【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極４０，４１を覆う酸化防止保護膜６０と、酸化防止保護膜６０と薄膜ヒータ電極４０，４１との間にＴｉＮを含む保護膜用中間膜層８０，８１を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】燃焼プロセス排ガス等の多成分ガス系に含まれる窒素酸化物、炭化水素、一酸化炭素、酸素等を直接検知可能な化学センサーアレイ及び方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）少なくとも２つの化学／電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程、応答を検出する工程、各化学／電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる。化学／電気活性材料は半導体材料である。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ＡＣインピーダンスまたは、ＤＣ抵抗値である。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】電池駆動型であって、感知薄膜にクラックが生じることなく信頼性が高く、消費電力が低減された薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】貫通孔を有する基板と、貫通孔を有する基板と、前記基板の第一の表面に接し、前記貫通孔の開口部を覆うように設けられた支持絶縁薄膜と、前記支持絶縁薄膜の反基板側表面上に設けられる薄膜ヒータと、支持絶縁薄膜およびヒータ層を覆うように設けられる層間絶縁膜と、さらに前記層間絶縁膜の上に形成された、金属電極とガス感知薄膜とを有し、前記金属電極とガス感知薄膜とが選択燃焼層で覆われた薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知薄膜がグラフェン薄膜からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム部に生じる歪(熱による歪・割れによって生じた歪)を検出し、故障を自己診断するようにして、検出特性の変化により発生する事故の未然防止に寄与する薄膜ガスセンサを提供する。更にこのような薄膜ガスセンサを製造する薄膜ガスセンサの製造方法も併せて提供する。
【解決手段】ダイヤフラム部の上に歪感知層８１を４個配置し、さらにホイートストンブリッジ回路を形成する。これにより、ピエゾ抵抗素子として機能する歪感知層８１によりダイヤフラム部の歪を抵抗値の変化として検出することが可能になる。また、歪感知層８１はガス感知層５３と同じ材料とし、歪感知層８１とガス感知層５３とを同時に形成するため工数低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｎＯ_２を主成分とするガス検知層の被毒耐性を高め、感度を確保し、長期間の使用に対する耐久性を得ることのできるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１の製造過程において、ガス検知層８を形成する際に、単に、純度の高い原材料を用いてＳｎＯ_２を調製するだけでなく、使用する器具や装置を厳選し、それらの使用方法や手順についても十分に注意を払い、不純物、特にＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉのＳｎＯ_２への混入を抑制する。その結果、Ｆｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計の含有量を、ＳｎＯ_２とＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計量に対し、０．０３０質量％未満に抑えたガス検知層８を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧等の印加に対しても破壊されることがなく、安定で信頼性の高い薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】図は薄膜ガスセンサの平面図であり、感知膜電極７間にバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子を形成した例である。つまり、感知膜電極７を形成する際に、ニードル状に突起のあるパターンを図示のように対向させる。そして、上層のSnO₂層を形成する際に、図示のようにSnO₂を形成する部分に窓開けし、ここにバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子10を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシス特性によるセンサ精度の低下を減少させる水素センサであって、熱ストレス等による割れなどの不具合が生じにくく、電極と検知膜との間で金属が相互拡散しない耐久性が高い水素センサを提供する。
【解決手段】ＴａＮからなるセラミックス層内に、柱状のＰｄ粒子をその軸心をセラミック層の厚さ方向に配向させてセラミックス層内に分散させる検知膜を用いる。これにより、別途の保護膜を設けなくても、検知膜が非水素成分の影響を受けることがなく、また、ヒステリシス特性による水素センサの精度低下を減少できる。 （もっと読む）

【課題】高温の熱履歴を受けても、金属配線の剥離が生じない中空構造素子を提供する。
【解決手段】基板側から順に、基板１と、Ｓｉ含有絶縁層２と、Ｐｔ又はＰｔ基合金の金属配線３と、を有し、基板１は、Ｓｉ含有絶縁層２を中空状態で支持するように構成されている中空構造素子であって、Ｓｉ含有絶縁層２と金属配線３との間には、酸化アルミニウムを主成分とする酸化物４の密着層を有している。Ｓｉ含有絶縁層２は、密着層４と接触する表面がＳｉ含有層から構成されている。 （もっと読む）

