【課題】露光装置及びその制御方法において、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して、原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精度を落とすことなく、スループットを向上させる。
【解決手段】ショット補正パラメータの自動計測を行うかどうかを判断し（Ｓ６０２）、計測を行う場合にのみ、ショット補正パラメータの自動計測を行うことで処理を減らす（Ｓ６０３）。その後、ウエハ補正パラメータの自動計測を行い（Ｓ６０４）、ショット補正パラメータの自動計測を行ったかどうかに応じて、ショット補正パラメータとウエハ補正パラメータとの相対パラメータδを算出するか（Ｓ６０６）、記憶してある相対パラメータδ及びウエハ補正パラメータからショット補正パラメータを算出するか（Ｓ６０７）を判断することで、位置合わせの精度を保つ（Ｓ６０５）。得られたショット補正パラメータとウエハ補正パラメータとに応じて、装置ユニットを駆動し（Ｓ６０８）、露光する（Ｓ６０９）。 （もっと読む）

【課題】電極パターンまたは配線パターンに安定的に焦点を合わせることができる画像取得装置、欠陥修正装置および画像取得方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、欠陥が生じている基板１１１の一部を拡大した画像を取得する欠陥修正装置１００であって、基板１１１の一部を撮像する撮像部１２１と、基板１１１を載置したステージを移動するステージ移動部１１３と、対物レンズ１２９の基板１１１に対する焦点合わせを行う合焦検出部１２３と、ステージ移動部１１３を制御して、合焦検出部１２３が焦点合わせを行う場合に合焦検出領域から基板１１１の画像取得対象領域内に含まれる欠陥を退避させるステージ制御部１５６と、合焦検出部１２３による焦点合わせ後の焦点条件を固定する合焦制御部１５５と、合焦制御部１５５による焦点条件の固定後に撮像部１２１に基板の一部を撮像させる撮像制御部１５３とを備える。 （もっと読む）

【課題】マスク基板に対して洗浄加工を行なった場合の洗浄加工後にマスク基板に残る欠陥が洗浄加工プロセスによるものなのか、マスク基板自体の内部欠陥によるものなかを容易に判定する。
【解決手段】第１及び第２の受光手段に受光された散乱光に基づいて基板の両面（表面及び裏面）に存在する欠陥を検出することができるので、基板の洗浄加工の前後で両面の欠陥の存在位置をそれぞれ比較することによって、洗浄加工によって基板両面に存在していた欠陥が除去されたか否かを容易に判定することができる。すなわち、基板の洗浄加工処理によって基板から所定数の欠陥が除去されなかった場合には、マスク基板の内部に欠陥が存在する可能性が高いので、基板内部の欠陥の検出処理行い。その結果に基づいて洗浄加工によって除去できなかった欠陥が基板内部の欠陥であるのか、洗浄加工プロセスの問題によるものかを容易に判定することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】オフセット量を正確かつ容易に取得する。
【解決手段】第１の位置情報に基づいて特定される位置Ｏｂ上にビーム照射部が位置するように移動させた後に、照射部をＸ方向（矢印Ａ１，Ａ２の向き）に移動させながらレーザービームを照射させたときのレーザービームの反射光量の変化、およびＹ方向（矢印Ｂ１，Ｂ２の向き）に移動させながら照射させたときの反射光量の変化に基づいてマーク２１の位置Ｍｘ１，Ｍｘ２，Ｍｙ１，Ｍｙ２を取得すると共に、位置Ｍｘ１，Ｍｘ２，Ｍｙ１，Ｍｙ２と、第２の位置情報とに基づいて基板保持機構によって保持されているオフセット量取得用基板におけるマーク２１の位置Ｍｂを特定し、位置Ｍｂ，ＯｂのＸ方向に沿った位置ずれ量Ｘｂ、およびＹ方向に沿った位置ずれ量Ｙｂを、照射部のＸ方向に沿った移動量、およびＹ方向に沿った移動量をそれぞれ補正するためのオフセット量として特定する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ基板に形成されたパターンのうち、測定対象であるパターンが画素端部上で移動した場合でも、測定対象であるパターンを自動検出して線幅を測定することを可能とする線幅測定方法を提供する。
【解決手段】カラーフィルタ基板に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定方法であって、測定対象のパターンが存在する測定エリアを決定し（Ｓ１）、前記測定対象のパターンからリファレンス画像を予め設定し（Ｓ２）、前記測定エリアに存在する測定対象のパターンの輪郭と、前記リファレンス画像の輪郭を比較して、一致した場合には前記パターンを測定対象のパターンと判定し（Ｓ３）、前記測定対象のパターンの輪郭の間隔を測定して線幅とする（Ｓ４）ことを特徴とする線幅測定方法。 （もっと読む）

