【課題】半導体等を高速に検査できるパターン検査装置およびパターン検査方法を提供する。
【解決手段】電子光学系を少なくても３本以上配置し、複数の電子源を搭載した電子銃室を試料室とは独立に真空排気することによって複数の電子源近傍の真空度を常に高真空に保つ。また、電子線通路を高真空排気可能な遮蔽電極で電界および磁界を各電子光学系内に封じ込めることとともに、試料に負の電圧を設定して二次電子や反射電子を電子線光軸の電子源側の方向に加速することによって、二次電子や反射電子を同一光学系内で検出する。 これにより、同一の回路パターン同士でほぼ同時に得られた検出信号を比較し、パターン検査の欠陥判定を同時に行う。 （もっと読む）

【課題】ミラー電子を使った電子線式検査装置においては、ウェハ上で予備帯電された領域の境界が像となって現れてしまい、正しい検査ができなかった。また、予備帯電は検査と同時に行われるため、照射時間を長くする必要がある場合、ステージの移動速度を遅くせざるを得ず、検査速度が遅くなってしまっていた。
【解決手段】予備照射のビーム源とウェハとの間に、そのサイズが可変な開口を設け、その大きさの一辺をウェハのチップ列の幅と等しくなるように設定し、かつ、チップ列と垂直方向へのウェハの動きに合わせて、開口も移動するように制御する。また、ステージの移動速度を遅くすること無く、ウェハの検査時のステージ移動途中に十分なビーム照射ができるように、その開口をチップ列と平行な方向に大きくするよう設定できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 小型かつ簡易な構造であっても、複雑な形状等を有する測定試料の元素分布マップを精度良く作成することができるＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】 測定試料に電子線を照射して、当該測定試料から発生する特性Ｘ線の強度を測定するための検出手段を備えたＸ線分析装置であって、測定試料及び検出手段の相対位置を変更するための回転手段と、測定試料の特性Ｘ線の強度を複数位置で測定するための検出手段と、特性Ｘ線強度の加算値を求めるとともに、当該加算値に基づいて、測定試料の元素分布マップを作成する作成手段と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】白色光・レーザ光、あるいは電子線を照射して形成された画像を用いて微細な回路パターンを検査する技術において、検査に必要な各種条件を設定する際にその操作性効率を向上するめの技術を提供する。
【解決手段】回路パターンが形成された基板表面に光、あるいは光および荷電粒子線を照射する手段と、該基板から発生する信号を検出する手段と、検出手段により検出された信号を画像化して一時的に記憶する手段と、上記記憶された当該領域の画像を他の同一の回路パターンが形成された領域と比較する手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する手段からなる回路パターンの検査装置であって、検査用および検査条件設定用の操作画面に操作内容あるいは入力内容を表示する画面領域とその画面を表す項目名を表示する手段を備えており、且つ該項目名は該操作画面領域で一体化して表示する。 （もっと読む）

【課題】遮蔽板の小型化、装置重量の増加、装置サイズの肥大化、及び有害物質による環境への影響を最小限に抑えつつ、電磁波の漏洩量を低減する電磁波低減方法を提供する。
【解決手段】保持手段により保持される被検体１０５を透過してくる電磁波透過画像を用いて検査を行う際の電磁波漏洩を減少させるための電磁波漏洩低減装置において、前記電磁波透過画像を得るための第一の電磁波発生手段１０１と、被検体１０５を透過する第一の電磁波発生手段１０１の線量を測定するために前記第一の電磁波発生手段に対向して配置される電磁波検出手段１０３と、第一の電磁波発生手段１０１の電磁波軸上で第一の電磁波検出手段１０３の延長上に配置される第二の電磁波発生手段１１１と、を備え、当該電磁波透過画像を撮像するための第一の電磁波発生手段１０１の電磁波の漏洩電磁波を第二の電磁波発生手段１１１からの電磁波を干渉させて当該漏洩電磁波を低減させる。 （もっと読む）

【課題】レシピ作成及び欠陥確認の使い勝手がよく、かつ迅速に行うことのできるパターンの検査装置を提供する。
【解決手段】欠陥確認画面は、ウェハマップを表示する「マップ表示部」６１、欠陥画像を一覧表示する「画像表示部」６２、欠陥の詳細情報を表示及び設定する「リスト表示部」６３、選択された欠陥項目についてグラフ表示する「グラフ表示部」６４を有する。それぞれの表示部は連動して動作し、選択されたマップ情報に対応して欠陥画像、欠陥情報リスト、欠陥グラフが変化する。これら情報を利用して入力された分類コード及びクラスタリング条件及び表示フィルタはレシピに登録される。 （もっと読む）

