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Fターム[4C071FF23]の内容

O、S系縮合複素環 (26,554) | 第2の複素環 (2,531) | 異種原子として硫黄原子のみ含有する複素環 (335) | 5員環 (257) | 硫黄原子1個の5員環 (228)

Fターム[4C071FF23]に分類される特許

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【課題】半導体性を示し、アニオンでドープされた状態において高い導電性を有し、かつ大気曝露によって導電性が低下することなく大気安定性を有するチエノチオフェン共重合体のモノマー成分となるチエノチオフェン化合物を提供する。
【解決手段】チエノチオフェン化合物は、下記化学式(1)
【化1】


(式中、各Rはそれぞれ同一又は異なり、水素原子、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、及び置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルコキシ基から選ばれる何れかであり、各−O−Rはそれぞれ同一又は異なり、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキルを含有する側鎖基である)で示されるものである。 (もっと読む)


【課題】高い電界効果移動度、良好なフィルム形成特性、および複合システムにおける高性能のための適切な形態を示す半導体組成物を提供する。
【解決手段】ボトムゲート型のボトムコンタクト型TFT10は、ゲート電極18およびゲート誘電体層14と接触した基板16を含む。ゲート電極18は、ここでは基板16の頂上に記載されているが、ゲート電極は基板内のくぼみとして位置することもできる。ゲート誘電体層14は、ゲート電極18とソース電極20、ドレイン電極22、および半導体層12とを分離することが重要である。半導体組成物から形成される半導体層12は、ソース電極20とドレイン電極22との間に延びる。この半導体組成物は、ポリマー結合剤および小分子半導体を含む。半導体層中の小分子半導体は、100ナノメートル未満の結晶サイズを有する。組成物から形成されたデバイスは、高い移動度および優れた安定性を示す。 (もっと読む)


【課題】有機半導体材料として有用な含カルコゲン縮合多環式化合物を温和な条件で製造することを可能にする方法の提供。
【解決手段】下記式(4)


で示される化合物(4)と酸とを反応させて、下記式(5)


で示される含カルコゲン縮合多環式化合物(5)を得る工程を含む、含カルコゲン縮合多環式化合物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 高いキャリア移動度を与えると共に容易に効率よく有機半導体層を製膜することが可能となるドロップキャスト製膜用溶液を提供する。
【解決手段】 純度98%以上を有する下記一般式(1)で示されるジチエノベンゾジチオフェン誘導体0.01〜10重量%及び炭素数7〜13の芳香族系炭化水素99.99〜90重量%からなるドロップキャスト製膜用溶液。
【化1】


(ここで、置換基R及びRは同一又は異なって、炭素数1〜20のアルキル基を示す。) (もっと読む)


【課題】 溶媒への溶解性に優れることから容易に有機半導体材料等への展開が可能となると共に、高キャリア移動度が期待できる新規なジチエノベンゾジチオフェン誘導体及びこれを用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 下記一般式(1)で示されるジチエノベンゾジチオフェン誘導体。
【化1】


(ここで、置換基R及びRは同一又は異なって、n−ヘプチル基、n−オクチル基、炭素数10のアルキル基、炭素数12のアルキル基及び炭素数14のアルキル基からなる群より選択される置換基を示す。) (もっと読む)


【課題】有機半導体材料として好適な新規化合物の提供。
【解決手段】下記式(1)で示される化合物。


[式中、Z〜Zはそれぞれ独立に、硫黄原子又はセレン原子を表す。R〜Rはそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜30のアルキル基、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜30のアルコキシ基、又は特定な置換シリル基を表す。] (もっと読む)


【課題】 高いキャリア移動度を与えると共に容易に効率よく有機半導体層を製膜することが可能となるジチエノベンゾジチオフェン誘導体を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも下記(A)〜(B)工程を経ることを特徴とするジチエノベンゾジチオフェン誘導体の製造方法。
(A)工程;触媒として塩化アルミニウムの存在下、ジチエノベンゾジチオフェンと塩化アシル化合物とのフリーデルクラフツアシル化反応により、ジチエノベンゾジチオフェンのジアシル体を製造する工程。
(B)工程;(A)工程により得られたジチエノベンゾジチオフェンのジアシル体を還元反応に供し、ジチエノベンゾジチオフェン誘導体を製造する工程。 (もっと読む)


【課題】 塗布で高いキャリア移動度を与えると共に容易に効率よく有機半導体層を製膜することが可能となるジチエノベンゾジチオフェン誘導体の原材料であるジチエノベンゾジチオフェンを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも下記(A)〜(B)工程を経ることを特徴とするジチエノベンゾジチオフェンの製造方法。
(A)工程;パラジウム触媒の存在下、3−ハロゲン化チオフェン−2−亜鉛誘導体と1,2,4,5−テトラハロゲン化ベンゼンにより1,4−ジ(3−ハロゲン化チエニル)−2,5−ジハロゲン化ベンゼンを製造する工程。
(B)工程;硫化アルカリ金属塩の存在下、(A)工程により得られた1,4−ジ(3−ハロゲン化チエニル)−2,5−ジハロゲン化ベンゼンの分子内環化によりジチエノベンゾジチオフェンを製造する工程。 (もっと読む)


【課題】有機半導体活性層の薄膜を与え得る新規な化合物が求められている。
【解決手段】式(1)


(式中、X及びYは、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子又はSOを表す。環構造A及び環構造Bは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。該芳香族複素環は単一の環構造である。
およびRは、水素原子、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数1〜30のアルコキシ基、炭素数2〜30のアルケニル基、炭素数2〜30のアルキニル基、炭素数1〜30のアルキルチオ基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数4〜20のヘテロアリール基を表す。)
で表される含ピロールヘテロアセン化合物。 (もっと読む)


