【課題】めっき膜の元素分析を行うのに際し、金属母材上に形成されためっき膜のみを分離するのに適した方法を提供すること。
【解決手段】本発明のめっき膜の分離方法においては、表面の一部にめっき膜が形成された金属母材を所定の溶解液に浸漬し、上記金属母材を溶解除去する工程（Ｓ４）を有する。
【効果】本分析方法によれば、めっき膜のみに由来する含有元素濃度の直接測定が可能になるので、鉛などの微量の含有物質濃度についても高い精度で測定することができる。 （もっと読む）

【課題】 走査電子顕微鏡で、試料の測長により得られた寸法をより精密に校正する。
【解決手段】 互いの間隔を空けて並んだ複数の校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…を備え、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…は、並んでいる方向の幅寸法が互いに異なり、各寸法が予め定められた寸法になっている校正用標準材４０を用いる。走査電子顕微鏡の画像処理装置には、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…の幅寸法の公証値を記憶しておき、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…の幅を実測し、各実測値と対応公証値との差を求め、各差と実測値との関係を校正関数として記憶し、これを用いて試料の実測値を補正する。 （もっと読む）

【課題】はんだ接合状態の検査精度が向上する電子部品および電子部品の検査方法を提供する。
【解決手段】この検査方法は、回路基板５に対してＸ線が照射することにより得られた複数のＸ線透過画像に基づいて、プリント配線板６に略垂直な高さ方向における複数の断層画像３１ａ〜３１ｚが取得される工程Ｓ１と、複数の断層画像３１ａ〜３１ｚから、基準ランド３４の像を含む断層画像が基準断層画像Ｍ２として選択される工程Ｓ３、Ｓ４と、複数の断層画像のうち、基準断層画像Ｍ２に対応する基準位置から予め設定された距離Ｌだけ離れた検査領域に対応する断層画像が検査断層画像Ｎとして選択される工程Ｓ５と、検査断層画像Ｎに基づいてはんだボール３２の接合状態が判定される工程Ｓ６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】回折格子を用いることなくモアレ縞を確実に撮像することができる新たなＸ線撮像フイルムを提供する。
【解決手段】Ｘ線撮像ユニット１１は、タルボ用回折格子から略タルボ距離Ｌ離れた位置に配置され、タルボ用回折格子によって回折されたＸ線を撮像するためのユニットである。Ｘ線撮像ユニット１１は、Ｘ線画像（Ｘ線タルボ画像）を撮像するためのＸ線撮像フイルム２０と、このＸ線撮像フイルム２０の光路上直前位置に配置されるシャッタ３０とを備えている。Ｘ線撮像フイルム２０は、Ｘ線に対して感光性を有する材料で形成されたストライプ状の感光部２１と、Ｘ線に対して感光性を実質的に有さない材料で形成されたストライプ状の非感光部２２とが交互に配置されてなる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定を用いて結晶の構造を正確に解析する。
【解決手段】対象試料にＸ線を照射したときに対象試料にて回折した回折Ｘ線の強度を、広い開口角条件と狭い開口角条件にて検出して、「広開口角での対象試料の回折Ｘ線強度」と「狭開口角での対象試料の回折Ｘ線強度」とし、両者の相対比を「対象試料の回折Ｘ線強度比」とする。また結晶の完全性が保証された参照試料にＸ線を照射したときに参照試料にて回折した回折Ｘ線の強度を、広い開口角条件と狭い開口角条件にて検出して、「広開口角での参照試料の回折Ｘ線強度」と「狭開口角での参照試料の回折Ｘ線強度」とし、両者の相対比を「参照試料の回折Ｘ線強度比」とする。そして、「対象試料の回折Ｘ線強度比」を、「参照試料の回折Ｘ線強度比」で除算した値を、「規格化された回折Ｘ線強度比」としこの値から結晶状態を解析する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定を用いて結晶の構造を正確に解析する。
【解決手段】対象試料にＸ線を照射したときに対象試料にて回折した回折Ｘ線の強度を、広い開口角条件と狭い開口角条件にて検出して、両者の相対比を「対象試料の回折Ｘ線強度比」とする。また結晶の完全性が保証された参照試料にＸ線を照射したときに参照試料にて回折した回折Ｘ線の強度を、広い開口角条件と狭い開口角条件にて検出して、両者の相対比を「参照試料の回折Ｘ線強度比」とする。参照試料に対してＸ線解析をする際の反射指数は、対象試料に対してＸ線解析をする際における反射指数に対して独立選択したものとしている。そして、「対象試料の回折Ｘ線強度比」を、「参照試料の回折Ｘ線強度比」で除算した値を、「規格化された回折Ｘ線強度比」としこの値から結晶状態を解析する。 （もっと読む）

