置換ベンゾカルコゲノアセン化合物
【課題】有機半導体活性層の薄膜を与え得る新規な化合物が求められている。
【解決手段】式（１）
（式中、Ｅはそれぞれ独立に、硫黄またはセレン原子を表す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基を表す。前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基の合計炭素数は９〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基は、置換基を有していてもよい。前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基の合計炭素数は７〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基である。）
で表される置換ベンゾカルコゲノアセン化合物。
【解決手段】式（１）
（式中、Ｅはそれぞれ独立に、硫黄またはセレン原子を表す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基を表す。前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基の合計炭素数は９〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基は、置換基を有していてもよい。前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基の合計炭素数は７〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基である。）
で表される置換ベンゾカルコゲノアセン化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、置換ベンゾカルコゲノアセン化合物等に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体デバイスの１種である有機トランジスタは、電子ペーパー、大画面フラットパネルディスプレイ等の素子として用いられる。このような有機トランジスタは、有機半導体活性層、基板、絶縁層、電極等の部材から構成されている。有機半導体活性層を与える化合物としては、特許文献１に、ペンタセンが記載されており、ペンタセンを真空蒸着して得られた薄膜を有機半導体活性層に用いることも知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−８５２５０号公報（実施例１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような状況下、有機半導体活性層の薄膜を与え得る新規な化合物が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
かかる課題を解決するために、本発明者は鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。
＜１＞ 式（１）
（式中、Ｅはそれぞれ独立に、硫黄またはセレン原子を表す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基を表す。前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基の合計炭素数は９〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基は、置換基を有していてもよい。前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基の合計炭素数は７〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基を表す。）
で表される置換ベンゾカルコゲノアセン化合物。
＜２＞ 式（１）におけるＥが、全て硫黄原子であることを特徴とする＜１＞記載の化合物。
＜３＞ 式（１）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、水素原子であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞記載の化合物。
＜４＞ 式（１）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞記載の化合物。
【０００６】
＜５＞ 式（１）で表される化合物が、式（２）
（式中、Ｅ、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物であることを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれか記載の化合物。
＜６＞式（２）におけるＥが、全て硫黄であることを特徴とする＜５＞記載の化合物。
＜７＞ 式（２）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、水素原子であることを特徴とする＜５＞又は＜６＞記載の化合物。
＜８＞ 式（２）におけるＲ１及びＲ２が、いずれも前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基であることを特徴とする＜５＞又は＜６＞記載の化合物。
【０００７】
＜９＞ ＜１＞〜＜８＞のいずれか記載の化合物を含有する薄膜。
＜１０＞ ＜１＞〜＜８＞のいずれか記載の化合物からなる薄膜。
＜１１＞ ＜９＞又は＜１０＞記載の薄膜を含有する有機半導体デバイス。
＜１２＞ ＜９＞又は＜１０＞記載の薄膜を含有する有機トランジスタ。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、有機半導体活性層を与え得る新規な化合物が提供可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明における有機トランジスタの一つの態様を説明する断面図である。
【図２】本発明における有機トランジスタの一つの態様を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、式（１）
で表される置換ベンゾカルコゲノアセン化合物（以下、化合物（１）と記すことがある）である。
式（１）におけるＥは、それぞれ独立に、硫黄またはセレン原子を表す。
【００１１】
式（１）におけるＲ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、分岐状のアルキル基を有するアリール基（以下、分岐アルキル置換アリール基と記すことがある）、又は、分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基（以下、分岐アルキル置換ヘテロアリール基と記すことがある）を表す。
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、分岐アルキル置換アリール基、又は、分岐アルキル置換ヘテロアリール基である。
分岐アルキル置換アリール基及び分岐アルキル置換ヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。
分岐アルキル置換アリール基の合計炭素数は置換基を含めて９〜３０であり、分岐アルキル置換ヘテロアリール基の合計炭素数は置換基を含めて７〜３０である。
【００１２】
分岐アルキル置換アリール基及び分岐アルキル置換ヘテロアリール基に含まれる分岐状のアルキル基としては、例えば、ｉ−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、１−メチルペンチル基、１−メチルヘキシル基、１−メチルヘプチル基、１−メチルオクチル基、１−メチルノニル基、１−メチルデシル基、１−メチルウンデシル基、１−メチルドデシル基、１−メチルトリデシル基、１−メチルテトラデシル基、１−メチルペンタデシル基、１−メチルヘキサデシル基、１−メチルヘプタデシル基、１−メチルオクタデシル基、１−メチルノナデシル基、１−メチルイコシル基、１−エチルプロピル基、１−エチルブチル基、１−エチルペンチル基、１−エチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−エチルオクチル基、１−エチルノニル基、１−エチルデシル基、１−エチルウンデシル基、１−エチルドデシル基、１−エチルトリデシル基、１−エチルテトラデシル基、１−エチルペンタデシル基、１−エチルヘキサデシル基、１−エチルヘプタデシル基、１−エチルオクタデシル基、１−エチルノナデシル基、１−エチルイコシル基、１−プロピルブチル基、１−プロピルペンチル基、１−プロピルヘキシル基、１−プロピルヘプチル基、１−プロピルオクチル基、１−プロピルノニル基、１−プロピルデシル基、１−プロピルウンデシル基、１−プロピルドデシル基、１−プロピルトリデシル基、１−プロピルテトラデシル基、１−プロピルペンタデシル基、１−プロピルヘキサデシル基、１−プロピルヘプタデシル基、１−プロピルオクタデシル基、１−プロピルノナデシル基、１−プロピルイコシル基、１−ブチルペンチル基、１−ブチルヘキシル基、１−ブチルヘプチル基、１−ブチルオクチル基、１−ブチルノニル基、１−ブチルデシル基、１−ブチルウンデシル基、１−ブチルドデシル基、１−ブチルトリデシル基、１−ブチルテトラデシル基、１−ブチルペンタデシル基、１−ブチルヘキサデシル基、１−ブチルヘプタデシル基、１−ブチルオクタデシル基、１−ブチルノナデシル基、１−ブチルイコシル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ペンチルヘプチル基、１−ペンチルオクチル基、１−ペンチルノニル基、１−ペンチルデシル基、１−ペンチルウンデシル基、１−ペンチルドデシル基、１−ペンチルトリデシル基、１−ペンチルテトラデシル基、１−ペンチルペンタデシル基、１−ペンチルヘキサデシル基、１−ペンチルヘプタデシル基、１−ペンチルオクタデシル基、１−ペンチルノナデシル基、１−ペンチルイコシル基、１−ヘキシルヘプチル基、１−ヘキシルオクチル基、１−ヘキシルノニル基、１−ヘキシルデシル基、１−ヘキシルウンデシル基、１−ヘキシルドデシル基、１−ヘキシルトリデシル基、１−ヘキシルテトラデシル基、１−ヘキシルペンタデシル基、１−ヘキシルヘキサデシル基、１−ヘキシルヘプタデシル基、１−ヘキシルオクタデシル基、１−ヘキシルノナデシル基、１−ヘキシルイコシル基、
【００１３】
２−メチルブチル基、２−メチルペンチル基、２−メチルヘキシル基、２−メチルヘプチル基、２−メチルオクチル基、２−メチルノニル基、２−メチルデシル基、２−メチルウンデシル基、２−メチルドデシル基、２−メチルトリデシル基、２−メチルテトラデシル基、２−メチルペンタデシル基、２−メチルヘキサデシル基、２−メチルヘプタデシル基、２−メチルオクタデシル基、２−メチルノナデシル基、２−メチルイコシル基、
２−エチルブチル基、２−エチルペンチル基、２−エチルヘキシル基、２−エチルヘプチル基、２−エチルオクチル基、２−エチルノニル基、２−エチルデシル基、２−エチルウンデシル基、２−エチルドデシル基、２−エチルトリデシル基、２−エチルテトラデシル基、２−エチルペンタデシル基、２−エチルヘキサデシル基、２−エチルヘプタデシル基、２−エチルオクタデシル基、２−エチルノナデシル基、２−エチルイコシル基、２−プロピルペンチル基、２−プロピルヘキシル基、２−プロピルヘプチル基、２−プロピルオクチル基、２−プロピルノニル基、２−プロピルデシル基、２−プロピルウンデシル基、２−プロピルドデシル基、２−プロピルトリデシル基、２−プロピルテトラデシル基、２−プロピルペンタデシル基、２−プロピルヘキサデシル基、２−プロピルヘプタデシル基、２−プロピルオクタデシル基、２−プロピルノナデシル基、２−プロピルイコシル基、
２−ブチルヘキシル基、２−ブチルヘプチル基、２−ブチルオクチル基、２−ブチルノニル基、２−ブチルデシル基、２−ブチルウンデシル基、２−ブチルドデシル基、２−ブチルトリデシル基、２−ブチルテトラデシル基、２−ブチルペンタデシル基、２−ブチルヘキサデシル基、２−ブチルヘプタデシル基、２−ブチルオクタデシル基、２−ブチルノナデシル基、２−ブチルイコシル基、２−ペンチルヘプチル基、２−ペンチルオクチル基、２−ペンチルノニル基、２−ペンチルデシル基、２−ペンチルウンデシル基、２−ペンチルドデシル基、２−ペンチルトリデシル基、２−ペンチルテトラデシル基、２−ペンチルペンタデシル基、２−ペンチルヘキサデシル基、２−ペンチルヘプタデシル基、２−ペンチルオクタデシル基、２−ペンチルノナデシル基、２−ペンチルイコシル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルノニル基、２−ヘキシルデシル基、２−ヘキシルウンデシル基、２−ヘキシルドデシル基、２−ヘキシルトリデシル基、２−ヘキシルテトラデシル基、２−ヘキシルペンタデシル基、２−ヘキシルヘキサデシル基、２−ヘキシルヘプタデシル基、２−ヘキシルオクタデシル基、２−ヘキシルノナデシル基、２−ヘキシルイコシル基、
【００１４】
３−メチルブチル基、３−メチルペンチル基、３−メチルヘキシル基、３−メチルヘプチル基、３−メチルオクチル基、３−メチルノニル基、３−メチルデシル基、３−メチルウンデシル基、３−メチルドデシル基、３−メチルトリデシル基、３−メチルテトラデシル基、３−メチルペンタデシル基、３−メチルヘキサデシル基、３−メチルヘプタデシル基、３−メチルオクタデシル基、３−メチルノナデシル基、３−メチルイコシル基、３−エチルペンチル基、３−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、３−エチルオクチル基、３−エチルノニル基、３−エチルデシル基、３−エチルウンデシル基、３−エチルドデシル基、３−エチルトリデシル基、３−エチルテトラデシル基、３−エチルペンタデシル基、３−エチルヘキサデシル基、３−エチルヘプタデシル基、３−エチルオクタデシル基、３−エチルノナデシル基、３−エチルイコシル基、３−プロピルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、３−プロピルオクチル基、３−プロピルノニル基、３−プロピルデシル基、３−プロピルウンデシル基、３−プロピルドデシル基、３−プロピルトリデシル基、３−プロピルテトラデシル基、３−プロピルペンタデシル基、３−プロピルヘキサデシル基、３−プロピルヘプタデシル基、３−プロピルオクタデシル基、３−プロピルノナデシル基、３−プロピルイコシル基、３−ブチルヘプチル基、３−ブチルオクチル基、３−ブチルノニル基、３−ブチルデシル基、３−ブチルウンデシル基、３−ブチルドデシル基、３−ブチルトリデシル基、３−ブチルテトラデシル基、３−ブチルペンタデシル基、３−ブチルヘキサデシル基、３−ブチルヘプタデシル基、３−ブチルオクタデシル基、３−ブチルノナデシル基、３−ブチルイコシル基、３−ペンチルオクチル基、３−ペンチルノニル基、３−ペンチルデシル基、３−ペンチルウンデシル基、３−ペンチルドデシル基、３−ペンチルトリデシル基、３−ペンチルテトラデシル基、３−ペンチルペンタデシル基、３−ペンチルヘキサデシル基、３−ペンチルヘプタデシル基、３−ペンチルオクタデシル基、３−ペンチルノナデシル基、３−ペンチルイコシル基、３−ヘキシルノニル基、３−ヘキシルデシル基、３−ヘキシルウンデシル基、３−ヘキシルドデシル基、３−ヘキシルトリデシル基、３−ヘキシルテトラデシル基、３−ヘキシルペンタデシル基、３−ヘキシルヘキサデシル基、３−ヘキシルヘプタデシル基、３−ヘキシルオクタデシル基、３−ヘキシルノナデシル基、３−ヘキシルイコシル基、
【００１５】
４−メチルペンチル基、４−メチルヘキシル基、４−メチルヘプチル基、４−メチルオクチル基、４−メチルノニル基、４−メチルデシル基、４−メチルウンデシル基、４−メチルドデシル基、４−メチルトリデシル基、４−メチルテトラデシル基、４−メチルペンタデシル基、４−メチルヘキサデシル基、４−メチルヘプタデシル基、４−メチルオクタデシル基、４−メチルノナデシル基、４−メチルイコシル基、４−エチルヘキシル基、４−エチルヘプチル基、４−エチルオクチル基、４−エチルノニル基、４−エチルデシル基、４−エチルウンデシル基、４−エチルドデシル基、４−エチルトリデシル基、４−エチルテトラデシル基、４−エチルペンタデシル基、４−エチルヘキサデシル基、４−エチルヘプタデシル基、４−エチルオクタデシル基、４−エチルノナデシル基、４−エチルイコシル基、４−プロピルヘプチル基、４−プロピルオクチル基、４−プロピルノニル基、４−プロピルデシル基、４−プロピルウンデシル基、４−プロピルドデシル基、４−プロピルトリデシル基、４−プロピルテトラデシル基、４−プロピルペンタデシル基、４−プロピルヘキサデシル基、４−プロピルヘプタデシル基、４−プロピルオクタデシル基、４−プロピルノナデシル基、４−プロピルイコシル基、４−ブチルオクチル基、４−ブチルノニル基、４−ブチルデシル基、４−ブチルウンデシル基、４−ブチルドデシル基、４−ブチルトリデシル基、４−ブチルテトラデシル基、４−ブチルペンタデシル基、４−ブチルヘキサデシル基、４−ブチルヘプタデシル基、４−ブチルオクタデシル基、４−ブチルノナデシル基、４−ブチルイコシル基、４−ペンチルノニル基、４−ペンチルデシル基、４−ペンチルウンデシル基、４−ペンチルドデシル基、４−ペンチルトリデシル基、４−ペンチルテトラデシル基、４−ペンチルペンタデシル基、４−ペンチルヘキサデシル基、４−ペンチルヘプタデシル基、４−ペンチルオクタデシル基、４−ペンチルノナデシル基、４−ペンチルイコシル基、４−ヘキシルデシル基、４−ヘキシルウンデシル基、４−ヘキシルドデシル基、４−ヘキシルトリデシル基、４−ヘキシルテトラデシル基、４−ヘキシルペンタデシル基、４−ヘキシルヘキサデシル基、４−ヘキシルヘプタデシル基、４−ヘキシルオクタデシル基、４−ヘキシルノナデシル基、４−ヘキシルイコシル基、
【００１６】
５−メチルヘキシル基、５−メチルヘプチル基、５−メチルオクチル基、５−メチルノニル基、５−メチルデシル基、５−メチルウンデシル基、５−メチルドデシル基、５−メチルトリデシル基、５−メチルテトラデシル基、５−メチルペンタデシル基、５−メチルヘキサデシル基、５−メチルヘプタデシル基、５−メチルオクタデシル基、５−メチルノナデシル基、５−メチルイコシル基、５−エチルヘプチル基、５−エチルオクチル基、５−エチルノニル基、５−エチルデシル基、５−エチルウンデシル基、５−エチルドデシル基、５−エチルトリデシル基、５−エチルテトラデシル基、５−エチルペンタデシル基、５−エチルヘキサデシル基、５−エチルヘプタデシル基、５−エチルオクタデシル基、５−エチルノナデシル基、５−エチルイコシル基、５−プロピルオクチル基、５−プロピルノニル基、５−プロピルデシル基、５−プロピルウンデシル基、５−プロピルドデシル基、５−プロピルトリデシル基、５−プロピルテトラデシル基、５−プロピルペンタデシル基、５−プロピルヘキサデシル基、５−プロピルヘプタデシル基、５−プロピルオクタデシル基、５−プロピルノナデシル基、５−プロピルイコシル基、５−ブチルノニル基、５−ブチルデシル基、５−ブチルウンデシル基、５−ブチルドデシル基、５−ブチルトリデシル基、５−ブチルテトラデシル基、５−ブチルペンタデシル基、５−ブチルヘキサデシル基、５−ブチルヘプタデシル基、５−ブチルオクタデシル基、５−ブチルノナデシル基、５−ブチルイコシル基、５−ペンチルデシル基、５−ペンチルウンデシル基、５−ペンチルドデシル基、５−ペンチルトリデシル基、５−ペンチルテトラデシル基、５−ペンチルペンタデシル基、５−ペンチルヘキサデシル基、５−ペンチルヘプタデシル基、５−ペンチルオクタデシル基、５−ペンチルノナデシル基、５−ペンチルイコシル基、５−ヘキシルウンデシル基、５−ヘキシルドデシル基、５−ヘキシルトリデシル基、５−ヘキシルテトラデシル基、５−ヘキシルペンタデシル基、５−ヘキシルヘキサデシル基、５−ヘキシルヘプタデシル基、５−ヘキシルオクタデシル基、５−ヘキシルノナデシル基、５−ヘキシルイコシル基、
【００１７】
６−メチルヘプチル基、６−メチルオクチル基、６−メチルノニル基、６−メチルデシル基、６−メチルウンデシル基、６−メチルドデシル基、６−メチルトリデシル基、６−メチルテトラデシル基、６−メチルペンタデシル基、６−メチルヘキサデシル基、６−メチルヘプタデシル基、６−メチルオクタデシル基、６−メチルノナデシル基、６−メチルイコシル基、６−エチルオクチル基、６−エチルノニル基、６−エチルデシル基、６−エチルウンデシル基、６−エチルドデシル基、６−エチルトリデシル基、６−エチルテトラデシル基、６−エチルペンタデシル基、６−エチルヘキサデシル基、６−エチルヘプタデシル基、６−エチルオクタデシル基、６−エチルノナデシル基、６−エチルイコシル基、
６−プロピルノニル基、６−プロピルデシル基、６−プロピルウンデシル基、６−プロピルドデシル基、６−プロピルトリデシル基、６−プロピルテトラデシル基、６−プロピルペンタデシル基、６−プロピルヘキサデシル基、６−プロピルヘプタデシル基、６−プロピルオクタデシル基、６−プロピルノナデシル基、６−プロピルイコシル基、６−ブチルデシル基、６−ブチルウンデシル基、６−ブチルドデシル基、６−ブチルトリデシル基、６−ブチルテトラデシル基、６−ブチルペンタデシル基、６−ブチルヘキサデシル基、６−ブチルヘプタデシル基、６−ブチルオクタデシル基、６−ブチルノナデシル基、６−ブチルイコシル基、６−ペンチルウンデシル基、６−ペンチルドデシル基、６−ペンチルトリデシル基、６−ペンチルテトラデシル基、６−ペンチルペンタデシル基、６−ペンチルヘキサデシル基、６−ペンチルヘプタデシル基、６−ペンチルオクタデシル基、６−ペンチルノナデシル基、６−ペンチルイコシル基、６−ヘキシルドデシル基、６−ヘキシルトリデシル基、６−ヘキシルテトラデシル基、６−ヘキシルペンタデシル基、６−ヘキシルヘキサデシル基、６−ヘキシルヘプタデシル基、６−ヘキシルオクタデシル基、６−ヘキシルノナデシル基、６−ヘキシルイコシル基、
【００１８】
１，２−ジメチルペンチル基、１，３−ジメチルペンチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、１−メチル−１−プロピルペンチル基、１−エチル−１−メチルペンチル基、１−ブチル−１−メチルペンチル基、１，２−ジメチルヘキシル基、１，３−ジメチルヘキシル基、１，４−ジメチルヘキシル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２，３−ジメチルヘキシル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、３，４−ジメチルヘキシル基、３，５−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルヘキシル基、２，４，４−トリメチルヘキシル基、１，２−ジメチルヘプチル基、１，３−ジメチルヘプチル基、１，４−ジメチルヘプチル基、１，５−ジメチルヘプチル基、１，６−ジメチルヘプチル基、２，３−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、３，４−ジメチルヘプチル基、３，５−ジメチルヘプチル基、３，６−ジメチルヘプチル基、４，５−ジメチルヘプチル基、４，６−ジメチルヘプチル基、２，２−ジメチルヘプチル基、２，２，４−トリメチルヘプチル基、２，４，４−トリメチルヘプチル基、１，２−ジメチルオクチル基、１，３−ジメチルオクチル基、１，４−ジメチルオクチル基、１，５−ジメチルオクチル基、１，６−ジメチルオクチル基、１，７−ジメチルオクチル基、２，３−ジメチルオクチル基、２，４−ジメチルオクチル基、２，５−ジメチルオクチル基、２，６−ジメチルオクチル基、２，７−ジメチルオクチル基、３，４−ジメチルオクチル基、３，５−ジメチルオクチル基、３，６−ジメチルオクチル基、３，７−ジメチルオクチル基、４，５−ジメチルオクチル基、４，６−ジメチルオクチル基、５，６−ジメチルオクチル基、５，７−ジメチルオクチル基、２，２−ジメチルオクチル基、２，２，４−トリメチルオクチル基、２，４，４−トリメチルオクチル基等が挙げられる。