【課題】加速電圧、WD、ラスターローテーションなどの、任意の観察・分析条件下において、高精度な画像ドリフト補正を行う。
【解決手段】ドリフト検出用の基準画像を取得するときに、イメージシフト量の異なる画像も同時に取得して、イメージシフト感度を随時計測する。この基準画像とイメージシフト感度を自動的に登録し、ドリフト補正時にこれら登録条件に従って、ドリフト量検出とイメージシフト制御（ドリフト補正）を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は分析方法及び装置に関し、試料の構成元素及び組成比が未知な場合においても正確な定量分析を行なうことができる分析方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 軽元素を主成分とする試料中に含まれる微量元素を分析する分析装置において、Ｘ線を放出する励起線源１と、該励起線源より放出される特性Ｘ線又はγ線の内の何れか一方が試料２によって弾性散乱された特性Ｘ線又はγ線の内の何れか一方と非弾性散乱されたコンプトン散乱線の強度比を算出する算出手段４ａと、予め用意されている複数の種々の材質に対する検量線から実測された強度比に対応したものを読み出し、この検量線を用いて目的元素の定量を行なう定量手段４ａとを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】
電子線を照射し、その二次電子などを検出する検出系では高速で検出するには検出器の面積が重要なファクタである。現在の電子光学系、検出器の技術では一定以上の面積の検出器が必要で、面積に逆比例する周波数で制約を受け、２００Msps以上の検出は実質的に困難である。
【解決手段】
例えば必要面積４mm角、４mm角時の速度を１５０Mspsとして４００Mspsで検出するには、単体の高速な２mm角の検出器を４個並べ、それらを増幅後、加算してA/D変換する。又は、二次電子偏向器で順次８mm角の検出器に二次電子を入射させ、１００Mspsで検出、A/D変換後並べる。いずれも、４mm角の面積と４００Mspsの速度を達成可能である。
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複数の個別のコンポーネントを有するプリント配線アセンブリにおいてマイクロ蛍光Ｘ線分光分析法を用いて有害物質を識別する方法に関する。検出分析計としてマイクロ蛍光Ｘ線分光分析法（μ−ＸＲＦ）及びＸ線吸収微細構造（ＸＡＦＳ）分光を用いて、電子デバイスにおいて問題の材料を識別する。検査されるデバイス又はアセンブリは、参照データベースにおける情報に応じて、プローブ下、そのデバイス又はアセンブリをＸ，Ｙ，Ｚ方向へ移動させ、アセンブリ上の選択された位置の元素組成を決定することによって分析される。プローブは分析のための各選択位置から最適な分析距離に位置する。各選択位置の決定された元素組成は参照データベースと関連付けられ、検出された元素はアセンブリにおける様々なコンポーネントに対し割り当てられる。
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【課題】組成成分が分からない蒸気タービンロータにおいて、応力集中部となる蒸気タービンロータの翼植込み部などの強度および余寿命時間を、その後の運用に支障をきたすことなく、非破壊的に評価する蒸気タービンロータの余寿命評価装置および蒸気タービンロータの余寿命評価方法を提案することを目的とする。
【解決手段】組成成分が不明な蒸気タービンロータ１０において、組成成分を特定して蒸気タービンロータ１０を構成する金属材料を特定し、特定された金属材料の情報、および蒸気タービンロータ１０の使用温度、応力、作動時間に基づいて、記憶部１０３に記憶されている強度特定データと比較対照して、蒸気タービンロータ１０の現状の強度を特定し、余寿命時間を推定することができる。また、蒸気タービンロータ１０の以後の運転に支障を与えることなく、非破壊的に余寿命を評価することができる。 （もっと読む）

【課題】 ２または３成分系の元素濃度の二次元分布データから作られる散布図を用いて相分析を行う際に、２または３成分系の状態図を簡単に参照できるようにする。
【解決手段】 公開されている状態図を画像ファイルとして取り込む手段と、画像ファイルとして取り込まれた状態図の濃度軸／温度軸、液相線／固相線などの線上の点をデジタル的に指定できるようにグラフ化する手段を備える。散布図と状態図を同時に表示し、状態図の濃度軸上である値をクロスカーソルで指示すると、散布図上の対応する濃度の位置にマーカーが表示される。また散布図上のマーカーが表す濃度位置が変わると、それに対応した状態図上のクロスカーソルの位置も移動する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線ＣＴデータのような空間離散データによる内部欠陥検査について、より高精度な検査を行えるようにする。
【解決手段】空間離散的な要素で対象物の空間的な形状・構造を記述する空間離散データに基づいて対象物における内部欠陥を検査する内部欠陥検査方法について、空間離散データ１から内部欠陥抽出手段２により内部欠陥を抽出するステップ、抽出された内部欠陥の周囲に所定の広がりで設定される近傍範囲に含まれる要素を関連要素として関連要素収集手段３により空間離散データから収集するステップ、および関連要素収集手段で収集された関連要素に基づいて内部欠陥の大きさや重心位置などの特徴量を特徴量計測手段４で計測するステップを含むものとしている。 （もっと読む）

