【構成】 ガスセンサは、妨害ガスを除去するフィルタと、フィルタで処理済みのガス中の検出対象のガス成分を検出するセンサ本体とを備えている。フィルタは、ゼオライトと活性アルミナの質量比で9:1〜1:4の混合物である。
【効果】 このフィルタは、シリコーンガスの除去能力が高く、炭化水素等を吸着しない。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で耐久性が高く、しかも高い検出感度と良好な応答時間を有し、水素ガス選択性に優れた水素ガスセンサを提供する。
【解決手段】水素ガスセンサは、絶縁基板上に内径500nm以下の微細孔又は外径1000nm以下の微細筒が形成されたチタン酸化物を主成分とするセンサ素子を有し、水素濃度に依存してセンサ素子の電気抵抗が変化する。センサ素子は質量百分率で０．０１％以上のパラジウムあるいは白金を含むチタン合金の陽極酸化皮膜であることが好ましい。水素ガスセンサは、絶縁性基板上にチタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を作製した後、チタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を陽極酸化することで生成される。 （もっと読む）

【課題】ガス感応部の電気抵抗を小さくして、被検知ガスに対して高感度となる半導体式ガス検知素子を提供する。
【解決手段】貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを０．８ｍｏｌ％以下の範囲、セリウムを０．８ｍｏｌ％以下の範囲で、固溶させてある。 （もっと読む）

【課題】衝撃や振動等によるダイヤフラム構造体上に設けられた層状部の剥離を抑制すると共に、生産性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム構造体３９Ｄ、４９Ｄと、ダイヤフラム構造体の絶縁層上に形成されたガス検知層を含む層状部３１、４１と、ガス検知層を介して互いに接続する一対の検知電極３６Ａ，３６Ｂ、４６Ａ，４６Ｂと、電極取出し辺３Ｐ、４Ｐに沿って設置されて検知電極に接続する一対の検知パッド３３、４３とを有するガス検出素子３、４と、検知パッドに接続する基板側パッド２３が表面に形成され、複数のガス検出素子が一列に並ぶよう実装された配線基板２とを備え、ガス検出素子の下面Ｒ１と配線基板の表面との間に介装される第１接着層６１，６２と、隣接するガス検出素子の下面Ｒ２同士を跨ぐように当該下面と配線基板の表面との間に介装される第２接着層６３とを備えるガスセンサ１０である。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出できるガスセンサ及びガス検出方法を提供する。
【解決手段】メソポーラスシリカを充填した捕集カラム１と、捕集カラム１を加熱する加熱装置２と、ＳｎＯ_２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子４と、センサ素子４の電気抵抗値を測定する検出器５と、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、捕集カラム１に流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、捕集カラム１及び前記センサ素子４に流通させる空気流通手段とを備えているガスセンサを用いてガス中のフタル酸ジアルキルを検出する。 （もっと読む）

【課題】より簡便且つ安定的に長期間使用可能な水素センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る水素センサ１は、水素の吸蔵および放出により可逆的に物性値が変化する金属からなる水素感応体１０を、フィルム状、シート状または平板状の樹脂からなる基板１２の表面に薄膜状に形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明に従い新規な水素センサーの製造方法が提供されるが、該方法は、弾性基板の表面に遷移金属またはその合金薄膜を形成するステップと、上記弾性基板に引張力を印加して、上記基板表面に形成された上記合金薄膜に複数のナノギャップを形成するステップと、を含み、上記薄膜への上記ナノギャップは、上記引張力の印加時には上記薄膜が該引張力の印加方向に伸長すると共に該印加方向に対して垂直方向に収縮し、該引張力を解除すると上記薄膜が該印加方向に収縮すると共に該印加方向に対して垂直方向に伸長することにより形成されることを特徴とする。
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【課題】検出感度を向上することができるガスセンサ用基板、ガスセンサ用パッケージ、およびガスセンサを提供する。
【解決手段】触媒５と検出対象ガスとの接触に起因する触媒反応により発熱反応が生じ、この発熱反応により発生する熱によって発熱抵抗体８の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づいて検出対象ガスを検知するガスセンサ１に用いられるガスセンサ用基板７であって、触媒５を担持するための担持部７１が設けられた基板７２を備え、発熱抵抗体８は、担持部７１の近傍の基板７２に設けられており、基板７２には、触媒５の発熱反応により発生した熱によって発熱抵抗体８の温度を上昇させるための切欠部Ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】高感度、長寿命という優れた特徴を有するガス感知体を、さらには、ガス選択性を容易に付与することが可能なガス感知体を、容易に製造することができるガス感知体の製造方法及びガス感知体並びにガスセンサを提供する。
【解決手段】本発明のガス感知体の製造方法は、半導体微粒子を含む分散液から分散媒を除去することにより、未焼結状態の半導体微粒子堆積物を生成し、次いで、この半導体微粒子堆積物に絶縁性物質形成成分を含む溶液を浸透させて絶縁性物質形成成分から絶縁性物質を生成させ、半導体微粒子及び絶縁性物質を含むガス感知体を得る。 （もっと読む）

