【課題】信頼性の向上した表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、駆動配線を含む表示領域を有し、表示領域に表示パネルが配置された主基板部と、主基板部と一体化されると共に、駆動配線からの引き出し配線が設けられた補助基板部とを備えている。外部から入力される制御信号は、補助基板部の引き出し配線を介して駆動配線に伝達されるため、別部材の配線基板が不要となる。基板と配線基板との接続工程がなくなり、基板と配線基板との間に断線が生じることもない。 （もっと読む）

【課題】全体に占める有効表示領域の割合の拡大に適した構造の表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、少なくとも一方が光透過性を有すると共に互いの対向面に第１および第２の電極がそれぞれ設けられた第１および第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に設けられた表示素子とを備える。第１の基板および第１の電極は、第２の基板の端面の少なくとも一部を覆うように折り曲げられた外縁部を有する。 （もっと読む）

【課題】 可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を実現する方法を提供することを課題とする。また、異なる層に形成された配線間の寄生容量を低減する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 第１の基板上に形成された薄膜デバイスと第２の基板とを接着して固定した後、第１の基板を取り除いて薄膜デバイスに配線等を形成する。その後、第２の基板も取り除き、可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を形成する。また、第１の基板を取り除いた後、配線を活性層のゲート電極が形成されていない側に形成することにより、寄生容量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルな基板を用いても、高い精度で薄膜トランジスタを形成することができる薄膜トランジスタの製造装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に薄膜トランジスタを製造する製造装置であり、基板に関する基板情報を取得する取得部と、取得部で得られた基板に関する基板情報に基づいて、基板の伸縮強度が高い方向を特定し、伸縮強度が高い方向と薄膜トランジスタのチャネル領域を挟んでソース電極およびドレイン電極が配置される配置方向とが直交するように薄膜トランジスタを形成する向きを設定する設定部とを有する。 （もっと読む）

【課題】より小型化、低コスト化した液晶表示素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板１とガラス基板２は回路基板３上の電極パッド１４、電極パッド１５と導通をとるため、液晶１１を介し、均一な位置関係でシール材９により貼り合わせて液晶表示素子を構成している。前記シリコン基板１に形成された画素電極１２は貫通電極４を介して、導電性材料１６（例えば金ペースト、はんだ等）によって回路基板３の電極パッド１４と電気的に接続される。また、ガラス基板２に形成された対向電極６は、これと対向する位置に配置された前記シリコン基板１上の貫通電極８と導電性樹脂７を介して接続され、貫通電極８の下面側において導電性材料１６（例えば金ペースト、はんだ等）を介して回路基板３の電極パッド１５と接続されている。前記画素電極１２と前記対向電極６とはそれぞれ異なった電位が供給される。 （もっと読む）

【課題】基板及び／又は絶縁膜との高い密着性を有し、且つ、液晶表示装置などの製造過程で施される熱処理の後も低い電気抵抗率を有する新規なＣｕ合金膜を提供すること。
【解決手段】表示装置用Ｃｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は、Ｃｕ−Ｍｎ−Ｂ合金で構成されており、前記Ｃｕ合金膜の基板側の界面（Ｉ）から、前記Ｃｕ合金膜の最表面に向って５０ｎｍ（ＩＩ）までの深さ方向のＭｎ量およびＢ量をそれぞれ、Ｍｎ量（Ｍｎ_Ｉ−ＩＩ）およびＢ量（Ｂ_Ｉ−ＩＩ）とすると共に、前記Ｃｕ合金膜の深さ５０ｎｍ（ＩＩ）から、前記Ｃｕ合金膜最表面（ＩＩＩ）までの深さ方向のＭｎ量およびＢ量をそれぞれ、Ｍｎ量（Ｍｎ_{ＩＩ−ＩＩＩ}）およびＢ量（Ｂ_{ＩＩ−ＩＩＩ}）とし、前記Ｍｎ量のＭｎ_Ｉ−ＩＩとＭｎ_{ＩＩ−ＩＩＩ}との関係が、２．０≦（Ｍｎ_Ｉ−ＩＩ／Ｍｎ_{ＩＩ−ＩＩＩ}）であると共に、前記Ｂ量のＢ_Ｉ−ＩＩとＢ_{ＩＩ−ＩＩＩ}との関係が、１．５≦（Ｂ_Ｉ−ＩＩ／Ｂ_{ＩＩ−ＩＩＩ}）であること。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増加させることなく画素電極の凹凸を低減してコントラストを確保できる液晶パネルを提供する。
【解決手段】液晶パネル11は、アレイ基板12を有する。アレイ基板12は、絶縁層21を備える。アレイ基板12は、絶縁層21の液晶層14に対して反対側に複数の薄膜トランジスタ24を備える。アレイ基板12は、薄膜トランジスタ24を覆う支持層27を備える。アレイ基板12は、絶縁層21に対して各薄膜トランジスタ24と反対側の位置に、各薄膜トランジスタ24により駆動する複数の画素電極29を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、種結晶上に、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように第１の微結晶半導体膜を形成し、第１の微結晶半導体膜上に、第１の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第３の条件で第２の微結晶半導体膜を形成し、第２の微結晶半導体膜上に、第２の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を埋めつつ、結晶成長を促す第４の条件で、第３の微結晶半導体膜を積層形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板１０上に第１導電体を形成する第１導電体形成工程と、第１導電体を被覆する様にゲート絶縁膜２１を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、第１導電体上のゲート絶縁膜２１に貫通孔３２を開口して、当該貫通孔３２を介して第１導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体以外の領域に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像形成層上に、容易且つ迅速にパターン形成できる方法で導体パターンを形成するディスプレイ・デバイスを提供する。
【解決手段】ディスプレイ・デバイス１０は、基板１５と、基板上に形成した第１の透明導電性層２０と、第１の透明導電性層上のコレステリック液晶光変調層３０と、コレステリック液晶光変調層上に形成した第２の導電性層４０とを含んでなるディスプレイ・デバイスであって、前記第２の導電性層４０が銀をベースにするＵＶ硬化性の導電性層である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過型液晶表示装置、ボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置などの、ＴＦＴ基板側が受光面または発光面となるフレキシブルディスプレイに用いることができるＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、光透過性および絶縁性を有し、樹脂を含有する平坦化層と、上記平坦化層の一方の面にパターン状に形成され、フレキシブル性を有する金属層と、上記平坦化層の上記金属層側とは反対側の面に形成されたＴＦＴ素子および画素電極とを有し、上記画素電極が形成されている画素電極形成領域の少なくとも一部と、上記金属層が形成されていない金属層非形成領域の少なくとも一部とが重なるように配置されていることを特徴とするＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】２つの配向状態間の遷移を利用する新規な液晶素子の視角特性を向上させること。
【解決手段】液晶素子は、対向配置された第１基板及び第２基板、第１基板又は第２基板に設けられたプリズムアレイ、第１基板に設けられた第１配向膜、第２基板に設けられた第２配向膜、第１基板と第２基板の間に設けられた液晶層、第１基板の外側に配置された第１偏光板、第２基板の外側に配置された第２偏光板、第１基板及び第２基板に設けられた電圧印加手段を含む。第１基板及び第２基板は、液晶層の液晶分子を第１方向へ捻れさせるように各配向膜への配向処理の方向を配置される。液晶層は、液晶分子を第１方向とは逆の第２方向に捻れさせる性質のカイラル材を含有する。電圧印加手段は、少なくとも、第１基板に設けられた第１電極と第２基板に設けられた第２電極を有する。 （もっと読む）