【課題】 供用状態または炉外取出し状態における被測定材料の中性子照射量、DPA、ヘリウム生成量、水素生成量等の放射線損傷量をその場で非破壊的に測定する。
【解決手段】 原子炉プラントに組込まれた状態または外された状態の被測定部材１９から放出されるγ線を測定する検出器本体１と、該検出器本体１を包囲して形成された放射線の遮蔽体と、該遮蔽体に前記検出器本体１と外部とを連通して設けられた細孔と、前記細孔の開口部を水密にシールする蓋と、を有して形成された検出器部５と、前記検出器本体１に接続され、前記γ線の測定データを分析して前記被測定部材１９に含まれる放射性核種とその量を求め、該求めた放射性核種の量と前記被測定部材１９の化学組成と前記放射線の照射時間履歴とに基づいて前記放射線の中性子量を算出し、算出した前記中性子量に基づいて前記放射線損傷量を算出する演算手段と、を含んで放射線損傷量測定装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの照射により生じる基板電流を検出する技術をさらに改善し、コンタクトホールの詳細な形状や半導体デバイスの内部状態を非破壊で検査する。
【解決手段】 平行電子ビーム２を試料５に照射して試料５に流れる電流を電流計９により測定する。電子ビーム２の加速電圧を変えて測定を繰り返し、データ処理装置１０において、加速電圧の違いによる試料５への電子ビーム２の透過率の違いに基づく電流値の違いから、試料５の深さ方向の構造に関する情報を求める。 （もっと読む）

【課題】半導体回路パターン形成工程において、レビュー装置による目視再検査を省略して、検出したパターン欠陥の詳細な解析を迅速化する。
【解決手段】高速のパターン欠陥検査装置に、欠陥の検出に同期して欠陥の画像的特徴量を計算する手段と、計算された特徴量によって欠陥をクラスタに分類する手段とを付加する。 （もっと読む）

【課題】
測長ＳＥＭは、高真空に保たれた試料室にウェーハを搬入して半導体デバイスの線幅や穴径を測長する装置であり、測長ＳＥＭを使用して、真空中の装置状態を容易に把握する。他の真空装置についても適用できるようにする。
【解決手段】
真空中の駆動系の状態、真空バルブ、真空状態や電子光学系の状態を画面化したことにより真空中の装置状態の把握を可能とした。また、各種センサのＯＮ／ＯＦＦタイミング、Ｏｐｅｎ／Ｃｌｏｓｅタイミングおよび真空の状態をタイミングチャート化し時間計測や、リファレンスデータとの比較を可能とした。
この機能を有することにより、装置保守点検や装置修理時に的確な判断を行う
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【課題】 簡単に目的とする分析エリアについてのみ分析を行うことができ、最適な分析条件を決定することができる生体組織中の微量元素分析装置、試料台及びこれを用いた分析方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ線マイクロアナライザーで分析する生体組織の分析エリアを決定する分析エリア決定手段21を備えた。また、分析エリア決定手段21で決定された生体組織の分析エリアにおける分析条件を決定する分析条件決定手段31を備えた。さらに、生体組織の染色画像を取得する染色画像取得手段51と、染色画像取得手段51で得られた生体組織の染色画像とＸ線マイクロアナライザーで得られた微量元素分布画像とを合成する画像合成手段41とを備えた。
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【課題】 自動車の部品として使用される鋳造製品など、比較的大きな製品において高精度に欠陥を検出することが困難であった。
【解決手段】 鋳造製品の欠陥を検出するにあたり、Ｘ線を鋳造製品に照射し、上記鋳造製品を透過した透過Ｘ線を検出し、同検出された透過Ｘ線に基づいて上記鋳造製品が無欠陥である場合の透過Ｘ線を算出し、上記検出された透過Ｘ線と上記算出された無欠陥である場合の透過Ｘ線とを比較して上記鋳造製品の欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】 スペクトルの半値幅を用いずに，スペクトルの面積に基づいて被解析層の厚さを解析することにより，解析処理の迅速化，解析処理にかかる時間の短縮化，解析精度の向上を図ること。
【解決手段】 単層或いは複数層からなる試料にイオンビームが照射されることによって上記試料で散乱した散乱粒子のエネルギースペクトルに基づいて，上記試料の深さ方向の組成分布の解析を行うよう構成されており，被解析層に相当するエネルギースペクトルが単独で出現するときの散乱角度（特定散乱角度）へ散乱した散乱粒子のエネルギーを実測し，この実測により得られた実測エネルギースペクトルに単独で出現する上記被解析層の単独エネルギースペクトルを抽出し，そして抽出された上記単独エネルギースペクトルの波形で囲まれたスペクトル面積に基づいて上記被解析層の厚さを算出する。 （もっと読む）