本発明はイオンビーム顕微鏡を用いた試料検査に関するものである。幾つかの実施形態では、本発明は、各検出器は試料についての異なる情報を提供する複数の検出器を用いるものである。
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【課題】
電子線を応用した検査装置では、電子像を取得して欠陥の有無を判定していたため、画像の取得時間や画像データの転送速度、画像処理の速さなどで検査速度の向上に限界が生じていた。
【解決手段】
電子レンズ１１１の後焦点面に形成される回折スポットのうち、試料１０４から垂直に反射される電子が形成する部分を遮蔽物１１７で遮蔽し、その他の反射電子線を検出器１１２で検出し、その積分強度を入出力装置１１５でモニタすることにより異物や欠陥の判定を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのパターンの検査において、非検査領域が混在する試料でも非検査領域への電子ビームの照射を防止し、所望の検査領域を検査することができる検査装置、および検査方法を提供する。
【解決手段】電子ビームは試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーを有し、電子ビームの走査中に電子ビームが試料へ照射するのを妨げるように電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、電子ビームの走査中に試料を連続的に移動させるステージと、電子ビームの照射領域の選択に従って、電子ビームの非照射領域では電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の検査パターンを積算して行う欠陥検査を、一つの検査パターンによって行い、ＴＦＴアレイ検査の検査時間を短縮する。
【解決手段】荷電粒子ビームをＴＦＴアレイ上で走査して走査画像を形成し、走査画像から欠陥ピクセルを検出する走査ビーム検査装置であって、走査制御部と、二次電子を検出する検出器と、検査信号を印加する検査信号印加部と、検査信号を印加したＴＦＴアレイを二次元的に走査して走査画像を形成し、走査画像から各ピクセルの信号強度を検出する信号強度検出部と、信号強度をデータ処理することによって欠陥ピクセルを抽出するデータ処理部とを備える。データ処理部は、ピクセルの信号強度を複数の閾値と比較し、信号強度が、複数の閾値で区分される正常強度範囲と欠陥強度範囲の何れの強度範囲にあるかを検出する比較部と、信号強度が欠陥強度範囲にあるピクセルを欠陥ピクセルとして判定する判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイの検査時間を長くすることなく、ＴＦＴアレイの電位をチャージ保持することで検出される欠陥を検出する。
【解決手段】荷電粒子ビームをＴＦＴ基板上で二次元的に走査して走査画像を形成し、この走査画像によりＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置であり、試料を支持するとともに二次元方向に移動するステージと、このステージを駆動制御するステージ制御部と、荷電粒子ビームの走査を制御するとビーム走査制御部と、ＴＦＴ基板への検査信号の印加を制御する検査信号制御部と、走査画像を取得してアレイ検査を行う信号処理部とを備える。ステージ制御部およびビーム走査制御部は、荷電粒子ビームのＸ方向のビーム走査と、ステージのＸ方向と直交するＹ方向のステージ送りとによる二次元走査を一パスとして、ＴＦＴ基板をビーム走査方向に複数のパスで分割して二次元走査し、各パスにおいて、同一のパスを往路と復路とで往復して走査する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、回路パターンに電圧および温度等の電気的負荷をかけて信頼性評価を行う半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程（ステップ９９）と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程（ステップ１０６）とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。そして、電気的負荷印加の前後において、回路パターンを含む領域に電子線を照射することで二次電子画像を取得し（ステップ９０）、この電気的負荷印加の前後の二次電子画像を比較判定することで、回路パターンおよびそれを含むウエハを検査する。 （もっと読む）

【課題】
エネルギー損失量と測定位置情報の二軸で形成される電子エネルギー損失スペクトル像について、各測定位置間での電子エネルギー損失スペクトルの相違点を高効率かつ高精度に補正する透過型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
電子分光器を備えた電子顕微鏡の電子エネルギー損失スペクトル像の補正システムであって、基準スペクトル像に含まれる基準位置のスペクトル及び基準位置以外のスペクトルの相違点に基き、分析対象試料のエネルギー損失スペクトル像の各測定位置のスペクトルを補正することを特徴とする補正システム。 （もっと読む）

