【課題】酸化物半導体層のチャネル領域の、水素拡散による低抵抗化を抑制するトップゲート型酸化物半導体ＴＦＴ及びこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】基板の上に、ソース電極層と、ドレイン電極層と、酸化物半導体層と、ゲート絶縁層と、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎの少なくとも１種類の元素を含むアモルファス酸化物半導体からなるゲート電極層と、水素を含む保護層と、を有し、ゲート絶縁層は酸化物半導体層のチャネル領域の上に形成され、ゲート電極層はゲート絶縁層の上に形成され、保護層はゲート電極層の上に形成されていることを特徴とするトップゲート型薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】マザーボード及びアレイ基板の製造方法に関する。
【解決手段】マザーボード及びその製造方法であって、該マザーボードは、少なくとも一つの表示領域及び上記表示領域の周辺のプレカッティング領域を有する基板を備え、上記表示領域はゲートスキャンライン及びデータスキャンラインを有し、上記プレカッティング領域は電気的に接続されているゲートライン連通線とデータ連通線を有し、上記ゲートライン連通線は上記表示領域におけるゲートスキャンラインごとと電気的に接続し、上記データ連通線は上記表示領域におけるデータスキャンラインごとと電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】自己整列可能であり且つコストを節減できる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタ基板は、多段差構造を有するように深さの異なる多数個の溝を有する基板と、前記基板の溝内に互いに交差するように形成されて多数個の画素領域を形成させるゲートライン及びデータラインと、前記基板の溝内に形成され、ゲートライン及びデータラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと、を含み、前記薄膜トランジスタの活性層は、前記ゲートライン及びゲート電極に沿って形成され、前記データラインを間に挟んで、隣接する画素領域の活性層と分離されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、相対的に低温工程で製造された薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターを使用して相対的に低温工程で製造された表示装置と、前記表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る薄膜トランジスターは、基板本体と、前記基板本体上に位置し、２０００〜８０００ｏｈｍ／ｓｑ範囲内の表面抵抗を有する多結晶シリコン膜で形成された半導体層と、前記半導体層とそれぞれ互いに接触し、３５０〜２０００ｏｈｍ範囲内の抵抗を有する金属物質で形成されたソース電極およびドレイン電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】静電気を逃がす金属部品２の薄型、及び小型化を達成し、かつ金属部品２の組付けが容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】文字板６２の開口部６２ａの奥に取付けられた液晶パネル本体１内の透明導電膜１５が金属部品２によって接地される液晶表示装置において、表ガラス３と裏ガラス４の間に液晶層５が封入され、表ガラス３の表面と裏ガラス４の裏面に表側偏光板６と裏面偏光板７が設けられている。表ガラス３と表側偏光板６との端面の位置ずれによって形成された端面のずれ部１４に位置し、表ガラス３と表側偏光板６との間に形成された透明導電膜１５から引き出された露出部１５ａを備える。この露出部１５ａに接触する鋏み込み形状部２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂによって透明導電膜１５がフレキシブルプリント基板１０を介して回路基板３２内のアースに接続される。 （もっと読む）

【課題】性能向上を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機ＴＦＴは、ゲート電極２および有機半導体層６と、それらの間に位置すると共に有機半導体層６に隣接するゲート絶縁層３とを備えている。このゲート絶縁層３は、スチレンおよびその誘導体のうちの少なくとも一方である第１単量体（α−メチルスチレンなど）と、炭素間二重結合および架橋性反応基を有する第２単量体（メタクリル酸グリシジルなど）とが共重合および架橋された材料を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高性能化および製造容易化を実現可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】支持基体１の上にゲート電極２を形成したのち、そのゲート電極２の上にゲート絶縁層３を形成する。続いて、ゲート絶縁層３の上に有機半導体層を形成したのち、レーザアブレーション法により有機半導体層をパターニングして有機半導体パターン４を形成する。最後に、有機半導体パターン４の上にソース電極５およびドレイン電極６を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板に転写方式で薄膜トランジスタを備える画像表示装置を製造することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
支持基板の主面側に有機材料からなる樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の上層に半導体回路または表示回路を形成する工程と、前記樹脂膜に吸収される波長の光を前記支持基板側から照射して、前記支持基板から前記樹脂層を剥離する工程と、前記樹脂層を薄膜化又は除去する工程と、前記樹脂層の側から第１基板を貼る工程とを有する画像表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板とフレキシブル基板の接続部における不具合の抑制と、フレキシブル基板上の配線の機械的強度の確保を両立することを目的とする。
【解決手段】複数の端子ＴＲを含む端子部を薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１上に備えた表示パネルと、端子部に接続される駆動回路と、を有する表示装置であって、駆動回路は、フレキシブル基板ＦＢと、当該フレキシブル基板に搭載される半導体チップと、を有し、フレキシブル基板ＦＢは、半導体チップ及び複数の端子ＴＲをそれぞれ接続する複数の配線Ｌａを備え、配線Ｌａは、端子ＴＲに重なる第１配線部分Ｌａ１と、第１配線部分Ｌａ１と半導体チップとの間に位置する第２配線部分Ｌａ２と、を有し、第１配線部分Ｌａ１は、第２配線部分Ｌａ２よりも細い、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧ＣＶＤ法による窒化シリコン膜は、膜厚の１０％程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。
【解決手段】基板（１）上に反射電極（１４）がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜（１７）として、膜厚が５００〜２０００オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】光の乱反射を減らした液晶ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の基板が相互対向して配され、その間に液晶層が形成された液晶ディスプレイパネルと、液晶ディスプレイパネルの下部に配され、液晶ディスプレイパネルに光を照射するバックライトユニットと、を備えるが、液晶層が形成された部分に対して離隔して配された基板の表面に形成された欠陥ホール内に充填され、基板の表面に対して水平面になるように充填材が形成され、充填材が充填された欠陥ホール上にカバー部材が付着されたことを特徴とする液晶ディスプレイ装置である。これにより、充填材によって欠陥ホールが形成された領域を充填させるので、光の乱反射を未然に防止する。このように、エッチング工程で発生する物理的な限界を克服して超薄型加工を通じて薄型のディスプレイ装置を具現可能である。 （もっと読む）

