【課題】欠陥群のパターン依存性を定量化する。
【解決手段】パターンが形成されたウェハに発生した欠陥を検出し、検出した欠陥の発生位置を出力する検査装置１が使用する欠陥位置を指し示すための座標系と、パターンの設計データにおいて使用される座標系と、の間の位置関係を複数設定する（ステップＳ３、Ｓ４）。そして、設定された位置関係の夫々を用いて検査装置１が出力した欠陥位置と設計データとを位置合わせし、設計データから欠陥位置が位置合わせされた部位の局所パターンを位置関係毎に抽出する（ステップＳ６）。そして、抽出した局所パターンを図形的特徴の一致度に基づいて分類し、分類パターン数を位置関係毎に算出する（ステップＳ７）。そして、算出した位置関係毎の分類パターン数を用いて欠陥群のパターン依存度を算出する（ステップＳ９）。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査に適したウェーハの画像を効率よく取得できるようにする。
【解決手段】受光部２により撮像された検査対象のウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にあるか否かを判定し、ウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にないと判定した場合に、ウェーハＷを撮像する際の露光時間を変更して、受光部２によりウェーハＷの画像を再度取得させる制御処理部６ａと、ウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にあると判定された場合に、当該ウェーハＷの画像に基づいて欠陥検査を行う画像処理部６ｂとを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの画像から適切に欠陥を検出することができるようにする。
【解決手段】画像中のウェーハＷの検査対象の領域内の各画素について、所定の直線方向に並ぶ複数の画素中の当該画素を含む所定の範囲内の複数の画素の輝度を平均した移動平均輝度を算出し、各画素における移動平均輝度と、各画素の輝度との差分値を算出し、各画素についての差分値と、閾値とを比較することにより、各画素が欠陥候補画素であるか否かを判定し、欠陥候補画素に基づいて、ウェーハにおける欠陥を検査する画像処理部６ｂを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面欠陥を簡便に高い信頼性をもって検査し得る手段を提供すること。
【解決手段】検査対象である半導体ウェーハの表面に向かって光源部から検査光を照射すること、ウェーハ表面の検査光が照射された照射領域からの散乱光を検出すること、ならびに、検出された散乱光に基づきウェーハ表面の欠陥の有無および／またはその程度を評価すること、を含む半導体ウェーハの表面検査方法。前記検査光をウェーハ表面に対して斜め方向からウェーハ半径以上の幅をもって入射させることにより、前記ウェーハ表面に、ウェーハ半径以上の幅を有しウェーハ中心を含む照射領域を形成し、前記ウェーハおよび光源部の少なくとも一方を移動させることにより前記検査光をウェーハ全面に走査させる。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置が出力する欠陥候補の座標誤差が大きいと、レビュー装置上で欠陥候補の座標に移動しても視野内に欠陥が見つからない場合がある。移動した座標に欠陥が存在しない場合、周辺に移動して欠陥を探索したり、虚報として判定して見逃す場合がある。本発明の目的は、レビュー時の欠陥探索にかかる作業を軽減させるために、検査装置において、欠陥候補の座標誤差のばらつきを抑制することにより、欠陥候補の座標精度を向上したパターン付き半導体ウエハの検査装置を提供することである。
【解決手段】上記目的を達成するため、本発明では、定点観測位置設定処理により半導体ウエハ上で基準となるパターンを選定し、定点画像切出し処理で当該基準パターンと同じ座標の定点画像を切出して、欠陥座標補正処理により、それらの画像間のずれ量を算出して、各ずれ量で欠陥候補の座標データを補正する。 （もっと読む）

