【課題】 既存技術よりはるかに安価に、かつ簡便に平面観察を行ってから観察後に断面を加工することができる試料作製方法を提供する。
【解決手段】 集束イオンビーム装置のチャンバ内で試料１をブロック状に切り出し、その試料ブロック（バルク）４を真空外に取り出して、マニピュレータの先端にセットしたガラスプローブ５に接触させて支持する。次に、バルク４を試料台である円筒状のピン６の先端にエポキシ樹脂で固定する。次に、平面観察用の薄膜試料をＦＩＢ加工により作製する。次に、内部の欠陥位置を２次元的にＴＥＭ／ＳＴＥＭで観察し同定する。その後、ピン６を手動で９０°回転させてから、欠陥部位を含む位置を断面加工する。 （もっと読む）

本発明は、ａ）Ｘ線源、好ましくは標準的多色Ｘ線源と、ｂ）好ましくは透過ジオメトリーで、ブラッグ結晶以外の回折ビームスプリッター格子と、ｃ）いくつかの個別ピクセルを有する空間変調検出感度を備えた位置感知型検出器と、ｄ）検出器の画像を位相ステッピング法で記録するための手段と、ｅ）個別ピクセルごとに吸収優位のピクセルおよび／または微分位相コントラスト優位のピクセルおよび／またはＸ線散乱優位のピクセルとして被写体の特徴を同定するためにピクセルごとに一連の画像の強度を評価するための手段と、を含む、被写体から定量Ｘ線画像を得るためのＸ線用、特に硬Ｘ線用の干渉計に関する。
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【課題】試料の状態および撮影条件に依存せず、安定して良好な画像情報を取得することができる荷電粒子ビーム装置を実現する。
【解決手段】試料１と概ね同電位の基準静電電極４およびこの基準静電電極４を挟む一対の円筒形フィルター電極５および５′を、電子銃３０および加速場電極１４の間に設け、円筒形フィルター電極５および５′に正の電位を印加し、さらに制御部９によりこの電位を調整することにより、試料１で発生された２次電子の発生の際のエネルギーの大きさにより、２次電子５１を分離検出することとしているので、低エネルギー帯の２次電子を除去することができ、ひいてはＳＥＭ画像に含まれる、像全体を明るくする成分を除去し、安定して良好な画像情報の取得を行うことを実現させる。 （もっと読む）