【課題】多面取りで製造される画像表示装置の切断面からの水分や酸素等のＴＦＴ層への侵入を防止することが可能な画像表示装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
湾曲可能な透明基板からなる第１基板と、前記第１基板に接着され、その上層に薄膜トランジスタが形成される樹脂フィルム層とを備える画像表示装置であって、前記樹脂フィルムの表面を被う無機膜からなるバリア層を備え、前記バリア層を介して、前記樹脂フィルムの上層及び下層に薄膜層が形成される画像表示装置である。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法を用いた場合でも高いスループットで微細な導電層を有する積層構造体を製造可能な積層構造体の製造方法、並びに積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、同一パターンの高表面エネルギー部４０を一定の間隔で周期的に配列しておき、インクジェット装置の主走査方向（Ｘ軸方向）における吐出ノズル１，２の間隔を、高表面エネルギー部４０のパターン間隔と一致させて選択的に機能液の液滴ｄを滴下してソース電極２３０、ソース電極線２９０、ドレイン電極２４０となる導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶が封入される一対の基板間での短絡の虞を低減させ得る構造の液晶パネルと、そのようなパネルの構築に好適な液晶パネル用アレイ基板を提供すること。
【解決手段】本発明により提供される液晶パネル用アレイ基板において、薄膜トランジスタ３０は、少なくともゲート電極３２とソース電極３６とドレイン電極３７とを備えた積層構造に形成されている。そして、基板本体（ガラス基板）１２ａは、少なくとも薄膜トランジスタ形成部分の一部において、該薄膜トランジスタ形成部分の周囲よりも凹んだ凹部９６，９７を備えており、ソース電極およびドレイン電極は、凹部内に少なくともその一部が埋設されるようにして形成されている。 （もっと読む）

【課題】表示領域と周辺領域とにおいて層間絶縁膜の表面を連続した平坦面とすることができる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、層間絶縁膜７２（第１層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して低い第１スルーホール（表示領域側第１スルーホール７２ａおよび周辺領域側第１スルーホール７２ｂ）が開口している。層間絶縁膜７３（第２層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して高い第２スルーホール（表示領域側第２スルーホール７３ａおよび周辺領域側第２スルーホール７３ｂ）が開口している。このため、層間絶縁膜７２表面に段差７２ｘが形成されるが、かかる段差７２ｘは、層間絶縁膜７３の表面を研磨する際の研磨速度の差によって相殺される。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】シリコン基板上に設けられた酸化シリコン膜と、単結晶シリコン基板の一部
よりなりＴＦＴの活性層となる単結晶の島状シリコン層となる前の単結晶シリコン基板を
熱酸化して得られ、酸化シリコン膜に貼り合わせ界面にて貼り合わせて設けられた膜厚が
０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜と、活性層を熱酸化して設けられた他の面の
酸化シリコン膜と、により取り囲まれた活性層と、活性層上に設けられたゲート電極と、
を有し、単結晶の島状シリコン層は、膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜
を介して水素が導入された単結晶シリコン基板を水素が導入された部分で分断して得られ
たものである半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で放電によるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路の損傷を防止できる反射型液晶パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】一面に積層領域３１７Ｃが複数配列形成された素子側マザー基板３０１と、この素子側マザー基板３０１の一面に対向配置され、素子側マザー基板３０１の一面に対向する対向面に透明電極が設けられた対向側マザー基板と、を用い、素子側マザー基板３０１は、周縁電極３１７Ｂの外周縁に、隣接する他の周縁電極３１７Ｂとは離間して突出しシール材３４０が設けられ素子基板を切り出す際にシール材３４０とともに切断されて液晶注入口３１７Ｆを形成する拡張部３１７Ｄと、周縁電極３１７Ｂを隣接する他の周縁電極３１７Ｂと電気的に接続させる導通部３１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴに適したＳＯＩ基板およびその作製方法を提供する。またＳＯＩ基板を用
いて信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いて
ＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体
基板を用いる。その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との
密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】対向基板上にカラーフィルタ層を形成する場合と同様に、複雑な工程によることなくカラーフィルタ層を形成し、アレイ基板上にカラーフィルタ層が設けられた表示装置を得る。
【解決手段】表示装置１０は、各画素毎にスイッチング素子２６が形成されたアレイ基板２０と、アレイ基板２０に対向して配置された対向基板３０と、を有する。アレイ基板２０は、アレイ基板本体２１と、アレイ基板本体２１上に設けられ、各画素に対応する複数の着色層２４、及びこれらの着色層２４の間に位置する遮光層２３からなるカラーフィルタ層２２と、カラーフィルタ層２２の上層に設けられたスイッチング素子層と、を備えている。 （もっと読む）