説明

Cu−Ni−有機電着薄膜積層構造体及びその形成方法

【解決手段】Cu基材上に厚さ1μm以上のNi層を介して有機電着薄膜を成膜してなるCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体、及びCu基材上に厚さ1μm以上のNi層を形成し、次いで、アニオン性材料電着液に上記Ni層を接触させ、該Ni層上に上記アニオン性材料を上記Ni層が形成されたCu基材を陽極として電着して有機電着薄膜を成膜するCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体の形成方法。
【効果】Cu基材上に密着性に優れた電着ポリイミド薄膜等の有機電着薄膜を成膜したCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体を提供することができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、Cu上に密着性に優れた有機電着薄膜、特に電着ポリイミド薄膜を成膜したCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体及びその形成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
電着塗装法(電着法)は、電圧の印加により電荷をもった材料化合物を溶液中で泳動させると共に、電極(被着物)での水の電気分解により材料化合物を析出させて、被着物上に材料化合物を凝集させて膜を形成するものであり、従来、電着液(電着用組成物)に用いられる樹脂材料として知られているポリイミド樹脂は、耐熱性、電気絶縁性、耐摩耗性、耐薬品性に優れ、更に機械的特性も優れているため、宇宙、航空材料から電気・電子部品に至るまで、広く利用されている。
【0003】
この電着法は、例えば、導電部と非導電部とが混在する複雑な形状の基板に対して、Cuなどの導電部の露出部分のみに膜を形成できることから、導電体金属等の被覆に好適であり、特に、ポリイミド樹脂は各種導電体上にピンホールのない均一な膜を形成できることから、導電体の絶縁膜として有用である。
【0004】
なお、本発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものが挙げられる。
【特許文献1】特開昭49−52252号公報
【特許文献2】特開昭52−32943号公報
【特許文献3】特開昭63−111199号公報
【特許文献4】特開平9−104839号公報
【特許文献5】特開2002−299836号公報
【特許文献6】特開2003−327905号公報
【特許文献7】特開2003−327907号公報
【特許文献8】特開2004−266199号公報
【特許文献9】特開2005−336559号公報
【特許文献10】特開2000−8196号公報
【特許文献11】特開2000−68627号公報
【特許文献12】特開平8−120496号公報
【特許文献13】特開2002−167694号公報
【特許文献14】特開平11−269696号公報
【非特許文献1】上村貴之、他4名,「電着塗装法によるポリイミド膜の形成」,エレクトロニクス実装学会誌,2002年,第5巻,第3号,p.233−240
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、導電体金属上に絶縁膜として電着法にて成膜したポリイミド薄膜について検討したところ、導電性材料として最も有用なCuを被着物として用いた場合、成膜したポリイミド薄膜と被着物との密着性が十分でない場合があることが確認された。
【0006】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、Cu上に密着性に優れた電着ポリイミド薄膜等の有機電着薄膜を成膜したCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体及びその形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、最も汎用の導電体であるCuに対して電着によりポリイミド薄膜を成膜する場合、導電性を低下させないため(例えば、集積回路における微細Cu配線パターンなどにおいては、配線の導電性能を劣化させないために、配線パターンのCu表面を清浄に保つ必要がある。)、絶縁膜としてのポリイミド薄膜との界面(被着面)の酸化等を避け、清浄な状態を保ってポリイミド薄膜を成膜する必要があるが、Cu表面の清浄性を保ってポリイミド薄膜を電着法により成膜した場合、密着性の低下が確認された。
【0008】
そこで、更に検討したところ、電着において電極となる被着物としてのCuが、電着の通電時において電極反応によりイオンとなって電着液中に溶解し、この溶解したCuが成膜されるポリイミド薄膜に取り込まれ、その結果、ポリイミド薄膜の密着性を劣化させていることがわかった。
【0009】
そして、Cu基材上に電着にてポリイミド薄膜等の有機電着薄膜を成膜する場合、有機電着薄膜を、厚さ1μm以上のNi層を介して成膜すれば、Cu基材表面の清浄性を保ちつつ、Cuの電着液への溶解を避け、有機電着薄膜の密着性の低下を避けることができることを知見し、本発明をなすに至った。
【0010】
即ち、本発明は下記Cu−Ni−有機電着薄膜積層構造体及びCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体の形成方法を提供する。
