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Fターム[3C081AA01]の内容

マイクロマシン (28,028) | 目的、効果 (2,695) | 精度、信頼性向上 (757)

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【課題】素子から出力される信号の絶対的な量がより容易に把握できるようにする。
【解決手段】電源103より供給される電圧が印加された第1素子101より出力される信号量を検出する第1検出回路104と、電源103より供給される電圧が印加された第2素子102より出力される信号量を検出する第2検出回路105と、第1検出回路104が検出した信号量と第2検出回路105が検出した信号量との差分に対応する信号を出力する差分回路106とを備える。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、反射膜間のギャップ寸法を変化させた場合でも分解能の低下を抑制できる波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置を提供する。
【解決手段】波長可変干渉フィルター5は、固定電極541および可動電極542を備えた静電アクチュエーター54を具備する。そして、固定電極541は、平面視で同一形状に形成される複数の固定部分電極543を備え、これらの固定部分電極543は、等角度間隔で配置され、可動電極542は、平面視において固定部分電極543と同一形状に形成され、かつ固定部分電極543と重なる複数の可動部分電極544を備え、互いに対向する固定部分電極543および可動部分電極544により部分アクチュエーター55が構成される。そして、これらの部分アクチュエーター55は、2つの前記電圧印加用部分アクチュエーター間で電気的に直列に接続される。 (もっと読む)


【課題】互いに噛み合う櫛歯状の第1電極および第2電極の大きさのばらつきを少なくでき、センサの検出精度を向上できるMEMSセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板7をエッチングすることにより、柱状部29およびベース部30を形成する。次に、当該柱状部29およびベース部30を熱酸化することにより、これらを絶縁膜に変質させる。これにより、柱状部29からなる絶縁層85およびベース部30の表層部からなるベース絶縁層21を形成する。次に、ベース絶縁層21上にポリシリコン層22を形成し、当該ポリシリコン層22およびベース絶縁層21の積層構造をエッチングして、Z固定電極71およびZ可動電極72の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ50を形成する。そして、当該トレンチ50の底部を等方性エッチングすることにより、ベース絶縁層21直下に凹部20(空洞23)を形成する。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止後に電子デバイス内に残留する脱ガスの量を低減すること。
【解決手段】基板20の上に下地膜21を形成する工程と、下地膜21の上に、感光性樹脂を露光及び現像してなる封止体25bを形成する工程と、封止体25bを加熱することにより、該封止体25bをキュアする工程と、基板1に形成されたスイッチ素子19に封止体25bを貼付することにより、封止体25bでスイッチ素子19を封止する工程と、封止の後、下地膜21を境にして封止体25bから基板1を剥離する工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】上部電極の直下に下部電極を簡単に形成でき、上部電極と下部電極との短絡を防止し、センサの検出精度を向上できるMEMSセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板7上に駆動用電極22を選択的に形成し、駆動用電極22を被覆するように、SiOからなる電極被覆膜23を形成する。次に、電極被覆膜23上に、犠牲ポリシリコン層52および犠牲酸化膜53を順に形成する。次に、犠牲酸化膜53上に、ポリシリコン層26を形成し、エッチングにより、固定電極27、可動電極28およびコンタクト電極29の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ56を形成する。次に、トレンチ56の底部をさらに掘り下げて、犠牲酸化膜53から犠牲ポリシリコン層52を露出させる。そして、犠牲ポリシリコン層52を完全に除去することにより、固定電極27の櫛歯部32および可動電極28の櫛歯部39の直下に空洞37を形成する。 (もっと読む)


【課題】衝撃に対する故障発生の低減を図ることのできるアクチュエータ装置を提供する。
【解決手段】 本発明のアクチュエータ装置30は、枠部材1と、枠部材1に梁部材3を介して回動可能に支持された可動部2とを備え、両梁部材3を回動軸として可動部2を枠部材1に対して回動させるアクチュエータ装置において、両梁部材3の回動軸線上にダンパー部材4を設けた。 (もっと読む)


