ個の要素のアレイ（ここで、ｎは、１よりも大きい）として機能することができる。尚、通常、第１の層がセグメント化されている場合には、第３の層は連続的な層となる（又は、この逆である）。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明による電磁放射光を検出及び反射する装置の横断面図を示している。
【図２】図１に示されている装置の平面図を示している。
【図３】図１に示されている装置の底面図を示している。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射光を同時に反射及び検出する装置において、
層表面に入射する電磁放射光を同時に反射及び吸収する導電性材料から製造された第１の層であって、入射電磁放射光を反射部分と非反射部分に同時に分離し、前記反射部分の電磁放射光を前記装置から離れるように反射すると共に、前記非反射部分の電磁放射光を吸収する第１の層と、
前記第１の層の下部に位置し、前記第１の層によって吸収された電磁放射光の強度に依存する電気特性を具備する材料から製造された第２の層と、
前記第２の層の下部に位置し、導電性材料から製造された第３の層であって、前記第１の層及び前記第２の層は、それぞれ第１電極及び第２電極を形成しており、前記電極間において計測される電圧及び／又は電流は、前記電気特性に応答すると共に、前記吸収された電磁放射光の強度を表している、第３の層と、
を有する装置。
【請求項２】
前記第１の層の前記表面は、反射鏡面である請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第１の層の前記表面は、拡散反射面である請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記第１の層の上部面上に位置し、入射電磁放射光に対して透明である第４の層を含む請求項１〜３の何れか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記第４の層は、入射電磁放射光の特定の波長範囲に対して透明であり、高域、低域、又は帯域通過フィルタとしての効力を有する請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記第４の層は、１つ又は複数の波長帯域内の電磁放射光に対して少なくとも部分的に反射性を有しており、これにより、前記第１の層の前記表面に入射する電磁放射光の強度を減衰させる請求項４又は５記載の装置。
【請求項７】
前記第４の層は、化学的保護層である請求項４〜６の何れか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記第４の層は、複数の層を有し、これらの層は、組み合わせとして、所望の光学的及び／又は化学的な追加特性を実現する効力を有している請求項４〜７の何れか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記第４の層は、前記第１の層の形状に適合している請求項４〜８の何れか１項に記載の装置。
【請求項１０】
高周波数における電圧及び／又は電流の計測を可能にする電気的な端子を具備する請求項１〜９の何れか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記電気的な端子は、５０Ωの受動的電気抵抗素子である請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記電気的な端子は、５０Ωの出力インピーダンスを有する前記装置のインピーダンスに理想的に整合した入力インピーダンスを有する能動素子である請求項１０記載の装置。
【請求項１３】
前記能動素子は、ＦＥＴ入力高周波前置増幅器である請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記第２の層の材料は、圧電及び／又は焦電活性材料である請求項１〜１３の何れか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記第２の層の前記材料は、圧電及び／又は焦電活性ポリマーである請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記材料は、ポリ（ビニリデンジフロライド）（ＰＶＤＦ）又はポリ（ビニリデンジフロライド）／トリフルオロエチレン（ＰＶＤＦ／ＴｒＦＥ）コポリマーである請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記第１、第２、及び第３の層は、電気的絶縁基板の支持表面内において支持されている請求項１〜１６の何れか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記支持表面は、前記第１、第２、及び第３の層が適合するプレフォームされた形状を具備している請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記支持表面は、凹面である請求項１８記載の装置。
【請求項２０】
前記第３の層は、前記第１及び第２の層が適合すると共に、前記第１及び第２の層を支持するプレフォームされた形状を具備している請求項１〜１６の何れか１項に記載の装置。
【請求項２１】
前記第３の層は、凹面である請求項２０記載の装置。
【請求項２２】
前記電気的絶縁基板の下側表面上に取り付けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）を含んでいる請求項１７〜１９の何れか１項に記載の装置。
【請求項２３】
前記第３の層の下側表面上に取り付けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）を含んでいる請求項２０又は２１記載の装置。
【請求項２４】
前記ＰＣＢ上に取り付けられた電気回路を含む請求項２２又は２３記載の装置。
【請求項２５】
前記電気回路は、前置増幅器電子回路を含む請求項２４記載の装置。
【請求項２６】
外部において生成された高周波干渉に対する前記装置の露出を防止する遮蔽手段を含む請求項１〜２５の何れか１項に記載の装置。
