【課題】シリコン化合物に起因した検出精度低下を招くことなく、低濃度領域から高濃度領域に亘って可燃性ガス濃度を検出する
【解決手段】高温目標温度に対応する抵抗値となるように通電される高温用発熱抵抗体２２１と、高温目標温度より低く設定された低温目標温度に対応する抵抗値となるように通電される低温用発熱抵抗体２１１を有し、高温用発熱抵抗体２２１の端子間電圧（高温側電圧ＶＨ）に基づき可燃性ガス濃度（以下、第１演算ガス濃度という）を演算すると共に（Ｓ６０）、低温用発熱抵抗体２１１の端子間電圧（低温側電圧ＶＬ）に基づき可燃性ガス濃度（以下、第２演算ガス濃度という）を演算する（Ｓ１５０）。そして、第１演算ガス濃度又は第２演算ガス濃度と第１判定値又は第２判定値とを比較し（Ｓ８０，Ｓ１７０）、この比較結果に基づき、第１演算ガス濃度又は第２演算ガス濃度を検出結果として採用する（Ｓ９０，Ｓ１８０）。 （もっと読む）

【課題】従来よりも単純な構造でガス検出部への水分の浸入を防止して水による異常作動を防ぐことができるガスセンサを提供すること。
【解決手段】外部からガス導入用開口部２Ｂを介して被検知ガスが導き入れられるガス検出室２Ａを有するセンサ筐体２と、ガス検出室２Ａ内に配置され、被検知ガスの濃度を検出するためのセンサ素子４と、ガス導入用開口部２Ｂに設けられたフィルタ６とを備え、フィルタ６は、防爆性および防水性を有するフィルタである。 （もっと読む）

【課題】感度劣化物質に被毒しやすい環境に設置される接触燃焼式ガスセンサの製造方法を提案する。
【解決手段】測温抵抗体に付着させた金属酸化物焼結体の担体に触媒を担持させてなる接触燃焼式ガスセンサにおいて、接触燃焼式ガスセンサを１３０℃乃至５００℃とし、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、及びヘキサメチルジシランのうちの少なくとも１種を１０ｐｐｍ乃至３００００ｐｐｍを含む雰囲気で前記触媒の触媒能の経時的変化が所定値に安定するまで被毒させる。 （もっと読む）

【目的】感ガス素子の各電極ピンや補償素子の各電極ピンを外部基板へ直接半田付け可能とし、機器に実装する際の自由度を高めることを目的とする。
【構成】電極ピン４ａ、５ａのマウントベース２から外部へ突出した部分には、半田付け可能な材料からなる外部接続端子１０が取り付けられている。この外部接続端子１０は筒状に形成されており、各電極ピン４ａ、５ａのそれぞれが筒状の外部接続端子１０の空洞内に挿通され取り付けられている。各電極ピン４ａ、５ａと外部接続端子１０との固定はレーザー溶接法によって各々を接合固定するのが好ましい。尚、この外部接続端子１０は、ニッケル、銅、又はニッケルと銅の合金の何れかから選択された材料で形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で自己診断機能を有するガスセンサを提供する。
【解決手段】２つの電界効果型トランジスタからなり、該２つの電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜２４上にゲート電極を設け、該ゲート電極によりガスを検知するガスセンサ３０であって、一方の電界効果型トランジスタに設けられた第一ゲート電極５と、他方の電界効果型トランジスタに設けられた第二ゲート電極６と、前記第一ゲート電極５と前記第二ゲート電極６との間を配線により接続して同電位あるいは一定電圧差の直流電圧あるいは交流電圧を印加する電圧印加手段と、を備え、前記第一ゲート電極５と前記第二ゲート電極６とは、それぞれ異なる金属からなるとともに、一方の電界効果型トランジスタと他方の電界効果型トランジスタの構造を同じにする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも単純な構造で雑ガスの影響をなくすと共にガス検出部への水分の浸入を防止して異常作動を防ぐことができるガスセンサを提供すること。
【解決手段】ガス検出室１１ａを構成するハウジング部材１１，２０と、ガス検出室１１ａ内に配置されたガス検出部１４と、ガス検出部１４を空隙２２を介して覆うように設けられ、外気中の被検知ガスのみをガス検出室１１ａに導入するためのガス分離透過膜１６と、ガス検出室１１ａに充填され、ガス分離透過膜１６により封止された不活性ガス２１と、ガス分離透過膜１６を覆う空洞部１７ａと、空洞部１７ａに通気する複数の通気孔１８とを有する支持体１７と、複数の通気孔１８内に形成された水分除去層１９と、を備えている。 （もっと読む）

【目的】 感ガス素子の各電極ピンへの配線作業を容易にし、機器に実装する際の自由度を高め、省スペース化も図る。
【構成】感ガス素子と電気的に接続してその感ガス素子を支持する複数本の電極ピン７１，７２を含む電極ピンを、それぞれマウントベース（図ではバネ性ホルダ１２の下側にある）の一方の面から他方の面（背面）に貫通させて支持し、その各電極ピンの端部をスペーサ４の透孔４ａを通して溝４ｂ内に突出させ、その突出した部分に、それぞれマウントベースの背面に平行（ホルダ基板１１にも平行）な方向に延びる複数本のアウトリード５１〜５３を、各接続部５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５３ａで接続し、押え部材６を被せてバネ性ホルダ１２でホルダ基板１１に固定・保持する。 （もっと読む）