【課題】使い勝手の良い長寸法測定装置を提供すること。
【解決手段】長寸法測定装置１は、試料２が載置し、配置位置が固定されている試料台１０と、試料２に形成されたパターンに照明光を照射する照明ユニット２０と、照明光から得られたパターンの像を撮像する撮像ユニット３０と、試料台１０の平面度を調整し試料台１０を支持する平面度調整機構１２と、エアを試料台１０に送気し、試料台１０からエアを吸引する送気吸引部１６と、試料台１０にて浮上している試料２に吸着する吸着機構４０と、撮像ユニット３０をＺ方向に移動させるＺステージ５１と、撮像ユニット３０をＸ方向に移動させるＸステージ５２と、吸着機構４０を介して試料２をＹ方向に移動させるＹステージ５３と、試料２に形成されたパターン上の２点間の距離を測定する干渉測定ユニット６０とを具備している。 （もっと読む）

【課題】品種によって変わる塗工パターンに影響されずに（すなわち品種による段替えが発生せずに）、エッジまたは注目部位の位置ずれを正確に測定する位置測定システムを実現する。
【解決手段】搬送されるシート状物体の予め定められた注目部位の位置をカメラを用いて測定する位置測定システムにおいて、前記シート状物体の一方のエッジの略上方に設置され、前記シート状物体の像を結像する撮像素子を具備し、前記シート状物体の前記注目部位を撮像する第１のカメラ手段と、前記シート状物体の他方のエッジの略上方に設置され、前記シート状物体の像を結像する撮像素子を具備し、前記シート状物体の前記注目部位を撮像する第２のカメラ手段と、前記各撮像素子に結像された前記シート状物体の像における、前記注目部位の位置の予め定められた基準位置からの変動に基づき、パスライン変動の有無を判定してエッジの位置ずれを測定する測定手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】ティーチング操作の作業性や効率を向上させる。
【解決手段】ワークの閉領域情報を有するガーバーデータを記憶するデータ記憶部１３１と、ガーバーデータの閉領域情報に基づくパターン画像を表示する表示部４と、パターン画像に重ねて、検出すべきエッジ位置、検出方向及び検出長さを指定する検出ツールＳを表示部４に表示させる検出指定情報表示プログラム１３３と、ワークの検出ツールＳに対応する領域を撮像する撮像プログラム１３４及び撮像部３と、撮像された画像のデータに対して、検出ツールＳにより指定された検出方向及び検出長さで検出すべきエッジ位置のエッジ検出を行うエッジ検出プログラム１４１と、エッジ検出を行う場合、検出方向に沿って画像が明部から暗部に変化するか又は暗部から明部に変化するかを示す明暗変化条件を、ガーバーデータを用いて決定する条件決定プログラム１４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に散ったハンダやゴミ等による基板の傾きの誤認識を防ぐこと。
【解決手段】傾き検査装置１０は、所定の範囲を撮像領域として、部品が取り付けられる基板２を撮像するカメラが出力する撮像領域の画像より、基板２及び部品の表面の高さを基板２の全域にわたって測定して高さ情報を得る高さ測定部１２を備える。また、撮像領域の画像に含まれる基板２の色と、基板２に配置される部材の色と、を異なる２色で表現する２値化情報に基づいて、基板２の色によって表現される箇所に少なくとも３点の測定点を指定する測定点指定部１３を備える。また、測定点毎に測定される高さ情報に基づいて、所定の平面に対する基板２の傾きを計算する傾き計算部１４を備える。また、基板２の傾きに基づいて高さ情報の補正量を求め、基板２の表面の全域にわたって高さ情報を補正する傾き補正部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】鉛蓄電池用格子体に存在する形状変化を、バラツキなく高精度で検出できるばかりではなく、検出した鉛蓄電池用格子体の形状変化から、鉛蓄電池用格子体鋳造装置の異常、例えば、鋳造鋳型に塗布されている離型剤の寿命及び鋳造装置の不具合を迅速かつ適確に判定可能な、鉛蓄電池用格子体鋳造装置の異常判定方法を提供するものである。
【解決手段】鋳造された鉛蓄電池用格子体の形状変化を検出して、鉛蓄電池用格子体鋳造装置の異常を判定する方法であって、（ａ）鉛蓄電池用格子体の形状変化検出領域を照明する工程、（ｂ）照明された形状変化検出領域を撮像する工程、（ｃ）撮像された画像に２値化処理及び任意的に収縮処理を施す工程、（ｄ）上記処理後の画像から鉛蓄電池用格子体の形状変化を検出する工程、並びに（ｅ）検出した形状変化から、鉛蓄電池用格子体鋳造装置の異常を判定する工程を含む、鉛蓄電池用格子体鋳造装置の異常判定方法。 （もっと読む）

