説明

Fターム[2F067KK08]の内容

Fターム[2F067KK08]に分類される特許

41 - 60 / 291


【課題】粒子線又はエネルギー線等の照射精度が向上し、位置あわせも容易になる走査照射装置のステージ位置合わせ方法を提供すること。
【解決手段】ターゲットをステージに置くと共に、粒子線又はエネルギーを走査状に当該ターゲットに照射する走査照射装置のステージ位置合わせ方法であって、前記ステージの端に平行線を描き、前記位置合わせするもう片方にも同じ幅の平行線を描いておき、前記粒子線やエネルギー線を平行線状に照射してモアレ縞を出し、前記モアレ縞が一致することで前記位置あわせを行うことを特徴とする走査照射装置のステージ位置合わせ方法。 (もっと読む)


【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第1層に位置ズレ計測用のパターン111と第1パターン101とを形成する。開口部形成工程では、前記第1層よりも上層に積層した第2層103に前記位置ズレ計測用のパターン111を露出させる開口部と第2パターン102とを形成する。 (もっと読む)


【課題】パターンの高さを非破壊で迅速に測定することができるパターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法を提供する。
【解決手段】試料表面の観察領域を電子ビームを照射で走査し、観察領域の斜め上方に配置された検出器99aによる二次電子の検出信号に基づいて画像(SEM画像)を取得し、その画像に現れるパターン82の影の長さLを検出する。そして、あらかじ求めた検出器99aの試料表面に対する見掛け上の角度θと検出された影の長さLとに基づいて、パターン82の高さHをH=L×tanθにより求める。パターン82の影の長さLは、例えばパターン82のエッジ82a、82bと直交するラインX−X上の二次電子の強度分布を抽出し、その二次電子の強度分布の凹部が所定のしきい値Iと交差する2点間の距離として求める。 (もっと読む)


【課題】nmオーダーの表面傷の観察が可能な技術を提供することである。
【解決手段】基体の表面特性を観察する方法であって、基体の表面に、該基体表面を構成する材料の仕事関数と異なる仕事関数を有する材料で構成される膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程において設けられた前記基体表面に存する凹部を埋めた該膜の構成材料が残存するように該基体表面に設けられた膜を除去する膜除去工程と、前記膜除去工程後の基体の表面を電子顕微鏡で観察する観察工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、設計データ、或いはシミュレーション画像に基づいて、実画像に近いパターンを形成する画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体素子の設計データに基づいて、荷電粒子線装置の動作条件を設定する画像処理部を備えた画像処理装置であって、荷電粒子線装置の装置条件情報,パターンの種類、及びパターンの部位毎のパターン情報の複数の組み合わせを記憶するライブラリにアクセスし、装置条件、及びパターンの種類の選択に基づいて、パターンの部位毎のパターン情報を用いた各部位の合成画像を形成する画像処理装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】
パターン直上から撮像されたSEM画像を用いる計測で、レジスト膜減りなどのパターン高さ変化が発生しても、その断面形状を正確に計測できるようにする。
【解決手段】
荷電粒子線装置を用いて試料上に形成されたパターンの形状を計測する方法において、収束させた荷電粒子線を試料上に照射して走査することにより試料から発生する二次荷電粒子を検出して試料表面に形成されたパターンの荷電粒子線画像を取得し、予め求めておいたパターンの高さとこのパターンの荷電粒子線画像の情報との関係に基づいて取得したパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの高さ情報を求め、この求めたパターンの高さ情報を用いてパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの寸法を算出するようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、シュリンクするパターンのシュリンク量、シュリンク前のもとの寸法値を正確に測定するパターン寸法測定方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、パターンの第1の部分に対するビーム走査を実施した後、前記パターンを含む試料に対し、薄膜を形成し、当該薄膜が形成された前記第1の部分に相当する領域にビームを走査して第1の測定値を取得し、前記第1の部分と設計データ上、同じ寸法を持つ第2の部分に対し、ビームを走査して第2の測定値を取得し、当該第2の測定値から前記第1の測定値を減算する減算処理に基づいて、前記パターンのシュリンク量を求めることを特徴とするパターン寸法測定方法、及び装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】コークス炉や精錬炉などにおける高温のレンガの厚みを簡便で精度よく測定することができるレンガ厚み測定方法を提供する。
【解決手段】レンガ13にアンテナ12から電磁波を放射して、屈折率の異なる材質14の境界面での電磁波の反射をアンテナ12で受信して、電磁波がレンガ13の背面で反射して受信アンテナ12に戻ってくるまでの時間tとレンガ13の電磁波伝播速度vから熱間でレンガ厚みを測定する方法において、アンテナ12とレンガ13の間に4〜300mmの厚さの断熱層16を充填させることを特徴とするレンガ厚み測定方法。 (もっと読む)


