【課題】基台上に形成されるプローブに損傷を与えず、これを基台から剥離する。
【解決手段】基台上の犠牲層の上に該犠牲層が露出する凹所をレジストで形成し、該凹所にプローブ材料を堆積してプローブを形成した後、レジストを除去し、さらにエッチング処理により、犠牲層をその一部を残して除去し、その残部で基台上に保持されたプローブを基台上から剥離することを含むプローブの製造方法。レジストの凹所には、プローブの平面形状を有する本体部分と、これに連続する補助部分が形成される。本体部分への材料の堆積によりプローブが形成され、補助部分への材料の堆積により保持部が形成される。補助部は、プローブ下の犠牲層部分がエッチング処理によって除去されたとき、保持部下の犠牲層部分が残るに充分な平面形状を有する。プローブ下の犠牲層部分が除去された後、保持部下の犠牲層部分が残る間に、プローブを保持部から分離する。 （もっと読む）

【課題】プローブの平坦度が向上されたプローブカード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のプローブモジュール１０００と、プローブモジュール１０００の下に位置した多層セラミック基板２０００と、プローブモジュール１０００と多層セラミック基板２０００を接続させるソルダボール１８３とを含み、ソルダボール１８３の高さＨは位置によって異なるプローブカード及び、ソルダボール１８３が付着された複数のプローブモジュール１０００を用意する段階と、ピックアップ装置を利用してプローブモジュール１０００のうち少なくとも一つをピックアップして多層セラミック基板２０００の所定位置に付着させる段階と、プローブモジュール１０００を掴んでいるピックアップ装置を上昇または下降させることによって、ソルダボール１８３の高さＨを調節してプローブモジュール１０００の高さを調整する段階とを含むプローブカードの製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数のＣＣＤセンサの検査を迅速かつ効率的に行う。
【解決手段】プローブカード１１の回路基板２１には、複数の開口部２１ａが形成される。回路基板２１の下面には、多数の垂直型のプローブピン２０が接合される。回路基板２１の下面には、ガイド基板２２が設けられ、ガイド基板２２の各ガイド孔２２ａに各プローブピン２０が挿入される。ガイド基板２２は、透明のガラス基板により形成されている。検査時には、テストヘッドから発光された検査用の光が回路基板２１の開口部２１ａを通過し、ガイド基板２２を透過して、基板Ｗの複数のＣＣＤセンサＳに照射される。この場合、検査用の光を妨げることなく、多数のプローブピン２０を狭ピッチで配置できるので、基板Ｗ上の隣り合うＣＣＤセンサＳの検査を同時に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】電流が流れる場合であっても、電流に伴い発生する熱による問題の発生を回避することができるコンタクトプローブを提供する。
【解決手段】コンタクトプローブ１０は、接触部１１と、バネ部１２と、支持部１３と、熱回避部１４とを備えている。接触部１１は、被測定物に接触させる先端部１１ａを含む。バネ部１２は、接触部１１と接続され、被測定物と接触するときに弾性変形する。支持部１３は、バネ部１２と接続され、接触部１１およびバネ部１２を支持する。熱回避部１４は、接触部１１、バネ部１２、および支持部１３のうちの少なくとも１つにおいて発生する熱を蓄積、拡散、または放散できる。具体的には、接触部１１、バネ部１２、および支持部１３からなるプローブベース１５において先端部１１ａ側の面１５ａと異なる面１５ｂに接続されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品などの測定対象の電位分布をより精細に、より高速で且つ視覚的に得ることにより、帯電の影響を容易に評価できる帯電分布測定システムを提供する。
【解決手段】帯電電位検出部分が直径０．５ｍｍ以下のプローブを用い、帯電電位を測定するプローブの検出部及び回路を最適化することにより、より微小領域の帯電電位の測定を可能にし、プローブを二次元に走査することにより、高分解能の帯電電位分布を短時間で測定する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造を採択して製作を容易にし、検査時に接触抵抗をなくして検査の信頼性を向上させる検査用探針装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】上部には、検査対象物の接触端子に接触する探針部が形成され、前記探針部の下部には弾性力を提供するスプリング部が一体に延設されることにより、検査対象物から前記スプリング部の下部に電流が通ずるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 フイルムに規則的に配列された垂直型接触子が、フレキシブルフラットケーブルの一端に形成された配線端子の端面に垂直に接触させ、狭ピッチ化した接触子配列からの信号線をプリント基板に接続する。
【解決手段】 ウエハパッドと接触導通する狭ピッチ線配列プローブ入力端とプローブ出力端を有し、プローブ出力端が概略平面上に粗ピッチに面配列される手段と、プローブ出力端と変換配線入力端とが交差し接触して導通するｘ方向配線群と、ｘ方向配線群の出力端と交差し導通するｙ方向配線群を有する電気信号座標変換装置。 （もっと読む）

