【課題】特定の処理を施した感光性ポリイミド樹脂を用いることによって種々の基板を接合する技術を提供する。
【解決手段】
本発明の１つの微小分析装置の製造方法は、第１基板１２上に感光性ポリイミド前駆体層を形成する工程と、感光性ポリイミド前駆体層のパターンを形成するパターン形成工程と、酸素濃度が５０ｐｐｍ以下の環境下で、そのパターンが形成された感光性ポリイミド前駆体層を２００℃以上３５０℃以下で加熱して感光性ポリイミド樹脂層１７を形成する第１加熱工程の後、第２基板１４と第１基板１２との間に感光性ポリイミド樹脂層１７を挟む工程と、第１基板１２及び第２基板１４を１６．３ＭＰａ以上４９ＭＰａ以下で加圧しながら、第１加熱工程の最高温度と同じ温度、又は第１加熱工程の最高温度との差が３０℃以内の第１加熱工程の最高温度よりも低い温度で加熱する第２加熱工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面に凹部を形成し、高精度で高アスペクト比の微細な凹凸部パターンを容易に形成できる微細加工方法および凹凸部パターンを有するガラス基板を提供する。
【解決手段】表面が平滑なガラス基板表面をパターン状にエッチングして凹凸部パターンを形成するガラス基板の微細加工方法であって、前記ガラス基板表面をエッチングして凹凸部パターンの凹部を所定の深さよりも浅く形成するとともに、前記ガラス基板表面の非エッチング部を凸部となし、次に、前記凸部に表面平滑で平坦な平面状の圧子を密着させ、前記圧子に圧力を印加して前記凸部に圧縮層を形成し、次いで、前記圧子を取り除き、前記圧縮層と前記圧縮層以外の非圧縮層とでエッチング速度が異なる酸性のエッチング液で前記ガラス基板をエッチングし、前記ガラス基板表面に所定の深さの凹部を有する凹凸部パターンを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

この発明は、導波路と、内部にＴＩＲ光を含む導波路の上面に隣接して展開される１つ以上の画素とを含む装置を提供する。各々の画素は、第１の導体を有する変形可能な活性層と、第２の導体を有するドライバ電子機器層とを含む。ドライバ電子機器層は、活性層に対して間隔を空けた配置関係で、導波路の反対側に展開される。画素の静止状態では、活性層は、ＦＴＩＲを介して外部で光を光学的に結合する（すなわち画素のＯＮ状態）ように導波路の上面と接触またはほぼ接触している。画素を作動させるために、電子機器層は、第２の導体に選択的に電位差を印加し、これにより活性層を上面から遠ざけて、導波路外への光の光学的結合（すなわち画素のＯＦＦ状態）を防ぐ。
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【課題】透過光による観察が可能であるとともに、加工不良を抑えることが可能なマイクロチップの製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロチップ１０は、貫通孔用ガラス基材１１と、主ガラス基材１２と、貫通孔用ガラス基材１１および主ガラス基材１２の間に介在され、流路２１を含むシリコン含有基材２０とを含んでいる。このマイクロチップ１０を製造する際、まず主ガラス基材１２およびシリコン含有基材２０を準備し、主ガラス基材１２にシリコン含有基材２０を陽極接合する。次に主ガラス基材１２上のシリコン含有基材２０に対して研磨を行って、シリコン含有基材２０を所定厚に形成し、このシリコン含有基材２０にエッチングにより流路２１を形成する。その後、流路２１が形成されたシリコン含有基材２０に貫通孔用ガラス基材１１を接合する。 （もっと読む）

