【課題】 帯電による特性悪化を抑制し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 シリコン活性層、埋め込み絶縁層、支持基板からなるＳＯＩ基板から形成され、ＳＯＩ基板の上面から下面へ貫通する窓部１０を有するフレーム部１１と、ＳＯＩ基板から形成され、窓部１０の内部に配置される可動電極４と、フレーム部１１のシリコン活性層と可動電極４のシリコン活性層とを連結し、フレーム部１１に対して可動電極を揺動可能に支持するビーム部４１，４２と、可動電極４と対向する面に可動電極４と離間して配置される固定電極２１，２２とを備え、可動電極４及びフレーム部１１が、それぞれシリコン活性層と支持基板とを電気的に接続するコンタクト部６１〜６３を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子が実装基板から応力を受け、その結果、ＭＥＭＳデバイスの感度低下又は感度バラツキを引き起こす。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスでは、ＭＥＭＳ素子１００が実装基板２０１に実装されている。ＭＥＭＳ素子１００では、シリコン基板１０１の下面１０１Ｂには突起物１０６が形成されている。突起物１０６と実装基板２０１とは接着剤２０２を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】より検出精度の向上を図ることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、絶縁基板２、３と、この絶縁基板２，３に接合されたシリコン基板４と、を備えている。このシリコン基板４には、絶縁基板２，３に接合されるフレーム部４０と、一面に開口する凹部５３，６３と凹部５３，６３を除く充実部５１，６１が一体に形成された錘部５，６と、当該錘部５，６を回動自在に支持する１対のビーム部９，１０、１１，１２と、フレーム部４０から離間配置されるアンカー部７，８と、が形成されている。そして、１対のビーム部９，１０、１１，１２のうち少なくともいずれか一方のビーム部９，１１がアンカー部７，８に連結されている。 （もっと読む）

【課題】表面保護膜として窒化膜を形成しつつ、モールド樹脂の剥離を抑制できる。半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１８と、該基板１８上に形成された素子と、該基板１８上に形成された窒化膜２０と、該窒化膜２０上に形成された剥離防止膜２２と、該剥離防止膜２２と該素子を覆うように形成されたモールド樹脂３６と、を備える。そして、該剥離防止膜２２は圧縮応力が残留した膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外形寸法が極めて小さく、生産性が良く、流量制御精度が高く、動作が円滑であり、吸引力と吐出力が大きく、信頼性が高いマイクロダイヤフラムポンプを提供する。
【解決手段】吸入弁２６および吐出弁２８の一方の弁板１４と他方の弁の流路となる流路開口１６とが形成され、互いに逆向きに積層された二枚の弁板シート１２と、この積層体に積層され弁座２０および弁ストッパ２２とが形成された二枚の弁座シート１８と、ベース板３２と、枠体３４と、ダイヤフラム３６と、駆動素子４２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、他軸感度を発生せず、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなる３軸方向の加速度を正確に検出できる３軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の３軸加速度センサは、基板２１の略中央部に設けられた錘部２３と、梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と、歪抵抗素子Ｒx21，Ｒx22等とを備え、前記歪抵抗素子Ｒx21，Ｒx22等を形成した梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と錘部２３との連結端部の幅寸法よりも幅寸法の小さいくびれ部２７，２７′，２８，２８′を前記梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′内に設けたものである。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板上に配置され、可動部を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子の可動部の周辺に非連続に配置された第１支持部と、第１支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第２基板と、第１支持部よりも外側に配置された第１端子と、第１端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第１配線と、を具備し、第１配線は、第１支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 （もっと読む）