【課題】パターン変形や欠陥を定量的に評価できる方法を提案する。
【解決手段】電子顕微鏡により、同一形状及び同一サイズを有するように形成された複数の形成済みパターンを観察し、複数の顕微画像を取得する。次に、当該複数の顕微画像を積算し、積算画像を生成する。一方で、当該顕微画像に対応する参照画像を記憶領域から取得する。次に、積算画像に含まれる所定のパターンのパターン幅を一次元方向について多点測定する。一方で、積算画像と同じパターンを対象に、積算画像と同一地点について、参照画像のパターン幅を多点測定する。この後、積算画像について取得された多点測定結果列と、参照画像について取得された多点測定結果列の間で相互相関係数を算出し、その演算結果より積算画像と参照画像の相関度合いを判定する。 (もっと読む)


【課題】検査準備時間が短く、1ダイの画像検出のみで欠陥判定のできる高速な回路パターン検査方式とその装置を提供する。
【解決手段】設計情報を参照して該当座標と同一のパターンが期待できる座標と位置合わせ用の座標を選定する。位置合わせ座標で検出画像と設計情報の位置合わせを行いずれ量を補正し、同一なパターンが期待できる座標のパターンと比較することにより、1ダイのみの画像検出であってもパターン比較を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】センサ組み立て体内の電磁放射を低下させ、信号強度の低下を防止する。
【解決手段】センサ組立体110内で使用するセンサプローブ202は、少なくとも1つのマイクロ波信号から少なくとも1つの前方伝播電磁場224を生成し、少なくとも1つの後方伝播電磁場228を生成するように構成された放射体206と、放射体に結合されたデータ管路204からなり、データ管路204周りにほぼ円周方向に延び、センサ組立体内の電磁放射を大幅に低下させるように構成された接地導体を設ける。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波を利用し測定範囲を広げると共に、その高い周波数特性により、測定精度を上げる。
【解決手段】センサアセンブリ110を備え、センサアセンブリ110は、少なくとも1つのマイクロ波信号から、少なくとも1つの電磁場209を発生させるマイクロ波エミッタ206を備える少なくとも1つのプローブ202であって、部品が少なくとも1つの電磁場と相互作用すると、マイクロ波エミッタに負荷が生じるプローブと、マイクロ波エミッタに結合されたデータコンジット115であって、負荷を表す少なくとも1つの負荷信号が、マイクロ波エミッタからデータコンジット内に反射されるデータコンジットと、少なくとも1つの負荷信号を受信し、部品を監視するのに使用される電気出力を生成するように構成された少なくとも1つの信号処理器200とを備える、部品104の監視システム。 (もっと読む)


【課題】本発明は、合成画像を形成する場合に、重複領域のパターンの状態に応じて、適正に合成画像を形成することを目的とする合成画像形成方法、及び合成画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の画像を合成して合成画像を形成する合成画像形成方法、及び装置であって、複数の画像間の重複領域について、当該重複領域中に含まれるパターンの属性情報を作成し、当該パターンの属性情報に基づいて、合成対象となる画像を選択し、当該選択に基づいて画像合成を行う方法、及び装置を提案する。また、他の一態様として、重複領域内の属性情報を用いて、複数段階で画像合成を行う方法、及び装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】電気気抵抗式溶融炉における電極の長さを正確に測定して、少なくとも溶融スラグ層と溶融金属層との界面を正確に検知するとともに、上熱現象や電極の折損事故等の不具合を防ぐ。
【解決手段】炉内に堆積した被溶融物に、炉内に垂下する炭素電極を差し入れ、電極間を通電して被溶融物を溶融する電気抵抗式溶融炉における炭素電極の長さを測定する方法であって、少なくとも1本の炭素電極に、軸線に沿って下端まで延びる空孔を形成して上端にマイクロ波送受信器を装着するか、内部に電極下端に達する金属製パイプを挿通し、上端にマイクロ波送受信器を装着してマイクロ波を送信し、空孔または金属製パイプの下端で反射されたマイクロ波を受信して電極の長さを求める。 (もっと読む)