【課題】基板の加工領域の位置に関する位置情報をアライメントマークに関連させて取り出し、アライメントと実際の加工とを切り離して基板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】基板（５；４２）は、基板（５；４２）に対して固定されたアライメントマーク（６ａ、６ｂ；１２ａ…ｄ；４４ａ…ｃ）が設けられ、基板（５；４２）を加工する前に、基板（５；４２）の加工領域の位置に関する位置情報がアライメントマーク（６ａ、６ｂ；１２ａ…ｄ；４４ａ…ｃ）に関連させて取り出された場合に、アライメントと実際の加工とを切り離すことによって効率よく製造することができる。この場合に、アライメントは、加工時にアライメントマーク（６ａ、６ｂ；１２ａ…ｄ；４４ａ…ｃ）の位置を１回だけ再測定し、加工領域の位置に関する保存された位置情報を使用することにより行うことができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で正確に等距離に配置された３つの基準点を提供することが可能なキャリブレーション用マーカを用いるキャリブレーション方法を提供することを目的とする。
【解決手段】三角形のマーク（１００）を用いて、車両に搭載されたカメラのパラメータの調整を行うことを特徴とするキャリブレーション方法。三角形のマークは、両端部に接続構造を有する第１部材（１１０）と、第１部材と長手方向の長さが同じであって且つ両端部に接続構造を有する第２部材（１２０）と、第１部材と長手方向の長さが同じであって且つ両端部に接続構造を有する第３部材（１３０）を有し、第１部材、第２部材及び第３部材のそれぞれの接続構造を接続させることによって形成される。 （もっと読む）

【課題】三次元計測を行うにあたり、より高精度な計測をより短時間で実現することのできる三次元計測装置及び基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板検査装置は、プリント基板に対し光を照射する照明装置と、プリント基板上の前記照射された部分を撮像するＣＣＤカメラと、各種制御を行う制御装置とを備えている。そして、検査対象領域が輝度飽和しない第１露光時間で第１撮像処理を行い、計測基準領域の計測に適した所定の露光時間のうち、前記第１露光時間で不足した分に相当する第２露光時間で第２撮像処理を行う。続いて、検査対象領域に関しては、第１撮像処理により得た画像データの値を用い、計測基準領域に関しては、第１撮像処理により得た画像データの値と、第２撮像処理により得た画像データの値とを合算した値を用いた三次元計測用の画像データを作成し、当該三次元計測用の画像データに基づき、三次元計測を行う。 （もっと読む）