【００１９】
分岐アルキル置換アリール基における「アリール基」としては、例えば、単環、二環又は三環のアリール基等を挙げることができ、具体的に、分岐状のアルキル基を有しないアリール基として表記すると、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基等が挙げられる。
【００２０】
分岐アルキル置換ヘテロアリール基における「ヘテロアリール基」を、分岐状のアルキル基を有しないヘテロアリール基として表記すると、例えば、チエニル基、フリル基、チアゾリル基、チエノ［３，２−ｂ］チエニル基、フロロ［３，２−ｂ］フリル基、チエノ［３，２−ｂ］フリル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］フリル基、ビスチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェニル基等が挙げられる。好ましくは、下記式で示される基（左からチエニル基、チエノ［３，２−ｂ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］フリル基、ビスチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェニル基）等が挙げられる。
【００２１】
分岐アルキル置換アリール基及び分岐アルキル置換ヘテロアリール基に有していてもよい置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数４〜２０のヘテロアリール基、炭素数５〜２０のヘテロアラルキル基等を挙げることができる。上記に例示された置換基に含まれる水素原子がフッ素原子に置き換わった基も置換基として有していてもよい。
【００２２】
化合物（１）に含まれるベンゾカルコゲノアセン骨格に結合されるＲ１及びＲ２の結合位置としては、対称な位置であることが好ましい。ここで、対称な位置とは、化合物（１）に含まれるベンゾカルコゲノアセン骨格の中心線（下記式
（式中、Ｅは前記と同じ意味を表す。）
の破線）に対して、線対称の位置関係を意味する。すなわち、化合物（１）のベンゾカルコゲノアセン骨格における対称な位置に結合したＲ１及びＲ２とは、Ｒ１がａの炭素原子に結合しＲ２はａ’の炭素原子に結合する場合、Ｒ１がｂの炭素原子に結合しＲ２はｂ’の炭素原子に結合する場合、Ｒ１がｃの炭素原子に結合しＲ２はｃ’の炭素原子に結合する場合、Ｒ１がｄの炭素原子に結合しＲ２はｄ’の炭素原子に結合する場合のいずれかのＲ１及びＲ２である。
【００２３】
好ましくは、Ｒ１がｂの炭素原子に結合しＲ２はｂ’の炭素原子に結合する場合、すなわち、式（２）
（式中、Ｅ、Ｒ１、及びＲ２は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物、または、Ｒ１がｄの炭素原子に結合しＲ２はｄ’の炭素原子に結合する場合、すなわち、式（３）
（式中、Ｅ、Ｒ１、及びＲ２は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を挙げることができる。
【００２４】
本発明の化合物（１）の具体例としては、以下に例示する化合物が挙げられる。
【００２５】
【表１】
波線は結合手を意味する。
【００２６】
【表２】
波線は結合手を意味する。
【００２７】
【表３】
波線は結合手を意味する。
【００２８】
【表４】
波線は結合手を意味する。
【００２９】
【表５】
波線は結合手を意味する。
【００３０】
【表６】
波線は結合手を意味する。
【００３１】
【表７】
波線は結合手を意味する。
【００３２】
【表８】
波線は結合手を意味する
【００３３】
【表９】
波線は結合手を意味する。
【００３４】
【表１０】
波線は結合手を意味する。
【００３５】
【表１１】
波線は結合手を意味する。
【００３６】
【表１２】
波線は結合手を意味する。
【００３７】
【表１３】
波線は結合手を意味する。
【００３８】
【表１４】
波線は結合手を意味する。
【００３９】
【表１５】
波線は結合手を意味する。
【００４０】
【表１６】
波線は結合手を意味する。
【００４１】
【表１７】
波線は結合手を意味する。
【００４２】
【表１８】
波線は結合手を意味する。
【００４３】
【表１９】
波線は結合手を意味する。
【００４４】
【表２０】
波線は結合手を意味する。
【００４５】
【表２１】
波線は結合手を意味する。
【００４６】
【表２２】
波線は結合手を意味する。
【００４７】
【表２３】
波線は結合手を意味する。
【００４８】
【表２４】
波線は結合手を意味する。
【００４９】
【表２５】
波線は結合手を意味する。
【００５０】
【表２６】
波線は結合手を意味する。
【００５１】
【表２７】
波線は結合手を意味する。
【００５２】
【表２８】
波線は結合手を意味する。
【００５３】
【表２９】
波線は結合手を意味する。
【００５４】
化合物（１）としては、化合物（１）中にある３つのＥが全て硫黄原子である化合物が好ましい。
とりわけ、表中の化合物番号が以下の化合物（１）が好ましい。
１、２、３、５、７、８、１１、１３、１４、１６、１８、２０、２２、２４、２６、２９、３１、３２、３５、３６、３７、３８、３９、４３、４５、５１、５８、５７、６２、６４、６６、６７、７０、７３、７９、８４、８５、８６、８７、８９、９３、９５、９８、１０７、１０８、１１２、１１６、１１９、１２３、１２４、１２７、１３０、１３６、１４０、１４１、１４２、１４５、１５３、１５６、１５８、１６０、１６５、１７０、１７１、１７２、１８０、１８２、１８４、１８６、１８７、１９１、１９６、１９８、２００、２０４、２０６、２０７、２１２、２１９、２２１、２２６、２２７、２２８、２３２、２３５、２４０、２４３、２４８、２５０、２５１、２５３、２５６、２５８、２６４、２６８、２７３、２７６、２７９、２８１、２８４、２８７、２８９、２９１、２９２、２９８、３０１、３０３、３０６、３０９、３１２、３１４、３１７、３１８、３２３、３２６、３２８、３３１、３３３、３３９、３４３、３４８、３４９、３５１、３５４、３５５、３５８、３６１、３６２、３６３、３６４、３６８、３７１
【００５５】
より好ましくは、表中の化合物番号が以下の化合物（１）である。
２、７、８、１３、１６、１８、２０、２４、２６、２９、３１、３５、３６、３７，３８、３９、４３、４５、５８、６４、６７、８４、８５、８６、８７、８９、９３、１０７、１０８、１１２、１１６、１１９、１２３、１２４、１４０、１４１、１４２、１４５、１５３、１５６、１５８、１７０．１７１、１７２、１８０、１８６、１８７、１９１、１９６、１９８、２００、２０４、２０６、２０７、２１２、２１９、２２１、２２６、２２８、２３５、２４３、２５１、２５６、２５８、２６４、２６８、２７６、２８１、２８４、２８９、２９１、３０１、３０６、３１４、３１８、３２６、３３１、３４９、３５１、３６２、３６４
【００５６】
本発明の化合物（１）は、有機溶媒への溶解性に優れる傾向があることから、取扱いが容易な傾向があり、精製も容易な傾向がある。
また、化合物（１）を有機溶媒に溶解した溶解液は、塗布及び乾燥して薄膜を形成させることができる。
さらに、化合物（１）は、後述するように、高いキャリア移動度を示す薄膜を与えることが可能である。
【００５７】
次に、化合物（１）の製造方法を説明する。
該製造方法としては、例えば、式（５−１）
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を表す。Ｘはハロゲン原子、好ましくは臭素原子を表す。）
で表されるジアセチレン化合物（以下、化合物（５−１）と記すことがある）を得、次いで、有機金属塩基を用いたハロゲン−メタル交換反応によりジメタル化した（以下、この反応を「本第１反応」という。）後、硫黄又はセレンを作用させることにより、式（４−１）
（式中、Ｅ、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を表す。）
で表されるジカルコゲンイン化合物（化合物（４−１）と記すことがある）を得（以下、この反応を「本第２反応」という。）、
次いで、得られた化合物（４−１）と、ビスシクロオクタジエニル白金（Ｐｔ（ＣＯＤ）２）などの白金化合物又は銅粉末などの銅化合物と、を無溶媒で加熱する方法（以下、「第３−１反応」と記すことがある）、
また、同様にして得られる化合物（４−１）と、ビスシクロオクタジエニルニッケル（Ｎｉ（ＣＯＤ）２）などのニッケル化合物とホスフィン化合物とを、溶媒の存在下で加熱攪拌する方法（以下、「第３−２反応」と記すことがある）、
等を挙げることができる。
【００５８】
本第１反応に用いられる有機金属塩基としては、例えば、メチルリチウム（ＭｅＬｉ）、ｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）、ｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）及びｔｅｒｔ−ブチルリチウム（ｔ−ＢｕＬｉ）などの有機リチウム化合物やアルキルグリニヤール化合物などの有機マグネシウム化合物類などを用いることができるが、ハロゲン−メタル交換反応の反応性が良好である点から、該有機金属塩基としては有機リチウム化合物が好ましく、例えば、ブチルリチウム（ＢｕＬｉ）が用いられ、さらに好ましくはｔ−ＢｕＬｉが用いられる。
有機金属塩基の使用量としては、化合物（５−１）１モルに対し、例えば、４〜２０モルの範囲を挙げることができ（化合物（５−１）に含まれるハロゲン原子１モルに対して２〜１０モルの範囲）、好ましくは６〜１４モルの範囲（化合物（５−１）に含まれるハロゲン原子１モルに対して３〜７モルの範囲）、さらに好ましくは７〜１０モルの範囲（化合物（５−１）に含まれるハロゲン原子１モルに対して３．５〜５モルの範囲）が挙げられる。有機金属塩基の使用量が化合物（５−１）１モルに対し４モル以上であると、未反応の化合物（５−１）が低減されて、得られる化合物（４−１）の収率が向上する傾向がある。該使用量が、化合物（５−１）１モルに対し２０モル以下であると、副反応の進行が抑制され、化合物（４−１）の精製が容易になる傾向がある。
【００５９】
本第１反応及びそれに続く本第２反応は、溶媒の存在下で行なわれることが好ましい。
使用される溶媒としては、本第１反応及び本第２反応の進行を著しく妨げないものから選ばれ、例えば、ペンタン、ヘキサン及びヘプタンなどの脂肪族炭化水素溶媒、ベンゼン、トルエン及びキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ジエチルエーテル及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などのエーテル溶媒又はこれらから選ばれる２種以上の混合溶媒が挙げられる。好ましい溶媒はエーテル溶媒である。
【００６０】
本第１反応は、例えば、−２０℃以下、好ましくは−４０℃以下、より好ましくは−６０℃以下の反応温度で行なわれる。本第１反応の反応時間は使用する有機金属塩基や溶媒の種類、又は反応温度により調節できるが、１０分から５時間程度の範囲である。
この本第１反応に続いて、硫黄又はセレンを反応混合物に添加して本第２反応を行なう。用いる硫黄（又はセレン）は固体のまま用いてもよいし、本第１反応に使用した溶媒に溶解又は懸濁させた溶液又は懸濁液で添加してもよい。硫黄（又はセレン）を加えた後、反応温度は本第１反応と同程度の温度のまま保持してもよいし、用いた溶媒の沸点以下の範囲であれば加温してもよい。好ましくは、反応温度０〜４０℃の範囲に達するまで加温し、同範囲内の温度で保温する。反応時間は、例えば、３０分から７２時間の範囲を挙げることができる。
【００６１】
本第２反応に用いられる硫黄又はセレンとしては、結晶状、粉末状、コロイド状の硫黄（又はセレン）などを用いることができる。硫黄（又はセレン）の使用量としては、化合物（５−１）１モルに対し、例えば、４〜２０モルの範囲を挙げることができ、好ましくは６〜１４モルの範囲、さらに好ましくは７〜１０モルの範囲が挙げられる。硫黄（又はセレン）の使用量が４モル以上であると、化合物（４−１）の収率が向上する傾向があることから好ましく、２０モル以下であると、副反応の進行が抑制され、化合物（４−１）の精製が容易になる傾向があることから好ましい。
【００６２】
本第２反応終了後は、必要に応じて溶媒を濃縮し、得られた反応混合物に水酸化ナトリウム水溶液や水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液を加えた後、得られた化合物（４−１）を抽出する。抽出溶液は、本第１反応及び本第２反応で用いた溶媒が水に不溶である場合は、この溶媒を抽出溶媒としてそのまま用いることもできるが、好ましい抽出溶媒はジクロロメタン及びクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素溶媒が挙げられる。有機相と水相とに分液させた後、水相を分離し、この水相にフェリシアン酸カリウムなどのヘキサシアノ鉄酸塩水溶液を加えて、この水相から化合物（４−１）を、前記抽出溶媒などの有機溶媒を用いて抽出する。このようにして得られた化合物（４−１）は、必要に応じて、カラムクロマトグラフィー、再結晶などの操作により、さらに精製してもよい。
【００６３】
本第３−１反応では、化合物（４−１）１モルに対し、例えば、０．５〜２０モル、好ましくは１〜１０モル、さらに好ましくは２〜７モルの銅化合物又は白金化合物が用いられる。銅化合物としては、例えば、銅粉末などが挙げられ、白金化合物としては、例えば、ビスシクロオクタジエニル白金（Ｐｔ（ＣＯＤ）２）などが挙げられる。
本第３−１反応の反応温度は、例えば、１５０〜４００℃の範囲を挙げることができ、好ましくは２００〜３７０℃の範囲が挙げられる。本第３−１反応の反応時間は１時間以内であり、好ましくは３０分以内である。反応終了後、室温まで冷却し、例えば、クロロホルム、ジクロロメタンなどの、化合物（１）を溶解し得る溶媒を用いて、不溶不純物を濾別し、濾液を濃縮した後、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作を行なうことで、化合物（１）が得られる。
【００６４】
本第３−２反応において、用いられるニッケル化合物としては、ビスシクロオクタジエニルニッケル（Ｎｉ（ＣＯＤ）２）などの０価ニッケル化合物が好適である。本第３−２反応は、２価ニッケル化合物であるビスアセチルアセトナートニッケル（Ｎｉ（ａｃａｃ）２）などをジイソブチルアルミニウムハイドライドなどの還元剤を作用させることにより、系中で０価ニッケル化合物を発生させてもよい。
ニッケル化合物の使用量としては、化合物（４−１）１モルに対し、例えば、０．５〜５モルの範囲を挙げることができ、好ましくは０．７〜３モルの範囲である。
【００６５】
ホスフィン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、１，２−（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−（ジフェニルホスフィノ）ブタン及び１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンなどが挙げられ、トリフェニルホスフィンが好ましい。
ホスフィン化合物の使用量としては、ニッケル化合物１モルに対し、例えば、ホスフィン化合物が０．５〜２０モルの範囲等を挙げることができ、好ましくは、０．７〜１０モルの範囲が挙げられる。
【００６６】
本第３−２反応に用いられる溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン及びヘプタンなどの脂肪族炭化水素溶媒、ベンゼン、トルエン及びキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ジクロロメタン及びクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は、１種類で使用しても２種類以上の混合溶媒として使用してもよい。
該溶媒としては、芳香族炭化水素溶媒が好ましく、トルエンがより好ましい。
本第３−２反応の反応温度としては、例えば、１０℃から溶媒の沸点以下の範囲を挙げることができる。
本第３−２反応の反応時間は反応温度にも拠るが、７２時間以内が好ましい。
本第３−２反応の反応終了後、必要に応じて加熱しながら濾過を行って不溶不純物を除去した後、濾液を濃縮し、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶などの精製操作を行なうことで目的化合物である化合物（１）を得ることができる。
【００６７】
本第１反応に用いられる化合物（５−１）の具体例を次の表に例示する。
【００６８】
【表３０】
波線は結合手を意味する。
【００６９】
【表３１】
波線は結合手を意味する。
【００７０】
【表３２】
波線は結合手を意味する。
【００７１】
【表３３】
波線は結合手を意味する。
【００７２】
【表３４】
波線は結合手を意味する。
【００７３】
【表３５】
波線は結合手を意味する。
【００７４】
【表３６】
波線は結合手を意味する。
【００７５】
【表３７】
波線は結合手を意味する
【００７６】
【表３８】
波線は結合手を意味する。
【００７７】
【表３９】
波線は結合手を意味する。
【００７８】
【表４０】
波線は結合手を意味する。
【００７９】
【表４１】
波線は結合手を意味する。
【００８０】
【表４２】
波線は結合手を意味する。
【００８１】
【表４３】
波線は結合手を意味する。
【００８２】
【表４４】
波線は結合手を意味する。
【００８３】
【表４５】
波線は結合手を意味する。
【００８４】
【表４６】
波線は結合手を意味する。
【００８５】
【表４７】
波線は結合手を意味する。
【００８６】
【表４８】
波線は結合手を意味する。
【００８７】
【表４９】
波線は結合手を意味する。
【００８８】
【表５０】
波線は結合手を意味する。
【００８９】
【表５１】
波線は結合手を意味する。
【００９０】
【表５２】
波線は結合手を意味する。
【００９１】
【表５３】
波線は結合手を意味する。
【００９２】
【表５４】
波線は結合手を意味する。
【００９３】
【表５５】
波線は結合手を意味する。
【００９４】
【表５６】
波線は結合手を意味する。
【００９５】
【表５７】
波線は結合手を意味する。
【００９６】
【表５８】
波線は結合手を意味する。
【００９７】
本第２反応によって得られる化合物（４−１）の具体例としては、以下が例示される。
【００９８】
【表５９】
波線は結合手を意味する。
【００９９】
【表６０】
波線は結合手を意味する。
【０１００】
【表６１】
波線は結合手を意味する。
【０１０１】
【表６２】
波線は結合手を意味する。
【０１０２】
【表６３】
波線は結合手を意味する。
【０１０３】
【表６４】
波線は結合手を意味する。
【０１０４】
【表６５】
波線は結合手を意味する。
【０１０５】
【表６６】
波線は結合手を意味する
【０１０６】
【表６７】
波線は結合手を意味する。
【０１０７】
【表６８】
波線は結合手を意味する。
【０１０８】
【表６９】
波線は結合手を意味する。
【０１０９】
【表７０】
波線は結合手を意味する。
【０１１０】
【表７１】
波線は結合手を意味する。
【０１１１】
【表７２】
波線は結合手を意味する。
【０１１２】
【表７３】
波線は結合手を意味する。
【０１１３】
【表７４】
波線は結合手を意味する。
【０１１４】
【表７５】
波線は結合手を意味する。
【０１１５】
【表７６】
波線は結合手を意味する。
【０１１６】
【表７７】
波線は結合手を意味する。
【０１１７】
【表７８】
波線は結合手を意味する。
【０１１８】
【表７９】
波線は結合手を意味する。
【０１１９】
【表８０】
波線は結合手を意味する。
【０１２０】
【表８１】
波線は結合手を意味する。
【０１２１】
【表８２】
波線は結合手を意味する。
【０１２２】
【表８３】
波線は結合手を意味する。
【０１２３】
【表８４】
波線は結合手を意味する。
【０１２４】
【表８５】
波線は結合手を意味する。
【０１２５】
【表８６】
波線は結合手を意味する。
【０１２６】
【表８７】
【０１２７】
本第１反応に用いられる化合物（５−１）の製造法の一例として、化合物（５−１）に含まれるＲ１及びＲ２が同一種の基（以下、Ｒと記すことがある）である場合の製造法としては、例えば、式（６−１）
（式中、Ｒは、Ｒ１及びＲ２と同じ意味を表し、Ｘはハロゲン原子、好ましくは臭素原子を表す。）
で表される化合物を用いて、いわゆる、グラーゼル反応（Glaser Reaction）、エグリントンカップリング（Eglinton Coupling）又はヘイカップリング（Hay Coupling、好ましくは、ヨウ化銅などの銅化合物を用いるヘイカップリング）によって調製することができる。
ヘイカップリングは、例えば、下記に示すように、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（TMEDA）及びヨウ化銅などの銅化合物の存在下で行うことができる。
式（６−１）の化合物は、例えば、置換基Ｒを有するアニリンをＮ−ブロモコハク酸イミド等でアミノ基のα位をブロモ化し、得られた化合物のアミノ基をザンドマイヤー反応（Sandmeyer Reaction）等でヨード基に変換し、得られたヨード基含有化合物のヨード基を薗頭クロスカップリング反応等のエチニル化反応でエチニル化する方法等が挙げられる。
【０１２８】
前記式（６−１）で示される化合物の具体例を次の表に例示する。
【０１２９】
【表８８】
波線は結合手を意味する。
【０１３０】
【表８９】
波線は結合手を意味する。
【０１３１】
【表９０】
波線は結合手を意味する。
【０１３２】
【表９１】
波線は結合手を意味する。
【０１３３】
【表９２】
波線は結合手を意味する。
【０１３４】
【表９３】
波線は結合手を意味する。
【０１３５】
【表９４】
波線は結合手を意味する。
【０１３６】
【表９５】
波線は結合手を意味する
【０１３７】
【表９６】