【課題】 リムとタイヤの組付け状態を、タイヤの一周に渡り短時間で連続的に測定できる、リム組付けタイヤの組付け状態測定方法を提供する。
【解決手段】 タイヤ内部構造測定装置１０に、リム３０にタイヤ５６を組み付けたリム組付けタイヤ１２を回転可能に支持し、リム組付けタイヤ１２を、押圧負荷のない無負荷状態で回転させ、Ｘ線照射装置２０からＸ線をリム３０の接線方向に照射し、Ｘ線検知装置２２により、リム３０とタイヤ５６との組付部のＸ線透過情報を所定のタイミングで取り込み、取り込んだＸ線透過情報に基づいて、画像形成処理部２８で接線方向透過画像を形成し、得られた接線方向透過画像を用いて、リム３０とタイヤ５６の特定部位の位置情報を得る。 （もっと読む）

【課題】既存Ｘ線透視装置にスキャン機構を追加、付加することで、Ｘ線断層画像撮影装置を安価に構成する。
【解決手段】Ｘ線透視装置の検査台に、付加型スキャン機構を搭載し、回転ステージに検査体を取付ける。付加型回転ステージ、及びＸ線管、Ｘ線検出器と回転ステージの幾何学的位置関係を計測するための冶具、ならびに測定ソフトウエアを提供し、容易にＸ線断層画像撮影装置を構成でき、必要がない場合は取り外すことができる。 （もっと読む）

【課題】放射線透過測定法において、試料に照射される放射線の強度の時間変動を考慮して、得られた放射線透過画像の補正（画像処理）を行うことにて、より高い測定精度を備えるための技術を提案する。
【解決手段】内部に収容部８が形成された密閉可能な容器であって、前記収容部８が空の第一基準片６と前記収容部８が所定量の測定対象物と同一物質で満たされた第二基準片７との一対の基準片と、試料Ｔとに、照射手段にて同時に放射線を照射する。前記一組の基準片６・７又は試料Ｔを透過した放射線を検出して撮像することにより、一組の透過放射線画像を得て、第一基準片６、第二基準片７及び試料Ｔの各々につき、画像抽出並びに定量化を行い、測定対象物の計量基準を得て、測定値算出手段にて試料の定量化された一組の透過放射線画像と計量基準とから、前記試料内部の測定対象物の量の変化を得る。 （もっと読む）

【課題】有効なキャリブレーションを行い、適度なコントラストの被検体の画像を得ることを可能にする検出値較正方法、並びにこの検出値較正方法に用いられるＸ線ＣＴ装置、較正用ファントムおよび保持具を提供する。
【解決手段】Ｘ線ＣＴ撮影において検出された検出値を較正する検出値較正方法であって、液体で満たされた較正用ファントム１をＸ線ＣＴ装置に固定し、較正用のＸ線ＣＴ撮影を行うステップと、較正用ファントム１の液体中に被検体３０を入れ、被検体３０の入った較正用ファントムをＸ線ＣＴ装置に固定し、被検体３０のＸ線ＣＴ撮影を行うステップと、較正用のＸ線ＣＴ撮影により検出された検出値を用いて、被検体のＸ線ＣＴ撮影で検出された検出値を較正するステップと、を含む。これにより、Ｘ線の管電圧を下げて撮影し、較正を行うことによりＣＴデータのコントラストを高めることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 波長分散形Ｘ線分光器及びエネルギー分散形Ｘ線分光器を用いて試料分析を行うに際して、波長分散形Ｘ線分光器による試料分析を効率良く行うことのできる試料分析方法及び試料分析装置を提供する。
【解決手段】 試料７に電子線１２を照射し、電子１２線の照射により試料７から発生する特性Ｘ線１３をＷＤＳ８により分光して検出し、これによる特性Ｘ線ピークの検出位置における特性Ｘ線強度の測定を行うに際して、該特性Ｘ線ピークの検出位置での特性Ｘ線１３のバックグランド強度を、試料７上の対応する分析位置におけるＥＤＳ１１により測定された特性Ｘ線強度に基づく定量分析値によって算出された平均原子番号に基づいて求め、ＷＤＳ８により検出された特性Ｘ線ピークの検出位置でのピーク強度から該バックグランド強度を差し引いて正味の特性Ｘ線強度を求める。 （もっと読む）

