【課題】品質を低下させることなくマイクロマシンデバイスを製造することができるマイクロマシンデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロマシンデバイスの製造方法であって、複数のマイクロマシンデバイスが形成される前の基板に対して格子状に設定されたストリートに対応する領域に基板の破断起点となる加工を施す破断起点形成工程と、破断起点形成工程が実施された基板の表面における該ストリートに対応する領域によって区画された複数の領域にマイクロマシンデバイスを形成するデバイス形成工程と、デバイス形成工程が実施された基板に外力を付与して基板を破断起点が形成されたストリートに対応する領域に沿って破断し、個々のマイクロマシンデバイスに分割する基板破断工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】回路構成の設計自由度の高いＭＥＭＳ及びＭＥＭＳの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の一方の面側に設けられる第１半導体部２１と、基板１０の一方の面側に設けられる振動子３１と、を備えるＭＥＭＳにおいて、第１半導体部２１の側面側に設けられ、かつ基板表面に対して略垂直な第１面２１ａと、振動子３１の側面側に設けられ、かつ基板表面に平行な方向において第１面２１ａと対向する第２面３１ａが設けられると共に、第２面３１ａ側の表層部分は第１面２１ａ側をゲート電極として電圧が印加された際にチャネルとなることで、第１半導体部２１における第１面２１ａを含む部分と振動子３１における第２面３１ａを含む部分とで電界効果トランジスタが構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゾルゲル法により硬化性物質を硬化して得られる、表面に微細構造が寸法精度よく形成された硬化物質を含む微細構造体を、生産性よく、大面積で製造する方法の提供。
【解決手段】ゾルゲル法により硬化性物質を硬化して得られる、表面に微細構造が形成された硬化物質を含む微細構造体の製造方法において、前記硬化性物質を含む溶液が、式Ｓｉ（Ｘ^１）_４で表される４官能シラン、式ＲＳｉ（Ｘ^２）_３で表される３官能シラン、含フッ素界面活性剤、有機溶剤、および水を含み、かつ、前記４官能シランに対する前記３官能シランのモル比が、０．０３〜１である。Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立に、炭素数１〜６のアルコキシ基、Ｒは炭素数が１〜１０の置換または非置換の１価有機基（ただし、ケイ素原子と結合する原子は炭素原子である）。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法によれば、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを形成する工程と、機能素子２０の上方であって、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に第１被覆層４０を形成する工程と、第１被覆層４０に貫通孔４２を形成する工程と、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方および第１被覆層４０の上方に樹脂層５０を形成する工程と、貫通孔４２の上方の樹脂層５０に、貫通孔４２と連通する開口部５２を形成する工程と、貫通孔４２を通して機能素子２０の上方の層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを除去し、空洞部３２を形成する工程と、貫通孔４２の上方に第２被覆層６０を形成して、貫通孔４２を塞ぐ工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】感度及び造形精度が高い感光性樹脂組成物及び該組成物を用いた微細構造体の製造方法を提供する。また、高精細な形状の吐出口が設けられた液体吐出装置を提供する。
【解決手段】（ａ）酸により重合可能な化合物と（ｂ）下記（ｂ１）で表されるカチオン部構造及び下記（ｂ２）で表されるアニオン部構造を含有するオニウム塩からなる光酸発生剤とを含有する感光性樹脂組成物であって（ｂ）成分が感光性樹脂組成物が吸収する波長３６５ｎｍの光のうち５０％以上を吸収する感光性樹脂組成物である。この感光性樹脂組成物を使用することで微細構造体や高精細な形状の吐出口が設けられた液体吐出装置が得られる。
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【課題】短時間で製造することができ、十分な気密性を有するとともに、基板の反りを低減させることができる貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域を貫通トレンチ２１で囲み、貫通トレンチ２１内に絶縁膜５０を形成して周囲から絶縁分離した貫通電極６０において、絶縁膜５０は、貫通トレンチ２１の側面から化学気相成長させたシリコン膜４０を熱酸化したシリコン熱酸化膜５０である。 （もっと読む）