【課題】ガス検知層が剥離することを防止するとともに、ガス感度に影響を与えずに特定ガスの濃度変化を良好に検知するガスセンサを提供する。
【解決手段】基体１５上に形成され、環境雰囲気中の特定ガスの濃度変化に応じて電気的特性が変化する金属酸化物半導体を主成分とするガス検知層４を有するガスセンサ１において、ガス検知層４は、複数の粒子が結合しつつ、複数の粒子間に存在する空隙を通じてガス検知層４の厚み方向にガス透過性を有するように構成され、かつ金属酸化物半導体とは異なる無機酸化物を含み、基体１５上に、ガス検知層４と接触しつつガス検知層４における電気的特性の変化を検出するための一対の検知電極６と、ガス検知層４と接触する密着層７とを備え、ガス検知層４と密着層７との界面の少なくとも一部には、ガス検知層４の最外側粒子４ａよりも内側の粒子４ｂと密着層７との間を接続するようにして、無機酸化物を含む中間領域部２２が存在している。 （もっと読む）

【課題】ガス感応層の温度を正確に算出するようにして、ガス感応層に最適なヒータ駆動を行うようにした薄膜ガスセンサを提供することにある。
【解決手段】ヒータ層３により加熱された感知電極層５１１、検出部５１１ａおよび測温抵抗体５１１ｂの温度に応じた抵抗値の変化を電圧の変化に変換して検出し、さらにこの電圧の変化に基づいてヒータ層３の温度の高低を判別し、この高低に基づいてヒータ層３の温度制御を行う薄膜ガスセンサとした。 （もっと読む）

【解決課題】 ガスセンサの駆動モードにおいて、消費電力の低下を図ることを目的とする。
【解決手段】 ヒータを内蔵し間欠的に駆動する半導体式ガスセンサを用いた検出方法であって、前記ヒータを駆動（Ｓ１）させて前記ガスセンサの温度を第１の温度に一定時間保ち、前記ガスセンサのクリーニングおよびその時のガスセンサの電気抵抗値の変化から予備検知（Ｓ３）を行い、該予備検知（Ｓ３）の結果によって、前記一酸化炭素［ＣＯ］が存在する可能性がある場合は、ガスセンサの温度を前記第１の温度より低い第２の温度になるようヒータを駆動（Ｓ４）して、または、ヒータを切って本検知（Ｓ６）を行い、前記ＣＯの存在可能性が無い場合は、前記ヒータの駆動を停止（Ｓ７）することよりなる薄膜ガスセンサのガス検出方法である。 （もっと読む）

【課題】長期間交換する必要のないセンサを備える物質検出装置及び携帯電話機を提供する。
【解決手段】２次元マトリックス状に配置された複数のセンサ部２０と複数のセンサ部２０それぞれを外部から遮断する封止部１７とを有し、持ち運び可能な携帯電話機４の筐体４ａに着脱自在なマトリックスセンサ１０を備え、所定のセンサ部２０を指定し、指定されたセンサ部２０に対応する封止部１７を除去し、指定されたセンサ部１０による検出データを取得し、取得された検出データに基づいて、検出対象物質の濃度を算出し、算出された検出対象物質の濃度が所定の閾値以上であるか否か判断し、検出対象物質の濃度が所定の閾値以上であると判断された場合に、当該検出対象物質が検出された旨を報知し、複数のセンサ部１０の全てが指定された場合にマトリックスセンサ１０を交換するよう報知し、センサ部２０が劣化しているか否か判断するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡易な構成により調節作業の高精度化および機械化を実現し、性能および生産性の向上を共に図る薄膜ガスセンサを提供する。また、このような薄膜ガスセンサを搭載して性能および生産性の向上を共に図るガス漏れ警報器を提供する。さらにまた、このような薄膜ガスセンサの調節作業を行う薄膜ガスセンサ設定調節装置および薄膜ガスセンサ設定調節方法を提供する。
【解決手段】設定調節部７は、ヒータ層３、設定調節部７およびシャント抵抗８により形成される直列回路に電源を供給したときのヒータ層３およびシャント抵抗８を通じて取得された情報に基づいて、デジタルポテンショメータ７１の抵抗値を変化させて設定調節部７の合成抵抗値を増減させて、ヒータ層３が最適出力をするように設定調節された薄膜ガスセンサ１００，２００，３００とした。 （もっと読む）