【課題】複数種類の半導体装置を同一のプローブカードで検査することができ、かつ複数の外部接続端子の相互間隔が大きくてもプローブピンと外部接続端子が電気的に接続できなくなることを抑制できる接続用基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続用基板２０は、半導体装置とプローブカードを接続する接続用基板であって、一面に形成され、プローブカードが有する複数のプローブピンそれぞれに対向する位置に配置された複数の第１の端子２２と、他面に形成され、半導体装置が有する複数の外部接続端子それぞれに対向する位置に配置された複数の第２の端子２１と、複数の第１の端子２２それぞれを互いに異なる第２の端子２１に接続する複数の接続用配線２３ａ，２３ｂとを具備する。 （もっと読む）

【課題】超微細なコイル状のスプリングでありながら所定の弾性、例えば、コンタクトプローブ用のコイル状スプリングに要求される弾性を有する超微細コイル状スプリング及び、当該コイル状スプリング構造を一部に備えているＮｉ電鋳パイプを提案する。
【解決手段】外径が３２μｍ乃至５００μｍ、内径が３０μｍ乃至４５０μｍのＮｉ電鋳製コイル状超微細スプリング及び、前記のコイル状スプリング構造を一部に備えているＮｉ電鋳パイプ。Ｎｉ電鋳製コイル状超微細スプリング、コイル状スプリング構造を一部に備えているＮｉ電鋳パイプはいずれもヤング率９３ＧＰａ乃至１９１ＧＰａの弾性と、ビッカス硬度３００乃至６００の硬度を有する電鋳部材からなる。 （もっと読む）

【課題】パッケージテスト用ソケット、テストソケット用ラバー及びテストソケット用ガイドを提供する。
【解決手段】電気配線を備える２つ以上のラバーと、電気配線を備える２つ以上のガイドと、ラバー及びガイドを収納するソケットフレームと、を備え、ラバーの個数とガイドの個数とが同一であり、ラバー及びガイドがソケットフレームの収納空間内で最下部に一つのラバーが位置するように交互に積層される半導体パッケージテスト用ソケットである。これにより、該半導体パッケージテスト用ソケットを利用してパッケージをテストすれば、マルチチップ半導体パッケージを製造してテストせずとも、単一チップ半導体パッケージを利用してマルチチップ半導体パッケージのテスト結果が得られる。 （もっと読む）

【課題】多電極のデバイスを、高精度で効率よく検査でき、さらに、実装ボードへの着脱を容易に繰り返せるデバイス検査および／または実装用のインターポーザを提供する。
【解決手段】デバイスを構成部品とする製品に実装するために用いる検査器および／または実装ボードと、デバイスとの間に介在させて電気接続を媒介するインターポーザであって、インターポーザのデバイス接触面にはデバイスの電極の配置に対応する電極をスパイラル状接触子で構成し、インターポーザの検査器および／または実装ボード接触面には、それらの電極の配置に対応する電極をスパイラル状接触子で構成し、デバイスの種別による電極配置の違いに応じてカスタムメイドで対応し、スパイラル状接触子は、付勢力に抗して押圧力を加えると偏平に押し縮められ、開放状態では中央部が円錐状に立ち上がり元に戻ることを特徴とするデバイス検査および／または実装用インターポーザ。 （もっと読む）

【課題】ウェハー上の半導体素子を検査するとき、検査効率が向上し、プローブカード上に搭載する素子数が増大することなく、過電流の影響によるプローブ針の破壊、焼失を防止する。
【解決手段】検査装置の電源ユニット２−被検査素子９の電源端子１０間に、過電流制御回路１を挿入する。過電流制御回路１は、プローブカード上に配設され、検査装置の電源ユニット２−被検査素子９の電源端子１０間にコイル等のインダクタ４を挿入している。これにより、検査装置の電源ユニットからデバイスへと瞬時的に流れる過電流を過渡的に制御することにより、少量の素子で、かつ検査を中断することなく過電流を抑制することができ、ひいては過電流の影響によるプローブ針の破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】平板表示素子テストのための検査装置及びその製造方法を提供する。より詳細には、平板表示素子のパッド電極が微細化する趨勢に対応して多様なプローブ配置ができるようにし、また、隣接するプローブ間の短絡による誤動作を防止できる平板表示素子テストのための検査装置を提供し、検査装置を手作業無しで製造する方法を提供する。
【解決手段】基板（１００）と、基板上に配置されるボディー（１１８）と、ボディーの両側面から延突される複数個のプローブ（１１５）と、これらのプローブのうち、ボディーの一側面から延突されるプローブの下端に配置されるプローブチップ（１２２）とを備える構成とした。ここでプローブは絶縁膜でコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】支持基板に確実にはんだ付けできるプローブを提供する。
【解決手段】通電試験用プローブは、支持基板にはんだを介して取り付けられる基端および該基端に連らなる先端を有するプローブ本体と、プローブ本体の導電性よりも高い導電性を示しかつはんだに対するプローブ本体の濡れ性よりも高い濡れ性を示しプローブ本体の表面で基端から先端へ向けて伸びる表面層とを備える。表面層の前記基端の近傍には、はんだに対する濡れ性が表面層のそれよりも小さい遮蔽領域が表面層を横切って形成されている。 （もっと読む）