【課題】吸着燃焼式ガスセンサの感応素子及び補償素子における温度上昇特性の差異によって生じる誤差電位差を小さくして、検出対象ガスの検出感度を向上できるガス検出装置を提供する。
【解決手段】ガス検出装置１は、吸着燃焼式ガスセンサ回路部１０、並びに、複数の比較回路部２０、を含むブリッジ回路２を備える。ブリッジ回路２には、複数の比較回路部２０のうち１つの比較回路部２０を増幅器６に接続する比較回路部切換器５０が設けられ、そして、吸着燃焼式ガスセンサ回路部１０が備える感応素子及び補償素子の温度が上昇する過渡期間において、所定の比較回路部切換情報に基づき、複数の比較回路部２０のうち、感応素子と補償素子との温度上昇特性の差異により生じるブリッジ回路２の誤差電位差が最も小さくなる比較回路部２０が増幅器６に接続されるように、比較回路部切換器５０を制御する。 （もっと読む）

【課題】酸素を含有する空気中で、低濃度の水素を検出可能な水素ガスセンサを提供する。
【解決手段】板状の圧電体１１、圧電体１１の表面の一部に配置されたパラジウム―プラチナ合金からなる薄膜状のガス感応部３２、及びガス感応部３２に接するガスの水素濃度に依存するガス感応部３２の物性の変化を検出する検出部として機能する櫛歯状の電極２２を備える水素ガスセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増加を極力抑え、ガス感知層が温度により影響される事態を排するとともに目的ガスに感応するようにして、周囲環境による影響を受けないようにした薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】ガス感知層が目的ガス検知温度となるように所定期間にわたりヒーター層を駆動して温度が安定してからガス感知層の感知層抵抗の値を算出して目的ガス濃度を算出し、また、ガス感知層が一酸化炭素ガス検知温度となるように所定期間にわたりヒーター層を駆動して温度が安定してからガス感知層の感知層抵抗の値を算出して一酸化炭素ガス濃度を算出し、温度による影響を排した薄膜ガスセンサとした。 （もっと読む）

