【課題】重金属が微量であっても、高感度で定量・定性分析を行うことができる重金属抽出方法を実現する。
【解決手段】本発明の重金属抽出方法は、液体サンプル中の重金属を陽イオン交換樹脂に吸着させる吸着工程と、抽出対象以外の重金属を溶出する洗浄試薬を用いて、陽イオン交換樹脂から抽出対象以外の重金属を除去する第１の除去工程と、抽出対象の重金属を溶出する溶出試薬を用いて、陽イオン交換樹脂から重金属を溶出する第１の溶出工程とを含むので、重金属が微量であっても、高感度で定量・定性分析を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】汚染物質回収用の液体中の汚染物質の濃度が飽和しにくいノズルシステムを実現する。
【解決手段】ノズルの先端から押出した液体で試料表面を掃引し、掃引後の液体をノズルで吸引して試料表面の汚染物質を回収するノズルシステム(1)は、先端の押出口(122a)とはキャピラリー(122)で連通する液溜(120)を有するノズル(100)と、前記液溜の液体(140)の一部(140a)を前記キャピラリーを通じて前記押出口から押出して試料表面(400)を掃引し、掃引の途中で前記液体を前記キャピラリーを通じて前記液溜に吸引して内部液体(140b)と混合・希釈し、混合・希釈後の前記液溜の液体の一部を前記キャピラリーを通じて前記押出口から押出して掃引を再開する掃引手段を具備する。 （もっと読む）

【課題】 測定対象である試料の一部にのみ検出対象の物質が含有されている場合などでも、検出対象物質の検出ができる検査方法、および、この検査方法に用いることができる検査キットを得ること。
【解決手段】 容器１の中に試料５と溶出液３とを入れ、容器１内で試料５と溶出液３とを接触させて溶出処理を行った後、検査試薬４を用いて、試料５から溶出液３に溶出した成分を検出する検査方法において、容器１として、試料５と溶出液３とを内蔵した状態で、任意にその形状を変形させることができるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】混合物に含まれる組成の判別や化学構造解析のために行われる分析前処理として、構成成分を簡便に分離することのできる、試料成分の分離方法を提供する。
【解決手段】プレートとカバープレートの隙間に配置した試料溶液の溶媒を気化させ、カバープレートの周縁部に試料成分を析出させる。試料溶液はプレートとカバープレートの隙間に試料を配置し溶媒を導入して得られ、或いは、予め調製したものをプレートとカバープレートの隙間に導入する。好ましくは、プレート上に配置した試料又はスペーサの上にカバープレートを載置することでカバープレートに傾斜をつけ、プレートとカバープレートの最大隙間付近から毛細現象を利用して溶媒を導入する。試料成分をプレート上で析出した状態のままマイクロプローブを使用して分析する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表裏面及びウェハ周縁部の両方を評価することができ、容器や器具による分析試料液の汚染を減らすことができる半導体基板評価装置及び半導体基板評価方法を提供すること。
【解決手段】基板保持部３と、下部に開口部を有する疎水性の試料液保持部４と、試料液保持部に設けられた開閉弁部と、開閉弁部を介して試料液保持部内にガスを供給するガス供給管１１と、開閉弁部を介して試料液保持部内のガスを排出するガス排出管１２とを備え、基板保持部で保持した疎水性の半導体基板２と、試料液保持部で保持して開口部からはみ出すように露出させた分析試料液とを接触させる。 （もっと読む）

流体源を用いて表面上の成分の試料を採取する試験パッチ装置が、流体を上記流体源から送出するために毛管層を有する遷移領域と、表面と接触する収集材を有する抽出領域と、分析を行うために流体を収集するセンサリザーバを有する収集領域とを含む。 （もっと読む）

【課題】銅や黄銅からなる基材にスズめっき層を形成した試料について、スズめっき層をより正確に定量する方法を提供する。
【解決手段】銅または黄銅からなる基材に、スズまたはスズ合金からなるめっき層を形成してなる試料、もしくは金属製の基材に、銅または黄銅からなる下地層を介して、スズまたはスズ合金からなるめっき層を形成してなる試料における前記めっき層の定量分析方法であって、 ホウフッ化水素酸をホウ素元素換算で１．６質量％、ホウ素化合物をホウ素元素換算で０．２質量％以下、チオ尿素を１質量％以下の割合で含む水溶液からなるめっき剥離液を前記試料に接触させて前記めっき層を溶解し、溶解分を含有する前記めっき剥離液について定量することを特徴とするスズまたはスズ合金めっき層の定量分析方法。 （もっと読む）