【課題】 透過型電子顕微鏡を用いた電子線ホログラフィ観察は、要求する空間分解能を実現させるための電子光学系の条件探索が複雑であり、電子顕微鏡の操作に不慣れな者にとっては長時間を費やす作業である。
【解決手段】 基本的な電子顕微鏡本体に加え、ホログラフィ観察において要求する空間分解能を入力する手段と、入力された値及び装置固有のパラメータから要求された空間分解能を実現する電子線バイプリズム及び試料位置を算出するための計算装置及び、得られた計算結果を実現するためのこれら二つの位置を移動させる機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームと遮蔽材を用いる断面試料作製装置において、断面加工の進行状態を素早く簡単に判断し、断面作製位置の変更や修正を短時間に行えると共に、試料の内部構造を知ることができるようにする。
【解決手段】 イオンビームによって加工される試料６の断面を観察するための光学観察装置４０（断面観察手段）備え、イオンビームを照射中若しくは照射を中断した時にシャッタ４１を開けて、加工室１８内の真空を保持したまま試料６の断面を観察できる。また、試料６と遮蔽材１２の相対位置変更するための調整手段を備え、一回の断面加工が終了する毎に断面画像の取り込みと断面位置の微小移動を繰り返し、得られた複数の画像から試料６の立体画像を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ等の試料上に存在する欠陥の画像を自動収集するＳＥＭ式欠陥レビュー装置において、高いスループットを提供する。
【解決手段】ＳＥＭ式レビュー装置を用いた欠陥レビュー方法において、ウェーハ単位若しくはチップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップを準備する準備過程と、該準備された前記ウェーハ単位若しくは前記チップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップに基づいてセル比較方式とダイ比較方式との何れにするかのレビューシーケンスを選択する選択過程と、該選択過程でセル比較方式を選択した場合には、セル比較をしてレビュー欠陥の検出可否判定を行う検出可否判定過程を有するセル比較過程と、該検出可否判定過程での判定の結果レビュー欠陥が検出されない場合、並びに前記選択過程でダイ比較を選択した場合には、ダイ比較をするダイ比較過程とを有すること特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像が一方向に殆ど一様なパターンである場合でも、ドリフトによる補正用画像のずれを正確に検出して特性Ｘ線画像の位置ずれの補正を適切に行う。
【解決手段】時間を隔てた２枚のＳＥＭ画像が得られると、画像の並進対称性の有無の検出を行い（Ｓ１）、並進対称性がある場合には（Ｓ２でＹＥＳ）、２枚のＳＥＭ画像に対し相互相関法による二次元的な画像マッチングを行って位置ずれの量及び方向を算出した（Ｓ３）後に、変動量が小さい方向に限定した一次元的な画像マッチングを実行することで位置のずれ量を算出する（Ｓ４）。その結果を用いて二次元画像マッチングの結果を修正してずれ量及び方向を求め（Ｓ５）、二次元／一次元マッチングを規定の回数に達するまで繰り返す（Ｓ６）。こうした求めた位置ずれ情報に基づいて二次元走査時のレーザ照射位置を微調整することで特性Ｘ線画像のずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】透過電子顕微鏡をはじめとする試料分析装置において、観察しようとする試料に外部電圧を印加し、デバイスが動作状態のまま構造、組成、電子状態を分析するための、試料保持台、試料の前処理および試料ホルダに関する課題に対応する方法、および、当該試料の分析を行う方法を提供する。
【解決手段】試料の外部電圧印加箇所と接続可能な第１の配線構造を含む試料保持台（メッシュ）と、前記第１の配線構造と接続可能な第２の配線構造および電流導入端子を含む試料ホルダと、を設ける。そして、観察しようとする試料の外部電圧印加箇所に、第２の配線構造と、第１の配線構造とを介して、試料分析装置の外部から電圧を印加したり電流を流したりすることによって、デバイスが動作状態のまま構造、組成、電子状態を分析することのできる、試料保持台、試料の前処理方法、および、当該試料の分析を行う方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを用いて１つ又はそれよりも多くの処理条件下で多層構造からＸ線を励起する提案構造解析処理の自動最適化の方法を提供する。
【解決手段】提案構造解析処理の実行可能性を判断する方法。この処理は、多層構造からのＸ線の電子ビーム励起を伴っている。本方法は、１つ又はそれよりも多くの組の処理条件に従って多層構造のＸ線励起応答を表す予測Ｘ線データを発生させる段階を含む。Ｘ線データは、層の構造及び組成を定める構造データを用いて発生される。多層構造に対して提案構造解析処理を行う実行可能性を判断するために、構造データの変更がＸ線データに与える影響が、次に、１つ又はそれよりも多くの所定の実行可能性基準に従って解析される。 （もっと読む）

【課題】煩雑な焦点補正の作業を行うことなく、試料上の線分析や面分析を簡便かつ自動的に行うことができる斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法を提供すること。
【解決手段】斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法は、電子線が照射された試料から発せられる特性Ｘ線をＸ線検出器により検出する際に、試料ステージを傾斜させることにより特性Ｘ線の取出角度を制御し、試料内部で励起された特性Ｘ線が全反射現象により検出さない角度に特性Ｘ線の取出角度を設定する斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法において、前記取出角度が得られるように試料ステージを傾斜させた状態で予め任意の分析点の焦点調整を完了させた後、その焦点を維持しつつ試料表面の他の分析点を分析するのに必要な試料ステージの制御データを求め、求めた制御データに基づいて試料ステージを移動させることにより試料表面の微粒子又は薄層の線分析又は面分析を行う。 （もっと読む）

