Ｘ線又は他の放射ビームを使用した物体の検査の技術、特に、符号化放射ビームを用いて物体を照明し、物体によって散乱された及び／又は物体を通して伝達された放射線を検出することによって物体を検査するための装置及び方法を提供する。物体を検査するための装置は、物体の被検査領域を照明するために扇ビーム又はフラッドビームを利用する。可動マスクの形態を取ることができる変調器は、被検査領域の各セグメントが所定の時間的シーケンスに従って変動する放射線量を受け取るようにビームを動的に符号化する。物体からの放射線を受け取る後方散乱検出器又は任意的な透過検出器によって生成され得られる信号は、被検査領域の画像を構成することができるように、空間情報を再生するために復号される。 （もっと読む）

【課題】 面方位測定の大幅な時間短縮を実現し、サブグレイン構造やリネージ構造の試料に対し高速マップ測定が可能なＸ線結晶方位測定装置及び方法を提供する。
【解決手段】 被測定結晶Ｓの測定面にＸ線を照射し、当該Ｘ線の照射により結晶の格子面に対応して得られる回折スポットをＸ線検出器３０で検出し、当該検出した回折スポットの中心位置を測定して結晶の格子面法線を算出するＸ線結晶方位測定装置及び方法において、当該被測定結晶の測定面の照射点からの回折スポットを、ＴＤＩ読み出しモードで動作するＣＣＤ（TDI-CCD）３４により構成した二次元検出器で検出する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得し、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する方法の提供。
【解決手段】半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ１８に１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハ１８を移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ１８表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ１８面内分布を表示する。 （もっと読む）

【課題】スペース部の底面からの脱出電子を遮断してライン部の分析が可能な光電子分光分析法を提供する。
【解決手段】 Ｌ／Ｓパターンのライン部１２の延在方向に直交する方向に沿った断面において、特定のライン部１２の側面２の基板１０表面での位置から特定のライン部１２に隣接する他のライン部の側面２に対向する側面の上面６の位置を結ぶ線が底面４となす第１角度を算出し、断面において、底面４から第１角度より小さく、０度より大きい第１検出角を設定し、断面に投影した角度の余角が第１検出角度となり、検出領域の側面２側の一端から他端までの通過距離が、基板１０中での光電子の非弾性平均自由行程で規定される脱出深度より小さくなる第２角度を算出し、第２角度を底面４に投影した角度の余角を第２検出角と決定する。Ｌ／Ｓパターンはスペース部１４を挟んで、脱出深度より小さい幅のライン部１２を一定の間隔で配列している。 （もっと読む）

【課題】 被検体の着目点高さが未知であっても、確実に視野ずれをなくすことにある。
【解決手段】 Ｘ線源１と、テーブル２に載置された被検体３の着目点の透過像を検出するＸ線検出器４と、Ｘ線検出器４を移動させる移動機構６と、テーブル２を平行移動させる移動機構８と、データ処理部５とを備え、このデータ処理部５は、着目点までの推定高さを入力する推定高さ入力手段１７と、Ｘ線源とＸ線検出器との距離とＸ線源と着目点との距離との比である透過像の拡大率を設定する拡大率設定手段１１，１５ａと、Ｘ線の光軸が所要傾斜角度となるようにＸ線検出器を制御する移動制御手段１８と、拡大率と傾斜角度と推定高さをパラメータとし、テーブル２の移動位置を計算し、テーブルを移動制御する視野ずれ補正手段１１，１５ｂと、透過像上の着目点のずれ量に基づき、着目点の真の高さを求める高さ修正手段１１，１５ｃとを設けたＸ線透視検査装置である。 （もっと読む）

【課題】深さ方向の元素濃度分析方法に関し、二次イオン質量分析法を実施するに際し、分析領域周辺の情報を取り込むことなく，所望の領域のみの情報を得られるようにして、微量元素の精確な深さ方向分布を知得する。
【解決手段】被測定対象物に照射される一次イオンビームの走査領域の一部において、該被測定対象物に電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定を用いて結晶の構造を正確に解析する。
【解決手段】対象試料にＸ線を照射したときに対象試料にて回折した回折Ｘ線の強度を、広い開口角条件と狭い開口角条件にて検出して、両者の相対比を「対象試料の回折Ｘ線強度比」とする。また結晶の完全性が保証された参照試料にＸ線を照射したときに参照試料にて回折した回折Ｘ線の強度を、広い開口角条件と狭い開口角条件にて検出して、両者の相対比を「参照試料の回折Ｘ線強度比」とする。参照試料に対してＸ線解析をする際の反射指数は、対象試料に対してＸ線解析をする際における反射指数に対して独立選択したものとしている。そして、「対象試料の回折Ｘ線強度比」を、「参照試料の回折Ｘ線強度比」で除算した値を、「規格化された回折Ｘ線強度比」としこの値から結晶状態を解析する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定を用いて結晶の構造を正確に解析する。
【解決手段】対象試料にＸ線を照射したときに対象試料にて回折した回折Ｘ線の強度を、広い開口角条件と狭い開口角条件にて検出して、「広開口角での対象試料の回折Ｘ線強度」と「狭開口角での対象試料の回折Ｘ線強度」とし、両者の相対比を「対象試料の回折Ｘ線強度比」とする。また結晶の完全性が保証された参照試料にＸ線を照射したときに参照試料にて回折した回折Ｘ線の強度を、広い開口角条件と狭い開口角条件にて検出して、「広開口角での参照試料の回折Ｘ線強度」と「狭開口角での参照試料の回折Ｘ線強度」とし、両者の相対比を「参照試料の回折Ｘ線強度比」とする。そして、「対象試料の回折Ｘ線強度比」を、「参照試料の回折Ｘ線強度比」で除算した値を、「規格化された回折Ｘ線強度比」としこの値から結晶状態を解析する。 （もっと読む）

