【課題】精度よく切断することが可能なウェハを提供する。
【解決手段】表面３及び裏面を有し、複数のチップに分断されるウェハであって、切断の起点となる改質領域７が内部に形成されている。改質領域７は、レーザ光Ｌの照射により形成される複数の改質スポットＳにより形成されている。複数の改質スポットＳは、ウェハの内部における表面３から所定距離の位置に形成されていると共に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有している。 （もっと読む）

【課題】レーザビームを利用した基板の加工方法を提供する。
【解決手段】スラッジの発生を防止できる親環境的な基板加工方法に係り、該基板加工方法は、第１レーザビームを生成する段階、回折光学素子を利用して第１レーザビームを複数個の第２レーザビームに分割する段階、分割された複数個の第２レーザビームを、基板の周面と平行な基板内部の平面に集束させる段階、及び基板内部の平面に沿って基板を面分離させる段階を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに照射される光ビームの焦点位置を精度良く検出でき、光ビームの焦点位置を制御できるレーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザ装置は、レーザ光源１から供給される光ビームをターゲット３６に集光するための集光光学素子１１と、光ビームの光路の途中に設けられ、光ビームの波面曲率を変更するための可変曲率ミラー１２と、光ビームの光路の途中に設けられ、回折ビーム３３を発生するための回折格子と、回折ビーム３３を受光して、ターゲット３６に照射される光ビーム３２の焦点位置を検出するための焦点位置検出装置４１などを備える。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態では、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させながら該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットＳを形成し、これら複数の改質スポットＳにより切断の起点となる改質領域７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 チッピングやクラッキングの発生を防止して、基板を薄型化し且つ基板を分割することのできる切断起点領域形成の制御装置を提供する。
【解決手段】 照射するレーザ光の集光点Ｐが基板１の内部の所定の位置となるように、レーザ光源１０１の集光点Ｐと基板１の載置台１０７との基板厚さ方向の相対位置を設定する手段と、設定された基板厚さ方向の位置を保って、レーザ光源１０１と載置台１０７とを格子状の切断予定ライン５に沿って相対移動させる手段と、集光点Ｐでのピークパワー密度が１×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上となるようにしてレーザ光を基板１に照射して、基板の厚さ方向における中心位置から、基板１のレーザ光照射面側に偏倚した基板内部位置に、改質領域を形成し、改質領域を切断起点領域とする割れを、基板１のレーザ光照射面には到達するが、基板の反対側の面には到達しないように発生させる手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 チッピングやクラッキングの発生を防止して、基板を薄型化し且つ基板を分割することのできる切断起点領域の形成方法を提供する。
【解決手段】 基板３の内部に集光点を合わせて、集光点でのピークパワー密度が１×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上となるようにしてレーザ光を照射し、基板３の内部に切断予定ラインに沿った改質領域１３を形成し、この改質領域１３を切断起点領域として、基板３を分割するための当該切断起点領域の形成方法であって、切断予定ラインは格子状に設定されており、切断起点領域を、基板３の厚さ方向における中心位置から基板のレーザ光照射面側に偏倚して形成し、切断起点領域を起点として格子状の切断予定ラインに沿って発生する割れを基板３のレーザ光照射面には到達するが、基板３の反対側面には到達しないようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置３００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源２０２と、レーザ光Ｌを支持台上の加工対象物１の内部に集光させる集光光学系２０４と、支持台を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光源２０２及びステージ１１１を制御する制御部２５０と、を備えている。この制御部２５０は、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させながら該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットを形成させ、これら複数の改質スポットにより改質領域７を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することを可能にするレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置１００は、基板の表面上にIII−V族化合物半導体からなる半導体層が積層され、且つ基板に達しない溝が切断予定ライン５に沿って半導体層に形成されたウェハ２に、レーザ光Ｌを照射することにより、切断の起点となる改質領域をライン５に沿って基板の内部に形成する。装置１００は、ウェハ２が載置される載置台１０７と、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌをウェハ２に集光する集光用レンズ１０５と、ウェハ２を撮像し、溝が撮像された撮像データを取得する撮像素子１２１と、撮像データに基づいて、溝に対して所定の位置に改質領域が形成されるように、載置台１０７及びレーザ光源１０１を制御する制御部１２７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光源からの光を変調して、略円形の等強度線を有する少なくとも１つの光を被照射物に対して照射する光照射装置を提供する。
【解決手段】光照射装置１０は、光を出射するマスク照明系１１と、マスク照明系１１からの光を変調して出射する変調マスク２１と、変調された光を結像して被照射物１８に照射する結像光学系１７とを備えている。変調マスク２１は、円形の輪郭からなる変調領域２２と、各変調領域２２間を埋めるよう形成された非変調領域２３と、を有している。変調領域２２は、光を第１の位相変調量で変調する多数の第１位相変調単位領域２５ａと、各第１位相変調単位領域２５ａを埋めるよう形成され、光を第２の位相変調量で変調する第２位相変調領域２５ｂと、を有している。各第１位相変調単位領域２５ａは、仮想的な円周方向線２７に沿って設けられている。 （もっと読む）