【課題】反応室の閉塞をより確実に行う。
【解決手段】反応容器は互いに閉塞可能な本体２と蓋体３とを有する。本体２に反応試薬を設置する凹部形状のウェル６を形成する。所定間隔で各３個並べたウェル６の両側に導入口７と空気口８を形成し、外部に連通させる。導入口７から各ウェル６に連通する流路９を形成して空気口８に接続させる。導入口７から導入する反応試液を流路９を通して各ウェル６に供給する。蓋体３にもウェル６に対向する位置に凹部形状のウェル６′を形成する。本体２と蓋体３の間に弾性シート１１を介在させる。弾性シート１１はウェル６に対応する位置に孔部１２を形成する。反応容器を加重部材の台と押さえ部材とで挟持させ、加圧状態で固定部材によって固定する。反応容器の弾性シート１１は弾性変形して流路９を封止して各ウェル６、６′を独立して液密に封止させる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な低コストの方法で、抵抗値を充分に低くでき、貫通穴に充填される金属の熱応力による基板などの破壊が発生しない貫通電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の基板に形成された貫通穴の一端を塞ぐように第２の基板が接合され、前記貫通穴に金属層を設けることにより貫通電極が形成される半導体装置において、前記貫通電極は、前記貫通穴の底面および内壁の表面に形成される第１の金属層と、この第１の金属層の上面に前記貫通穴を充填するように形成される第１の金属層よりも融点の低い第２の金属層、で構成されたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】ウェハレベルで集積回路基板及びマイクロマシン、さらにはカバーとなるＬＴＣＣ基板等を集積化することができるようにした、機能デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】機能デバイス１０は、集積回路が配設されている集積回路基板１１と、集積回路基板を覆うカバー基板１３と、集積回路基板１１とカバー基板１３とを封止する周状の封止部１４と、集積回路基板１１とカバー基板１３との間に配設され集積回路基板１１とカバー基板１３の何れかに電気的に接続されるマイクロマシン１２と、を備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】ほとんどの機械的な時計用パーツに適用することが可能なマイクロ機械パーツを簡単に高品質に製造することを可能にする方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ａ）マイクロ機械加工可能材料から構成される基板（５３）を用意する（３）ステップと、ｂ）フォトリソグラフィを用いて、前記基板の全体にわたって機械パーツ（５１）を含むパターン（５０）をエッチングする（５）ステップとを含む、機械パーツ（５１）を製造する方法（１）に関する。本発明によれば、さらにこの方法は、ｃ）前記基板の上面および下面がアクセス可能な状態になるように、サポート（５５’）の上に前記エッチングされた基板を載置する（７）ステップと、ｄ）前記パーツの外側面の上に、前記マイクロ機械加工可能材料よりも優れたトライボロジー特性を有するコーティングを堆積する（９、Ｃ’）ステップと、ｅ）基板からパーツをリリースする（１１）ステップとを含む。本発明は、時計製造の分野に関する。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極付ガラス基板を使用して低コストで小型化・薄型化・軽量化を実現しさらに信頼性の高いチップサイズのパッケージングデバイス装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係るイメージセンサ１０は半導体基板１２の第１主面にはＣＣＤ方式あるいはＣＭＯＳ方式の受光部１２ｂが形成され、同一面上に信号引き出しのための配線が設けられる。この半導体基板１２の第一主面の周辺部には外部回路に接続するためのパッドが設けられている。この第一主面を覆うように、貫通電極付ガラス基板１１が配置され、貫通電極１１ｂが前述のパッドに電気的に接続されている。ここで、半導体基板１２と貫通電極付ガラス基板１１の相対する面の周辺部には封止材１４が配置され、半導体基板１２と貫通電極付ガラス基板１１とを機械的に接着すると同時に受光部１２ｂを外部環境から遮断して保護することでパッケージングデバイス装置を形成する。 （もっと読む）

【課題】広いガス吸収面積と低い熱慣性をもたらす、知られているゲッター材料構造を熱的に活性化するために必要な熱活性化出力よりも低い熱活性化出力で済むゲッター材料ベース構造を提供すること。
【解決手段】ゲッター構造（１００）は、基材（１０２）と、少なくとも１つの支持材（１１０、１１２）を使って基材（１０２）に機械的に接続された少なくとも１つのゲッター材料ベース層（１０８）とを備え、基材（１０２）と接触する支持材（１１０、１１２）の表面はゲッター材料層（１０８）の、支持材（１１０、１１２）と接触している第１の面（１０７）の表面よりも小さく、前記第１の面の反対側の、ゲッター材料層（１０８）の第２の面（１０９）は少なくとも部分的に露出されている。 （もっと読む）

【課題】異物の侵入などによって弁体部に開閉不良が生じた場合、確実にこれを検出することが可能なマイクロバルブを提供する。
【解決手段】ダイアフラム１２は、開閉検出手段２６を構成する第１の電極（可動電極）を兼ねている。また、第２の基板２０の溝部２２において、ダイアフラム１２と対面する位置に、開閉検出手段２６を構成する第２の電極（固定電極）２８が形成される。 （もっと読む）

【課題】犠牲層内に任意の幅寸法で機械的補強ピラーを容易に形成することが可能な電気機械構造の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶材料層１’上に形成された犠牲層２を部分的にエッチングすることによって、当該犠牲層２内に、少なくとも１つの前記機械的補強ピラーを画定するウェル領域５_１を形成する工程と、第１の材料からなる第１機能付与層４により少なくとも前記ウェル領域及び周囲の犠牲層の自由表面を覆う工程と、前記ウェル領域を含む第１機能付与層４の上に、前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる充填材層６を形成した後、充填材層６を第１機能付与層４表面に達するまで研磨して前記ウェル領域にのみ充填材層６を残す工程と、前記単結晶材料層１’に形成された開口１０を通して犠牲層２を少なくとも部分的にエッチング除去することによって前記電気機械構造を解放する工程、とからなる電気機械構造の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体機械構造体において、外部から衝撃が加わってもヒンジが破損しないようにし、耐衝撃性を高める。
【解決手段】光走査ミラー１は、ＳＯＩ基板２００からなる半導体部１００と、半導体部１００の上面、下面に接合されたガラス基板を用いてなる上部保護基板１１０及び下部保護基板１２０を有している。半導体部１００において、可動部５０は、第１ヒンジ５により固定フレーム４に揺動可能に軸支されている。上部保護基板１１０の凹部１１２ａには、可動部５０の揺動軸に向け、ストッパ１１５が突設されている。下部保護基板１２０の凹部１２１には、可動部５０の揺動軸に向け、ストッパ１２５が突設されている。ストッパ１１５及びストッパ１２５が設けられていることにより、可動部５０のｚ方向の変位が制限され、外部から衝撃が加わっても第１ヒンジ５の破損が防止される。 （もっと読む）