【課題】電子線の照射に応じて試料から放出される特性Ｘ線等を検出して表面画像を作成する際に、ドリフトによる一方向の位置ずれだけでなく拡大／縮小、回転、台形歪みなどの位置ずれも補正して歪みが少なく高い空間分解能の画像を取得する。
【解決手段】特性Ｘ線画像の取得前及び取得中に短時間でＳＥＭ画像を取得し、その複数のＳＥＭ画像について複数に分割した小領域Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄ毎にずれの量及び方向を２次元ベクトルＶａ、Ｖｂ、Ｖｃ、Ｖｄとして算出する。そして、そのずれが各小領域Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄの中心点Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ、Ｃｄにあるとみなし、画像Ｂ全体のずれを近似する式を求める。この式に従ったずれが各画素で生じているとして特性Ｘ線画像を取得するための２次元走査の際の電子線照射位置を調整する。これにより、１枚の特性Ｘ線画像を取得する間のドリフトによる画像ずれが軽減されて画像歪みを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】表面から散乱したＸ線の検出に基づいて、試料の表面上における周期構造の寸法を測定するための、改善された方法および装置を提供する。
【解決手段】試料をＸ線解析する方法は、試料の表面上の周期構造の領域に衝突するようにＸ線ビームを方向付け、方位角の関数として散乱Ｘ線の回折スペクトルを検出するように反射モードで表面から散乱したＸ線を受け取ることを含む。回折スペクトルは、構造の寸法を決定するために解析される。
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【課題】大型の試料でも、側面反射ラウエ法を用いて、確実に、単結晶材料の結晶方位測定する結晶方位測定方法及びその装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線発生装置１０からのＸ線を試料Ｓの測定表面に対して側方から入射して得られる反射Ｘ線回折像（ラウエ像）を、蛍光板３０とＣＣＤカメラ４０とから構成される検出器により検出する結晶方位測定装置において、検出器は、測定表面から得られる反射Ｘ線回折像が投射される方向に配置されると共に、その有感面（特に、蛍光板３０の表面）が、反射Ｘ線回折像が投射されるψ角方向に対して傾斜して設定することが可能であり、これにより、従来の側面反射ラウエ法の欠点を克服し、有感面を有効に利用してラウエ像による結晶方位の測定・検査が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、良品から不良品への経時変化を同一試料、同一視野で追跡し、不良発生のメカニズムを観察することのできる内部構造観察用又は電子顕微鏡用の試料ホルダーを提供することにある。
【解決手段】本発明は、内部構造観察用の試料ホルダーであって、試料ホルダー本体と、複数本の探針と、試料を保持する試料保持台を有し、前記探針及び試料の少なくとも一方を移動可能とする圧電素子と、前記探針に接続され、前記試料に電圧を印加する配線を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、電磁ビーム又は粒子ビームを生成するための第１の源と、オプトエレクトロニックモジュールを照射するための第２の源と、検出器とを含む、オプトエレクトロニックモジュールを試験するための装置に関する。更に、オプトエレクトロニックモジュールを照射する工程と、電磁ビーム又は粒子ビームを検出する工程と、オプトエレクトロニックモジュールの欠陥を検出する工程とを含む、オプトエレクトロニックモジュールを試験する方法が提供される。電磁ビーム又は粒子ビームに加えて照射することにより、そうしないと検出されない欠陥が目視できる。
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【課題】試料の３次元的な元素構成を原子レベルで高精度に分析する際に、分析中の試料の移動を不要とし、試料の取り付け・取り外し等の作業が不要な元素分析装置および当該元素分析装置に使用可能な試料ホルダ等を提供する。
【解決手段】被測定体を搭載する電子顕微鏡用の試料ホルダ１０において、前記被測定体に照射される電子線が通過可能な開口２８、２８’を有する筐体１６と、前記筐体１６の内部に設けられ、前記被測定体から離脱した元素の位置および飛行時間を測定する検出手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】磁性多層膜中の磁気特性を乱すことなくＸ線磁気円２色性を測定し、層界面近傍の磁気特性又は膜厚方向の磁気特性分布を観測する。
【解決手段】磁性多層膜１の積層構造に基づく干渉により反射Ｘ線強度が強くなる入射角θで入射したＸ線５により、磁性多層膜１中に励起される定在波の電界強度Ｅ（イ）、Ｅ（ロ）が、磁性多層膜１中の層１ａ、１ｂの界面で最大強度を有するように入射角θを制御し、入射Ｘ線５を進行方向に対して右廻り円偏光及び左廻り円偏光に切換え、切換え前後のＸ線吸収の差分を測定して、磁性多層膜１のＸ線磁気円２色性を測定する。定在波の腹及び節の位置を入射角θにより制御し、最大電界強度の位置を測定すべき界面に合わせることで、界面近傍の磁気特性が選択的に測定される。 （もっと読む）