【課題】点検用ガス導入管を備えつつ、ガスセンサの交換等の作業性を向上させる燃料電池車両及びそのガスセンサ点検方法を提供する。
【解決手段】水素及び空気が供給されることで発電する燃料電池スタック１１と、内部に水素を収容する水素タンク１２と、水素タンク１２の上部を囲むように形成される水素滞留部１０２ｂと、水素滞留部１０２ｂに取り付けられると共に、ガス検出部２２ａが下方に開口し、水素滞留部１０２ｂに滞留する水素を検出する水素センサ２２と、水素センサ２２の点検時に、点検用ガスを水素センサ２２に導き、一端３２ａ側から点検用ガスをガス検出部２２ａに吹き付ける点検用ガス導入管３２と、を備える燃料電池車両１であって、点検用ガス導入管３２は、水素タンク１２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】起動判定時間を確実に短縮することができるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１００は、電圧を印加される検出素子９と、検出素子９の周囲の雰囲気温度を検出する温度センサ１０と、検出素子９の出力に基づいてガス濃度を判定する濃度判定部２１と、検出素子９に電源を投入した起動時の検出素子９の周囲の雰囲気温度が所定温度よりも低い場合には、前記所定温度以上の場合よりも検出素子に印加する電圧を起動開始から一定時間高くする電圧制御部２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ガス濃度判定精度の向上を図る。
【解決手段】互いに近接配置され、電圧を印加されるガス濃度検出用素子９ａと監視用素子１０ａと、ガス濃度検出用素子９ａの出力に基づいてガス濃度を判定する濃度判定部３２と、両素子９ａ，１０ａの出力偏差に基づいてガス濃度検出用素子９ａの異常を判定する異常判定部３３と、検出モードと監視モードに切り換えるモード切換部３１とを備え、検出モードでは、ガス濃度検出用素子９ａに基準電圧を印加し、監視用素子１０ａには基準電圧よりも低い電圧を印加し、監視モードでは、ガス濃度検出用素子９ａと監視用素子１０ａの両方に基準電圧を印加し、監視モードにおける両素子９ａ，１０ａの出力偏差に基づいてガス濃度検出用素子９ａの感度較正値を求めて記憶し、検出モードにおけるガス濃度検出用素子９ａの出力を前記感度較正値を用いて補正する。 （もっと読む）

【課題】迅速に劣化判定が可能で、且つ、信頼性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】互いに近接配置され、電圧を印加されるガス濃度検出用素子９ａと監視用素子１０ａと、ガス濃度検出用素子９ａの出力に基づいてガス濃度を判定する濃度判定部３２と、両素子９ａ，１０ａの出力偏差に基づいてガス濃度検出用素子９ａの異常を判定する異常判定部３３と、検出モードと監視モードに切り換えるモード切換部３１とを備え、検出モードでは、ガス濃度検出用素子９ａに基準電圧を印加し、監視用素子１０ａには基準電圧よりも低い電圧を印加し、監視モードでは、ガス濃度検出用素子９ａと監視用素子１０ａの両方に基準電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】ガスセンサの起動完了判定を素早く行う。
【解決手段】ガス濃度検出用素子９ａと監視用素子１０ａと、ガス濃度検出用素子９ａの出力に基づいてガス濃度を判定する濃度判定部３２と、両素子９ａ，１０ａの出力偏差に基づいてガス濃度検出用素子９ａの異常を判定する異常判定部３３と、検出モードと監視モードに切り換えるモード切換部３１とを備え、検出モードでは、ガス濃度検出用素子９ａに基準電圧を印加し、監視用素子１０ａには基準電圧よりも低い電圧を印加し、監視モードでは、両素子９ａ，１０ａに基準電圧を印加し、電源投入された起動時には、両素子９ａ，１０ａに前記検出モードのときにガス濃度検出用素子９ａに印加した電圧と同じ電圧を印加し、監視用素子１０ａの出力特性に基づいて予め設定された起動判定時間が経過した後、一定時間が経過するまで濃度判定部３２は監視用素子１０ａの出力に基づいてガス濃度の判定を行う。 （もっと読む）

【課題】軽量小型で、防爆性を有する可燃性ガスセンサを実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】可燃性ガスセンサＧＳ１は、センサチップ１と、センサチップ１を搭載するステム２と、上部と側部とを有し、側部の最下部がステム２の外周と溶接された金属キャップ６とを含み、ステム２と金属キャップ６とによってセンサチップ１を囲んでいる。金属キャップ６の上部には、例えば直径が０．５〜３ｍｍの穴８が形成されており、金属キャップ６の内側にその穴８を覆う、例えば穴径が１〜４μｍ、厚さが０．３〜１ｍｍの防水透湿性素材９が断熱材１０によりかしめている。 （もっと読む）

