【課題】低段差試料や帯電試料の観察、測定等において、反射荷電粒子信号に基づく画像を形成する際にも、倍率変動や測長誤差によらずに正確な画像を取得する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】二次荷電粒子信号を検出する第１の検出条件と、反射荷電粒子信号を検出する第２の検出条件との間で、荷電粒子線の走査偏向量を補正するように偏向器を制御する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。このような構成によれば、検出する荷電粒子信号の変更による倍率変動や測長誤差を補正することが可能となるため、反射荷電粒子信号に基づく画像を正確に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な，高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし，膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて表面にレジストパターンが形成された試料の画像を取得する電子線画像取得手段と、該取得した画像を処理して前記レジストパターンの所望の領域の画像の明るさのばらつきの特徴を定量化する定量化手段と、該定量化手段で定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出する指標値算出手段と、該指標値算出手段で算出した指標値の情報を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする電子顕微鏡システムである。 （もっと読む）

【目的】本発明は、輪郭線抽出方法、輪郭線抽出プログラムおよび面積測定方法に関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定して出力およびその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線の情報を出力および内部の面積を算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】所定の設備内の監視対象について、計測センサによる測定と目視による観測（監視）を同時に行うことができる設備監視装置を提供すること。
【解決手段】設備Ｅ内の監視対象を観察する設備監視装置に、監視対象を観察するために用いられる可視光とマイクロ波との共通の経路Ｌ上に設けられ、可視光及びマイクロ波のいずれか一方を透過させると共に、他方を該透過方向とは異なる方向に向けて反射させる分離器２２と、分離器２２によるマイクロ波の透過方向又は反射方向に設けられ、マイクロ波に基づいて監視対象の状態を検出するマイクロ波検出部２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】無線装置に電波を放射した際に、より大きい発熱量を急峻に得られるようにする。
【解決手段】ＩＣタグ１００において、比較器１３６は、受信電力が所定の大きさ以上であると判定すると、アンテナ１０１とコンデンサ１２１とを接続するようにスイッチ１０２を制御する。この状態において、アンテナ１０１がＩＣタグリーダから送信される電波を受信することで、アンテナ１０１が発熱する。この状態では、ＲＦ回路１１１がアンテナ１０１から切り離されているので、ＩＣタグリーダが強い電波を送信してアンテナ１０１の発熱量を大きくすることができ、より大きい発熱量を急峻に得られる。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト構造であっても、パターン底部の寸法を高精度に計測できる荷電粒子線装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】 アスペクト比の高いパターンが形成された試料のパターン寸法底部を計測する方法において、試料の同一領域に荷電粒子線を第１方向及び第１方向とは逆の第２方向に走査させたときにそれぞれ発生する信号荷電粒子に基づく第１走査像と第２走査像とを比較し、走査像の信号強度が小さい方を真値とし、走査像を再構築し、再構築した走査像を用いて試料に形成されたパターン底部の寸法を計測する。