【課題】 基板内部に生じる局所的帯電の定量的で詳細な大きさを把握でき、チャージングを低減することができる荷電粒子ビーム検査方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 荷電粒子ビーム検査方法及び装置において、荷電粒子ビーム光学鏡筒の下面と試料との間に、導電性を有し、かつ、荷電粒子光学系の光路に沿って開口を有し、かつ、試料の表面上のＥＢ照射点から見て、鏡筒の下部の一部を覆う板を設ける。複数枚のスキャン画像の各々、あるいは複数枚のスキャン画像を積算した積算画像と、設計データとの比較照合を行い、倍率を求め、当該倍率の変動または変動の傾向から、荷電粒子ビームが照射されている局所領域における倍率との相関量を求め、その値に応じてランディングエネルギーを変化させる。 （もっと読む）

【課題】面分析における定量分析の精度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】試料表面上に点分析位置と点分析位置を含むように面分析領域を指定し、点分析位置に一次エネルギー線を照射して発生した二次エネルギー線に基づいて点分析におけるピーク強度とバックグランド強度を取得し、面分析領域内を一次エネルギーで走査して発生した二次エネルギー線に基づいて面分析におけるピーク強度とバックグランド強度を取得し、次に、点分析におけるピーク強度とバックグランド強度から原子濃度を求め、面分析におけるピーク強度とバックグランド強度の内で点分析位置に対応した位置に存在する元素に対応したピーク強度とバックグランド強度と、求めた原子濃度から元素に対応した相対感度係数値を求め、この相対感度係数と面分析におけるピーク強度とバックグランド強度とに基づいて面分析領域の定量計算を行う。 （もっと読む）

【課題】
絶縁性の高い試料を帯電することなく、また、汚染無く測定できる前処理法を提供する。
【解決手段】
絶縁性の高い分析対象試料に電離放射線やイオンビーム等のエネルギーを照射し、前記試料から放出される二次電子や二次イオン等のエネルギーを導いて前記試料表面を分析する表面分析方法において、前記絶縁性の高い分析対象試料上に導電性薄膜をメッシュ状に形成し、前記導電性薄膜が形成されていない前記試料上に前記電離放射線やイオンビーム等のエネルギーを照射することを特徴とする表面分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折の測定結果に悪影響を及ぼすことなく、ヒータの小型化が図れながら試料を加熱する均熱領域を広くできるＸ線回折装置を提供し、複数の試料に対して同時にＸ線回折測定が良好に行えるようにする。
【解決手段】試料が配置されるケーシング1と、ケーシング1内に配置された試料にＸ線を照射するＸ線照射器2と、試料を透過した回折Ｘ線を検出するＸ線検出器3と、ケーシング1内に配置され、このケーシング1内に配置された試料を加熱するヒータ4とを備える。ヒータ4は、試料に入射するＸ線（入射Ｘ線）の光軸の周りに、試料を囲むように配置する。ヒータ4は、試料を囲む筒状に形成したときは、筒部の中心軸が入射Ｘ線の光軸と平行となるように配置する。 （もっと読む）

【課題】試料の水平移動に伴って試料表面高さを一定にするべく高さ制御を行う場合に、高さの変化が急であると高さ制御が追従しきれずに不正確な分析となり、また急な高さ変化に追従可能とすると分析時間が長くなり過ぎる。
【解決手段】試料ステージ制御部１０はＸ、Ｙ座標値に応じたＺ座標情報に基づいて試料Ｓの表面高さの変化が急である場合には、水平方向への移動速度を遅くするべく駆動機構６、７を制御する。一方、これによって水平方向への試料Ｓの移動速度が変化するため、Ｘ線パルスの計数の開始・停止を決める同期信号の時間間隔を計測するべく、クロック信号を計数する計数器２３を設け、このクロック信号の計数値でＸ線パルスの計数値を除することで単位時間当たりの値に換算する。これにより、移動速度の変化の影響を受けない正確なＸ線強度を求めることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイ検査において欠陥の検出感度を高める。
【解決手段】ＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出することによりＴＦＴアレイの欠陥を検査するＴＦＴ基板の検査方法であって、所定周期内においてＴＦＴアレイの画素電極に正電圧および負電圧を交互に印加するとともに、画素電極の電位を負側にオフセットさせる。画素電極の電位の負側へのオフセットは、画素電極に交互に印加する正電圧と負電圧において、負電圧の絶対値を正電圧の絶対値よりも大とすることにより行う。画素電極の電位を負側にオフセットさせることによって、画素電圧に電子線を照射して得られる二次電子の放出量を増加させることで画素電極の電位の検出感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】直感的に撮像パラメータを決定することができ、オペレータにとって使いやすい放射線断層撮像装置を提供する。
【解決手段】互いに異なる画像を表示する独立した複数のモニタ１５ａ〜１５ｄを備え、その各モニタの表示画面にはそれぞれパラメータ設定部Ｄが設けられ、その各モニタ１５ａ〜１５ｄのうちのいずれかのパラメータ設定部Ｄによる設定内容が、全モニタ１５ａ〜１５ｄのパラメータ設定部Ｄの設定内容に反映されて表示されるとともに、各モニタ１５ａ〜１５ｄにより表示される画像は、その設定内容に従って内容となるように構成することで、オペレータは所要の画像が表示されているモニタを見ながら、そのモニタに設けられているパラメータ設定部Ｄを操作して各種パラメータを設定することが可能となり、条件設定のために多くの画像を表示しても、良好な作業性のもとに直感的に条件設定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高誘電体ゲート絶縁膜である酸化ハフニウム膜、バリアメタル膜としてタンタル窒化膜を製膜する半導体集積回路製造プロセスにおける半導体基板上のハフニウム、タンタルを１本のイリジウムＸ線管で高感度、高精度に分析することができる蛍光Ｘ線分析装置およびその方法を提供することを目的とする。
【解決手段】全反射蛍光Ｘ線分析装置１は、イリジウムＸ線管１１からのＸ線１２の中からＩｒ−Ｌα線１５とＩｒ−Ｌβ線１６を分光手段８により単色化して半導体基板Ｓに、それぞれ照射し、得られたそれぞれの分析データを演算手段２０により演算処理することにより、半導体基板Ｓ上の不純物であるハフニウムおよびタンタルを高感度、高精度に分析する。 （もっと読む）