波線は結合手を意味する。
【０１３８】
【表９７】
波線は結合手を意味する。
【０１３９】
【表９８】
波線は結合手を意味する。
【０１４０】
【表９９】
波線は結合手を意味する。
【０１４１】
【表１００】
波線は結合手を意味する。
【０１４２】
【表１０１】
波線は結合手を意味する。
【０１４３】
【表１０２】
波線は結合手を意味する。
【０１４４】
【表１０３】
波線は結合手を意味する。
【０１４５】
【表１０４】
波線は結合手を意味する。
【０１４６】
【表１０５】
波線は結合手を意味する。
【０１４７】
【表１０６】
波線は結合手を意味する。
【０１４８】
【表１０７】
波線は結合手を意味する。
【０１４９】
【表１０８】
波線は結合手を意味する。
【０１５０】
化合物（１）に含まれるＲ１及びＲ２が同一種の基または異種の基である場合の製造法としては、例えば、非特許文献１（Advanced Materials, 19, 3008-3011(2007)）に記載の方法に準じて製造する方法を挙げることができる。すなわち、下記式に示すように、Ｒ１またはＲ２を有するベンゾ［ｂ］チオフェンを臭素で臭素化した後、得られた臭素化体にリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）を作用させ、次いで、塩化銅でカップリング反応させ、続いて、得られたカップリング体にブチルリチウム（ＢｕＬｉ）およびビス（フェニルスルフォニル）スルフィド（（Ｃ６Ｈ５ＳＯ２）２Ｓ）を作用させて化合物（１）を製造する方法等である。
【０１５１】
本発明の化合物（１）は有機半導体活性層に使用し得る材料（以下、かかる材料を有機半導体材料と記すことがある）である。さらに、化合物（１）は有機溶媒に可溶な有機半導体材料である。化合物（１）を溶解する有機溶媒としては、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ｏ-ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒、例えばジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１’，２，２’−テトラクロロエタン、四塩化炭素等のハロゲン化脂肪族炭化水素溶媒、例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル溶媒、例えばペンタン、ヘキサン、ペンタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素溶媒等を挙げることができる。好ましくは、トルエン、キシレン、ｏ-ジクロロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ヘキサン等が挙げられる。有機溶媒は２種以上を混合溶媒にして用いることもできる。
化合物（１）を溶解した溶液における化合物（１）の濃度としては、例えば、０．００１〜５０質量％の範囲をあげることができ、好ましくは０．０１〜１０質量％、より好ましくは０．１〜５質量％等が挙げられる。
【０１５２】
次に、本発明の薄膜及び有機半導体デバイスについて説明する。
本発明の薄膜は、化合物（１）を含有する。該薄膜は高いキャリア移動度を示すことから、該薄膜を有機半導体活性層として有する有機半導体デバイスの材料として好適である。
また、本発明の有機半導体デバイスは、本発明の薄膜を含有するものである。本発明の有機半導体デバイスとしては、例えば、有機トラジスタ、電界発光素子、太陽電池等を挙げることができる。また、本発明の有機トランジスタは、例えば、電子ペーパー、フレキシブルディスプレイ、ＩＣタグ、及びセンサ等に使用可能である。
【０１５３】
本発明の薄膜の形成方法としては、例えば、塗布成膜加工を挙げることができる。ここで、塗布成膜加工とは、前述したように、化合物（１）を溶媒に溶解し、得られた溶液を基板もしくは絶縁体層に塗布する工程を有する成膜加工を意味する。
塗布の方法としては、キャスティング法、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法などが挙げられる。これらの手法は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせてもよい。
【０１５４】
化合物（１）及び有機溶媒を含む溶液には、化合物（１）を単独で使用してもよいし、後述する薄膜（有機半導体活性層）のキャリア移動度を著しく損なわない範囲であれば、酸化防止剤、安定剤、化合物（１）とは異なる有機半導体材料、有機絶縁性材料などと混合してもよい。
化合物（１）とは異なる有機半導体材料としては、低分子材料でもよく、高分子材料でもよい。高分子材料は、高分子を架橋反応させたものであってもよい。好ましくは、高分子材料が挙げられる。具体例としては、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリフェニレン及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリトリアリールアミン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、テトラセン及びその誘導体、ペンタセン及びその誘導体、フタロシアニン及びその誘導体などが挙げられる。本発明の薄膜において、化合物（１）とは異なる有機半導体材料と化合物（１）との合計１００質量％に対する化合物（１）の含有量は、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。
【０１５５】
該有機絶縁性材料としては、低分子材料でもよい。高分子材料は、高分子を架橋反応がさせたものであってもよい。好ましくは、高分子材料が挙げられる。具体例としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィンコポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール系樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及び各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマーなどが挙げられる。本発明の薄膜において、有機絶縁性材料と化合物（１）との合計１００質量％に対する化合物（１）の含有量は、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。
なお、該溶液組成物の調製は、溶媒に化合物（１）を、例えば、１０〜２００℃、好ましくは２０〜１５０℃程度で溶解することで得ることができる。
【０１５６】
かくして得られる化合物（１）及び有機溶媒を含む溶液を、基板又は絶縁層に塗布して塗布膜を形成せしめた後、該塗布膜に含有されている溶媒を除去することで、基板上又は絶縁層上に薄膜が形成される。この有機溶媒の除去には自然乾燥処理、加熱処理、減圧処理、通風処理又はこれらを組み合わせた処理が採用されるが、操作が簡便である点で自然乾燥処理もしくは加熱処理が好ましい。この処理に係わる条件を簡単に記載すると、大気下で放置もしくはホットプレートで基板加熱（例えば、４０〜２５０℃、好ましくは、５０〜２００℃）という条件が挙げられる。
【０１５７】
本発明の薄膜は、化合物（１）が溶媒に分散している分散液を用いて塗布成膜加工により薄膜を形成することもできる。この場合は、上述の塗布成膜加工において、溶液を該分散液に読み替えれば容易に実施可能である。この場合、溶媒は前記有機溶媒に加え、水であってもよい。
このように、本発明の薄膜は、上記の塗布成膜加工等の簡便な方法により形成することができる。
【０１５８】
本発明の薄膜を形成する方法の異なる例示として、化合物（１）を、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、分子線エピタキシャル成長法などの真空プロセスに供して薄膜を形成する方法を挙げることができる。
【０１５９】
真空蒸着法による薄膜の形成方法は、化合物（１）、必要に応じて他の有機半導体材料をルツボや金属ボート中で真空下、加熱し、蒸発した化合物（１）等の有機半導体材料を基板もしくは絶縁体材料に蒸着させる方法である。蒸着時の真空度は、通常１×１０−１Ｐａ以下、好ましくは１×１０−３Ｐａ以下である。蒸着時の基板温度は通常０℃〜３００℃、好ましくは２０℃〜２００℃である。蒸着速度は、例えば、０．００１ｎｍ／ｓｅｃ〜１０ｎｍ／ｓｅｃの範囲等を挙げることができ、好ましくは０．０１ｎｍ／ｓｅｃ〜１ｎｍ／ｓｅｃの範囲である。
【０１６０】
上記塗布成膜加工又は上記真空プロセスにより得られる化合物（１）を含有する薄膜の膜厚は、たとえば有機トランジスタの素子構造により適宜調節することができるが、好ましくは１ｎｍ〜１０μｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１μｍである。
【０１６１】
本発明の有機トランジスタとしては、例えば、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）が挙げられる。
該有機電界効果トランジスタの構造は、通常、ソース電極及びドレイン電極が本発明の薄膜からなる有機半導体活性層に接して設けられており、さらに有機半導体活性層に接した絶縁層（誘電体層）を挟んでゲート電極が設けられていればよい。その素子構造としては、例えば、
(１)基板／ゲート電極／絶縁体層／ソース電極・ドレイン電極／有機半導体活性層 という構造、
(２)基板／ゲート電極／絶縁体層／有機半導体活性層／ソース電極・ドレイン電極 という構造（図１参照）
(３)基板／有機半導体活性層＋ソース電極・ドレイン電極／絶縁体層／ゲート電極 という構造（図２参照）、
(４)基板／ソース電極（又はドレイン電極）／有機半導体活性層＋絶縁体層＋ゲート電極／ドレイン電極（又はソース電極）という構造などがあげられる。このとき、ソース電極，ドレイン電極， ゲート電極は、それぞれ複数設けてもよい。また、複数の有機半導体活性層を同一平面内に設けてもよいし、積層して設けてもよい。
【０１６２】
次に、本発明の有機トランジスタの他の構成成分に関し、具体例を挙げて説明する。
本発明における、有機トランジスタの作製において、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成する材料は導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、酸化モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられるが、特に、白金、金、銀、酸化モリブデン、インジウム、ＩＴＯ、炭素が好ましい。又は、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。これらの導電性材料は単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。電極の膜厚は、材料によっても異なるが、好ましくは０．１ｎｍ〜１０μｍであり、さらに好ましくは０．５ｎｍ〜５μｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜３μｍである。また、ゲート電極と基板を兼ねる場合は上記の膜厚より大きくてもよい。
【０１６３】
本発明の有機トランジスタに用いられるソース電極、ドレイン電極は、表面処理が施されていてもよい。本発明の薄膜（有機半導体活性層）と接触する電極表面に表面処理が施されていると、該薄膜を含む有機トランジスタのトランジスタ特性が向上する傾向があることから好ましい。表面処理としては、例えば、１−オクチルチオール、１−パーフルオロオクチルチオール、１−オクタデシルチオール、１−パーフルオロオクタデシルチオール等のチオール基を有する飽和炭化水素化合物、例えば、ベンゼンチオール、パーフルオロベンゼンチオール等のチオール基を有する芳香族化合物、例えば、チエニルチオール、パーフルオロチエニルチオール等のチオール基を有する複素環芳香族化合物等のチオール化合物をアルコールなどとともに溶液とし、上記電極を該溶液に浸漬処理するなどして上記電極の表面を修飾する方法等を挙げることができる。
【０１６４】
電極の形成方法としては、上記原料を用いて種々の方法で実施することができる。具体的には、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、熱転写法、印刷法、ゾルゲル法などが挙げられる。成膜時又は成膜後に、パターニングを必要に応じて行うことが好ましい。パターニングの方法としては、種々の方法を用いることができる。具体的には、フォトレジストのパターニングとエッチングを組み合わせたフォトリソグラフィー法などが挙げられる。また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷などの印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法などのソフトリソグラフィーの手法なども挙げられる。これらの手法は単独で用いてもよいし、２種類以上を混合してパターニングを行うことも可能である。
【０１６５】
絶縁体層としては種々の絶縁膜を用いることができる。該絶縁膜の材料として、無機酸化物、無機窒化物、有機化合物等を挙げることができる。
無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられ、好ましくは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。無機窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。有機化合物としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合又は光カチオン重合して得られる光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルランなどが挙げられ、好ましくは、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコールが挙げられる。これらの絶縁体層の材料は単独で使用してもよいし、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
絶縁体層の膜厚は、材料によっても異なるが、好ましくは０．１ｎｍ〜１００μｍであり、さらに好ましくは０．５ｎｍ〜５０μｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜１０μｍである。
【０１６６】
絶縁体層の形成方法としては、上記原料を用いて種々の方法で実施することができる。
具体的には、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、キャスト、バーコート、ブレードコーティング、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法、ＣＶＤ法などのドライプロセス法が挙げられる。その他、ゾルゲル法やアルミニウム上のアルマイト、シリコンの熱酸化膜のように金属上に酸化物膜を形成する方法などが挙げられる。
【０１６７】
基板の材料としては、ガラス、紙、石英、セラミック、樹脂製シートなどが挙げられる。該樹脂製シートの材質としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）などが挙げられる。基板の厚さは、好ましくは１μｍ〜１０ｍｍであり、さらに好ましくは５μｍ〜５ｍｍである。
【０１６８】
本発明の薄膜（以下、有機半導体活性層と記すことがある）と接触する絶縁体層や基板の部分において、絶縁体層や基板上に表面処理を行ってもよい。有機半導体活性層が積層される絶縁体層上に表面処理を行うことにより、有機トランジスタのトランジスタ特性を向上させることができる。表面処理としては、具体的には、ヘキサメチルジシラザン、オクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、フェネチルトリクロロシランなどによる疎水化処理、塩酸、硫酸、過酸化水素水などによる酸処理、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニアなどによるアルカリ処理、オゾン処理、フッ素化処理、酸素やアルゴンなどのプラズマ処理、ラングミュラー・ブロジェット膜の形成処理、その他の絶縁体や半導体の薄膜の形成処理、機械的処理、コロナ放電などの電気的処理、繊維などを利用したラビング処理などが挙げられる。
【０１６９】
表面処理を行う方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、印刷法、ゾルゲル法などが挙げられる。
【０１７０】
また、有機半導体活性層上に樹脂もしくは無機化合物からなる保護膜を設けてもよい。
保護膜の形成により、外気の影響を抑制してトランジスタの駆動を安定化することができる。
【０１７１】
本発明の薄膜は、化合物（１）を含有することから、高いキャリア移動度を示す。ゆえに、本発明の薄膜は、有機トランジスタにおける有機半導体活性層として有用であり、本発明の薄膜を含有する有機半導体活性層をもつ有機トランジスタは優れたトランジスタ特性を発現するものであり、有機半導体デバイスに有用なものとなる。
【実施例】
【０１７２】
以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
【０１７３】
【０１７４】
＜製造例１：式Ｃで表される化合物（４−（２−ヘキシルデシル）アニリン）の合成＞
還流管を具備した反応容器中に、切削片状のマグネシウム（０．９６ｇ、３９．６ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（５．５ｍＬ）とを混合し、該反応容器を窒素置換した後、室温（約２５℃）にて、ジブロモエタン（約０．２ｍＬ）を加えた。さらに、テトラヒドロフラン（２２ｍＬ）を加えたのち、１−ブロモ−２−ヘキシルデカン（１０．１ｇ、３３．０ｍｍｏｌ）を含むテトラヒドロフラン（６ｍＬ）溶液を滴下した。次に、反応容器内を加熱し、テトラヒドロフランを還流させ、還流下４時間、反応容器内を攪拌し、グリニャール試薬を調製した。
窒素雰囲気下の別の反応容器に、ＺｎＣｌ２を１．０ｍｏｌ／Ｌの濃度で含有するジエチルエーテル溶液（シグマアルドリッチ（株）製、３３．０ｍＬ、３３．０ｍｍｏｌ）に、室温にて、上記で得たグリニャール試薬を加え、２時間３０分間攪拌し、グリニャール試薬のマクネシウムが亜鉛にトランスメタル化されたもの（以下、亜鉛試薬と記すことがある）を調製した。該亜鉛試薬をＳｙｎｔｈｅｓｉｓ、Ｖｏｌ．５，Ｐ．８９０，（２００６）に準じて滴定したところ、０．２０４ｍｏｌ／Ｌであった。
窒素を流通させた反応容器に、４−ブロモアニリン（関東化学（株）製、３．３７ｇ、１９．６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（０．０４４ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（０．１６ｇ、０．３９ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン（３０ｍＬ）を混合し、得られた混合液に、室温下、該亜鉛試薬（９６ｍＬ、１９．６ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１３時間３０分間攪拌した。得られた反応溶液に、塩化アンモニウム水溶液及びジエチルエーテルを加えて攪拌し、有機層と水層とに分液した。得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）によって精製することにより、式Ｃで表される化合物（４−（２−ヘキシルデシル）アニリン）を得た。（５．５７ｇ、１７．５ｍｍｏｌ、収率８９％）
式Ｃで表される化合物の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：６．９２（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、６．６１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、３．５３（ｓ，２Ｈ）、２．４１（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、１．５６−１．４７（ｍ、１Ｈ）、１．３５−１．１５（ｍ、２４Ｈ）、０．９０−０．８５（ｍ、６Ｈ）
式Ｃで表される化合物のＨＲＭＳ（ＥＩ）：３１７．３０７１（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２２Ｈ３９Ｎ１：３１７．３０８３．
【０１７５】
＜製造例２：式Ｄで表される化合物（１−ヨード−４−（２−ヘキシルデシル）ベンゼン）の合成＞
前項に準じて調製された４−（２−ヘキシルデシル）アニリン（８．０ｇ、２５．２ｍｍｏｌ）とアセト二トリル１７６ｍＬとの混合液に、室温下、塩酸（２Ｍ：１７６ｍＬ）を加えた後、−２〜０℃に冷却した。亜硫酸ナトリウム（２．２６ｇ、３２．８ｍｍｏｌ）水溶液（水２５ｍＬ）を上記混合液に滴下し、さらに、−２〜０℃にて２時間攪拌した。得られた反応溶液にヨウ化カリウム（４１．８ｇ、２５１．９ｍｍｏｌ）を加えた後、室温まで昇温し、室温下でさらに１６時間攪拌した。その後、室温下、この反応溶液に、亜硫酸ナトリウム水溶液及び酢酸エチルを混合し、有機層と水層とに分液した。得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルカラム（展開溶媒；ヘキサン）によって精製することにより、式Ｄで表される化合物（１−ヨード−４−（２−ヘキシルデシル）ベンゼン）を得た。（９．７０ｇ、２２．６ｍｍｏｌ、収率９０％）
式Ｄで表される化合物の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．５７（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、６．８９（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、２．４６（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、１．６０−１．５０（ｍ、１Ｈ）、１．３３−１．１６（ｍ、２４Ｈ）、０．９１−０．８５（ｍ、６Ｈ）
式Ｄで表される化合物のＨＲＭＳ（ＥＩ）：４２８．１９０１（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２２Ｈ３７Ｉ１：４２８．１９４０．
【０１７６】
＜製造例３：式Ｆで表される化合物（４−アミノ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル）の合成＞