また、その方法を実現する荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】物体から放射される電磁波を利用して路面上にある凹凸を検出することのできる路面凹凸検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の路面凹凸検出装置１は、物体から放射される電磁波を検知するアンテナ２と、電磁波の受信電力の変化が所定値以内となる領域を路面領域として検出し、路面領域の受信電力に基づいて基準レベルを設定する基準レベル設定部３と、電磁波の受信電力が基準レベルから所定値以上まで増加してから基準レベルまで減少する領域を増減領域として検出する増減領域検出部４と、受信電力の振幅に基づいて凹凸の高さを検出する凹凸高検出部５と、増減領域における水平方向の幅に基づいて凹凸の幅を検出する凹凸幅検出部６と、路面領域の間に増減領域が存在している場合に増減領域を路面上の凹凸として検出する凹凸検出部７とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターンのエッジの幅及び傾斜角を高精度に測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを試料表面の観察領域で走査させ、電子ビームの照射によって試料の表面から放出された二次電子を、電子ビームの光軸の周りに配置された複数の電子検出器で検出するパターン測定装置において、パターン６１の延在方向に直交し、かつ光軸を挟んで対向する２方向からの画像を取得する。そして、それらの画像から、エッジと直交するライン上のプロファイルＬ６，Ｌ７を抽出し、それらの差分を取った差分プロファイルＬ８を求める。その差分プロファイルＬ８の立下り部分Ｒ２，Ｒ３に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの上端を検出し、ラインプロファイルＬ６、Ｌ７の立ち上がり部分Ｒ１又は立下り部分Ｒ４に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの下端の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波エレメントへの物体の近接を検出するために使用されるセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】少なくとも１つのマイクロ波信号を発生するように構成された信号発生器１０４と、信号発生器１０４に接続された結合器１０６と、結合器１０６に結合されたマイクロ波エレメント１０８と、結合器１０６に接続された処理モジュール１１２が含まれている。マイクロ波エレメント１０８は、少なくとも１つのマイクロ波信号の関数として電磁界を発生するように構成されている。マイクロ波エレメント１０８は、物体１０２が電磁界と相互作用すると、装荷信号を結合器１０６へ反射するように構造化されている。処理モジュール１１２は、基準信号を使用して装荷信号を処理し、マイクロ波エレメント１０８への物体の近接を表すデータ信号を生成するように構成されている。データ信号はサブ−マイクロ波周波数を画定する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法を提供すること。
【解決手段】例えばメモリ・アレイまたは類似の構造内の個々のビット・セルの欠陥を特徴づけまたは補正するために、本発明の好ましい実施形態を使用して、メモリ・アレイまたは類似の構造内の単一のビット・セルへ迅速にナビゲートすることができる。アレイの（Ｘ軸またはＹ軸に沿った）１つのエッジのセルの「ストリップ」を走査するために高解像度走査を使用して、所望のセルを含む列の位置を特定し、続いて、位置が特定された列に沿って（もう一方の方向に）、所望のセル位置に到達するまで同様に高速走査する。これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】バックリング検査装置に対して適切な校正を行うべく、信頼性の高い性能評価を行うことができるバックリング検査装置の評価装置及びバックリング検査装置の評価方法を提供する。
【解決手段】架台２２を回転させることで、アンテナ１１及び１２を検査時の相対位置関係を保ったままプロセスライン外に移動する。このとき、移動後のアンテナ１１及び１２と校正板４０との相対位置関係を、検査時におけるアンテナ１１及び１２と金属鋼板１との相対位置関係と同じにする。また、校正板４０には、検査対象のバックリング２を模した校正用突起物４０ａを形成しておく。この状態で、校正装置３０は、校正板４０に対して検査時と同様の処理を行って、校正用突起物４０ａを適切に検査できているか否かを確認することで、バックリング検査装置１０の検査性能を評価する。 （もっと読む）