【課題】効率的に高解像度で長尺状の被検査物をＸ線検査する。
【解決手段】被検査物であるテープ２２を一定速度で搬送しながらＸ線を透過させ、透過したＸ線を、外周面に輝尽性蛍光体を備えた回転する回転ドラム６０に照射する。Ｘ線の照射位置よりも回転方向下流側で励起光Ｌａを走査照射し、輝尽性蛍光体から発する輝尽発光光Ｌｂをフォトマルチプライヤー７８で受け、２次元のＸ線画像を得る。励起光Ｌａを走査照射した位置よりも回転方向下流側では、消去光を照射して残像を消去する。残像の消去された輝尽性蛍光体は、回転ドラム６０の回転により再び、Ｘ線照射位置に戻るので、長尺状のテープ２２を順次Ｘ線検査することができる。 （もっと読む）

【課題】微小ピクセルによる高感度検査を、ステージをスキャン移動させながら効率的に行える電子線検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による電子線検査装置では、ステージをスキャン移動させる方向と同一の方向（水平方向）にて電子線を走査させることで、電子線の偏向周波数の限界に関係なく走査数によりステージ移動速度が調整可能となる。ステージ移動方向に帯状のエリアの画像を連続取得するときの画像取得幅は、走査ピッチ、すなわちピクセルサイズと走査数により決まるが、例えば走査数を１／２とすることによりステージ速度を２倍とすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ラインスキャン方式において、電子ビームの位置ずれを補正して正確な二次元マッピング画像を得る。
【解決手段】ビーム走査部により電子ビームで試料表面の所定の領域を走査して得られた二次元画像の１つを参照画像として記憶しておき、予め設定された本数のラインスキャンごとにビーム走査部を駆動させて二次元画像を得、参照画像記憶部に記憶されている参照画像と比較して電子ビームのズレ量を算出する。その算出されたズレ量に基づいて偏向レンズにより電子ビームの位置を補正する。 （もっと読む）

【課題】ＬＭＩＳ汚染を発生させることなく、膜中の異物を正確に検出し電子顕微鏡による観察を迅速に行うことができる荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置を提供する。
【解決手段】他の光学式検査装置によって検出された、膜６６中に存在する欠陥の原因となる異物６５を他の光学式検査装置で取得された位置情報を基に光学式顕微鏡４３で検出し、電子顕微鏡画像やイオン顕微鏡画像による異物６５の観察やＥＤＸによる異物６５の元素分析ができるように非金属のイオンビーム２２で試料３１を加工する。 （もっと読む）

【課題】被検体の目的位置を容易に透過画像の視野に入れることが可能なＸ線透視検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１とＸ線検出器３の間に配置されたテーブル５面をｘｙ方向に移動させる移動機構６と、テーブル５をＸ線源１とＸ線検出器３の方向に移動させる拡大率変更手段７と、所定の拡大率において複数の移動位置で得た透過画像から一つの合成透過画像を形成する画像合成手段１１と、表示部９に表示された合成透過画像上で位置を指定する位置指定手段１２と、指定された位置が透過画像に入るよう移動機構６を制御する移動制御手段１３を備え、所定の最低拡大率で視野に入りきらない被検体４に対して全体を含む所望の範囲の合成透過画像を得、合成透過画像上で所望の位置を指定することで、容易にこの位置が視野に入る透過画像を得る。 （もっと読む）

