【課題】試料の温度を監視又は制御しながら揮発分含有量を判定する器具。
【解決手段】揮発分含有量を求めようとする試料を入れるキャビティと、マイクロ波をキャビティに導入するための第１供給源と、第１供給源により導入された周波数とは異なる周波数の放射熱をキャビティに導入するための第２供給源と、キャビティ内で試料の重量を測定するための分析用の秤と、試料の温度を測定するための温度センサとプロセッサからなり、各周波数のマイクロ波と放射エネルギーのキャビティ内への導入を、温度センサが測定した温度に応じて制御し、第１供給源からのマイクロ波と第２供給源からの放射熱に対し、プロセッサが秤上の試料の重量変化に基づいて試料の揮発分含有量を判定することができるほど十分に乾燥させるまで、試料の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】広い濃度範囲で高い測定精度を得ることができる排気ガス分析装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る排気ガス分析装置は、排気ガスの一部が流れる第１の配管１２と、第１の配管１２に希釈ガスを導入して前記排気ガスを希釈する希釈ガス導入手段１５ｂと、第１の配管１２を流れる希釈後の排気ガスに含まれる特定物質の濃度を測定する濃度測定手段３と、第１の配管１２を流れる希釈前の排気ガスの流量を測定する第１の流量測定手段１２ｂと、濃度測定手段３及び第１の流量測定手段１２ｂそれぞれの測定結果に基づいて、希釈後の排気ガスに含まれる特定成分の濃度が一定範囲内に収まるように希釈ガス導入手段１５ｂを介して希釈ガスの導入量を制御し、かつ濃度測定手段３による測定結果、第１の流量測定手段１２ｂによる測定結果、及び希釈ガス導入量に基づいて、希釈前の排気ガスにおける特定物質の濃度を算出する演算制御部４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】安全弁が作動したときの逆拡散を防止できる安全弁装置を提供するとともに、ガスサンプリング容器内のガス圧力が何らかの原因で上昇し、安全弁が作動したとしてもガスサンプリング容器内の試料ガスが汚染されることを防止できるガスサンプリング容器を提供する。
【解決手段】容器（ガスサンプリング容器１１）に装着されて該容器内が設定圧力を超えたときに開弁する安全弁１７と、該安全弁の二次側に接続されて安全弁側からの流体の流通のみを許容する逆止弁１８とを備え、該逆止弁が開弁作動する設定圧力を安全弁の設定圧力未満に設定した。 （もっと読む）

【課題】コンタミネーションの発生防止を図る。パネルに供給する試料ガスの濃度を変化させてもガス流量を一定に維持する。試料ガスの濃度調整、メンテナンスを容易にする。
【解決手段】試料ガスを希釈して嗅覚ポート２に供給する嗅覚計１であって、試料ガス流路３と、試料ガス流路３に合流する希釈ガス流路４と、試料ガス流路３の希釈ガス流路４が合流する位置５よりも下流に設けられた混合部６と、試料ガス流路３の混合部６よりも下流に設けられ流量ｘ（L／min）のガスが流入する分岐点７から分岐する廃棄流路８を備え、試料ガス流路３の分岐点７よりも下流に流量制御装置９を設けてガスの流量をｘ−ｙ（L／min）に制御すると共に、廃棄流路８に流量制御装置１０を設けてガスの流量をｙ（L／min）に制御する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、吸着材に吸着させて捕集した試料ガス成分をにおいセンサで忠実に検出できるようにする。
【解決手段】 ガスセンサ１７と、試料ガス中のにおい成分を吸着する吸着材が充填された捕集管１５と、試料ガスを捕集管１５に供給するための試料ガス供給部１１と、吸着材に吸着したにおい成分を脱着させるために捕集管１５を加熱する加熱部１４と、吸着材から脱着したにおい成分を押し出すために捕集管１５にキャリアガスを供給するャリアガス供給部１６を備えている。そしてさらに、試料ガス及びキャリアガスを空間内に一旦保持してにおい成分の濃度を均一にしてから吐出するガス濃度調製部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】静脈麻酔薬呼気中濃度を測定し、血中濃度を求めることができる測定装置を提供する。
【解決手段】静脈麻酔薬が投与された被検体Ｐの呼気を採取し、所定温度に加熱し保温するサンプリングライン４と、一次イオン供給装置６ｂから一次イオンを、サンプリングラインから呼気を導入し、静脈麻酔薬成分と一次イオンとの反応生成物イオンを生成するドリフトチューブ６ａを有する反応装置と、一次イオンと生成物イオンから特定質量のイオンを選別するイオン選別室６ｃ１と、選別された一次イオンと生成物イオンの単位時間当りの個数を計数する電子増倍管６ｃ４と、この計数された一次イオンと生成物イオンの各単位時間当りの個数に基づいて所定の算出式により呼気中濃度を算出し、この呼気濃度と血中濃度との既知の相関値に基づいて血中濃度を算出する制御演算装置６ｃ５と、この制御演算装置による演算結果を出力する出力装置６ｃ６と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】気体の補集段階において軽量で補集効率の高い気体捕集容器を安価に提供すること。