【課題】検査データから解析対象箇所を選択する場合、全体の中で重要性の高い欠陥が解析対象にならなかった。また、欠陥に対してマーキングを一定の位置で行うと、欠陥の形状や大きさにより、欠陥自体に影響を与え、後段の解析装置での解析に支障をきたすという問題があった。更に、ノンパターンウェーハの場合には、ＳＥＭで欠陥が見えない場合、マーキングができなかった。
【解決手段】重要性の高い欠陥が解析対象を選択するため、レビューＳＥＭの自動分類結果を用いて、解析対象欠陥を選択する。また、欠陥自体に影響を与えないため、欠陥毎に距離を変えてマーキングを行う。このため、ＡＤＲまたはＡＤＣで欠陥の形状，サイズを認識して、影響範囲を考慮した距離を追加した距離にマーキングする。更に、ＳＥＭで観察できない欠陥の場合、光学顕微鏡での観察結果を用いてマーキングする。 （もっと読む）

【課題】 測定対象のパターンを、その外形によって特定することが困難である場合に、外形及び明るさ以外の情報によって測定対象パターンを特定する技術を提供する。
【解決手段】 走査型電子顕微鏡を用いて、測定対象物の二次元画像を取得する。取得された二次元画像から、測定対象候補として、相互に隣接している２つのパターンを抽出する。測定対象候補の２つのパターンの内部の領域の各々の表面粗さを算出する。算出された表面粗さに基づいて、測定対象候補の２つのパターンのうち一方を、測定対象パターンとして採用する。採用された測定対象パターンの寸法を測定する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚が薄い場合であっても、ＳＯＩ層における微小領域において、高い空間分解能でその膜厚を正確に測定することができるＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、絶縁層と、該絶縁層上に形成されたシリコン単結晶からなるＳＯＩ層とを有するＳＯＩウェーハにおける、前記ＳＯＩ層の膜厚測定方法であって、
前記ＳＯＩ層の表面に電子線を照射し、前記ＳＯＩ層で減衰されて透過した前記電子線によって、前記絶縁層中の特定元素が励起されることによって発生する特性Ｘ線を、前記ＳＯＩ層の、前記電子線を照射した表面側から検出し、前記検出された特性Ｘ線の強度に基づいて前記ＳＯＩ層の膜厚を算出することを特徴とするＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚測定方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、機構部が高炉内の熱や高濃度粉塵等の影響を受けずに、高精度なプロフィル測定を行うことができる高炉内装入物のプロフィル測定装置を提供する。
【解決手段】高炉２の炉頂部に設置され、高炉内装入物４のプロフィルを測定するプロフィル測定装置１であって、マイクロ波の発信および受信が可能なマイクロ波送受信器１４と、マイクロ波を放射するアンテナ１１と、マイクロ波送受信器１４とアンテナ１１とを連結する導波管１３と、アンテナ１１から放射されたマイクロ波を高炉２の炉内に向けて反射する反射板１２と、反射板１２を駆動する反射板駆動装置１６と、反射板１２と反射板駆動装置１６とを連結する駆動軸１５と、からなる測定装置本体部１０全体が、高炉２の炉内に向けた開口部２１を有する耐圧容器内９に収納されている。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】表示パターンのフレームサンプリングから得られた撮像画像（シグナルイメージ）の収縮、膨張等のフレーム間の幅に不均等な部分が生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出し、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出する。
【解決手段】表示パターンを撮像して得られる撮像画像（シグナルイメージ）において、実検出ラインの座標位置を検出した後、次に座標位置を検出する実検出ラインを求める際に、前の実検出ラインの信号強度パターンと比較することによってラインの良・不良の検出、および、不良ラインの収縮又は膨張の判定を行い、次の実検出ラインを求める。ラインの良・不良を検出し、不良ラインの収縮・膨張の判定することによって、ライン幅にばらつきが生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出する。 （もっと読む）

【課題】 曲面を有する膜厚を正確に計測する。
【解決手段】 膜厚の検査装置は、テラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生器１５と、前記テラヘルツ波を、膜が形成された試料に照射させる照射光学系１６、１７と、前記試料において反射したテラヘルツ波を検出し、検出信号を出力するテラヘルツ波検出器２２と、前記試料の反射面の形状情報に基づき、当該反射面から前記テラヘルツ波検出器に至るまでの反射波の電場強度を参照信号として算出し、前記参照信号を用いて前記検出信号を補正する制御装置５を備える。 （もっと読む）

【目的】本発明は、定データの判定方法および測定データの判定プログラムに関し、複合的に判定する機能を実現することを目的とする。
【構成】取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上の測定対象のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準をそれぞれ作成して判定基準テーブルに登録するステップと、取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準に対応する測定データをそれぞれ算出するステップと、算出した複数の測定データについて、前記判定基準テーブルから取り出した複数の判定基準をもとにそれぞれ良否を判定するステップと、判定した判定結果を出力するステップとを有する。 （もっと読む）