【課題】 異物起因のコントラストのみを明確に判別して過検出及び誤検出を防ぐことができるＸ線透過検査装置及びＸ線透過検査方法を提供すること。
【解決手段】 測定対象の元素のＸ線吸収端より低いエネルギーの第１の特性Ｘ線を試料Ｓに照射する第１のＸ線管球１１と、元素のＸ線吸収端より高いエネルギーの第２の特性Ｘ線を試料Ｓに照射する第２のＸ線管球１２と、第１の特性Ｘ線が試料Ｓを透過した際の第１の透過Ｘ線を受けてその強度を検出する第１のＸ線検出器１３と、第２の特性Ｘ線が試料Ｓを透過した際の第２の透過Ｘ線を受けてその強度を検出する第２のＸ線検出器１４と、検出された第１の透過Ｘ線の強度の分布を示す第１の透過像と検出された第２の透過Ｘ線の強度の分布を示す第２の透過像とを作成し、第１の透過像と第２の透過像との差分からコントラスト像を得る演算部１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】検査対象物の残肉厚を適切に検出することができる非破壊検査方法を提供する。
【解決手段】所定の厚みを有する配管１０Ｂ等の検査対象物にγ線Ｅ_０をその厚さ方向に照射し、コンプトン効果により散乱された散乱γ線Ｅのうち特定のエネルギーを有する単色の散乱γ線Ｅを弁別し、弁別した散乱γ線Ｅに基づき前記配管１０Ｂの散乱γ線Ｅによる二次元の画像Ｃ１´，Ｃ２´を得、この二次元の画像Ｃ１´，Ｃ２´を正常な配管１０Ａの画像Ｃ１，Ｃ２と比較することにより前記配管１０Ｂの状態を検査するようにした。 （もっと読む）

【課題】 互いに積層されてパッケージに収容された複数の単結晶基板の夫々について、パッケージを破壊することなく反りを測定する。
【解決手段】
パッケージにＸ線を照射するステップと、受光スリットの調節及びパッケージの高さ方向の位置調節を行うことにより、パッケージに収容された複数の単結晶基板により回折された複数の回折Ｘ線のなかから、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線だけを選択的に検出するステップと、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線のロッキング曲線を測定するステップと、パッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを含み、ロッキング曲線測定を行うステップとパッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】無機元素を含む膜厚を精度よく測定できる有機薄膜の膜厚測定方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成され、無機元素を含み、密度が２ｇ／ｃｍ^３以下の有機薄膜４０中の無機元素の濃度Ｃ_Ａと、標準試料による無機元素の特性Ｘ線強度Ｋ_Ｓとに基づき、有機薄膜に電子線を照射したときの特性Ｘ線強度Ｋ_１を検出し、式１


（ρは有機薄膜の乾燥密度（g／cm^３）；Ｅ_０は入射電子１個のエネルギー；Ｅ_ｊ(Ａ)は無機元素のＫ殻の励起エネルギー；Ｒ_Ａは無機元素の原子番号補正定数；Ｓ’_Ａは標準試料の阻止能；Ｕ_０＝Ｅ_０/Ｅ_ｊ(Ａ)；Ｋ_Ａ＝（Ｋ_１/Ｒ_０）/（Ｋ_Ｓ/ｆ（ｘ））、但し、Ｒ_０は薄膜表面の特性Ｘ線の発生関数、ｆ（ｘ）は標準試料の吸収補正係数）によって有機薄膜の膜厚ΔＺを測定する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ材料で封止した部品中の単結晶基板の反りを、部品を破壊することなくパッケージ材料越しに回折Ｘ線を用いて測定する。
【解決手段】Ｘ線検出器１を固定したまま、入射Ｘ線４の波数ベクトル８の方向から測定した試料ステージ６の回転角ωを変化させると、ブラッグ条件が満たされるとき、すなわち試料３０内のＳｉチップの照射領域の表面と入射Ｘ線４の波数ベクトル８とのなす角αがある特定の値をとるとき、Ｘ線の結晶回折が生じＸ線検出器１で回折Ｘ線９が検出される。ここで、試料３０は、プリント基板上にＳｉチップが搭載され、それらがモールドにより封止した構造である。Ｘ線検出器１は、モールド越しに回折Ｘ線９を検出し、ロッキング曲線を取得することができる。このロッキング曲線に基づいて、Ｓｉチップの反り測定ができる。 （もっと読む）