前項で得られた式Ｄで表される化合物（１．０ｇ、２．３３ｍｍｏｌ）、式Ｅで表される４−アミノフェニルボロン酸ピナコールエステル（東京化成工業（株）製、０．７１６ｇ、３．２７ｍｍｏｌ）、２．０Ｍの炭酸カリウム水溶液（５．８ｍＬ）及びジオキサン（２００ｍＬ）の混合液を３０分間窒素バブリングした後、該混合液に、室温下、酢酸パラジウム（０．０２６ｇ、０．１１６ｍｍｏｌ）および２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（０．０９６ｇ、０．２３４ｍｍｏｌ）を加えた後、ジオキサンが還流するまで加熱し、さらに、６．５時間還流させた。その後、反応溶液を室温に冷却し、この反応溶液に、塩化アンモニウム水溶液及び酢酸エチルを混合し、有機層と水層とに分液した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて濃縮した。得られた濃縮物ををシリカゲルカラム（展開溶媒；クロロホルム）によって精製することにより、式Ｆで表される化合物（４−アミノ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル）０．７６８ｇ（１．９５ｍｍｏｌ、収率８４％）を得た。
式Ｆで表される化合物の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．４４（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．４１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．１６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、６．７５（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、３．６９（ｓ，２Ｈ）、２．５３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ）、１．６８−１．５８（ｍ、１Ｈ）、１．３６−１．１９（ｍ，２４Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ）
式Ｆで表される化合物のＨＲＭＳ（ＥＩ）：３９３．３３９１（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２８Ｈ４３Ｎ１：３９３．３３９６．
【０１７７】
＜製造例４：式Ｇで表される化合物（４−アミノ−３−ブロモ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル）の合成＞
前項と同様に調製された式Ｆで表される化合物（４−アミノ−３−ブロモ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル）５．３０ｇ（１３．４６ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（０．１０４ｇ、１．３５ｍｍｏｌ）及びアセト二トリル８１ｍＬの混合物を０℃に冷却し、Ｎ−ブロモコハク酸イミド（２．５２ｇ、１４．１ｍｍｏｌ）を加えた。次に、室温まで昇温した後、さらに２時間攪拌した。得られた反応溶液に、水及び酢酸エチルを混合し、有機層と水層とに分液した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルカラム（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝１：１）によって精製することにより、４−アミノ−３−ブロモ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニルを得た。（５．０１ｇ、１０．６ｍｍｏｌ、収率７９％）
式Ｇで表される化合物の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．６６（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．４０（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．３５（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２．１Ｈｚ，１Ｈ）、７．１６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、６．８２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ）、４．１１（ｓ，２Ｈ）、２．５４（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ）、１．６８−１．５８（ｍ、１Ｈ）、１．３４−１．１８（ｍ，２４Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ）
式Ｇで表される化合物のＭＳ：４７１（Ｍ＋）．
【０１７８】
＜製造例５：式Ｈで表される化合物（化合物Ｈ）の合成＞
４−アミノ−３−ブロモ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル（４．０ｇ、８．５ｍｍｏｌ）、アセト二トリル（５９ｍＬ）及び塩酸水溶液（２Ｍ：５９．３ｍＬ）を混合し、０℃まで冷却した。冷却された混合液に、亜硝酸ナトリウム（０．７６ｇ、１１．０ｍｍｏｌ）水溶液（水１２ｍＬ）を滴下し、０〜１℃にて２時間攪拌し、続いて、同温度にてヨウ化カリウム（１４．１ｇ、８４．６ｍｍｏｌ）を加えた後、室温（約２５℃）まで昇温させ、室温にて１８時間攪拌した。室温下、得られた溶液を亜硫酸ナトリウム水溶液に注ぎ込み、酢酸エチルを加え、水および飽和食塩水により洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて濃縮することにより粗生成物を得た。これをシリカゲルカラム（展開溶媒；ヘキサン）によって精製することにより、３−ブロモ−４−ヨード−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル（化合物Ｈ、３．０６ｇ、５．２４ｍｍｏｌ、収率６２％）を得た。
化合物Ｈの物性は以下のとおりであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ）、７．８５（ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１Ｈ）、７．４４（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．２３−７．２０（ｍ，３Ｈ）、２．５６（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ）、１．６７−１．５９（ｍ、１Ｈ）、１．３２−１．２１（ｍ，２４Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：５８２．１３４８（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２８Ｈ４０Ｂｒ１Ｉ１：５８２．１３５８．
【０１７９】
＜製造例６：式Ｉで表される化合物（化合物Ｉ）の合成＞
室温下、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．０２４ｇ、０．０３４ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（０．０１３ｇ、０．０７ｍｍｏｌ）、３−ブロモ−４−ヨード−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル（化合物Ｈ、２．６７ｇ、４．５８ｍｍｏｌ）、トルエン（１４ｍＬ）およびジイソプロピルアミン（１４ｍＬ）の混合物を２０分間窒素バブリングして脱気し、続いて、トリメチルシリルアセチレン（０．３６ｇ、３．７ｍｍｏｌ）のジイソプロピルアミン（５ｍＬ）溶液を室温にて滴下し、室温にてさらに３時間攪拌した。得られた反応混合物をセライトでろ過し、得られた濾液をエバポレーターにより溶媒を留去し、粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）により精製することにより３−ブロモ−４−エチニルトリメチルシリル−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニルを得た（化合物Ｉ １．９２ｇ、３．４７ｍｍｏｌ、７６％）。
化合物Ｊの物性は以下のとおり。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８２（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．５３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）、７．４８−７．４５（ｍ，３Ｈ）、７．２１（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）、２．５６（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ）、１．６８−１．５９（ｍ、１Ｈ）、１．３４−１．２１（ｍ，２４Ｈ）、０．９０−０．８５（ｍ，６Ｈ）、０．２９（ｓ，９Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：５５２．２７９８（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ３３Ｈ４９Ｂｒ１Ｓｉ１：５５２．２７８７．
【０１８０】
＜製造例７：式Ｊで表される化合物（化合物Ｊ）の合成＞
窒素気流下、３−ブロモ−４−エチニルトリメチルシリル−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル（化合物Ｉ、２．４３ｇ、４．３９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（１２ｍＬ）およびメタノール（１２ｍＬ）に溶解させた。得られた溶解液に、室温にて炭酸カリウム（０．０６１ｇ、０．４３９ｍｍｏｌ）を加え、さらに１５時間３０分攪拌した。得られた反応生成物からエバポレーターにより溶媒を留去し、粗生成物を得た。粗生成物に飽和塩化アンモニウム水溶液およびエーテルを加え、分液した。得られた有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、エバポレーターでエーテルを留去することにより、３−ブロモ−４−エチニル−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニルを得た（化合物Ｊ、２．１１ｇ、４．３８ｍｍｏｌ、収率９９％）。
化合物Ｊの物性は以下のとおり。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８３（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．５７（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）、７．４９（ｄｄ，Ｊ＝７．８，１．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．４７（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．２２（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、３．４１（ｓ、１Ｈ）、２．５７（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ）、１．６７−１．５９（ｍ，１Ｈ）、１．３１−１．２１（ｍ，２４Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：４８０．２３８５（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ３０Ｈ４１Ｂｒ１：４８０．２３９２．
【０１８１】
＜製造例８：式Ｋで表される化合物（化合物Ｋ）の合成＞
テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ、０．０６ｍＬ、０．４２ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（０．０４ｇ、０．２０８ｍｍｏｌ）及びアセトンを含む溶液（１６ｍＬ）を室温にて、空気でバブリングし、バブリングしている該溶液に、３−ブロモ−４−エチニル−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル（化合物Ｊ、２．０ｇ、４．２ｍｍｏｌ）を含むアセトン溶液（２ｍL）を滴下した。続いて、室温にて空気バブリングしながら、さらに１８時間攪拌した。得られた反応溶液からエバポレーターにて溶媒を留去し、得られた残渣に１Ｍ塩酸及びヘキサンを加えた。得られたヘキサン層を水および飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ヘキサンを留去し粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）にて精製することで、式Ｋで表される化合物（化合物Ｋ）の白色粉末 １．８５ｇ（１．９２ｍｍｏｌ、収率９３％）を得た。白色粉末の物性は以下のとおりであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８５（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，２Ｈ）、７．６２（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．５２（ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．５Ｈｚ，２Ｈ）、７．４８（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ）、７．２３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ）、２．５７（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，４Ｈ）、１．６９−１．５９（ｍ、２Ｈ）、１．３６−１．２０（ｍ，４８Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１２Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：９５８．４５６３（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ６０Ｈ８０Ｂｒ２：９５８．４６２７．
【０１８２】
＜製造例９：式Ｌで表される化合物（化合物Ｌ）の合成＞
窒素雰囲気下、製造例８で得られた化合物Ｋ（２００ｍｇ、０．２０８ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン（５ｍＬ）を混合し、−７８℃まで冷却した。同温度にて得られた混合液にｔ−ＢｕＬｉを１．５９Ｍ含むペンタン溶液を０．５８ｍＬ（ｔ−ＢｕＬｉとして０．９１６ｍｍｏｌ）を滴下し、同温度にてさらに１時間攪拌し、続いて、硫黄粉末（２９ｍｇ、０．９１６ｍｍｏｌ）を加えた後、同温度にて５分間攪拌した。その後、緩やかに室温まで昇温しそのまま２時間攪拌した。別途、窒素バブリングした１M水酸化ナトリウム水溶液（１０ｍL）とＫ３Ｆｅ（ＣＮ）６（０．４１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）とを、得られた反応溶液に加えて攪拌した後、分液し、得られた有機層をエバポレーターにより濃縮した。濃縮残渣を水および飽和食塩水で洗浄し、クロロホルムにより抽出、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレーターにより溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）にて精製することにより、式Ｌで表される化合物を９１ｍｇ（化合物Ｌ、０．０９８ｍｍｏｌ、４７％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：８．０５（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，２Ｈ）、７．８５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．７２（ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．５Ｈｚ，２Ｈ）、７．５９（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ）、７．２６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ）、２．５９（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，４Ｈ）、１．７１−１．６３（ｍ，２Ｈ）、１．３３−１．２４（ｍ，４８Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１２Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：９２８．５１３６（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ６０Ｈ８０Ｓ４：９２８．５１４３．
【０１８３】
＜実施例１：式Ｍで表される化合物（化合物Ｍ）の合成＞
窒素雰囲気下、化合物Ｌ（８２ｍｇ、０．０８８ｍｍｏｌ）、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）（２７ｍｇ、０．１４５ｍｍｏｌ）およびトリフェニルホスフィン（５１ｍｇ、０．１９ｍｍｏｌ）にトルエン（６ｍｌ）加え、室温にて１時間攪拌した。得られた反応溶液を１２０℃まで昇温し、同温度にて１０時間攪拌した後、室温まで冷却し、冷却液をセライト濾過した。トルエンを用いてセライトを洗浄し、ろ液をエバポレーターにて濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）にて精製することにより、式Ｍで表される化合物（化合物Ｍ、５１ｍｇ、０．０５７ｍｍｏｌ、６５％）を得た。化合物Ｍの物性は以下のとおりであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：８．１１（ｄ，Ｊ＝０．９Ｈｚ，２Ｈ）、７．９３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．７１（ｄｄ，Ｊ＝８．４，１．５Ｈｚ，２Ｈ）、７．６０（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ）、７．２６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ）、２．５９（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，４Ｈ）、１．７１−１．６２（ｍ、２Ｈ）、１．３３−１．２１（ｍ，４８Ｈ）、０．９０−０．８６（ｍ，１２Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：８９６．５４２３（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ６０Ｈ８０Ｓ３：８９６．５４２２．
【０１８４】
＜実施例２：薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例１＞
実施例１で製造される化合物Ｍをｏ−キシレンに溶解して、化合物Ｍの濃度が０．３重量％の有機溶液を調製する。
フェネチルトリクロロシラン処理が行われているＳｉＯ２熱酸化膜付きｎドープシリコンウエハー上に、有機溶液を滴下してスピンコート法により化合物Ｍからなる薄膜を形成する。
続いて、ソース電極及びドレイン電極を形成するための金属マスクを有機半導体層の面に置き、膜厚４０ｎｍの金の層を真空蒸着により該有機半導体層上に成膜して、ソース電極及びドレイン電極を形成し、図２に示すような有機トランジスタを製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１８５】
本発明によれば、新規な有機半導体材料が提供可能である。
【符号の説明】
【０１８６】
１１ 基板
１２ ゲート電極
１３ ゲート絶縁膜
１４ ソース電極
１５ ドレイン電極
１６ 有機半導体活性層
２１ 基板
２２ ソース電極
２３ ドレイン電極
２４ ゲート絶縁膜
２５ ゲート電極
２６ 有機半導体活性層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、置換ベンゾカルコゲノアセン化合物等に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体デバイスの１種である有機トランジスタは、電子ペーパー、大画面フラットパネルディスプレイ等の素子として用いられる。このような有機トランジスタは、有機半導体活性層、基板、絶縁層、電極等の部材から構成されている。有機半導体活性層を与える化合物としては、特許文献１に、ペンタセンが記載されており、ペンタセンを真空蒸着して得られた薄膜を有機半導体活性層に用いることも知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−８５２５０号公報（実施例１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような状況下、有機半導体活性層の薄膜を与え得る新規な化合物が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
かかる課題を解決するために、本発明者は鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。
＜１＞ 式（１）
（式中、Ｅはそれぞれ独立に、硫黄またはセレン原子を表す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基を表す。前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基の合計炭素数は９〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基は、置換基を有していてもよい。前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基の合計炭素数は７〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基を表す。）