【請求項２７】
前記遮蔽手段は、入射電磁放射光が前記装置に進入可能であると共に、反射した電磁放射光が前記装置を離れることができる開口部を具備する遮蔽容器を有している請求項２６記載の装置。
【請求項２８】
前記第１の層は、銀、金、アルミニウム、及び銅から選択された１つ又は複数の金属から製造されている請求項１〜２７の何れか１項に記載の装置。
【請求項２９】
０．１５μｍ〜１．０ｃｍの波長範囲の電磁放射光を検出するのに適している請求項１〜２８の何れか１項に記載の装置。
【請求項３０】
前記第１の層は、０．５μｍ〜１００μｍの範囲の厚さを具備している請求項１〜２９の何れか１項に記載の装置。
【請求項３１】
前記第３の層は、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を提供するべくセグメント化されて、ｎ個の要素のアレイを提供しており、ここで、ｎは、１よりも大きく、前記第１の層は、連続した金属層である請求項１〜３０の何れか１項に記載の装置。
【請求項３２】
前記第１の層は、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を提供するべくセグメント化されて、ｎ個の要素のアレイを提供しており、ここで、ｎは、１よりも大きく、前記第３の層は、連続した金属層である請求項１〜３０の何れか１項に記載の装置。
【請求項３３】
添付の図面を参照し、本明細書において説明したものと実質的に同一の装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射光を同時に反射及び検出する装置において、
層の表面に入射する電磁放射光を同時に反射及び吸収する導電性材料から製造された第１の層であって、入射電磁放射光を反射部分と非反射部分に同時に分離し、前記反射部分の電磁放射光を前記装置から離れるように反射すると共に、前記非反射部分の電磁放射光を吸収する効力を有する第１の層と、
前記第１の層の下部に位置し、前記第１の層によって吸収された電磁放射光の強度に依存する電気特性を具備する材料から製造された第２の層と、
前記第２の層の下部に位置し、導電性材料から製造された第３の層であって、前記第１の層及び前記第３の層は、それぞれ第１電極及び第２電極を形成しており、前記電極間において計測される電圧及び／又は電流は、前記電気特性に応答すると共に、前記吸収された電磁放射光の強度を表している、第３の層と、
を有する装置。
【請求項２】
前記第１の層の前記表面は、反射鏡面である請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第１の層の前記表面は、拡散反射面である請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記第１の層の上部面上に位置し、入射電磁放射光に対して透明である第４の層を含む請求項１〜３の何れか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記第４の層は、入射電磁放射光の特定の波長範囲に対して透明であり、高域、低域、又は帯域通過フィルタとしての効力を有する請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記第４の層は、１つ又は複数の波長帯域内の電磁放射光に対して少なくとも部分的に反射性を有しており、これにより、前記第１の層の前記表面に入射する電磁放射光の強度を減衰させる請求項４又は５記載の装置。
【請求項７】
前記第４の層は、化学的保護層である請求項４〜６の何れか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記第４の層は、複数の層を有し、これらの層は、組み合わせとして、所望の光学的及び／又は化学的な追加特性を実現する効力を有している請求項４〜７の何れか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記第４の層は、前記第１の層の形状に適合している請求項４〜８の何れか１項に記載の装置。
【請求項１０】
高周波数における電圧及び／又は電流の計測を可能にする電気的な端子を具備する請求項１〜９の何れか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記電気的な端子は、５０Ωの受動的電気抵抗素子である請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記電気的な端子は、５０Ωの出力インピーダンスを有する前記装置のインピーダンスに理想的に整合した入力インピーダンスを有する能動素子である請求項１０記載の装置。
【請求項１３】
前記能動素子は、ＦＥＴ入力高周波前置増幅器である請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記第２の層の材料は、圧電及び／又は焦電活性材料である請求項１〜１３の何れか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記第２の層の前記材料は、圧電及び／又は焦電活性ポリマーである請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記材料は、ポリ（ビニリデンジフロライド）（ＰＶＤＦ）又はポリ（ビニリデンジフロライド）／トリフルオロエチレン（ＰＶＤＦ／ＴｒＦＥ）コポリマーである請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記第１、第２、及び第３の層は、電気的絶縁基板の支持表面内において支持されている請求項１〜１６の何れか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記支持表面は、前記第１、第２、及び第３の層が適合するプレフォームされた形状を具備している請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記支持表面は、凹面である請求項１８記載の装置。
【請求項２０】