本発明は、蛍光透視ユニットのテストキャリッジを動作し及び固定するためのシステムに関し、テストキャリッジは、回転軸８から半径方向に始まる直線方向Ｒにおいて動き、かつ、テストキャリッジが固定される、回転軸８について回転可能なガイドエレメント７とともに、テストオブジェクトを固定する固定手段を有する。
加えて、本発明は、焦点スポット２を有し、検出器４と、Ｘ線源１と検出器４との間に配置されるテストキャリッジを動作し及び固定するための上記のシステムとを伴う蛍光透視ユニットに関する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線に基づいた分析の際に対象物にビームをマッチングさせる際の問題点を解決する。
【解決手段】検査方法は、サンプルの表面上においてスポットを画定するべく合焦されるＸ線ビームを使用してサンプルを照射する段階を含んでいる。表面上の特徴部を横断するスキャン経路に沿ってスポットをスキャンするべく、サンプル及びＸ線ビームの中の少なくとも１つをシフトさせる。スポットが異なる個々の程度の特徴部とのオーバーラップを具備しているスキャン経路に沿った複数の場所において、Ｘ線ビームに応答してサンプルから放射される蛍光Ｘ線の個々の強度を計測する。スキャン経路における放射蛍光Ｘ線の調節値を演算するべく、複数の場所において計測された強度を処理する。調節済みの値に基づいて、特徴部の厚さを推定する。 （もっと読む）

【課題】二次電子又は反射電子の強度が時間的に変化しても適切な条件で検査を行う。
【解決手段】電子線を検査対象物に照射する照射光学系（１，４）と、この照射光学系の照射位置をＸ方向及びＹ方向に走査する走査部（７）と、電子線が照射されることにより検査対象物で発生した二次電子又は反射電子を制御する帯電制御電極（５）と、この帯電制御電極を介して二次電子又は反射電子を検出するセンサ（１３）と、このセンサで検出した信号を電子線の照射開始時刻からディジタル画像信号に逐次変換するＡ／Ｄ変換器（１４）とを備えた半導体ウェーハ検査装置であって、ディジタル画像信号を第１の設定時刻から第２の設定時刻まで画素毎に加算して検出画像を生成する加算回路（１５）と、検出画像と検査対象物に形成された回路パターンの参照画像とを比較して欠陥を判定する画像処理回路（１６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】微量の液体試料を所定の部位に精度よく試料点滴基板上に点滴乾燥させている全反射蛍光Ｘ線分析用試料点滴基板および全反射蛍光Ｘ線分析装置ならびに全反射蛍光Ｘ線分析方法を提供し、液体試料の全反射蛍光Ｘ線分析の感度と精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】液体試料を点滴乾燥させるための試料点滴基板であって、表面が疎水性であり、鏡面研磨の平面度を有する平面基板１５Ｋと、平面基板１５Ｋの表面の所定の部位に、合成樹脂を溶剤にて所定の濃度に溶解された合成樹脂溶液４０の所定量を点滴乾燥された合成樹脂点滴乾燥痕４１とを有する全反射蛍光Ｘ線分析用試料点滴基板１５。この全反射蛍光Ｘ線分析用試料点滴基板１５の合成樹脂点滴乾燥痕４１に試料溶液７０を点滴乾燥させて全反射蛍光Ｘ線分析を行う全反射蛍光Ｘ線分析装置およびその方法。 （もっと読む）

【課題】印下電圧を連続的に変化させて各層間に生じるポテンシャル差を調査することができる装置を提供する。
【解決手段】電子分光測定装置は、真空チャンバー内に配置した多層構造を有する試料の上層に電気的に接続する第一端子と、前記試料の下層に電気的に接続する第二端子と、前記チャンバー外に配置した変圧式電圧印下器と、前記両端子と変圧印可器の出力端子とを前記チャンバーの隔壁を貫通して接続する配線とにより構成された電圧印可装置を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の検査対象について正確に欠陥検出を行うことができなかった。
【解決手段】放射線を検査対象に照射し、前記検査対象を透過した放射線の強度に対応した透過放射線画像を取得し、基準の検査対象を撮影したときの透過放射線の強度が所定の強度になるようにオフセットを与えるための補正画像データを取得し、前記補正画像データによって前記透過放射線画像を補正した結果に基づいて、前記検査対象に欠陥が含まれるか否かを判定する。 （もっと読む）

Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。本発明の好ましい実施形態は、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスの労力を低減し、ＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるために、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化する方法を提供することにより半導体ウェハ上に製造される集積回路または他の構造などの対象に対するＳ／ＴＥＭベースの計測用のインライン・プロセスも提供する。 （もっと読む）

【課題】キャピラリーの回転ぶれを簡便に抑制することができるキャピラリー回転装置を提供する。
【解決手段】キャピラリー回転装置１０は、キャピラリーＣの先端部側から後端部側に向けて順に配置された第１案内部材１１と第２案内部材１２と第３案内部材１３と回転支持機構１４とを備える。回転支持機構は、キャピラリーの後端部を支持すると共に、キャピラリーを軸方向周りに回転させるように動作する。第１及び第３案内部材の凹溝はキャピラリーの同じ側面側に配置される一方、第２案内部材の凹溝は対向する側面側に配置され、少なくとも回転支持機構によってキャピラリーを軸方向周りに回転させる際、第１及び第２案内部材の凹溝の離間距離はキャピラリーの外径と略同等に設定される一方、第３案内部材の凹溝は該凹溝によってキャピラリーが第２案内部材の凹溝側に押圧されるように位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバの外部からの外光を遮断しつつ、走査光学系の光ビームを真空チャンバ内部に導いて試料上を走査することが可能となる真空チャンバ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバの内部に設けられ、試料を載置し、任意の方向に移動可能とする真空試料ステージ部と、真空チャンバの外部に配置され、試料を走査するための走査ビームを出射、偏向する走査光学系と、真空チャンバと走査光学系とを連結するとともに、真空チャンバ内部へ入射する外光を遮光する外光遮光手段と、真空チャンバと外光遮光手段との連結部分に設けられ、走査ビームが透過可能な内部観察用手段と、走査光学系から出射された走査ビームを、外光遮光手段及び内部観察用手段を介して真空チャンバの内部に導く走査ビーム折り返し手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 マスター画像等を作成するような手間をかけさせず、ＢＧＡパッケージの多数のハンダボールのように被測定物に同一形状の部材が多数個並んでいても、透視Ｘ線像が撮影されている被測定物の位置を把握させることができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 ステージ１４と、Ｘ線測定光学系１３と、ステージ１４を駆動信号に基づいて移動させるステージ駆動機構１６と、表示装置２３とを備えるＸ線検査装置１であって、被測定物Ｓについての複数の測定位置の配置関係を含む被測定物関連データが入力され記憶するデータ記憶部２５と、被測定物関連データに基づいて、表示装置２３に被測定物Ｓについての測定位置を示す模式図２４ｂの画像表示を行う模式図表示部３３とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子プローブマイクロアナライザを用いる地質年代測定と年代マップの表示を効率よく行う。
【解決手段】 （ａ）の分析領域Ｒに設定されているグリッド状の分析点（白丸で示す）と（ｂ）の分析領域に対応した反射電子像（原子番号の高い部分を黒く表示）の位置を対応させた状態が（ｃ）である。（ｄ）の棒グラフは、（ｃ）の直線Ｌ上に位置する分析点Ｌ１〜Ｌ１２における反射電子強度を表す。閾値Ｈ以上の反射電子強度を持つ分析点のみを測定対象とすると、（ｅ）中のＲ１〜Ｒ３は反射電子強度が閾値Ｈ以上の条件を満たす測定対象領域である。 （もっと読む）

【課題】同一粒子線照射条件及び走査条件の下で試料上の所定の測定範囲の拡大画像の取得と同時に該範囲のスペクトル分析を行うことにより、測定時間の短縮を図るとともに測定の正確性を向上させる。
【解決手段】操作部２４から走査速度などの走査条件と測定範囲とが設定され測定開始指示が与えられると、同期制御部２２は、測定範囲内で電子線照射位置が走査されるように試料ステージ４の駆動を開始し、それと同時に、電子検出器１５による検出信号に基づく二次電子画像の作成と、Ｘ線検出器９によるＸ線パルスに基づくＸ線スペクトルの作成とを開始させる。走査の進行に伴って徐々に二次電子画像が現れ、徐々にＸ線スペクトル強度が上昇するから、表示部２５の画面上で同一ウインドウ内に両者をリアルタイムで表示する。これにより、１回の走査が終了した時点で、測定範囲の二次電子画像とＸ線スペクトルとを共に得ることができる。 （もっと読む）