【課題】高い分析精度を維持しつつ、非常に短時間で分析を行うことができるアスベストの定量分析方法を提供する。
【解決手段】被検試料Ｓに含まれるアスベストの回折線強度を求め、検量線に基づいてその回折線強度からアスベストの重量を求める定量分析方法である。アスベストの回折線強度を求める際、受光スリット５のスリット幅をアスベストの回折線幅と等しい幅に設定し、その受光スリット５及びＸ線検出器８をアスベストの回折線角度位置（２θ）に停止させた状態でＸ線検出器８によって所定時間、回折線を計数する。受光スリット５及びＸ線検出器８のスキャンによってアスベストの回折線強度を測定することに比べて、測定時間を大幅に短縮できる。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバの外部からの外光を遮断しつつ、走査光学系の光ビームを真空チャンバ内部に導いて試料上を走査することが可能となる真空チャンバ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバの内部に設けられ、試料を載置し、任意の方向に移動可能とする真空試料ステージ部と、真空チャンバの外部に配置され、試料を走査するための走査ビームを出射、偏向する走査光学系と、真空チャンバと走査光学系とを連結するとともに、真空チャンバ内部へ入射する外光を遮光する外光遮光手段と、真空チャンバと外光遮光手段との連結部分に設けられ、走査ビームが透過可能な内部観察用手段と、走査光学系から出射された走査ビームを、外光遮光手段及び内部観察用手段を介して真空チャンバの内部に導く走査ビーム折り返し手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線測定装置の管理方法に関し、測定系の変動やサンプルの変化を早期に且つ的確に発見する。
【解決手段】 Ｘ線源４からの直接Ｘ線５を検出する点検用検出器１と、Ｘ線源４から試料を介した測定対象Ｘ線６を検出する測定用検出器２との２つのＸ線強度検出器のそれぞれの特性を測定し、測定結果に基づき測定用検出器２の安定性を確認する。 （もっと読む）

【課題】
走査電子顕微鏡の分解能をモニタする場合，計測する分解能指標値のパターン依存性を低減できるようなサンプルの準備と計測アルゴリズムの採用が，電子ビームサイズの変化を高精度に計測するために必要である。
【解決手段】
本発明では，分解能モニタに適した断面形状のパターンを有するサンプルを提供する。分解能モニタに適した形状とは，具体的には，照射された一次電子ビームがパターンの側壁に当たることのない程度に，側壁が傾斜している断面形状のことである。これにより，パターンの断面形状に依存しない分解能モニタを実現した。 （もっと読む）

【課題】複数の結晶相を有する試料についての各結晶相の割合と結晶子サイズとを短時間で同時に求める。
【解決手段】Ｘ線回折測定を行って被解析試料の実測回折パターンを得、その回折測定結果をリートベルト解析することにより近似計算式に含まれる各種パラメータを精密化するとともに、この精密化されたパラメータの値から上記被解析試料における各結晶相の割合（質量分率χ）と結晶子サイズ（結晶子径ｐ）とを算出するようにした試料の解析方法において、上記各種パラメータのうちの２次プロファイルパラメータに対して少なくとも最初の精密化処理を行う際に、上記２次プロファイルパラメータの中でも各結晶相の割合や結晶子サイズの算出結果に相対的に大きく影響するパラメータＵ，Ｘ，Ｙを、各結晶相のＵ同士，Ｘ同士，Ｙ同士がそれぞれ同一という制約条件の下で精密化する。 （もっと読む）

