説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】 基板を除去してもハンドリングするのに十分な厚さをもつダブルヘテロ積層体を有し、発光出力を維持しつつ、接触抵抗を有効に低減させた発光ダイオードおよびその発光ダイオードを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 本発明の発光ダイオードは、一対の電極と、該電極間に設けられた少なくとも上側および下側のクラッド層ならびに該上側および下側クラッド層間に設けられた活性層を有する積層体とを具える発光ダイオードにおいて、
前記積層体の総厚が50〜500μmであり、前記電極のうち、少なくとも一方の電極と前記積層体との間に、厚さ0.001〜1μmのコンタクト層を具えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】樹脂コートした際に高い密着性を得るのに十分な表面凹凸を有しながら、機械的強度にも優れた二成分系電子写真現像剤用キャリア芯材を提供する。
【解決手段】粒子表面に、微細な構造を析出させることにより[BET比表面積]/[真球相当比表面積]の値が、8.0以上、30.0以下、走査電子顕微鏡での反射電子像解析により測定した表面粗さRaの値が、0.050μm以下であり、かつ見掛密度が2.40g/cc以上である磁性粒子を芯材として使用する。このようなキャリア芯材は、磁性粉末を高い還元雰囲気下で600℃から1000℃の温度範囲で転動させながら熱処理することにより得られる。 (もっと読む)


【課題】貴金属より安価な銅を用いる事によりコスト性にすぐれるとともに、焼結開始温度が高く、耐酸化性に優れ、電気的特性への悪影響を回避しながら電極の薄膜化を可能にする導電性ペースト用銅粉を提供する。
【解決手段】導電性ペースト用銅粉の平均粒径を0.1μm〜1.0μmとし、2.0μm以上の粗粒の割合を0.01%以下とするとともに、その表面に膜厚が100nm以下の、Si以外の酸化物を含有するSiOゲルコーティング膜を施す。 (もっと読む)


【課題】芯材抵抗の電圧依存性が低く、磁性キャリアの交換寿命が長いキャリア芯材を提供する。
【解決手段】
ソフトフェライトと、SiOと、を含む粒子で構成された電子写真現像剤用キャリア芯材であって、当該電子写真現像剤用キャリア芯材中において、SiOが3次元網目構造を形成しており、当該電子写真現像剤用キャリア芯材の粉末XRDパターンにおいて、SiOのクオーツ結晶のピーク強度をI、SiOのクリストバライト結晶のピーク強度をIとしたとき、ピーク強度比(I/I)が0.35以上である電子写真現像剤用キャリア芯材を製造した。 (もっと読む)


【課題】従来品よりも焼結温度が低温であり、焼結時間が短時間の熱処理で、接着材中の金属粒子が融解・焼結するとともに、基板の材質を問わず密着性に優れ、低抵抗である導電性接着材を提供する。
【解決手段】粒子径4〜40nmである金属(例えば銀)粒子の表面が、分子量300以下の不飽和結合を有するアミンである有機化合物により被覆されてなる粒子を導電性接着材の構成成分として用いる。これは、例えば溶媒中で金属化合物と分子量300以下の不飽和結合を有するアミン化合物を反応させて製造することができる。また、金属粒子のCV値が40%以下が好ましい。さらに、金属成分が乾燥前の接着材の50質量%以上を占めることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】従来よりも焼結温度を大幅に低減しうる保護材で被覆された銀微粉を提供する。
【解決手段】不飽和結合を持つ分子量200以上の1級アミンAと炭素数6〜12の1級アミンBで構成される複合有機保護材に被覆された平均粒子径DTEM:3〜20nmの銀粒子からなる銀微粉であって、この銀微粉を有機媒体と混合して銀塗料とし、これを塗布した塗膜を大気中120℃で焼成したときに比抵抗25μΩ・cm以下の導電膜となる性質を備えた銀微粉。この銀微粉は、上記アミンAに被覆された銀粒子が有機媒体中に単分散した銀粒子分散液と、上記アミンBとを混合する工程、この混合液を静置または撹拌状態で5〜30℃に保持することにより沈降粒子を生成させる工程、固液分離操作により前記沈降粒子を固形分として回収する工程によって得ることができる。 (もっと読む)


【課題】平均粒子径DTEMが3〜7nmと極めて微細であり、かつ液中分散性が極めて良好な銀粒子であって、特にインクジェット法による微細配線の描画に好適な銀粒子を提供する。
【解決手段】 不飽和結合を持つ分子量200以上の1級アミン(例えばオレイルアミン)を溶媒として銀化合物を溶解させる工程、この溶媒を95℃以上かつ前記銀化合物が熱分解しない温度域に加熱保持することにより、前記アミンに被覆された平均粒子径DTEM:3〜7nmの銀粒子を合成する工程、を有する銀粒子の製造方法。このようにして得られる銀粒子は、[粒子径の標準偏差σD]/DTEM×100で表されるCV値が15%以下の粒度分布を有し、DTEM/DXで表される単結晶化度は例えば2.0以下である。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の転位密度を低減できる構造体を提供する。
【解決手段】下地基板と、下地基板の上に形成され、三角錐形状の複数の微結晶部を有するクロム窒化物膜と、を備え、クロム窒化物膜の三角錐形状の各微結晶部は、すべての斜面がクロム窒化物の結晶面で構成されている。各斜面における結晶方位は揃っており、{100}面群で構成されている。また、クロム窒化物膜の各微結晶部は、(111)面を底面とする。 (もっと読む)


【課題】イニシャルコスト、及びランニングコストがともに安価であり、安定したアンモニア性窒素除去能力を発揮できる水の浄化方法及び水の浄化装置の提供。
【解決手段】アンモニア性窒素を含有し、全有機炭素(TOC)濃度が15mg/L以下である処理対象水を、植物系資材を濾材として含む濾床と接触させて該処理対象水のアンモニア性窒素濃度を低減させる浄化工程を少なくとも含むことを特徴とする水の浄化方法、及びアンモニア性窒素を含有し、全有機炭素(TOC)濃度が15mg/L以下である処理対象水を、植物系資材を濾材として含む濾床と接触させて該処理対象水のアンモニア性窒素濃度を低減させる浄化手段を少なくとも有する水の浄化装置とする。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に特に自立基板製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。
【解決手段】サファイア、SiC、Siのいずれかからなる基板上にAlN単結晶層を0.1μm以上10μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はAlN単結晶基板の上に金属層を成膜する工程と、該金属層をアンモニア混合ガス雰囲気で加熱窒化処理を行ない、略三角錐ないし三角台形状の複数の微結晶を有する金属窒化物層を形成する工程と、該金属窒化層上にIII族窒化物半導体層を成膜する工程を有することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法である。 (もっと読む)


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