【課題】Ｘ線の透過特性を利用することによって、被検部が可視光線を透過させ難い場合にも高精度な残厚計測結果を得ることができる被検部厚の検査装置を提供する。
【解決手段】被検体６に対して照射するＸ線３を放射するためのＸ線源２と、被検体にＸ線を照射するための検査空間８を存してＸ線源に相対して配設されるＸ線の輝度を計測するためのＸ線輝度計測装置５と、被検体を検査空間内で所定の速度で通過させるための移送手段７と、移送手段，Ｘ線輝度計測装置及びＸ線源を制御すると共に、計測されたＸ線の輝度から被検部の厚さを算出して被検部の厚さが所望の範囲内にあるか否かを判定する制御装置１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電子線式半導体ウエハ検査装置の検査条件を適正化する。
【解決手段】ウエハ上における非導通コンタクト孔２や突抜け欠陥位置と大きさ及び欠陥層の厚さが明確なサンプルを作成し、これを評価することによって、検査装置の検査条件を適正化する。 （もっと読む）

【課題】注目部位のＸ線光軸方向の位置を正確に求め、透視拡大率の正確な値を求めることができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 傾動機構１６と、被測定物の注目部位Ｓｐを基準状態で撮影した基準画像記憶部３６と、注目部位Ｓｐの傾斜状態形成部１６、３３と、基準状態でＸ線光軸とステージ面とが交差する交点Ｐ_１が傾斜状態のときのＸ線光軸とステージ面との交点Ｐ_２となるように、Ｘ線光軸の傾動動作に連動してステージを移動させるステージ追尾移動部１５、３４と、傾斜状態で撮影した画像を蓄積する傾斜画像記憶部３７と、基準画像から特徴情報を抽出する特徴情報抽出部３８と、特徴情報に基づいて傾斜画像中の注目部位を探索する注目部位探索部３９と、基準画像と傾斜画像との画像上の位置により注目部位の移動量（Ｄ）を算出する移動量算出部４０と、移動量（Ｄ）に基づいて注目部位の光軸方向の位置を算出する光軸方向位置算出部４１とを備える。 （もっと読む）

【課題】断層画像を利用して異常を表示する装置の価格が上昇してしまうという課題があった。
【解決手段】回路形成体２０３を保持する回路形成体回転機構２０２と、回路形成体２０３にＸ線を照射するＸ線発生手段２０１と、回路形成体２０３を透過してきたＸ線を検出するＸ線検出手段２０４と、Ｘ線を利用して、回路形成体２０３の透過画像を作成し、あらかじめ用意された、良品の透過画像と、回路形成体２０３の透過画像とを比較し、比較の結果に応じて、回路形成体２０３における異常の有無を判定し、良品の透過画像を含む、その枚数よりも多い枚数の作成された良品の透過画像のセットを利用して、良品の断層画像を作成する制御コンピュータ２０８と、異常が有ると判定された場合には、回路形成体２０３の異常が有る透過画像に対応する良品の透過画像に基づいて決まる断層画像の部位に、異常を表示する表示手段２０９とを備えた、Ｘ線ＣＴ装置３０１である。 （もっと読む）

【課題】 従来の分析方法では困難であった、黒曜石やガラス質安山岩以外の膨大な数量の石器や石製品について、非破壊で詳細かつ効率的に鉱物組成に基づくデータを取得し、これを元にして産地推定を実施するための方法を提供する。
【解決手段】 分析対象である石器類や石製品に対して、平行ビーム法によるＸ線回折試験を実施して構成鉱物の特徴を把握し、更にこの時に試料に標準物質を塗布又は添付することによって試験結果を校正し、より厳密なデータを得て、分析対象と標本岩石の比較を行い、石器類や石製品の原材料の産地を高精度で推定する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置で用いられる測長校正を高精度で行う標準部材を提供する。
【解決手段】一次元回折格子を貼り合せウェーハに配置させることにより実測ウェーハと同じ高さでの高精度校正や装置間校正が可能となる。かつ表面シリコン層に一定電圧を加える構成とすることにより二次電子信号強度が大きく取れ微弱電子ビームでも良好な二次電子信号像が得られる。さらに一次元回折格子をウェーハ内の複数箇所に設置させることにより大口径ウェーハにおける面内位置毎の校正が保証される。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線画像を用いた算術演算や論理演算を実行しようとする場合に、直感的に演算内容を把握することができる入力画面を表示するようにしたＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線画像を用いてそのＸ線画像に対する算術演算や論理演算の画像処理を行う機能を備えたＸ線検査装置１であって、実行する演算の種類を入力する演算子入力部６２とその演算の対象となるＸ線画像を入力する項入力部６１とが演算式を構成するように表示される演算式入力画面２を表示するようにして演算の種類およびＸ線画像の入力を促す演算入力画面表示制御部３４を備える。 （もっと読む）