【課題】メモリディバイスの大容量化や、パッケージの小型化に対応して、細径化と高密度実装化が要請されているコンタクトプローブピン用のプランジャーとその製造方法を提案する。
【解決手段】極細径で円柱状の接続用ピン端子の基端部に、当該接続用ピン端子の外周に当接する内周を有する第一のリング体が固着されているとともに、当該基端部から先端側に向かって所定の間隔を空けた位置に、当該接続用ピン端子の外周に当接する内周を有する第二のリング体が固着されているコンタクトプローブピン用のプランジャー。 （もっと読む）

【課題】測定プローブ、測定装置または測定システムに提供される信号伝送用インフラストラクチャを単純化する。
【解決手段】測定装置は、少なくとも１つの物理または電気化学測定プローブを有し、この少なくとも１つの測定プローブは、１つまたは複数の記憶ユニットを備え、ケーブル（２）、好ましくは同軸ケーブルを介して、プロセッサを含む伝送器（３）に接続されている。測定プローブは、接地線（２３’）を有し、第１の信号線（２１’）を介して記憶ユニットに接続されており、プロセッサの制御下で、伝送プロトコルに従って、第１の信号線（２１’）および接続ケーブル（２）が、測定プローブのアナログまたはディジタル測定信号の単方向伝送、ならびに記憶ユニットから読み取られ、または記憶ユニットに書き込まれるディジタル動作データの測定プローブと伝送器（３）の間の好ましくは両方向の伝送を実行する役目を果たす。 （もっと読む）

【課題】径の微細化を図ることができる同軸プローブと同軸プローブ用のバレルを提供する。
【解決手段】内周側に絶縁層を含む同軸プローブ用のバレルであって、前記絶縁層が管状の第一のニッケル層の外周に形成されているとともに、当該同軸プローブ用バレルの外径が８０μｍ以上であることを特徴とする同軸プローブ用のバレル。当該バレルの内部に、導電部材からなる信号伝達用の導電針が摺動自在に装入されている同軸プローブ。 （もっと読む）

【課題】プローバフレームの温度上昇を抑制し、また、基板加熱により生じる基板の加熱温度を下げることなく、プローブピンと電極とのコンタクトを安定なものとする。
【解決手段】液晶基板検査装置内にプローバフレームへの熱の影響を低減する機構を備える。熱の影響を低減する機構は、基板加熱によるプローバフレーム２の熱膨張による変形を低減する第１の機構（低熱膨張材５）、基板加熱による熱がプローバフレーム２に伝導することを低減する第２の機構（低輻射材６，断熱材７）を備える。これらの構成によって、熱膨張による変形の低減、あるいは、熱伝導の低減によって熱の影響を低減し、プローバフレームの加熱による変形を抑制する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ技術とエッチング技術を用いることなく所定の形状を有するプローブチップを基板上に容易に製造することができるプローブチップの製造方法を提供すること。
【解決手段】検査する半導体装置の電極パッドの位置に合わせて基板上に形成されるプローブチップの製造方法であって、プローブチップの形状とこのプローブチップを基板上に形成する位置を含む形状情報に基づいて、基板上の所定の位置に金属粉末を３次元的に焼結させてプローブチップを製造する。 （もっと読む）

【目的】 オーバードライブを考慮しつつ、半導体素子の電極の間隔が狭い半導体素子にも対応可能なプローブと、そのプローブの製造方法とを提供する。
【構成】 半導体素子６００の電極６１０に接触する接触部１１０と、プローブカード５００を構成する基板５１０の配線パターンに接続される接続部１２０と、接触部２２０と接続部１２０との間に設けられた座屈部１３０とを備え、座屈部１３０は、接触部２２０や接続部１２０より細く形成される。白金、ロジウム合金等の白金族の合金からなる細線２００の全体にニッケル等をメッキする第１のメッキ工程と、座屈部１３０に相当する部分１３０Ａにメッキされない素材からなるカバー２３０を形成するカバー工程と、カバー２３０でカバーされた部分以外の部分にニッケル等をメッキする第２のメッキ工程とを有する。 （もっと読む）