【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って圧電特性の低下を抑制することができる圧電素子の製造方法、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。
【解決手段】第１電極６０と、圧電体層７０と、第２電極８０と、を具備する圧電素子３００の製造方法であって、第１電極６０上に圧電体層７０となる圧電体前駆体膜を形成する工程と、圧電体前駆体膜を加熱処理して結晶化させて圧電体膜からなる圧電体層７０を形成する工程と、圧電体層７０上にランタンニッケル酸化物を主成分とする金属酸化膜２００を形成する工程と、金属酸化膜２００が設けられた圧電体層７０を加熱処理するポストアニール工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】駆動電子素子作製プロセスや使用される基板の型に依存しないマイクロマシンデバイスを低いプロセス温度で製造する方法を提供する。
【解決手段】マイクロマシンデバイスの製造方法が開示され、この方法はアモルファス半導体材料の構造層１０１を形成する工程と、構造層１０１中に、第１領域１１１と第２領域１１２を規定する工程と、第１領域１１１の上に、第２領域１１２が露出された状態になるようシールド層を形成する工程と、構造層１０１の第２領域１１２を、第１フルーエンスのパルスレーザーを用いてアニールする工程と、その後に、シールド層を除去する工程と、構造層１０１の第１領域１１１および第２領域１１２を、第１フルーエンスより実質的に小さい第２フルーエンスを用いてアニールする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】IIB技術で片持ち梁を曲げ加工するに際し、必要なイオン照射量を低減し、かつ、必要な照射イオンのエネルギに大きなマージンを与える。
【解決手段】薄膜部材30にあって支持層20により一部の面積領域は支持されているが、当該支持層20により支持されていない部分に、支持層20から離れ、浮いた状態で先端自由端41に向かうように形成された所定平面形状の片持ち梁40があり、この片持ち梁40を曲げ加工するに際し、少なくとも片持ち梁40の部分は二層以上の複数の薄膜層31，32が厚味方向に上下に積層された積層構造とし、かつ、上下に隣接する薄膜層31，32同士の材質は互いに異ならせる。 （もっと読む）

【課題】 所望の振動特性を確保しつつ小型化や省電力化等を有効に図ることができる振動素子、光走査装置及び映像投影装置並びに画像形成装置を提供する。
【解決手段】 光学ミラー部３２２が設けられる振動部（梁部３１）と、この振動部を振動させる駆動部（磁界印加手段７０等）とを備え、振動部が加工硬化及び時効硬化処理を施すことで形成されており、振動のし易さを示すＱ値が１０００以上の振動素子とすることにより、所望の振動特性を確保しつつ小型化や省電力化を有効に図ることができる振動素子３０を実現し、また、振動素子３０と共に駆動に関わる部品を縮小して、アクチュエータ装置１や、光走査装置や映像投影装置等の性能向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 所望の振動特性を確保しつつ設計の自由度を格段に向上することができる振動素子及び光走査装置並びに映像投影装置を提供する。
【解決手段】 光学ミラー部３２２が設けられる振動部（梁部３１）と、この振動部を振動させる駆動部（磁界印加手段７０等）とを備え、加工硬化及び時効硬化処理が施されて形成されると共に歪み振幅が３×１０^−３より大きい振動部とし、所望の振動特性を確保しつつ設計の自由度を格段に向上することができる振動素子３０を実現し、また、振動素子３０と共に駆動に関わる部品を縮小して、アクチュエータ装置１や、光走査装置や映像投影装置等の性能向上を図ることができる。 （もっと読む）