で表される置換ベンゾカルコゲノアセン化合物。
＜２＞ 式（１）におけるＥが、全て硫黄原子であることを特徴とする＜１＞記載の化合物。
＜３＞ 式（１）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、水素原子であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞記載の化合物。
＜４＞ 式（１）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞記載の化合物。
【０００６】
＜５＞ 式（１）で表される化合物が、式（２）
（式中、Ｅ、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物であることを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれか記載の化合物。
＜６＞式（２）におけるＥが、全て硫黄であることを特徴とする＜５＞記載の化合物。
＜７＞ 式（２）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、水素原子であることを特徴とする＜５＞又は＜６＞記載の化合物。
＜８＞ 式（２）におけるＲ１及びＲ２が、いずれも前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基であることを特徴とする＜５＞又は＜６＞記載の化合物。
【０００７】
＜９＞ ＜１＞〜＜８＞のいずれか記載の化合物を含有する薄膜。
＜１０＞ ＜１＞〜＜８＞のいずれか記載の化合物からなる薄膜。
＜１１＞ ＜９＞又は＜１０＞記載の薄膜を含有する有機半導体デバイス。
＜１２＞ ＜９＞又は＜１０＞記載の薄膜を含有する有機トランジスタ。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、有機半導体活性層を与え得る新規な化合物が提供可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明における有機トランジスタの一つの態様を説明する断面図である。
【図２】本発明における有機トランジスタの一つの態様を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、式（１）
で表される置換ベンゾカルコゲノアセン化合物（以下、化合物（１）と記すことがある）である。
式（１）におけるＥは、それぞれ独立に、硫黄またはセレン原子を表す。
【００１１】
式（１）におけるＲ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、分岐状のアルキル基を有するアリール基（以下、分岐アルキル置換アリール基と記すことがある）、又は、分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基（以下、分岐アルキル置換ヘテロアリール基と記すことがある）を表す。
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、分岐アルキル置換アリール基、又は、分岐アルキル置換ヘテロアリール基である。
分岐アルキル置換アリール基及び分岐アルキル置換ヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。
分岐アルキル置換アリール基の合計炭素数は置換基を含めて９〜３０であり、分岐アルキル置換ヘテロアリール基の合計炭素数は置換基を含めて７〜３０である。
【００１２】
分岐アルキル置換アリール基及び分岐アルキル置換ヘテロアリール基に含まれる分岐状のアルキル基としては、例えば、ｉ−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、１−メチルペンチル基、１−メチルヘキシル基、１−メチルヘプチル基、１−メチルオクチル基、１−メチルノニル基、１−メチルデシル基、１−メチルウンデシル基、１−メチルドデシル基、１−メチルトリデシル基、１−メチルテトラデシル基、１−メチルペンタデシル基、１−メチルヘキサデシル基、１−メチルヘプタデシル基、１−メチルオクタデシル基、１−メチルノナデシル基、１−メチルイコシル基、１−エチルプロピル基、１−エチルブチル基、１−エチルペンチル基、１−エチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−エチルオクチル基、１−エチルノニル基、１−エチルデシル基、１−エチルウンデシル基、１−エチルドデシル基、１−エチルトリデシル基、１−エチルテトラデシル基、１−エチルペンタデシル基、１−エチルヘキサデシル基、１−エチルヘプタデシル基、１−エチルオクタデシル基、１−エチルノナデシル基、１−エチルイコシル基、１−プロピルブチル基、１−プロピルペンチル基、１−プロピルヘキシル基、１−プロピルヘプチル基、１−プロピルオクチル基、１−プロピルノニル基、１−プロピルデシル基、１−プロピルウンデシル基、１−プロピルドデシル基、１−プロピルトリデシル基、１−プロピルテトラデシル基、１−プロピルペンタデシル基、１−プロピルヘキサデシル基、１−プロピルヘプタデシル基、１−プロピルオクタデシル基、１−プロピルノナデシル基、１−プロピルイコシル基、１−ブチルペンチル基、１−ブチルヘキシル基、１−ブチルヘプチル基、１−ブチルオクチル基、１−ブチルノニル基、１−ブチルデシル基、１−ブチルウンデシル基、１−ブチルドデシル基、１−ブチルトリデシル基、１−ブチルテトラデシル基、１−ブチルペンタデシル基、１−ブチルヘキサデシル基、１−ブチルヘプタデシル基、１−ブチルオクタデシル基、１−ブチルノナデシル基、１−ブチルイコシル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ペンチルヘプチル基、１−ペンチルオクチル基、１−ペンチルノニル基、１−ペンチルデシル基、１−ペンチルウンデシル基、１−ペンチルドデシル基、１−ペンチルトリデシル基、１−ペンチルテトラデシル基、１−ペンチルペンタデシル基、１−ペンチルヘキサデシル基、１−ペンチルヘプタデシル基、１−ペンチルオクタデシル基、１−ペンチルノナデシル基、１−ペンチルイコシル基、１−ヘキシルヘプチル基、１−ヘキシルオクチル基、１−ヘキシルノニル基、１−ヘキシルデシル基、１−ヘキシルウンデシル基、１−ヘキシルドデシル基、１−ヘキシルトリデシル基、１−ヘキシルテトラデシル基、１−ヘキシルペンタデシル基、１−ヘキシルヘキサデシル基、１−ヘキシルヘプタデシル基、１−ヘキシルオクタデシル基、１−ヘキシルノナデシル基、１−ヘキシルイコシル基、
【００１３】
２−メチルブチル基、２−メチルペンチル基、２−メチルヘキシル基、２−メチルヘプチル基、２−メチルオクチル基、２−メチルノニル基、２−メチルデシル基、２−メチルウンデシル基、２−メチルドデシル基、２−メチルトリデシル基、２−メチルテトラデシル基、２−メチルペンタデシル基、２−メチルヘキサデシル基、２−メチルヘプタデシル基、２−メチルオクタデシル基、２−メチルノナデシル基、２−メチルイコシル基、
２−エチルブチル基、２−エチルペンチル基、２−エチルヘキシル基、２−エチルヘプチル基、２−エチルオクチル基、２−エチルノニル基、２−エチルデシル基、２−エチルウンデシル基、２−エチルドデシル基、２−エチルトリデシル基、２−エチルテトラデシル基、２−エチルペンタデシル基、２−エチルヘキサデシル基、２−エチルヘプタデシル基、２−エチルオクタデシル基、２−エチルノナデシル基、２−エチルイコシル基、２−プロピルペンチル基、２−プロピルヘキシル基、２−プロピルヘプチル基、２−プロピルオクチル基、２−プロピルノニル基、２−プロピルデシル基、２−プロピルウンデシル基、２−プロピルドデシル基、２−プロピルトリデシル基、２−プロピルテトラデシル基、２−プロピルペンタデシル基、２−プロピルヘキサデシル基、２−プロピルヘプタデシル基、２−プロピルオクタデシル基、２−プロピルノナデシル基、２−プロピルイコシル基、
２−ブチルヘキシル基、２−ブチルヘプチル基、２−ブチルオクチル基、２−ブチルノニル基、２−ブチルデシル基、２−ブチルウンデシル基、２−ブチルドデシル基、２−ブチルトリデシル基、２−ブチルテトラデシル基、２−ブチルペンタデシル基、２−ブチルヘキサデシル基、２−ブチルヘプタデシル基、２−ブチルオクタデシル基、２−ブチルノナデシル基、２−ブチルイコシル基、２−ペンチルヘプチル基、２−ペンチルオクチル基、２−ペンチルノニル基、２−ペンチルデシル基、２−ペンチルウンデシル基、２−ペンチルドデシル基、２−ペンチルトリデシル基、２−ペンチルテトラデシル基、２−ペンチルペンタデシル基、２−ペンチルヘキサデシル基、２−ペンチルヘプタデシル基、２−ペンチルオクタデシル基、２−ペンチルノナデシル基、２−ペンチルイコシル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルノニル基、２−ヘキシルデシル基、２−ヘキシルウンデシル基、２−ヘキシルドデシル基、２−ヘキシルトリデシル基、２−ヘキシルテトラデシル基、２−ヘキシルペンタデシル基、２−ヘキシルヘキサデシル基、２−ヘキシルヘプタデシル基、２−ヘキシルオクタデシル基、２−ヘキシルノナデシル基、２−ヘキシルイコシル基、
【００１４】
３−メチルブチル基、３−メチルペンチル基、３−メチルヘキシル基、３−メチルヘプチル基、３−メチルオクチル基、３−メチルノニル基、３−メチルデシル基、３−メチルウンデシル基、３−メチルドデシル基、３−メチルトリデシル基、３−メチルテトラデシル基、３−メチルペンタデシル基、３−メチルヘキサデシル基、３−メチルヘプタデシル基、３−メチルオクタデシル基、３−メチルノナデシル基、３−メチルイコシル基、３−エチルペンチル基、３−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、３−エチルオクチル基、３−エチルノニル基、３−エチルデシル基、３−エチルウンデシル基、３−エチルドデシル基、３−エチルトリデシル基、３−エチルテトラデシル基、３−エチルペンタデシル基、３−エチルヘキサデシル基、３−エチルヘプタデシル基、３−エチルオクタデシル基、３−エチルノナデシル基、３−エチルイコシル基、３−プロピルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、３−プロピルオクチル基、３−プロピルノニル基、３−プロピルデシル基、３−プロピルウンデシル基、３−プロピルドデシル基、３−プロピルトリデシル基、３−プロピルテトラデシル基、３−プロピルペンタデシル基、３−プロピルヘキサデシル基、３−プロピルヘプタデシル基、３−プロピルオクタデシル基、３−プロピルノナデシル基、３−プロピルイコシル基、３−ブチルヘプチル基、３−ブチルオクチル基、３−ブチルノニル基、３−ブチルデシル基、３−ブチルウンデシル基、３−ブチルドデシル基、３−ブチルトリデシル基、３−ブチルテトラデシル基、３−ブチルペンタデシル基、３−ブチルヘキサデシル基、３−ブチルヘプタデシル基、３−ブチルオクタデシル基、３−ブチルノナデシル基、３−ブチルイコシル基、３−ペンチルオクチル基、３−ペンチルノニル基、３−ペンチルデシル基、３−ペンチルウンデシル基、３−ペンチルドデシル基、３−ペンチルトリデシル基、３−ペンチルテトラデシル基、３−ペンチルペンタデシル基、３−ペンチルヘキサデシル基、３−ペンチルヘプタデシル基、３−ペンチルオクタデシル基、３−ペンチルノナデシル基、３−ペンチルイコシル基、３−ヘキシルノニル基、３−ヘキシルデシル基、３−ヘキシルウンデシル基、３−ヘキシルドデシル基、３−ヘキシルトリデシル基、３−ヘキシルテトラデシル基、３−ヘキシルペンタデシル基、３−ヘキシルヘキサデシル基、３−ヘキシルヘプタデシル基、３−ヘキシルオクタデシル基、３−ヘキシルノナデシル基、３−ヘキシルイコシル基、
【００１５】
４−メチルペンチル基、４−メチルヘキシル基、４−メチルヘプチル基、４−メチルオクチル基、４−メチルノニル基、４−メチルデシル基、４−メチルウンデシル基、４−メチルドデシル基、４−メチルトリデシル基、４−メチルテトラデシル基、４−メチルペンタデシル基、４−メチルヘキサデシル基、４−メチルヘプタデシル基、４−メチルオクタデシル基、４−メチルノナデシル基、４−メチルイコシル基、４−エチルヘキシル基、４−エチルヘプチル基、４−エチルオクチル基、４−エチルノニル基、４−エチルデシル基、４−エチルウンデシル基、４−エチルドデシル基、４−エチルトリデシル基、４−エチルテトラデシル基、４−エチルペンタデシル基、４−エチルヘキサデシル基、４−エチルヘプタデシル基、４−エチルオクタデシル基、４−エチルノナデシル基、４−エチルイコシル基、４−プロピルヘプチル基、４−プロピルオクチル基、４−プロピルノニル基、４−プロピルデシル基、４−プロピルウンデシル基、４−プロピルドデシル基、４−プロピルトリデシル基、４−プロピルテトラデシル基、４−プロピルペンタデシル基、４−プロピルヘキサデシル基、４−プロピルヘプタデシル基、４−プロピルオクタデシル基、４−プロピルノナデシル基、４−プロピルイコシル基、４−ブチルオクチル基、４−ブチルノニル基、４−ブチルデシル基、４−ブチルウンデシル基、４−ブチルドデシル基、４−ブチルトリデシル基、４−ブチルテトラデシル基、４−ブチルペンタデシル基、４−ブチルヘキサデシル基、４−ブチルヘプタデシル基、４−ブチルオクタデシル基、４−ブチルノナデシル基、４−ブチルイコシル基、４−ペンチルノニル基、４−ペンチルデシル基、４−ペンチルウンデシル基、４−ペンチルドデシル基、４−ペンチルトリデシル基、４−ペンチルテトラデシル基、４−ペンチルペンタデシル基、４−ペンチルヘキサデシル基、４−ペンチルヘプタデシル基、４−ペンチルオクタデシル基、４−ペンチルノナデシル基、４−ペンチルイコシル基、４−ヘキシルデシル基、４−ヘキシルウンデシル基、４−ヘキシルドデシル基、４−ヘキシルトリデシル基、４−ヘキシルテトラデシル基、４−ヘキシルペンタデシル基、４−ヘキシルヘキサデシル基、４−ヘキシルヘプタデシル基、４−ヘキシルオクタデシル基、４−ヘキシルノナデシル基、４−ヘキシルイコシル基、
【００１６】
５−メチルヘキシル基、５−メチルヘプチル基、５−メチルオクチル基、５−メチルノニル基、５−メチルデシル基、５−メチルウンデシル基、５−メチルドデシル基、５−メチルトリデシル基、５−メチルテトラデシル基、５−メチルペンタデシル基、５−メチルヘキサデシル基、５−メチルヘプタデシル基、５−メチルオクタデシル基、５−メチルノナデシル基、５−メチルイコシル基、５−エチルヘプチル基、５−エチルオクチル基、５−エチルノニル基、５−エチルデシル基、５−エチルウンデシル基、５−エチルドデシル基、５−エチルトリデシル基、５−エチルテトラデシル基、５−エチルペンタデシル基、５−エチルヘキサデシル基、５−エチルヘプタデシル基、５−エチルオクタデシル基、５−エチルノナデシル基、５−エチルイコシル基、５−プロピルオクチル基、５−プロピルノニル基、５−プロピルデシル基、５−プロピルウンデシル基、５−プロピルドデシル基、５−プロピルトリデシル基、５−プロピルテトラデシル基、５−プロピルペンタデシル基、５−プロピルヘキサデシル基、５−プロピルヘプタデシル基、５−プロピルオクタデシル基、５−プロピルノナデシル基、５−プロピルイコシル基、５−ブチルノニル基、５−ブチルデシル基、５−ブチルウンデシル基、５−ブチルドデシル基、５−ブチルトリデシル基、５−ブチルテトラデシル基、５−ブチルペンタデシル基、５−ブチルヘキサデシル基、５−ブチルヘプタデシル基、５−ブチルオクタデシル基、５−ブチルノナデシル基、５−ブチルイコシル基、５−ペンチルデシル基、５−ペンチルウンデシル基、５−ペンチルドデシル基、５−ペンチルトリデシル基、５−ペンチルテトラデシル基、５−ペンチルペンタデシル基、５−ペンチルヘキサデシル基、５−ペンチルヘプタデシル基、５−ペンチルオクタデシル基、５−ペンチルノナデシル基、５−ペンチルイコシル基、５−ヘキシルウンデシル基、５−ヘキシルドデシル基、５−ヘキシルトリデシル基、５−ヘキシルテトラデシル基、５−ヘキシルペンタデシル基、５−ヘキシルヘキサデシル基、５−ヘキシルヘプタデシル基、５−ヘキシルオクタデシル基、５−ヘキシルノナデシル基、５−ヘキシルイコシル基、
【００１７】
６−メチルヘプチル基、６−メチルオクチル基、６−メチルノニル基、６−メチルデシル基、６−メチルウンデシル基、６−メチルドデシル基、６−メチルトリデシル基、６−メチルテトラデシル基、６−メチルペンタデシル基、６−メチルヘキサデシル基、６−メチルヘプタデシル基、６−メチルオクタデシル基、６−メチルノナデシル基、６−メチルイコシル基、６−エチルオクチル基、６−エチルノニル基、６−エチルデシル基、６−エチルウンデシル基、６−エチルドデシル基、６−エチルトリデシル基、６−エチルテトラデシル基、６−エチルペンタデシル基、６−エチルヘキサデシル基、６−エチルヘプタデシル基、６−エチルオクタデシル基、６−エチルノナデシル基、６−エチルイコシル基、
６−プロピルノニル基、６−プロピルデシル基、６−プロピルウンデシル基、６−プロピルドデシル基、６−プロピルトリデシル基、６−プロピルテトラデシル基、６−プロピルペンタデシル基、６−プロピルヘキサデシル基、６−プロピルヘプタデシル基、６−プロピルオクタデシル基、６−プロピルノナデシル基、６−プロピルイコシル基、６−ブチルデシル基、６−ブチルウンデシル基、６−ブチルドデシル基、６−ブチルトリデシル基、６−ブチルテトラデシル基、６−ブチルペンタデシル基、６−ブチルヘキサデシル基、６−ブチルヘプタデシル基、６−ブチルオクタデシル基、６−ブチルノナデシル基、６−ブチルイコシル基、６−ペンチルウンデシル基、６−ペンチルドデシル基、６−ペンチルトリデシル基、６−ペンチルテトラデシル基、６−ペンチルペンタデシル基、６−ペンチルヘキサデシル基、６−ペンチルヘプタデシル基、６−ペンチルオクタデシル基、６−ペンチルノナデシル基、６−ペンチルイコシル基、６−ヘキシルドデシル基、６−ヘキシルトリデシル基、６−ヘキシルテトラデシル基、６−ヘキシルペンタデシル基、６−ヘキシルヘキサデシル基、６−ヘキシルヘプタデシル基、６−ヘキシルオクタデシル基、６−ヘキシルノナデシル基、６−ヘキシルイコシル基、
【００１８】
１，２−ジメチルペンチル基、１，３−ジメチルペンチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、１−メチル−１−プロピルペンチル基、１−エチル−１−メチルペンチル基、１−ブチル−１−メチルペンチル基、１，２−ジメチルヘキシル基、１，３−ジメチルヘキシル基、１，４−ジメチルヘキシル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２，３−ジメチルヘキシル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、３，４−ジメチルヘキシル基、３，５−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルヘキシル基、２，４，４−トリメチルヘキシル基、１，２−ジメチルヘプチル基、１，３−ジメチルヘプチル基、１，４−ジメチルヘプチル基、１，５−ジメチルヘプチル基、１，６−ジメチルヘプチル基、２，３−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、３，４−ジメチルヘプチル基、３，５−ジメチルヘプチル基、３，６−ジメチルヘプチル基、４，５−ジメチルヘプチル基、４，６−ジメチルヘプチル基、２，２−ジメチルヘプチル基、２，２，４−トリメチルヘプチル基、２，４，４−トリメチルヘプチル基、１，２−ジメチルオクチル基、１，３−ジメチルオクチル基、１，４−ジメチルオクチル基、１，５−ジメチルオクチル基、１，６−ジメチルオクチル基、１，７−ジメチルオクチル基、２，３−ジメチルオクチル基、２，４−ジメチルオクチル基、２，５−ジメチルオクチル基、２，６−ジメチルオクチル基、２，７−ジメチルオクチル基、３，４−ジメチルオクチル基、３，５−ジメチルオクチル基、３，６−ジメチルオクチル基、３，７−ジメチルオクチル基、４，５−ジメチルオクチル基、４，６−ジメチルオクチル基、５，６−ジメチルオクチル基、５，７−ジメチルオクチル基、２，２−ジメチルオクチル基、２，２，４−トリメチルオクチル基、２，４，４−トリメチルオクチル基等が挙げられる。
【００１９】
分岐アルキル置換アリール基における「アリール基」としては、例えば、単環、二環又は三環のアリール基等を挙げることができ、具体的に、分岐状のアルキル基を有しないアリール基として表記すると、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基等が挙げられる。
【００２０】
分岐アルキル置換ヘテロアリール基における「ヘテロアリール基」を、分岐状のアルキル基を有しないヘテロアリール基として表記すると、例えば、チエニル基、フリル基、チアゾリル基、チエノ［３，２−ｂ］チエニル基、フロロ［３，２−ｂ］フリル基、チエノ［３，２−ｂ］フリル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］フリル基、ビスチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェニル基等が挙げられる。好ましくは、下記式で示される基（左からチエニル基、チエノ［３，２−ｂ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］フリル基、ビスチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェニル基）等が挙げられる。
【００２１】
分岐アルキル置換アリール基及び分岐アルキル置換ヘテロアリール基に有していてもよい置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数４〜２０のヘテロアリール基、炭素数５〜２０のヘテロアラルキル基等を挙げることができる。上記に例示された置換基に含まれる水素原子がフッ素原子に置き換わった基も置換基として有していてもよい。
【００２２】
化合物（１）に含まれるベンゾカルコゲノアセン骨格に結合されるＲ１及びＲ２の結合位置としては、対称な位置であることが好ましい。ここで、対称な位置とは、化合物（１）に含まれるベンゾカルコゲノアセン骨格の中心線（下記式
（式中、Ｅは前記と同じ意味を表す。）
の破線）に対して、線対称の位置関係を意味する。すなわち、化合物（１）のベンゾカルコゲノアセン骨格における対称な位置に結合したＲ１及びＲ２とは、Ｒ１がａの炭素原子に結合しＲ２はａ’の炭素原子に結合する場合、Ｒ１がｂの炭素原子に結合しＲ２はｂ’の炭素原子に結合する場合、Ｒ１がｃの炭素原子に結合しＲ２はｃ’の炭素原子に結合する場合、Ｒ１がｄの炭素原子に結合しＲ２はｄ’の炭素原子に結合する場合のいずれかのＲ１及びＲ２である。
【００２３】
好ましくは、Ｒ１がｂの炭素原子に結合しＲ２はｂ’の炭素原子に結合する場合、すなわち、式（２）
（式中、Ｅ、Ｒ１、及びＲ２は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物、または、Ｒ１がｄの炭素原子に結合しＲ２はｄ’の炭素原子に結合する場合、すなわち、式（３）