前記第３の層は、前記第１及び第２の層が適合すると共に、前記第１及び第２の層を支持するプレフォームされた形状を具備している請求項１〜１６の何れか１項に記載の装置。
【請求項２１】
前記第３の層は、凹面である請求項２０記載の装置。
【請求項２２】
前記電気的絶縁基板の下側表面上に取り付けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）を含んでいる請求項１７〜１９の何れか１項に記載の装置。
【請求項２３】
前記第３の層の下側表面上に取り付けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）を含んでいる請求項２０又は２１記載の装置。
【請求項２４】
前記ＰＣＢ上に取り付けられた電気回路を含む請求項２２又は２３記載の装置。
【請求項２５】
前記電気回路は、前置増幅器電子回路を含む請求項２４記載の装置。
【請求項２６】
外部において生成された高周波干渉に対する前記装置の露出を防止する遮蔽手段を含む請求項１〜２５の何れか１項に記載の装置。
【請求項２７】
前記遮蔽手段は、入射電磁放射光が前記装置に進入可能であると共に、反射した電磁放射光が前記装置を離れることができる開口部を具備する遮蔽容器を有している請求項２６記載の装置。
【請求項２８】
前記第１の層は、銀、金、アルミニウム、及び銅から選択された１つ又は複数の金属から製造されている請求項１〜２７の何れか１項に記載の装置。
【請求項２９】
０．１５μｍ〜１．０ｃｍの波長範囲の電磁放射光を検出するのに適している請求項１〜２８の何れか１項に記載の装置。
【請求項３０】
前記第１の層は、０．５μｍ〜１００μｍの範囲の厚さを具備している請求項１〜２９の何れか１項に記載の装置。
【請求項３１】
前記第３の層は、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を提供するべくセグメント化されて、ｎ個の要素のアレイを提供しており、ここで、ｎは、１よりも大きく、前記第１の層は、連続した金属層である請求項１〜３０の何れか１項に記載の装置。
【請求項３２】
前記第１の層は、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を提供するべくセグメント化されて、ｎ個の要素のアレイを提供しており、ここで、ｎは、１よりも大きく、前記第３の層は、連続した金属層である請求項１〜３０の何れか１項に記載の装置。
【請求項３３】
添付の図面を参照し、本明細書において説明したものと実質的に同一の装置。
【請求項１】
電磁放射光を同時に反射及び検出する装置において、
層表面に入射する電磁放射光を同時に反射及び吸収する導電性材料から製造された第１の層であって、入射電磁放射光を反射部分と非反射部分に同時に分離し、前記反射部分の電磁放射光を前記装置から離れるように反射すると共に、前記非反射部分の電磁放射光を吸収する第１の層と、
前記第１の層の下部に位置し、前記第１の層によって吸収された電磁放射光の強度に依存する電気特性を具備する材料から製造された第２の層と、
前記第２の層の下部に位置し、導電性材料から製造された第３の層であって、前記第１の層及び前記第２の層は、それぞれ第１電極及び第２電極を形成しており、前記電極間において計測される電圧及び／又は電流は、前記電気特性に応答すると共に、前記吸収された電磁放射光の強度を表している、第３の層と、
を有する装置。
【請求項２】
前記第１の層の前記表面は、反射鏡面である請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第１の層の前記表面は、拡散反射面である請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記第１の層の上部面上に位置し、入射電磁放射光に対して透明である第４の層を含む請求項１〜３の何れか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記第４の層は、入射電磁放射光の特定の波長範囲に対して透明であり、高域、低域、又は帯域通過フィルタとしての効力を有する請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記第４の層は、１つ又は複数の波長帯域内の電磁放射光に対して少なくとも部分的に反射性を有しており、これにより、前記第１の層の前記表面に入射する電磁放射光の強度を減衰させる請求項４又は５記載の装置。
【請求項７】
前記第４の層は、化学的保護層である請求項４〜６の何れか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記第４の層は、複数の層を有し、これらの層は、組み合わせとして、所望の光学的及び／又は化学的な追加特性を実現する効力を有している請求項４〜７の何れか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記第４の層は、前記第１の層の形状に適合している請求項４〜８の何れか１項に記載の装置。
【請求項１０】
高周波数における電圧及び／又は電流の計測を可能にする電気的な端子を具備する請求項１〜９の何れか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記電気的な端子は、５０Ωの受動的電気抵抗素子である請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記電気的な端子は、５０Ωの出力インピーダンスを有する前記装置のインピーダンスに理想的に整合した入力インピーダンスを有する能動素子である請求項１０記載の装置。
【請求項１３】