【課題】微細構造からなる流路を有する合成樹脂製のマイクロ部品であって、微細構造からなる流路の断面精度及び当該流路の長手方向に対して平面均一度に優れたマイクロ部品の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係るマイクロ部品は、合成樹脂製で、溝幅：０．３μｍ〜２，０００μｍ、溝深さ０．３μｍ〜２００μｍの微細構造からなる流路を有し、流路の長手方向に対して均一の溝深さをねらいとした流路長さが５ｍｍ以上あり、当該５ｍｍ以上の流路長さの部分において、溝深さのバラツキが±２％以内であることを特徴とする。
ここで、溝深さが１００μｍ以上の場合には、溝深さのバラツキを±２μｍ以内に抑えるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つのばねが、機械的な荷重に頻繁にさらされる場合でも、その機能を確実に満たすことが保証されているようにする。
【解決手段】マイクロマシニング型の構成部材であって、保持部材が設けられており、該保持部材に対して少なくとも第１の位置から第２の位置に調節可能な構成要素が設けられており、該構成要素が、保持部材に少なくとも１つのばね２０を介して結合されている。少なくとも１つのばね２０に配置されたシリサイド含有の少なくとも１つの線路区分３０，３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極の間隙部が形成される部位の加工精度を高めることのできるＭＥＭＳ構造体を得る。
【解決手段】半導体基板３の一方の面を少なくとも一部が当接しない状態で支持基板３に接合するとともに、当該半導体基板３の支持基板２と当接しない部位にエッチングにより複数の異なる幅の間隙部δ１〜δ５を形成することで、物理量の入力により相対変位する可動部５と固定部６とを形成する。前記可動部５および固定部６は、第１の間隙部δ１、δ２をもって対向配置される可動電極（櫛歯状可動電極）５１および固定電極（櫛歯状固定電極）６１を備えており、半導体基板３の一方の面（図２中下面）に、第１の間隙部δ１、δ２が形成される通常面３０よりも支持基板２側に突出する段差面１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い封止構造で密閉空隙を封止して信頼性を向上させた電気機械変換装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、犠牲層を除去後に封止を行って形成された密閉空隙１３を挟んで対向して設けられた電極などの第１の電磁要素１２と第２の電磁要素１５を有する。封止部は、常温で流動性を持たない第１の封止材１６の上に、硬化された常温で流動性を持つ第２の封止材１７を重ねることで形成される。 （もっと読む）

【課題】熱応力や外部応力によって、力学量の検出精度が低下することが抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプを介して、センサチップと基体とが接続された半導体装置であって、センサチップは、基板と、絶縁層と、半導体層と、が順次積層されて成る半導体基板を有し、半導体基板に形成されたセンシング部は、絶縁層と半導体層から成る、基板に固定されたアンカ部と、絶縁層が除去されて、半導体層から成る、基板に対して浮いた遊動部と、を有し、アンカ部は、固定アンカ部と、可動アンカ部と、を有し、遊動部は、固定アンカ部に支持された固定電極と、可動アンカ部に支持された可動部と、該可動部に設けられた可動電極と、バンプが接続される接続部と、を有し、接続部は、固定アンカ部を介して、固定電極と接続された固定接続部と、可動アンカ部を介して、可動部と接続された可動接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ギャップが形成される空間の内圧の上昇を抑制し、ギャップの精度を向上させることができる波長可変干渉フィルターの製造方法を提供すること。
【解決手段】波長可変干渉フィルターの製造方法は、第一基板１００のチップ領域１０１に、静電ギャップ形成溝１１１と、静電ギャップ形成溝１１１からチップ領域１０１の外周縁に延びる配線形成溝１１３、１１４と、これらの配線用形成溝と第一基板１００の外部とを連通する空気連通溝１２０、１３０と、を形成する第一基板溝形成工程と、前述の各種溝に固定ミラー１６、第一電極１４１、および第一配線部１４１Ａを形成する第一基板配線形成工程と、可動ミラー、第二電極、および第二配線部と、を備えた第二基板を形成する第二基板形成工程と、第一基板１００および第二基板を貼り合わせる貼合工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有するＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２に収容され、機能素子２０と電気的に接続されたヒューズ素子４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】センサを密封する、MEMSセンサ・パッケージを提供する。
【解決手段】MEMSセンサ・パッケージは、MEMSセンサと、第1のリーク・レートでガスリークに浸透するセンサボディと、埋め戻し圧力までセンサボディに加圧する埋め戻しガスと、を有し、埋め戻し圧力は、MEMSセンサの減衰を提供し、埋め戻し圧力は、ガスリークのためのセンサボディ内の圧力の増加が、MEMSセンサ・パッケージに関する少なくとも特定の設計サービス寿命に関する所定の範囲を越えて、MEMSセンサのQ値の偏差に生じさせないようにセットされる。 （もっと読む）