（式中、Ｅ、Ｒ１、及びＲ２は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を挙げることができる。
【００２４】
本発明の化合物（１）の具体例としては、以下に例示する化合物が挙げられる。
【００２５】
【表１】
波線は結合手を意味する。
【００２６】
【表２】
波線は結合手を意味する。
【００２７】
【表３】
波線は結合手を意味する。
【００２８】
【表４】
波線は結合手を意味する。
【００２９】
【表５】
波線は結合手を意味する。
【００３０】
【表６】
波線は結合手を意味する。
【００３１】
【表７】
波線は結合手を意味する。
【００３２】
【表８】
波線は結合手を意味する
【００３３】
【表９】
波線は結合手を意味する。
【００３４】
【表１０】
波線は結合手を意味する。
【００３５】
【表１１】
波線は結合手を意味する。
【００３６】
【表１２】
波線は結合手を意味する。
【００３７】
【表１３】
波線は結合手を意味する。
【００３８】
【表１４】
波線は結合手を意味する。
【００３９】
【表１５】
波線は結合手を意味する。
【００４０】
【表１６】
波線は結合手を意味する。
【００４１】
【表１７】
波線は結合手を意味する。
【００４２】
【表１８】
波線は結合手を意味する。
【００４３】
【表１９】
波線は結合手を意味する。
【００４４】
【表２０】
波線は結合手を意味する。
【００４５】
【表２１】
波線は結合手を意味する。
【００４６】
【表２２】
波線は結合手を意味する。
【００４７】
【表２３】
波線は結合手を意味する。
【００４８】
【表２４】
波線は結合手を意味する。
【００４９】
【表２５】
波線は結合手を意味する。
【００５０】
【表２６】
波線は結合手を意味する。
【００５１】
【表２７】
波線は結合手を意味する。
【００５２】
【表２８】
波線は結合手を意味する。
【００５３】
【表２９】
波線は結合手を意味する。
【００５４】
化合物（１）としては、化合物（１）中にある３つのＥが全て硫黄原子である化合物が好ましい。
とりわけ、表中の化合物番号が以下の化合物（１）が好ましい。
１、２、３、５、７、８、１１、１３、１４、１６、１８、２０、２２、２４、２６、２９、３１、３２、３５、３６、３７、３８、３９、４３、４５、５１、５８、５７、６２、６４、６６、６７、７０、７３、７９、８４、８５、８６、８７、８９、９３、９５、９８、１０７、１０８、１１２、１１６、１１９、１２３、１２４、１２７、１３０、１３６、１４０、１４１、１４２、１４５、１５３、１５６、１５８、１６０、１６５、１７０、１７１、１７２、１８０、１８２、１８４、１８６、１８７、１９１、１９６、１９８、２００、２０４、２０６、２０７、２１２、２１９、２２１、２２６、２２７、２２８、２３２、２３５、２４０、２４３、２４８、２５０、２５１、２５３、２５６、２５８、２６４、２６８、２７３、２７６、２７９、２８１、２８４、２８７、２８９、２９１、２９２、２９８、３０１、３０３、３０６、３０９、３１２、３１４、３１７、３１８、３２３、３２６、３２８、３３１、３３３、３３９、３４３、３４８、３４９、３５１、３５４、３５５、３５８、３６１、３６２、３６３、３６４、３６８、３７１
【００５５】
より好ましくは、表中の化合物番号が以下の化合物（１）である。
２、７、８、１３、１６、１８、２０、２４、２６、２９、３１、３５、３６、３７，３８、３９、４３、４５、５８、６４、６７、８４、８５、８６、８７、８９、９３、１０７、１０８、１１２、１１６、１１９、１２３、１２４、１４０、１４１、１４２、１４５、１５３、１５６、１５８、１７０．１７１、１７２、１８０、１８６、１８７、１９１、１９６、１９８、２００、２０４、２０６、２０７、２１２、２１９、２２１、２２６、２２８、２３５、２４３、２５１、２５６、２５８、２６４、２６８、２７６、２８１、２８４、２８９、２９１、３０１、３０６、３１４、３１８、３２６、３３１、３４９、３５１、３６２、３６４
【００５６】
本発明の化合物（１）は、有機溶媒への溶解性に優れる傾向があることから、取扱いが容易な傾向があり、精製も容易な傾向がある。
また、化合物（１）を有機溶媒に溶解した溶解液は、塗布及び乾燥して薄膜を形成させることができる。
さらに、化合物（１）は、後述するように、高いキャリア移動度を示す薄膜を与えることが可能である。
【００５７】
次に、化合物（１）の製造方法を説明する。
該製造方法としては、例えば、式（５−１）
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を表す。Ｘはハロゲン原子、好ましくは臭素原子を表す。）
で表されるジアセチレン化合物（以下、化合物（５−１）と記すことがある）を得、次いで、有機金属塩基を用いたハロゲン−メタル交換反応によりジメタル化した（以下、この反応を「本第１反応」という。）後、硫黄又はセレンを作用させることにより、式（４−１）
（式中、Ｅ、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を表す。）
で表されるジカルコゲンイン化合物（化合物（４−１）と記すことがある）を得（以下、この反応を「本第２反応」という。）、
次いで、得られた化合物（４−１）と、ビスシクロオクタジエニル白金（Ｐｔ（ＣＯＤ）２）などの白金化合物又は銅粉末などの銅化合物と、を無溶媒で加熱する方法（以下、「第３−１反応」と記すことがある）、
また、同様にして得られる化合物（４−１）と、ビスシクロオクタジエニルニッケル（Ｎｉ（ＣＯＤ）２）などのニッケル化合物とホスフィン化合物とを、溶媒の存在下で加熱攪拌する方法（以下、「第３−２反応」と記すことがある）、
等を挙げることができる。
【００５８】
本第１反応に用いられる有機金属塩基としては、例えば、メチルリチウム（ＭｅＬｉ）、ｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）、ｓｅｃ−ブチルリチウム（ｓｅｃ−ＢｕＬｉ）及びｔｅｒｔ−ブチルリチウム（ｔ−ＢｕＬｉ）などの有機リチウム化合物やアルキルグリニヤール化合物などの有機マグネシウム化合物類などを用いることができるが、ハロゲン−メタル交換反応の反応性が良好である点から、該有機金属塩基としては有機リチウム化合物が好ましく、例えば、ブチルリチウム（ＢｕＬｉ）が用いられ、さらに好ましくはｔ−ＢｕＬｉが用いられる。
有機金属塩基の使用量としては、化合物（５−１）１モルに対し、例えば、４〜２０モルの範囲を挙げることができ（化合物（５−１）に含まれるハロゲン原子１モルに対して２〜１０モルの範囲）、好ましくは６〜１４モルの範囲（化合物（５−１）に含まれるハロゲン原子１モルに対して３〜７モルの範囲）、さらに好ましくは７〜１０モルの範囲（化合物（５−１）に含まれるハロゲン原子１モルに対して３．５〜５モルの範囲）が挙げられる。有機金属塩基の使用量が化合物（５−１）１モルに対し４モル以上であると、未反応の化合物（５−１）が低減されて、得られる化合物（４−１）の収率が向上する傾向がある。該使用量が、化合物（５−１）１モルに対し２０モル以下であると、副反応の進行が抑制され、化合物（４−１）の精製が容易になる傾向がある。
【００５９】
本第１反応及びそれに続く本第２反応は、溶媒の存在下で行なわれることが好ましい。
使用される溶媒としては、本第１反応及び本第２反応の進行を著しく妨げないものから選ばれ、例えば、ペンタン、ヘキサン及びヘプタンなどの脂肪族炭化水素溶媒、ベンゼン、トルエン及びキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ジエチルエーテル及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などのエーテル溶媒又はこれらから選ばれる２種以上の混合溶媒が挙げられる。好ましい溶媒はエーテル溶媒である。
【００６０】
本第１反応は、例えば、−２０℃以下、好ましくは−４０℃以下、より好ましくは−６０℃以下の反応温度で行なわれる。本第１反応の反応時間は使用する有機金属塩基や溶媒の種類、又は反応温度により調節できるが、１０分から５時間程度の範囲である。
この本第１反応に続いて、硫黄又はセレンを反応混合物に添加して本第２反応を行なう。用いる硫黄（又はセレン）は固体のまま用いてもよいし、本第１反応に使用した溶媒に溶解又は懸濁させた溶液又は懸濁液で添加してもよい。硫黄（又はセレン）を加えた後、反応温度は本第１反応と同程度の温度のまま保持してもよいし、用いた溶媒の沸点以下の範囲であれば加温してもよい。好ましくは、反応温度０〜４０℃の範囲に達するまで加温し、同範囲内の温度で保温する。反応時間は、例えば、３０分から７２時間の範囲を挙げることができる。
【００６１】
本第２反応に用いられる硫黄又はセレンとしては、結晶状、粉末状、コロイド状の硫黄（又はセレン）などを用いることができる。硫黄（又はセレン）の使用量としては、化合物（５−１）１モルに対し、例えば、４〜２０モルの範囲を挙げることができ、好ましくは６〜１４モルの範囲、さらに好ましくは７〜１０モルの範囲が挙げられる。硫黄（又はセレン）の使用量が４モル以上であると、化合物（４−１）の収率が向上する傾向があることから好ましく、２０モル以下であると、副反応の進行が抑制され、化合物（４−１）の精製が容易になる傾向があることから好ましい。
【００６２】
本第２反応終了後は、必要に応じて溶媒を濃縮し、得られた反応混合物に水酸化ナトリウム水溶液や水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液を加えた後、得られた化合物（４−１）を抽出する。抽出溶液は、本第１反応及び本第２反応で用いた溶媒が水に不溶である場合は、この溶媒を抽出溶媒としてそのまま用いることもできるが、好ましい抽出溶媒はジクロロメタン及びクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素溶媒が挙げられる。有機相と水相とに分液させた後、水相を分離し、この水相にフェリシアン酸カリウムなどのヘキサシアノ鉄酸塩水溶液を加えて、この水相から化合物（４−１）を、前記抽出溶媒などの有機溶媒を用いて抽出する。このようにして得られた化合物（４−１）は、必要に応じて、カラムクロマトグラフィー、再結晶などの操作により、さらに精製してもよい。
【００６３】
本第３−１反応では、化合物（４−１）１モルに対し、例えば、０．５〜２０モル、好ましくは１〜１０モル、さらに好ましくは２〜７モルの銅化合物又は白金化合物が用いられる。銅化合物としては、例えば、銅粉末などが挙げられ、白金化合物としては、例えば、ビスシクロオクタジエニル白金（Ｐｔ（ＣＯＤ）２）などが挙げられる。
本第３−１反応の反応温度は、例えば、１５０〜４００℃の範囲を挙げることができ、好ましくは２００〜３７０℃の範囲が挙げられる。本第３−１反応の反応時間は１時間以内であり、好ましくは３０分以内である。反応終了後、室温まで冷却し、例えば、クロロホルム、ジクロロメタンなどの、化合物（１）を溶解し得る溶媒を用いて、不溶不純物を濾別し、濾液を濃縮した後、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作を行なうことで、化合物（１）が得られる。
【００６４】
本第３−２反応において、用いられるニッケル化合物としては、ビスシクロオクタジエニルニッケル（Ｎｉ（ＣＯＤ）２）などの０価ニッケル化合物が好適である。本第３−２反応は、２価ニッケル化合物であるビスアセチルアセトナートニッケル（Ｎｉ（ａｃａｃ）２）などをジイソブチルアルミニウムハイドライドなどの還元剤を作用させることにより、系中で０価ニッケル化合物を発生させてもよい。
ニッケル化合物の使用量としては、化合物（４−１）１モルに対し、例えば、０．５〜５モルの範囲を挙げることができ、好ましくは０．７〜３モルの範囲である。
【００６５】
ホスフィン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、１，２−（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−（ジフェニルホスフィノ）ブタン及び１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンなどが挙げられ、トリフェニルホスフィンが好ましい。
ホスフィン化合物の使用量としては、ニッケル化合物１モルに対し、例えば、ホスフィン化合物が０．５〜２０モルの範囲等を挙げることができ、好ましくは、０．７〜１０モルの範囲が挙げられる。
【００６６】
本第３−２反応に用いられる溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン及びヘプタンなどの脂肪族炭化水素溶媒、ベンゼン、トルエン及びキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ジクロロメタン及びクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は、１種類で使用しても２種類以上の混合溶媒として使用してもよい。
該溶媒としては、芳香族炭化水素溶媒が好ましく、トルエンがより好ましい。
本第３−２反応の反応温度としては、例えば、１０℃から溶媒の沸点以下の範囲を挙げることができる。
本第３−２反応の反応時間は反応温度にも拠るが、７２時間以内が好ましい。
本第３−２反応の反応終了後、必要に応じて加熱しながら濾過を行って不溶不純物を除去した後、濾液を濃縮し、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶などの精製操作を行なうことで目的化合物である化合物（１）を得ることができる。
【００６７】
本第１反応に用いられる化合物（５−１）の具体例を次の表に例示する。
【００６８】
【表３０】
波線は結合手を意味する。
【００６９】
【表３１】
波線は結合手を意味する。
【００７０】
【表３２】
波線は結合手を意味する。
【００７１】
【表３３】
波線は結合手を意味する。
【００７２】
【表３４】
波線は結合手を意味する。
【００７３】
【表３５】
波線は結合手を意味する。
【００７４】
【表３６】
波線は結合手を意味する。
【００７５】
【表３７】
波線は結合手を意味する
【００７６】
【表３８】
波線は結合手を意味する。
【００７７】
【表３９】
波線は結合手を意味する。
【００７８】
【表４０】
波線は結合手を意味する。
【００７９】
【表４１】
波線は結合手を意味する。
【００８０】
【表４２】
波線は結合手を意味する。
【００８１】
【表４３】
波線は結合手を意味する。
【００８２】
【表４４】
波線は結合手を意味する。
【００８３】
【表４５】
波線は結合手を意味する。
【００８４】
【表４６】
波線は結合手を意味する。
【００８５】
【表４７】
波線は結合手を意味する。
【００８６】
【表４８】
波線は結合手を意味する。
【００８７】
【表４９】
波線は結合手を意味する。
【００８８】
【表５０】
波線は結合手を意味する。
【００８９】
【表５１】
波線は結合手を意味する。
【００９０】
【表５２】
波線は結合手を意味する。
【００９１】
【表５３】
波線は結合手を意味する。
【００９２】
【表５４】
波線は結合手を意味する。
【００９３】
【表５５】
波線は結合手を意味する。
【００９４】
【表５６】
波線は結合手を意味する。
【００９５】
【表５７】
波線は結合手を意味する。
【００９６】
【表５８】
波線は結合手を意味する。
【００９７】
本第２反応によって得られる化合物（４−１）の具体例としては、以下が例示される。
【００９８】
【表５９】
波線は結合手を意味する。
【００９９】
【表６０】
波線は結合手を意味する。
【０１００】
【表６１】
波線は結合手を意味する。
【０１０１】
【表６２】
波線は結合手を意味する。
【０１０２】
【表６３】
波線は結合手を意味する。
【０１０３】
【表６４】
波線は結合手を意味する。
【０１０４】
【表６５】
波線は結合手を意味する。
【０１０５】
【表６６】
波線は結合手を意味する
【０１０６】
【表６７】
波線は結合手を意味する。
【０１０７】
【表６８】
波線は結合手を意味する。
【０１０８】
【表６９】
波線は結合手を意味する。
【０１０９】
【表７０】
波線は結合手を意味する。
【０１１０】
【表７１】
波線は結合手を意味する。
【０１１１】
【表７２】
波線は結合手を意味する。
【０１１２】
【表７３】
波線は結合手を意味する。
【０１１３】
【表７４】
波線は結合手を意味する。
【０１１４】
【表７５】
波線は結合手を意味する。
【０１１５】
【表７６】
波線は結合手を意味する。
【０１１６】
【表７７】
波線は結合手を意味する。
【０１１７】
【表７８】
波線は結合手を意味する。
【０１１８】
【表７９】
波線は結合手を意味する。
【０１１９】
【表８０】
波線は結合手を意味する。
【０１２０】
【表８１】
波線は結合手を意味する。
【０１２１】
【表８２】
波線は結合手を意味する。
【０１２２】
【表８３】
波線は結合手を意味する。
【０１２３】
【表８４】
波線は結合手を意味する。
【０１２４】
【表８５】
波線は結合手を意味する。
【０１２５】
【表８６】
波線は結合手を意味する。
【０１２６】
【表８７】
【０１２７】
本第１反応に用いられる化合物（５−１）の製造法の一例として、化合物（５−１）に含まれるＲ１及びＲ２が同一種の基（以下、Ｒと記すことがある）である場合の製造法としては、例えば、式（６−１）
（式中、Ｒは、Ｒ１及びＲ２と同じ意味を表し、Ｘはハロゲン原子、好ましくは臭素原子を表す。）
で表される化合物を用いて、いわゆる、グラーゼル反応（Glaser Reaction）、エグリントンカップリング（Eglinton Coupling）又はヘイカップリング（Hay Coupling、好ましくは、ヨウ化銅などの銅化合物を用いるヘイカップリング）によって調製することができる。
ヘイカップリングは、例えば、下記に示すように、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（TMEDA）及びヨウ化銅などの銅化合物の存在下で行うことができる。
式（６−１）の化合物は、例えば、置換基Ｒを有するアニリンをＮ−ブロモコハク酸イミド等でアミノ基のα位をブロモ化し、得られた化合物のアミノ基をザンドマイヤー反応（Sandmeyer Reaction）等でヨード基に変換し、得られたヨード基含有化合物のヨード基を薗頭クロスカップリング反応等のエチニル化反応でエチニル化する方法等が挙げられる。
【０１２８】
前記式（６−１）で示される化合物の具体例を次の表に例示する。
【０１２９】
【表８８】
波線は結合手を意味する。
【０１３０】
【表８９】
波線は結合手を意味する。
【０１３１】
【表９０】
波線は結合手を意味する。
【０１３２】
【表９１】
波線は結合手を意味する。
【０１３３】
【表９２】
波線は結合手を意味する。
【０１３４】
【表９３】
波線は結合手を意味する。
【０１３５】
【表９４】
波線は結合手を意味する。
【０１３６】
【表９５】
波線は結合手を意味する
【０１３７】
【表９６】
波線は結合手を意味する。
【０１３８】
【表９７】
波線は結合手を意味する。
【０１３９】
【表９８】
波線は結合手を意味する。
【０１４０】
【表９９】
波線は結合手を意味する。
【０１４１】
【表１００】
波線は結合手を意味する。
【０１４２】
【表１０１】
波線は結合手を意味する。
【０１４３】
【表１０２】
波線は結合手を意味する。
【０１４４】
【表１０３】
波線は結合手を意味する。
【０１４５】
【表１０４】
波線は結合手を意味する。
【０１４６】
【表１０５】
波線は結合手を意味する。
【０１４７】
【表１０６】
波線は結合手を意味する。
【０１４８】
【表１０７】
波線は結合手を意味する。
【０１４９】
【表１０８】
波線は結合手を意味する。
【０１５０】
化合物（１）に含まれるＲ１及びＲ２が同一種の基または異種の基である場合の製造法としては、例えば、非特許文献１（Advanced Materials, 19, 3008-3011(2007)）に記載の方法に準じて製造する方法を挙げることができる。すなわち、下記式に示すように、Ｒ１またはＲ２を有するベンゾ［ｂ］チオフェンを臭素で臭素化した後、得られた臭素化体にリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）を作用させ、次いで、塩化銅でカップリング反応させ、続いて、得られたカップリング体にブチルリチウム（ＢｕＬｉ）およびビス（フェニルスルフォニル）スルフィド（（Ｃ６Ｈ５ＳＯ２）２Ｓ）を作用させて化合物（１）を製造する方法等である。
【０１５１】
本発明の化合物（１）は有機半導体活性層に使用し得る材料（以下、かかる材料を有機半導体材料と記すことがある）である。さらに、化合物（１）は有機溶媒に可溶な有機半導体材料である。化合物（１）を溶解する有機溶媒としては、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ｏ-ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒、例えばジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１’，２，２’−テトラクロロエタン、四塩化炭素等のハロゲン化脂肪族炭化水素溶媒、例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル溶媒、例えばペンタン、ヘキサン、ペンタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素溶媒等を挙げることができる。好ましくは、トルエン、キシレン、ｏ-ジクロロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ヘキサン等が挙げられる。有機溶媒は２種以上を混合溶媒にして用いることもできる。
化合物（１）を溶解した溶液における化合物（１）の濃度としては、例えば、０．００１〜５０質量％の範囲をあげることができ、好ましくは０．０１〜１０質量％、より好ましくは０．１〜５質量％等が挙げられる。
【０１５２】
次に、本発明の薄膜及び有機半導体デバイスについて説明する。
本発明の薄膜は、化合物（１）を含有する。該薄膜は高いキャリア移動度を示すことから、該薄膜を有機半導体活性層として有する有機半導体デバイスの材料として好適である。
また、本発明の有機半導体デバイスは、本発明の薄膜を含有するものである。本発明の有機半導体デバイスとしては、例えば、有機トラジスタ、電界発光素子、太陽電池等を挙げることができる。また、本発明の有機トランジスタは、例えば、電子ペーパー、フレキシブルディスプレイ、ＩＣタグ、及びセンサ等に使用可能である。
【０１５３】
本発明の薄膜の形成方法としては、例えば、塗布成膜加工を挙げることができる。ここで、塗布成膜加工とは、前述したように、化合物（１）を溶媒に溶解し、得られた溶液を基板もしくは絶縁体層に塗布する工程を有する成膜加工を意味する。