【課題】認識対象物品の位置及び姿勢に関する配置情報を高精度に認識する。
【解決手段】認識対象物品１に設けられ、中心位置Ｃから周囲に向かって濃度パターンＰｃが順次変化するように形成される単位パターン印１３を予め決められた位置関係で四以上有する認識表示体１２と、認識対象物品１に対向配置されて認識表示体１２を撮像する撮像具５と、この撮像具５の撮像面とこの撮像具５の視野範囲に入る認識対象物品１に設けられる認識表示体１２面とが正対しない非正対計測位置Ｐ_２に少なくとも撮像具５を設置可能とするように撮像具５を支持する支持機構６と、非正対計測位置Ｐ_２に配置された撮像具５にて撮像された認識表示体１２の撮像情報を少なくとも用い、認識対象物品１の位置及び姿勢に関する配置情報を認識する配置情報認識部７と、を備える。また、この物品認識装置を用いた物品処理装置をも含む。 （もっと読む）

【課題】光学画像のパターンと基準画像のパターンとの位置合わせを高い精度で行いつつ、且つ、高速で欠陥検出のできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】画像センサから試料の光学画像を取得する工程と、光学画像および判定の基準となる基準画像のいずれか一方について、そのＸ方向とＹ方向の移動量をそれぞれα（０≦α＜１）とβ（０≦β＜１）として、αおよびβと光学画像と基準画像の差分の２乗和との関係を表す方程式を求める工程と、この方程式から得られる差分の２乗和が最小となる（α，β）の組から、位置合わせに最適な移動量を求める工程とを有する。この方程式についてαおよびβの偏微分を解くことにより、位置合わせに最適な移動量を求めてもよい。 （もっと読む）

【課題】検査対象に形成されたパターンの寸法や位置の変動を正確に求めることが可能な検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された試料に光を照明し、試料の像を画像センサに結像して光学画像を取得し、光学画像を基準画像と比較してこれらの画像におけるパターンの寸法差が所定の範囲を超えたときに欠陥と判定する検査方法において、光の強度および画像センサの感度の内で少なくとも一方の時間的変動を取得し、この時間的変動とパターンの寸法差の時間的変動との関係を求めてパターンの寸法差を補正する。画像センサを試料に対し相対的に移動させることにより、試料全体の光学画像を取得しながら、所定時間毎に試料内に設けた別のパターンに画像センサを移動させて、画像センサの感度の時間的変動を求めることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンからの散乱光の影響を抑えた方向から照明光の照射を行うことで、基板の端部近傍の欠陥検査をより正確に行うことができる検査装置を提供する。
【解決手段】 表面に回路パターンが形成されたウェハ１０の端部近傍に対して、複数の方向から照明光の照射が可能な照明部３０と、前記照明光が照射されたウェハ１０の端部近傍の前記回路パターンからの散乱光を検出する撮像部４０と、撮像部４０を用いて検出された前記回路パターンからの散乱光に基づき、ウェハ１０の端部近傍の検査を行う検査部８０と、各種制御を行う制御部６０とを有し、制御部６０は検査時に前記回路パターンに対して照明部３０により照射する照明光の照射方向を照射可能な複数の方向から選択する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばＣＤ−ＳＥＭとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。ウェハ内の複数の計測点に関し、第１及び第２の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する（Ｓ２１０等）。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第２の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第１及び第２の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程（Ｓ２０７）の処理条件の制御パラメータを計算（Ｓ２１３）し、変更する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン寸法をパターン形状が次世代フォトマスクのように複雑な形状であっても精度良く測定することのできるパターン寸法測定方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクのパターンを撮像してパターン寸法を測定する際に、パターン画像の画素数をパターン寸法に変換するパターン寸法変換式をテストパターンの寸法計測値とテストパターン画像の画素数とから求めておき、パターン画像の画素数をパターン寸法変換式によりパターン寸法に変換してフォトマスクのパターン寸法を測定する。 （もっと読む）