【課題】光検出素子のミラー部の角度を検出する検出部の特性変化があった場合でも、光検出素子のミラー部の角度を精度よく検出することができる光走査装置及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】ミラー部１０を両側から支持する一対の梁部の捻れ変位によりミラー部１０が揺動軸Ｌｙ回りに揺動してミラー部１０により光束を走査する光走査素子と、光走査素子へ駆動信号を出力してミラー部１０を揺動軸回りに揺動させる制御部と、ミラー部１０の揺動軸Ｌｙ回りの角度を検出する検出部と、ミラー部１０の揺動軸Ｌｙ回りの角度が、光束を走査する角度範囲外の所定角度以上となることを規制する規制部材１７ａ，１７ｂとを備え、制御部は、規制部材１７ａ，１７ｂに到達するようにミラー部１０を揺動軸Ｌｙ回りに回動させ、検出部により規制部材１７ａ，１７ｂにミラー部が到達したと判定したときの検出部による検出結果に基づき、駆動信号の波形を調整する。 （もっと読む）

【課題】周囲温度変化や経時変化によりピエゾ抵抗素子の抵抗値に変動が生じた場合であっても、ミラー部の揺動を停止することなく、ピエゾ抵抗素子による検出結果の校正を行うことができる光走査装置及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】所定電位間に直列接続された一対のピエゾ抵抗素子Ｒ１，Ｒ３（Ｒ２，Ｒ４）を有する検出部を有し、光走査素子４のミラー部１０の揺動軸Ｌｙ回りの揺動を開始した後、一対のピエゾ抵抗素子Ｒ１，Ｒ３（Ｒ２，Ｒ４）間の接続点Ｎ１（Ｎ２）の電圧変動率に基づき、光走査素子４が共振により反射面１０ａと直交する方向への揺動が加わっている状態であると判定すると、当該状態において接続点Ｎ１（Ｎ２）の電圧変動率が所定範囲内になったときの接続点の電圧に基づき、接続点Ｎ１（Ｎ２）の電圧のオフセット値を判定する。 （もっと読む）

【課題】電気特性および信頼性に優れたＭＥＭＳキャパシタを有するＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係るＭＥＭＳ素子１００は、半導体基板１と、面内方向に配置された複数のエアギャップ２１ａ（２１ｂ、２１ｃ）からなるエアギャップ群２０ａ（２０ｂ、２０ｃ）を含むエアギャップ層２ａ（２ｂ、２ｃ）を有する、半導体基板１上の島状の絶縁層２と、絶縁層２上のエアギャップ群２０ａ（２０ｂ、２０ｃ）の上方に形成されたＭＥＭＳキャパシタ４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光束を走査する期間において、駆動信号波形の直線性を向上させつつも、駆動信号波形生成のための演算負荷を小さくする。
【解決手段】両側から梁部で支持されたミラー部を有し、梁部の捻れ変位によりミラー部を揺動可能とした非共振型の光走査素子と、駆動信号によりミラー部を揺動させる制御部と、を備え、制御部は、駆動信号の波形を鋸波状波形Ｄとし、当該鋸波状波形Ｄのうち、光束を走査する期間の波形を直線波形Ｄａとする一方、光束を走査しない期間の波形Ｄｂの微分波形が、一つの周波数の１周期の波形、又は、２つの周波数の半周期の波形を互いに結合した波形、となり、かつ、当該光束を走査しない期間の波形の両端部のそれぞれが、光束を走査する期間の波形の傾きと同じ傾きとなるように光束を走査しない期間の波形を形成し、光束を走査しない期間の波形の両端部のそれぞれを光束を走査する期間の波形の両端部のそれぞれに連続させた。 （もっと読む）

【課題】圧電素子に確実にワイヤーボンディングを行うことが可能な光走査装置を提供する。
【解決手段】光走査装置１の固定台座３０に、走査ユニット２０の圧電素子２２が設けられる領域に対応して、前記圧電素子２２の下方を支持する支持部材４０を挿入可能な固定孔３７を設けた。 （もっと読む）