本発明は、無機エレクトレットベースの電気機械デバイスおよびその作成方法に関する。前記デバイスは、少なくとも1つのエレクトレット層2Eを含む誘電性積層、および誘電性積層の2つの反対面18、22上の2つの電極16、20を含む。エレクトレットは、無機エレクトレットであり、また、電気機械結合を形成する恒久的な電荷を含む。エレクトレット層の厚さは、数ナノメートルから数十マイクロメートルまで選択することができるが、略1μm未満または略1μmに等しいことが好ましい。本デバイスは、特に遠隔通信の分野に使用される。
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【課題】ＭＥＭＳ、ＮＥＭＳなどの半導体素子を封入する方法、および空隙を形成する方法、および関連した素子を提供する。
【解決手段】半導体素子を製造する方法は、非平坦な立体形状を有し、実質的な地形変動を含む主面を備えた基板を用意することと、上面および下面を有する第１キャップ層を主面の上に形成することとを含む。第１キャップ層の形成の際、第１キャップ層に局所欠陥が導入され、局所欠陥は、実質的な地形変動に対応した場所に位置決めされており、局所欠陥は、所定の流体が通過できるのに適している。 （もっと読む）

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）（１０）を形成する方法は、キャップ基板（５２）を提供するステップと、支持基板（１２）を提供するステップと、支持基板上に導電材料（２２）を堆積させるステップと、導電材料のパターニングを行ってギャップ停止部（４０，４４）と接点とを形成するステップとを含む。ギャップ停止部は、開口（３６，３８）によって接点から分離され、接点上で且つ開口中の結合材料（５８）を形成する。ギャップ停止部と接点とは、結合材料を形成するステップによって、結合材料が開口から外側に延びてキャップ基板が支持基板に取り付けられるのを防止する。さらに、その構造が記述される。
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【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、Ｓｉ基板の開口部のダイヤフラム側壁すべてをその基板面に対して垂直な面とすることにある。
【解決手段】半導体圧力センサは、単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板を裏面側からエッチングすることによって形成されたダイヤフラム及び４面のダイヤフラム側壁と、前記単結晶シリコン基板の表面側に形成されたリード導体及び歪ゲージ抵抗からなるブリッジ回路と、を備え、前記ダイヤフラムは、面方位が（１１０）面であり、かつ、平面形状が平行四辺形であり、前記ダイヤフラム側壁は、４面とも面方位が（１１１）面であり、かつ、２面ずつ互いに平行に向かい合っており、圧力印加に伴う前記ダイヤフラムの撓み量に応じて前記ブリッジ回路の出力値が変動することを利用して、前記ダイヤフラムに印加される被検出対象の圧力を検出する。 （もっと読む）

【課題】堅牢性および信頼性を向上させた回転軸を形成する可動部品を備えるマイクロシステムまたはナノシステム用電気機械部品の製造方法を提供する。
【解決手段】バーを有する少なくとも１つの固定部と、前記バーの少なくとも一部の周りを回転する少なくとも１つの可動部を備えたマイクロ電気機械システムの製法であって、少なくとも１本のバーとなる少なくとも１つの所定の材料からなる層を支持体上に形成する工程ａ）と、少なくとも１枚の第１グラフェンシートと、該第１グラフェンシートから離間してこれに対して可動とされた少なくとも１枚の第２グラフェンシートとを含む複数枚のグラフェンシートを前記バーの周りに形成する工程ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロニードルシートは、母材に凹部を形成したスタンパーにニードル原料を注入して作製するが、スタンパーの先端にあたる凹部の尖鋭度を高くするのは、容易でなかった。
【解決手段】シート状の母材と錐状の突起を有する原版を加熱する工程と、前記原版の突起を前記母材に挿入して原版に錐状凹部を形成する工程と、前記原版を前記母材の挿入したまま冷却する工程と、前記原版を前記母材から離型する工程と、前記母材を加熱する工程を有するスタンパーの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】弾性支持部の破断を防止することができる光偏向器の製造方法を提供する。
【解決手段】反射膜１１を有する可動板１０を形成する工程と、可動板１０とは異なる部材で、可動板１０を取り付けるための取付部２１と、取付部２１に取り付けられた可動板１０を所定の軸の周りに回動可能に支持する弾性支持部２２とを有する軸部材２０と、軸部材２０と連結する支持部材３０とを一体で形成する工程と、軸部材２０と支持部材３０に丸め処理を施す工程と、取付部２１に可動板１０を取り付ける工程とを備える。 （もっと読む）