【課題】表面の干渉分析の方法とシステムを提供する。
【解決手段】物体の空間的特性を決定するための方法には、２つ以上の界面を含む測定物体からの走査低コヒーレンス干渉信号を得ることが含まれる。走査低コヒーレンス干渉信号には、２つ以上の重なり合う低コヒーレンス干渉信号（それぞれ個々の界面に起因する）が含まれる。低コヒーレンス干渉信号に基づいて、少なくとも１つの界面の空間的特性が決定される。場合によって、決定は、低コヒーレンス干渉信号のサブセットに基づき、信号の全体に基づくのではない。あるいはまたは加えて、決定は、低コヒーレンス干渉信号を得るために用いられる干渉計の機器応答を示す場合があるテンプレートに基づくことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、より簡単な構成で、より簡易な情報処理でシリコンウェハの汚れを検査し得るシリコンウェハ汚れ検査装置およびシリコンウェハ汚れ検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の一シリコンウェハ汚れ検査装置Ｓａは、測定対象であるシリコンウェハＳＷの表面へ同時に複数の角度から光を投光する投光部１ａと、投光部１によって光を投光されたシリコンウェハＳＷの表面を撮影する撮影部２と、撮像部２によって得られたシリコンウェハＳＷの表面の画像を１枚用い、前記画像における輝度が所定の閾値以下である領域を汚れとして検出する検出部３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面検査ツールおよび方法を提供する。
【解決手段】検査ツールの実施形態は、光ビームをワークピース上に導くことによって、前記ワークピースの欠陥から散乱された光、および前記ワークピースの通常の散乱パターンにしたがって散乱された光を含む、散乱された光を発生する照射源を含む。この実施形態は、前記ワークピースから散乱された光を受け取り、前記ワークピースの欠陥から散乱された前記光を、この光を電気信号に変換する前記フォトセンサに選択的に導くプログラム可能な光選択アレイを含む。処理回路は、前記光検出要素からの電気信号を受け取り、ワークピースの欠陥の特徴付けを含みえる前記ワークピースの表面分析を行う。プログラム可能な光選択アレイは、以下に限定されないが、反射器アレイおよびフィルタアレイを含みえる。本発明はまた関連付けられた表面検査方法も含む。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥等のステップバンチング以外の欠陥とステップバンチングとを個別に検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】ステップバンチング以外の欠陥を検出する第１検査モードとステップバンチングを検出する第２の検査モードを有する。第１の検査モードでは、微分干渉光学系のシャーリング方向を調整し又は基板を支持するステージの回転角度を調整することにより、微分干渉光学系のシャーリング方向をステップバンチングの延在方向と平行に設定する。これにより、ステップバンチング以外の欠陥が検出される。また、第２の検査モードでは、微分干渉光学系のシャーリング方向をステップバンチングの延在方向と平行から外れた状態に設定する。この状態において走査を行い、微分干渉画像を撮像する。そして、画像処理工程において、ステップバンチングの延在方向と直交する方向の輝度変化を強調する画像処理を実行し、ステップバンチングを検出する。 （もっと読む）

【課題】開口から形成された２つのリングを備えたフレームを有するコンパクトな表面検査光学ヘッドを提供する。
【解決手段】検査される表面（２０）に対して垂直な方向を取り囲んだ第１の組の開口（１２ａ）が、マイクロスクラッチの検出に有用な散乱照射線を集めるために使用されるファイバ（４２）に接続され、パターン化された表面上の異常を検出する。さらに、検査される表面に対して低い高度角度の開口の第２のリング（１２ｂ）は、パターン化された表面上の異常検出を行う。開口のこのようなリング（１２ｂ）は、パターン回折や散乱によって飽和される検出器（４４）からの信号出力が捨てられるように収集スペースを方位角で区分し、飽和されていない検出器の出力のみが異常検出のために使用される。 （もっと読む）

【課題】被検査物に付着した粒子が有機系粒子であっても、レーザ散乱方式における検出感度を向上させることができる粒子検出方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷの表面に光を照射し、該表面からの散乱光を受光することによって、前記表面に付着した粒子Ｐを検出する粒子検出方法において、粒子Ｐが損傷しない所定温度範囲でウェハＷの表面に成膜処理を行い、成膜されたウェハＷの表面に光を照射し、前記表面からの散乱光を受光することによって、粒子Ｐを検出する。 （もっと読む）

【課題】SiC基板及びエピタキシャル層に形成されたマイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を高精度に検出でき、他の欠陥から区別できる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用いて、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像する。共焦点微分干渉画像は、試料表面の数ｎｍ程度の凹凸変化を輝度分布として表すので、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面に出現した結晶欠陥を、輝度分布に基づいて検出することができる。欠陥の種類に応じて、輝度分布が相違するので、欠陥画像の形状及び輝度分布の観点より欠陥を分類する。特に、本発明による分類方法を用いることにより、マイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を他の欠陥から区別することが可能である。 （もっと読む）