【課題】ガス・センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】センサは、ＭがＷ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｒ、Ｍｏ及びそれらの組合せより成る群から選択された少なくとも１種類の化学元素であり、且つα、β、γが自己無撞着であるとして、一般的化学式ＭαＯβＮγを持つ少なくとも１種類の化合物を含むガス検知層であって、ＮＯ、ＮＯ_２ 、ＳＯ_２ 、Ｏ_２ 、Ｈ_２ Ｏ、ＣＯ、Ｈ_２ 及びＮＨ_３ より成る群から選択された少なくとも１種類のガスを検出することのできるガス検知層と、Ｔｉ、Ｃｒ及びそれらの組合せより成る群から選択された材料を含む接着層の中に配置された少なくとも１つの電極と、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｐｔ及びそれらの組合せより成る群から選択された材料を含む応答修正層とを含む。少なくとも１つの電極はガス検知層と連通状態にある。 （もっと読む）

【課題】濃度０の場合に出力が０となる有機電界効果トランジスタを用いたガスセンサ。
【解決手段】１．Ａの有機電界効果トランジスタ１００は、導電性基板１０表面に絶縁膜２０を形成する。この絶縁膜２０の表面２０ｓを、疎水化処理をしたものと、しないものとで１組とする、或いは親水化処理をしたものと、しないものとで１組とする。その上にチャネル形成層である有機半導体層３０を形成する。導電性基板１０裏面にはゲート電極４０ｇを形成し、有機半導体表面には、チャネル長を空けてソース電極４０ｓとドレイン電極４０ｄが形成される。１組とした２つの有機電界効果トランジスタ１００の、ガス濃度０の時の出力を、等しくなるように増幅調整した上で、差分をとれば、ガス濃度０の場合に出力が０となる構成とできる。 （もっと読む）

【課題】化学センサーアレイを用いる、多成分ガス系中のＮＯ_ｘ、炭化水素、一酸化炭素および酸素をはじめとする、様々なガスの濃度に関連した情報の分析、検知および測定のための方法および装置の提供。
【解決手段】該センサーアレイは、化学／電気活性材料を用いてガスの存在を分析および検出する。少なくとも２つの化学／電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程と、応答を検出する工程と、各化学／電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる方法を提供する。好ましくは化学／電気活性材料は半導体材料であり、多成分ガス系は燃焼プロセス排ガスである。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ＡＣインピーダンス、またはＤＣ抵抗の測定値であり得る。 （もっと読む）

【課題】ガス・センサを提供する。
【解決手段】ガス・センサ（１００）は、ガス検知層（１１８）と、少なくとも１つの電極（１１２）と、接着層（１１４）と、前記ガス検知層（１１８）及び前記接着層（１１４）に隣接する応答修正層（１１６）とを含む。ガス・センサ（１００）を排気システムに用いたシステムも開示する。またガス・センサ（１００）の製造方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】酸性ガスを確実に除去するとともに十分な反応速度を確保し、長期間にわたり高い応答性を実現した可燃性ガス検出装置を提供する。
【解決手段】検出空間２１２を有するケース体２０と、検出対象ガスのうち酸性ガスを吸着する無機化合物を主体とする無機化合物フィルタ６０と、無機化合物フィルタ６０を通過した検出対象ガスのうち雑ガスおよび酸性ガスを吸着する活性炭を主体とする活性炭フィルタ３０と、所定の時間間隔でパルス通電を行ってオンとオフを繰り返す間欠駆動がなされて、検出対象ガスのうち可燃性ガスに感応して検出信号を出力する薄膜ガスセンサ１０と、を備える可燃性ガス検出装置１とした。 （もっと読む）

【課題】消費電力が少なく熱絶縁性・熱衝撃に優れた耐久性を有するガス検知素子を提供する。
【解決手段】ガス感応部１１および加熱手段を設けた被支持基板部１０が、複数の架橋部２０によって支持基板部３０に支持してあるガス検知素子Ｘであって、１つの架橋部２０では、被支持基板部１０に対する架橋部２０の延出方向と、支持基板部３０に対する架橋部２０の延出方向とを、異なる方向に設定してある。 （もっと読む）