【課題】測定種別の選択と光学部品の交換作業とを関連付けて、交換すべき光学部品の情報を図を用いて画面に表示することで、測定準備作業を容易にする。
【解決手段】Ｘ線分析装置の測定準備作業に関連して、選択画面において、複数の測定種別の中からオペレータが所望の測定種別を選択すると、その測定種別に応じて、取り付けるべき光学部品及び取り外すべき光学部品の情報が、図を伴って表示装置の画面に表示される。オペレータは、その作業指示を見て、Ｘ線分析装置の光学系から光学部品を取り外したり、光学部品を取り付けたりする作業を実行する。図を伴って表示する形態には、交換すべき光学部品１６，１８の光学系上の位置を図示することや、取り付け作業と取り外し作業の区別を絵記号６９で表示することや、光学部品の識別マーク７０，７２を表示すること、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】種々の形状の試料に対応した試料ホルダにより、試料より発生する蛍光Ｘ線の強度が最大になるようにＸ線源からの一次Ｘ線の照射位置を自動調整し、常に短時間で高感度、高精度の分析が行える斜入射蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】環状の側部１１および底部１３を有する本体１８と、試料載置台１４と、試料載置台１４を支持し、その高さを調整する少なくとも３個の高さ調整具１５を有する試料ホルダ１と、試料ホルダの当接面１０４をセラミックスボール４７に押圧する押圧手段４０と、検出器３７が測定する試料Ｓより発生する蛍光Ｘ線３６の強度に基づき、Ｘ線管位置調整手段５５、分光素子位置調整手段５７および分光素子角度調整手段５８を制御する制御手段５６とを備え、試料Ｓより発生する蛍光Ｘ線３６の強度が最大になるようにＸ線源３からの一次Ｘ線３４の試料Ｓへの照射位置を自動調整する斜入射蛍光Ｘ線分析装置。 （もっと読む）

【課題】ゴニオメータの機械誤差を現在以上に正確に補正することができるＸ線回折測定方法の角度補正方法を提供する。
【解決手段】標準試料に関して回折角度（２θ）ごとの回折線強度（Ｉ_Ｒ））を測定よって求め、回折線強度（Ｉ_Ｒ）と標準試料の真値の回折線強度（Ｉ_Ｒｔｒｕ）との比較から回折角度（２θ）ごとの誤差（Δ２θ）を求め、誤差（Δ２θ）及び系統誤差（Δ２θ_０）を Δ２θ_ｍ＝Δ２θ−Δ２θ_０ の式に代入して回折角度（２θ）ごとの機械誤差（Δ２θ_ｍ）を求め、測定試料に関して回折角度（２θ）ごとの回折線強度（Ｉ）を測定によって求め、測定試料に関して求めた回折角度（２θ）及び機械誤差（Δ２θ_ｍ）を ２θ_Ｋ＝２θ＋Δ２θ_ｍの式に代入して校正回折角度（２θ_Ｋ）を求めと、校正回折角度（２θ_Ｋ）に基づいて等間隔回折角度（２θ_Ｔ）を設定し、測定試料の回折線強度（Ｉ）を等間隔回折角度（２θ_Ｔ）に所定配分比で配分する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造過程において、コンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を高速、かつ高精度に推定する。
【解決手段】検査用標準試料１のコンタクトホール７を被検査対象のコンタクトホールとほぼ同じ材質および構造により構成し、電子線を照射して検査用標準試料１の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料１の擬似欠陥部４におけるコンタクトホール７の電位コントラストとコンタクトホール７の底面に形成した擬似残存膜８の厚さまたは抵抗値との関係をあらかじめ取得しておく。その後、被検査対象のコンタクトホールへ電子線を照射して被検査対象の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料１の電位コントラストと被検査対象の電位コントラストとを比較することにより、被検査対象のコンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を推定する。 （もっと読む）