【解決手段】本発明にかかる気体捕集容器１００は、気体を導入する導入部材４を有する樹脂製の捕集袋５を折り畳み可能な六面体の箱体６に収容可能に組み合わせてなる、気体を捕集して収納するための容器である。そして、箱体６の主要部が段ボール等の板紙により構成されたことを特徴とする。また、箱体６は、内外面の少なくとも一方の面全体が樹脂フィルム６２により被覆されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】排気ガスなどの気体や遊粒子状物質の生体性物質に対する酸化能を定量する。
【解決手段】酸化性物質によって酸化される生体性物質として、タンパク質、脂質、核酸、ＳＨ基を備える還元性有機化合物の少なくとも一種類を含有する水溶液１６を保持した反応器１０を備え、この水溶液１６中に酸化能測定対象の排気ガスなどの気体を導入する気体導入部１４と、反応器１０の気体を排気する排気ポンプ５０を備える。水溶液中に対象ガスを導入することで得られた生体性物質の酸化物を測定することで、測定対象のガスなどの生体性物質への酸化能を定量できる。また、水溶液中に浮遊性粒子状物質を導入することでこの粒子状物質の酸化能を測定することも可能である。 （もっと読む）

【課題】カルボニル化合物の測定に影響を与えないオゾンスクラバを提供する。
【解決手段】従来のオゾンスクラバに使用されているヨウ化カリウムの代わりに硫酸塩類化合物を使用することで、特定の条件下でもカルボニル化合物の測定に影響を与えないオゾンスクラバを得た。これにより、気体試料中に含まれるカルボニル化合物の測定を精度良く行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ＶＯＣや油分による土壌汚染を充分に簡易にかつ充分に高精度で調査する。
【解決手段】有機性化合物による土壌汚染を調査するに際し、調査対象領域から土壌ガスを採取して、土壌ガス中の揮発性有機化合物および芳香族化合物をＰＩＤモニターにより検出してその炭素量をイソブチレン換算での濃度で計算するとともに、土壌ガス中の直鎖炭化水素をＩＲガスモニターにより検出してその炭素量をメタン換算による濃度で計算し、さらに土壌ガス中の炭酸ガスおよびメタンを検出してその炭素量を計算し、上記各炭素量を合算して求めた炭素総和量に基づいて汚染状況を推定する。 （もっと読む）

【課題】分析対象から試料を簡単に採取して良好に保存することができ、この試料を変質させることなく良好に成分分析することができる構造の試料分析システムを提供する。
【解決手段】
採取保存装置１００の試料保存容器から取り外された密閉蓋体のシャフト部材の先端の試料吸着材で分析対象から試料が採取され、その試料が採取保存装置１００で保存されてからバイオセンサ２５０で成分分析される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡素な構造で、かつ外気に影響されることなく、高精度に、水蒸気、水分蒸散量、二酸化炭素等のガス収支を測定する、汎用性のある測定装置を提供することを目的とする。【解決手段】上記課題を解決するために、測定物を覆い又は格納する測定チャンバーに、給気管と排気管により、バッファーチャンバーを連結し、両チャンバー内部のガスをファンを用いて循環させ、測定物がターゲットガスを放出ないしは吸収することによる、チャンバー内のターゲットガスの濃度の変化を測定するセンサからなることを特徴とするガス収支測定装置を構成した。前記装置は、従来、測定チャンバーのデッドスペースを小さくすることに伴って生じる、ガス濃度変化が測定物に影響する問題に対して、ガス濃度変化速度を緩和し、安定した計測ができる測定時間を確保できるよう、バッファーチャンバーの容積を調節することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機物の付着による分解充填剤の機能低下を防止し、原子吸光分析時における有機物に起因した水銀濃度０値のドリフトを補正可能な排ガス中の水銀分析方法およびその装置を提供する。
【解決手段】分解温度を有機物の気化温度より高くしたので、排ガス中の二価水銀の金属水銀への分解時、有機物の表面付着による分解充填剤１６ｂの機能低下を防げる。また、ゼロ調整時には、吸光セル２１へ入る直前の排ガスを水銀除去器２８の金と接触させて水銀を除去し、有機物を含む排ガスを原子吸光分析するので、水銀除去器２８に活性炭を入れた従来技術のより長期間、有機物に起因した原子吸光分析器２９の水銀濃度０値のドリフト補正効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】可燃性材料中に含まれるＰＢＢ、ＰＢＤＥ等の有害な臭素化化合物を分析するためのものであって、測定用試料を作成するための前処理が不要であるばかりでなく、低価格な装置と簡単な分析技術を使用して高精度及び高感度な分析を実施できる分析方法を提供すること。