【課題】酸化還元繰り返し特性に優れ、かつ消色時において高透明で可視光領域に光吸収を示さない新規エレクトロクロミック化合物の提供。
【解決手段】一般式[1]


[式中、AおよびA’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基等を示し、RおよびRはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、または、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、アミノ基、シリル基を示し、nは、1または2である]で示される化合物。 (もっと読む)


【課題】高い電荷輸送性を発揮し得る構造を有するとともに、溶媒への溶解性にも優れる多環縮環重合体を提供すること。
【解決手段】式(1)で表される構造単位を有する多環縮環重合体。
(もっと読む)


【課題】有機半導体材料として使用できるアザペリレン化合物の提供。
【解決手段】下記一般式(I)で表されるアザペリレン化合物。


(式中、R1、R2、R3及びR4のそれぞれは、独立して、H、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルケニル、非置換又は置換されているアルキニル、非置換又は置換されているアリール、ハロゲン、Si(RH)3、XR6から選択されるか、R1とR2、R2とR3、R3とR4の一つ以上が、それらが結合する炭素原子と一緒になって、飽和又は不飽和の、非置換又は置換されている炭素環又は複素環を形成する。) (もっと読む)


【課題】溶媒に対する溶解度を向上させた有機半導体材料を提供する。
【解決手段】有機半導体材料は含硫黄縮合環化合物を含有する。含硫黄縮合環化合物は、
下記一般式(1):


(「・」は縮合位置を示している。)
で示される単位Aをm個と、下記一般式(2):


(「・」は縮合位置を示している。)
で示される単位Bをn個とを、4≦3m+n≦10、m≧1、n≧0の関係を満たすように組み合わせてなる縮合環数が4〜10の縮合環骨格を有し、縮合環骨格を構成する各ベンゼン環には、特定の官能基が縮合環骨格上において非対称となるように結合されている。 (もっと読む)


【課題】合成するのが容易であり、高い電荷移動度、良好な加工性および酸化安定性を有する、半導体または電荷輸送材料として用いるための新規な材料を提供する。
【解決手段】本発明は、新規なモノ、オリゴおよびポリチエノ[2,3−b]チオフェン、半導体または電荷輸送材料としての、光学的、電気光学的または電子デバイス、例えば液晶ディスプレイ、光学フィルム、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイおよび集積回路デバイス、例えばRFIDタグ、フラットパネルディスプレイにおけるエレクトロルミネセントデバイスのための有機電界効果トランジスタ(FETまたはOFET)における、並びに光起電およびセンサーデバイスにおけるこれらの使用、並びに新規なポリマーを含む電界効果トランジスタ、発光デバイスまたはIDタグに関する。 (もっと読む)


【課題】有機半導体活性層の薄膜を与え得る新規な化合物が求められている。
【解決手段】式(1)


(式中、Eはそれぞれ独立に、硫黄またはセレン原子を表す。
及びRは、それぞれ独立に、水素原子、分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基を表す。前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基の合計炭素数は9〜30であり、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基は、置換基を有していてもよい。前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基の合計炭素数は7〜30であり、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。
及びRの少なくとも一方は、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基である。)
で表される置換ベンゾカルコゲノアセン化合物。 (もっと読む)


【課題】発光効率と駆動電圧が改良された有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置を提供する。
【解決手段】発光層と透明導電性層と電子注入層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該電子注入層が該発光層に近い側から第一電子注入層、第二電子注入層の二層構成を有し、かつ、該第一電子注入層を構成する金属の窒化物のバンドギャップに対して、第二電子注入層を構成する金属の窒化物のバンドギャップが狭いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置。 (もっと読む)


【課題】T1(最低三重項励起準位)が高いベンゾチエノベンゾチオフェン化合物の提供。
【解決手段】下記一般式[1]乃至[3]のいずれかで示されることを特徴とする、ベンゾチエノベンゾチオフェン化合物。


(式[1]乃至[3]において、Arは、フェニル基、フェナンスリル基、フルオレニル基、トリフェニレニル基から選ばれるアリール基である。) (もっと読む)


【課題】非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル膜の調製用である固溶体誘起層、および固溶体誘起層上での弱エピタキシャル成長から生成される非平面フタロシアニンの薄膜、非平面フタロシアニンの弱エピタキシー成長薄膜に基づく有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】固溶体誘起層は、IおよびIIによって表される2つの誘起層分子の共蒸着によって調製される。


(式中、Arは、共役芳香族基、または下記の構造:


の1つであり、R1、R2は、HまたはFである) (もっと読む)


【課題】高い移動度および良好な膜形成性を示す半導体化合物を提供する。
【解決手段】下式の低分子半導体。


〔R1、R2は、アルケニル、アルキニル、アリール、アルコキシ、アルキルチオ等〕 (もっと読む)


【課題】電子輸送性に優れたn型半導体として利用可能であり、しかも溶剤への溶解性にも優れる共役系化合物の提供。
【解決手段】式(I)で表される共役系化合物。[式中、R01及びR02はアルカン骨格を含む1価の基。R11、R12、R21及びR22は水素原子、ハロゲン原子又は1価の基。X11、X12、X21及びX22は=O,=S又は=CA(Aは水素原子、ハロゲン原子又は1価の基を示すが、その少なくとも1つは電子吸引性の基。)を示す。Z及びZは−O−,−S−,−Se−,−Te−,−SO−等のいずれかの基を示す。Ar、Ar及びArは芳香族炭化水素基又は複素環基を示す。rは1〜6の整数、s及びtは0〜6の整数を示す。]
(もっと読む)


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