【課題】鋼鈑の表面に形成されている、マグネタイトを含む酸化膜の厚さを非接触で測定できるようにする。
【解決手段】表層からヘマタイト２ｂ及びマグネタイト２ａが形成されている２層構造のスケール２が表面に形成されている熱延鋼鈑１に対してテラヘルツ波３を照射することにより、ヘマタイト２ｂの厚さを求める。そして、熱延鋼鈑１に対してレーザ光を照射して、ヘマタイト２ｂを除去すると共に、マグネタイト２ａを、そのマグネタイト２ａと略同じ厚さのウスタイト２ｃに変態させる。このようにしてスケール２をウスタイト２ｃだけにした後、熱延鋼鈑１に対してテラヘルツ波３を照射することにより、ウスタイト２ｃの厚さを求める。そして、算出したヘマタイト２ｂの厚さとウスタイト２ｃの厚さとから、スケール２の全体の厚さを算出する。 （もっと読む）

【課題】薄膜積層体の膜厚を高い精度で計測し、検査することが可能な薄膜積層体検査方法を提供する。
【解決手段】可干渉距離の長いＸ線を入射Ｘ線１とし、回転台３上に置かれた試料２で鏡面反射されたＸ線の一部をプリズム６で曲げ、直進したＸ線とプリズムで曲げられたＸ線を干渉させ、干渉縞を得る。試料は薄膜積層体であるが試料の一部に、薄膜が無く基板５が露出した部分がある。プリズムで曲げられなかったＸ線の一部に基板部分で鏡面反射されたＸ線９を含み、入射角を０．０１°から１°の範囲で変えて鏡面反射したＸ線の干渉縞を測定し、積層膜界面で反射されたＸ線の位相変化から膜厚を計測する。 （もっと読む）

【課題】薄膜結晶についても容易に表面形状や結晶性を評価可能な技術を提供する。
【解決手段】Ｘ線波面センサは、入射されるＸ線を複数の光束に分割する波面分割素子と、各光束を試料の異なる領域に照射し、それぞれの反射光を干渉させて検出する計測器とを備える。例えば、Ｘ線発生装置１０から入射されるＸ線をＸ線プリズム１２によって波面分割し、一方の光束はそのまま試料１４に当て反射光を検出器１６で検出する。もう一方の光束は、Ｘ線プリズム１５によって偏向して試料１４に当て反射光を検出器１６で検出する。検出器１６に現れる干渉縞の向きや間隔から、試料結晶１４の表面形状や結晶性の評価が可能となる。 （もっと読む）

【課題】どのような多層プリント配線板の場合でも、その内層回路の状態を任意の角度から把握することが可能な非破壊検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】固定式Ｘ線発生器、固定式垂直透過Ｘ線検出器及び２Ｎ個以上（Ｎ≧１の整数）の可動式の傾斜透過Ｘ線検出器を用いてプリント配線板の内部回路構造を測定し、プリント配線板を透過したＸ線を、固定式垂直透過Ｘ線検出器及び２Ｎ個以上（Ｎ≧１の整数）の傾斜透過Ｘ線検出器を用いて検出し、この検出器で得られたＸ線強度を信号に変換し、この信号を用いて、当該プリント配線板が備える外層から内層に至るまでの回路形状を立体構造的に表示する測定方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】例えば外径が数十ｎｍ以下の繊維状物質の長さを、短時間で簡便かつ精度よく測定可能な繊維状物質の測長用試料の作成方法及び測長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る繊維状物質の測長用試料の作成方法は、繊維状物質を揮発性溶媒中に分散させた分散液を作成する分散液作成工程と、導電性基板１上に前記分散液による液滴２を形成する液滴形成工程と、前記導電性基板１上に形成した液滴２を乾燥させて、中央部に比べて周辺部に残留する繊維状物質の密度が高くなるような残留痕２ａを形成させる残留痕形成工程とを有する。
また、本発明に係る測長方法は、上記測長用試料の作成方法で作成した測長用試料における残留痕２ａの中で、繊維状物質の１本毎の長さが観察できる特定の領域に、０．１〜３ｋＶの加速電圧で加速された電子ビームを照射して、そこからの２次電子像を観察することで繊維状物質の１本毎の長さを測定する測長工程を有する。 （もっと読む）