【課題】安全にかつ短時間で被計測物の傾斜角度を調整できる被計測物の保持装置を提供する。
【解決手段】細長な被計測物３内の内容物をＸ線検査により確認すべくその被計測物３を傾斜させて保持する被計測物３の保持装置６において、基台１４上に、被計測物３を載置する傾斜調整トレイ１５を傾動自在に設け、基台１４上に傾斜調整トレイ１５の傾斜角度を調整する傾斜角度調整装置１６を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】蛍光Ｘ線の検出効率を高めるために、Ｘ線を発生するターゲットから試料までの距離、試料から蛍光Ｘ線の検出器の検出素子までの距離を可能な限り小さくすると共に、蛍光Ｘ線の取り出し角を可能な限り大きくした蛍光Ｘ線分析機能付き高分解能Ｘ線顕微装置を提供する。
【解決手段】対物レンズによって電子線をＸ線発生用のターゲットに集束させ、ターゲットから発生したＸ線を試料に照射することによって試料から発生する蛍光Ｘ線を検出する検出器と、検出器の検出結果から蛍光Ｘ線を分析する分析部とを具備した蛍光Ｘ線分析機能付き高分解能Ｘ線顕微装置において、検出器の全部又は一部を対物レンズの磁気回路内に組み込む。 （もっと読む）

【課題】試料の部分透視画像どうしを接合して全体透視画像を構築するに当たり、凹凸の存在する試料等であっても、従来に比して接合部分での像の繋がりをより良好なものとすることのできるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】互いに隣接する部分透視画像を接合する際、双方の部分透視画像について、相互に接合すべき辺の近傍領域の画素の輝度情報に基づいて、例えばその領域の輝度の平均値よりも明るい画素群等、当該領域の画素のうちの一部の画素の輝度情報を用いて、当該辺に沿った輝度情報の分布が双方の部分透視画像において互いに最も類似する箇所を、相互に接合すべき箇所と決定して接合することにより、凹凸の存在する試料等においては例えば試料厚さの薄い部分の像を主眼とした接合を実現し、全体透視画像上における像の接合の違和感をなくすことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】最表面２〜３原子層における元素と原子層とを選別した磁気構造解析を行う方法とその装置を提供する。
【解決手段】試料から散乱した散乱イオン強度を入射イオン種のスピン別に計測し、その計測データにより試料表面の磁気構造を解析する。 スピン偏極イオンを発生させるスピン偏極イオン発生部と、前記スピン偏極イオン発生部からのスピン偏極イオンを所望のエネルギーで試料表面に入射させるスピン偏極イオンビームラインと、試料を保持する真空槽と、前記真空槽内に位置して、前記試料に照射されて散乱したスピン偏極イオンを計測する計測器よりなる。 （もっと読む）

【課題】透視観察作業の後でも、内部欠陥等の被検査物中での３次元位置情報等を容易に把握することを可能とし、検査後の検証作業等の容易化を達成することのできるＸ線透視検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線発生装置１とＸ線検出器２の間に設けられた試料ステージ７に配置された被検査物Ｗを撮影する光学カメラ１０と、その光学カメラによる被検査物Ｗの外観像を用いて、被検査物ＷのＸ線透視像と併せてその刻々の透視観察位置および方向を表示器２５に表示する観察位置・方向表示手段を備え、表示器２５に表示されている被検査物ＷのＸ線透視像を経時的に連続もしくは断続して記録し、かつ、その刻々のＸ線透視像に対応して表示される観察位置・方向表示手段による表示内容を併せて記録する記録手段２９を設け、その記録内容を再生することで、透視観察時と同等の表示を随意に再現可能とし、被検査物Ｗ中の欠陥等の位置や構造等を立体的に把握する。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェーハに形成された半導体チップのメモリマット部の最周辺部まで高感度に欠陥判定できる検査装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】
半導体ウェーハに形成されたダイの回路パターンの繰り返し性に基づいて画像のデータを複数の画像メモリに分配して格納し、画像メモリに格納された画像のデータを繰り返し性の方向に加算平均した合成参照画像と比較して差分画像を生成し、差分画像の差分値が予め定められたしきい値より大きい領域を欠陥と判定し、欠陥の画像のデータと欠陥の座標を含む欠陥情報の複数を統合して出力する。 （もっと読む）