【課題】素子に対する加温性能を損なうことなく、耐振動性を向上することができるガスセンサを提供する。
【解決手段】開口部２４を有するハウジング２０内に、検出素子３１と補償素子３２とが、それぞれステー３３ａ，３３ａに接続されて支持されている。検出素子３１の周囲には、コイルヒータ３５が配設されて、その両端部３５ａ，３５ａが検出素子３１と同じステー３３ａに接続されて支持されている。また、補償素子３２についても同様に、コイルヒータ３６が設けられ、その両端部３６ａ，３６ａが補償素子３２と同じステー３３ａに接続されて支持されている。また、コイルヒータ３５は、検出素子３１の触媒３１ｂに接触するようにして巻回され、コイルヒータ３６は、補償素子３２の担体３２ｂに接触するようにして巻回されている。 （もっと読む）

【課題】誤報を少なくすることができるガスセンサを提供する。
【解決手段】検出素子６が、白金コイル６２と、この白金コイル６２を覆うメタンガス、水素ガス、エタノールガス、一酸化炭素との接触燃焼を促進するパラジウム触媒を担持したγアルミナ６１と、から構成されている。比較素子７が、白金コイル７２と、この白金コイル７２を覆うメタンガスとの接触燃焼は促進せずに水素ガス、エタノールガス、一酸化炭素と接触燃焼を促進するセリア触媒７１と、から構成されている。そして、ブリッジ回路４が、上記検出素子６及び比較素子７から構成されている。 （もっと読む）

【課題】ガス検出素子において結露を防止するガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスを検出するガス検出素子３１と、ガスが取り込まれるガス検出室２５を有すると共に、その内壁面に取り付けられたガス検出素子３１を収容する素子収容部と、素子収容部の内外へガスを通流させるガス通流部４３と、ガス検出室２５の内壁面に沿って設けられ、ガス検出室２５内を加熱するヒータ５１と、を備える水素センサ１であって、ガス検出素子３１とガス通流部４３との間にガス検出素子３１へガスを通流させる通流孔６１ａを有し、ガス通流部４３を通過したガスが、ガス検出素子３１に直接当たることを阻止する阻止部材６１を備えることを特徴とする水素センサ１である。 （もっと読む）

【課題】ガス検出室内のオフガスに生じる、半径方向の温度差を小さくし、オフガスを加熱するヒータの消費電力を抑えるとともに、ガス検出室内でのオフガスの結露を好適に防止する水素センサを提供することを課題とする。
【解決手段】ガス検出室２５を形成する有底の円筒型のケース２０の開口部を閉塞するベース部３３に縁部３３ａを形成し、ベース部３３を、縁部３３ａを介して結露防止ヒータ５１で加熱する。そして、ガス検出室２５内のオフガスを、ケース２０の半径方向の温度差を生じないように、ベース部３３で加熱する構成とした。 （もっと読む）

【課題】結露水がガス検出素子に付着しにくいガスセンサを提供する。
【解決手段】内部に被検出ガスが取り込まれるガス検出室２５を有し、下部に被検出ガスの導入口２４を有するハウジング２０と、ハウジング２０の鉛直上側の開口を塞ぐベース３０と、ベース３０から鉛直下方に突出するように設けられ、被検出ガスを検出するガス検出素子４１と、を備える水素センサ１であって、ベース３０は、周辺部から中央部に向かうにつれて、鉛直上方に凹んでいる。 （もっと読む）

【課題】高い測定精度を可能にする、冒頭で述べた種類のガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ（１）は少なくとも１つの導電性のガス感知層（７）を有し、当該ガス感知層（７）は目標ガスと接触可能な表面領域（９）を有し、当該表面領域内での仕事関数は表面領域と接触している目標ガスの濃度に依存している。少なくとも１つの電気ポテンシャルセンサは、エアギャップ（８）を介して表面領域（９）に容量結合している。表面領域（９）は少なくとも１つの繰り抜き部によって構造化され、当該繰り抜き部内に、ガス感知層（７）と導電結合されている平坦な材料要素（１８）が配置され、当該材料要素の材料はガス感知層（７）の材料と異なり、且つ金属、および／または、金属を含有する化合物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】プラチナ膜をゲート電極に使用するＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ型の水素ガスセンサにおいて、プラチナとゲート絶縁膜（酸化シリコン膜）との密着性を維持しつつ、高濃度の水素ガスにさらされても水素被毒を抑制できる特徴をもち、かつ、パラジウム膜をゲート電極に使用するＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ型の水素ガスセンサと同程度以上の水素応答強度を実現するデバイス構造を提供する。
【解決手段】ゲート構造において、プラチナ微結晶５間の結晶粒界６（粒界近傍領域７を含む）に酸素をドープした非晶質のチタン、プラチナ−チタン拡散層からなるＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を形成した構造とする。さらに、結晶粒界６にＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を有するプラチナ微結晶５の下に、酸素ドープチタン膜３(酸素をドープした非晶質のチタン、非晶質酸化チタン、または、酸化チタン微結晶が混じり合った膜)を形成した構造とする。 （もっと読む）