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Fターム[3C081AA01]の内容

マイクロマシン (28,028) | 目的、効果 (2,695) | 精度、信頼性向上 (757)

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【課題】可動板を互いに直交する2つの軸のそれぞれの軸まわりに安定して回動させることのできる光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】貫通孔411に挿通された永久磁石811が、アライメント面41X,41Yに固定されることにより、永久磁石811を変位部41の所望の位置に位置決めして固定することができる。詳しくは、永久磁石811のX軸方向寸法の中心およびY軸方向寸法の中心が、回動中心軸X1,Y2の交点と一致させることができる。これにより、電源813,833からコイル812,832に交番電圧を印加することにより、永久磁石811が傾斜し、回動中心軸Y2からずれることなく、駆動梁43を捩じり変形させつつ、変位部41が回動中心軸Y2まわりに安定して傾斜する。これにより、可動梁42は、回動中心軸X1からずれて傾いた屈曲をすることなく、可動部2を安定して回動させることができる。 (もっと読む)


【課題】製造誤差などが生じた場合であっても、共振周波数ばらつきを抑制することが可能な光スキャナと、この光スキャナを備えた画像投影装置とを提供すること。
【解決手段】揺動軸線を中心として所定の共振周波数で揺動するミラー部と、ミラー部を両持支持する梁部と、梁部の端部が連結される外縁部と、ミラー部を揺動する駆動源と、ミラー部と外縁部との間で梁部ミラー部及び外縁部から離間する質量体と、質量体と梁部とを連結する連結部と、を有する光スキャナである。質量体は、梁部において、揺動軸線に直交する方向の幅が所定幅変化した場合に生じる梁部の剛性変化に起因する共振周波数の変動を、質量体が所定幅変化することで生じる慣性モーメント変化によって抑制する。 (もっと読む)


【課題】表面側保護基板を通してデバイス本体のパッドと実装基板の導体パターンとを電気的に接続でき、且つ、デバイス本体に不要な応力がかかるのを抑制しつつ電気的な接続信頼性を高めることが可能なMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】SOI基板(半導体基板)100を用いて形成され複数のパッド13を一表面側に備えたミラー形成基板(デバイス本体)1、ミラー形成基板1の一表面側に接合された第1のカバー基板(表面側保護基板)2を有するMEMSチップ4と、MEMSチップ4が実装された実装基板5とを備える。第1のカバー基板2は、ミラー形成基板1の各パッド13それぞれと接合されて電気的に接続されたシリコンからなる複数の導電部202が、第1のカバー基板2の厚み寸法内で設けられている。各導電部202と実装基板5の各導体パターン502とが、両者に跨って形成された半田部6を介して電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】組立体の機械的脆弱性を防止しながらも、金属間化合物によってもたらされる長所、すなわち両対象の間の連結素子の融点が向上するという長所を有する2つの対象の新しいタイプの組立体を提供すること。
【解決手段】両対象の間に設けられた少なくとも1つの連結素子(108)を介して互いに一体となる2つの対象(102、106)の組立体であって、前記連結素子は少なくとも第1の材料部分(116)を含み、この材料部分は第1のろう付け用金属、および第1のろう付け用金属の融点より高い融点の第2の金属で形成される相の金属間化合物を備えており、前記連結素子は少なくとも第3の金属から構成される少なくとも第2の材料部分(118)をさらに含み、前記第2の材料部分は両対象に接触している組立体。 (もっと読む)


【課題】デバイス構造が形成された基板と、これを封止する基板を陽極接合する際に電気的な接続を確実に行うことができる配線接続方法を提供する。
【解決手段】第1の基板40と第2の基板45とが陽極接合され、かつ前記第1の基板と前記第2の基板とが、純度99.9質量%以上で、平均粒径0.005μm〜1.0μmの金、銀、白金及びパラジウムから選択される1種以上の金属からなる多孔質金属51,52を介して電気的に接続されたデバイス4、及び第1の基板の接続電極部及び第2の基板の接続電極部の少なくとも一方に多孔質金属(バンプ)を形成し、前記第1及び第2基板の接続電極部同士がバンプを挟んで対向するように前記第1及び第2基板を重ね合わせた後、両基板を陽極接合すると同時に多孔質金属を介して前記第1及び第2基板の接続電極部間を電気的に接続する配線接続方法。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い電気部品を提供する。
【解決手段】電気部品は、基板100と、前記基板上に形成された機能素子120と、前記基板上において前記機能素子を収納するキャビティ130を形成し、複数の貫通孔109cを有する第1層109と、前記第1層上に形成され、複数の前記貫通孔を塞ぐ第2層110と、を具備し、前記第1層は、下部側に形成された第1膜109aと、前記第1膜上に形成され、前記第1膜より熱膨張係数が小さい第2膜109bと、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、する封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の封止型デバイスは、固定部と前記固定部の内側に位置する可動部を有する第1基板と、前記第1基板の前記固定部及び前記可動部の上方を覆う第2基板と、前記第1基板の前記固定部と前記第2基板との間に配置され、前記第1基板と前記第2基板との間を封止する第1封止部材と、前記第1基板の前記固定部と前記第2基板との間に配置され、前記第1封止部材の外周部において前記第1基板と前記第2基板との間を封止する第2封止部材と、を備える。 (もっと読む)