【解決手段】可燃性材料の試料を耐熱性の材料からなる支持体上に載置することと、その試料を燃焼させることと、その試料の燃焼過程の初期の段階において、試料から蒸発し、飛散せしめられた初期蒸発成分を含む燃焼ガスを被検基板上に堆積させることと、被検基板上の堆積物を検査して臭素化化合物を検出し、分析することとでもって分析を実施する。 （もっと読む）

【課題】 地盤などの試料採取に適した冷媒注入方法、試料採取方法及びその装置の提供。
【解決手段】 試料採取装置１０は、試料を採取する被採取領域１に試料採取管１１を貫入し（試料採取管貫入工程）、被採取領域１に貫入した試料採取管１１の下端周辺に、下端を閉塞した冷媒注入管１５を挿入し（冷媒注入管挿入工程）、試料採取管１１及び冷媒注入管１５を囲うように、被採取領域１に断熱管１６を挿入し（断熱管挿入工程）と、冷媒注入管１５内に湿気を捕捉できるフィルター材３１を通して冷媒１８を注入し（冷媒注入工程）、試料採取管１１の下端近傍の被採取領域１ｂを凍結させて試料採取管１１の下端を閉塞する（試料採取管閉塞工程）。これにより冷媒注入管１５に冷媒注入管１５を塞ぐ程度の霜の塊ができるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】試料に含まれている多種類の化学成分の分離の精度を高める。
【解決手段】濃縮管２の外から濃縮管２に冷却ガスを直接的に噴射する冷却ガス管３と、冷却ガスによって冷却された濃縮管２を輻射加熱する赤外線ランプ４と、分離管７の外から分離管７に冷却ガスを直接的に噴射する冷却ガス管８と、分離管７を輻射加熱する赤外線ランプ９と、赤外線ランプ４の輻射加熱によって脱離された化学成分が導入された分離管７に対しての冷却ガス管８による冷却ガス噴射を制御するとともに赤外線ランプ９による輻射加熱を制御することによって分離管７の温度をステップ状に迅速に変化させる制御装置１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で、かつ、簡単な分析操作で液化ガス中に存在する微量不純物を高感度に分析することができる液化ガスの濃縮分析装置を提供する。
【解決手段】容器３３に充填された液化ガス中の微量不純物を分析する液化ガスの濃縮分析装置であって、分析系１３内のガスを排出するガス排出手段としてのパージガス導入弁３５、排気弁３７、真空排気弁３９と、ガスが排出された前記分析系内に前記容器内の気相を試料ガスとして導入する試料ガス採取手段としてのマスフローコントローラー３１、減圧弁３２と、分析系内に採取した試料ガスの一部を液化する部分液化手段としての冷却槽１７、液溜管１８と、該部分液化手段で液化しなかった分析系内の気相成分を分析する分析手段としての分析計１９を備えている。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体ウェハのプロセス処理工程が行なわれるクリーンルームなどの空気清浄度モニタリング方法及びこれに用いる空気清浄度モニタリング装置を提供する。
【解決手段】クリーンルームと空気環境を異にする隔離部１１内に設けられ、供給される純水を隔離部１１内の空気と接触可能に貯留する水槽１７ａに、貯留した純水が隔離部１１内の空気と非接触となるように被覆部材１７ｃを被覆して、水槽１７ａに純水を供給しつつ越流させることにより被覆部材１７ｃの被覆前に貯留した純水を被覆部材の被覆後に供給した純水で置換するとともに、クリーンルームの空気を隔離部１１内に導入し隔離部１１内をクリーンルームの空気環境と同一にした段階で、被覆部材１７ｃを取り外し、水槽１７ａに貯留した純水に隔離部１１内の空気を接触させつつ純水の清浄度の変化を捉えることによって、クリーンルームの空気清浄度を評価する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの試料ガスおよび／または少なくとも１つの標準ガスが少なくとも１個のオープンスプリットを経て少なくとも１個の分析装置に供給され、キャリアガスを付加することが可能である、同位体比を分析するための方法に関する。本発明では、それぞれのキャリアガスを供給することによってあるいは試料ガスを分析装置に直接供給することによって、分析装置に達する試料ガスおよび／または標準ガスの濃度が調整される。少なくとも１個の分析装置にガスを供給するための本発明に係る装置では、試料ガスのための２本以上の毛管が設けられ、この毛管がそれぞれ、混合領域と待機領域との間の移動のための固有の駆動装置を備えている。
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【課題】 イオンビーム照射による熱損傷を避けて、柔らかい試料、熱に弱い試料、吸水性の有る試料、樹脂埋め込みが困難な試料等の断面作製を行うことのできる方法を提供する。
【解決手段】 試料３のイオンビームＩＢにより切削される部分の表面を覆うように試料保護部材（基板１０）を配設する。基板１０の上面に当接するように遮蔽材４が被せられると共に基板１０の下面に当接するように試料３が配置される。基板１０にイオンビームＩＢを照射することにより、基板１０と共に試料３の切削部３ａを切削する。 （もっと読む）