【課題】被検査体の表面内を均一な検出感度にて検査することができる表面検査装置及び表面検査方法を提供する。
【解決手段】表面検査装置は、被検査体移動ステージ、照明装置と、検査座標検出装置、光検出器と、Ａ／Ｄ変換器と、異物・欠陥判定部、を有する。照明装置は、検査座標検出装置によって得られた照明スポットの半径方向の位置に基づいて、照明スポットの円周方向の寸法を変化させるように構成されている。照明スポットが被検査体上を外周部から中心部に移動する間に、照明スポットにおける照射光量密度が一定となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では検出した結果が誤ってたとしても、正常な検出結果として報告しており、歩留まり管理の精度が低下してしまう点については配慮がなされていなかった。また、報告が挙がってからでは管理情報の修正は不可能であるため、報告前に検査結果の妥当性を確認し、妥当性の判断を行う必要がある点についても配慮がなされていなかった。
【解決手段】画素ごとの信号を計算し、前記検出部の異常を判定する第１の処理部と、前記異常が発生した画素を補正する第２の処理部と、前記第２の処理部による補正後の画素の検出結果を用いて、前記基板の欠陥を判定する第３の処理部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板を汚染することなく非接触で保持する基板保持装置では、基板の自重によるたわみが発生したり、使用条件の中で回転動作の風圧による基板のたわみが発生するために、各種処理の障害になっている。
【解決手段】基板の上面を所望の面高さに保持したり、あるいは平面度を保持したりするために、基板上面に基板面の高さを測る非接触の変位センサを設置し、また、載せ台上面には複数の溝と障壁を設け、基板と乗せ台の間にエアーを供給してその圧力によって基板の変位を可能として、さらに、変位センサの出力をフィードバックすることで基板を任意の凸，凹形状に変形したり、平面化することを可能とする構造を持つ基板搭載装置。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、膜種が同じで、膜厚が異なる場合等は再度の実測が必要となり、検査条件を設定するのに時間がかかってしまう。
【解決手段】複数の検出光学系がそれぞれ、検光角を変える光学素子と、前記検光角を制御する検光角制御部と、を有し、処理部は、前記複数の検出光学系毎の、前記検光角と、前記検光角に対応した信号対雑音比と、前記基板の膜種と、前記基板の膜厚との関係を保存したデータベースを有し、前記データベースを更新していく。さらにＳＮＲ閾値を設ける。 （もっと読む）

【課題】被検査体に発生する多様な種類の欠陥を検出可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】被検査体の上面を略水平方向に向けた状態で前記被検査体を支持するとともに、被検査体をその底面から加熱する加熱台と、加熱台を略水平方向に搬送する搬送路と、搬送路の上方に設けられ、加熱台の搬送中に被検査体の上面に接触して被検査体を冷却する冷却体と、冷却体の直近位置であって、搬送する方向の下流側直近位置の斜め上方に配置され、下流側直近位置に搬送される上面に向けて赤外線を照射する赤外線照射部と、下流側直近位置の上方であって、赤外線照射部からの赤外線が上面で反射されてなる反射成分のうち、正反射成分が入射しない高さに配置され、上面から放出される赤外線を検出する赤外線検出部とを備え、赤外線検出部が加熱及び冷却された上面から放出される赤外線の放射成分及び乱反射成分を検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ表面に存在するソーマークなどの線状の凹凸について、短時間かつ容易に検査が可能であり、検査に対する振動の影響を低減できる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの表面の全域に光源装置２によって斜め方向から光を照射し、ＣＣＤカメラ４で半導体ウェハＷ全体を撮影する。これにより、半導体ウェハＷの各ポイントからの前記照射光の反射光または散乱光の強度を検出する。取得された光の２次元的な強度分布に基づいて、半導体ウェハＷの表面に生成されたソーマークなどの凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ表面や表面近傍に存在する異物や欠陥等に由来して発生する散乱光の強度が照明方向に依存する異方性を有する場合であっても主走査方向の回転角に依存せずに均一な感度で異物や欠陥等の検査が可能な表面検査装置を実現する。
【解決手段】光源１１からの光はビームスプリッタ１２で、略等しい仰角を有し、互いに略直交する２つの方位角からの２つの照明ビーム２１、２２となり、半導体ウェハ１００に照射され、照明スポット３、４となる。照明光２１、２２による散乱・回折・反射光の和を検出するとウェハ１００自身又はそこに存在する異物や欠陥が照明方向に関する異方性の影響を解消できる。これにより、異物や欠陥等に由来して発生する散乱光の強度が照明方向に依存する場合であっても主走査方向の回転角に依存せずに均一な感度で異物や欠陥等の検査が可能となる。 （もっと読む）