[1]Cu基材上に厚さ1μm以上のNi層を介して有機電着薄膜を成膜してなることを特徴とするCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体。
[2]上記有機電着薄膜がポリイミド薄膜であることを特徴とする[1]記載のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体。
[3]上記電着ポリイミド薄膜が、カルボキシル基を分子構造内に有するアニオン性ポリイミドの水と有機溶媒との混合溶媒溶液であるポリイミド電着液から電着にて成膜されてなることを特徴とする[2]記載のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体。
[4]上記アニオン性ポリイミドがブロック共重合アニオン性ポリイミドであることを特徴とする[3]記載のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体。
[5]Cu基材上に厚さ1μm以上のNi層を形成し、次いで、アニオン性材料電着液に上記Ni層を接触させ、該Ni層上に上記アニオン性材料を上記Ni層が形成されたCu基材を陽極として電着して有機電着薄膜を成膜することを特徴とするCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体の形成方法。
[6]Cu基材上に厚さ1μm以上のNi層を形成し、次いで、カルボキシル基を分子構造内に有するアニオン性ポリイミドの水と有機溶媒との混合溶媒溶液である電着液に上記Ni層を接触させ、該Ni層上に上記アニオン性ポリイミドを上記Ni層が形成されたCu基材を陽極として電着してポリイミド薄膜を成膜することを特徴とする[5]記載のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体の形成方法。
[7]上記アニオン性ポリイミドがブロック共重合アニオン性ポリイミドであることを特徴とする[6]記載のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体の形成方法。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、Cu基材上に密着性に優れた電着ポリイミド薄膜等の有機電着薄膜を成膜したCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体は、Cu基材上に厚さ1μm以上のNi層を介して有機電着薄膜を積層した構造のものであり、Cu基材上に厚さ1μm以上のNi層を形成し、次いで、アニオン性材料電着液にNi層を接触させ、Ni層上にアニオン性材料をNi層が形成されたCu基材を陽極として電着して有機電着薄膜を成膜することにより形成することができる。
【0013】
このCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体としては、例えば、図1に示されるようなCu基材3の上面にNi層2を介して有機電着薄膜1が成膜された構造のもの、例えばフレキシブルプリント基板などの銅板や銅箔等の銅層上や回路銅配線上に有機電着薄膜を成膜したものなどが該当する。
【0014】
本発明では、電着において電極となるCu基材が、Cuのような電着の通電時において電極反応によりイオン化して電着液中に溶解する金属である場合であっても、Cu基材上に形成した1μm以上の厚さを有するNi層によって、基材を構成するCuは電着液に溶解せず、Cuは有機電着薄膜に取り込まれることがほとんどない。そのため、この有機電着薄膜は、密着性が劣化しておらず、Cuで構成された基材上に成膜する有機電着薄膜として、特に、電気・電子材料の絶縁膜として優れた有機電着薄膜であり、このような有機電着薄膜を備えるCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体は、導通を確保するCu基材とその絶縁体としての有機電着薄膜とを備える積層構造体として有用である。
【0015】
本発明において、有機電着薄膜は、電着塗装法として知られているアノード電着法により成膜した薄膜であり、有機電着薄膜としてポリイミド薄膜が好適である。この電着ポリイミド薄膜は、カルボキシル基を分子構造内に有するアニオン性ポリイミドの水と有機溶媒との混合溶媒溶液を電着液(電着用組成物)とした電着により成膜することができる。また、有機電着薄膜としてアクリル系電着薄膜を挙げることもできる。
【0016】
有機電着薄膜がポリイミド薄膜であるCu−Ni−電着ポリイミド薄膜積層構造体は、例えば、Cu基材上に厚さ1μm以上のNi層を形成し、次いで、カルボキシル基を分子構造内に有するアニオン性ポリイミドの水と有機溶媒との混合溶媒溶液である電着液にNi層を接触させ、Ni層上に上記アニオン性ポリイミドを、Ni層が形成されたCu基材を陽極として電着してポリイミド薄膜を成膜することにより形成することができる。
【0017】
本発明において、ポリイミド薄膜は、カルボキシル基を分子構造内に有するアニオン性ポリイミドの水と有機溶媒との混合溶媒溶液を電着液(電着用組成物)として成膜することができるが、このような電着液としては、電着によるポリイミド薄膜の成膜に用いられる公知の電着液を用いることができる。
【0018】