前記能動素子は、ＦＥＴ入力高周波前置増幅器である請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記第２の層の材料は、圧電及び／又は焦電活性材料である請求項１〜１３の何れか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記第２の層の前記材料は、圧電及び／又は焦電活性ポリマーである請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記材料は、ポリ（ビニリデンジフロライド）（ＰＶＤＦ）又はポリ（ビニリデンジフロライド）／トリフルオロエチレン（ＰＶＤＦ／ＴｒＦＥ）コポリマーである請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記第１、第２、及び第３の層は、電気的絶縁基板の支持表面内において支持されている請求項１〜１６の何れか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記支持表面は、前記第１、第２、及び第３の層が適合するプレフォームされた形状を具備している請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記支持表面は、凹面である請求項１８記載の装置。
【請求項２０】
前記第３の層は、前記第１及び第２の層が適合すると共に、前記第１及び第２の層を支持するプレフォームされた形状を具備している請求項１〜１６の何れか１項に記載の装置。
【請求項２１】
前記第３の層は、凹面である請求項２０記載の装置。
【請求項２２】
前記電気的絶縁基板の下側表面上に取り付けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）を含んでいる請求項１７〜１９の何れか１項に記載の装置。
【請求項２３】
前記第３の層の下側表面上に取り付けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）を含んでいる請求項２０又は２１記載の装置。
【請求項２４】
前記ＰＣＢ上に取り付けられた電気回路を含む請求項２２又は２３記載の装置。
【請求項２５】
前記電気回路は、前置増幅器電子回路を含む請求項２４記載の装置。
【請求項２６】
外部において生成された高周波干渉に対する前記装置の露出を防止する遮蔽手段を含む請求項１〜２５の何れか１項に記載の装置。
【請求項２７】
前記遮蔽手段は、入射電磁放射光が前記装置に進入可能であると共に、反射した電磁放射光が前記装置を離れることができる開口部を具備する遮蔽容器を有している請求項２６記載の装置。
【請求項２８】
前記第１の層は、銀、金、アルミニウム、及び銅から選択された１つ又は複数の金属から製造されている請求項１〜２７の何れか１項に記載の装置。
【請求項２９】
０．１５μｍ〜１．０ｃｍの波長範囲の電磁放射光を検出するのに適している請求項１〜２８の何れか１項に記載の装置。
【請求項３０】
前記第１の層は、０．５μｍ〜１００μｍの範囲の厚さを具備している請求項１〜２９の何れか１項に記載の装置。
【請求項３１】
前記第３の層は、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を提供するべくセグメント化されて、ｎ個の要素のアレイを提供しており、ここで、ｎは、１よりも大きく、前記第１の層は、連続した金属層である請求項１〜３０の何れか１項に記載の装置。
【請求項３２】
前記第１の層は、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を提供するべくセグメント化されて、ｎ個の要素のアレイを提供しており、ここで、ｎは、１よりも大きく、前記第３の層は、連続した金属層である請求項１〜３０の何れか１項に記載の装置。
【請求項３３】
添付の図面を参照し、本明細書において説明したものと実質的に同一の装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射光を同時に反射及び検出する装置において、
層の表面に入射する電磁放射光を同時に反射及び吸収する導電性材料から製造された第１の層であって、入射電磁放射光を反射部分と非反射部分に同時に分離し、前記反射部分の電磁放射光を前記装置から離れるように反射すると共に、前記非反射部分の電磁放射光を吸収する効力を有する第１の層と、
前記第１の層の下部に位置し、前記第１の層によって吸収された電磁放射光の強度に依存する電気特性を具備する材料から製造された第２の層と、
前記第２の層の下部に位置し、導電性材料から製造された第３の層であって、前記第１の層及び前記第３の層は、それぞれ第１電極及び第２電極を形成しており、前記電極間において計測される電圧及び／又は電流は、前記電気特性に応答すると共に、前記吸収された電磁放射光の強度を表している、第３の層と、
を有する装置。
【請求項２】
前記第１の層の前記表面は、反射鏡面である請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第１の層の前記表面は、拡散反射面である請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記第１の層の上部面上に位置し、入射電磁放射光に対して透明である第４の層を含む請求項１〜３の何れか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記第４の層は、入射電磁放射光の特定の波長範囲に対して透明であり、高域、低域、又は帯域通過フィルタとしての効力を有する請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記第４の層は、１つ又は複数の波長帯域内の電磁放射光に対して少なくとも部分的に反射性を有しており、これにより、前記第１の層の前記表面に入射する電磁放射光の強度を減衰させる請求項４又は５記載の装置。
【請求項７】
前記第４の層は、化学的保護層である請求項４〜６の何れか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記第４の層は、複数の層を有し、これらの層は、組み合わせとして、所望の光学的及び／又は化学的な追加特性を実現する効力を有している請求項４〜７の何れか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記第４の層は、前記第１の層の形状に適合している請求項４〜８の何れか１項に記載の装置。
【請求項１０】