塗布の方法としては、キャスティング法、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法などが挙げられる。これらの手法は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせてもよい。
【０１５４】
化合物（１）及び有機溶媒を含む溶液には、化合物（１）を単独で使用してもよいし、後述する薄膜（有機半導体活性層）のキャリア移動度を著しく損なわない範囲であれば、酸化防止剤、安定剤、化合物（１）とは異なる有機半導体材料、有機絶縁性材料などと混合してもよい。
化合物（１）とは異なる有機半導体材料としては、低分子材料でもよく、高分子材料でもよい。高分子材料は、高分子を架橋反応させたものであってもよい。好ましくは、高分子材料が挙げられる。具体例としては、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリフェニレン及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリトリアリールアミン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、テトラセン及びその誘導体、ペンタセン及びその誘導体、フタロシアニン及びその誘導体などが挙げられる。本発明の薄膜において、化合物（１）とは異なる有機半導体材料と化合物（１）との合計１００質量％に対する化合物（１）の含有量は、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。
【０１５５】
該有機絶縁性材料としては、低分子材料でもよい。高分子材料は、高分子を架橋反応がさせたものであってもよい。好ましくは、高分子材料が挙げられる。具体例としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィンコポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール系樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及び各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマーなどが挙げられる。本発明の薄膜において、有機絶縁性材料と化合物（１）との合計１００質量％に対する化合物（１）の含有量は、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。
なお、該溶液組成物の調製は、溶媒に化合物（１）を、例えば、１０〜２００℃、好ましくは２０〜１５０℃程度で溶解することで得ることができる。
【０１５６】
かくして得られる化合物（１）及び有機溶媒を含む溶液を、基板又は絶縁層に塗布して塗布膜を形成せしめた後、該塗布膜に含有されている溶媒を除去することで、基板上又は絶縁層上に薄膜が形成される。この有機溶媒の除去には自然乾燥処理、加熱処理、減圧処理、通風処理又はこれらを組み合わせた処理が採用されるが、操作が簡便である点で自然乾燥処理もしくは加熱処理が好ましい。この処理に係わる条件を簡単に記載すると、大気下で放置もしくはホットプレートで基板加熱（例えば、４０〜２５０℃、好ましくは、５０〜２００℃）という条件が挙げられる。
【０１５７】
本発明の薄膜は、化合物（１）が溶媒に分散している分散液を用いて塗布成膜加工により薄膜を形成することもできる。この場合は、上述の塗布成膜加工において、溶液を該分散液に読み替えれば容易に実施可能である。この場合、溶媒は前記有機溶媒に加え、水であってもよい。
このように、本発明の薄膜は、上記の塗布成膜加工等の簡便な方法により形成することができる。
【０１５８】
本発明の薄膜を形成する方法の異なる例示として、化合物（１）を、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、分子線エピタキシャル成長法などの真空プロセスに供して薄膜を形成する方法を挙げることができる。
【０１５９】
真空蒸着法による薄膜の形成方法は、化合物（１）、必要に応じて他の有機半導体材料をルツボや金属ボート中で真空下、加熱し、蒸発した化合物（１）等の有機半導体材料を基板もしくは絶縁体材料に蒸着させる方法である。蒸着時の真空度は、通常１×１０−１Ｐａ以下、好ましくは１×１０−３Ｐａ以下である。蒸着時の基板温度は通常０℃〜３００℃、好ましくは２０℃〜２００℃である。蒸着速度は、例えば、０．００１ｎｍ／ｓｅｃ〜１０ｎｍ／ｓｅｃの範囲等を挙げることができ、好ましくは０．０１ｎｍ／ｓｅｃ〜１ｎｍ／ｓｅｃの範囲である。
【０１６０】
上記塗布成膜加工又は上記真空プロセスにより得られる化合物（１）を含有する薄膜の膜厚は、たとえば有機トランジスタの素子構造により適宜調節することができるが、好ましくは１ｎｍ〜１０μｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１μｍである。
【０１６１】
本発明の有機トランジスタとしては、例えば、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）が挙げられる。
該有機電界効果トランジスタの構造は、通常、ソース電極及びドレイン電極が本発明の薄膜からなる有機半導体活性層に接して設けられており、さらに有機半導体活性層に接した絶縁層（誘電体層）を挟んでゲート電極が設けられていればよい。その素子構造としては、例えば、
(１)基板／ゲート電極／絶縁体層／ソース電極・ドレイン電極／有機半導体活性層 という構造、
(２)基板／ゲート電極／絶縁体層／有機半導体活性層／ソース電極・ドレイン電極 という構造（図１参照）
(３)基板／有機半導体活性層＋ソース電極・ドレイン電極／絶縁体層／ゲート電極 という構造（図２参照）、
(４)基板／ソース電極（又はドレイン電極）／有機半導体活性層＋絶縁体層＋ゲート電極／ドレイン電極（又はソース電極）という構造などがあげられる。このとき、ソース電極，ドレイン電極， ゲート電極は、それぞれ複数設けてもよい。また、複数の有機半導体活性層を同一平面内に設けてもよいし、積層して設けてもよい。
【０１６２】
次に、本発明の有機トランジスタの他の構成成分に関し、具体例を挙げて説明する。
本発明における、有機トランジスタの作製において、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成する材料は導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、酸化モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられるが、特に、白金、金、銀、酸化モリブデン、インジウム、ＩＴＯ、炭素が好ましい。又は、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。これらの導電性材料は単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。電極の膜厚は、材料によっても異なるが、好ましくは０．１ｎｍ〜１０μｍであり、さらに好ましくは０．５ｎｍ〜５μｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜３μｍである。また、ゲート電極と基板を兼ねる場合は上記の膜厚より大きくてもよい。
【０１６３】
本発明の有機トランジスタに用いられるソース電極、ドレイン電極は、表面処理が施されていてもよい。本発明の薄膜（有機半導体活性層）と接触する電極表面に表面処理が施されていると、該薄膜を含む有機トランジスタのトランジスタ特性が向上する傾向があることから好ましい。表面処理としては、例えば、１−オクチルチオール、１−パーフルオロオクチルチオール、１−オクタデシルチオール、１−パーフルオロオクタデシルチオール等のチオール基を有する飽和炭化水素化合物、例えば、ベンゼンチオール、パーフルオロベンゼンチオール等のチオール基を有する芳香族化合物、例えば、チエニルチオール、パーフルオロチエニルチオール等のチオール基を有する複素環芳香族化合物等のチオール化合物をアルコールなどとともに溶液とし、上記電極を該溶液に浸漬処理するなどして上記電極の表面を修飾する方法等を挙げることができる。
【０１６４】
電極の形成方法としては、上記原料を用いて種々の方法で実施することができる。具体的には、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、熱転写法、印刷法、ゾルゲル法などが挙げられる。成膜時又は成膜後に、パターニングを必要に応じて行うことが好ましい。パターニングの方法としては、種々の方法を用いることができる。具体的には、フォトレジストのパターニングとエッチングを組み合わせたフォトリソグラフィー法などが挙げられる。また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷などの印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法などのソフトリソグラフィーの手法なども挙げられる。これらの手法は単独で用いてもよいし、２種類以上を混合してパターニングを行うことも可能である。
【０１６５】
絶縁体層としては種々の絶縁膜を用いることができる。該絶縁膜の材料として、無機酸化物、無機窒化物、有機化合物等を挙げることができる。
無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられ、好ましくは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。無機窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。有機化合物としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合又は光カチオン重合して得られる光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルランなどが挙げられ、好ましくは、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコールが挙げられる。これらの絶縁体層の材料は単独で使用してもよいし、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
絶縁体層の膜厚は、材料によっても異なるが、好ましくは０．１ｎｍ〜１００μｍであり、さらに好ましくは０．５ｎｍ〜５０μｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜１０μｍである。
【０１６６】
絶縁体層の形成方法としては、上記原料を用いて種々の方法で実施することができる。
具体的には、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、キャスト、バーコート、ブレードコーティング、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法、ＣＶＤ法などのドライプロセス法が挙げられる。その他、ゾルゲル法やアルミニウム上のアルマイト、シリコンの熱酸化膜のように金属上に酸化物膜を形成する方法などが挙げられる。
【０１６７】
基板の材料としては、ガラス、紙、石英、セラミック、樹脂製シートなどが挙げられる。該樹脂製シートの材質としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）などが挙げられる。基板の厚さは、好ましくは１μｍ〜１０ｍｍであり、さらに好ましくは５μｍ〜５ｍｍである。
【０１６８】
本発明の薄膜（以下、有機半導体活性層と記すことがある）と接触する絶縁体層や基板の部分において、絶縁体層や基板上に表面処理を行ってもよい。有機半導体活性層が積層される絶縁体層上に表面処理を行うことにより、有機トランジスタのトランジスタ特性を向上させることができる。表面処理としては、具体的には、ヘキサメチルジシラザン、オクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、フェネチルトリクロロシランなどによる疎水化処理、塩酸、硫酸、過酸化水素水などによる酸処理、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニアなどによるアルカリ処理、オゾン処理、フッ素化処理、酸素やアルゴンなどのプラズマ処理、ラングミュラー・ブロジェット膜の形成処理、その他の絶縁体や半導体の薄膜の形成処理、機械的処理、コロナ放電などの電気的処理、繊維などを利用したラビング処理などが挙げられる。
【０１６９】
表面処理を行う方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、印刷法、ゾルゲル法などが挙げられる。
【０１７０】
また、有機半導体活性層上に樹脂もしくは無機化合物からなる保護膜を設けてもよい。
保護膜の形成により、外気の影響を抑制してトランジスタの駆動を安定化することができる。
【０１７１】
本発明の薄膜は、化合物（１）を含有することから、高いキャリア移動度を示す。ゆえに、本発明の薄膜は、有機トランジスタにおける有機半導体活性層として有用であり、本発明の薄膜を含有する有機半導体活性層をもつ有機トランジスタは優れたトランジスタ特性を発現するものであり、有機半導体デバイスに有用なものとなる。
【実施例】
【０１７２】
以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
【０１７３】
【０１７４】
＜製造例１：式Ｃで表される化合物（４−（２−ヘキシルデシル）アニリン）の合成＞
還流管を具備した反応容器中に、切削片状のマグネシウム（０．９６ｇ、３９．６ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（５．５ｍＬ）とを混合し、該反応容器を窒素置換した後、室温（約２５℃）にて、ジブロモエタン（約０．２ｍＬ）を加えた。さらに、テトラヒドロフラン（２２ｍＬ）を加えたのち、１−ブロモ−２−ヘキシルデカン（１０．１ｇ、３３．０ｍｍｏｌ）を含むテトラヒドロフラン（６ｍＬ）溶液を滴下した。次に、反応容器内を加熱し、テトラヒドロフランを還流させ、還流下４時間、反応容器内を攪拌し、グリニャール試薬を調製した。
窒素雰囲気下の別の反応容器に、ＺｎＣｌ２を１．０ｍｏｌ／Ｌの濃度で含有するジエチルエーテル溶液（シグマアルドリッチ（株）製、３３．０ｍＬ、３３．０ｍｍｏｌ）に、室温にて、上記で得たグリニャール試薬を加え、２時間３０分間攪拌し、グリニャール試薬のマクネシウムが亜鉛にトランスメタル化されたもの（以下、亜鉛試薬と記すことがある）を調製した。該亜鉛試薬をＳｙｎｔｈｅｓｉｓ、Ｖｏｌ．５，Ｐ．８９０，（２００６）に準じて滴定したところ、０．２０４ｍｏｌ／Ｌであった。
窒素を流通させた反応容器に、４−ブロモアニリン（関東化学（株）製、３．３７ｇ、１９．６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（０．０４４ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（０．１６ｇ、０．３９ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン（３０ｍＬ）を混合し、得られた混合液に、室温下、該亜鉛試薬（９６ｍＬ、１９．６ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１３時間３０分間攪拌した。得られた反応溶液に、塩化アンモニウム水溶液及びジエチルエーテルを加えて攪拌し、有機層と水層とに分液した。得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）によって精製することにより、式Ｃで表される化合物（４−（２−ヘキシルデシル）アニリン）を得た。（５．５７ｇ、１７．５ｍｍｏｌ、収率８９％）
式Ｃで表される化合物の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：６．９２（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、６．６１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、３．５３（ｓ，２Ｈ）、２．４１（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、１．５６−１．４７（ｍ、１Ｈ）、１．３５−１．１５（ｍ、２４Ｈ）、０．９０−０．８５（ｍ、６Ｈ）
式Ｃで表される化合物のＨＲＭＳ（ＥＩ）：３１７．３０７１（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２２Ｈ３９Ｎ１：３１７．３０８３．
【０１７５】
＜製造例２：式Ｄで表される化合物（１−ヨード−４−（２−ヘキシルデシル）ベンゼン）の合成＞
前項に準じて調製された４−（２−ヘキシルデシル）アニリン（８．０ｇ、２５．２ｍｍｏｌ）とアセト二トリル１７６ｍＬとの混合液に、室温下、塩酸（２Ｍ：１７６ｍＬ）を加えた後、−２〜０℃に冷却した。亜硫酸ナトリウム（２．２６ｇ、３２．８ｍｍｏｌ）水溶液（水２５ｍＬ）を上記混合液に滴下し、さらに、−２〜０℃にて２時間攪拌した。得られた反応溶液にヨウ化カリウム（４１．８ｇ、２５１．９ｍｍｏｌ）を加えた後、室温まで昇温し、室温下でさらに１６時間攪拌した。その後、室温下、この反応溶液に、亜硫酸ナトリウム水溶液及び酢酸エチルを混合し、有機層と水層とに分液した。得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルカラム（展開溶媒；ヘキサン）によって精製することにより、式Ｄで表される化合物（１−ヨード−４−（２−ヘキシルデシル）ベンゼン）を得た。（９．７０ｇ、２２．６ｍｍｏｌ、収率９０％）
式Ｄで表される化合物の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．５７（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、６．８９（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、２．４６（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、１．６０−１．５０（ｍ、１Ｈ）、１．３３−１．１６（ｍ、２４Ｈ）、０．９１−０．８５（ｍ、６Ｈ）
式Ｄで表される化合物のＨＲＭＳ（ＥＩ）：４２８．１９０１（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２２Ｈ３７Ｉ１：４２８．１９４０．
【０１７６】
＜製造例３：式Ｆで表される化合物（４−アミノ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル）の合成＞
前項で得られた式Ｄで表される化合物（１．０ｇ、２．３３ｍｍｏｌ）、式Ｅで表される４−アミノフェニルボロン酸ピナコールエステル（東京化成工業（株）製、０．７１６ｇ、３．２７ｍｍｏｌ）、２．０Ｍの炭酸カリウム水溶液（５．８ｍＬ）及びジオキサン（２００ｍＬ）の混合液を３０分間窒素バブリングした後、該混合液に、室温下、酢酸パラジウム（０．０２６ｇ、０．１１６ｍｍｏｌ）および２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（０．０９６ｇ、０．２３４ｍｍｏｌ）を加えた後、ジオキサンが還流するまで加熱し、さらに、６．５時間還流させた。その後、反応溶液を室温に冷却し、この反応溶液に、塩化アンモニウム水溶液及び酢酸エチルを混合し、有機層と水層とに分液した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて濃縮した。得られた濃縮物ををシリカゲルカラム（展開溶媒；クロロホルム）によって精製することにより、式Ｆで表される化合物（４−アミノ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル）０．７６８ｇ（１．９５ｍｍｏｌ、収率８４％）を得た。
式Ｆで表される化合物の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．４４（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．４１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．１６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、６．７５（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、３．６９（ｓ，２Ｈ）、２．５３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ）、１．６８−１．５８（ｍ、１Ｈ）、１．３６−１．１９（ｍ，２４Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ）
式Ｆで表される化合物のＨＲＭＳ（ＥＩ）：３９３．３３９１（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２８Ｈ４３Ｎ１：３９３．３３９６．
【０１７７】
＜製造例４：式Ｇで表される化合物（４−アミノ−３−ブロモ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル）の合成＞
前項と同様に調製された式Ｆで表される化合物（４−アミノ−３−ブロモ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル）５．３０ｇ（１３．４６ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（０．１０４ｇ、１．３５ｍｍｏｌ）及びアセト二トリル８１ｍＬの混合物を０℃に冷却し、Ｎ−ブロモコハク酸イミド（２．５２ｇ、１４．１ｍｍｏｌ）を加えた。次に、室温まで昇温した後、さらに２時間攪拌した。得られた反応溶液に、水及び酢酸エチルを混合し、有機層と水層とに分液した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルカラム（展開溶媒；ヘキサン：クロロホルム＝１：１）によって精製することにより、４−アミノ−３−ブロモ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニルを得た。（５．０１ｇ、１０．６ｍｍｏｌ、収率７９％）