ポリイミド電着液としては、アニオン性ポリイミド、例えば、特開平9−104839号公報(特許文献4)等に記載されているランダム共重合アニオン性ポリイミドを用いるもの、特開2003−327905号公報(特許文献6)、特開2003−327907号公報(特許文献7)等に記載されているブロック共重合ポリイミドを用いる電着液を挙げることができるが、得られる電着ポリイミド膜の密着性が良好となる観点から、ブロック共重合アニオン性ポリイミドを用いるものが特に好ましい。
【0019】
この電着液としては、ジアミンと酸二無水物との反応生成物からなるランダム共重合アニオン性ポリイミド又はブロック共重合アニオン性ポリイミドを含むものが挙げられる。
【0020】
上記ジアミンとしては、芳香族ジアミンを含むことが好ましく、芳香族ジアミンとしては、o−,m−,p−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノトルエン、2,5−ジアミノトルエン、2,4−ジアミノキシレン、ジアミノジュレン、1,5−ジアミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、ベンジジン、4,4’−ジアミノターフェニル、4,4’−ジアミノクォーターフェニル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、1,2−ビス(アニリノ)エタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルホン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)プロパン、3,3’−ジメチルベンジジン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノトルエン、1,4−ビス(p−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス−(p−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス{4−(p−アミノフェノキシ)フェニル}プロパン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシフェニル)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−(p−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパンなどが挙げられる。また、2,6−ジアミノピリジンなどの芳香族ジアミン以外のジアミンを含んでいてもよい。2,6−ジアミノピリジンを含むポリイミドは、分子内に酸基と塩基とを持ち、ポリマー相互作用によって、良好なポリイミド薄膜を成膜する。更には、水に対する親和性を増し、水溶性電着液として安定となり、得られた電着膜が平滑で緻密になる利点がある。
【0021】
また、酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、4,4’−{2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチリデン}ビス(1,2−ベンゼンジカルボン酸無水物)、9,9−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}フルオレン二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。
【0022】
ランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドは、これらのジアミンと酸二無水物とをほぼ等量用いて、加熱、脱水することにより得られる。ブロック共重合アニオン性ポリイミドの場合は、逐次添加反応によって製造され、第一段階で、酸二無水物とジアミンからポリイミドオリゴマーとし、第二段階で、更に酸二無水物及び/又はジアミンを添加して、重縮合してブロック共重合アニオン性ポリイミドとする。本発明において、ランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドの分子量(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算値)は50,000〜100,000、特に60,000〜80,000が好適である。
【0023】
このランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドは、通常、塩基性化合物で中和したものとして電着液に用いられる。この塩基性化合物としては、N−ジメチルエタノール、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、N−ジメチルベンジルアミン、N−メチルモルホリンが用いられるが、N−ジメチルエタノールやN−メチルモルホリンが好適である。中和剤(塩基性化合物)の使用量はポリイミドが溶液中で溶解または安定に分散する程度であって、通常は化学量論中和量の30モル%以上、特に30〜200モル%であることが好ましい。また、電着液中の中和されたポリイミドの固形分濃度は5〜15質量%であることが好ましい。
【0024】