【課題】レチクルのような検査対象物の洗浄後にその検査面に残留する汚染を分析する際に、検査の信頼度を向上させることができる汚染分析装置及びその方法を提供する。
【解決手段】検査対象物の検査面に残留する汚染を分析する装置であって、前記検査対象物の検査面と液とを接触させて、サンプリング液を抽出するサンプリングモジュールと、前記サンプリング液から前記検査対象物の検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備え、前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルとを備える。 （もっと読む）

【課題】表面の汚染物質を確実に除去することができる表面前処理方法及び表面前処理装置を提供すること。
【解決手段】グロー放電により発生させた不活性ガスイオンを試料表面に衝突させ、表面から飛び出した粒子をプラズマ中で励起するグロー放電発光手段を備えた装置に試料を設置し、試料表面をスパッタリングする第１工程と、プラズマ中で励起された粒子が基底状態に戻る際に放出するトータル発光量ＦＩを測定する第２工程と、トータル発光量ＦＩを測定しながら、１次微分値ＦＩ’及び２次微分値ＦＩ”を逐次算出する第３工程と、測定を開始してから最初に、１次微分値ＦＩ’の絶対値又は２次微分値ＦＩ”の絶対値の少なくとも一方が第１しきい値α以下となり、かつ、他方が第２しきい値β（０＜α≦β）以下になったときに、スパッタリングを停止させる第４工程とを備えた表面前処理方法、及び、表面前処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板上の分析対象物質が被膜で覆われている場合に、良好な精度で当該被膜の下の分析対象物質の分析を行うことが可能となる分析方法と、該分析方法を実施する分析装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の処理部と、前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の処理部と、前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の処理部と、を有することを特徴とする分析装置。 （もっと読む）

【課題】分析に要する労力や時間が少なくて済み、試料における変化をリアルタイムで検出することができる分析装置及び分析方法を提供すること。
【解決手段】溶離液を持続的に流す経路である溶離液経路５と、前記溶離液経路５の途中にて、試料を前記溶離液に接触するように保持する保持手段１３と、前記溶離液経路５のうち、前記保持手段１３よりも上流において、前記溶離液に試薬を添加する添加手段１９と、前記溶離液経路５のうち、前記保持手段１３よりも下流において、前記溶離液に含まれる成分を検出する検出手段１５と、を備えることを特徴とする分析装置１。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を図り、周囲構造物の酸腐食を防止し、併せてメンテナンス性を良好とする。
【解決手段】処理装置１０は、処理液が貯留可能な待機タンク１２と、待機タンク１２の下部に連結されて試験片が収容される処理槽１６と、処理槽１６の下部に連結されて使用済みの処理液が排出される排液槽１８とを備える。待機タンク１２と処理槽１６との間に、待機タンク１２に処理液を貯留可能とする閉鎖状態および待機タンク１２の処理液を処理槽１６に落下可能とする連通状態に切換え可能な第１の開閉手段が配設される。処理槽１６と排液槽１８との間に、処理槽１６に処理液を貯留可能とする閉鎖状態および処理槽１６の処理液を排液槽１８に落下可能とする連通状態に切換え可能な第２の開閉手段が配設される。処理槽１６に、試験片の洗浄・乾燥を行なう洗浄・乾燥ユニット５４が配設される。 （もっと読む）

【課題】効率よく金属を表面に析出させる金属析出装置を提供する。
【解決手段】金属析出装置１００は、シリコンウェハ９００中に含まれる不純物金属を表面に析出させる。金属析出装置１００は、シリコンウェハ９００に向けてＸ線を発射するＸ線発射部３００を備える。Ｘ線の波長は、不純物金属のＫ吸収端の波長以下であってＫ吸収端に近い波長である。例えば、不純物金属がＮｉであるとき、特性Ｘ線を発射するターゲット３３１をＺｎとする。また、例えば、不純物金属がＣｕであるとき、特性Ｘ線を発射するターゲット３３１をＺｎとする。 （もっと読む）