【課題】オートフォーカスの失敗による影響を除去でき、試料の特徴構造の寸法を正確に測定し得る電子顕微鏡を用いた試料の寸法の測定方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡は電子ビームの焦点を試料上に結ぶための対物レンズ151bと、対物レンズ151bに供給される励磁電流を供給するレンズ制御部150bと、特徴構造を測定するホストコンピュータ102を有している。ホストコンピュータ102は、対物レンズ151bに供給される励磁電流を変化させ、対物レンズ151bに供給される各励磁電流における前記試料の特徴構造の寸法データを測定し、この測定により得られる寸法データの変化を示す変動量が所定値以下となる寸法データを、試料の特徴構造の寸法として決定する。 （もっと読む）

【課題】検査対象物内の液体の流れを停止させないで保温材内の水の存在位置を精度良く測定できる水分検出装置を提供する。
【解決手段】配管検査装置１５の中性子発生管１及び中性子検出器を有する。中性子発生管２は単一エネルギーを有するパルス状の高速中性子２０を発生し、保温材１２に照射する。高速中性子２０は保温材１２内に存在する水１４及び配管１１内を流れる液体１０によって減速されて熱中性子２１となる。高速中性子２０の照射方向とは逆方向に進行する熱中性子２１は^３Ｈｅ比例計数管２で検出される。この計数管２からの出力信号は多チャンネル波高分析器８を経てデータ処理装置９に達する。データ処理装置９は高速中性子の発生時刻を基準とする熱中性子検出率の分布情報を算出し、さらに、この分布情報を用いて、保温材１２内に水１４が存在する場合の水１４の位置及び水１４の量を求める。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＥＭ等の走査型荷電粒子顕微鏡を用いた断面形状計測を１回のサンプル作成で複数の断面について行うことができるようにしたパターン寸法計測方法及びそのシステムを提供することにある。
【解決手段】走査型荷電粒子線顕微鏡を用いて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うパターンの計測方法であって、収束荷電粒子線の焦点位置を前記計測対象パターンの所望の断面に合せてｚ方向に対して順次変化させ、それぞれの焦点位置での前記計測対象パターンの透過電子画像若しくは散乱電子画像を取得し、それぞれの焦点位置で取得した透過電子画像若しくは散乱電子画像を処理して、該それぞれの焦点位置での電子画像内での計測対象パターンのエッジ位置を算出し、該算出されたそれぞれの焦点位置での電子画像内の計測対象パターンのエッジ位置とそれぞれの焦点位置との組み合わせに基づいて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】標準試料を使用することなく正確に測定可能な走査型電子顕微鏡及びそれを用いる測定方法を提供すること。
【解決手段】試料６に対して走査する電子線（入射線）を断続的に照射し、該電子線が試料６に照射されたときに発生する後方散乱電子を後方散乱電子検出器２２で検出し、時間差検出部５３により、試料６に照射される電子線と後方散乱電子検出器２２で検出した後方散乱電子との時間差を比較計測し、試料表面の形状を測定する。 （もっと読む）