【課題】 描画精度とスループットとの両立の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線でパターンを基板にショット領域ごとに描画する描画装置は、基板を保持し移動可能なステージと、複数の荷電粒子線を前記基板に投影する投影系と、前記基板に形成されたマークに前記投影系を介して入射した荷電粒子線により飛来する荷電粒子を検出して前記マークの位置を計測する計測器と、制御部とを備える。前記制御部は、あるショット領域に対する描画動作の開始から当該ショット領域に対する描画動作の終了までの間に、前記複数の荷電粒子線の中の少なくとも1つの荷電粒子線を用いて前記計測器により前記マークの位置を計測し、前記計測器の計測結果から前記複数の荷電粒子線の前記基板上における入射位置を補正するように前記ステージ及び前記投影系の少なくとも一方を制御する。 (もっと読む)


【課題】 電子顕微鏡で用いられる倍率校正を自動で安定かつ高精度で行う標準部材を提供する。
【解決手段】 夫々異なる材料を交互に積層させた多層膜断面と、第一のシリコン層を挟み、前記多層膜断面と平行に配置される、複数の第一のマークパターンと、前記多層膜断面に対して、前記第一のマークパターンとは反対側に前記第一のシリコン層よりも厚さの厚い第二のシリコン層を挟んで、前記多層膜断面と平行に少なくとも一対の第二のマークパターンと、前記多層膜断面に対して第一のマークパターンおよび前記第二のマークパターンの外側にシリコン層とを同一面に有する。 (もっと読む)


【課題】測定対象物の表面領域を撮影して得た画像に対し表面領域でのセンサによる電磁波の検出値をいわゆるマッピングさせて表示可能なセンサ検出値表示システムを提供する。
【解決手段】主装置3は、センサ2とともに撮影された表面領域101の画像であるセンサ込み表面領域画像を用いてセンサ2の表面領域での座標を検出するセンサ座標検出部32と、カメラ1により撮影される表面領域の画像である表面領域画像とセンサ2により得られる検出値とセンサ座標検出部32により検出される座標を取得し、表示装置31に表面領域画像を表示させるとともに座標の位置に検出値を表示させる表示制御部34とを備える。 (もっと読む)


【課題】近接度応答の線形範囲を拡大する。
【解決手段】マイクロ波センサ組立体110は、あるパターンの周波数を含む少なくとも1つのピンクノイズ系マイクロ波信号を生成するための信号処理デバイス200と、前記信号処理デバイスに結合された少なくとも1つのプローブ202と、を含む。プローブは、少なくとも1つのピンクノイズ系マイクロ波信号から電磁場224を生成するように構成された放射源206を含み、放射源206から前記信号処理デバイスに負荷信号が反射するように物体が前記電磁場内に配置されたとき、前記放射源は離調する。 (もっと読む)


【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と1回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と2回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、1回目の露光の工程で形成されたパターンと2回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 (もっと読む)


【課題】エミッタの散乱パラメータを安定化さすセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】センサアセンブリ110は、所定の周波数範囲内で複数の周波数成分を含む少なくとも1つのマイクロ波信号から少なくとも1つの電磁界224を発生させるエミッタ206を備えた少なくとも1つのプローブ202であって、部品が少なくとも1つの電磁界224と相互に作用した場合にエミッタ206に負荷が誘起される、少なくとも1つのプローブ202と、エミッタと結合されたデータコンジット204であって、負荷を表す少なくとも1つの負荷信号がこのデータコンジット204内でエミッタ206から反射されるデータコンジット204と、少なくとも1つの負荷信号の受信と電気的出力の発生とを行うように構成された少なくとも1つの信号処理装置200と、を備える。 (もっと読む)


41 - 60 / 291