【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板2と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部25と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部13とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部25および半導体基板側金属接触部13の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル14で被覆するようにした。 (もっと読む)


【課題】静電アクチュエータの信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置10は、下部電極43,44と、下部電極43,44の上方にアンカーによって支持されかつ下に駆動する上部電極45と、下部電極43,44と上部電極45との間に設けられた絶縁膜46とを有し、下部電極43及び上部電極45から構成される第1の可変容量素子と、下部電極44及び上部電極45から構成される第2の可変容量素子とを有する静電アクチュエータ11と、下部電極43に接続された第1の固定容量素子と、下部電極44に接続された第2の固定容量素子と、上部電極45に接続され、絶縁膜46に蓄積された電荷量を検知する検知回路15とを含む。 (もっと読む)


【課題】光走査装置の走査性能を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】プレート部20が、本体部23と、本体部23とミラー部21を連結するヒンジ部と、本体部23および前記ヒンジ部を囲む枠部22とを有している。本体部23は、枠部22の片持部により片持ちされている。プレート部20が、枠部22で支持されて下ケース部40に設けられており、上ケース部50が、枠部22を押さえて下ケース部40と組み付けられている。そして、枠部22と上ケース部50との間で挟まれる弾性を有するスペーサ60を備えている。 (もっと読む)


【課題】固定個所の変形などの影響を支持部は受けない構成とでき、デバイス部をホルダ部に固定する位置精度を向上させつつ固定強度を良好にすることができる構造体及びその固定方法を提供する。
【解決手段】構造体はホルダ部1とデバイス部2と、を有する。デバイス部2は、一体的に形成された接着部3と弾性部4と支持部5とを備え、支持部5は弾性部4で接着部3に対して弾性支持される。ホルダ部1は、周辺部より高い段差部6を有する。接着部3は、ホルダ部1の周辺部に固定され、支持部5は、弾性変形した弾性部4の復元力により段差部6に当接させられている。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハ面内における金属配線の抵抗分布のばらつきを抑え、得られるデバイスの特性や精度を面内で均一化させることが可能なマスクを提供する。
【解決手段】本発明のマスクは、金属配線を有するデバイス10を基板2の一面上に多数形成する際に、該基板の一面に対向配置されて用いられるマスクであって、個々の前記デバイスが配される前記基板上の位置に応じて、それぞれのデバイスが有する前記金属配線に対応する部位の形状を変えたこと、を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】使用する部材を最小限に抑え、高い信頼性を維持しつつ、チップのパッドとパッケージのパッドの結線組み合わせを自由に変更する。
【解決手段】パッケージは、通常パッドK01〜K48と、予備パッドK05”〜K10”,K15”〜K20”,K29”〜K34”,K39”〜K44”を有する。チップ1上に配置されたMEMSミラー素子M01〜M12の数をN、使用する素子の数をn、1個の素子あたりの電極数をNe、パッケージの1つの短辺の半分あたりの通常パッドに接続されると想定される素子の最大個数をhとしたとき、予備パッドを、パッケージの2つの短辺の両端にそれぞれNe/2×(N−n)/2個ずつ配置すると共に、(N−n)/2個とh−(N−n)/2個のうち小さい方の個数にNe/2を掛けた個数の予備パッドを、パッケージの2つの長辺の両端にそれぞれ配置する。 (もっと読む)