【課題】基板上の積層構造上のパターンの欠陥を、良好な精度で検出する基板検査装置、および基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板上の第１の層上に該第１の層と組成の異なる第２の層が積層された積層構造上に、該第２の層が一部露出するように形成されたパターンの欠陥を検査する基板検査装置であって、前記基板上に１次電子を照射する電子放出手段と、前記１次電子の照射により生成される２次電子を検出する電子検出手段と、前記電子検出手段で検出された２次電子のデータを処理するデータ処理手段と、前記１次電子の加速電圧を制御する、電圧制御手段と、を有し、前記電圧制御手段は、前記１次電子が、前記第２の層が露出した部分で前記第１の層と前記第２の層の界面近傍以外の、前記第１の層または前記第２の層の中に到達するように加速電圧を制御することを特徴とする基板検査装置。 （もっと読む）

【課題】 磁気テープに形成された複数層の磁性膜の膜厚を迅速、簡易に、かつ高い精度で測定し得る膜厚測定方法及び膜厚測定装置を提供すること
【解決手段】 Ｘ線源２１によって磁気テープ２２の磁性膜１０にＸ線を照射し、磁性膜１０とシリコンドリフト検出器（ＳＤＤ）３３との間にＴｉフィルタ２６とＡｌフィルタ２７を配置し、下層磁性膜１１、上層磁性膜１２に含まれるＦｅと、上層磁性膜１２にＦｅと共に少量含まれるＹとから放射される蛍光Ｘ線の内、Ｙからの蛍光Ｘ線の強度を相対的に強調してＳＤＤ３３に入射させる。ＳＤＤ３３よって電流パルスとして検出される蛍光Ｘ線の強度を電圧パルスに変換し、その電圧パルスの波高を計数回路３４によって蛍光Ｘ線の強度としてカウントして、小型コンピュータ２５により蛍光Ｘ線スペクトルを描かせ、ＦｅとＹについて波形分離して定量分析し、検量線に基づいて下層磁性膜１１、および磁性膜１０の膜厚を測定する。 （もっと読む）

【課題】検査対象の表面の電位分布を均一にし、撮像した画像のコントラストを向上させる。
【解決手段】電子銃から放出された電子ビームを対象に照射し、対象から放出された電子を検出器を用いて検出し、前記対象の画像情報の収集、対象の欠陥の検査等を行う撮像装置において、前記対象に帯電した電荷を均一化若しくは低減化する手段を有する。 （もっと読む）

二つの交差箇所で容器と交差する計測放射線の第１及び第２の試験経路に沿った放射線の吸収を決定する、例えばＰＥＴ製のボトル等の容器の壁厚を検出するための方法である。二つの試験経路（２、３）は、各々、ほぼ共通の少なくとも一つの交差箇所（６）を有する。更に、容器の側壁から容器の底領域への移行領域の壁厚を計測する。本発明は、更に、対応する装置に関する。
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【課題】半導体装置の製造過程にあるウェハ上の半導体装置の同一設計パターンの欠陥，異物，残渣等を電子線により検査する回路パターン検査装置において、条件設定の効率、検査時間の短縮及び検査の信頼性を向上する。
【解決手段】欠陥の存在を検出する為の大電流高速画像形成用の検出信号処理回路と、この欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位の画像形成用の検出信号処理回路とを独立に設ける。または、欠陥検出検査の為の第１の電子光学系と欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の電子光学系とを同一の真空容器内に並べて収容する。または欠陥検出検査の為の第１の検出器とこの欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の検出器とを設ける。 （もっと読む）

【目的】 研磨における加工終点を十分に検出することができる方法及びかかる方法を適用することが可能な研磨装置を提供することを目的とする。
【構成】 基板２００を研磨する研磨パッド２３０、ターンテーブル２２０や、トップリング２１０等から構成される研磨部と、前記基板２００の表面側と裏面側とのうち、いずれか一方に配置され、前記研磨部が前記基板を研磨する間、複数の陽電子１１２を放出する陽電子線源１１０と、前記基板２００を挟んで前記陽電子線源１１０と対向して配置され、放出された前記複数の陽電子１１２の寿命を測定する、シンチレータ１２２，１２４、ＣＦＤ１４２，１４４、ＴＡＣ１５０や、ＭＣＡ１６０等から構成される測定部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）