【課題】多数の試料について基底標準吸収補正法を用いたＸ線回折定量分析を行う場合の分析効率を向上させる。
【解決手段】試料ホルダ１０において、上面に試料を装荷するフィルタ１４を嵌め込む基底板１３の凹部１３ａの底部に位置する回折面となる層１６を、金属結晶の方向が意図的に揃わないような処理又は加工が施されたものとする。これにより、試料無しの場合のブランク測定の際に試料ホルダの相違による回折Ｘ線強度のばらつきがなくなるので、１つの試料ホルダ（フィルタ及び基底板）についてのみブランク測定を行えばよくなり、測定回数を大幅に減らすことが可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に電子線を所定の間隔で複数回照射して、接合リーク不良発生箇所を特定でき、半導体製造工程途中のウエハで本検査を実行することにより接合形成プロセス条件の最適化を行うことができる検査方法及び装置、半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】工程途中のウエハに対して、接合が逆バイアスになる条件で、電子ビームを所定の間隔で複数回照射し、逆バイアスにおける帯電緩和の時間特性の差をモニタする。接合リークが発生した箇所は正常部よりも短時間に帯電が緩和するので、正常部と不良部で電位差が生じ、電位コントラスト像で明るさの差として観察される。この画像を取得し、リアルタイム画像処理を施し、不良部の位置と明るさを記憶する動作を順次繰り返すことにより、指定領域の自動検査を実施できる。不良部の画像、明るさ、分布等の情報は、検査後自動的に保存・出力される。 （もっと読む）

【解決手段】基板に重ねられた材料の層の積重ねにおける１つの層の元素組成の面密度を確立するための方法及びコンピュータプログラムソフトウェア製品である。入射する透過性放射線は、１又は複数の元素のそれぞれに関連した複数の線の特性蛍光Ｘ線放射を励起する。連続する元素の特性蛍光の強度比に関する方程式の自己一致した解によって、連続した層の面密度が決定される。 （もっと読む）

【課題】１次Ｘ線の強度を低下させることなく試料の微小領域に集光させることができるようにする。
【解決手段】試料１を載置する試料台１３と、１次Ｘ線を試料１の表面に対し全反射を起こす入射角で入射させる１次Ｘ線照射部２と、試料１の表面に対向して配置され、試料１から発生する蛍光Ｘ線を検出する検出器１１とを備えている。１次Ｘ線照射部２は１次Ｘ線を発生するＸ線源３、及びその１次Ｘ線を集光して試料１に照射するポリキャピラリーＸ線レンズ５を備え、さらに好ましくはポリキャピラリーＸ線レンズ５から出射した１次Ｘ線のうち試料表面に対して全反射条件を満たさない入射角をもつ１次Ｘ線を遮蔽するスリット７を備えている。 （もっと読む）

【課題】略同じ色相を有する複数の塩化ビニル樹脂成形体を識別する識別方法、及びこの識別方法に使用される塩化ビニル樹脂成形体を提供する。
【解決手段】半導体若しくは液晶の製造の際に使用される略同じ色相を有する塩化ビニル樹脂成形体の少なくとも１つに、塩化ビニル樹脂成形時に通常添加されない識別物質１を含有させる。この成形体にＸ線や電磁波などのエネルギーを照射し、識別物質１の励起により放射される特有の蛍光Ｘ線や励起光を検出することで、識別物質１を含まずに前記蛍光Ｘ線や励起光を放射しない成形体と識別する。識別物質１としては、酸化アルミニウムにクロムイオンを添加したものや蛍光剤などが用いられる。 （もっと読む）

【課題】
従来の有害元素分析法では、たとえばＸＲＦは、その精度（誤差３０％〜５０％）に問題があり、判定が困難な場合がある。また、Ｘ線のエネルギーが低いことから、その測定領域は固体試料表面の数十μｍに限定されることが問題である。それを解消するために試料を冷凍，粉砕等により一様化し、粉体状態で測定することがなされているが、その時点で非破壊の状態ではなくなる。また時間もそれだけかかる。
【解決手段】
本発明はＤＴ中性子発生管内に、二次元的に配列されたα線検出器アレイを備え、中性子発生管外部に、二次元的あるいは三次元的に複数の区画に分けられた試料収納部を備え、さらにα線・γ線同時計数回路，データ収集装置を備えている。α線検出器アレイのそれぞれの個別検出器は試料収納部の各区画と１対１に対応するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】
マイクロチップを用いて複数元素を同時に高感度に分析できるようにする。
【解決手段】
マイクロチップ１は、基板３０と、基板３０の内部に形成された流路２３と、基板３０の平坦な表面の一部からなり、流路２３の出口が開口９ｃとして形成され、その開口９ｃから溢れ出た測定対象液が基板３０の平坦な表面にとどまって分析試料となる分析部１０とを備えている。このマイクロチップ１を使用して、分析部１０に測定対象液を分析試料として溢れ出させ、好ましくは分析試料を乾燥させた後、１次Ｘ線を全反射の条件で入射させて蛍光Ｘ線を検出する。 （もっと読む）