一方、電着液の溶媒としては、水と有機溶媒とが用いられ、有機溶媒としては、このランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドを溶解する水溶性極性有機溶媒、例えば、N−メチルピロリドン、N,N’−ジメチルアセトアミド、N,N’−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、テトラヒドロチオフェン−1,1−オキシド等が用いられる。好ましくは毒性の少ないN−メチルピロリドン、テトラヒドロチオフェン−1,1−オキシドが好ましい。これら水溶性極性有機溶媒は、上述したブロック共重合アニオン性ポリイミドを製造する際の反応溶媒として用いたものでもよい。
【0025】
また、電着液に含まれる有機溶媒としては、ランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドを溶解する油溶性溶媒を用いてもよい。油溶性溶媒は、電着後の被着物に析出したポリイミド樹脂のフロー性を高め、塗膜の平滑性を向上させる点で効果がある。またその結果として、電着液の貯蔵安定性を高めることができる。ここで油溶性溶媒とは、実質的に水に不溶性か又は難溶性の有機溶媒を意味する。ランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドを溶解する油溶性溶媒としては、1−アセトナフトン、アセトフェノン、ベンジルアセトン、メチルアセトフェノン、ジメチルアセトフェノン、プロピオフェノン、バレロフェノン、アニソール、安息香酸メチル、安息香酸ベンジルなどが挙げられる。
【0026】
更に、電着液に含まれる有機溶媒としては、フェニル基、フルフリル基又はナフチル基を有するアルコール等のポリイミドに対する貧溶媒を併用することが好ましく、このようなものとしては、例えばベンジルアルコール、置換ベンジルアルコール、フルフリルアルコールなどを挙げることができる。
【0027】
電着液中の溶媒の濃度は85〜95質量%であるが、有機溶媒の濃度は15〜85質量%、特に20〜70質量%であり、溶媒として水を併用する場合、これと上述した中和されたポリイミドの固形分濃度との残部が水の濃度となる。なお、上記油溶性溶媒を用いる場合、電着液中の油溶性溶媒の濃度は10〜30質量%であることが好ましく、また、上記ポリイミドに対する貧溶媒を用いる場合、電着液中の貧溶媒の濃度は5〜15質量%であることが好ましい。電着液のpHは、ほぼ中性乃至弱塩基性(例えばpH=7〜9、好ましくは7.5〜8)であることが好ましい。
【0028】
上述した電着液としては、株式会社ピーアイ技術研究所製の可溶型ブロック共重合ポリイミド電着液Q−EDシリーズ(例えば、Q−ED−21−129等)などの市販品を用いることができる。
【0029】
電着条件は、従来公知の条件をそのまま採用することができる。例えば、ランダム共重合アニオン性ポリイミド又はブロック共重合アニオン性ポリイミドを用いる場合、導電性被着物を温度15〜35℃にて電着液に浸漬し、陰極としてCu、Pt等の電極を用い、電圧20〜400V、好ましくは50〜200Vで、通電時間30秒〜10分間、好ましくは1〜5分間通電することにより導電性被着物の表面に溶媒を含むポリイミド薄膜が成膜される。
【0030】
更に、洗浄、風乾後、120〜220℃で30分〜1時間加熱して溶媒を揮発させることにより乾燥され、固化したポリイミド薄膜が得られる。なお、電着された薄膜は、既にポリイミドであるため、加熱は溶媒を飛散させるに足る温度で十分であり、溶媒の種類にもよるが、赤外線加熱で80〜150℃程度の温度で、30分〜1時間でよいこともある。電着ポリイミド薄膜の膜厚は、特に限定されないが、通常1〜100μmである。
【0031】
本発明においては、有機電着薄膜が成膜されるCu基材は、電着時には陽極となる。また、上記Cu基材上に形成されるNi層は、例えば、電解めっき、無電解めっきの他、スパッタリング等のドライメッキなどにより形成することが可能であり、その厚さは1μm以上である。厚さの上限は特に限定されないが、通常5μm以下とすることが好ましい。なお、上記Cu基材上のNi層は有機電着薄膜を成膜する所望の部分に形成されていればよいが、Cu基材の有機電着薄膜を成膜する部分以外の部分であって電着液に浸漬される部分は、Cu基材が露出せず、電気的に絶縁された状態とすることが必要である。
【0032】
なお、本発明は、例えば、フレキシブルプリント基板の銅板や銅箔等の銅層上の絶縁膜として有機電着薄膜を積層した構造体及びその形成方法として好適である。特に、フレキシブルプリント基板においては、小型化、軽量化のために、また、圧延銅箔の屈曲性を維持するために、有機電着薄膜の薄膜化の要望があるが、本発明によれば、銅箔上に例えば1〜20μm、特に5〜10μmという従来の25〜75μmに比べて格段に薄膜化された有機電着薄膜を備えるCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体を、有機電着薄膜の密着性を低下させることなく得ることができる。
【0033】
また、上述したランダム共重合アニオン性ポリイミド又はブロック共重合アニオン性ポリイミドを用いた電着液を用いた場合、イミド化を目的とした電着後の高温熱処理が不要であるので、熱処理による銅の再結晶化が抑制され、高い耐折特性を維持することができる。更に、本発明は、凹凸のある基板上のCu配線パターン、Cu三次元構造体など上に有機電着薄膜を形成した構造体及びその形成方法としても好適である。
【実施例】
【0034】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【0035】
[実施例1]