基材を識別するために、Ｘ線蛍光分光法を用いて試料を分析し、電子部品および電子組立品における６価クロムを測定する。確認された基材に基づき、様々な抽出および分析の手順から手順を選択し、選択した手順を用いて６価クロムを試料から抽出する。抽出された６価クロムを１，５−ジフェニルカルバジドと反応させ、各種類の識別された基材に対し独自の校正曲線を用いて、紫外分光法を用いて測定する。測定された６価クロムの量に基づき、試料の単位面積の関数として６価クロムの濃度を算出する。
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【課題】 側面に微小試料片を確実に固定することができる微小試料台を提供すること。
【解決手段】 微小試料台１０は、全てシリコン製であり、上下方向（Ｚ方向）に４段を有する多段構造である。微小試料台１０の第１段１１と第２段１２はＸ方向に延設されているが、第３段１３〜５３と第４段１４〜５４とからそれぞれ構成される５つの突状部分１〜５は、Ｘ方向に配列して第２段１２の上面からＺ方向に突設されている。微小試料片Ｓは、微小試料台１０の第４段１４〜５４のいずれかに固定されるが、固定する位置としては、次の３通りがある。第１は、第４段５４を例として示す上面（頂面）に立設する場合であり、第２は、第４段４４を例として示す側面Ｐに設置する場合であり、第３は、第４段２４を例として示す側面Ｑに設置する場合である。第４段１４〜５４の側面Ｐ，Ｑには平滑化処理が施されているので、微小試料片Ｓを確実に固定できる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を効率よく分解することができる処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、ドラフト内に設置されており、内部にシリコン基板２１と、分解液２２とが充填される容器１１と、加熱部１２と、支持板１３とを備える。支持板１３上にシリコン基板２１を設置し、容器１１内に配置する。支持板１３は、容器１１の容器本体１１１内に所定の角度を持って傾斜して配置されており、分解液２２の液面と平行に配置されていないので、分解液２２の気化を妨げることがない。これにより、シリコン基板２１の分解を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明における課題は、既知量の目的成分を添加できない場合でも、既知量の目的成分を除去することによって検量線を作成し、試料中の定量対象成分を定量することが可能となる定量法を提供するものである。
【課題手段】 本発明は、測定目的成分を含有する金属試料の定量分析方法であって、金属試料から測定目的成分を除去することが可能な溶媒に金属試料を浸漬させる工程と、浸漬させた金属試料から測定目的成分を溶媒中に除去させる工程と、除去した測定目的成分量を求める工程と、浸漬させた金属試料と浸漬させていない金属試料との測定目的成分に起因するイオン量を求める工程と、検量線（Ｘ軸：測定目的成分除去量、Ｙ軸：測定目的成分に起因するイオン量）を作成する工程と、該検量線をＸ軸に外挿する工程とからなり、該検量線とＸ軸との切片が測定目的成分量となることを特徴とする定量方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの表面及び内部のほぼ全ての不純物を、非破壊で、簡単に、穏和な条件下で、短時間に抽出除去する方法を提供する。また、抽出された不純物を定量分析する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハを、希薄酸水溶液からなる抽出液に浸漬し、この抽出液を加熱してシリコンウェハの不純物を抽出液中に抽出する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の表面状態および表面と平行な面内における状態の解析に適した試料を、容易に作製することの可能な方法を提供する。
【解決手段】 積層膜１０Ｚに対してＦＩＢ１５Ａ，１５Ｂを照射することにより、可溶膜１２に達するエッチング溝１６を、解析対象領域１０Ｒを取り囲むように形成したのち、ウェハ１１、可溶膜１２および中間膜１３Ｚのうち、可溶膜１２のみを溶解可能な酸性溶液を用いて中間膜パターン１３と接する部分である底部１２Ｂを溶解除去することにより、解析用試料１０を形成する。得られた解析用試料１０を、その側面１０Ｗを把持することにより取り出す。これにより解析対象膜パターン１４の表面を汚すことなく、ＳＥＭやＴＥＭなどを用いた表面状態および表面と平行な面内における状態の解析に好適な解析用試料１０を、高精度かつ容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 試料の種類および試料の表面状態によらず高い感度を得ることを可能にする。
【解決手段】 半導体基板２を酸蒸気に暴露する工程と、酸蒸気に暴露された半導体基板の表面の不純物を酸溶液で走査回収する工程と、走査回収した酸溶液６を表面が鏡面状態の基板上で濃縮乾燥させ濃縮乾燥物８に変える工程と、濃縮乾燥物を酸を用いて粒子状の濃縮物８ａに変える工程と、粒子状の濃縮物を全反射蛍光Ｘ線分析装置４０にて分析する工程とを備えている。 （もっと読む）