【課題】大型化するのを抑制するとともに、駆動部が未駆動の状態において、ミラー部が固定端に対して傾斜するのを抑制することが可能な振動ミラー素子を提供する。
【解決手段】この振動ミラー素子100は、軸線400回りに揺動可能なA方向光走査部10と、自由端S1と固定端S2とを含み、変形することによってA方向光走査部10を揺動させるための駆動ユニット40と、A方向光走査部10と駆動ユニット40との間に軸線400に沿って延びるように設けられ、A方向光走査部10を揺動可能に支持する回動軸30とを備え、駆動ユニット40の自由端S1は回動軸30に接続されるとともに、駆動ユニット40の固定端S2は駆動ユニット40のA方向光走査部10側(X2側)で、かつ、回動軸30の近傍で固定されている。 (もっと読む)


【課題】基板とMEMS素子との間の寄生容量、および基板の反りを抑えたMEMS装置を提供する。
【解決手段】
実施の形態のMEMS装置は、表面に開口する凹部と凹部内に、絶縁物、エアギャップ、または絶縁物およびエアギャップが形成された基板と、基板上の絶縁層と、絶縁層上に形成された信号線を有するMEMS素子とを有し、上記基板の表面に平行な方向の信号線の位置と上記平行な方向の凹部の位置に重なりがある。 (もっと読む)


【課題】パッドから取り出す電気信号のS/N比を向上させることが可能なMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】SOI基板100を用いて形成されたミラー形成基板(デバイス本体)1を備える。ミラー形成基板1は、第1のシリコン層100aに形成され電気信号を生成する可動電極(機能部)22と、第1のシリコン層100a上に形成され電気信号を取り出すためのパッド13aと、第1のシリコン層100aにおいてパッド13aが形成された島状の導電部11acとを有する。導電部11acと第1のシリコン層100aにおける導電部11acの周辺部位とを絶縁分離するように第1のシリコン層100aに第1の分離部10aaが形成され、第2のシリコン層100bのうち導電部11acおよび絶縁層100cとともに寄生コンデンサを構成する部分の面積を低減するように第2のシリコン層100bに第2の分離部10bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】簡便な構成でかつ精度の高いサイズ分級が可能な物質分級装置及び物質分級方法を提供する。
【解決手段】ガラス板(流路基板)1に、底面が傾斜して下流側に向かって徐々に浅くなる流路2を形成する。この流路2の流路方向の一部を覆うようにして、カバーガラス(板)3を被せる。ガラス板1及びカバーガラス3のうち少なくともカバーガラス3が透明部材であるとともに、流路2が下流側へ向かって連続的に傾斜している。カバーガラス3には流路方向に沿って所定間隔で目盛線m〜mが付されている。 (もっと読む)


【課題】2方向の加速度を精度よく感知することができ、小型化及び製造コストの低減化を可能とする2軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、平板状の錘部、この錘部の側面を囲う枠部、上記錘部の側面と枠部の内面とを連結する1又は複数の梁部、及び上記梁部に付設される歪み感知手段を備える平板状の2軸加速度センサであって、上記梁部の厚さが幅より大きく、上記1又は複数の梁部が、厚さ方向と垂直な直交2方向の正負それぞれの加速度に対する撓みパターンの組合せが異なる少なくとも2つの変形領域を有し、上記歪み感知手段として、上記各変形領域の両端側かつその幅方向両側近傍に二対のピエゾ抵抗素子が配設されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】MEMS素子が実装基板から応力を受け、その結果、MEMSデバイスの感度低下又は感度バラツキを引き起こす。
【解決手段】MEMSデバイスでは、MEMS素子100が実装基板201に実装されている。MEMS素子100では、シリコン基板101の下面101Bには突起物106が形成されている。突起物106と実装基板201とは接着剤202を介して接続されている。 (もっと読む)


【課題】より検出精度の向上を図ることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ1は、絶縁基板2、3と、この絶縁基板2,3に接合されたシリコン基板4と、を備えている。このシリコン基板4には、絶縁基板2,3に接合されるフレーム部40と、一面に開口する凹部53,63と凹部53,63を除く充実部51,61が一体に形成された錘部5,6と、当該錘部5,6を回動自在に支持する1対のビーム部9,10、11,12と、フレーム部40から離間配置されるアンカー部7,8と、が形成されている。そして、1対のビーム部9,10、11,12のうち少なくともいずれか一方のビーム部9,11がアンカー部7,8に連結されている。 (もっと読む)


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