【課題】室温で動作し水素ガスに対する応答速度が速い水素ガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水素ガスの検知部となる酸化タングステン膜２と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に設けられた一対の電極３と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に間隔をあけて設けられ前記水素ガスを解離する触媒となる金属微粒子４とを有する水素ガスセンサとする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム部に生じる歪(熱による歪・割れによって生じた歪)を検出し、故障を自己診断するようにして、検出特性の変化により発生する事故の未然防止に寄与する薄膜ガスセンサを提供する。更にこのような薄膜ガスセンサを製造する薄膜ガスセンサの製造方法も併せて提供する。
【解決手段】ダイヤフラム部の上に歪感知層８１を４個配置し、さらにホイートストンブリッジ回路を形成する。これにより、ピエゾ抵抗素子として機能する歪感知層８１によりダイヤフラム部の歪を抵抗値の変化として検出することが可能になる。また、歪感知層８１はガス感知層５３と同じ材料とし、歪感知層８１とガス感知層５３とを同時に形成するため工数低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ガス検出部がシロキサン化合物によりシロキサン被毒状態にあるか否かを判定し、所定濃度の検出対象ガスの存在の検出及び警報を正確に行うことを可能とし、シロキサン被毒によるセンサ故障を早期に認識するガス検出装置、これを備えた機器を提供する。
【解決手段】検出対象ガスに感応して電気抵抗値が変化するガス検出部を高温作動状態と低温作動状態とに切り換えるように又は高温作動状態のみに加熱部の作動を制御するとともに、高温作動状態にあるガス検出部の第１電気抵抗値に基づいて可燃性ガスを検出する制御部を備えたガス検出装置で、加熱されたガス検出部の温度が高温作動状態においてガス検出部の雰囲気中のシロキサン化合物がガス検出部を被毒することがある温度であり、制御部により検出された第１電気抵抗値の低下する低下状態が所定期間継続した場合に、ガス検出部の表面がシロキサン化合物による被毒状態であると判定する判定部を備えた。 （もっと読む）

感度、選択性および長時間安全性を向上させることができる薄膜型高活性ガスセンサーを開示する。また、その薄膜型高活性ガスセンサーの製造方法であって、製造工程の単純化、薄膜化および小型化を図ることができるものを開示する。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧等の印加に対しても破壊されることがなく、安定で信頼性の高い薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】図は薄膜ガスセンサの平面図であり、感知膜電極７間にバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子を形成した例である。つまり、感知膜電極７を形成する際に、ニードル状に突起のあるパターンを図示のように対向させる。そして、上層のSnO₂層を形成する際に、図示のようにSnO₂を形成する部分に窓開けし、ここにバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子10を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 電池駆動が可能で、水素と区別してメタンを選択的に検出でき、経時安定性の高いガスセンサを提供する。
【構成】 シリコン基板に設けた空洞上へ突き出した 支持層上に、ヒータ層と電極層とを設けて、ガス検出用の金属酸化物半導体膜で被覆する。金属酸化物半導体膜は、酸化第２スズと、酸化第２スズ１００重量部当たり１〜６重量部のＰｔとを含み、膜厚が５〜４０μｍの第１層と、酸化第２スズと、酸化第２スズ１００重量部当たり１〜６重量部のＰｄとを含み、膜厚が１５〜６０μｍで、前記第１層を被覆する第２層とからなり、第１層と第２層との膜厚の合計が２０〜８０μｍである。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシス特性によるセンサ精度の低下を減少させる水素センサであって、熱ストレス等による割れなどの不具合が生じにくく、電極と検知膜との間で金属が相互拡散しない耐久性が高い水素センサを提供する。
【解決手段】ＴａＮからなるセラミックス層内に、柱状のＰｄ粒子をその軸心をセラミック層の厚さ方向に配向させてセラミックス層内に分散させる検知膜を用いる。これにより、別途の保護膜を設けなくても、検知膜が非水素成分の影響を受けることがなく、また、ヒステリシス特性による水素センサの精度低下を減少できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブアレイを利用したセンサー及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブアレイを利用したセンサー及びその製造方法は、第一電極と、第二電極と、カーボンナノチューブアレイと、少なくとも１つの第一導電金属層と、少なくとも１つの第二導電金属層と、を備える。カーボンナノチューブアレイは、第一電極と第二電極の間に配置されていて、且つカーボンナノチューブアレイの第一端部が少なくとも１つの第一導電金属層を通じて第一電極に電気的に接続され、カーボンナノチューブアレイの第二端部が少なくとも１つの第二導電金属層を通じて第二電極に電気的に接続される。カーボンナノチューブアレイの第一端部と第二端部に、それぞれ第一金属親和性膜と第二金属親和性膜が形成されていて、第一金属親和性膜が第一導電金属層に接触し、第二金属親和性膜が第二導電金属層に接触する。 （もっと読む）