【課題】MEMS素子パッケージの設計の自由度を低下させることなく、レーザ光の照射によりガラスフリットが溶解する際に電極が損傷する事態を防止しつつ、強固な封着強度を確保する。
【解決手段】本発明のMEMS素子パッケージは、MEMS素子が配置された素子基板と、素子基板のMEMS素子側の表面に間隔を置いて対向する封止基板と、MEMS素子の周囲を囲むように素子基板と封止基板との間の隙間を気密封着するガラスフリットを有するMEMS素子パッケージにおいて、素子基板とガラスフリットの間に配置され、且つガラスフリットを封着する際に照射されるレーザ光から電極を保護するための金属酸化物膜を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低コストで簡単な方法により、固定電極および可動電極を保護する層を形成できるMEMSセンサの製造方法およびこの製造方法で得られるMEMSセンサを提供する。
【解決手段】センサ領域10およびパッド領域を有するベース基板9をエッチングすることにより、露出空間38を形成し、同時にZ固定電極81およびZ可動電極82を形成する。次に、センサ領域10を覆うように第1犠牲層39および第2犠牲層40を形成する。次に、底部がパッド領域に対して接着するように、かつ頂部18が第2犠牲層40を覆うようにSiOからなる保護層16を形成する。次に、保護層16の直下の犠牲層39,40を除去して、保護層16とセンサ領域10との間に空間を形成する。犠牲層39,40の除去後、等方性エッチングにより、Z固定電極81およびZ可動電極82の下方部を連続させて空洞を形成する。 (もっと読む)


【課題】MEMS素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるMEMSデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するMEMS素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び/又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするMEMSデバイス。 (もっと読む)


【課題】 効率良く欠けショット領域にパターンを形成し、スループットの向上及び精度良くパターンを形成可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された被加工膜上の第1の領域に第1の膜を形成してパターニングすることにより第1のパターンを形成する。その後、前記第1のパターンを形成した後、前記第1のパターンの寸法が変動しないように前記被加工膜上に密着膜を形成する。次に、前記第1の領域とは異なる前記被加工膜上の第2の領域の前記密着層上に、インプリント法を用いて第2のパターンを形成する。次いで、前記第1のパターン及び第2のパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置100は、基板10と、基板10の上方に形成されたMEMS構造体20と、MEMS構造体20が配置された空洞部1を画成する被覆構造体30と、を含み、被覆構造体30は、空洞部1を上方から覆い、空洞部1に連通する貫通孔37を有する第1被覆層36と、第1被覆層36の上方に形成され、貫通孔37を閉鎖する第2被覆層38と、を有し、第1被覆層36は、少なくともMEMS構造体20の上方に位置する第1領域136と、第1領域136の周囲に位置する第2領域236と、を有し、第1領域136の第1被覆層36は、第2領域236の第1被覆層36より薄く、第1領域136の第1被覆層36と基板10との間の距離L1は、第2領域236の第1被覆層36と基板10との間の距離L2より長い。 (もっと読む)


【課題】良好な真空封入を維持しかつできるだけ変らない外側のチップ寸法を維持して、ボンディングされた表面マイクロメカニック構成部分の安定性を高める。
【解決手段】マイクロメカニック式のキャップ構造はサブストレート10を有し、サブストレート10には空洞Kが設けられている。空洞Kは方形の基面と互いに向き合った平行な側壁区分から成る2つの側壁区分対とを有する。空洞Kの基面に相応するダイヤフラムの局部的な補強は安定化ビームSK1,SK2を有する安定化クロスによって達成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体センサに係り、複数のセンサ基板を精度良く位置決めしつつセンサ基板全体の面積をできるだけ抑制することにある。
【解決手段】センサ面に溝又は突部が形成された第1のセンサ基板と、センサ面に溝又は突部が形成された第2のセンサ基板と、一方の面に第1のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第1の突部又は溝が形成され、かつ、他方の面に第2のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第2の突部又は溝が形成されたキャップ基板を備え、第1のセンサ基板を、溝又は突部が第1の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の一方の面側に接合し、かつ、第2のセンサ基板を、溝又は突部が第2の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の他方の面側に接合する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板と圧電体とを接合してなる圧電デバイスと、その圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板1の表面を加熱し、支持層1aにおける絶縁酸化膜層1bとは反対側の面に熱酸化膜1dを形成し、活性層1cにおける絶縁酸化膜層1bとは反対側の面に熱酸化膜1eを形成する。SOI基板1上に、接合層を密着させるための密着層4を形成する。そして、密着層4上に、金属ペーストとしてのろう材3aを介して、PZTからなる圧電材料2aの両面に電極層2b1・2b2を順に形成したチップ状の圧電体2を配置する。その後、ろう材3aを焼成して固めることによって接合層を形成し、接合層によってSOI基板1と圧電体2とを接合する。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、安定した振動特性を有するMEMS振動子を提供する。
【解決手段】MEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に形成された第1電極20と、基板10の上方に形成された支持部30a、および支持部30aから延出し第1電極20と対向配置された梁部30bを有する第2電極30と、を含み、第1電極20は、平面視において第2電極30の外縁の外側に形成された第1側面22aと、平面視において第2電極30の外縁の内側に形成された第2側面22bと、を有し、第1側面22aは、基板10の上面10aに対して傾斜し、第2側面22bと第1電極20の上面22cとは、角部23を構成している。 (もっと読む)