【課題】軽元素から成る微小な試料に対しても充分な高分解能、高コントラストを得ることができ、in-situの状態で試料を観察することができるＸ線顕微装置を提供する。
【解決手段】電子銃の電子源からの電子線をＸ線ターゲットに当ててＸ線を発生させるＸ線発生手段と、試料に照射されたＸ線の透過Ｘ線を撮像素子で撮像する撮像手段とを具備したＸ線顕微装置において、Ｘ線発生手段は波長０．１〜１．２ｎｍの長波長の特性Ｘ線を発生し、Ｘ線ターゲットを真空封止するＸ線透過窓基材はベリリウムで成り、Ｘ線透過窓基材の厚さが１０〜６０μｍであると共に、撮像手段の試料室が密封構成であり、試料室にガスを充填して試料の透過画像を撮像手段で得る。 （もっと読む）

【課題】対象とする物品を用意することなく、その物品を検査するために必要な観察ポイントや観察方向等をティーチングすることができ、かつ、そのティーチング作業の作業性を良好なものとすることのできるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】入力された対象物の３次元形状情報および寸法情報と、試料ステージ１３への設置位置情報に基づき、対象物の３次元モデルＭを表示するとともに、その３次元モデルＭ上で、対象物を観察する際の複数の観察ポイント、観察方向および観察倍率を逐次設定して記憶し、実際の対象物の観察時に、設定された順序通りの観察ポイント、観察方向および観察倍率が得られるように、試料ステージ１３と、Ｘ線発生装置１１とＸ線検出器の対との相対的位置を移動させる。３ＤＣＡＤデータ等に基づく３次元モデルの表示を用いた設定により、対象物を用意することなく、対象物のどのポイントをどの方向から観察するのかを把握しやすく、ティーチング作業の容易化と効率化を達成することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】
試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース，コストダウン，振動抑止と高速化，検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】
少なくとも一つ以上の検査を荷電ビーム機構で行う複数の検査機構を具備し、各検査機構を概略一軸に配する共通の真空容器内に設けられた各検査機構間を一軸移動する一軸移動機構と、試料を載置し一軸移動機構上に回転軸を有した回転ステージと、試料を各検査機構間で一軸移動機構により移動させ、次に回転ステージで試料の検査位置を検査機構へ調整して合わせ、検査機構により試料の検査を行う。 （もっと読む）

【課題】ボイドの形状に基づいて画像処理することにより効率よく被検体を検査すること。
【解決手段】検査方法は、（ａ）被検体のＸ線透過画像を撮像するステップと、（ｂ）前記Ｘ線透過画像から、第１輝度に基づいて互いに分離された検出候補画像を生成するステップと、（ｃ）前記検出候補画像の各々の縦横比に基づいて第１ボイド候補の画像を選択するステップと、（ｄ）第２輝度に基づいて残りの検出候補画像の各々から第２ボイド候補の画像を生成するステップと、（ｅ）前記第１ボイド候補画像と前記第２ボイド候補画像を合成してボイド候補の画像を生成するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの微細化に対応して検査時の画素サイズを小さくする必要がある場合にもスループットの低下を抑制する手段の提供。
【解決手段】回路パターンを有する被検査試料９に荷電粒子線を照射し、発生した信号から画像を取得し、この画像から回路パターンの欠陥を検出する検査方法及び検査装置において、被検査試料９に対して荷電粒子線を走査する方向の検査画素サイズと、被検査試料を載置して移動するステージ３１，３２，３３の移動方向の検査画素サイズをそれぞれ別個に設定して検査する構成とする。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡を用いた欠陥のレビュー方法、および欠陥のレビュー装置において、電子ビームの自動焦点合わせの設定に要するユーザの工数を低減し、試料の観察を容易化する。
【解決手段】
観察対象の座標上に予め登録された複数個の座標位置について焦点合わせを行い、座標位置における各焦点位置に基づいて焦点合わせの基準を作成し、該基準と前記焦点位置との間のずれ量に基づいて焦点探索範囲を設定し、観察対象の欠陥検出の自動焦点合わせの範囲を、設定された焦点探索範囲に基づいて決定する。 （もっと読む）

【課題】被検査試料の特質により欠陥部位のコントラストが十分に得られない場合であっても、スループット低下をきたすことなく、高感度な欠陥検出性能を実現する優れた検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】被検査試料に電子線ビームを繰り返し往復ライン走査させ、試料から発生する２次電子または反射電子に基づき生成された画像から欠陥部を求めるＳＥＭ式外観検査装置において、電子線ビームの振り戻しを、画像取得、プリチャージ又はディスチャージに用いる機能を備える。 （もっと読む）