【課題】ＡＣＦテープ上にＣＯＦなどの電子部品を搭載して圧着した時に、安定した張力を維持し、薄いＡＣＦテープの貼り付け位置が変動しないようにした表示パネルモジュール組立装置、及び異方性導電材搬送装置を提供する。
【解決手段】２つのテープクランプがＡＣＦテープの送り方向に対して、お互いの位置が上流側と下流側に入れ替わる方式でＡＣＦテープを送り、ＣＯＦ４にＡＣＦテープを貼り付ける位置でのテープ張力を安定させる。 （もっと読む）

【課題】薄くて軽くかつフレキシブル性を有した電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気装置は、機能素子を挟んで対向配置された第１基板および第２基板と、機能素子よりも第１基板側に設けられた第１電極（裏面電極）と、第２基板に設けられ第１電極と電気的に接続された第２電極と、第１基板と第２基板とが重なる領域であって第１電極と第２電極との間に挟まれた領域に、機能素子と、当該機能素子を駆動する電子部品とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】清掃装置によるＣＦ基板の損傷を防止することにある。
【解決手段】プローブ装置は、電極を備える被検査体の上方に配置されて、またプローブ装置本体と、該プローブ装置本体に結合された清掃装置と、該清掃装置を前記プローブ装置に結合する結合装置とを含む。前記プローブ装置本体は、前記電極に接触されるように下方に向けられた針先を有する。前記清掃装置は、前記プローブ装置本体と前記被検査体とが相寄り相離れる上下方向への相対移動により前記電極に接触可能の前端部を前記針先より下方及び前方に備える。前記結合装置は、上方ほど後方となる斜めの方向に前記清掃装置と前記プローブ装置本体とを相対的に移動可能に結合している。 （もっと読む）

【課題】 反射電極の間を通過する入射光の光量低減が要望されている。
【解決手段】 半導体基板に、複数のスイッチング素子が形成されている。半導体基板の上に、スイッチング素子に対応して配置され、対応するスイッチング素子に接続された反射電極が形成されている。反射電極の上面及び端面を覆い、反射電極の間の領域において、反射電極の底面と同じか、該底面よりも低い位置に上面が配置されているカバー絶縁膜が形成されている。反射電極の間のカバー絶縁膜の上に、遮光膜が形成されている。遮光膜の上面が、反射電極の上面よりも高い位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの高いアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、複数の補助容量電極と、複数の半導体層１５と、複数のゲート電極２０を含んだ複数の走査線１９と、複数の補助容量線と、複数のコンタクトホールを有した層間絶縁膜と、複数のコンタクトホールを通って複数の半導体層のソース領域に電気的に接続された複数の信号線と、複数の画素電極と、を備えている。走査線１９が延在した方向に互いに隣合う一方の画素電極が接続された補助容量電極と、他方の画素電極が接続された補助容量電極とは、走査線を挟んで位置している。薄膜トランジスタのチャネル面積ＣＳは、２４μｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の液晶表示装置に、装置の外部又は内部からの静電的な影響や外部の電磁的妨害に対するシールド機能を付与する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向して配置された第１の透明基板及び第２の透明基板と、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側に配置された透明導電膜と、前記第２の透明基板の前記液晶層の側に配置された表示用電極及び基準電極とを含み、前記透明導電膜は、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側の主面上に塗布により形成され、前記透明導電膜は、特定の特性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、透明性に優れ、更にコントラスト比が高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向して配置された第１の透明基板及び第２の透明基板と、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側に配置された透明導電膜とを備え、前記透明導電膜は、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側の主面上に塗布により形成され、前記透明導電膜は、導電性無機粒子と樹脂成分とを含み、前記導電性無機粒子の平均粒子径が、３０〜１８０ｎｍであり、前記導電性無機粒子の前記透明導電膜の全体に対する重量含有率が、７１％以上８５％未満であり、前記透明導電膜を配置した前記第１の透明基板のヘイズ値が、１．４％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）