【課題】ダイヤフラムの厚さのばらつきを抑制することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】異方性エッチングによって第1凹部13が形成された一面11を有する第1基板10と、第1凹部13が密閉空間となるように第1基板10の一面11に接合された一面21を有する第2基板20と、を備え、第1凹部13を測定媒体の圧力に応じて変形可能な側面を有するものとする。そして、第1基板10に、側面の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗40を設ける。 (もっと読む)


【課題】ミラーを支持する部材と、その部材が接合される台座との接合状態を調整することにより、共振周波数を手間がかかることなく調整可能な光スキャナを提供することを目的とする。
【解決手段】入射する光を反射するミラーを支持する弾性構造体と、前記弾性構造体を支持する台座とからなる光スキャナであって、前記弾性構造体は、前記ミラーを駆動する駆動部が載置された弾性梁部と、前記弾性梁部に連結される調整部と、前記調整部の両端から延出する固定部と、から構成され、前記弾性構造体は、前記固定部及び前記調整部が前記台座と接合されることにより、前記台座に固定されていることを特徴とする光スキャナ。 (もっと読む)


【課題】従来に比べて出力精度の向上を図ることのできる加速度センサ、及び該加速度センサを備えた加速度センサシステムを提供する。
【解決手段】MEMS技術で形成される静電容量型の加速度センサであって、基板1と、基板に対向して配置された検出フレーム21,22と、基板に対向して配置された慣性質量体5と、検出フレームに対向し基板に配置される検出電極41、42とを備え、さらに、検出電極に隣接して基板上に設けられ検出電極の出力値を補正するための補正電極101,102を備えた。 (もっと読む)


【課題】フォースセンサの小型化に伴い、外部からの荷重により支持部に機械的強度を越える応力が発生し、支持部が破壊する問題が発生した。
【解決手段】センサ基板とベース基板との間にストッパを設け、センサ基板の撓みを制限し、支持部に機械的強度を越える応力が発生することを防止した。よって、前記ストッパを設けることで、支持部が破壊することなく荷重を計測できる小型なフォースセンサを提供する。 (もっと読む)


【課題】反射面の傾き変位を精度よく検出できる光走査装置を提供すること。
【解決手段】反射面30aを備えた可動板30と、一対のトーション梁31,32と、2組の一対のカンチレバー21,22、23,24と、支持枠10と、可動板30の変位に応じて生じる機械的変位を電気信号に変換するセンサ部41d,42d,43d,44dと、を備えた光走査装置であって、トーション梁31,32と可動板30とを連結する連結部41a,42a,43a,44aが、可動板30の往復傾動時にトーション梁31,32と可動板30との相対変位に応じて変位可能なように、その中間部がトーション梁31および可動板30に対しスリット41c,42c,43c,44cを介在させた離間状態で設けられ、連結部41a,42a,43a,44aにセンサ部41d,42d,43d,44dが設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


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