式Ｇで表される化合物の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．６６（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．４０（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．３５（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２．１Ｈｚ，１Ｈ）、７．１６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、６．８２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ）、４．１１（ｓ，２Ｈ）、２．５４（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ）、１．６８−１．５８（ｍ、１Ｈ）、１．３４−１．１８（ｍ，２４Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ）
式Ｇで表される化合物のＭＳ：４７１（Ｍ＋）．
【０１７８】
＜製造例５：式Ｈで表される化合物（化合物Ｈ）の合成＞
４−アミノ−３−ブロモ−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル（４．０ｇ、８．５ｍｍｏｌ）、アセト二トリル（５９ｍＬ）及び塩酸水溶液（２Ｍ：５９．３ｍＬ）を混合し、０℃まで冷却した。冷却された混合液に、亜硝酸ナトリウム（０．７６ｇ、１１．０ｍｍｏｌ）水溶液（水１２ｍＬ）を滴下し、０〜１℃にて２時間攪拌し、続いて、同温度にてヨウ化カリウム（１４．１ｇ、８４．６ｍｍｏｌ）を加えた後、室温（約２５℃）まで昇温させ、室温にて１８時間攪拌した。室温下、得られた溶液を亜硫酸ナトリウム水溶液に注ぎ込み、酢酸エチルを加え、水および飽和食塩水により洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて濃縮することにより粗生成物を得た。これをシリカゲルカラム（展開溶媒；ヘキサン）によって精製することにより、３−ブロモ−４−ヨード−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル（化合物Ｈ、３．０６ｇ、５．２４ｍｍｏｌ、収率６２％）を得た。
化合物Ｈの物性は以下のとおりであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ）、７．８５（ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１Ｈ）、７．４４（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．２３−７．２０（ｍ，３Ｈ）、２．５６（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ）、１．６７−１．５９（ｍ、１Ｈ）、１．３２−１．２１（ｍ，２４Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：５８２．１３４８（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２８Ｈ４０Ｂｒ１Ｉ１：５８２．１３５８．
【０１７９】
＜製造例６：式Ｉで表される化合物（化合物Ｉ）の合成＞
室温下、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．０２４ｇ、０．０３４ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（０．０１３ｇ、０．０７ｍｍｏｌ）、３−ブロモ−４−ヨード−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル（化合物Ｈ、２．６７ｇ、４．５８ｍｍｏｌ）、トルエン（１４ｍＬ）およびジイソプロピルアミン（１４ｍＬ）の混合物を２０分間窒素バブリングして脱気し、続いて、トリメチルシリルアセチレン（０．３６ｇ、３．７ｍｍｏｌ）のジイソプロピルアミン（５ｍＬ）溶液を室温にて滴下し、室温にてさらに３時間攪拌した。得られた反応混合物をセライトでろ過し、得られた濾液をエバポレーターにより溶媒を留去し、粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）により精製することにより３−ブロモ−４−エチニルトリメチルシリル−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニルを得た（化合物Ｉ １．９２ｇ、３．４７ｍｍｏｌ、７６％）。
化合物Ｊの物性は以下のとおり。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８２（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．５３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）、７．４８−７．４５（ｍ，３Ｈ）、７．２１（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）、２．５６（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ）、１．６８−１．５９（ｍ、１Ｈ）、１．３４−１．２１（ｍ，２４Ｈ）、０．９０−０．８５（ｍ，６Ｈ）、０．２９（ｓ，９Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：５５２．２７９８（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ３３Ｈ４９Ｂｒ１Ｓｉ１：５５２．２７８７．
【０１８０】
＜製造例７：式Ｊで表される化合物（化合物Ｊ）の合成＞
窒素気流下、３−ブロモ−４−エチニルトリメチルシリル−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル（化合物Ｉ、２．４３ｇ、４．３９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（１２ｍＬ）およびメタノール（１２ｍＬ）に溶解させた。得られた溶解液に、室温にて炭酸カリウム（０．０６１ｇ、０．４３９ｍｍｏｌ）を加え、さらに１５時間３０分攪拌した。得られた反応生成物からエバポレーターにより溶媒を留去し、粗生成物を得た。粗生成物に飽和塩化アンモニウム水溶液およびエーテルを加え、分液した。得られた有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、エバポレーターでエーテルを留去することにより、３−ブロモ−４−エチニル−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニルを得た（化合物Ｊ、２．１１ｇ、４．３８ｍｍｏｌ、収率９９％）。
化合物Ｊの物性は以下のとおり。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８３（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．５７（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）、７．４９（ｄｄ，Ｊ＝７．８，１．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．４７（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．２２（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、３．４１（ｓ、１Ｈ）、２．５７（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ）、１．６７−１．５９（ｍ，１Ｈ）、１．３１−１．２１（ｍ，２４Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：４８０．２３８５（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ３０Ｈ４１Ｂｒ１：４８０．２３９２．
【０１８１】
＜製造例８：式Ｋで表される化合物（化合物Ｋ）の合成＞
テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ、０．０６ｍＬ、０．４２ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（０．０４ｇ、０．２０８ｍｍｏｌ）及びアセトンを含む溶液（１６ｍＬ）を室温にて、空気でバブリングし、バブリングしている該溶液に、３−ブロモ−４−エチニル−４’−（２−ヘキシルデシル）ビフェニル（化合物Ｊ、２．０ｇ、４．２ｍｍｏｌ）を含むアセトン溶液（２ｍL）を滴下した。続いて、室温にて空気バブリングしながら、さらに１８時間攪拌した。得られた反応溶液からエバポレーターにて溶媒を留去し、得られた残渣に１Ｍ塩酸及びヘキサンを加えた。得られたヘキサン層を水および飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ヘキサンを留去し粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）にて精製することで、式Ｋで表される化合物（化合物Ｋ）の白色粉末 １．８５ｇ（１．９２ｍｍｏｌ、収率９３％）を得た。白色粉末の物性は以下のとおりであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８５（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，２Ｈ）、７．６２（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）、７．５２（ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．５Ｈｚ，２Ｈ）、７．４８（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ）、７．２３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ）、２．５７（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，４Ｈ）、１．６９−１．５９（ｍ、２Ｈ）、１．３６−１．２０（ｍ，４８Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１２Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：９５８．４５６３（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ６０Ｈ８０Ｂｒ２：９５８．４６２７．
【０１８２】
＜製造例９：式Ｌで表される化合物（化合物Ｌ）の合成＞
窒素雰囲気下、製造例８で得られた化合物Ｋ（２００ｍｇ、０．２０８ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン（５ｍＬ）を混合し、−７８℃まで冷却した。同温度にて得られた混合液にｔ−ＢｕＬｉを１．５９Ｍ含むペンタン溶液を０．５８ｍＬ（ｔ−ＢｕＬｉとして０．９１６ｍｍｏｌ）を滴下し、同温度にてさらに１時間攪拌し、続いて、硫黄粉末（２９ｍｇ、０．９１６ｍｍｏｌ）を加えた後、同温度にて５分間攪拌した。その後、緩やかに室温まで昇温しそのまま２時間攪拌した。別途、窒素バブリングした１M水酸化ナトリウム水溶液（１０ｍL）とＫ３Ｆｅ（ＣＮ）６（０．４１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）とを、得られた反応溶液に加えて攪拌した後、分液し、得られた有機層をエバポレーターにより濃縮した。濃縮残渣を水および飽和食塩水で洗浄し、クロロホルムにより抽出、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレーターにより溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）にて精製することにより、式Ｌで表される化合物を９１ｍｇ（化合物Ｌ、０．０９８ｍｍｏｌ、４７％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：８．０５（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，２Ｈ）、７．８５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．７２（ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．５Ｈｚ，２Ｈ）、７．５９（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ）、７．２６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ）、２．５９（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，４Ｈ）、１．７１−１．６３（ｍ，２Ｈ）、１．３３−１．２４（ｍ，４８Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１２Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：９２８．５１３６（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ６０Ｈ８０Ｓ４：９２８．５１４３．
【０１８３】
＜実施例１：式Ｍで表される化合物（化合物Ｍ）の合成＞
窒素雰囲気下、化合物Ｌ（８２ｍｇ、０．０８８ｍｍｏｌ）、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）（２７ｍｇ、０．１４５ｍｍｏｌ）およびトリフェニルホスフィン（５１ｍｇ、０．１９ｍｍｏｌ）にトルエン（６ｍｌ）加え、室温にて１時間攪拌した。得られた反応溶液を１２０℃まで昇温し、同温度にて１０時間攪拌した後、室温まで冷却し、冷却液をセライト濾過した。トルエンを用いてセライトを洗浄し、ろ液をエバポレーターにて濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）にて精製することにより、式Ｍで表される化合物（化合物Ｍ、５１ｍｇ、０．０５７ｍｍｏｌ、６５％）を得た。化合物Ｍの物性は以下のとおりであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：８．１１（ｄ，Ｊ＝０．９Ｈｚ，２Ｈ）、７．９３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、７．７１（ｄｄ，Ｊ＝８．４，１．５Ｈｚ，２Ｈ）、７．６０（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ）、７．２６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ）、２．５９（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，４Ｈ）、１．７１−１．６２（ｍ、２Ｈ）、１．３３−１．２１（ｍ，４８Ｈ）、０．９０−０．８６（ｍ，１２Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：８９６．５４２３（Ｍ＋）．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ６０Ｈ８０Ｓ３：８９６．５４２２．
【０１８４】
＜実施例２：薄膜及び該薄膜を有機半導体層とする有機トランジスタの製造例１＞
実施例１で製造される化合物Ｍをｏ−キシレンに溶解して、化合物Ｍの濃度が０．３重量％の有機溶液を調製する。
フェネチルトリクロロシラン処理が行われているＳｉＯ２熱酸化膜付きｎドープシリコンウエハー上に、有機溶液を滴下してスピンコート法により化合物Ｍからなる薄膜を形成する。
続いて、ソース電極及びドレイン電極を形成するための金属マスクを有機半導体層の面に置き、膜厚４０ｎｍの金の層を真空蒸着により該有機半導体層上に成膜して、ソース電極及びドレイン電極を形成し、図２に示すような有機トランジスタを製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１８５】
本発明によれば、新規な有機半導体材料が提供可能である。
【符号の説明】
【０１８６】
１１ 基板
１２ ゲート電極
１３ ゲート絶縁膜
１４ ソース電極
１５ ドレイン電極
１６ 有機半導体活性層
２１ 基板
２２ ソース電極
２３ ドレイン電極
２４ ゲート絶縁膜
２５ ゲート電極
２６ 有機半導体活性層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
（式中、Ｅはそれぞれ独立に、硫黄またはセレン原子を表す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基を表す。前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基の合計炭素数は９〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基は、置換基を有していてもよい。前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基の合計炭素数は７〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基である。）
で表される置換ベンゾカルコゲノアセン化合物。
【請求項２】
式（１）におけるＥが、全て硫黄原子であることを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項３】
式（１）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、水素原子であることを特徴とする請求項１又は２記載の化合物。
【請求項４】
式（１）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、分岐状のアルキル基を有するアリール基であることを特徴とする請求項１又は２記載の化合物。
【請求項５】
式（１）で表される化合物が、式（２）
（式中、Ｅ、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の化合物。
【請求項６】
式（２）におけるＥが、全て硫黄であることを特徴とする請求項５記載の化合物。
【請求項７】
式（２）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、水素原子であることを特徴とする請求項５又は６記載の化合物。
【請求項８】
式（２）におけるＲ１及びＲ２が、いずれも、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基であることを特徴とする請求項５又は６記載の化合物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか記載の化合物を含有する薄膜。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか記載の化合物からなる薄膜。
【請求項１１】
請求項９又は１０記載の薄膜を含有する有機半導体デバイス。
【請求項１２】
請求項９又は１０記載の薄膜を含有する有機トランジスタ。
【請求項１】
式（１）
（式中、Ｅはそれぞれ独立に、硫黄またはセレン原子を表す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基を表す。前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基の合計炭素数は９〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基は、置換基を有していてもよい。前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基の合計炭素数は７〜３０であり、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、前記の分岐状のアルキル基を有するヘテロアリール基である。）
で表される置換ベンゾカルコゲノアセン化合物。
【請求項２】
式（１）におけるＥが、全て硫黄原子であることを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項３】
式（１）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、水素原子であることを特徴とする請求項１又は２記載の化合物。
【請求項４】
式（１）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、分岐状のアルキル基を有するアリール基であることを特徴とする請求項１又は２記載の化合物。
【請求項５】
式（１）で表される化合物が、式（２）
（式中、Ｅ、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の化合物。
【請求項６】
式（２）におけるＥが、全て硫黄であることを特徴とする請求項５記載の化合物。
【請求項７】
式（２）におけるＲ１及びＲ２が、それぞれ独立に、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基、又は、水素原子であることを特徴とする請求項５又は６記載の化合物。
【請求項８】
式（２）におけるＲ１及びＲ２が、いずれも、前記の分岐状のアルキル基を有するアリール基であることを特徴とする請求項５又は６記載の化合物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか記載の化合物を含有する薄膜。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか記載の化合物からなる薄膜。
【請求項１１】
請求項９又は１０記載の薄膜を含有する有機半導体デバイス。
【請求項１２】
請求項９又は１０記載の薄膜を含有する有機トランジスタ。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１２−１５８５８１（Ｐ２０１２−１５８５８１Ａ）
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６５３８６（Ｐ２０１１−６５３８６）
【出願日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
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