3cm×5cm、厚さ36μmのCu箔に以下の前処理1(電解脱脂、酸洗浄1、酸洗浄2)を施した。
前処理1
電解脱脂:界面活性剤を含む3%NaOH水溶液に浸漬し、電流密度10A/dm2で60秒処理。
酸洗浄1:10%リン酸水溶液中で揺動させながら60秒間浸漬。
酸洗浄2:10%硫酸水溶液中で揺動させながら60秒間浸漬。
【0036】
次に、上記前処理1を施したCu箔を水洗し、電気めっき法によりCu箔上にNi層(厚さ1μm)を形成し、水洗後、大気中、室温で乾燥した。
【0037】
次に、Ni層を形成したCu箔に以下の前処理2(プレディップ1及びプレディップ2)を施した。
前処理2
プレディップ1:市販の電着液用希釈液(株式会社ピーアイ技術研究所製)中で揺動させながら15秒間浸漬。
プレディップ2:市販の電着液(株式会社ピーアイ技術研究所製 Q−ED−21−129)中で揺動させながら15秒間浸漬。
【0038】
次に、上記前処理2を施したNi層を形成したCu箔を市販の電着液(株式会社ピーアイ技術研究所製 Q−ED−21−129)に室温で浸漬し、対極をPt線とし、印加電圧60V、通電時間5分として、Cu箔上にNi層を介してポリイミド薄膜を電着し、電着後、ポリイミド薄膜を成膜したCu箔を、市販の電着液用希釈液(株式会社ピーアイ技術研究所製)中で揺動させながら15秒間浸漬し、その後、90℃で30分間、大気中で加熱乾燥して、Cu箔上にNi層を介してポリイミド薄膜(厚さ50μm)を成膜したCu−Ni−電着ポリイミド薄膜積層構造体を得た。
【0039】
その後、180℃で30分間、引き続き220℃で、30分間大気中で加熱した。
【0040】
得られたポリイミド薄膜の密着性を下記剥離試験により評価した。
【0041】
剥離試験:カッターナイフを用いて1mm間隔のスリットを入れた後、ピンセットを用いてひっかいたときに、剥離がなかったものを良好、剥離があったものを不良とした。
【0042】
その結果、耐電圧試験及び剥離試験ともに良好であった。また、ポリイミド薄膜中及び電着液中のいずれにもCu及びNiは共に検出されなかった。
【0043】
[比較例1]
前処理1後の水洗、Ni層の形成及びその後の水洗、乾燥を実施しなかった以外は実施例1と同様の方法でポリイミド薄膜をCu箔上に直接成膜した。得られたポリイミド薄膜の密着性を実施例1と同様にして評価した。
【0044】
その結果、剥離試験は不良であった。
【図面の簡単な説明】
【0045】
【図1】本発明のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【0046】
1 有機電着薄膜
2 Ni層
3 Cu基材

【特許請求の範囲】
【請求項1】
Cu基材上に厚さ1μm以上のNi層を介して有機電着薄膜を成膜してなることを特徴とするCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体。
【請求項2】
上記有機電着薄膜がポリイミド薄膜であることを特徴とする請求項1記載のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体。
【請求項3】
上記電着ポリイミド薄膜が、カルボキシル基を分子構造内に有するアニオン性ポリイミドの水と有機溶媒との混合溶媒溶液であるポリイミド電着液から電着にて成膜されてなることを特徴とする請求項2記載のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体。
【請求項4】
上記アニオン性ポリイミドがブロック共重合アニオン性ポリイミドであることを特徴とする請求項3記載のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体。
【請求項5】
Cu基材上に厚さ1μm以上のNi層を形成し、次いで、アニオン性材料電着液に上記Ni層を接触させ、該Ni層上に上記アニオン性材料を上記Ni層が形成されたCu基材を陽極として電着して有機電着薄膜を成膜することを特徴とするCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体の形成方法。
【請求項6】
Cu基材上に厚さ1μm以上のNi層を形成し、次いで、カルボキシル基を分子構造内に有するアニオン性ポリイミドの水と有機溶媒との混合溶媒溶液である電着液に上記Ni層を接触させ、該Ni層上に上記アニオン性ポリイミドを上記Ni層が形成されたCu基材を陽極として電着してポリイミド薄膜を成膜することを特徴とする請求項5記載のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体の形成方法。
【請求項7】
上記アニオン性ポリイミドがブロック共重合アニオン性ポリイミドであることを特徴とする請求項6記載のCu−Ni−有機電着薄膜積層構造体の形成方法。

【図1】
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【公開番号】特開2008−50635(P2008−50635A)
【公開日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−226116(P2006−226116)
【出願日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【出願人】(301021533)独立行政法人産業技術総合研究所 (6,529)
【出願人】(000005120)日立電線株式会社 (3,358)
【Fターム(参考)】