【課題】優れた偏光消光比を持つラジアル偏光のレーザ光を低コストで発生できるレーザ発振器を提供する。
【解決手段】レーザ発振器は、リアミラー４および出力ミラー１を有する往復型の光共振器と、光共振器内に設けられ、光を増幅するためのレーザ媒質と、光共振器内に設けられ、アジマス偏光の反射率がラジアル偏光の反射率を上回る反射型回折光学素子と、光共振器の内部または外部に設けられ、光の偏光をラジアル偏光からアジマス偏光へまたはアジマス偏光からラジアル偏光へ変換する２つの反射型λ／２板８，９とを備え、ラジアル偏光のレーザ光を発生することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非破壊で溶接部の溶け込み量を定量的に計測して、溶接品質を評価することができるレーザ溶接装置を提供する。
【解決手段】レーザ溶接装置１００は、（ａ）一定強度のレーザ光を、レーザ光の強度にピークが発生するように変調して、溶接部１０２に照射し、（ｂ）ピークに応じて溶接部１０２に発生した超音波１０５を圧電素子１１５で検出し、（ｃ）レーザ光の変調時間と照射位置と、超音波１０５の検出位置と検出時間とに基づいて、溶接部１０２の溶け込み量を算出し、（ｄ）溶け込み量に基づいて、溶接の良否を判定する。 （もっと読む）

本発明は、連続したプラスチックの帯状体で提供される医療部門で使用するための相互接続されたプラスチック製品を切断するための装置であって、少なくとも１つのレーザ、少なくとも１つのレーザ制御システム、および少なくとも１つの光学取得およびデータ処理ユニットを備える、装置について説明する。さらに、本発明は、医療部門で使用するためのプラスチック製品、特に充填可能または充填済みプラスチック容器を切断するための装置を製造するための装置であって、連続したプラスチックの帯状体で提供される相互接続されたプラスチック製品を切断するための装置を備える、装置、ならびに、連続したプラスチックの帯状体で提供される相互接続されたプラスチック製品を切断するためのプロセスを対象とする。特に、本発明は、連続したプラスチックの帯状体で提供される医療部門で使用するための相互接続されたプラスチック製品を切断するための装置であって、少なくとも１つのレーザ、少なくとも１つのレーザ制御システム、および少なくとも１つの光学取得およびデータ処理ユニットを備える、装置を対象とする。光学取得ユニットは、帯状体で提供される相互接続されたプラスチック製品について位置データを確定する。位置データから、レーザ制御システムに送信される切断パターンが計算される。この切断パターンに従って、少なくとも１つのレーザの位置、強度、および焦点が、集光系光学部品、偏向手段、およびビーム形成手段を備えるレーザ制御システムによって制御される。
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本発明は、レーザアブレーションマイクロリソグラフィに関する。具体的には、画素毎に複数のミラーを使用して、ミラーに損傷を与えない程度にＳＬＭミラー面上のエネルギー密度を維持しつつ、レーザアブレーションを容易にするエネルギー密度にエネルギーを集中させる、新たなＳＬＭ設計およびパターニング方法を開示する。複数のマイクロミラーは、現行のＤＭＤ装置をはるかに超える非常に高い周波数で再設定することができる。
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【課題】装置の大型化及び煩雑化をもたらすことなく、また照度の低下をもたらすことなく、レーザ光を光源に使用した場合の干渉縞の発生を防止することができるレーザ照明装置を提供する。
【解決手段】レーザ光の光路に、偏光解消板６、フライアイレンズ７及びコンデンサレンズ８、９が、この順に配置されている。偏光解消板６は、フライアイレンズ７の各レンズセルに対応する大きさを有し入射レーザ光に対して位相差を与えて出射する複数個の位相差板６ａ〜６ｄがレンズセルに１：１で対応して配置されたものであり、各位相差板は、隣り合うもの同士の出射光の偏光面が４５°異なるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ウェッジプリズムの往復移動を伴うことなく、レーザビームのワークに対する照射角度を可変とするビームローテータの実現。
【解決手段】角度ローテータ14の第３のウェッジプリズム30及び第４のウェッジプリズム38を透過したレーザビームL13は、第２の反射ミラー52a〜第４の反射ミラー52cを経由し、反転された状態で第４のウェッジプリズム38及び第３のウェッジプリズム30に再入射するため、両ウェッジプリズムの少なくとも一方を所定方向に回転させ、両者間の位相差を調整することにより、半径ローテータ12に出射されるレーザビームL14の光軸を所定幅で平行移動可能となる。 （もっと読む）

【課題】光ファイバによって伝送されたレーザ光で被処理体を加工する際に、被処理体に照射されるレーザ光の幅を容易に変化させることができ、かつ、安価に製造することができるレーザ照射装置を提供すること。
【解決手段】レーザ照射装置は、レーザ光Ｌを発振するレーザ発振器２１と、レーザ発振器２１から発振されるレーザ光Ｌを案内するとともに当該レーザ光Ｌを端面から外部に照射する複数の光ファイバ２５と、光ファイバ２５の端面を被処理体６０に対して相対的に加工進行方向ＰＤに沿って移動させる加工移動部３５と、を備えている。レーザ照射装置は、複数の光ファイバ２５のうちの少なくとも一つに連結され、当該光ファイバ２５の端面を前記加工進行方向に直交する成分を含む方向に移動させるファイバ移動部１０と、光ファイバ２５の端面から照射されるレーザ光Ｌの各々が入射される一つの結像レンズ１７も備えている。 （もっと読む）

本発明は半導体材料を照射するための装置に関し、本装置は、一次レーザービームを生成するレーザーと、光学系と、一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および／またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および／またはサイズに対応し、光学系は、共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする。さらに、本発明は、半導体デバイス製造におけるこのような装置の使用に関する。 （もっと読む）