高周波数における電圧及び／又は電流の計測を可能にする電気的な端子を具備する請求項１〜９の何れか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記電気的な端子は、５０Ωの受動的電気抵抗素子である請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記電気的な端子は、５０Ωの出力インピーダンスを有する前記装置のインピーダンスに理想的に整合した入力インピーダンスを有する能動素子である請求項１０記載の装置。
【請求項１３】
前記能動素子は、ＦＥＴ入力高周波前置増幅器である請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記第２の層の材料は、圧電及び／又は焦電活性材料である請求項１〜１３の何れか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記第２の層の前記材料は、圧電及び／又は焦電活性ポリマーである請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記材料は、ポリ（ビニリデンジフロライド）（ＰＶＤＦ）又はポリ（ビニリデンジフロライド）／トリフルオロエチレン（ＰＶＤＦ／ＴｒＦＥ）コポリマーである請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記第１、第２、及び第３の層は、電気的絶縁基板の支持表面内において支持されている請求項１〜１６の何れか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記支持表面は、前記第１、第２、及び第３の層が適合するプレフォームされた形状を具備している請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記支持表面は、凹面である請求項１８記載の装置。
【請求項２０】
前記第３の層は、前記第１及び第２の層が適合すると共に、前記第１及び第２の層を支持するプレフォームされた形状を具備している請求項１〜１６の何れか１項に記載の装置。
【請求項２１】
前記第３の層は、凹面である請求項２０記載の装置。
【請求項２２】
前記電気的絶縁基板の下側表面上に取り付けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）を含んでいる請求項１７〜１９の何れか１項に記載の装置。
【請求項２３】
前記第３の層の下側表面上に取り付けられたプリント回路基板（ＰＣＢ）を含んでいる請求項２０又は２１記載の装置。
【請求項２４】
前記ＰＣＢ上に取り付けられた電気回路を含む請求項２２又は２３記載の装置。
【請求項２５】
前記電気回路は、前置増幅器電子回路を含む請求項２４記載の装置。
【請求項２６】
外部において生成された高周波干渉に対する前記装置の露出を防止する遮蔽手段を含む請求項１〜２５の何れか１項に記載の装置。
【請求項２７】
前記遮蔽手段は、入射電磁放射光が前記装置に進入可能であると共に、反射した電磁放射光が前記装置を離れることができる開口部を具備する遮蔽容器を有している請求項２６記載の装置。
【請求項２８】
前記第１の層は、銀、金、アルミニウム、及び銅から選択された１つ又は複数の金属から製造されている請求項１〜２７の何れか１項に記載の装置。
【請求項２９】
０．１５μｍ〜１．０ｃｍの波長範囲の電磁放射光を検出するのに適している請求項１〜２８の何れか１項に記載の装置。
【請求項３０】
前記第１の層は、０．５μｍ〜１００μｍの範囲の厚さを具備している請求項１〜２９の何れか１項に記載の装置。
【請求項３１】
前記第３の層は、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を提供するべくセグメント化されて、ｎ個の要素のアレイを提供しており、ここで、ｎは、１よりも大きく、前記第１の層は、連続した金属層である請求項１〜３０の何れか１項に記載の装置。
【請求項３２】
前記第１の層は、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を提供するべくセグメント化されて、ｎ個の要素のアレイを提供しており、ここで、ｎは、１よりも大きく、前記第３の層は、連続した金属層である請求項１〜３０の何れか１項に記載の装置。
【請求項３３】
添付の図面を参照し、本明細書において説明したものと実質的に同一の装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公表番号】特表２００６−５０４９４３（Ｐ２００６−５０４９４３Ａ）
【公表日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−５４７７７４（Ｐ２００４−５４７７７４）
【出願日】平成１５年１０月２８日（２００３．１０．２８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＧＢ２００３／００４６３０
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０４０２４９
【国際公開日】平成１６年５月１３日（２００４．５．１３）
【出願人】（５００３４４５８５）シマヅ リサーチ ラボラトリー（ヨーロッパ）リミティド (8)
【出願人】（５０１３９３３９１）インペリアル カレッジ イノベーションズ リミテッド (1)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１５年１０月２８日（２００３．１０．２８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＧＢ２００３／００４６３０
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０４０２４９
【国際公開日】平成１６年５月１３日（２００４．５．１３）
【出願人】（５００３４４５８５）シマヅ リサーチ ラボラトリー（ヨーロッパ）リミティド (8)
【出願人】（５０１３９３３９１）インペリアル カレッジ イノベーションズ リミテッド (1)
【Ｆターム（参考）】
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