【課題】 自動焦点合わせ可能な範囲を超える程度の反りが発生した場合でも、半導体ウエハ表面のすべての欠陥に焦点を合わせて欠陥画像を取得することができる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 表面上の欠陥の位置情報が知られている半導体ウエハを、撮像装置のステージに載置する。半導体ウエハの表面上の複数箇所の、高さ方向の位置を測定する。測定された高さ方向の位置に基づいて、表面内を複数の部分領域に区分する。部分領域から、欠陥画像の取得が終了していない部分領域を１つ選択する。選択された部分領域内が、撮像装置の自動フォーカス範囲内に位置するように、ステージの高さを調整する。選択された部分領域内の欠陥を撮像装置で撮像し、欠陥画像を取得する。すべての部分領域内の欠陥の欠陥画像が取得されるまで、部分領域の選択からｅから撮像までの工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】
被検査基板の帯電状態を任意に制御でき、信頼性の高い電子ビームを用いた回路パターンの検査装置を提供する。
【解決手段】
回路パターンが形成されたチップを複数有する基板表面に電子ビームを照射し、該照射によって基板から発生する信号を検出して画像化し、該画像と他の画像とを比較して回路パターン上の欠陥を検出する回路パターンの検査装置において、電子ビームで走査しながら一方向に移動する基板のひとつの移動であるラインに含まれるチップ列に電子ビームを照射する検査スキャンにより検査用の画像を取得した後に、検査スキャンにより電子ビームが照射された領域の帯電状態を飽和状態にする、あるいは帯電状態を元に戻すことによって画像の質が均一になるように、該照射された領域に再び電子ビームを照射するポストスキャンの電子光学条件を設定する条件設定手段を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 検査対象とすべき最適な断層像を特定することが困難であり、結果として高精度の検査を行うことができなかった。
【解決手段】 Ｘ線によって検査対象を検査するにあたり、Ｘ線を基板上の検査対象品に照射して異なる方向から撮影した複数のＸ線画像を取得し、上記複数のＸ線画像に基づいて再構成演算を実行し、当該再構成演算によって得られた再構成情報に含まれる上記基板の配線パターンの情報に基づいて上記検査対象品の検査位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】特性Ｘ線の取出角度と測定深さとの相関を求めることを可能とする斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法を提供すること。
【解決手段】斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法は、試料内部から発せられる特性Ｘ線が試料表面での全反射現象により検出されない角度以下に特性Ｘ線の取出角度を設定することにより試料の表層から発せられる特性Ｘ線のみを選択的に検出する斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法において、試料を試料内部としての下地と試料表層としての所定厚の上地で構成し、下地から発せられる特性Ｘ線の取出角度を所定角度から徐々に小さくして前記特性Ｘ線の消失角度を見出し、見出された消失角度を所定厚の上地の構成元素のみを選択的に分析できる取出角度として定義する。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子ビーム操作のためにサンプルを配向させる方法および装置を提供する。
【解決手段】サンプルが、サンプルの主表面がプローブ・シャフトに対して垂直ではない角度にある状態で、プローブに付着され、プローブ・シャフトは、サンプルを再配向させるために回転される。一実施形態では、サンプル・ステージに対して４５度などのある角度に配向されたプローブは、平坦領域がプローブの軸に対して４５度で平行に配向された、すなわち、平坦領域がサンプル・ステージに平行であるプローブの先端を有する。プローブ先端の平坦領域は、サンプルに付着され、プローブが１８０度回転されるとき、サンプルの配向は、水平から垂直に９０度変化する。次いで、サンプルは、ＴＥＭ格子をサンプル・ステージ上で垂直配向ＴＥＭ格子に付着される。サンプル・ステージは、薄くするためにサンプルの背面をイオン・ビームに向けるように回転および傾斜される。 （もっと読む）

【課題】基底基準吸収回折法に基づいたＸ線回折定量装置において、基底板を改良することにより安定した再現性の高い測定データを得ることができるようにする。
【解決手段】物質Ｓが無いときに基底板３１で回折した回折線の強度と、物質Ｓを透過した後に基底板３１で回折した回折線の強度とによって物質ＳのＸ線吸収量を求め、Ｘ線を用いて測定した物質Ｓの重量をその求められたＸ線吸収量に基づいて補正する基底基準吸収回折法を用いたＸ線回折定量装置である。この装置は、物質Ｓを保持するフィルタ３３と、物質Ｓに照射するＸ線を発生するＸ線源Ｆと、物質Ｓで回折した回折Ｘ線を検出するＸ線検出器２０と、フィルタ３３におけるＸ線照射面の反対側に設けられた基底板３１とを有し、基底板３１のＸ線が照射される表面は結晶の配向性が低くなる処理、例えばサンドブラスト処理、ショットピーニング処理を受けている。 （もっと読む）

【課題】製造されたデバイスの内部構造をテストするために薄いサンプルを準備して像形成する。
【解決手段】物体のサンプルを形成し、物体からサンプルを抽出し、真空チャンバーにおいて表面分析及び電子透過度分析を含むマイクロ分析をこのサンプルに受けさせるための方法及び装置が開示される。ある実施形態では、抽出されたサンプルの物体断面表面を像形成するための方法が提供される。任意であるが、サンプルは、真空チャンバー内で繰り返し薄くされて像形成される。ある実施形態では、サンプルは、任意のアパーチャーを含むサンプル支持体に位置される。任意であるが、サンプルは、物体断面表面がサンプル支持体の表面に実質的に平行となるようにサンプル支持体の表面に位置される。サンプル支持体に装着されると、サンプルは、真空チャンバー内でマイクロ分析を受けるか、又はロードステーションにロードされる。 （もっと読む）