【課題】 均一なサブミクロンサイズの微粒子結晶を、凝集防止剤を使用しても少しの使用で連続的に生成できる製法と装置を提供する。
【解決手段】 有機化合物の微粒子を製造する方法であって、該有機化合物を溶解した良溶媒溶液６と、それと無限希釈可能な貧溶媒７とをマイクロリアクターにより混合して微粒子１５を連続的に析出させ、前記マイクロリアクター内で、生成した析出微粒子を含む混合液にパルスレーザーを照射１４することにより、有機化合物の結晶を得るものであり、有機化合物は、実質的に水に不溶の薬理活性物質であり、該有機化合物の結晶は、直径10ナノメートルから500ナノメートルであり、前記貧溶媒が、良溶媒と同種であってその水希釈液体であるのがよく、照射するパルスレーザーは波長が赤外領域にあるのがよい。 （もっと読む）

【課題】材料の応力による反りを抑制し、電気特性のばらつきを小さくすることが可能なMEMSスイッチを提供する。
【解決手段】スイッチは、一端又は両端が基板に固定された板状の弾性体と、弾性体の上面に形成される下部電極と、下部電極の上面に形成される圧電体と、圧電体の上面に形成される上部電極とを有する駆動部８ａ，８ｂと、駆動部の一部に形成された接点８ｃと、少なくとも一端が基板に固定され且つ接点上に延伸している信号線３ｂと、駆動部８ａ，８ｂを支持するように基板に接合され且つ絶縁体で構成された係止部９とを有する。駆動部８ａ，８ｂが接点８ｃを介して信号線３ｂと接することができるようになっており、係止部９が信号線３ｂと反対の側から駆動部８ａ，８ｂを支持するようになって。例えば穴、切り欠き部などにおいて、係止部９が駆動部８ａ，８ｂを支持するような構成となれば、材料の応力による反りを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロチップ等の微細加工のコスト削減を進展させることを可能とする。
【解決手段】基材３の表面に微細流路５を加工する微細形状加工方法において、基材３の表面に金属の薄膜７を形成する（ａ）薄膜形成工程と、薄膜７に放電加工により微細形状パターン９を貫通形成する（ｂ）放電加工工程と、薄膜７に微細形状パターン９を備えた基板３をエッチングして薄膜７の微細形状パターン９に対応する微細流路５を基板３の表面に形成する（ｃ）エッチング工程と、エッチング後に金属の薄膜７を除去して表面に微細流路５を有するマイクロチップ１を得る（ｄ）除去工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気機械的スイッチ及びこれの形成方法を提供すること。
【解決手段】メモリ素子は、メモリセル内に具備されるストレージノード、第１、及び第２電極を含む。前記ストレージノードは電荷を保存し、前記第１電極は第２部分と電気的に接続するための第１部分を含む。前記第２電極が活性化された際、前記第１部分は前記ストレージノードと接続するように移動する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロマシンの振動を抑えることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 主面上に信号用配線１５が設けられた基板１１と、前記基板１１の前記主面上に設けられ、前記信号用配線１５を跨ぐ梁部１６を有し、電界の作用により前記梁部が前記信号用配線に接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシン１６と、前記梁部の前記信号線１５と反対側に配置され、前記梁部の前記信号線から離間する変形を規制する規制ブリッジ１８と、前記基板１１の主面上に設けられ、中空部１７を介して前記マイクロマシンを覆う封止体２０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】犠牲層除去の速度を向上し、除去に要する時間の短縮を図ることができるマイクロマシン装置の製造装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する
【解決手段】マイクロマシン装置１の製造装置としての薄膜装置３０は、主面上に、電界の作用により変形する機構を備え該変形に伴って電気特性を変化させるＭＥＭＳ素子１６と、犠牲層１８を介してＭＥＭＳ素子１６を覆うとともに、犠牲層１６に連通する開口形状部２１ａを有する第１封止体２１と、が形成された基板１１を収容するチャンバ３１と、基板１１が配されたチャンバ３１内に、エッチング処理により犠牲層１８を除去するエッチングガス３７ａを導入する導入部３３と、チャンバ３１内の流体を排出する排出部３５と、エッチング処理の間に、チャンバ３１内の流体の量を変動させる調整手段としての絞り部３４３６と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

複合体は、高温においてイオン伝導性である酸化物材料から製造された２つの構成要素（２ａ、２ｂ）を備え、前記構成要素は、それらの構成要素の間に位置する接続領域（６）において、ハンダブリッジ（４）によって、媒体密な方法で互いに接合されている。信頼できる接続を形成するために、ハンダブリッジは、少なくとも６５％のｗスズの重量比率と、最高で３５０℃の融点とを有し、かつ合金成分として少なくとも１種の活性化金属を含有する低融点スズ合金によって形成されることが提案されている。
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