【課題】欠陥レビュー装置において、装置が取得する多種多様な情報の中から必要な情報を選択し、目的に対して最適なレビューレポートフォーマットを容易に設定する。
【解決手段】レポートの構成要素をモジュール単位でアイコン８２１〜８３０を用いてＯＳＤ表示したテンプレート編集画面８００を生成する。マウス等のポインティングデバイスを用いてアイコン８２１〜８３０を選択し、ドラッグ＆ドロップ操作Ｓ０１により、同じ画面上に形成した出力フォーマット設定領域８５０の所望の位置に配置し、さらにドラッグ＆ドロップ操作Ｓ０２により、所望のサイズに設定する。そして、同じ画面上の詳細設定領域８６０で、配置したアイコンが表すモジュールの詳細設定ができる。設定したフォーマット情報は、保存機能３９により、テンプレートして保存され、呼び出すだけで簡単に使用できる。また、保存したテンプレートは編集も可能で、新規作成だけでなく、既存テンプレートを修正することも簡単に実現できる。 （もっと読む）

【課題】検出下限を改善し、重元素を主成分とする試料のみならず、軽元素を主成分とした試料に含有された微量な着目元素を定量することが可能である蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】蛍光Ｘ線分析装置は、試料Ｓを支持する試料台３と、所定の照射位置Ｐ１を中心として一次Ｘ線Ｐを照射するＸ線源４と、照射位置Ｐ１に向って配置され、試料Ｓから発生する蛍光Ｘ線Ｑを検出する検出器５とを備えている。試料台３は、試料ＳをＸ線源４及び検出器５に近接させて固定する着脱自在の試料保持具１０を有し、被照射面Ｓ１を照射位置Ｐ１に一致させる第一の検査位置Ａ、または、試料Ｓを試料保持具１０に固定し、被照射面Ｓ２をＸ線源４に近接させるとともに、被検出面Ｓ３を検出器５に近接させる第二の検査位置Ｂのいずれか一方に、試料Ｓを選択的に配置して測定可能である。 （もっと読む）

【課題】
欠陥の特徴を的確に提示することが可能な欠陥画像表示画面を提供する。
【解決手段】
欠陥のサムネイル表示画面において、検査情報や欠陥種類等から、欠陥毎にその欠陥の特徴を最も顕著に表すような画像を決定し、表示する。また、欠陥の詳細表示画面において、検査情報や欠陥種類等を基に、その欠陥の特徴を顕著に表すように表示する画像やその画像の表示順序を定め、表示する。さらに、欠陥画像撮像中または欠陥画像撮像後に、予め指定した規則に基づいて別の欠陥画像取得装置や別の撮像条件により表示用の画像を撮像するためのステップを撮像シーケンスに追加する。 （もっと読む）