【課題】従来、定量基準となるハンダ試料が存在しないため、蛍光Ｘ線分析装置によるハンダ材料の定量分析が行えない。また、溶融ハンダは冷却固化の際に含有成分が偏析するため、表面分析装置では、十分な分析精度が得られない。
【解決手段】溶融状態のハンダ材料を冷却固化してハンダ試料とする工程と、冷却固化したハンダ試料を折畳んで重ね合わせる工程と、前記ハンダ試料を圧延する工程により、含有成分の偏析の少ないハンダ試料が作製でき、前記ハンダ試料を表面分析装置で定量分析することにより、簡便かつ高精度な分析ができる。 （もっと読む）

【課題】複数のＣＤ計測ツール間の一貫した測定結果を検証する方法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭの据付基部全体にわたる一貫した測定結果を保証するためにＣＤ−ＳＥＭをマッチする方法が開示され、フィールドごとの変動並びにレチクル及び露光ツールの非画一性がマッチング結果において効率よく抑制されるように、基板上の少なくとも２つの位置でレジストのフィーチャのフィーチャ・サイズを複数の走査電子顕微鏡のそれぞれを用いて測定する。 （もっと読む）

【課題】平坦な基板に数十nmの深さに注入した不純物の深さ分布を非破壊で精度よく測定する方法を提供する。
【解決手段】数十nmの深さに不純物を注入した基板に、入射角度を走査しながらＸ線を入射し、被測定試料によって反射されたＸ線の干渉振動曲線を測定し、干渉振動曲線のデータから、被測定試料に注入された不純物元素の深さ分布を測定する。干渉振動曲線のデータの解析は、Ｘ線反射率を表す解析式に干渉振動曲線をフィッティングすることにより行う。この際、不純物分布を適当な関数に近似し、関数に含まれるパラメータを最適化することにより深さ分布を得る。 （もっと読む）

【課題】
試料表面にパルス状の一次イオンを照射し、飛行時間型の質量分析計を用いて前記試料表面の質量スペクトルを得る飛行時間型二次イオン質量分析法において、５００を超えるような試料表面由来のピークについてその精密質量を正確に求めることを目的とする。
【解決手段】
ＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定において、試料表面に質量軸校正物質を表面に配し測定時に試料表面由来の信号と質量軸校正物質由来の信号を同時に検出すること、質量軸校正物質をネプライザーを用いて試料表面に配すること、質量軸校正物質にイオン性物質を用いることにより質量数５００を超える未知ピークについて、その精密質量をより精度良く求めることができるようになった。 （もっと読む）

【課題】電子カラムに使用できる、構造が単純で使用が便利な低価の検出器と、電子カラムを用いて電子を簡単に検出する方法を提供する。
【解決手段】既存のＭＣＰ(micro-channel plate)、ＳＥ(secondary electron)検出器、または半導体検出器では、自体的な構造によって電子の数が増幅される。このような増幅のために、若干の電圧差を外部から加え或いは自体的な構造および材質によって発生させる。このような過程を経た電子の電流値は外部の増幅回路によって増幅される。本発明では、マイクロカラムによって発生した電子ビームの衝突から生ずる電子を周囲の導体配線によって検出する。検出された電子は既存の方式と同様に外部で増幅回路を用いて増幅される。 （もっと読む）

【課題】複数の試料について，同時にＸ線回折測定と熱分析測定を実施できるようにする。
【解決手段】集中法によるＸ線回折測定の際には，第１アーム２０と第２アーム２２を互いに逆方向に，同じ角速度で連動回転する。Ｚ方向に細長いライン状のＸ線ビーム３０について，入射側のソーラースリット２６でＺ方向の発散を制限してから，このＸ線ビーム３０を粉末試料１４，１６に同時に照射する。試料１４からの回折Ｘ線と，試料１６からの回折Ｘ線を，受光側のソーラースリット３２でＺ方向の発散を制限してから，少なくともＺ方向に位置感応型のＸ線検出器３４で，区別して検出する。また，Ｘ線回折測定と同時に，二つの試料１４，１６について，熱分析測定を実施する。 （もっと読む）